JPH06204457A - 多重量子障壁ショットキー接合素子 - Google Patents
多重量子障壁ショットキー接合素子Info
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- JPH06204457A JPH06204457A JP14342092A JP14342092A JPH06204457A JP H06204457 A JPH06204457 A JP H06204457A JP 14342092 A JP14342092 A JP 14342092A JP 14342092 A JP14342092 A JP 14342092A JP H06204457 A JPH06204457 A JP H06204457A
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- barrier
- schottky
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
- H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
- H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
- H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
-
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
- H01S5/2013—MQW barrier reflection layers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リーク電流の極めて小さく、また、順方向立
ち上がり電圧の大きいショットキー接合を有する半導体
素子を提供する。 【構成】 半導体４と金属６とで形成されるショットキ
ー接合を有し、前記半導体４と金属６の界面に、入射キ
ャリアを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが
強め合う位相となるように反射し得る作用を有する多重
量子障壁構造５を設ける。
ち上がり電圧の大きいショットキー接合を有する半導体
素子を提供する。 【構成】 半導体４と金属６とで形成されるショットキ
ー接合を有し、前記半導体４と金属６の界面に、入射キ
ャリアを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが
強め合う位相となるように反射し得る作用を有する多重
量子障壁構造５を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体と金属とで構成
されるショットキー接合を有する多重量子障壁ショット
キー接合素子に関する。
されるショットキー接合を有する多重量子障壁ショット
キー接合素子に関する。
【０００２】
【従来技術】ＩｎＰに格子整合するＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａ
ｓは、低電界時の移動度が大きい、飽和速度が大きい、
バンドギャップが０．７４ｅＶと小さく、光通信用の波
長帯１．３〜１．６５μｍの光を吸収できるなどの特徴
をもつ。このため、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓと金属とのシ
ョットキー接合を利用したＭＥＳＦＥＴやホトダイオー
ドが検討されている。しかし、上記ショットキー接合は
バリア高さが低く、リーク電流が大きいという問題を有
し、この問題を改善するために次のような手段が検討さ
れてきた。即ち、 １）界面にＳｉＯ2 層を用いる（文献１参照）。 ２）界面にｎ−Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ層を用いる（文献
２参照）。 ３）界面にＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａ
ｓからなるＧｒａｄｅｄ超格子を用いる（文献３参
照）。ここで、Ｇｒａｄｅｄ超格子とは、Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓの薄膜層とＩｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ薄膜層を交互
に積層したもので、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層の厚さとＩ
ｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ層の厚さは逆方向に徐々に変化して
いるものである。 文献１： D.V.Morgan et al.,Electron.Lett.14,737(1
978) 文献２： J.Barrard et al.,IEEE Electron Device Le
tt.EDL-1,174(1980) 文献３： D.H.Lee et al.,Appl.Phys.Lett.19,1863(19
89)
ｓは、低電界時の移動度が大きい、飽和速度が大きい、
バンドギャップが０．７４ｅＶと小さく、光通信用の波
長帯１．３〜１．６５μｍの光を吸収できるなどの特徴
をもつ。このため、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓと金属とのシ
ョットキー接合を利用したＭＥＳＦＥＴやホトダイオー
ドが検討されている。しかし、上記ショットキー接合は
バリア高さが低く、リーク電流が大きいという問題を有
し、この問題を改善するために次のような手段が検討さ
れてきた。即ち、 １）界面にＳｉＯ2 層を用いる（文献１参照）。 ２）界面にｎ−Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ層を用いる（文献
２参照）。 ３）界面にＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａ
ｓからなるＧｒａｄｅｄ超格子を用いる（文献３参
照）。ここで、Ｇｒａｄｅｄ超格子とは、Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓの薄膜層とＩｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ薄膜層を交互
に積層したもので、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層の厚さとＩ
ｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ層の厚さは逆方向に徐々に変化して
いるものである。 文献１： D.V.Morgan et al.,Electron.Lett.14,737(1
978) 文献２： J.Barrard et al.,IEEE Electron Device Le
tt.EDL-1,174(1980) 文献３： D.H.Lee et al.,Appl.Phys.Lett.19,1863(19
89)
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】文献３の方法では、Ｇ
ｒａｄｅｄ超格子を金属−（ｎ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａ
ｓ）の間に挿入すると、金属がＡｕの場合、ショットキ
ーバリア高さは０．７１ｅＶとなり、０．５１ｅＶ増加
することが示されている。このショットキーバリア高さ
の増大の原因としては、超格子の平均組成に対応する実
効的バンドギャップの増大に由来するという説明がなさ
れている。即ち、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ
0.48ＡｓＧｒａｄｅｄ超格子の実効的バンドギャップは
１．４０ｅＶとなり、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓの０．７４
ｅＶよりも０．６５ｅＶ高くなっている。この増分０．
６５ｅＶの０．７８倍（実験的には０．５１ｅＶ）だけ
ショットキーバリア高さが高くなっている。しかしなが
ら、上述の方法では、Ｇｒａｄｅｄ超格子の物質定数と
しての実効的バンドギャップ（あるいは実効的電子親和
力）で決まるショットキーバリア高よりも高いショット
キーバリア高さを得ることができないという問題があ
る。本発明の目的は、物質定数としての電子親和力の差
で決まるショットキーバリア高さよりも高いバリア高さ
を実現し、リーク電流の極めて小さいショットキー接合
を有する半導体素子を提供することである。
ｒａｄｅｄ超格子を金属−（ｎ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａ
ｓ）の間に挿入すると、金属がＡｕの場合、ショットキ
ーバリア高さは０．７１ｅＶとなり、０．５１ｅＶ増加
することが示されている。このショットキーバリア高さ
の増大の原因としては、超格子の平均組成に対応する実
効的バンドギャップの増大に由来するという説明がなさ
れている。即ち、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ
0.48ＡｓＧｒａｄｅｄ超格子の実効的バンドギャップは
１．４０ｅＶとなり、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓの０．７４
ｅＶよりも０．６５ｅＶ高くなっている。この増分０．
６５ｅＶの０．７８倍（実験的には０．５１ｅＶ）だけ
ショットキーバリア高さが高くなっている。しかしなが
ら、上述の方法では、Ｇｒａｄｅｄ超格子の物質定数と
しての実効的バンドギャップ（あるいは実効的電子親和
力）で決まるショットキーバリア高よりも高いショット
キーバリア高さを得ることができないという問題があ
る。本発明の目的は、物質定数としての電子親和力の差
で決まるショットキーバリア高さよりも高いバリア高さ
を実現し、リーク電流の極めて小さいショットキー接合
を有する半導体素子を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体素子を提供するもので、半導体と金属とで
形成されるショットキー接合を有し、前記半導体と金属
の界面に、入射キャリアを波動として反射し、かつ、入
射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る
作用を有する多重量子障壁構造を設けたことを特徴とす
る多重量子障壁ショットキー接合素子を第１発明とし、
前記多重量子障壁構造が歪超格子層からなることを第２
発明とするものである。
決した半導体素子を提供するもので、半導体と金属とで
形成されるショットキー接合を有し、前記半導体と金属
の界面に、入射キャリアを波動として反射し、かつ、入
射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る
作用を有する多重量子障壁構造を設けたことを特徴とす
る多重量子障壁ショットキー接合素子を第１発明とし、
前記多重量子障壁構造が歪超格子層からなることを第２
発明とするものである。
【０００５】
【作用】多重量子障壁（ＭＱＢ：Multi-Quantum Barrie
r)の原理は、入射キャリアを波動として反射し、入射波
と反射波とが強め合う位相となるように、井戸層と障壁
層から構成される超格子構造（多重量子バリア）を構成
することで、古典的障壁高さよりも高い障壁高さを実現
するものである（文献４参照）。本発明は多重量子障壁
構造の上記性質をショットキー接合部に利用したもの
で、上記特性を有する多重量子障壁構造をショットキー
接合を有する半導体素子のショットキー接合部に挿入す
ると、ショットキーバリアが高くなり、逆バイアス時の
ショットキー接合のリーク電流の小さい半導体素子を得
ることができる。また、順バイアス時のショットキー接
合の立ち上がり電圧が高いショットキー接合素子を実現
できる。 文献４： K.Iga et al.,Electron.Lett.22,1008(1986)
r)の原理は、入射キャリアを波動として反射し、入射波
と反射波とが強め合う位相となるように、井戸層と障壁
層から構成される超格子構造（多重量子バリア）を構成
することで、古典的障壁高さよりも高い障壁高さを実現
するものである（文献４参照）。本発明は多重量子障壁
構造の上記性質をショットキー接合部に利用したもの
で、上記特性を有する多重量子障壁構造をショットキー
接合を有する半導体素子のショットキー接合部に挿入す
ると、ショットキーバリアが高くなり、逆バイアス時の
ショットキー接合のリーク電流の小さい半導体素子を得
ることができる。また、順バイアス時のショットキー接
合の立ち上がり電圧が高いショットキー接合素子を実現
できる。 文献４： K.Iga et al.,Electron.Lett.22,1008(1986)
【０００６】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１（ａ）は本発明にかかる半導体
素子の一実施例であるショットキーバリアダイオードの
断面図である。このショットキーバリアダイオードは、
文献３に示されている素子において、Ｇｒａｄｅｄ超格
子の代わりに多重量子障壁層（ＭＱＢ：Multi-Quantum
Barrier)を用いたものである。図中、１はＡｕ／Ｇｅ−
Ｎｉオーミック電極、２はｎ+ −ＩｎＰ基板、３は厚さ
０．５μｍのｎ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、４は厚さ
１．５μｍのｎ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、５は多重量
子障壁層、６はＡｕショットキー電極である。多重量子
障壁層５は、図示のように、１層の厚さ６０原子層（Ｍ
Ｌ）のｎ−ＩｎＰ層５１、８層の厚さ５ＭＬのＧａＩｎ
Ａｓ井戸層５２、８層の厚さ５ＭＬのｎ−ＡｌX Ｉｎ
1-X Ａｓ障壁層５３から構成されており、ドーピング量
は全て５×１０15ｃｍ-3であり、伝導帯下端のエネルギ
−準位は図１（ｂ）のようになる。伝導帯下端のエネル
ギ−準位はＧａＩｎＡｓを基準にしている。ここで、障
壁層の混晶比Ｘ＝０．４８（ＭＱＢ１と呼ぶ）とＸ＝
０．６２（ＭＱＢ２と呼ぶ）の２例のＭＱＢを用いた。
ＭＱＢ１の障壁層はＩｎＰに格子整合しており、障壁層
５３の伝導帯下端エネルギ−ＥB は５００ｍｅＶであ
る。ＭＱＢ２の障壁層は１％の面内引っ張り歪みを持つ
ように構成されており、障壁層５３の伝導帯下端エネル
ギーＥB は７７０ｍｅＶである。このような歪超格子を
用いるＭＱＢの原理と効果については、既に特願平２−
３０５７８５に開示した。なお、歪超格子構造とするこ
とによるバンド端準位の変化については、文献５に報告
されている。ここで、リーク電流が問題となる逆バイア
ス条件下でのショットキー接合のエネルギーバンド図を
図１（ｃ）に示す。リーク電流はメタルからショットキ
ーバリアを越えて半導体側へ注入される熱電子に由来す
る。このような電子に対して、同図に示すように、ＭＱ
Ｂにより実際の障壁高さより高い実効障壁高さが実現さ
れる。上記ＭＱＢ１とＭＱＢ２について、トランスファ
−マトリックス法（ＴＭＭ法）を用いて実効障壁高さを
計算した（文献６参照）。その結果は次の通りである。
即ち、 １）ＭＱＢ１については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．０Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．２Ｖが得られる。 ２）ＭＱＢ２については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．５Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．７Ｖが得られる。 これらのショットキーバリア高さを文献３の値０．７１
と比較すると、ＭＱＢ１では０．５Ｖ高く、ＭＱＢ２で
は約１．０Ｖ高くなっている。一般にショットキー接合
の逆バイアス下の飽和リーク電流ＪSTは、金属からショ
ットキーバリアを越えて半導体側へ注入される熱電子に
由来するとして、熱電子放出理論でよく表され次のよう
になる。即ち、 ＪST ∝ exp（−ｑφBn／ｋＴ） ここで、φBnはショットキーバリア高さである。上記式
を本実施例に適用し、リーク電流を文献３の値と比較す
ると、ＭＱＢ１の場合には、 exp（−０．５／０．０２
６）≒１０-9倍に低減し、ＭＱＢ２の場合には、 exp
（−１．０／０．０２６）≒１０-17 倍に低減する。こ
のように本実施例により、極めてリーク電流の少ないシ
ョットキーバリアダイオードを得る事が出来る。以上で
は、逆バイアス下で、メタルから半導体へ注入される電
子について述べたが、同様の原理を半導体からメタルへ
注入される電子に適用することで、立ち上がり電圧の高
いショットキー接合を実現できる。上記実施例では、Ｍ
ＱＢのバリア材料としてＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．
４８またはＸ＝０．６２）を用いたが、０．３≦Ｘ≦１
であれば、同様の効果を期待できる。Ｘ＝０．３４の場
合について、エネルギーバンド構造とフォトダイオード
として使用した場合におけるキャリアの流れを図２に示
した。この場合には、ＭＱＢの効果により、ＩｎＰに格
子整合するＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４８）と同等
の実効ショットキーバリア高さが得られるとともに、Ｍ
ＱＢ内の価電子帯上端の不連続を０．０８ｅＶと小さく
できる。因みに、文献３の構造では０．２ｅＶの不連続
が存在する。正孔はＭＱＢを通ってショットキーメタル
へ流れるため、文献３で指摘されているように、価電子
帯上端の不連続は正孔のパイルアップを生じ、高速応答
の妨げとなる。本実施例はこの問題に対しても有利であ
る。以上の実施例では、ＭＱＢ領域へ均一にドーピング
されている場合を述べたが、井戸層もしくは障壁層にｎ
型変調ドープを行うことも、伝導帯の障壁を高くし、価
電子帯の障壁を低くする上で有効である。この他の材料
系としては、ＧａＡｓY Ｓｂ1-Y （Ｙ≒０．３２）を用
いてもよい。この場合には、ＩｎＰに格子整合するＧａ
X Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４７）に対して伝導帯障壁が
十分高く、従って、ＭＱＢとした場合の実効バリア高さ
が十分高く、かつ、価電子帯不連続がほとんどないとい
う条件を満たすことができる。さらに、ＩｎＰに対して
１％〜５％程度格子定数の小さいＧａX Ｉｎ1-X ＰをＭ
ＱＢのバリア層としてもよい。また、本実施例ではショ
ットキーダイオードだけを説明したが、この構造はＳＩ
Ｓ型ＦＥＴ、ＨＥＭＴなどにも応用できる。また、以上
の実施例では、ＩｎＰ基板上のショットキー素子につい
て説明したが、他の材料系の場合にも同様の原理を適用
できる。なお、本発明に開示するＭＱＢ構造は、ＭＯＣ
ＶＤ、ガスソースＭＢＥおよび原子層エピタキシー（Ａ
ＬＥ）法などの超薄膜制御性に優れた結晶成長法を用い
て作製することができる。 文献５： F.L.Schuermeyer et al.,Appl.Phys.Lett.5
5,1877(1989) 文献６： B.Jonsson et al.,IEEE J. Quantum Electro
n.,QE-26,2025(1990)
を詳細に説明する。図１（ａ）は本発明にかかる半導体
素子の一実施例であるショットキーバリアダイオードの
断面図である。このショットキーバリアダイオードは、
文献３に示されている素子において、Ｇｒａｄｅｄ超格
子の代わりに多重量子障壁層（ＭＱＢ：Multi-Quantum
Barrier)を用いたものである。図中、１はＡｕ／Ｇｅ−
Ｎｉオーミック電極、２はｎ+ −ＩｎＰ基板、３は厚さ
０．５μｍのｎ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、４は厚さ
１．５μｍのｎ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、５は多重量
子障壁層、６はＡｕショットキー電極である。多重量子
障壁層５は、図示のように、１層の厚さ６０原子層（Ｍ
Ｌ）のｎ−ＩｎＰ層５１、８層の厚さ５ＭＬのＧａＩｎ
Ａｓ井戸層５２、８層の厚さ５ＭＬのｎ−ＡｌX Ｉｎ
1-X Ａｓ障壁層５３から構成されており、ドーピング量
は全て５×１０15ｃｍ-3であり、伝導帯下端のエネルギ
−準位は図１（ｂ）のようになる。伝導帯下端のエネル
ギ−準位はＧａＩｎＡｓを基準にしている。ここで、障
壁層の混晶比Ｘ＝０．４８（ＭＱＢ１と呼ぶ）とＸ＝
０．６２（ＭＱＢ２と呼ぶ）の２例のＭＱＢを用いた。
ＭＱＢ１の障壁層はＩｎＰに格子整合しており、障壁層
５３の伝導帯下端エネルギ−ＥB は５００ｍｅＶであ
る。ＭＱＢ２の障壁層は１％の面内引っ張り歪みを持つ
ように構成されており、障壁層５３の伝導帯下端エネル
ギーＥB は７７０ｍｅＶである。このような歪超格子を
用いるＭＱＢの原理と効果については、既に特願平２−
３０５７８５に開示した。なお、歪超格子構造とするこ
とによるバンド端準位の変化については、文献５に報告
されている。ここで、リーク電流が問題となる逆バイア
ス条件下でのショットキー接合のエネルギーバンド図を
図１（ｃ）に示す。リーク電流はメタルからショットキ
ーバリアを越えて半導体側へ注入される熱電子に由来す
る。このような電子に対して、同図に示すように、ＭＱ
Ｂにより実際の障壁高さより高い実効障壁高さが実現さ
れる。上記ＭＱＢ１とＭＱＢ２について、トランスファ
−マトリックス法（ＴＭＭ法）を用いて実効障壁高さを
計算した（文献６参照）。その結果は次の通りである。
即ち、 １）ＭＱＢ１については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．０Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．２Ｖが得られる。 ２）ＭＱＢ２については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．５Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．７Ｖが得られる。 これらのショットキーバリア高さを文献３の値０．７１
と比較すると、ＭＱＢ１では０．５Ｖ高く、ＭＱＢ２で
は約１．０Ｖ高くなっている。一般にショットキー接合
の逆バイアス下の飽和リーク電流ＪSTは、金属からショ
ットキーバリアを越えて半導体側へ注入される熱電子に
由来するとして、熱電子放出理論でよく表され次のよう
になる。即ち、 ＪST ∝ exp（−ｑφBn／ｋＴ） ここで、φBnはショットキーバリア高さである。上記式
を本実施例に適用し、リーク電流を文献３の値と比較す
ると、ＭＱＢ１の場合には、 exp（−０．５／０．０２
６）≒１０-9倍に低減し、ＭＱＢ２の場合には、 exp
（−１．０／０．０２６）≒１０-17 倍に低減する。こ
のように本実施例により、極めてリーク電流の少ないシ
ョットキーバリアダイオードを得る事が出来る。以上で
は、逆バイアス下で、メタルから半導体へ注入される電
子について述べたが、同様の原理を半導体からメタルへ
注入される電子に適用することで、立ち上がり電圧の高
いショットキー接合を実現できる。上記実施例では、Ｍ
ＱＢのバリア材料としてＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．
４８またはＸ＝０．６２）を用いたが、０．３≦Ｘ≦１
であれば、同様の効果を期待できる。Ｘ＝０．３４の場
合について、エネルギーバンド構造とフォトダイオード
として使用した場合におけるキャリアの流れを図２に示
した。この場合には、ＭＱＢの効果により、ＩｎＰに格
子整合するＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４８）と同等
の実効ショットキーバリア高さが得られるとともに、Ｍ
ＱＢ内の価電子帯上端の不連続を０．０８ｅＶと小さく
できる。因みに、文献３の構造では０．２ｅＶの不連続
が存在する。正孔はＭＱＢを通ってショットキーメタル
へ流れるため、文献３で指摘されているように、価電子
帯上端の不連続は正孔のパイルアップを生じ、高速応答
の妨げとなる。本実施例はこの問題に対しても有利であ
る。以上の実施例では、ＭＱＢ領域へ均一にドーピング
されている場合を述べたが、井戸層もしくは障壁層にｎ
型変調ドープを行うことも、伝導帯の障壁を高くし、価
電子帯の障壁を低くする上で有効である。この他の材料
系としては、ＧａＡｓY Ｓｂ1-Y （Ｙ≒０．３２）を用
いてもよい。この場合には、ＩｎＰに格子整合するＧａ
X Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４７）に対して伝導帯障壁が
十分高く、従って、ＭＱＢとした場合の実効バリア高さ
が十分高く、かつ、価電子帯不連続がほとんどないとい
う条件を満たすことができる。さらに、ＩｎＰに対して
１％〜５％程度格子定数の小さいＧａX Ｉｎ1-X ＰをＭ
ＱＢのバリア層としてもよい。また、本実施例ではショ
ットキーダイオードだけを説明したが、この構造はＳＩ
Ｓ型ＦＥＴ、ＨＥＭＴなどにも応用できる。また、以上
の実施例では、ＩｎＰ基板上のショットキー素子につい
て説明したが、他の材料系の場合にも同様の原理を適用
できる。なお、本発明に開示するＭＱＢ構造は、ＭＯＣ
ＶＤ、ガスソースＭＢＥおよび原子層エピタキシー（Ａ
ＬＥ）法などの超薄膜制御性に優れた結晶成長法を用い
て作製することができる。 文献５： F.L.Schuermeyer et al.,Appl.Phys.Lett.5
5,1877(1989) 文献６： B.Jonsson et al.,IEEE J. Quantum Electro
n.,QE-26,2025(1990)
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体と金属とで形成されるショットキー接合を有し、前
記半導体と金属の界面に、入射キャリアを波動として反
射し、かつ、入射波と反射波とが強め合う位相となるよ
うに反射し得る作用を有する多重量子障壁構造を設ける
ため、物質定数としての電子親和力差で決まるショット
キーバリア高さよりも高い実効バリア高さを実現し、リ
ーク電流が極めて小さく、また、順方向立ち上がり電圧
が大きいショットキー接合を有する半導体素子を得るこ
とができるという優れた効果がある。
導体と金属とで形成されるショットキー接合を有し、前
記半導体と金属の界面に、入射キャリアを波動として反
射し、かつ、入射波と反射波とが強め合う位相となるよ
うに反射し得る作用を有する多重量子障壁構造を設ける
ため、物質定数としての電子親和力差で決まるショット
キーバリア高さよりも高い実効バリア高さを実現し、リ
ーク電流が極めて小さく、また、順方向立ち上がり電圧
が大きいショットキー接合を有する半導体素子を得るこ
とができるという優れた効果がある。
【図１】（ａ）は本発明に係る半導体素子の一実施例で
あるショットキーバリアダイオードの断面図であり、
（ｂ）は前記実施例の伝導帯下端エネルギー構造図であ
り、（ｃ）は逆バイアス下のショットキー接合のエネル
ギー準位とＭＱＢの実効ポテンシャル高さ、入射電子の
関係を示す図である。
あるショットキーバリアダイオードの断面図であり、
（ｂ）は前記実施例の伝導帯下端エネルギー構造図であ
り、（ｃ）は逆バイアス下のショットキー接合のエネル
ギー準位とＭＱＢの実効ポテンシャル高さ、入射電子の
関係を示す図である。
【図２】（ａ）と（ｂ）は本発明に係る半導体素子の他
の実施例であるフォトダイオードのエネルギーバンド構
造図とキャリアの流れを示す図である。
の実施例であるフォトダイオードのエネルギーバンド構
造図とキャリアの流れを示す図である。
１ Ａｕ／Ｇｅ−Ｎｉオーミック電極 ２ ｎ+ −ＩｎＰ基板 ３ ｎ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層 ４ ｎ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層 ５ 多重量子障壁層 ６ Ａｕショットキー電極 ５１ ｎ−ＩｎＰ層 ５２ ＧａＩｎＡｓ井戸層 ５３ ｎ−ＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ障壁層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１（ａ）は本発明にかかる半導体
素子の一実施例であるショットキーバリアダイオードの
断面図である。このショットキーバリアダイオードは、
文献３に示されている素子において、グレーディド（Ｇ
ｒａｄｅｄ）超格子の代わりに多重量子障壁層（ＭＱ
Ｂ：Multi-Quantum Barrier)を用いたものである。図
中、１はＡｕ／Ｇｅ−Ｎｉ−Ａｕオーミック電極、２は
ｎ+ −ＩｎＰ基板、３は厚さ０．５μｍのｎ+ −Ｉｎ
0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、４は厚さ１．５μｍのｎ−Ｉｎ
0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、５は多重量子障壁層、６はＡｕシ
ョットキー電極である。多重量子障壁層５は、図示のよ
うに、１層の厚さ６０原子層（ＭＬ）のｎ−ＩｎＰ層５
１、８層の厚さ５ＭＬのＧａＩｎＡｓ井戸層５２、８層
の厚さ５ＭＬのｎ−ＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ障壁層５３から
構成されており、ドーピングは全てノンドープであり、
伝導帯下端のエネルギ−準位は図１（ｂ）のようにな
る。伝導帯下端のエネルギ−準位はＧａＩｎＡｓを基準
にしている。ここで、障壁層の混晶比Ｘ＝０．４８（Ｍ
ＱＢ１と呼ぶ）とＸ＝０．６２（ＭＱＢ２と呼ぶ）の２
例のＭＱＢを用いた。ＭＱＢ１の障壁層はＩｎＰに格子
整合しており、障壁層５３の伝導帯下端エネルギ−ＥB
は５００ｍｅＶである。ＭＱＢ２の障壁層は１％の面内
引っ張り歪みを持つように構成されており、障壁層５３
の伝導帯下端エネルギーＥB は７７０ｍｅＶである。こ
のような歪超格子を用いるＭＱＢの原理と効果について
は、既に特願平２−３０５７８５および文献５に開示し
た。なお、歪超格子構造とすることによるバンド端準位
の変化については、文献６に報告されている。ここで、
リーク電流が問題となる逆バイアス条件下でのショット
キー接合のエネルギーバンド図を図１（ｃ）に示す。リ
ーク電流はメタルからショットキーバリアを越えて半導
体側へ注入される熱電子に由来する。このような電子に
対して、同図に示すように、ＭＱＢにより実際の障壁高
さより高い実効障壁高さが実現される。上記ＭＱＢ１と
ＭＱＢ２について、トランスファ−マトリックス法（Ｔ
ＭＭ法）を用いて実効障壁高さを計算した（文献７参
照）。その結果は次の通りである。即ち、 １）ＭＱＢ１については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．０Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．２Ｖが得られる。 ２）ＭＱＢ２については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．５Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．７Ｖが得られる。 これらのショットキーバリア高さを文献３の値０．７１
と比較すると、ＭＱＢ１では０．５Ｖ高く、ＭＱＢ２で
は約１．０Ｖ高くなっている。一般にショットキー接合
の逆バイアス下の飽和リーク電流ＪSTは、金属からショ
ットキーバリアを越えて半導体側へ注入される熱電子に
由来するとして、熱電子放出理論でよく表され次のよう
になる。即ち、 ＪST ∝ exp（−ｑφBn／ｋＴ） ここで、φBnはショットキーバリア高さである。上記式
を本実施例に適用し、リーク電流を文献３の値と比較す
ると、ＭＱＢ１の場合には、 exp（−０．５／０．０２
６）≒１０-9倍に低減し、ＭＱＢ２の場合には、 exp
（−１．０／０．０２６）≒１０-17 倍に低減する。こ
のように本実施例により、極めてリーク電流の少ないシ
ョットキーバリアダイオードを得る事が出来る。以上で
は、逆バイアス下で、メタルから半導体へ注入される電
子について述べたが、同様の原理を半導体からメタルへ
注入される電子に適用することで、立ち上がり電圧の高
いショットキー接合を実現できる。上記実施例では、Ｍ
ＱＢのバリア材料としてＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．
４８またはＸ＝０．６２）を用いたが、０．３≦Ｘ≦１
であれば、同様の効果を期待できる。Ｘ＝０．３４の場
合について、エネルギーバンド構造とフォトダイオード
として使用した場合におけるキャリアの流れを図２に示
した。この場合には、ＭＱＢの効果により、ＩｎＰに格
子整合するＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４８）と同等
の実効ショットキーバリア高さが得られるとともに、Ｍ
ＱＢ内の価電子帯上端の不連続を０．０８ｅＶと小さく
できる。因みに、文献３の構造では０．２ｅＶの不連続
が存在する。正孔はＭＱＢを通ってショットキーメタル
へ流れるため、文献３で指摘されているように、価電子
帯上端の不連続は正孔のパイルアップを生じ、高速応答
の妨げとなる。本実施例はこの問題に対しても有利であ
る。以上の実施例では、ＭＱＢ領域へ均一にドーピング
されている場合を述べたが、井戸層もしくは障壁層にｎ
型変調ドープを行うことも、伝導帯の障壁を高くし、価
電子帯の障壁を低くする上で有効である。この他の材料
系としては、ＧａＡｓY Ｓｂ1-Y （Ｙ≒０．３２）を用
いてもよい。この場合には、ＩｎＰに格子整合するＧａ
X Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４７）に対して伝導帯障壁が
十分高く、従って、ＭＱＢとした場合の実効バリア高さ
が十分高く、かつ、価電子帯不連続がほとんどないとい
う条件を満たすことができる。さらに、ＩｎＰに対して
１％〜５％程度格子定数の小さいＧａX Ｉｎ1-X ＰをＭ
ＱＢのバリア層としてもよい。また、本実施例ではショ
ットキーダイオードだけを説明したが、この構造はＳＩ
Ｓ型ＦＥＴ、ＨＥＭＴなどにも応用できる。また、以上
の実施例では、ＩｎＰ基板上のショットキー素子につい
て説明したが、他の材料系の場合にも同様の原理を適用
できる。なお、本発明に開示するＭＱＢ構造は、ＭＯＣ
ＶＤ、ガスソースＭＢＥおよび原子層エピタキシー（Ａ
ＬＥ）法などの超薄膜制御性に優れた結晶成長法を用い
て作製することができる。 文献５： M.Irikawa et al.,Jpn.J.Appl.Phys.31,L135
1(1992). 文献６： F.L.Schuermeyer et al.,Appl.Phys.Lett.5
5,1877(1989). 文献７： B.Jonsson et al.,IEEE J. Quantum Electro
n.,QE-26,2025(1990).
を詳細に説明する。図１（ａ）は本発明にかかる半導体
素子の一実施例であるショットキーバリアダイオードの
断面図である。このショットキーバリアダイオードは、
文献３に示されている素子において、グレーディド（Ｇ
ｒａｄｅｄ）超格子の代わりに多重量子障壁層（ＭＱ
Ｂ：Multi-Quantum Barrier)を用いたものである。図
中、１はＡｕ／Ｇｅ−Ｎｉ−Ａｕオーミック電極、２は
ｎ+ −ＩｎＰ基板、３は厚さ０．５μｍのｎ+ −Ｉｎ
0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、４は厚さ１．５μｍのｎ−Ｉｎ
0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、５は多重量子障壁層、６はＡｕシ
ョットキー電極である。多重量子障壁層５は、図示のよ
うに、１層の厚さ６０原子層（ＭＬ）のｎ−ＩｎＰ層５
１、８層の厚さ５ＭＬのＧａＩｎＡｓ井戸層５２、８層
の厚さ５ＭＬのｎ−ＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ障壁層５３から
構成されており、ドーピングは全てノンドープであり、
伝導帯下端のエネルギ−準位は図１（ｂ）のようにな
る。伝導帯下端のエネルギ−準位はＧａＩｎＡｓを基準
にしている。ここで、障壁層の混晶比Ｘ＝０．４８（Ｍ
ＱＢ１と呼ぶ）とＸ＝０．６２（ＭＱＢ２と呼ぶ）の２
例のＭＱＢを用いた。ＭＱＢ１の障壁層はＩｎＰに格子
整合しており、障壁層５３の伝導帯下端エネルギ−ＥB
は５００ｍｅＶである。ＭＱＢ２の障壁層は１％の面内
引っ張り歪みを持つように構成されており、障壁層５３
の伝導帯下端エネルギーＥB は７７０ｍｅＶである。こ
のような歪超格子を用いるＭＱＢの原理と効果について
は、既に特願平２−３０５７８５および文献５に開示し
た。なお、歪超格子構造とすることによるバンド端準位
の変化については、文献６に報告されている。ここで、
リーク電流が問題となる逆バイアス条件下でのショット
キー接合のエネルギーバンド図を図１（ｃ）に示す。リ
ーク電流はメタルからショットキーバリアを越えて半導
体側へ注入される熱電子に由来する。このような電子に
対して、同図に示すように、ＭＱＢにより実際の障壁高
さより高い実効障壁高さが実現される。上記ＭＱＢ１と
ＭＱＢ２について、トランスファ−マトリックス法（Ｔ
ＭＭ法）を用いて実効障壁高さを計算した（文献７参
照）。その結果は次の通りである。即ち、 １）ＭＱＢ１については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．０Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．２Ｖが得られる。 ２）ＭＱＢ２については、ｎ−ＩｎＧａＡｓよりも約
１．５Ｖ高い実効障壁高さが得られる。従って、例えば
Ａｕメタルに対するショットキーバリア高さとしては
１．７Ｖが得られる。 これらのショットキーバリア高さを文献３の値０．７１
と比較すると、ＭＱＢ１では０．５Ｖ高く、ＭＱＢ２で
は約１．０Ｖ高くなっている。一般にショットキー接合
の逆バイアス下の飽和リーク電流ＪSTは、金属からショ
ットキーバリアを越えて半導体側へ注入される熱電子に
由来するとして、熱電子放出理論でよく表され次のよう
になる。即ち、 ＪST ∝ exp（−ｑφBn／ｋＴ） ここで、φBnはショットキーバリア高さである。上記式
を本実施例に適用し、リーク電流を文献３の値と比較す
ると、ＭＱＢ１の場合には、 exp（−０．５／０．０２
６）≒１０-9倍に低減し、ＭＱＢ２の場合には、 exp
（−１．０／０．０２６）≒１０-17 倍に低減する。こ
のように本実施例により、極めてリーク電流の少ないシ
ョットキーバリアダイオードを得る事が出来る。以上で
は、逆バイアス下で、メタルから半導体へ注入される電
子について述べたが、同様の原理を半導体からメタルへ
注入される電子に適用することで、立ち上がり電圧の高
いショットキー接合を実現できる。上記実施例では、Ｍ
ＱＢのバリア材料としてＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．
４８またはＸ＝０．６２）を用いたが、０．３≦Ｘ≦１
であれば、同様の効果を期待できる。Ｘ＝０．３４の場
合について、エネルギーバンド構造とフォトダイオード
として使用した場合におけるキャリアの流れを図２に示
した。この場合には、ＭＱＢの効果により、ＩｎＰに格
子整合するＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４８）と同等
の実効ショットキーバリア高さが得られるとともに、Ｍ
ＱＢ内の価電子帯上端の不連続を０．０８ｅＶと小さく
できる。因みに、文献３の構造では０．２ｅＶの不連続
が存在する。正孔はＭＱＢを通ってショットキーメタル
へ流れるため、文献３で指摘されているように、価電子
帯上端の不連続は正孔のパイルアップを生じ、高速応答
の妨げとなる。本実施例はこの問題に対しても有利であ
る。以上の実施例では、ＭＱＢ領域へ均一にドーピング
されている場合を述べたが、井戸層もしくは障壁層にｎ
型変調ドープを行うことも、伝導帯の障壁を高くし、価
電子帯の障壁を低くする上で有効である。この他の材料
系としては、ＧａＡｓY Ｓｂ1-Y （Ｙ≒０．３２）を用
いてもよい。この場合には、ＩｎＰに格子整合するＧａ
X Ｉｎ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．４７）に対して伝導帯障壁が
十分高く、従って、ＭＱＢとした場合の実効バリア高さ
が十分高く、かつ、価電子帯不連続がほとんどないとい
う条件を満たすことができる。さらに、ＩｎＰに対して
１％〜５％程度格子定数の小さいＧａX Ｉｎ1-X ＰをＭ
ＱＢのバリア層としてもよい。また、本実施例ではショ
ットキーダイオードだけを説明したが、この構造はＳＩ
Ｓ型ＦＥＴ、ＨＥＭＴなどにも応用できる。また、以上
の実施例では、ＩｎＰ基板上のショットキー素子につい
て説明したが、他の材料系の場合にも同様の原理を適用
できる。なお、本発明に開示するＭＱＢ構造は、ＭＯＣ
ＶＤ、ガスソースＭＢＥおよび原子層エピタキシー（Ａ
ＬＥ）法などの超薄膜制御性に優れた結晶成長法を用い
て作製することができる。 文献５： M.Irikawa et al.,Jpn.J.Appl.Phys.31,L135
1(1992). 文献６： F.L.Schuermeyer et al.,Appl.Phys.Lett.5
5,1877(1989). 文献７： B.Jonsson et al.,IEEE J. Quantum Electro
n.,QE-26,2025(1990).
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明に係る半導体素子の一実施例で
あるショットキーバリアダイオードの断面図であり、
（ｂ）は前記実施例の伝導帯下端エネルギー構造図であ
り、（ｃ）は逆バイアス下のショットキー接合のエネル
ギー準位とＭＱＢの実効ポテンシャル高さ、入射電子の
関係を示す図である。
あるショットキーバリアダイオードの断面図であり、
（ｂ）は前記実施例の伝導帯下端エネルギー構造図であ
り、（ｃ）は逆バイアス下のショットキー接合のエネル
ギー準位とＭＱＢの実効ポテンシャル高さ、入射電子の
関係を示す図である。
【図２】（ａ）と（ｂ）は本発明に係る半導体素子の他
の実施例であるフォトダイオードのエネルギーバンド構
造図とキャリアの流れを示す図である。
の実施例であるフォトダイオードのエネルギーバンド構
造図とキャリアの流れを示す図である。
【符号の説明】 １ Ａｕ／Ｇｅ−Ｎｉオーミック電極 ２ ｎ+ −ＩｎＰ基板 ３ ｎ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層 ４ ｎ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層 ５ 多重量子障壁層 ６ Ａｕショットキー電極 ５１ ｎ−ＩｎＰ層 ５２ ＧａＩｎＡｓ井戸層 ５３ ＡｌX Ｉｎ1-X Ａｓ障壁層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体と金属とで形成されるショットキ
ー接合を有し、前記半導体と金属の界面に、入射キャリ
アを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが強め
合う位相となるように反射し得る作用を有する多重量子
障壁構造を設けたことを特徴とする多重量子障壁ショッ
トキー接合素子。 - 【請求項２】 前記多重量子障壁構造が歪超格子層から
なることを特徴とする多重量子障壁ショットキー接合素
子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14342092A JPH06204457A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 多重量子障壁ショットキー接合素子 |
| EP93303599A EP0569258A3 (en) | 1992-05-08 | 1993-05-10 | Schottky junction device having a multiple quantum barrier. |
| US08/422,831 US5789760A (en) | 1992-05-08 | 1995-04-17 | Multiquantum barrier Schottky junction device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14342092A JPH06204457A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 多重量子障壁ショットキー接合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204457A true JPH06204457A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=15338338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14342092A Pending JPH06204457A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 多重量子障壁ショットキー接合素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0569258A3 (ja) |
| JP (1) | JPH06204457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737684B1 (en) | 1998-02-20 | 2004-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bipolar transistor and semiconductor device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3014339B2 (ja) | 1997-04-25 | 2000-02-28 | カナレ電気株式会社 | 量子波干渉層を有した半導体素子 |
| JP3014340B2 (ja) | 1997-04-25 | 2000-02-28 | カナレ電気株式会社 | 量子波干渉層を有したダイオード |
| US6331716B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-12-18 | Canare Electric Co., Ltd. | Variable capacity device with quantum-wave interference layers |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666519B2 (ja) * | 1986-08-14 | 1994-08-24 | 東京工業大学長 | 超格子構造体 |
| JPS6398158A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Hitachi Ltd | ホトダイオ−ド |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP14342092A patent/JPH06204457A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-10 EP EP93303599A patent/EP0569258A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737684B1 (en) | 1998-02-20 | 2004-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bipolar transistor and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0569258A2 (en) | 1993-11-10 |
| EP0569258A3 (en) | 1995-03-01 |
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