JP2789644B2 - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- JP2789644B2 JP2789644B2 JP4212889A JP4212889A JP2789644B2 JP 2789644 B2 JP2789644 B2 JP 2789644B2 JP 4212889 A JP4212889 A JP 4212889A JP 4212889 A JP4212889 A JP 4212889A JP 2789644 B2 JP2789644 B2 JP 2789644B2
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- Japan
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- plane
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、低駆動電圧で高い消光比が得られ、半導体
レーザ等と集積が可能な光変調器に関する。
レーザ等と集積が可能な光変調器に関する。
（従来の技術） 半導体光変調器は、半導体レーザ等と集積化が可能
で、かつ高速変調時にもチャーピングが少ない点で注目
されている。特に、膜厚が100Å程度の半導体量子井戸
構造を利用した構造が知られている。その一例は、山西
らにより、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス（Jpn.J.Appl.Phys.）1983年22巻L22
に掲載されている様に、多層膜厚半導体に電界を印加す
る事により、吸収端を長波長側にずらす、というもので
ある。
で、かつ高速変調時にもチャーピングが少ない点で注目
されている。特に、膜厚が100Å程度の半導体量子井戸
構造を利用した構造が知られている。その一例は、山西
らにより、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス（Jpn.J.Appl.Phys.）1983年22巻L22
に掲載されている様に、多層膜厚半導体に電界を印加す
る事により、吸収端を長波長側にずらす、というもので
ある。
（発明が解決しようとする問題点） 上述した従来の量子井戸構造では、吸収端の移動量と
電界の関係は量子井戸厚、有効質量等の関数であり、一
般に、設計自由度はあまり高くない。特に、より低電界
で高い消光比を得るためには、吸収端を低電界で大きく
動かす必要があるが、従来の構造では量子井戸厚を厚く
するか、バイアス電界を常に印加しておく程度しか方法
がない。ここで、量子井戸厚は、あまり厚くしすぎると
量子サイズ効果自体が弱まるという問題があり、またバ
イアス電界を常に印加しておいても、変調時にかかる電
界が大きくなりすぎると、トンネリングによる吸収端の
エキシトン吸収ピークの広がりや、アバランシェ効果に
よる電流等の問題が生じる。
電界の関係は量子井戸厚、有効質量等の関数であり、一
般に、設計自由度はあまり高くない。特に、より低電界
で高い消光比を得るためには、吸収端を低電界で大きく
動かす必要があるが、従来の構造では量子井戸厚を厚く
するか、バイアス電界を常に印加しておく程度しか方法
がない。ここで、量子井戸厚は、あまり厚くしすぎると
量子サイズ効果自体が弱まるという問題があり、またバ
イアス電界を常に印加しておいても、変調時にかかる電
界が大きくなりすぎると、トンネリングによる吸収端の
エキシトン吸収ピークの広がりや、アバランシェ効果に
よる電流等の問題が生じる。
（問題点を解決するために手段） 第１の本発明の光変調器は、III−Ｖ族化合物半導体
基板上の面方位（111）Ｂ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に減少
し、かつ格子不整合による面内圧縮性の歪を有する事に
特徴がある。
基板上の面方位（111）Ｂ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に減少
し、かつ格子不整合による面内圧縮性の歪を有する事に
特徴がある。
第２の本発明の光変調器は、III−Ｖ族化合物半導体
基板上の面方位（111）Ａ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に増加
し、かつ格子不整合による面内圧縮性の歪を有する事に
特徴がある。
基板上の面方位（111）Ａ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に増加
し、かつ格子不整合による面内圧縮性の歪を有する事に
特徴がある。
第３の本発明の光変調器は、III−Ｖ族化合物半導体
基板上の面方位（111）Ｂ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に増加
し、かつ格子不整合による面内引張性の歪を有する事に
特徴がある。
基板上の面方位（111）Ｂ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に増加
し、かつ格子不整合による面内引張性の歪を有する事に
特徴がある。
第４の本発明の光変調器は、III−Ｖ族化合物半導体
基板上の面方位（111）Ａ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に減少
し、かつ格子不整合による面内引張性の歪を有する事に
特徴がある。
基板上の面方位（111）Ａ面上にIII−Ｖ族化合物半導体
が積層された構造であって、該構造は、積層方向に電界
を印加する手段を備え、電子の平均自由行程程度以下の
膜厚を有する半導体層を１層ないし多層具備し、前記半
導体層は、隣接する層より小さい禁制帯幅を有する量子
井戸構造を形成し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方
向に関して前記基板から遠くなるにつれて単調に減少
し、かつ格子不整合による面内引張性の歪を有する事に
特徴がある。
（作用） 以下図面を用いて本発明の作用を説明する。第２図
は、第１の発明による光変調器の、光導波部の一部のバ
ンド図である。ここで、量子井戸層102内の伝導帯下端1
1及び価電子帯上端12は、積層方向に関して変化してい
る。これは、１つには、III−Ｖ族化合物半導体の（11
1）Ｂ基板上に積層した面内圧縮性の歪を有するIII−Ｖ
族化合物半導体における積層方向と同一の方向に電界を
発生するピエゾエレクトリック効果による内部電界によ
り、もう１つは、積層方向に量子井戸層の禁制帯幅が単
調に減少してなる事による。ここで、この２つの効果に
より、価電子帯上端12の傾きは相加的に大きくなる方向
である。この方向は基板面方位、歪の方向、及び禁制帯
幅の変化する方向の設定により異なる。
は、第１の発明による光変調器の、光導波部の一部のバ
ンド図である。ここで、量子井戸層102内の伝導帯下端1
1及び価電子帯上端12は、積層方向に関して変化してい
る。これは、１つには、III−Ｖ族化合物半導体の（11
1）Ｂ基板上に積層した面内圧縮性の歪を有するIII−Ｖ
族化合物半導体における積層方向と同一の方向に電界を
発生するピエゾエレクトリック効果による内部電界によ
り、もう１つは、積層方向に量子井戸層の禁制帯幅が単
調に減少してなる事による。ここで、この２つの効果に
より、価電子帯上端12の傾きは相加的に大きくなる方向
である。この方向は基板面方位、歪の方向、及び禁制帯
幅の変化する方向の設定により異なる。
一般に、電界印加による吸収端のシフトは、正孔波動
関数の変化に依る部分が大きい。そのため、上記の様
に、価電子帯上端12が大きく傾いていると、あたかも積
層方向に大きなバイアス電界がかかっている様な状態で
あり、この状態で、積層方向に電界印加すると、吸収端
は大きく変化する。そのため、低電界で吸収端の大きな
シフトが実現できる。しかも、トンネリングによるエキ
シントン幅の広がりの問題は存在しない。
関数の変化に依る部分が大きい。そのため、上記の様
に、価電子帯上端12が大きく傾いていると、あたかも積
層方向に大きなバイアス電界がかかっている様な状態で
あり、この状態で、積層方向に電界印加すると、吸収端
は大きく変化する。そのため、低電界で吸収端の大きな
シフトが実現できる。しかも、トンネリングによるエキ
シントン幅の広がりの問題は存在しない。
この効果は、第１の発明から第４の発明まですべてに
共通するものである。ここで、ピエゾエレクトリック効
果による内部電界と、禁制帯幅の変化によるバンド端の
傾きを、吸収端のシフト量を大きくするために、価電子
帯上端12の傾きをより大きくするには、（111）Ｂ面上
の構造では、面内圧縮性歪を有し、かつ禁制帯幅が減少
しているか、面内引張性歪を有しかつ禁制帯幅が増加し
ている必要がある。これが第１及び第３の発明に対応す
る。（111）Ａ面上の構造では面内圧縮性歪を有しかつ
禁制帯幅が増加しているか、面内引張性歪を有し、かつ
禁制帯幅が減少している必要がある。これが第２及び第
４の発明に対応する。
共通するものである。ここで、ピエゾエレクトリック効
果による内部電界と、禁制帯幅の変化によるバンド端の
傾きを、吸収端のシフト量を大きくするために、価電子
帯上端12の傾きをより大きくするには、（111）Ｂ面上
の構造では、面内圧縮性歪を有し、かつ禁制帯幅が減少
しているか、面内引張性歪を有しかつ禁制帯幅が増加し
ている必要がある。これが第１及び第３の発明に対応す
る。（111）Ａ面上の構造では面内圧縮性歪を有しかつ
禁制帯幅が増加しているか、面内引張性歪を有し、かつ
禁制帯幅が減少している必要がある。これが第２及び第
４の発明に対応する。
また、（111）面上に積層されたIII−Ｖ族半導体にお
いては、重い正孔の有効質量が（100）面上の場合と比
べ増加する。そのため、電界印加による吸収端のシフト
量は、重い正孔と電子の間の遷移が吸収端を形成する場
合には（100）面上に形成された場合と比べ増加する。
歪が存在する場合では、圧縮性の歪によれば重い正孔の
バンド端は軽い正孔のバンド端よりエネルギー的に上に
存在するので、上記の電界効果は更に上昇する。従っ
て、第１の発明及び第２の発明では、この正孔の有効質
量の増大によっても電界印加による吸収端のシフト量は
増大する。
いては、重い正孔の有効質量が（100）面上の場合と比
べ増加する。そのため、電界印加による吸収端のシフト
量は、重い正孔と電子の間の遷移が吸収端を形成する場
合には（100）面上に形成された場合と比べ増加する。
歪が存在する場合では、圧縮性の歪によれば重い正孔の
バンド端は軽い正孔のバンド端よりエネルギー的に上に
存在するので、上記の電界効果は更に上昇する。従っ
て、第１の発明及び第２の発明では、この正孔の有効質
量の増大によっても電界印加による吸収端のシフト量は
増大する。
（実施例） 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は第１の本発明の一実施例の模式的な斜視図で
ある。この多層構造は分子線エピタキシー（MBE）法に
より製作するものである。これは、まず、（111）Ｂ面
で（100）方向に１゜傾斜したSnドープInP基板100上
に、２μｍ厚Siドープｎ型In0.52Al0.48Asバッファー層
101を積層し、次に100Å厚InxGa1-xAs（ｘは0.6から0.8
まで連続的に変化）量子井戸層102と50Å厚のIn0.52Al
0.48Asバリア層103を交互に10周期積層し、次に1.5μｍ
厚Beドープｐ型In0.52Al0.48Asクラッド層104、0.2μｍ
厚Beドープｐ型In0.53Al0.47Asキャップ層105を成長し
て多層構造を製作する。ここで、量子井戸層102は、In
セルの温度を一定にし、Gaセルの温度を減少させる事に
より、その混晶組成を連続的に変化させ、積層方向にそ
の禁制帯幅を減少させている。また、格子不整合による
面内圧縮性の歪が存在している。
ある。この多層構造は分子線エピタキシー（MBE）法に
より製作するものである。これは、まず、（111）Ｂ面
で（100）方向に１゜傾斜したSnドープInP基板100上
に、２μｍ厚Siドープｎ型In0.52Al0.48Asバッファー層
101を積層し、次に100Å厚InxGa1-xAs（ｘは0.6から0.8
まで連続的に変化）量子井戸層102と50Å厚のIn0.52Al
0.48Asバリア層103を交互に10周期積層し、次に1.5μｍ
厚Beドープｐ型In0.52Al0.48Asクラッド層104、0.2μｍ
厚Beドープｐ型In0.53Al0.47Asキャップ層105を成長し
て多層構造を製作する。ここで、量子井戸層102は、In
セルの温度を一定にし、Gaセルの温度を減少させる事に
より、その混晶組成を連続的に変化させ、積層方向にそ
の禁制帯幅を減少させている。また、格子不整合による
面内圧縮性の歪が存在している。
この多層構造に対し、通常のフォトリソグラフィー法
及びエッチングにより幅３μｍのメサ部をクラッド層10
4の途中まで形成し、さらに電極106を形成する。
及びエッチングにより幅３μｍのメサ部をクラッド層10
4の途中まで形成し、さらに電極106を形成する。
この構造の量子井戸層102バリア層103のバンド図を第
２図に示す。作用の項で述べた様に、伝導帯下端11と価
電子帯上端12は積層方向に関し変化している。特に、価
電子帯上端12については、その形状は非常に大きい電界
が印加された場合と同様に変化している。本実施例では
その電界強度は、おおよそ200kV/cmに対応する。ここ
で、厳密には、量子井戸層102内で、格子不整合による
歪からピエゾエレクトリック効果で生じる電界は異な
り、各バンド端エネルギーは放物線的に変化するが、図
面では直線で近似している。
２図に示す。作用の項で述べた様に、伝導帯下端11と価
電子帯上端12は積層方向に関し変化している。特に、価
電子帯上端12については、その形状は非常に大きい電界
が印加された場合と同様に変化している。本実施例では
その電界強度は、おおよそ200kV/cmに対応する。ここ
で、厳密には、量子井戸層102内で、格子不整合による
歪からピエゾエレクトリック効果で生じる電界は異な
り、各バンド端エネルギーは放物線的に変化するが、図
面では直線で近似している。
この構造の電極106内に逆バイアスを印加し、メサ部
の下部を導波する光の吸収特性を調べた所、第３図の様
に成る。特に波長1.9μｍ程度での透過光量比は、電圧
を0Vから2Vまで変化させた場合で約1000:1程度と非常に
大きいものである。
の下部を導波する光の吸収特性を調べた所、第３図の様
に成る。特に波長1.9μｍ程度での透過光量比は、電圧
を0Vから2Vまで変化させた場合で約1000:1程度と非常に
大きいものである。
次に、第２の本発明による一実施例について説明す
る。この斜視図を第４図に示す。その構造は、第１の本
発明による実施例とほぼ同様であるが、基板は（111）
Ａ面で（100）方向に１゜傾斜したSnドープInP基板200
を用い、量子井戸層は、100Å厚InxGa1-xAs（ｘは0.8か
ら0.6まで連続的に変化）量子井戸層201である。
る。この斜視図を第４図に示す。その構造は、第１の本
発明による実施例とほぼ同様であるが、基板は（111）
Ａ面で（100）方向に１゜傾斜したSnドープInP基板200
を用い、量子井戸層は、100Å厚InxGa1-xAs（ｘは0.8か
ら0.6まで連続的に変化）量子井戸層201である。
本実施例においては、価電子帯上端の傾きは、電界強
度にしてやはり200kV/cmであるが、その方向は第１の発
明による実施例における場合と逆である。ここで、本実
施例においても、波長的1.9μｍで同様の電圧印加で、
高い消光比が得られる。
度にしてやはり200kV/cmであるが、その方向は第１の発
明による実施例における場合と逆である。ここで、本実
施例においても、波長的1.9μｍで同様の電圧印加で、
高い消光比が得られる。
次に、第３の本発明による一実施例について説明す
る。これは、第１の発明による実施例とほぼ同様である
が、量子井戸層は、100Å厚InxGa1-xAs（ｘは、0.45か
ら0.25まで連続的に変化）量子井戸層である。この量子
井戸層は格子不整合による面内引張性の歪を有する。
る。これは、第１の発明による実施例とほぼ同様である
が、量子井戸層は、100Å厚InxGa1-xAs（ｘは、0.45か
ら0.25まで連続的に変化）量子井戸層である。この量子
井戸層は格子不整合による面内引張性の歪を有する。
本実施例においては、量子井戸層内での価電子帯上端
12の傾きは第２の発明による実施例と、その大きさ向き
ともほぼ同一である。また、波長約1.2μｍで、約2Vの
電圧印加で消光比として約500:1と高いものが得られ
る。ここで、正孔有効質量が第１及び第２の発明による
実施例と比べ減少しているので、消光比も若干減少す
る。
12の傾きは第２の発明による実施例と、その大きさ向き
ともほぼ同一である。また、波長約1.2μｍで、約2Vの
電圧印加で消光比として約500:1と高いものが得られ
る。ここで、正孔有効質量が第１及び第２の発明による
実施例と比べ減少しているので、消光比も若干減少す
る。
次に第４の本発明による一実施例について説明する。
これは、第２の発明による実施例とほぼ同様であるが、
量子井戸層は、100Å厚のnxGa1-xAs（ｘは、0.25から0.
45まで連続的に変化）量子井戸層である。
これは、第２の発明による実施例とほぼ同様であるが、
量子井戸層は、100Å厚のnxGa1-xAs（ｘは、0.25から0.
45まで連続的に変化）量子井戸層である。
本実施例においては、量子井戸層内での価電子帯上端
12の傾きは、第１の発明による実施例と、その大きさ、
向きともほぼ同一である。また、波長1.2μｍで、約2V
の電圧印加で消光比として約500:1と高いものが得られ
る。
12の傾きは、第１の発明による実施例と、その大きさ、
向きともほぼ同一である。また、波長1.2μｍで、約2V
の電圧印加で消光比として約500:1と高いものが得られ
る。
以上、ここでは各発明に対し１つの実施例について述
べたが、本発明は、他の半導体結晶成長方法、例えば気
相成長法でもよく、また、材料も、InGaAs/InAlAs系以
外の、例えばInGaAs/（Al）GaAs系、GaAs/InGaP系等他
のものでも良い。但し、負のピエゾ係数を持つ事から、
III−Ｖ族化合物半導体である事が必要である。
べたが、本発明は、他の半導体結晶成長方法、例えば気
相成長法でもよく、また、材料も、InGaAs/InAlAs系以
外の、例えばInGaAs/（Al）GaAs系、GaAs/InGaP系等他
のものでも良い。但し、負のピエゾ係数を持つ事から、
III−Ｖ族化合物半導体である事が必要である。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明は、格子不整合により歪
を有する量子井戸層を（111）III−Ｖ族半導体基板上に
積層し、かつ、禁制帯幅を、その面方位、また歪の向き
によって選択した方向に変化させることにより、低電圧
で駆動でき、高い消光比が得られる光変調器が得られる
効果がある。
を有する量子井戸層を（111）III−Ｖ族半導体基板上に
積層し、かつ、禁制帯幅を、その面方位、また歪の向き
によって選択した方向に変化させることにより、低電圧
で駆動でき、高い消光比が得られる光変調器が得られる
効果がある。
第１図は、第１の本発明の一実施例の模式的な斜視図、
第２図は本発明を説明するためのバンド図、第３図は本
発明の光変調器が導波する光の吸収特性を示す図、第４
図は第２の本発明の一実施例の模式的な斜視図である。 図において、 100……Snドープ（111）BInP基板、101……SiドープIn
0.52Al0.48Asバッファー層、102……InxGa1-xAs量子井
戸層（x;0.6→0.8）、103……In0.52Al0.48Asバリア
層、104……BeドープIn0.52Al0.48Asクラッド層、105…
…BeドープIn0.53Ga0.47Asキャップ層、106……電極、1
1……伝導帯下端、12……価電子帯上端、200……Snドー
プ（111）AInP基板、201……InxGa1-xAs量子井戸層（x;
0.6→0.8）である。
第２図は本発明を説明するためのバンド図、第３図は本
発明の光変調器が導波する光の吸収特性を示す図、第４
図は第２の本発明の一実施例の模式的な斜視図である。 図において、 100……Snドープ（111）BInP基板、101……SiドープIn
0.52Al0.48Asバッファー層、102……InxGa1-xAs量子井
戸層（x;0.6→0.8）、103……In0.52Al0.48Asバリア
層、104……BeドープIn0.52Al0.48Asクラッド層、105…
…BeドープIn0.53Ga0.47Asキャップ層、106……電極、1
1……伝導帯下端、12……価電子帯上端、200……Snドー
プ（111）AInP基板、201……InxGa1-xAs量子井戸層（x;
0.6→0.8）である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−208296（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−3220（ＪＰ，Ａ) ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑ ｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓ，Ｖｏｌ．ＱＥ−23 Ｎｏ．12 Ｐ Ｐ．2181〜2195 （1987年) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/00 - 1/025 G02F 1/29 - 3/02
Claims (4)
- 【請求項１】III−Ｖ族化合物半導体基板上の面方位（1
11）Ｂ面上にIII−Ｖ族化合物半導体が積層された構造
であって、該構造は、積層方向に電界を印加する手段を
備え、電子の平均自由行程程度以下の膜厚を有する半導
体層を１層ないし多層具備し、前記半導体層は、隣接す
る層より小さい禁制帯幅を有する量子井戸構造を形成
し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方向に関して前記
基板から遠くなるにつれて単調に増加し、かつ格子不整
合による面内圧縮性の歪みを有する事を特徴とする光変
調器。 - 【請求項２】III−Ｖ族化合物半導体基板上の面方位（1
11）Ａ面上にIII−Ｖ族化合物半導体が積層された構造
であって、該構造は、積層方向に電界を印加する手段を
備え、電子の平均自由行程程度以下の膜厚を有する半導
体層を１層ないし多層具備し、前記半導体層は、隣接す
る層より小さい禁制帯幅を有する量子井戸構造を形成
し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方向に関して前記
基板から遠くなるにつれて単調に減少し、かつ格子不整
合による面内圧縮性の歪みを有する事を特徴とする光変
調器。 - 【請求項３】III−Ｖ族化合物半導体基板上の面方位（1
11）Ｂ面上にIII−Ｖ族化合物半導体が積層された構造
であって、該構造は、積層方向に電界を印加する手段を
備え、電子の平均自由行程程度以下の膜厚を有する半導
体層を１層ないし多層具備し、前記半導体層は、隣接す
る層より小さい禁制帯幅を有する量子井戸構造を形成
し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方向に関して前記
基板から遠くなるにつれて単調に増加し、かつ格子不整
合による面内引張性の歪みを有する事を特徴とする光変
調器。 - 【請求項４】III−Ｖ族化合物半導体基板上の面方位（1
11）Ａ面上にIII−Ｖ族化合物半導体が積層された構造
であって、該構造は、積層方向に電界を印加する手段を
備え、電子の平均自由行程程度以下の膜厚を有する半導
体層を１層ないし多層具備し、前記半導体層は、隣接す
る層より小さい禁制帯幅を有する量子井戸構造を形成
し、前記半導体層の禁制帯幅は、積層方向に関して前記
基板から遠くなるにつれて単調に減少し、かつ格子不整
合による面内引張性の歪みを有する事を特徴とする光変
調器。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4212889A JP2789644B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212889A JP2789644B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220025A JPH02220025A (ja) | 1990-09-03 |
| JP2789644B2 true JP2789644B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=12627303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212889A Expired - Fee Related JP2789644B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光変調器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2789644B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2591445B2 (ja) * | 1993-10-15 | 1997-03-19 | 日本電気株式会社 | 光変調素子 |
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-
1989
- 1989-02-21 JP JP4212889A patent/JP2789644B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|
| ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．ＱＥ−２３ Ｎｏ．１２ ＰＰ．２１８１〜２１９５ （１９８７年） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02220025A (ja) | 1990-09-03 |
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