JP3448450B2 - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
素子およびその製造方法ならびに発光素子を用いた電子
機器に関する。
InAlGaN等のIII −V族窒化物系半導体からなる
発光ダイオードや半導体レーザ素子等の発光素子は、直
接遷移によって発光強度の大きい黄色から紫外領域の発
光、特に青色発光が可能なことから注目されている。
らなる発光ダイオードを示す模式的断面図である。
に、GaNバッファ層102、n型クラッド層でもある
n型GaNコンタクト層103、InGaN活性層10
4、p型AlGaNクラッド層105およびp型GaN
コンタクト層106が順に形成されている。p型GaN
コンタクト層106上にp側電極107が形成され、n
型GaNコンタクト層103上にn側電極108が形成
されている。
記表1に示す成長温度で有機金属化学気相成長法(MO
CVD法)により成長される。
発光ダイオードの製造時には、p型AlGaNクラッド
層105は、InGaN活性層104上に結晶性良く成
長するように、InGaN活性層104の成長温度より
も高い成長温度で形成される。このような高温でのp型
AlGaNクラッド層105の成長時にInGaN活性
層104からIn等の構成元素が脱離する。これによ
り、p型AlGaNクラッド層105の結晶成長時にI
nGaN活性層104の結晶性が劣化する。この結果、
発光ダイオードの発光強度を大きくすることが困難であ
った。
光素子およびその製造方法を提供することである。
発明に係る発光素子は、第1導電型の窒化物系の化合物
半導体からなる第1のクラッド層と、インジウムを含む
窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、窒化物系の
化合物半導体からなるキャップ層と、第2導電型の窒化
物系の化合物半導体からなる第2のクラッド層とをこの
順に備え、活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を
有し、キャップ層はAlu Ga1-u Nからなり、第2の
クラッド層は第2導電型のAlz Ga1-z Nからなり、
キャップ層のAl組成比uは第2のクラッド層のAl組
成比zよりも小さく、キャップ層の不純物濃度は、第2
のクラッド層の不純物濃度よりも低く、キャップ層の厚
さは200Å以上400Å以下であることを特徴とす
る。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
の窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラッド層
と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる
活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層
と、第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2
のクラッド層とをこの順に備え、活性層は、量子井戸層
を含む量子井戸構造を有し、キャップ層はGaNからな
り、キャップ層の不純物濃度は、第2のクラッド層の不
純物濃度よりも低く、キャップ層の厚さは200Å以上
400Å以下であることを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
の窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラッド層
と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる
活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層
と、第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2
のクラッド層とをこの順に備え、活性層は、量子井戸層
を含む量子井戸構造を有し、キャップ層は、活性層と第
2のクラッド層との中間のバンドギャップを有し、キャ
ップ層の不純物濃度は、第2のクラッド層の不純物濃度
よりも低く、キャップ層の厚さは200Å以上400Å
以下であることを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
0)からなってもよい。この場合、インジウムは脱離し
やすいので、顕著な効果が得られる。
もよい。量子井戸層はIns Ga1-s N(1>s>0)
からなり、量子障壁層はInr Ga1-r N(1>s>r
≧0)からなってもよい。
窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層と、単結晶
の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層
と、第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1
のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半
導体からなる活性層と、Alを含むAlGaNからなる
キャップ層と、第2導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第2のクラッド層と、第2導電型のコンタクト層
とをこの順に備え、活性層は、量子井戸層および量子障
壁層を含む量子井戸構造を有し、キャップ層は、活性層
よりも大きなバンドギャップを有し、キャップ層のAl
組成比は0.1以下であることを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層と、単結晶
の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層
と、第1導電型のコンタクト層と、第1導電型の窒化物
系の化合物半導体からなる第1のクラッド層と、インジ
ウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、
Alを含むAlGaNからなるキャップ層と、第2導電
型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のクラッド層
とをこの順に備え、活性層は、量子井戸層および量子障
壁層を含む量子井戸構造を有し、キャップ層は、活性層
よりも大きなバンドギャップを有し、キャップ層のAl
組成比は0.1以下であることを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層と、単結晶
の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層
と、第1導電型のGaNからなるコンタクト層と、第1
導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラッ
ド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体から
なる活性層と、Alを含むAlGaNからなるキャップ
層と、第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第
2のクラッド層とをこの順に備え、キャップ層は、活性
層よりも大きなバンドギャップを有し、キャップ層のA
l組成比は0.1以下であることを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
クト層をさらに備えてもよい。活性層は、量子井戸層を
含む量子井戸構造を有してもよい。量子井戸層はIns
Ga1-s N(1>s>0)からなってもよい。この場
合、インジウムは脱離しやすいので、顕著な効果が得ら
れる。
もよい。量子井戸層はIns Ga1-s N(1>s>0)
からなり、量子障壁層はInr Ga1-r N(1>s>r
≧0)からなってもよい。
ってもよい。キャップ層のAl組成比は0.1以下であ
ることが好ましい。この場合、活性層からインジウム等
の構成元素が脱離することが抑制される。その結果、発
光強度を顕著に大きくすることができる。
ギャップを有することが好ましい。これにより、キャッ
プ層が発光領域となることが防止される。
との中間のバンドギャップを有することが好ましい。こ
れにより、動作電圧を低くすることが可能となる。
ド層の不純物濃度よりも低いことが好ましい。これによ
り、キャップ層側から活性層へ不所望な不純物が拡散す
るおそれが小さくなる。その結果、不所望な不純物拡散
による発光強度の劣化を抑制することができる。
ましい。この場合、キャップ層側から活性層へ不所望な
不純物が拡散するおそれがほとんどなくなる。その結
果、不所望な不純物拡散による発光強度の劣化を十分に
抑制することができる。
以下であることが好ましい。これにより、発光強度を顕
著に大きくすることが可能となる。
もよい。キャップ層のAl組成比は第2のクラッド層の
Al組成比よりも小さいことが好ましい。
地層のAl組成比yは0以上で1より小さいことが好ま
しい。これにより、製造歩留りが向上する。
バッファ層のAl組成比xは0より大きく1以下である
ことが好ましい。これにより、製造歩留りが向上する。
以上で1より小さいことがより好ましい。これにより、
製造歩留りがより向上する。バッファ層のAl組成比x
が0.4以上0.6以下がさらに好ましい。これによ
り、製造歩留りがさらに向上する。
の場合、インジウムは脱離しやすいので、顕著な効果が
得られる。
Al x Ga 1-x Nからなるバッファ層と、単結晶の窒化
物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第
1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラ
ッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体か
らなる活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャ
ップ層と、第2導電型の窒化物系の化合物半導体からな
る第2のクラッド層と、第2導電型のコンタクト層とを
この順に備え、活性層は、量子井戸層および量子障壁層
を含む量子井戸構造を有し、キャップ層は、活性層より
も大きなバンドギャップを有し、バッファ層のAl組成
比xは0.4以上0.6以下であることを特徴とする。
Al x Ga 1-x Nからなるバッファ層と、単結晶の窒化
物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第
1導電型のコンタクト層と、第1導電型の窒化物系の化
合物半導体からなる第1のクラッド層と、インジウムを
含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、窒化物
系の化合物半導体からなるキャップ層と、第2導電型の
窒化物系の化合物半導体からなる第2のクラッド層とを
この順に備え、活性層は、量子井戸層および量子障壁層
を含む量子井戸構造を有し、キャップ層は、活性層より
も大きなバンドギャップを有し、バッファ層のAl組成
比xは0.4以上0.6以下であることを特徴とする。
Al x Ga 1-x Nからなるバッファ層と、単結晶の窒化
物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第
1導電型のGaNからなるコンタクト層と、第1導電型
の窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラッド層
と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる
活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層
と、第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2
のクラッド層とをこの順に備え、キャップ層は、活性層
よりも大きなバンドギャップを有し、バッファ層のAl
組成比xは0.4以上0.6以下であることを特徴とす
る。
は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッフ
ァ層を気相成長法により形成する工程と、バッファ層上
に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープ
の下地層を気相成長法により形成する工程と、下地層上
に第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1の
クラッド層を気相成長法により形成する工程と、第1の
クラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物
半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程
と、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低
い成長温度でAlを含むAlGaNからなるキャップ層
を気相成長法により形成する工程と、キャップ層上に第
2導電型の第2のクラッド層を気相成長法により形成す
る工程と、第2のクラッド層上に第2導電型のコンタク
ト層を気相成長法により形成する工程とを含み、キャッ
プ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有するこ
とを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッフ
ァ層を気相成長法により形成する工程と、バッファ層上
に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープ
の下地層を気相成長法により形成する工程と、下地層上
に第1導電型のコンタクト層を気相成長法により形成す
る工程と、第1導電型のコンタクト層上に第1導電型の
窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラッド層を気
相成長法により形成する工程と、第1のクラッド層上に
インジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる
活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に
活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で窒
化物系の化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法
により形成する工程と、キャップ層上に第2導電型のク
ラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、キ
ャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有
し、キャップ層の厚さは200Å以上400Å以下であ
ることを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッフ
ァ層を気相成長法により形成する工程と、バッファ層上
に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープ
の下地層を気相成長法により形成する工程と、下地層上
に第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1の
クラッド層を気相成長法により形成する工程と、第1の
クラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物
半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程
と、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低
い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャップ
層を気相成長法により形成する工程と、キャップ層上に
第2導電型の第2のクラッド層を気相成長法により形成
する工程と、第2のクラッド層上に第2導電型のコンタ
クト層を気相成長法により形成する工程とを含み、活性
層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造
を有し、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、キャップ層の厚さは200Å以上400Å
以下であることを特徴とする。
上にキャップ層が設けられているので、活性層からイン
ジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その
結果、発光強度を大きくすることができる。
クト層を気相成長法により形成する工程をさらに含んで
もよい。第2導電型のコンタクト層はGaNからなって
もよい。
相成長法により形成する工程をさらに含み、第1のクラ
ッド層を第1導電型コンタクト層上に形成してもよい。
第1導電型のコンタクト層はGaNからなってもよい。
い。キャップ層はAlを含んでもよい。
ることが好ましい。この場合、活性層からインジウム等
の構成元素が脱離することが抑制される。その結果、発
光強度を顕著に大きくすることができる。
を有してもよい。量子井戸層はIns Ga1-s N(1>
s>0)からなってもよい。この場合、インジウムは脱
離しやすいので、顕著な効果が得られる。量子井戸構造
は量子障壁層をさらに含んでもよい。量子井戸層はIn
s Ga1-s N(1>s>0)からなり、量子障壁層はI
nr Ga1-r N(1>s>r≧0)からなってもよい。
aN量子障壁層を700℃以上950℃以下の成長温度
で形成してもよい。この場合、InGaN量子井戸層か
らインジウム等の構成元素の脱離を抑制することができ
るので、発光強度を大きくすることができる。量子障壁
層として量子井戸層よりもIn組成の少ないInGaN
を用いてもよい。
地層のAl組成比yは0以上で1より小さいことが好ま
しい。これにより、製造歩留りが向上する。
バッファ層のAl組成比xは0より大きく1以下である
ことが好ましい。これにより、製造歩留りが向上する。
以上で1より小さいことがより好ましい。これにより、
製造歩留りがより向上する。バッファ層のAl組成比x
が0.4以上0.6以下がさらに好ましい。これによ
り、製造歩留りがさらに向上する。
の場合、インジウムは脱離しやすいので、顕著な効果が
得られる。
ギャップを有する。これにより、キャップ層が発光領域
となることが防止される。
との中間のバンドギャップを有することが好ましい。こ
れにより、動作電圧を低くすることが可能となる。
ド層の不純物濃度よりも低いことが好ましい。これによ
り、キャップ層側から活性層へ不所望な不純物が拡散す
るおそれが小さくなる。その結果、不所望な不純物拡散
による発光強度の劣化を抑制することができる。
ましい。この場合、キャップ層側から活性層へ不所望な
不純物が拡散するおそれがほとんどなくなる。その結
果、不所望な不純物拡散による発光強度の劣化を十分に
抑制することができる。
以下であることが好ましい。これにより、発光強度を顕
著に大きくすることが可能となる。
成長温度で形成してもよい。第2のクラッド層はAlG
aNからなってもよい。キャップ層のAl組成比は第2
のクラッド層のAl組成比よりも小さいことが好まし
い。
成長する温度であることが好ましい。活性層の成長温度
は700℃以上950℃以下であることが好ましい。キ
ャップ層の成長温度は700℃以上950℃以下である
ことが好ましい。この場合、活性層上に低い成長温度で
キャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等
の構成元素が脱離することが抑制される。
は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッフ
ァ層を気相成長法により形成する工程と、バッファ層上
に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープ
の下地層を気相成長法により形成する工程と、下地層上
に第1導電型のコンタクト層を気相成長法により形成す
る工程と、第1導電型のコンタクト層上に第1導電型の
窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラッド層を気
相成長法により形成する工程と、第1のクラッド層上に
インジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる
活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に
活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でA
lを含むAlGaNからなるキャップ層を気相成長法に
より形成する工程と、キャップ層上に第2導電型の第2
のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含
み、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップ
を有することを特徴とする。
は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッフ
ァ層を気相成長法により形成する工程と、バッファ層上
に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープ
の下地層を気相成長法により形成する工程と、下地層上
に第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1の
クラッド層を気相成長法により形成する工程と、第1の
クラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物
半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程
と、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低
い成長温度でAlを含むAlGaNからなるキャップ層
を気相成長法により形成する工程と、キャップ層上に第
2導電型の第2のクラッド層を気相成長法により形成す
る工程と、第2のクラッド層上に第2導電型のコンタク
ト層を気相成長法により形成する工程とを含み、活性層
は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を
有し、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャッ
プを有することを特徴とする。
は、非単結晶のAl x Ga 1-x Nからなるバッファ層を
気相成長法により形成する工程と、バッファ層上に単結
晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地
層を気相成長法により形成する工程と、下地層上に第1
導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程
と、第1導電型のコンタクト層上に第1導電型の窒化物
系の化合物半導体からなる第1のクラッド層を気相成長
法により形成する工程と、第1のクラッド層上に インジ
ウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層
を気相成長法により形成する工程と、活性層上に活性層
の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で窒化物系
の化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により
形成する工程と、キャップ層上に第2導電型の第2のク
ラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、キ
ャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有
し、バッファ層のAl組成比xは0.4以上0.6以下
であることを特徴とする。
は、非単結晶のAl x Ga 1-x Nからなるバッファ層を
気相成長法により形成する工程と、バッファ層上に単結
晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地
層を気相成長法により形成する工程と、下地層上に第1
導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のクラッ
ド層を気相成長法により形成する工程と、第1のクラッ
ド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体
からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活
性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長
温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層を気
相成長法により形成する工程と、キャップ層上に第2導
電型の第2のクラッド層を気相成長法により形成する工
程と、第2のクラッド層上に第2導電型のコンタクト層
を気相成長法により形成する工程とを含み、活性層は、
量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有
し、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップ
を有し、バッファ層のAl組成比xは0.4以上0.6
以下であることを特徴とする。
9のいずれかの発明に係る発光素子を用いたものであ
る。第17発明に係る発光素子は、高い発光強度を有す
るので、電子機器の光学的性能が向上する。
けるIII −V族窒化物系半導体からなる発光ダイオード
を図1を用いて詳細に説明する。
に、層厚110ÅのアンドープのAlx Ga1-x N(x
=0.5)バッファ層2、層厚0.2μmのアンドープ
のGaN下地層3、層厚4μmのn型クラッド層を兼用
するSiドープのn型GaNコンタクト層4、およびZ
nおよびSiがドープされた層厚0.2μmのInq G
a1-q N(q=0.05)活性層5が順に形成されてい
る。InGaN活性層5上には、その活性層5の結晶劣
化を防止する層厚200ÅのアンドープのGaNキャッ
プ層6、Mgがドープされた層厚0.15μmのp型A
lz Ga1-z N(z=0.2)クラッド層7、およびM
gがドープされた層厚0.3μmのp型GaNコンタク
ト層8が順に形成されている。
コンタクト層4中の所定位置までの一部領域が除去さ
れ、n型GaNコンタクト層4が露出している。p型G
aNコンタクト層8の上面にAuからなるp側電極9が
形成され、n型GaNコンタクト層4が露出したn側電
極形成領域上にAlからなるn側電極10が形成されて
いる。
る。本実施例では、有機金属化学気相成長法(MOCV
D法)により各層が形成される。
1を設置した後、その基板1を非単結晶成長温度、例え
ば600℃の成長温度(基板温度)に保持した状態にし
て、キャリアガスとしてH2 およびN2 、原料ガスとし
てアンモニア、トリメチルガリウム(TMG)およびト
リメチルアルミニウム(TMA)を用いて、基板1上に
非単結晶のアンドープのAlGaNバッファ層2を成長
させる。
くは1000〜1200℃、例えば1150℃の成長温
度に保持した状態にして、キャリアガスとしてH2 およ
びN2 、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガ
リウム(TMG)を用いて、バッファ層2上に単結晶の
アンドープのGaN下地層3を成長させる。
くは1000〜1200℃、例えば1150℃の成長温
度に保持した状態で、キャリアガスとしてH2 およびN
2 、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウ
ム(TMG)、ドーパントガスとしてSiH4 を用い
て、下地層3上に単結晶のSiドープのn型GaNコン
タクト層4を成長させる。
は700〜950℃、例えば860℃の成長温度に保持
した状態にして、キャリアガスとしてH2 およびN2 、
原料ガスとしてアンモニア、トリエチルガリウム(TE
G)、トリメチルインジウム(TMI)、ドーパントガ
スとしてSiH4 およびジエチル亜鉛(DEZ)を用い
て、n型コンタクト層4上に単結晶のSiおよびZnド
ープのInGaN活性層5を成長させる。
と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では8
60℃に保持した状態で、キャリアガスとしてH2 およ
びN2 、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガ
リウム(TMG)を用いて、InGaN活性層5上にそ
の活性層5の成長に連続して単結晶のアンドープのGa
Nキャップ層6を成長させる。トリメチルガリウム(T
MG)の代わりにトリエチルガリウム(TEG)を用い
てもよい。
くは1000〜1200℃、例えば1150℃の成長温
度に保持した状態にして、キャリアガスとしてH2 およ
びN2 、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウ
ム(TMG)およびトリメチルアルミニウム(TM
A)、ドーパントガスとしてCp2 Mg(シクロペンタ
ジエニルマグネシウム)を用いて、GaNキャップ層6
上に単結晶のMgドープのp型AlGaNクラッド層7
を成長させる。
は1000〜1200℃、例えば1150℃の成長温度
に保持した状態にして、キャリアガスとしてH2 および
N2、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリ
ウム(TMG)、ドーパントガスとしてCp2 Mg(シ
クロペンタジエニルマグネシウム)を用いて、p型クラ
ッド層7上に単結晶のMgドープのp型GaNコンタク
ト層8を成長させる。
り出し、p型コンタクト層8からn型コンタクト層4の
層途中までを反応性イオンビームエッチング法(RIE
法)によりエッチング除去して、n型コンタクト層4が
露出したn側電極形成領域を作製する。
ラッド層7のドーパントを活性化して高キャリア濃度に
するとともに、n型コンタクト層4のエッチングによる
結晶劣化を回復するために、窒素雰囲気中、750℃〜
800℃で30〜60分熱処理を行う。
なるp側電極9を蒸着法等により形成するとともに、n
型コンタクト層4の上記n側電極形成領域上にAlから
なるn側電極10を蒸着法等により形成した後、500
℃で熱処理してp側電極9およびn側電極10をそれぞ
れp型コンタクト層8およびn型コンタクト層4にオー
ミック接触させ、図1に示す発光ダイオードを形成す
る。
5にアンドープのGaNキャップ層6が密接して形成さ
れた構成を有するので、InGaN活性層5の形成中ま
たは形成後にその活性層5からIn等の構成元素が脱離
することが抑制される。この結果、活性層5の結晶欠陥
の数が低減し、結晶性の劣化が抑制される。
で、この活性層5へ不所望な不純物が拡散することが抑
制されると考えられる。
は、故意にドーパントを使用することなく形成される所
謂アンドープ層であるので、InGaN活性層5への不
所望な不純物の拡散が十分に抑制される。
らの構成元素の脱離が抑制されて活性層5の結晶欠陥数
が低減したことによる活性層5への不純物の拡散抑制効
果と、キャップ層6がアンドープ層であることによる活
性層5への不純物の拡散抑制効果の両効果により、活性
層5への不所望な不純物拡散が顕著に抑制される。
実施例と同じ発光ダイオードでは、発光波長のばらつき
が大きく、また不発光あるいは低発光になる発光ダイオ
ードの数が多いのに比べて、本実施例の発光ダイオード
では、発光波長のばらつきが小さく、発光強度が顕著に
大きくなる。
には、InGaN活性層5の全面直上にアンドープのG
aNキャップ層6をInGaN活性層5の成長温度以下
の温度、本実施例では860℃で成長させるので、この
キャップ層6を形成する際に、InGaN活性層5の構
成元素の脱離を抑制できるとともに、キャップ層6を形
成した後にInGaN活性層5からの構成元素の脱離を
防止できる。したがって、本実施例の製造方法は好まし
い製造方法である。
およびGaNキャップ層6の成長温度をほぼ同じとして
これらを連続的に成長させるので、InGaN活性層5
からの構成元素の脱離を十分に抑制できるとともに、量
産性も向上する。
厚を200Åとしたときの発光強度が340(任意単
位)であるのに対して、GaNキャップ層6の層厚を1
00Åとしたときは、キャップ層6がない場合よりは大
きいが、発光強度が36(任意単位)とほぼ10分の1
となった。また、GaNキャップ層6の層厚を300Å
としたときは、200Åのときに比べて、発光強度が
1.4倍となり、GaNキャップ層6の層厚を400Å
としたときは、200Åとしたときの0.8倍となっ
た。
が200〜400Åのときに好ましい効果が得られる。
すなわち、GaNキャップ層6の層厚は量子効果がほぼ
生じない層厚以上が好ましいと推察される。
晶のAlGaNバッファ層2を形成した後、単結晶成長
条件でアンドープのGaN単結晶下地層3を形成するの
で、容易に下地層3の表面性を顕著に良好にできる。こ
の結果、素子のリーク電流を抑制でき、素子の製造歩留
りを向上できる。
N層を用いた場合、そのGaN層の表面にピットが発生
して貫通欠陥となりやすいため、バッファ層2としてG
aN層を用いることは製造歩留りの観点から好ましくな
い。アンドープの単結晶下地層3と組み合わせて用いら
れる非単結晶のバッファ層2としては、製造歩留りの観
点からAlN層を用いることが好ましく、AlGaN層
を用いることが最も好ましい。
態およびX線回折スペクトルのFWHM(半値全幅)を
測定した。その測定結果を表2に示す。
上で1より小さいことが好ましく、0.4以上0.6以
下がさらに好ましい。
は、GaN層のほか、AlGaN層を用いてもよいが、
AlN層を用いると表面にクラックが生じやすいので好
ましくない。
−V族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを説明す
る。
ャップ層6としてアンドープのGaN層に代えて層厚2
00ÅのアンドープのAlu Ga1-u N層を用いた点で
ある。ここで、uはほぼ0.1および0.2である。こ
のAlu Ga1-u N層もMOCVD法により形成され、
成長温度は、活性層5の成長温度と同じかもしくはこれ
よりも低い温度、本実施例では860℃である。キャリ
アガスとしてはH2 およびN2 、原料ガスとしてはアン
モニア、トリメチルガリウム(TMG)およびトリメチ
ルアルミニウム(TMA)を用いる。トリメチルガリウ
ム(TMG)の代わりにトリエチルガリウム(TEG)
を用いてもよい。
ャップ層6を有さない発光ダイオードに比べて発光強度
が顕著に大きくなることがわかった。
ÅのアンドープのGaNキャップ層6の発光強度が45
0(任意単位)であるとした場合に比べて、第2の実施
例でAl組成比uが約0.1であるアンドープのAlu
Ga1-u Nキャップ層6を用いた場合の発光強度は、半
分以下の190(任意単位)であった。
ンドープのAlu Ga1-u Nキャップ層6を用いた場合
の発光強度は、Al組成比uが0.1の場合の3分の1
であった。
いることが最も好ましく、Alu Ga1-u N層を使用す
る場合にもAl組成比uがほぼ0.1と小さい方が好ま
しいことがわかる。AlGaNでは、Al組成比が大き
い程バンドギャップが大きくなる。p型クラッド層7の
Al組成比は、第1の実施例で述べたように0.2であ
る。キャップ層6のAl組成比が0.1であると、キャ
ップ層6のバンドギャップはp型クラッド層7のバンド
ギャップよりも小さいことになる。このことから、キャ
ップ層6のバンドギャップは、活性層5のバンドギャッ
プとp型クラッド層7のバンドギャップの間の大きさが
好ましいことが理解できる。
−V族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図2を
用いて説明する。
aN下地層3を用いない点であり、製造方法もこのGa
N下地層3の形成工程がない点を除いて第1の実施例と
同様である。
施例の発光ダイオードと比べて製造歩留りが低下する
が、キャップ層6を有さない発光ダイオードに比べて発
光強度が大きくなる。
型コンタクト層4上に活性層5を備えた構造を有する
が、n型コンタクト層4と活性層5との間にn型AlG
aNクラッド層を設けてもよい。また、n型コンタクト
層4と活性層5との間にn型AlGaNクラッド層およ
びn型InGaN層を設けてもよい。
戸構造でない非量子井戸構造の活性層を用いたが、もち
ろん、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性
層を用いてもよい。例えば、活性層5をIns Ga1-s
N(1>s>0)量子井戸層からなる単一量子井戸構造
としてもよく、あるいはIns Ga1-s N(1>s>
0)量子井戸層とInr Ga1-r N(1>s>r≧0)
量子障壁層とからなる多重量子井戸構造としてもよい。
層とGaN量子障壁層とからなる多重量子井戸構造を用
いる場合、GaN量子障壁層は700℃以上950℃以
下の成長温度で形成することが好ましく、量子井戸層お
よび量子障壁層の成長温度をほぼ等しくすることが好ま
しい。
は、SiおよびZnがドープされた活性層5を用いてい
るが、アンドープの活性層を用いてもよい。
率導波型半導体レーザ素子を図3を用いて説明する。こ
の半導体レーザ素子はセルフアライン型半導体レーザ素
子である。
に、層厚約100〜200ÅのアンドープのAlGaN
バッファ層12、層厚0.4μmのアンドープのGaN
下地層13、層厚4μmのn型GaNコンタクト層1
4、および層厚0.1〜0.5μmのn型AlGaNク
ラッド層15が順に形成されている。n型AlGaNク
ラッド層15上には、InGaN活性層16、層厚20
0〜400ÅのアンドープのGaNキャップ層17、お
よび層厚0.1〜0.5μmのp型AlGaNクラッド
層18が順に形成されている。
央部にストライプ状の開口部を有する層厚0.2〜0.
3μmのn型GaNまたはn型AlGaNからなる電流
ブロック層19が形成されている。n型電流ブロック層
19の上面およびストライプ状の開口部内には、層厚
0.1〜0.5μmのp型GaNコンタクト層20が形
成されている。
21が形成され、n型GaNコンタクト層14上にn側
電極22が形成されている。
用いてもよく、あるいは単一量子井戸構造層または多重
量子井戸層を用いてもよい。非量子井戸構造層の場合に
は、層厚を0.1〜0.3μm程度とする。単一量子井
戸構造層の場合には、量子井戸層の層厚を10〜50Å
とし、多重量子井戸構造層に場合には、量子井戸層の層
厚を10〜50Åとし、量子障壁層の層厚を10〜10
0Å程度とする。
の化学気相成長法を用いて1回の結晶成長により作製さ
れる。製造の際には、アンドープのAlGaNバッファ
層12の成長温度を600℃とし、アンドープのGaN
下地層13、n型GaNコンタクト層14およびn型A
lGaNクラッド層15の成長温度を1150℃とし、
InGaN活性層16およびGaNキャップ層17の成
長温度を700〜950℃とし、p型AlGaNクラッ
ド層18、n型電流ブロック層19およびp型GaNコ
ンタクト層20の成長温度を1150℃とする。
キャップ層17を有さない半導体レーザ素子に比べて発
光強度が大きくなる。
率導波型半導体レーザ素子を図4を用いて説明する。こ
の半導体レーザ素子はリッジ埋め込み型導体レーザ素子
である。
に、層厚100〜200ÅのアンドープのAlGaNバ
ッファ層32、層厚0.4μmのアンドープのGaN下
地層33、層厚4μmのn型GaNコンタクト層34、
および層厚0.1〜0.5μmのn型AlGaN層クラ
ッド層35が順に形成されている。n型AlGaNクラ
ッド層35上には、InGaN活性層36、層厚200
〜400ÅのアンドープのGaNキャップ層37、およ
び層厚0.1〜0.5μmのp型AlGaNクラッド層
38が順に形成されている。なお、InGaN活性層3
6の構造および層厚は第4の実施例のInGaN活性層
16と同様である。
とその平坦部の中央部上に形成されたリッジ部とを有す
る。p型AlGaNクラッド層38のリッジ部上には、
層厚0.1μmのp型GaNからなるp型キャップ層3
9が形成されている。p型AlGaNクラッド層38の
平坦部上面およびリッジ部側面ならびにp型キャップ層
39の側面には、層厚0.2〜0.3μmのn型GaN
またはn型AlGaNからなる電流ブロック層40が形
成されている。p型キャップ層39上およびn型電流ブ
ロック層40上には、層厚0.1〜0.5μmのp型G
aNコンタクト層41が形成されている。
極42が形成され、n型GaNコンタクト層34上には
n側電極43が形成されている。
の化学気相成長法を用いて3回の結晶成長で作製され
る。製造の際には、アンドープのAlGaNバッファ層
32の成長温度を600℃とし、アンドープのGaN下
地層33、n型GaNコンタクト層34およびn型Al
GaNクラッド層35の成長温度を1150℃とし、I
nGaN活性層36およびアンドープのGaNキャップ
層37の成長温度を700〜950℃とし、n型AlG
aNクラッド層38、p型キャップ層39、n型電流ブ
ロック層40およびp型GaNコンタクト層41の成長
温度を1150℃とする。
キャップ層37を有さない半導体レーザ素子に比べて発
光強度が大きくなる。
得導波型半導体レーザ素子を図5を用いて説明する。
に、層厚100〜200ÅのアンドープのAlGaNバ
ッファ層52、層厚0.4μmのアンドープのGaN下
地層53、層厚4μmのn型GaNコンタクト層54、
および層厚0.1〜0.5μmのn型AlGaNクラッ
ド層55が順に形成されている。
nGaN活性層56、層厚200〜400Åのアンドー
プのGaNキャップ層57、層厚0.1〜0.5μmの
p型AlGaNクラッド層58、および層厚0.1〜
0.5μmのp型GaNコンタクト層59が順に形成さ
れている。なお、InGaN活性層56の構造および層
厚は、第4の実施例のInGaN活性層16と同様であ
る。
部にストライプ状の開口部を有するSiO2 、SiNま
たはn型GaNからなる電流ブロック層60が形成され
ている。p型GaNコンタクト層59上にはp側電極6
1が形成され、n型GaNコンタクト層54上にはn側
電極62が形成されている。
D法等の化学気相成長法を用いて1回の結晶成長で作製
される。製造の際には、アンドープのAlGaNバッフ
ァ層52の成長温度を600℃とし、アンドープのGa
N下地層53、n型GaNコンタクト層54およびn型
AlGaNクラッド層55の成長温度を1150℃と
し、InGaN活性層56およびアンドープのGaNキ
ャップ層57の成長温度を700〜950℃とし、p型
AlGaNクラッド層58およびp型GaNコンタクト
層59の成長温度を1150℃とする。
キャップ層57を有さない半導体レーザ素子に比べて発
光強度が大きくなる。
に半導体層を備えた発光素子について説明したが、本発
明は、SiC基板等の導電性基板上に半導体層を備え、
この半導体層の最上層の上面と基板の下面に電極を有す
る発光素子にも同様に適用することができる。
層、キャップ層およびp型クラッド層をこの順序で形成
しているが、p型クラッド層上に活性層、キャップ層お
よびn型クラッド層をこの順序で形成してもよく、すな
わち、第1〜第6の実施例において各層の導電型を逆に
してもよい。
明を発光ダイオード、半導体レーザ素子等の発光素子に
適用する場合について説明したが、本発明は、電界効果
トランジスタ等の、Inを含有する化合物半導体層を備
えた半導体素子にも適用可能である。
層71上にn型AlGaN層72およびInGaN層7
3が順に形成され、InGaN層73上にアンドープの
GaNキャップ層74を介してp型SiC層75が形成
されている。この場合、InGaN層73およびGaN
キャップ層74を700〜950℃の成長温度で形成
し、p型SiC層75を1300〜1500℃の成長温
度で形成する。この例においても、InGaN層73上
にアンドープのGaNキャップ層74が形成されている
ので、InGaN層73からIn等の構成元素が脱離す
ることが抑制される。
上にInGaN層82が形成され、InGaN層82上
にアンドープのGaNキャップ層83を介してp型Si
C層84が形成されている。この場合にも、InGaN
層82およびアンドープのGaNキャップ層83を70
0〜950℃の成長温度で形成し、p型SiC層84を
1300〜1500の成長温度で形成する。この例にお
いても、InGaN層82上にアンドープのGaNキャ
ップ層83が形成されているので、InGaN層82か
らIn等の構成元素が脱離することが抑制される。
は、光ファイバ通信システム用光源、フォトカプラ用光
源、単色または多色パイロットランプ、数字表示器、レ
ベルメータ、ディスプレイ等の表示装置用の光源、ファ
クシミリ装置用光源、プリンタヘッド、信号機、ハイビ
ームランプ等の自動車用ランプ、液晶テレビジョン装
置、液晶表示装置用バック光源、アミューズメントシス
テム等に用いることができる。
ーザ素子は、レーザメス、光通信システム用光源、DV
D(デジタルビデオディスク)等のディスクシステムの
光ピックアップ装置用光源、カラーレーザビームプリン
タ用光源、レーザ加工装置用光源、レーザホログラフィ
用光源、レーザディスプレイ用光源、アミューズメント
システム用光源等に用いることができる。
の模式的断面図である。
の模式的断面図である。
子の模式的断面図である。
子の模式的断面図である。
子の模式的断面図である。
面図である。
断面図である。
Claims (62)
- 【請求項1】 第1導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第1のクラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層とをこの順に備え、 前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有し、 前記キャップ層はAlu Ga1-u Nからなり、 前記第2のクラッド層は第2導電型のAlz Ga1-z N
からなり、 前記キャップ層のAl組成比uは前記第2のクラッド層
のAl組成比zよりも小さく、 前記キャップ層の不純物濃度は、前記第2のクラッド層
の不純物濃度よりも低く、 前記キャップ層の厚さは200Å以上400Å以下であ
ることを特徴とする発光素子。 - 【請求項2】 第1導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第1のクラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層とをこの順に備え、 前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有し、 前記キャップ層はGaNからなり、 前記キャップ層の不純物濃度は、前記第2のクラッド層
の不純物濃度よりも低く、 前記キャップ層の厚さは200Å以上400Å以下であ
ることを特徴とする発光素子。 - 【請求項3】 第1導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第1のクラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層とをこの順に備え、 前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層と前記第2のクラッド層
との中間のバンドギャップを有し、 前記キャップ層の不純物濃度は、前記第2のクラッド層
の不純物濃度よりも低く、 前記キャップ層の厚さは200Å以上400Å以下であ
ることを特徴とする発光素子。 - 【請求項4】 前記量子井戸層はIns Ga1-s N(1
>s>0)からなることを特徴とする請求項1〜3のい
ずれか記載の発光素子。 - 【請求項5】 前記量子井戸構造は量子障壁層をさらに
含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の
発光素子。 - 【請求項6】 前記量子井戸層はIns Ga1-s N(1
>s>0)からなり、前記量子障壁層はInr Ga1-r
N(1>s>r≧0)からなることを特徴とする請求項
5記載の発光素子。 - 【請求項7】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体から
なるバッファ層と、 単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの
下地層と、 第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のク
ラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 Alを含むAlGaNからなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層と、 第2導電型のコンタクト層とをこの順に備え、 前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子
井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記キャップ層のAl組成比は0.1以下であることを
特徴とする発光素子。 - 【請求項8】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体から
なるバッファ層と、 単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの
下地層と、 第1導電型のコンタクト層と、 第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のク
ラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 Alを含むAlGaNからなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層とをこの順に備え、 前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子
井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記キャップ層のAl組成比は0.1以下であることを
特徴とする発光素子。 - 【請求項9】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体から
なるバッファ層と、 単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの
下地層と、 第1導電型のGaNからなるコンタクト層と、 第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のク
ラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 Alを含むAlGaNからなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層とをこの順に備え、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記キャップ層のAl組成比は0.1以下であることを
特徴とする発光素子。 - 【請求項10】 前記第2のクラッド層上に第2導電型
のコンタクト層をさらに備えたことを特徴とする請求項
8または9に記載の発光素子。 - 【請求項11】 前記第2導電型のコンタクト層はGa
Nからなることを特徴とする請求項7または10に記載
の発光素子。 - 【請求項12】 前記活性層は、量子井戸層を含む量子
井戸構造を有することを特徴とする請求項9記載の発光
素子。 - 【請求項13】 前記量子井戸層はIns Ga1-s N
(1>s>0)からなることを特徴とする請求項12記
載の発光素子。 - 【請求項14】 前記量子井戸構造は量子障壁層をさら
に含むことを特徴とする請求項12記載の発光素子。 - 【請求項15】 前記量子井戸層はIns Ga1-s N
(1>s>0)からなり、前記量子障壁層はInr Ga
1-r N(1>s>r≧0)からなることを特徴とする請
求項7、8または14記載の発光素子。 - 【請求項16】 前記キャップ層は、前記活性層と前記
第2のクラッド層との中間のバンドギャップを有するこ
とを特徴とする請求項7〜15のいずれかに記載の発光
素子。 - 【請求項17】 前記キャップ層の不純物濃度は、前記
第2のクラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴と
する請求項7〜16のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項18】 前記キャップ層はアンドープ層である
ことを特徴とする請求項7〜17のいずれかに記載の発
光素子。 - 【請求項19】 前記キャップ層の厚さは200Å以上
400Å以下であることを特徴とする請求項7〜18の
いずれかに記載の発光素子。 - 【請求項20】 前記第2のクラッド層はAlGaNか
らなることを特徴とする請求項7〜19のいずれかに記
載の発光素子。 - 【請求項21】 前記キャップ層のAl組成比は前記第
2のクラッド層のAl組成比よりも小さいことを特徴と
する請求項20記載の発光素子。 - 【請求項22】 前記キャップ層は、前記活性層からの
インジウムの脱離を抑制する層であることを特徴とする
請求項7〜21のいずれかに記載の発光素子。 - 【請求項23】 前記下地層は、Aly Ga1-y Nから
なり、前記下地層のAl組成比yは0以上で1より小さ
いことを特徴とする請求項7〜22のいずれかに記載の
発光素子。 - 【請求項24】 前記バッファ層はAlx Ga1-x Nか
らなり、前記バッファ層のAl組成比xは0より大きく
1以下であることを特徴とする請求項7〜23のいずれ
かに記載の発光素子。 - 【請求項25】 前記バッファ層のAl組成比xは0.
4以上0.6以下であることを特徴とする請求項24記
載の発光素子。 - 【請求項26】 前記活性層はInGaNからなること
を特徴とする請求項7〜25のいずれかに記載の発光素
子。 - 【請求項27】 非単結晶のAlx Ga1-x Nからなる
バッファ層と、 単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの
下地層と、 第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のク
ラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層と、 第2導電型のコンタクト層とをこの順に備え、 前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子
井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記バッファ層のAl組成比xは0.4以上0.6以下
であることを特徴とする発光素子。 - 【請求項28】 非単結晶のAlx Ga1-x Nからなる
バッファ層と、 単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの
下地層と、 第1導電型のコンタクト層と、 第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のク
ラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層とをこの順に備え、 前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子
井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記バッファ層のAl組成比xは0.4以上0.6以下
であることを特徴とする発光素子。 - 【請求項29】 非単結晶のAlx Ga1-x Nからなる
バッファ層と、 単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの
下地層と、 第1導電型のGaNからなるコンタクト層と、 第1導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第1のク
ラッド層と、 インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性
層と、 窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、 第2導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第2のク
ラッド層とをこの順に備え、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記バッファ層のAl組成比xは0.4以上0.6以下
であることを特徴とする発光素子。 - 【請求項30】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、 前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する
工程と、 前記下地層上に第1導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第1のクラッド層を気相成長法により形成する工
程と、 前記第1のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物
系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形
成する工程と、 前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまた
は低い成長温度でAlを含むAlGaNからなるキャッ
プ層を気相成長法により形成する工程と、 前記キャップ層上に第2導電型の第2のクラッド層を気
相成長法により形成する工程と、 前記第2のクラッド層上に第2導電型のコンタクト層を
気相成長法により形成する工程とを含み、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項31】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、 前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する
工程と、 前記下地層上に第1導電型のコンタクト層を気相成長法
により形成する工程と、 前記第1導電型のコンタクト層上に第1導電型の窒化物
系の化合物半導体からなる第1のクラッド層を気相成長
法により形成する工程と、 前記第1のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物
系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形
成する工程と、 前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまた
は低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャ
ップ層を気相成長法により形成する工程と、 前記キャップ層上に第2導電型の第2のクラッド層を気
相成長法により形成する工程とを含み、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記キャップ層の厚さは200Å以上400Å以下であ
ることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項32】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、 前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する
工程と、 前記下地層上に第1導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第1のクラッド層を気相成長法により形成する工
程と、 前記第1のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物
系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形
成する工程と、 前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまた
は低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャ
ップ層を気相成長法により形成する工程と、 前記キャップ層上に第2導電型の第2のクラッド層を気
相成長法により形成する工程と、 前記第2のクラッド層上に第2導電型のコンタクト層を
気相成長法により形成する工程とを含み、 前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子
井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記キャップ層の厚さは200Å以上400Å以下であ
ることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項33】 前記キャップ層の厚さは200Å以上
400Å以下であることを特徴とする請求項30記載の
発光素子の製造方法。 - 【請求項34】 前記第2のクラッド層上に第2導電型
のコンタクト層を気相成長法により形成する工程をさら
に含むことを特徴とする請求項31記載の発光素子の製
造方法。 - 【請求項35】 前記第2導電型のコンタクト層はGa
Nからなることを特徴とする請求項30、32、33ま
たは34のいずれかに記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項36】 前記下地層上に第1導電型のコンタク
ト層を気相成長法により形成する工程をさらに含み、 前記第1のクラッド層を前記第1導電型のコンタクト層
上に形成することを特徴とする請求項30、32または
33記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項37】 前記第1導電型のコンタクト層はGa
Nからなることを特徴とする請求項31または36記載
の発光素子の製造方法。 - 【請求項38】 前記キャップ層はAlGaNからなる
ことを特徴とする請求項31または32記載の発光素子
の製造方法。 - 【請求項39】 前記キャップ層はAlを含むことを特
徴とする請求項38記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項40】 前記キャップ層のAl組成比は0.1
以下であることを特徴とする請求項39記載の発光素子
の製造方法。 - 【請求項41】 前記活性層は、量子井戸層を含む量子
井戸構造を有することを特徴とする請求項30、31ま
たは33記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項42】 前記量子井戸層はIns Ga1-s N
(1>s>0)からなることを特徴とする請求項41記
載の発光素子の製造方法。 - 【請求項43】 前記量子井戸構造は量子障壁層をさら
に含むことを特徴とする請求項41記載の発光素子の製
造方法。 - 【請求項44】 前記量子井戸層はIns Ga1-s N
(1>s>0)からなり、前記量子障壁層はInr Ga
1-r N(1>s>r≧0)からなることを特徴とする請
求項32または43記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項45】 前記量子障壁層はGaN量子障壁層で
あり、 前記GaN量子障壁層を700℃以上950℃以下の成
長温度で形成することを特徴とする請求項44記載の発
光素子の製造方法。 - 【請求項46】 前記キャップ層は、前記活性層からの
インジウムの脱離を抑制する層であることを特徴とする
請求項30〜45のいずれかに記載の発光素子の製造方
法。 - 【請求項47】 前記下地層はAly Ga1-y Nからな
り、前記下地層のAl組成比yは0以上で1より小さい
ことを特徴とする請求項30〜46のいずれかに記載の
発光素子の製造方法。 - 【請求項48】 前記バッファ層はAlx Ga1-x Nか
らなり、前記バッファ層のアルミニウム組成比xは0よ
り大きく1以下であることを特徴とする請求項30〜4
7のいずれかに記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項49】 前記バッファ層のAl組成比xは0.
4以上0.6以下であることを特徴とする請求項48記
載の発光素子の製造方法。 - 【請求項50】 前記活性層はInGaNからなること
を特徴とする請求項30〜49のいずれかに記載の発光
素子の製造方法。 - 【請求項51】 前記キャップ層は、前記活性層と前記
第2のクラッド層との中間のバンドギャップを有するこ
とを特徴とする請求項30〜50のいずれかに記載の発
光素子の製造方法。 - 【請求項52】 前記キャップ層の不純物濃度は、前記
第2のクラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴と
する請求項30〜51のいずれかに記載の発光素子の製
造方法。 - 【請求項53】 前記キャップ層はアンドープ層である
ことを特徴とする請求項30〜52のいずれかに記載の
発光素子の製造方法。 - 【請求項54】 前記キャップ層を前記活性層の成長温
度とほぼ同じ成長温度で形成することを特徴とする請求
項30〜53のいずれかに記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項55】 前記第2のクラッド層はAlGaNか
らなることを特徴とする請求項30〜54のいずれかに
記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項56】 前記キャップ層のAl組成比は前記第
2のクラッド層のAl組成比よりも小さいことを特徴と
する請求項55記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項57】 前記キャップ層を700℃以上950
℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項3
0〜56のいずれかに記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項58】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、 前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する
工程と、 前記下地層上に第1導電型のコンタクト層を気相成長法
により形成する工程と、 前記第1導電型のコンタクト層上に第1導電型の窒化物
系の化合物半導体からなる第1のクラッド層を気相成長
法により形成する工程と、 前記第1のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物
系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形
成する工程と、 前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまた
は低い成長温度でAlを含むAlGaNからなるキャッ
プ層を気相成長法により形成する工程と、 前記キャップ層上に第2導電型の第2のクラッド層を気
相成長法により形成する工程とを含み、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項59】 非単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、 前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する
工程と、 前記下地層上に第1導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第1のクラッド層を気相成長法により形成する工
程と、 前記第1のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物
系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形
成する工程と、 前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまた
は低い成長温度でAlを含むAlGaNからなるキャッ
プ層を気相成長法により形成する工程と、 前記キャップ層上に第2導電型の第2のクラッド層を気
相成長法により形成する工程と、 前記第2のクラッド層上に第2導電型のコンタクト層を
気相成長法により形成する工程とを含み、 前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子
井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項60】 非単結晶のAlx Ga1-x Nからなる
バッファ層を気相成長法により形成する工程と、 前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する
工程と、 前記下地層上に第1導電型のコンタクト層を気相成長法
により形成する工程と、 前記第1導電型のコンタクト層上に第1導電型の窒化物
系の化合物半導体からなる第1のクラッド層を気相成長
法により形成する工程と、 前記第1のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物
系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形
成する工程と、 前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまた
は低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャ
ップ層を気相成長法により形成する工程と、 前記キャップ層上に第2導電型の第2のクラッド層を気
相成長法により形成する工程とを含み、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記バッファ層のAl組成比xは0.4以上0.6以下
であることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項61】 非単結晶のAlx Ga1-x Nからなる
バッファ層を気相成長法により形成する工程と、 前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体か
らなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する
工程と、 前記下地層上に第1導電型の窒化物系の化合物半導体か
らなる第1のクラッド層を気相成長法により形成する工
程と、 前記第1のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物
系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形
成する工程と、 前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまた
は低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャ
ップ層を気相成長法により形成する工程と、 前記キャップ層上に第2導電型の第2のクラッド層を気
相成長法により形成する工程と、 前記第2のクラッド層上に第2導電型のコンタクト層を
気相成長法により形成する工程とを含み、 前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子
井戸構造を有し、 前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャ
ップを有し、 前記バッファ層のAl組成比xは0.4以上0.6以下
であることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項62】 請求項1〜29のいずれかに記載の発
光素子を用いた電子機器。
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