JPH0666519B2 - 超格子構造体 - Google Patents
超格子構造体Info
- Publication number
- JPH0666519B2 JPH0666519B2 JP18962386A JP18962386A JPH0666519B2 JP H0666519 B2 JPH0666519 B2 JP H0666519B2 JP 18962386 A JP18962386 A JP 18962386A JP 18962386 A JP18962386 A JP 18962386A JP H0666519 B2 JPH0666519 B2 JP H0666519B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrons
- semiconductor material
- superlattice structure
- superlattice
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
- H01S5/2013—MQW barrier reflection layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
- Y10S977/712—Integrated with dissimilar structures on a common substrate formed from plural layers of nanosized material, e.g. stacked structures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/755—Nanosheet or quantum barrier/well, i.e. layer structure having one dimension or thickness of 100 nm or less
- Y10S977/76—Superlattice with graded effective bandgap, e.g. "chirp-graded" superlattice
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/755—Nanosheet or quantum barrier/well, i.e. layer structure having one dimension or thickness of 100 nm or less
- Y10S977/761—Superlattice with well or barrier thickness adapted for increasing the reflection, transmission, or filtering of carriers having energies above the bulk-form conduction or valence band energy level of the well or barrier, i.e. well or barrier with n-integer-λ-carrier-/4 thickness
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、エネルギー障壁を人為的に制御し得る超格子
構造体に関するものである。
構造体に関するものである。
（従来の技術） 半導体レーザや発行ダイオード等の半導体発光デバイス
においては、発光に寄与する注入電子又はホールを活性
領域に効率よく閉込める必要がある。このため従来の半
導体発光デバイスでは、第５図に示すようにＰ形活性領
域１の両側にｎ形クラッド領域２及びＰ形クラッド領域
３をそれぞれ形成したダブルヘテロ構造を用い、Ｐ形活
性領域１とＰ形クラッド領域３とをバンドギャップがΔ
Ｅだけ異なる半導体材料で構成されている。この半導体
発光デバイスにおいて閉じ込められた電子又はホールに
対するエネルギー障壁の高さは、バンドギャップΔＥと
なり、このバンドギャップΔＥは活性領域１及びＰ形ク
ラッド領域３の半導体材料の固有の物理定数によって規
定される。
においては、発光に寄与する注入電子又はホールを活性
領域に効率よく閉込める必要がある。このため従来の半
導体発光デバイスでは、第５図に示すようにＰ形活性領
域１の両側にｎ形クラッド領域２及びＰ形クラッド領域
３をそれぞれ形成したダブルヘテロ構造を用い、Ｐ形活
性領域１とＰ形クラッド領域３とをバンドギャップがΔ
Ｅだけ異なる半導体材料で構成されている。この半導体
発光デバイスにおいて閉じ込められた電子又はホールに
対するエネルギー障壁の高さは、バンドギャップΔＥと
なり、このバンドギャップΔＥは活性領域１及びＰ形ク
ラッド領域３の半導体材料の固有の物理定数によって規
定される。
一方、近年MBE法やMOCVD法等の結晶成長技術の発展に伴
ない、原子層オーダの極薄膜の結晶成長が可能になり、
量子効果を用いた半導体デバイスの物性制御が行なわれ
ている。例えば、活性層を数十オングストロームに薄膜
化した量子井戸レーザでは、量子井戸中の電子、ホール
のエネルギー準位が離散化され、状態密度関数の増大に
よる低閾値電流化や発光波長の短波長化が図られてい
る。更に、ベース領域をバンドギャップの異なる２種類
の半導体材料を交互に周期をわずかに変えながら構成し
たCHIRP超格子（Coherent Hetero Interface for Refle
ction and Penetration）超格子を電子デバイスとして
利用する提案もなされている。
ない、原子層オーダの極薄膜の結晶成長が可能になり、
量子効果を用いた半導体デバイスの物性制御が行なわれ
ている。例えば、活性層を数十オングストロームに薄膜
化した量子井戸レーザでは、量子井戸中の電子、ホール
のエネルギー準位が離散化され、状態密度関数の増大に
よる低閾値電流化や発光波長の短波長化が図られてい
る。更に、ベース領域をバンドギャップの異なる２種類
の半導体材料を交互に周期をわずかに変えながら構成し
たCHIRP超格子（Coherent Hetero Interface for Refle
ction and Penetration）超格子を電子デバイスとして
利用する提案もなされている。
（発明が解決しようとする問題点） 上述した従来の発光デバイスでは、高温で動作させると
電子、ホールが熱的に高エネルギーに励起されるため、
これら電子、ホールが障壁を乗り越えてしまい発光効率
が著しく低下する不都合があった。また、レーザに利用
した場合閾値電流が増大する不都合も生じていた。更
に、1.5μｍ帯GaInAsPレーザの場合オージェ過程により
高エネルギー帯に散乱されてしまい、特に高温動作が困
難になる欠点があった。これらの問題点は、いずれも電
子、ホールに対するエネルギー障壁が十分に確保されて
いないことに起因している。
電子、ホールが熱的に高エネルギーに励起されるため、
これら電子、ホールが障壁を乗り越えてしまい発光効率
が著しく低下する不都合があった。また、レーザに利用
した場合閾値電流が増大する不都合も生じていた。更
に、1.5μｍ帯GaInAsPレーザの場合オージェ過程により
高エネルギー帯に散乱されてしまい、特に高温動作が困
難になる欠点があった。これらの問題点は、いずれも電
子、ホールに対するエネルギー障壁が十分に確保されて
いないことに起因している。
一方、薄膜形成技術の発展に伴ない種々の特性の超格子
構造体が開発されており、この超格子構造体を発光デバ
イスに利用することが期待されている。しかし、上述し
た超格子構造体は電子デバイスとして利用されており、
超格子構造体を用いて電子、ホールを活性領域に閉じ込
める技術は未だ開発されていない。
構造体が開発されており、この超格子構造体を発光デバ
イスに利用することが期待されている。しかし、上述し
た超格子構造体は電子デバイスとして利用されており、
超格子構造体を用いて電子、ホールを活性領域に閉じ込
める技術は未だ開発されていない。
従って、本発明の目的はエネルギー障壁の高さを人為的
に制御でき、従って発光デバイスとして用いた場合に電
子又はホールを活性領域内に十分に効率よく閉じ込める
ことができるエネルギー障壁を形成できる超格子構造体
を提供するものである。
に制御でき、従って発光デバイスとして用いた場合に電
子又はホールを活性領域内に十分に効率よく閉じ込める
ことができるエネルギー障壁を形成できる超格子構造体
を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明による超格子構造体は、バンドギャップが互いに
相異する第１及び第２の半導体材料層を交互に積層した
超格子構造体であって、 ｈをプランク定数とし、m1 *及びm2 *をそれぞれ第１及び
第２半導体材料における電子の有効質量とし、d1及びd2
をそれぞれ第１及び第２半導体材料層の厚さとし、ΔＥ
ｃを第１半導体材料の伝導帯の底と第２半導体材料の伝
導帯の底との差とし、Ｅを超格子構造体に入射した電子
のエネルギーとした場合に、前記第１及び第２の半導体
材料層の厚さを、式 を満たすように設定したことを特徴とするものである。
相異する第１及び第２の半導体材料層を交互に積層した
超格子構造体であって、 ｈをプランク定数とし、m1 *及びm2 *をそれぞれ第１及び
第２半導体材料における電子の有効質量とし、d1及びd2
をそれぞれ第１及び第２半導体材料層の厚さとし、ΔＥ
ｃを第１半導体材料の伝導帯の底と第２半導体材料の伝
導帯の底との差とし、Ｅを超格子構造体に入射した電子
のエネルギーとした場合に、前記第１及び第２の半導体
材料層の厚さを、式 を満たすように設定したことを特徴とするものである。
（作用） バンドギャップが互いに相異する第１及び第２の半導体
材料層を交互に形成して超格子構造体を構成する。第１
の半導体材料の電子親和力をχ１、第２の半導体材料の
電子親和力をχ２とすると、この超格子構造体の伝導帯
の底はΔＥｃ＝χ１−χ２の振幅で周期的に変化する。
一方、この超格子構造体にエネルギーＥの電子が入射す
ると、第１半導体材料層と第２半導体材料層の界面に形
成されるポテンシャルの不連続点で量子力学的に反射さ
れることになる。従って、各不連続点での電子の反射波
の位相を制御し得るように半導体材料１及び２の物理量
を適切に設定すれば、入力電子に対するエネルギー障壁
を人為的に制御できることになる。本発明では、超格子
構造体を構成する第１及び第２の半導体材料層１及び２
の厚さd1及びd2並びに電気的特性を次式を満足するよう
に設定する。
材料層を交互に形成して超格子構造体を構成する。第１
の半導体材料の電子親和力をχ１、第２の半導体材料の
電子親和力をχ２とすると、この超格子構造体の伝導帯
の底はΔＥｃ＝χ１−χ２の振幅で周期的に変化する。
一方、この超格子構造体にエネルギーＥの電子が入射す
ると、第１半導体材料層と第２半導体材料層の界面に形
成されるポテンシャルの不連続点で量子力学的に反射さ
れることになる。従って、各不連続点での電子の反射波
の位相を制御し得るように半導体材料１及び２の物理量
を適切に設定すれば、入力電子に対するエネルギー障壁
を人為的に制御できることになる。本発明では、超格子
構造体を構成する第１及び第２の半導体材料層１及び２
の厚さd1及びd2並びに電気的特性を次式を満足するよう
に設定する。
ここで、m1 *及びm2 *は半導体材料１及び２における電子
の有効質量、ｈはプランク定数、Ｅは入射電子のエネル
ギーである。(1)式を満足するように、すなわち電子の
反射波の位相差がπの奇数倍となるように半導体１及び
２の各物理量を設定すれば、各不連続点において電子の
反射波の位相が強め合い、入射電子は超格子によって強
く反射され、従って電子に対するエネルギー障壁が等価
的に高められることになる。
の有効質量、ｈはプランク定数、Ｅは入射電子のエネル
ギーである。(1)式を満足するように、すなわち電子の
反射波の位相差がπの奇数倍となるように半導体１及び
２の各物理量を設定すれば、各不連続点において電子の
反射波の位相が強め合い、入射電子は超格子によって強
く反射され、従って電子に対するエネルギー障壁が等価
的に高められることになる。
尚、ここでは伝導帯の電子について説明したが、価電子
帯のホールについても成立する。
帯のホールについても成立する。
（実施例） 第１図ａ及びｂは本発明による超格子構造体の一実施例
の構成を示すものであり、第１図ａは構造図、第１図ｂ
は伝導帯の構造を示す線図である。本例ではバンドギャ
ップの大きい第１の半導体材料層10として厚さ28.3Åか
ら17.0Åまで変化するAlAs層を用い、第２の半導体材料
層11として厚さ５６ÅのGaAs層を用いる。そしてAlAs層
10とGaAs層11とを交互に組み合せて超格子構造体を構成
する。この超格子構造体は、例えばMBE法等の結晶成長
技術によって作成することができる。本例では第１半導
体材料層10の厚さを変化させることにより、第１及び第
２半導体材料層10及び11の周期を変化させ複数対組み合
せているから、異なったエネルギーを有する複数の電子
を同時に強く反射することができる。この超格子に入射
した電子の反射率の計算例を第２図に示す。横軸は電子
のエネルギーを示し、縦軸は反射率を示す。第２図から
明らかなように、ＡｌＡｓのバルクの障壁よりも、更に
約0.3eVだけ高いエネルギーを有する電子も反射される
ことが理解できる。このように本発明による超格子構造
体を用いることにより半導体レーザにおける注入キャリ
ヤを効率よく空間的に閉じ込めることができる。
の構成を示すものであり、第１図ａは構造図、第１図ｂ
は伝導帯の構造を示す線図である。本例ではバンドギャ
ップの大きい第１の半導体材料層10として厚さ28.3Åか
ら17.0Åまで変化するAlAs層を用い、第２の半導体材料
層11として厚さ５６ÅのGaAs層を用いる。そしてAlAs層
10とGaAs層11とを交互に組み合せて超格子構造体を構成
する。この超格子構造体は、例えばMBE法等の結晶成長
技術によって作成することができる。本例では第１半導
体材料層10の厚さを変化させることにより、第１及び第
２半導体材料層10及び11の周期を変化させ複数対組み合
せているから、異なったエネルギーを有する複数の電子
を同時に強く反射することができる。この超格子に入射
した電子の反射率の計算例を第２図に示す。横軸は電子
のエネルギーを示し、縦軸は反射率を示す。第２図から
明らかなように、ＡｌＡｓのバルクの障壁よりも、更に
約0.3eVだけ高いエネルギーを有する電子も反射される
ことが理解できる。このように本発明による超格子構造
体を用いることにより半導体レーザにおける注入キャリ
ヤを効率よく空間的に閉じ込めることができる。
第３図ａ及びｂは本発明による超格子構造体を波長1.5
μｍ帯のGaInAsP/InP半導体レーザに応用した例を示
し、第３図ａは構造図、第３図ｂはバンド構造を示す線
図である。1.55μｍ組成のＮ形にドーピングしたGaInAs
P活性層20の一方の側にｎ形のInPクラッド層21を形成す
ると共に他方の側に本発明による多重超格子22を形成す
る。更に、多重超格子22の他方の側にＰ形InPクラッド
層23を形成する。多重超格子22はGaInAsP層24とInP層25
とを交互に組み合せた構成とする。このようにＮ形活性
層20とＰ形クラッド層23との間に多重超格子22を形成す
れば、第３図ｂに示すように障壁の高さをδＥだけ増大
することができ、注入電子を一層効率よく活性層に閉じ
込めることができる。特に、斯る波長帯の半導体レーザ
では、オージェ過程により高エネルギー側に散乱された
電子が二重ヘテロ構想の障壁を乗り越えて濡れてしまい
温度特性が悪化する不具合が指摘されていたが、本発明
の超格子構造体を利用することにより障壁の高さがδＥ
だけ増大でき、従って閾値電流の温度特性を改善するこ
とができる。
μｍ帯のGaInAsP/InP半導体レーザに応用した例を示
し、第３図ａは構造図、第３図ｂはバンド構造を示す線
図である。1.55μｍ組成のＮ形にドーピングしたGaInAs
P活性層20の一方の側にｎ形のInPクラッド層21を形成す
ると共に他方の側に本発明による多重超格子22を形成す
る。更に、多重超格子22の他方の側にＰ形InPクラッド
層23を形成する。多重超格子22はGaInAsP層24とInP層25
とを交互に組み合せた構成とする。このようにＮ形活性
層20とＰ形クラッド層23との間に多重超格子22を形成す
れば、第３図ｂに示すように障壁の高さをδＥだけ増大
することができ、注入電子を一層効率よく活性層に閉じ
込めることができる。特に、斯る波長帯の半導体レーザ
では、オージェ過程により高エネルギー側に散乱された
電子が二重ヘテロ構想の障壁を乗り越えて濡れてしまい
温度特性が悪化する不具合が指摘されていたが、本発明
の超格子構造体を利用することにより障壁の高さがδＥ
だけ増大でき、従って閾値電流の温度特性を改善するこ
とができる。
本発明は上述の実施例だけに限定されるものではなく種
々の変形が可能である。例えば上述した実施例ではGa
1-xAlxAsを用いて説明したが、InGaAsPやGaAlAsSb等の
種々の混晶材料も用いることができる。
々の変形が可能である。例えば上述した実施例ではGa
1-xAlxAsを用いて説明したが、InGaAsPやGaAlAsSb等の
種々の混晶材料も用いることができる。
更に、上述した実施例では２層構造体を用いて説明した
が、３種以上の結晶を交互に組み合せた超格子構造体も
用いることができる。
が、３種以上の結晶を交互に組み合せた超格子構造体も
用いることができる。
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、バンドギャップの
異なる結晶を交互に組み合せて超格子構造体を構成し、
これら結晶の物理量を入射電子又はホールの反射波に対
して位相を強め合うように構成しているので、エネルギ
ー障壁の高さを人為的に高めることができる。この結
果、半導体レーザに利用すれば、注入キャリヤの閉じ込
め効率を一層向上させることができる。
異なる結晶を交互に組み合せて超格子構造体を構成し、
これら結晶の物理量を入射電子又はホールの反射波に対
して位相を強め合うように構成しているので、エネルギ
ー障壁の高さを人為的に高めることができる。この結
果、半導体レーザに利用すれば、注入キャリヤの閉じ込
め効率を一層向上させることができる。
更に、周期を変えて複数対組み合せることにより、異な
るエネルギーを有する複数の電子を同時に強く反射する
ことができる。
るエネルギーを有する複数の電子を同時に強く反射する
ことができる。
第１図ａ及びｂは本発明による超格子構造体の一例の構
成を示す構造図及びバンド構造図、 第２図は第１図に示す超格子構造体の入射電子のエネル
ギーに対する反射率の計算例を示すグラフ、 第３図ａ及びｂは本発明による超格子構造体を半導体レ
ーザに応用した例を示す構造図及びバンド構造図、 第４図は従来の半導体レーザのバンドギャップ構造図で
ある。 10……AlAs層、11……GaAs層 20……Ｐ形GaInAsP活性層 21……ｎ形InPクラッド層 22……多重超格子 23……Ｐ形InPクラッド層 24……Ｐ形GaInAsP層、25……InP層
成を示す構造図及びバンド構造図、 第２図は第１図に示す超格子構造体の入射電子のエネル
ギーに対する反射率の計算例を示すグラフ、 第３図ａ及びｂは本発明による超格子構造体を半導体レ
ーザに応用した例を示す構造図及びバンド構造図、 第４図は従来の半導体レーザのバンドギャップ構造図で
ある。 10……AlAs層、11……GaAs層 20……Ｐ形GaInAsP活性層 21……ｎ形InPクラッド層 22……多重超格子 23……Ｐ形InPクラッド層 24……Ｐ形GaInAsP層、25……InP層
Claims (1)
- 【請求項１】バンドギャップが互いに相異する第１及び
第２の半導体材料層を交互に積層した超格子構造体であ
って、 ｈをプランク定数とし、m1 *及びm2 *をそれぞれ第１及び
第２半導体材料中における電子の有効質量とし、d1及び
d2をそれぞれ第１及び第２半導体材料層の厚さとし、Δ
Ｅｃを第１半導体材料の伝導帯の底と第２半導体材料の
伝導帯の底との差とし、Ｅを超格子構造体に入射した電
子のエネルギーとした場合に、前記第１及び第２の半導
体材料層の厚さを、式 を満たすように設定したことを特徴とする超格子構造
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18962386A JPH0666519B2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 超格子構造体 |
| US07/501,291 US5091756A (en) | 1986-08-14 | 1990-03-19 | Superlattice structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18962386A JPH0666519B2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 超格子構造体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13500697A Division JP2788985B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 超格子構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6346788A JPS6346788A (ja) | 1988-02-27 |
| JPH0666519B2 true JPH0666519B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16244394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18962386A Expired - Lifetime JPH0666519B2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 超格子構造体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091756A (ja) |
| JP (1) | JPH0666519B2 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5175739A (en) * | 1988-09-09 | 1992-12-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical device having a non-linear operational characteristic |
| JPH0482286A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 半導体レーザ |
| US5223723A (en) * | 1990-10-19 | 1993-06-29 | At&T Bell Laboratories | Light emitting device |
| US5289486A (en) * | 1991-02-28 | 1994-02-22 | Omron Corporation | Semiconductor luminous element and superlattice structure |
| JP3181063B2 (ja) * | 1991-02-28 | 2001-07-03 | 健一 伊賀 | 超格子構造体，それを用いた電子またはホールの閉じ込め構造および半導体発光素子 |
| JPH04291304A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Fujitsu Ltd | 光導波路および光信号の制御方法 |
| JPH05243676A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH06204457A (ja) * | 1992-05-08 | 1994-07-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多重量子障壁ショットキー接合素子 |
| EP0569259A3 (en) * | 1992-05-08 | 1995-03-01 | Furukawa Electric Co Ltd | Multiple quantum barrier field effect transistor. |
| US5319660A (en) * | 1992-05-29 | 1994-06-07 | Mcdonnell Douglas Corporation | Multi-quantum barrier laser |
| US5311009A (en) * | 1992-07-31 | 1994-05-10 | At&T Bell Laboratories | Quantum well device for producing localized electron states for detectors and modulators |
| US5244749A (en) * | 1992-08-03 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Article comprising an epitaxial multilayer mirror |
| JPH06260493A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH06326406A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH06334265A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 量子井戸型半導体レーザ |
| US5483547A (en) * | 1994-05-10 | 1996-01-09 | Northern Telecom Limited | Semiconductor laser structure for improved stability of the threshold current with respect to changes in the ambient temperature |
| JPH0888434A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ，及びその製造方法 |
| US5753545A (en) * | 1994-12-01 | 1998-05-19 | Hughes Electronics Corporation | Effective constant doping in a graded compositional alloy |
| JP3014341B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2000-02-28 | カナレ電気株式会社 | 量子波干渉層を有したダイオード |
| JP3014339B2 (ja) | 1997-04-25 | 2000-02-28 | カナレ電気株式会社 | 量子波干渉層を有した半導体素子 |
| JP3014340B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2000-02-28 | カナレ電気株式会社 | 量子波干渉層を有したダイオード |
| US6331716B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-12-18 | Canare Electric Co., Ltd. | Variable capacity device with quantum-wave interference layers |
| US6294795B1 (en) * | 1998-04-28 | 2001-09-25 | Canare Electric Co., Ltd. | Light-receiving device with quantum-wave interference layers |
| JP3377950B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2003-02-17 | カナレ電気株式会社 | 量子波干渉層を有する発光素子 |
| JP3442668B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2003-09-02 | カナレ電気株式会社 | 量子波干渉層を有した電界効果トランジスタ |
| GB2344932A (en) * | 1998-12-15 | 2000-06-21 | Sharp Kk | Semiconductor Laser with gamma and X electron barriers |
| JP3864735B2 (ja) | 2000-12-28 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP4969210B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US20070028956A1 (en) * | 2005-04-12 | 2007-02-08 | Rama Venkatasubramanian | Methods of forming thermoelectric devices including superlattice structures of alternating layers with heterogeneous periods and related devices |
| US8154792B1 (en) * | 2009-07-29 | 2012-04-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Multi-layer gallium arsenide-based fresnel phase-shift device for infrared wavelength conversion |
| JP5953840B2 (ja) | 2012-03-13 | 2016-07-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び受信機 |
| KR102066609B1 (ko) * | 2012-12-04 | 2020-03-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US11227988B1 (en) * | 2020-09-30 | 2022-01-18 | The Johns Hopkins University | Fast-rate thermoelectric device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4163237A (en) * | 1978-04-24 | 1979-07-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High mobility multilayered heterojunction devices employing modulated doping |
| US4511408A (en) * | 1982-04-22 | 1985-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor device fabrication with disordering elements introduced into active region |
| US4599728A (en) * | 1983-07-11 | 1986-07-08 | At&T Bell Laboratories | Multi-quantum well laser emitting at 1.5 μm |
| JPS6028268A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JPS60145687A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Nec Corp | 半導体レ−ザ− |
| JPS6110293A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
| JPS6158268A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-25 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置 |
| JPH0632339B2 (ja) * | 1984-12-18 | 1994-04-27 | キヤノン株式会社 | 半導体レ−ザ |
| JPS61190980A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Canon Inc | 半導体装置 |
| US4654090A (en) * | 1985-09-13 | 1987-03-31 | Xerox Corporation | Selective disordering of well structures by laser annealing |
| US4705361A (en) * | 1985-11-27 | 1987-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| JPS62176162A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 負性抵抗素子 |
-
1986
- 1986-08-14 JP JP18962386A patent/JPH0666519B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-19 US US07/501,291 patent/US5091756A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＢＭＪ．Ｒｅｓ．Ｄｅｖｅｌｏｐ．，１４，１９７０，６１頁〜６５頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5091756A (en) | 1992-02-25 |
| JPS6346788A (ja) | 1988-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0666519B2 (ja) | 超格子構造体 | |
| US5079774A (en) | Polarization-tunable optoelectronic devices | |
| US4815087A (en) | High speed stable light emitting semiconductor device with low threshold current | |
| US5175739A (en) | Semiconductor optical device having a non-linear operational characteristic | |
| US5920079A (en) | Semiconductive light-emitting device having strained MQW with AlGaInAs barriers | |
| JPH0418476B2 (ja) | ||
| JP3461893B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0143472B2 (ja) | ||
| US4941025A (en) | Quantum well semiconductor structures for infrared and submillimeter light sources | |
| EP0485237B1 (en) | A quantum barrier semiconductor optical device | |
| US5473173A (en) | Quantum well structure having differentially strained quantum well layers | |
| TW200307385A (en) | Semiconductor laser | |
| US10277010B2 (en) | Semiconductor laser | |
| US5812574A (en) | Quantum optical semiconductor device producing output optical emission with sharply defined spectrum | |
| JPH04218994A (ja) | 半導体発光装置 | |
| EP0188080B1 (en) | Light-emitting semiconductor device having a super lattice | |
| JPH0629621A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR100463972B1 (ko) | 광 반도체 디바이스 | |
| JPH07112089B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR920003679B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2937460B2 (ja) | 量子井戸構造光素子 | |
| JPS6332982A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2788985B2 (ja) | 超格子構造体 | |
| US5362974A (en) | Group II-VI material semiconductor optical device with strained multiquantum barriers | |
| JP3181063B2 (ja) | 超格子構造体，それを用いた電子またはホールの閉じ込め構造および半導体発光素子 |