KR100838196B1 - 개선된 구조를 갖는 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

개선된 구조를 갖는 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는 N형 반도체층, P형 반도체층, 및 상기 N형 및 P형 반도체층들 사이에 개재된 활성층을 갖는다. 또한, 상기 P형 화합물 반도체층은 상기 활성층 상에 위치하는 P형 클래드층, 상기 P형 클래드층 상에 위치하는 홀 주입층 및 상기 홀 주입층 상에 위치하는 P형 콘택층을 포함하는 적층구조이다. 이에 따라, P형 반도체층 내에서 활성층 내로의 홀의 주입을 원활하게 하여 전자-홀의 재결합율을 향상시킬 수 있다.
발광 다이오드, 활성층, 홀 주입층, 클래드층, 콘택층

Description

개선된 구조를 갖는 발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE WITH IMPROVED STRUCTRE}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 활성층 내로 홀의 주입을 원활하기 위해 P형 반도체층의 적층 구조를 개선한 발광 다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 질화인듐갈륨(InGaN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 청색 및 자외선 영역의 발광 다이오드용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN) 화합물 반도체는 좁은 밴드 갭에 기인하여 많은 주목을 받고 있다. 이러한 질화갈륨 계열의 화합물 반도체를 이용한 발광 다이오드는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 백라이트 광원, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
최근, 고효율 백색 LED는 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있으며, 특히 백색 LED의 효율(efficiency)은 통상의 형광램프의 효율에 유사한 수준에 도달하고 있다. 그러나, LED의 효율 개선이 지속적으로 요구되고 있으며, 특히, 결정 질(crystal quality) 및 에피층 구조를 개선하여 내부 양자 효율(internal quantum efficiency)을 증가시킬 것이 요구된다.
LED는 일반적으로 N형 반도체층과 P형 반도체층 사이에 활성층이 개재된 구조를 가지며, 상기 N형 반도체층 및 상기 P형 반도체층에서 각각 전자 및 홀이 활성층 내로 주입되고, 이들이 활성층 내에서 재결합하여 광을 방출한다.
상기 N형 반도체층, P형 반도체층 및 활성층을 최적화하여 전자 및 홀의 재결합율을 높이려는 다양한 시도가 여전히 진행되고 있으며, 상기 반도체층들의 구조를 개선하여 내부양자효율을 개선할 여지가 아직도 남아있다.
한편, P형 반도체층으로부터 도핑된 불순물이 활성층으로 확산되어 활성층을 열화시킬 수 있다. 활성층으로 확산된 불순물은 전자 트랩을 형성하여 발광효율을 떨어뜨린다. 따라서 활성층 내로 의도하지 않은 불순물이 확산되는 것을 방지할 필요가 있다.
한편, 상기 층들은 일반적으로 MOCVD 기술을 사용하여 형성되며, 우수한 결정질의 에피층들을 형성하기 위해 일반적으로 인-시투(in-situ)로 형성된다. 인-시투 공정에서, 각 층의 형성 후, 소오스 가스를 변경하기 위한 단계를 거치게 되며, 이때, 증착된 에피층이 분해되는 것을 방지하기 위해 질소를 함유하는 가스, 예컨대 암모니아(NH3) 가스가 다른 반응 가스 없이 챔버 내로 유입된다.
그러나, 암모니아는 증착된 에피층과 반응하여 분해되고, 그 안에 함유된 수소가 P형 불순물, 예컨대 Mg와 결합하여 반도체층 내에서 Mg가 활성화되는 것을 방 해한다. 적층 구조의 표면 가까이에 있는 수소와 Mg의 결합체들은 열처리 공정에 의해 어느 정도 감소시킬 수 있으나, 내부에 있는 수소와 Mg의 결합체들은 열처리 공정에 의해 분해되기 어렵고 따라서 홀의 생성 및 홀의 이동도를 감소시키어 내부양자효율을 떨어뜨린다.
따라서, 수소와 도핑된 불순물들의 결합을 방지할 수 있는 개선된 P형 반도체 적층 구조가 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 P형 반도체층의 구조를 개선하여 활성층으로 주입되는 홀의 주입 속도를 향상시킴으로써 LED의 내부양자효율을 개선하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 P형 반도체층으로부터 활성층으로 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있는 LED 구조를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 홀의 생성 및 주입을 향상시킨 LED 구조를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예들은 개선된 구조를 갖는 발광 다이오드를 제공한다. 이 발광 다이오드는 N형 반도체층, P형 반도체층, 및 상기 N형 및 P형 반도체층들 사이에 개재된 활성층을 갖는다. 또한, 상기 P형 반도체층은 상기 활성층 상에 위치하는 P형 클래드층, 상기 P형 클래드층 상에 위치하는 홀 주입층 및 상기 홀 주입층 상에 위치하는 P형 콘택층을 포함하는 적층구조이다.
상기 P형 클래드층은 N형 반도체층에서 주입된 전자를 활성층 내에 제한하여 전자와 홀의 재결합율을 향상시키기 위해 채택된다. 한편, 상기 홀 주입층은 홀을 생성하는 주요층으로 상기 홀 주입층의 홀들이 상기 활성층 내로 주입된다. 또한, 상기 P형 콘택층은 그 위에 형성되는 전극 또는 전극 패드와 P형 반도체층의 콘택저항을 감소시키기 위해 채택된다. 상기 P형 반도체층을 클래드층, 홀 주입층 및 콘택층의 적층구조로 형성함으로써 홀 생성 및 상기 활성층 내로의 홀의 주입을 개선하여 내부양자효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 홀 주입층의 도핑농도는 상기 P형 클래드층의 도핑농도보다 낮고, 상기 P형 콘택층의 도핑농도는 상기 P형 클래드층의 도핑농도보다 높을 수 있다.
상기 P형 콘택층의 도핑 농도를 상대적으로 높게 형성함으로써 그 위에 형성될 전극이 상기 P형 반도체층에 오믹 콘택된다. 한편, 홀 주입층의 도핑 농도를 상대적으로 높게 형성할 경우, 홀의 생성량이 증가될 수 있으나 오히려 홀의 이동도(mobility)가 감소하여 활성층 내로 주입되는 홀의 주입속도가 떨어지고 따라서 전자-홀의 재결합율이 감소된다. 따라서, 상기 홀 주입층의 도핑 농도를 상대적으로 낮게 형성함으로써 홀의 이동도를 향상시킬 수 있으며, 또한 상기 P형 클래드층의 도핑농도를 상대적으로 높게 형성하여 상기 홀 주입층으로부터 상기 활성층으로의 홀의 이동을 촉진할 수 있다.
이에 더하여, 상기 홀 주입층의 두께는 상기 P형 클래드층의 두께보다 두껍고, 상기 P형 콘택층의 두께는 상기 P형 클래드층의 두께보다 얇을 수 있다. 이에 따라, 상대적은 낮은 도핑 농도를 갖는 상기 홀 주입층에서 충분한 양의 홀을 생성할 수 있으며 또한 P형 콘택층을 상대적으로 얇게 형성함으로써 P형 반도체층 내에서 전체적으로 홀의 이동도가 감소하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 P형 클래드층의 밴드갭은 상기 홀 주입층의 밴드갭보다 더 넓고, 상기 홀 주입층의 밴드갭은 상기 P형 콘택층의 밴드갭과 동일할 수 있다. 상기 P형 반도체층 내의 각 층들의 밴드갭을 제어함으로써 전류분산을 효과적으로 달성함과 아울러, P형 콘택층과 홀 주입층 사이에 에너지 장벽을 제거할 수 있어 P형 반도체층 내에서 홀의 이동을 촉진할 수 있다.
상기 홀 주입층 및 상기 P형 콘택층은 GaN일 수 있다. 또한, 상기 P형 클래드층은 AlxInyGa1 -x-yN(0<x<1, 0≤y<1, x+y<1)일 수 있다.
한편, 상기 활성층과 상기 P형 클래드층 사이에 언도프트층이 개재될 수 있으며, 상기 언도프트층은 AlxInyGa1 -x-yN(0<x<1, 0≤y<1, x+y<1)일 수 있다. 이 언도프트 층은 상기 P형 클래드층으로부터 활성층으로 불순물이 확산되는 것을 방지한다.
또한, 상기 P형 클래드층과 상기 홀 주입층 사이에 하부 언도프트층이 개재될 수 있다. 상기 하부 언도프트층은 GaN로 형성될 수 있으며, 상기 P형 클래드층을 성장시킨 후 Al 및/또는 In의 소오스 가스를 중단하여 성장될 수 있다. 이에 따라, 상기 P형 클래드층 내의 불순물, 예컨대 Mg가 수소와 결합하는 것을 방지할 수 있다.
이에 더하여, 상기 홀 주입층과 상기 P형 콘택층 사이에 상부 언도프트층이 개재될 수 있다. 상기 상부 언도프트층은 GaN로 성장될 수 있으며, 상기 상부 언도프트층은 상기 홀 주입층 내의 불순물, 예컨대, Mg가 수소와 결합하는 것을 방지한다.
본 발명에 따르면, P형 반도체층의 구조를 개선하여 전자를 활성층 내에 제한함과 아울러 활성층 내로의 홀 주입을 원활하게 함으로써 전자-홀의 재결합율을 향상시키어 내부양자효율을 개선할 수 있다. 또한, P형 반도체층에서 활성층으로 불순물이 확산되는 것을 방지하여 비발광 재결합을 방지함으로써 발광효율을 향상시킬 수 있으며, 또한 P형 클래드층과 홀 주입층 사이 및/또는 홀 주입층과 P형 콘택층 사이에 언도프트 GaN을 형성함으로써 Mg이 수소와 결합하는 것을 방지하여 Mg의 활성화를 도와 홀 생성 및 주입을 개선할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(21) 상에 N형 반도체층(25)이 위치한다. 또한, 기판(21)과 N형 반도체층(25) 사이에 버퍼층(23)이 개재될 수 있으며, 상기 버퍼층은 저온 버퍼층 및 고온 버퍼층을 포함할 수 있다. 상기 기판(21)은 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 사파이어, 스피넬, 탄화실리콘 기판 등일 수 있다.
상기 N형 반도체층(25)은 전자 주입층을 포함하며 또한 N형 클래드층을 포함할 수 있다. 상기 N형 반도체층은 (Al, Ga, In)N 계열의 III족 질화물 반도체층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 N형 반도체층(25)은 각각 GaN 및/또는 AlInGaN로 형성될 수 있다. 상기 N형 반도체층(25)은 N형 불순물 예컨대 Si이 도핑되어 형성될 수 있다.
상기 N형 반도체층(25) 상부에 P형 반도체층(35)이 위치하고, 상기 N형 반도체층(25)과 P형 반도체층(35) 사이에 활성층(27)이 개재된다. 상기 활성층(27)은 단일의 웰층을 갖는 단일 양자웰 또는 웰층과 장벽층이 교대로 적층된 다중양자웰일 수 있다. 상기 웰층은 InGaN로 형성되며, 장벽층은 (Al, In, Ga)N로 형성될 수 있다. 상기 웰층은 장벽층에 비해 더 많은 In을 포함하여 양자웰을 형성한다.
상기 P형 반도체층(35)은 P형 클래드층(29), 홀 주입층(31) 및 P형 콘택층(33)을 포함한다. 상기 P형 클래드층(29)의 밴드갭은 상기 홀 주입층(31)의 밴드갭보다 더 넓고, 상기 홀 주입층(31)의 밴드갭은 상기 P형 콘택층(33)의 밴드갭과 동일하다. P형 콘택층(33)과 홀 주입층(31)의 밴드갭이 동일하므로, 전극(도시하지 않음)에서 유입된 전류가 P형 콘택층(33)에서 분산된 후, 에너지 장벽 없이 홀 주입층(31)으로 유입될 수 있다. 상기 P형 클래드층(29)은 전자를 활성층(27) 내에 제한하기 위해 넓은 밴드갭을 갖는 반도체층으로 형성되며, 또한 홀 주입층(31)에 비해 상대적으로 넓은 밴드갭을 가지므로 홀 주입층 내에서 전류가 분산되는 것을 돕는다.
한편, 상기 홀 주입층(31)의 도핑농도는 상기 P형 클래드층(29)의 도핑농도 보다 낮고, 상기 P형 콘택층(33)의 도핑농도는 상기 P형 클래드층(29)의 도핑농도보다 높을 수 있다. 상기 P형 콘택층(33)은 ITO 또는 금속 재료의 도전 전극(도시하지 않음)이 콘택되는 층으로, 도전 전극과 P형 콘택층(33) 사이의 콘택저항을 낮추기 위해 불순물이 고농도로 도핑된다. 그러나, 상기 홀 주입층(31)은 활성층(27)으로 주입되는 홀을 생성하는 층으로 도핑농도가 높으면 홀 주입층 내에서 홀 이동도가 감소된다. 따라서, 상기 홀 주입층(31)의 도핑농도를 P형 콘택층(33)에 비해 낮게 형성함으로써 홀의 이동도를 향상시킬 수 있다. P형 클래드층(29) 또한 홀의 이동을 원활하게 하기 상기 P형 콘택층(33)에 비해 낮게 형성된다. 또한, 홀 주입층(31)에서 생성된 홀은 P형 클래드층(29)을 지나 활성층(27)으로 주입된다. 이때, 상기 P형 클래드층(29)의 도핑 농도를 상기 홀 주입층(31)의 도핑농도에 비해 상대적으로 높게 함으로써, 홀 주입층(31)에서 P형 클래드층(29)으로의 홀의 이동을 촉진할 수 있다.
한편, 상기 홀 주입층(31)의 두께는 상기 P형 클래드층(29)의 두께보다 두껍고, 상기 P형 콘택층(33)의 두께는 상기 P형 클래드층의 두께보다 얇을 수 있다. 홀 주입층(31)의 두께를 상기 P형 클래드층(29)에 비해 두껍게 형성함으로써 상대적은 낮은 도핑농도를 가지면서도 충분한 홀을 생성할 수 있다. 또한, P형 콘택층(33)을 얇게 형성함으로써 홀의 이동도에 대한 영향을 감소시킬 수 있으며, 순방향 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 P형 클래드층(29)을 상대적으로 두껍게 형성할 경우, 홀의 주입을 방해하여 순방향 전압을 증가시키며, 이에 따라 전자-홀의 재결합율을 떨어뜨린다. 따라서, 상기 P형 클래드층(29)을 상기 홀 주입층(31)에 비해 상대적으로 얇게 형성함으로써 홀의 주입을 향상시킬 수 있다.
상기 P형 클래드층(29)은 AlxInyGa1 -x- yN으로 형성될 수 있으며, 여기서, 0<x<1, 0≤y<1, 및 x+y<1 이다. 또한, 상기 홀 주입층(31) 및 P형 콘택층(33)은 GaN로 형성될 수 있다. 이들 층들은 MOCVD 기술을 사용하여 인-시투(in-situ)로 형성될 수 있으며, P형 불순물로 예컨대 Mg가 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 1을 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 동일한 구조를 가지며, 다만 P형 반도체층(45)이 활성층(27)과 P형 클래드층(29) 사이에 개재된 언도프트 층을 더 포함한다. 상기 언도프트 층은 P형 클래드층(29)과 동일한 계열의 반도체층으로 형성될 수 있으며, 다만 불순물이 인위적으로 도핑되지 않는다. 예컨대, 상기 P형 클래드층(29)이 P형 AlxInyGa1-x-yN(0<x<0, 0≤y<1, 및 x+y<1) 로 형성된 경우, 상기 언도프트 층(28)은 언도프트 AlxInyGa1 -x-yN(0<x<1, 0≤y<1, 및 x+y<1)로 형성될 수 있다. 상기 언도프트층의 조성비가 상기 P형 클래드층(29)과 완전히 동일해야 하는 것은 아니며, 조성비에 약간의 차이가 있을 수도 있다.
상기 언도프트 층(28)은 P형 클래드층(29)에 도핑된 불순물, 예컨대 Mg이 활성층(27)으로 확산되는 것을 방지한다. 따라서, 활성층 내로 확산된 불순물에 의해 비발광 재결합이 발생되는 것을 방지할 수 있어 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 2를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 동일한 구조를 가지며, 다만 P형 반도체층(55)이 P형 클래드층(29)과 홀 주입층(31) 사이에 개재된 하부 언도프트 층(30) 및/또는 홀 주입층(31)과 P형 콘택층(33) 사이에 개재된 상부 언도프트 층(32)을 더 포함한다.
상기 하부 언도프트 층(30) 및 상기 상부 언도프트 층(32)은 홀 주입층과 동일한 반도체층으로 인위적인 도핑없이 형성될 수 있으며, 예컨대 언도프트 GaN로 형성될 수 있다.
상기 하부 언도프트 층(30)은 챔버 내에서 AlInGaN로 P형 클래드층(29)을 성장시킨 후 Al과 In의 소오스 가스의 유입을 차단하여 성장될 수 있다. 상기 언도프트 층(29)은 그것이 성장되는 동안 NH3의 수소가 P형 클래드층 내의 불순물과 결합하는 것을 방지하며, 또한 인시투 공정에 의해 홀 주입층(31)을 형성하기 전, NH3 가스를 유입하는 단계에서 수소가 P형 클래드층(29) 내의 불순물과 결합하는 것을 차단한다. 이에 따라 P형 클래드층(29) 내의 Mg의 활성화가 향상된다.
한편, 상기 상부 언도프트 층(30)은 P형 콘택층(33)을 형성하기 전, 수소가 홀 주입층(31) 내의 불순물과 결합하는 것을 차단하여 홀 주입층(31) 내의 불순물의 활성화를 돕는다.
본 실시예에 있어서, 도 3에 활성층(27)과 P형 클래드층(29) 사이에 언도프트 층(28)이 개재된 것으로 도시하였으나, 언도프트층(28)과 하부 및 상부 언도프 트 층(30, 32)이 반드시 함께 사용되어야 하는 것은 아니다, 언도프트층(28)은 생략될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

Claims (7)

  1. N형 반도체층, P형 반도체층, 및 상기 N형 및 P형 반도체층들 사이에 개재된 활성층을 갖는 발광 다이오드에 있어서,
    상기 P형 반도체층은
    상기 활성층 상에 위치하는 P형 클래드층;
    상기 P형 클래드층 상에 위치하는 홀 주입층; 및
    상기 홀 주입층 상에 위치하는 P형 콘택층을 포함하는 적층구조인 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 홀 주입층의 도핑농도는 상기 P형 클래드층의 도핑농도보다 낮고, 상기 P형 콘택층의 도핑농도는 상기 P형 클래드층의 도핑농도보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 홀 주입층의 두께는 상기 P형 클래드층의 두께보다 두껍고, 상기 P형 콘택층의 두께는 상기 P형 클래드층의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 P형 클래드층의 밴드갭은 상기 홀 주입층의 밴드갭보다 더 넓고, 상기 홀 주입층의 밴드갭은 상기 P형 콘택층의 밴드갭과 동일한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 활성층과 상기 P형 클래드층 사이에 언도프트층이 개재된 발광 다이오드.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 P형 클래드층과 상기 홀 주입층 사이에 하부 언도프트층이 개재된 발광 다이오드.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 홀 주입층과 상기 P형 콘택층 사이에 상부 언도프트층이 개재된 발광 다이오드.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014189207A1 (ko) 2013-05-22 2014-11-27 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20160022236A (ko) 2014-08-19 2016-02-29 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20160038629A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광소자
JP2021527334A (ja) * 2018-06-12 2021-10-11 オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 水素拡散障壁層を有するｉｉｉ−ｖ族発光微小画素アレイ素子のための素子および方法
KR20220019008A (ko) 2014-08-19 2022-02-15 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100877774B1 (ko) * 2007-09-10 2009-01-16 서울옵토디바이스주식회사 개선된 구조의 발광다이오드
JP2013038394A (ja) * 2011-07-14 2013-02-21 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子
US9966501B2 (en) * 2015-09-07 2018-05-08 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with high efficiency
CN110635007A (zh) * 2019-09-12 2019-12-31 佛山市国星半导体技术有限公司 一种抗静电外延结构及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070042983A (ko) * 2004-07-27 2007-04-24 크리 인코포레이티드 인듐을 포함하는 캐핑 구조를 갖는 ⅲ 족 나이트라이드계양자 우물 발광 소자 구조

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6057565A (en) * 1996-09-26 2000-05-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a non-stoichiometric compound layer and manufacturing method thereof
JP3864735B2 (ja) * 2000-12-28 2007-01-10 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US6927412B2 (en) * 2002-11-21 2005-08-09 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitter
JP2006108585A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US7569866B2 (en) * 2005-09-30 2009-08-04 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light-emitting device
US7368759B2 (en) * 2005-09-30 2008-05-06 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light-emitting device
US7462884B2 (en) * 2005-10-31 2008-12-09 Nichia Corporation Nitride semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070042983A (ko) * 2004-07-27 2007-04-24 크리 인코포레이티드 인듐을 포함하는 캐핑 구조를 갖는 ⅲ 족 나이트라이드계양자 우물 발광 소자 구조

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014189207A1 (ko) 2013-05-22 2014-11-27 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20140137208A (ko) 2013-05-22 2014-12-02 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR102160068B1 (ko) * 2013-05-22 2020-09-25 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20160022236A (ko) 2014-08-19 2016-02-29 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20220019008A (ko) 2014-08-19 2022-02-15 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20160038629A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광소자
WO2016052997A1 (en) * 2014-09-30 2016-04-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Vertical ultraviolet light emitting device
US9905728B2 (en) 2014-09-30 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Vertical ultraviolet light emitting device
US10199539B2 (en) 2014-09-30 2019-02-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Vertical ultraviolet light emitting device
KR102264671B1 (ko) 2014-09-30 2021-06-15 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광소자
JP2021527334A (ja) * 2018-06-12 2021-10-11 オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 水素拡散障壁層を有するｉｉｉ−ｖ族発光微小画素アレイ素子のための素子および方法

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