JPH05291686A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH05291686A JPH05291686A JP4094239A JP9423992A JPH05291686A JP H05291686 A JPH05291686 A JP H05291686A JP 4094239 A JP4094239 A JP 4094239A JP 9423992 A JP9423992 A JP 9423992A JP H05291686 A JPH05291686 A JP H05291686A
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩留
まりの素子構造を有する横モード制御型の半導体レーザ
を提供する。 【構成】 ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層４２とアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３
との間に、クラッド層４２より拡散係数の小さいアンド
ープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０３とアンドープ（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２からなる拡散抑
止層を設けている。そのため、結晶成長中や加工中にｐ
−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２
から拡散した不純物のＺｎは、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０３にほぼトラップされ、一部下部のアンド
ープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２に拡
散するもののアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３に
は到達しない。
まりの素子構造を有する横モード制御型の半導体レーザ
を提供する。 【構成】 ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層４２とアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３
との間に、クラッド層４２より拡散係数の小さいアンド
ープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０３とアンドープ（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２からなる拡散抑
止層を設けている。そのため、結晶成長中や加工中にｐ
−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２
から拡散した不純物のＺｎは、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０３にほぼトラップされ、一部下部のアンド
ープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２に拡
散するもののアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３に
は到達しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、情報の光通信あるい
は光消去・記録・再生などに用いることができるＡｌＧ
ａＩｎＰ系の横モード制御型の半導体レーザに関するも
のである。
は光消去・記録・再生などに用いることができるＡｌＧ
ａＩｎＰ系の横モード制御型の半導体レーザに関するも
のである。
【０００２】
【従来の説明】半導体レーザはレーザプリンタ、光ディ
スク等の情報処理装置用光源として、最近その重要性を
増してきている。特に波長６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザが注目されており、その開発が活発に
行われている。従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの
素子構造は、例えば図３の断面図に示すようなものであ
る。このような素子構造は、通常有機金属化学気相成長
法（ＭＯＶＰＥ法）等の結晶成長法により以下に示すよ
うな工程で形成される。
スク等の情報処理装置用光源として、最近その重要性を
増してきている。特に波長６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザが注目されており、その開発が活発に
行われている。従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの
素子構造は、例えば図３の断面図に示すようなものであ
る。このような素子構造は、通常有機金属化学気相成長
法（ＭＯＶＰＥ法）等の結晶成長法により以下に示すよ
うな工程で形成される。
【０００３】まず、第１の結晶成長工程で、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板１上に、Ｓｅドープのｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5Ｐ活性層３、Ｚｎドープのｐ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４０、Ｚｎドープの
ｐ−ＧａＡｓキャップ層（図示せず）を順次積層する。
次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せず）を用いてｐ−（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４０を台形状
にエッチングし、＜１−１０＞方向のメサストライプを
形成した後、第２の結晶成長工程で、メサストライプの
側面にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５を選択的に埋込み成長
させる。
ｓ基板１上に、Ｓｅドープのｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5Ｐ活性層３、Ｚｎドープのｐ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４０、Ｚｎドープの
ｐ−ＧａＡｓキャップ層（図示せず）を順次積層する。
次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せず）を用いてｐ−（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４０を台形状
にエッチングし、＜１−１０＞方向のメサストライプを
形成した後、第２の結晶成長工程で、メサストライプの
側面にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５を選択的に埋込み成長
させる。
【０００４】次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せず）を除去
した後、第３の結晶成長工程で、全面にｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層６を積層する。最後にｐ側電極７及びｎ側電
極８をそれぞれ形成する。このような素子構造を有する
半導体レーザは、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５により電流
の狭窄を行うことができ、またレーザ光をメサストライ
プ下に閉じ込めて導波させるものであって、これにより
横方向の導波構造が形成される。
した後、第３の結晶成長工程で、全面にｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層６を積層する。最後にｐ側電極７及びｎ側電
極８をそれぞれ形成する。このような素子構造を有する
半導体レーザは、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５により電流
の狭窄を行うことができ、またレーザ光をメサストライ
プ下に閉じ込めて導波させるものであって、これにより
横方向の導波構造が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の素子構造では次のような課題があった。ｎ，ｐ−（Ａ
ｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２，４０に
添加されたＳｅやＺｎのような不純物は結晶成長中、も
しくは熱処理中に結晶中を拡散することは免れず、特に
上述の様な複数回の結晶成長工程を必要とする場合にそ
の影響は多大で、ＰＮ接合位置が変化したり、またアン
ドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３に拡散した不純物が
活性層内に非発光再結合中心を発生させ、素子特性の劣
化の原因となっていた。
の素子構造では次のような課題があった。ｎ，ｐ−（Ａ
ｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２，４０に
添加されたＳｅやＺｎのような不純物は結晶成長中、も
しくは熱処理中に結晶中を拡散することは免れず、特に
上述の様な複数回の結晶成長工程を必要とする場合にそ
の影響は多大で、ＰＮ接合位置が変化したり、またアン
ドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３に拡散した不純物が
活性層内に非発光再結合中心を発生させ、素子特性の劣
化の原因となっていた。
【０００６】また、ＡｌＧａＩｎＰ系材料のような、い
わゆる自然超格子と呼ばれる秩序構造が結晶中に形成さ
れる材料では、ＳｅやＺｎのような不純物の拡散にとも
ない自然超格子の無秩序化が進み、拡散の程度によって
そのバンドギャップが変化する。すなわち、ｎ，ｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２，４
０に添加された不純物は、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ活性層３に拡散しそのバンドギャップを変化させてし
まう。この傾向は不純物濃度が高いほど顕著であり、半
導体レーザの発振波長の再現性の障害となっていた。
わゆる自然超格子と呼ばれる秩序構造が結晶中に形成さ
れる材料では、ＳｅやＺｎのような不純物の拡散にとも
ない自然超格子の無秩序化が進み、拡散の程度によって
そのバンドギャップが変化する。すなわち、ｎ，ｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２，４
０に添加された不純物は、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ活性層３に拡散しそのバンドギャップを変化させてし
まう。この傾向は不純物濃度が高いほど顕著であり、半
導体レーザの発振波長の再現性の障害となっていた。
【０００７】この発明は、上記課題を解決し、長寿命か
つ発振波長の再現性に優れた高歩留まりの素子構造を有
する横モード制御型の半導体レーザを提供することを目
的とする。
つ発振波長の再現性に優れた高歩留まりの素子構造を有
する横モード制御型の半導体レーザを提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の半導体レーザは、少なくとも一方の
（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（ＡｌY Ｇａ
1-Y ）ＩｎＰ活性層との間に、アンドープあるいは低ド
ープＡｌＧａＩｎＰ層を設けたことを特徴とする。
に、請求項１記載の半導体レーザは、少なくとも一方の
（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（ＡｌY Ｇａ
1-Y ）ＩｎＰ活性層との間に、アンドープあるいは低ド
ープＡｌＧａＩｎＰ層を設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の半導体レーザは、少なくと
も一方の（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（Ａｌ
Y Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層との間に、不純物の拡散係数
が（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層より小さいＡｌ
ＧａＩｎＰ層を含む単層あるいは多層の拡散抑止層を設
けたことを特徴とする。
も一方の（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（Ａｌ
Y Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層との間に、不純物の拡散係数
が（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層より小さいＡｌ
ＧａＩｎＰ層を含む単層あるいは多層の拡散抑止層を設
けたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１記載の構成によれば、（ＡｌX Ｇａ
1-X ）ＩｎＰクラッド層と（Ａｌ Y Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活
性層の間にアンドープもしくは低ドープ（ＡｌX Ｇａ
1-X）ＩｎＰ層を設けているため、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）
ＩｎＰ活性層への不純物の拡散を回避できる。したがっ
て、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物の拡散
によってもたらされる特性劣化や発振波長のばらつきは
なく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩留りの
半導体レーザが得られる。
1-X ）ＩｎＰクラッド層と（Ａｌ Y Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活
性層の間にアンドープもしくは低ドープ（ＡｌX Ｇａ
1-X）ＩｎＰ層を設けているため、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）
ＩｎＰ活性層への不純物の拡散を回避できる。したがっ
て、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物の拡散
によってもたらされる特性劣化や発振波長のばらつきは
なく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩留りの
半導体レーザが得られる。
【００１１】請求項２記載の構成によれば、（ＡｌX Ｇ
ａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（Ａｌ Y Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ
活性層との間に不純物の拡散係数の小さいＡｌＧａＩｎ
Ｐ層を含む拡散抑止層を設けているため、拡散速度を遅
くでき、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物の
拡散を回避できる。したがって、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）Ｉ
ｎＰ活性層への不純物の拡散によってもたらされる特性
劣化や発振波長のばらつきはなく、長寿命かつ発振波長
の再現性に優れた高歩留りの半導体レーザが得られる。
ａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（Ａｌ Y Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ
活性層との間に不純物の拡散係数の小さいＡｌＧａＩｎ
Ｐ層を含む拡散抑止層を設けているため、拡散速度を遅
くでき、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物の
拡散を回避できる。したがって、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）Ｉ
ｎＰ活性層への不純物の拡散によってもたらされる特性
劣化や発振波長のばらつきはなく、長寿命かつ発振波長
の再現性に優れた高歩留りの半導体レーザが得られる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて説
明する。 〔第１の実施例〕図１はこの発明の第１の実施例の横モ
ード制御型の半導体レーザの素子構造を示す断面図であ
る。同図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−
（Ａｌ0.6Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（１．
０μｍ）、３はアンドープＧａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
（６０ｎｍ）、１０１はアンドープ（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層（１０ｎｍ）、４１はｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（１．
０μｍ）、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層（３．０μ
ｍ）である。５はｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層（０．５μ
ｍ）である。また７、８はそれぞれｐ側、ｎ側電極であ
る。
明する。 〔第１の実施例〕図１はこの発明の第１の実施例の横モ
ード制御型の半導体レーザの素子構造を示す断面図であ
る。同図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−
（Ａｌ0.6Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（１．
０μｍ）、３はアンドープＧａ0.5Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
（６０ｎｍ）、１０１はアンドープ（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層（１０ｎｍ）、４１はｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（１．
０μｍ）、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層（３．０μ
ｍ）である。５はｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層（０．５μ
ｍ）である。また７、８はそれぞれｐ側、ｎ側電極であ
る。
【００１３】この半導体レーザの素子構造の形成は、
（１００）ｎ−ＧａＡｓ基板を用い、減圧ＭＯＶＰＥ法
により成長温度７５０℃，成長圧力５０Ｔｏｒｒの条件
下で行った。原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（ト
リメチルインジウム）、ＡｓＨ3 （アルシン）、ＰＨ3
（ホスフィン）、ドーパントガスとしてＨ2 Ｓｅ（セレ
ン化水素）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）を用いる。
（１００）ｎ−ＧａＡｓ基板を用い、減圧ＭＯＶＰＥ法
により成長温度７５０℃，成長圧力５０Ｔｏｒｒの条件
下で行った。原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（ト
リメチルインジウム）、ＡｓＨ3 （アルシン）、ＰＨ3
（ホスフィン）、ドーパントガスとしてＨ2 Ｓｅ（セレ
ン化水素）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）を用いる。
【００１４】まず、第１の結晶成長工程で、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ 0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
３、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
１０１、ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ 0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層４１、ｐ−ＧａＡｓキャップ層（図示せず）を順
次積層する。
ｓ基板１上に、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ 0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
３、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
１０１、ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ 0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層４１、ｐ−ＧａＡｓキャップ層（図示せず）を順
次積層する。
【００１５】次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せず）を用い
てｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
４１を台形状にエッチングし、＜１−１０＞方向のメサ
ストライプを形成した後、第２の結晶成長工程で、メサ
ストライプの側面にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５を選択的
に埋込み成長させる。次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せ
ず）を除去した後、第３の結晶成長工程で、全面にｐ−
ＧａＡｓコンタクト層６を積層する。最後にｐ側電極７
及びｎ側電極８をそれぞれ形成する。
てｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
４１を台形状にエッチングし、＜１−１０＞方向のメサ
ストライプを形成した後、第２の結晶成長工程で、メサ
ストライプの側面にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５を選択的
に埋込み成長させる。次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せ
ず）を除去した後、第３の結晶成長工程で、全面にｐ−
ＧａＡｓコンタクト層６を積層する。最後にｐ側電極７
及びｎ側電極８をそれぞれ形成する。
【００１６】アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０１を挿入していない従来例の半導体レーザ
構造では、発振波長は６７６ｎｍで、５０℃、５ｍＷの
連続通電試験の結果２０００時間程度で劣化するのに対
し、この実施例の半導体レーザでは、発振波長は６８０
ｎｍで、５０℃，５ｍＷの連続通電試験の結果１０００
０時間以上の安定動作が確認された。
0.5 Ｐ層１０１を挿入していない従来例の半導体レーザ
構造では、発振波長は６７６ｎｍで、５０℃、５ｍＷの
連続通電試験の結果２０００時間程度で劣化するのに対
し、この実施例の半導体レーザでは、発振波長は６８０
ｎｍで、５０℃，５ｍＷの連続通電試験の結果１０００
０時間以上の安定動作が確認された。
【００１７】この実施例および従来例の半導体レーザの
発光部のＳＩＭＳ分析を行った結果、従来例の場合、ｐ
型不純物であるＺｎの拡散フロントは活性層内であっ
た。不純物の拡散が結晶内で生じた場合、自然超格子が
無秩序化しバンドギャップが変化することがわかってい
る。すなわち、従来例の場合、活性層内で面内および厚
さ方向にバンドギャップの変化を生じ、利得のピークを
与える光子エネルギーが変わっているため発振波長が異
なるものと考えられる。このような場合、拡散したＺｎ
は活性層内に非発光中心となる欠陥の生成をもたらし、
信頼性の低下につながっていた。これに対し、この実施
例の場合、ｐ型不純物であるＺｎの拡散フロントはアン
ドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１内
である。
発光部のＳＩＭＳ分析を行った結果、従来例の場合、ｐ
型不純物であるＺｎの拡散フロントは活性層内であっ
た。不純物の拡散が結晶内で生じた場合、自然超格子が
無秩序化しバンドギャップが変化することがわかってい
る。すなわち、従来例の場合、活性層内で面内および厚
さ方向にバンドギャップの変化を生じ、利得のピークを
与える光子エネルギーが変わっているため発振波長が異
なるものと考えられる。このような場合、拡散したＺｎ
は活性層内に非発光中心となる欠陥の生成をもたらし、
信頼性の低下につながっていた。これに対し、この実施
例の場合、ｐ型不純物であるＺｎの拡散フロントはアン
ドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１内
である。
【００１８】以上のようにこの実施例によれば、ｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４１と
アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３との間に、アン
ドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１を
設けている。そのため、結晶成長中や加工中にｐ−（Ａ
ｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４１から拡
散した不純物のＺｎは、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１に拡散するもののアン
ドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３には到達しない。よ
ってアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３内に不純物
の拡散によってもたらされる特性劣化や発振波長のばら
つきはなく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩
留りの半導体レーザが得られる。
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４１と
アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３との間に、アン
ドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１を
設けている。そのため、結晶成長中や加工中にｐ−（Ａ
ｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４１から拡
散した不純物のＺｎは、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１に拡散するもののアン
ドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３には到達しない。よ
ってアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３内に不純物
の拡散によってもたらされる特性劣化や発振波長のばら
つきはなく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩
留りの半導体レーザが得られる。
【００１９】なお、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１の代わりに、低ドープＡｌＧａ
ＩｎＰ層を用いてもよい。また、アンドープＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ活性層３の上部にアンドープ（Ａｌ0.6Ｇａ
0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１を設ける代わりに、アン
ドープＧａ0.5 Ｉｎ 0.5 Ｐ活性層３の下部（すなわち、
ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２
とアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３との間）に、
アンドープあるいは低ドープＡｌＧａＩｎＰ層を設けて
も同様の効果が得られる。また、活性層３の上部と下部
の両方に設ければ、より良い効果が得られる。
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１の代わりに、低ドープＡｌＧａ
ＩｎＰ層を用いてもよい。また、アンドープＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ活性層３の上部にアンドープ（Ａｌ0.6Ｇａ
0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０１を設ける代わりに、アン
ドープＧａ0.5 Ｉｎ 0.5 Ｐ活性層３の下部（すなわち、
ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２
とアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３との間）に、
アンドープあるいは低ドープＡｌＧａＩｎＰ層を設けて
も同様の効果が得られる。また、活性層３の上部と下部
の両方に設ければ、より良い効果が得られる。
【００２０】〔第２の実施例〕図２はこの発明の第２の
実施例の横モード制御型の半導体レーザの素子構造を示
す断面図である。同図において、１はｎ−ＧａＡｓ基
板、２はｎ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層（１．０μｍ）、３はアンドープＧａ0.5Ｉｎ
0.5 Ｐ活性層（６０ｎｍ）、１０２はアンドープ（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層（５ｎｍ）、１０３は
アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（１０ｎｍ）、４２は
ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（１．０μｍ）、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層（３．
０μｍ）である。５はｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層である。
また７、８はそれぞれｐ側、ｎ側電極である。
実施例の横モード制御型の半導体レーザの素子構造を示
す断面図である。同図において、１はｎ−ＧａＡｓ基
板、２はｎ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層（１．０μｍ）、３はアンドープＧａ0.5Ｉｎ
0.5 Ｐ活性層（６０ｎｍ）、１０２はアンドープ（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐ層（５ｎｍ）、１０３は
アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（１０ｎｍ）、４２は
ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（１．０μｍ）、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層（３．
０μｍ）である。５はｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層である。
また７、８はそれぞれｐ側、ｎ側電極である。
【００２１】この半導体レーザの素子構造の形成は、
（１００）ｎ−ＧａＡｓ基板を用い、減圧ＭＯＶＰＥ法
により成長温度７５０℃，成長圧力５０Ｔｏｒｒの条件
下で行った。原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（ト
リメチルインジウム）、ＡｓＨ3 （アルシン）、ＰＨ3
（ホスフィン）、ドーパントガスとしてＨ2 Ｓｅ（セレ
ン化水素）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）を用いる。
（１００）ｎ−ＧａＡｓ基板を用い、減圧ＭＯＶＰＥ法
により成長温度７５０℃，成長圧力５０Ｔｏｒｒの条件
下で行った。原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（ト
リメチルインジウム）、ＡｓＨ3 （アルシン）、ＰＨ3
（ホスフィン）、ドーパントガスとしてＨ2 Ｓｅ（セレ
ン化水素）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）を用いる。
【００２２】まず、第１の結晶成長工程で、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
３、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
１０２、アンドープＧａ0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐ１０３、ｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層（図示せず）を順次積層する。
ｓ基板１上に、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層
３、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
１０２、アンドープＧａ0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐ１０３、ｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層（図示せず）を順次積層する。
【００２３】次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せず）を用い
てｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
４２を台形状にエッチングし、＜１−１０＞方向のメサ
ストライプを形成した後、第２の結晶成長工程で、メサ
ストライプの側面にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５を選択的
に埋込み成長させる。次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せ
ず）を除去した後、第３の結晶成長工程で、全面にｐ−
ＧａＡｓコンタクト層６を積層する。最後にｐ側電極７
及びｎ側電極８をそれぞれ形成する。
てｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
４２を台形状にエッチングし、＜１−１０＞方向のメサ
ストライプを形成した後、第２の結晶成長工程で、メサ
ストライプの側面にｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５を選択的
に埋込み成長させる。次に、ＳｉＯ2 マスク（図示せ
ず）を除去した後、第３の結晶成長工程で、全面にｐ−
ＧａＡｓコンタクト層６を積層する。最後にｐ側電極７
及びｎ側電極８をそれぞれ形成する。
【００２４】アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０２とアンドープＧａ0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０
３を挿入していない従来の半導体レーザ構造では、発振
波長は６７６ｎｍで、５０℃、５ｍＷの連続通電試験の
結果２０００時間程度で劣化するのに対し、この実施例
の半導体レーザでは、発振波長６８０ｎｍで、５０℃、
５ｍＷの連続通電試験の結果１００００時間以上の安定
動作が確認された。
0.5 Ｐ層１０２とアンドープＧａ0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０
３を挿入していない従来の半導体レーザ構造では、発振
波長は６７６ｎｍで、５０℃、５ｍＷの連続通電試験の
結果２０００時間程度で劣化するのに対し、この実施例
の半導体レーザでは、発振波長６８０ｎｍで、５０℃、
５ｍＷの連続通電試験の結果１００００時間以上の安定
動作が確認された。
【００２５】この実施例の半導体レーザの発光部のＳＩ
ＭＳ分析を行った結果、ｐ型不純物であるＺｎの拡散フ
ロントは、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０２内であった。アンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０３でのＺｎの拡散係数はｐ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２のそれより十分
小さいので、膜厚は１０ｎｍと薄いが十分拡散を抑制で
きる。この場合、第１の実施例と比べ、特性的には同等
であるが、再現性においてはこの第２の実施例の方が優
っている。すなわち、この実施例ではクラッド層４２か
ら拡散するＺｎが効果的に拡散抑止層（１０２，１０
３）にトラップされるため拡散フロント位置が一定して
いる。なお、拡散抑止層となるアンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０３およびアンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２は、それぞれ１０ｎｍ、５ｎｍ
と薄いので光強度分布に与える影響は無視できる。
ＭＳ分析を行った結果、ｐ型不純物であるＺｎの拡散フ
ロントは、アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０２内であった。アンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０３でのＺｎの拡散係数はｐ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２のそれより十分
小さいので、膜厚は１０ｎｍと薄いが十分拡散を抑制で
きる。この場合、第１の実施例と比べ、特性的には同等
であるが、再現性においてはこの第２の実施例の方が優
っている。すなわち、この実施例ではクラッド層４２か
ら拡散するＺｎが効果的に拡散抑止層（１０２，１０
３）にトラップされるため拡散フロント位置が一定して
いる。なお、拡散抑止層となるアンドープＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層１０３およびアンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２は、それぞれ１０ｎｍ、５ｎｍ
と薄いので光強度分布に与える影響は無視できる。
【００２６】以上のようにこの実施例によれば、ｐ−
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２と
アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３との間に、クラ
ッド層４２より拡散係数の小さいアンドープＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ層１０３とアンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２からなる拡散抑止層を設けてい
る。そのため、結晶成長中や加工中にｐ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２から拡散した不
純物のＺｎは、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０３
にほぼトラップされ、一部下部のアンドープ（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ 0.5 Ｐ層１０２に拡散するもののア
ンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３には到達しない。
よってアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３内に不純
物の拡散によってもたらされる特性劣化や発振波長のば
らつきはなく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高
歩留りの半導体レーザが得られる。
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２と
アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３との間に、クラ
ッド層４２より拡散係数の小さいアンドープＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ層１０３とアンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０２からなる拡散抑止層を設けてい
る。そのため、結晶成長中や加工中にｐ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４２から拡散した不
純物のＺｎは、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１０３
にほぼトラップされ、一部下部のアンドープ（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ 0.5 Ｐ層１０２に拡散するもののア
ンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３には到達しない。
よってアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３内に不純
物の拡散によってもたらされる特性劣化や発振波長のば
らつきはなく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高
歩留りの半導体レーザが得られる。
【００２７】また、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性
層３の上部に拡散抑止層（１０２，１０３）を設ける代
わりに、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３の下部
（すなわち、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
クラッド層２とアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３
との間）に、拡散抑止層を設けても同様の効果が得られ
る。また、活性層３の上部と下部の両方に設ければより
良い効果が得られる。
層３の上部に拡散抑止層（１０２，１０３）を設ける代
わりに、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３の下部
（すなわち、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
クラッド層２とアンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３
との間）に、拡散抑止層を設けても同様の効果が得られ
る。また、活性層３の上部と下部の両方に設ければより
良い効果が得られる。
【００２８】なお、上述の第１，第２の実施例の説明に
おいては、活性層としてＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層を用
い、またクラッド層として（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉ
ｎ0. 5 Ｐクラッド層を用いたが、組成，膜厚はこれに限
定されるものではない。クラッド層として（ＡｌX Ｇａ
1-X ）ＩｎＰ，活性層として（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ
であり、０≦ｙ＜ｘ≦１を満足するものである。また基
板としてｎ−ＧａＡｓ基板を用いたが、ｐ−ＧａＡｓ基
板でもよく、活性層として量子井戸構造を用いてもよ
い。
おいては、活性層としてＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層を用
い、またクラッド層として（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉ
ｎ0. 5 Ｐクラッド層を用いたが、組成，膜厚はこれに限
定されるものではない。クラッド層として（ＡｌX Ｇａ
1-X ）ＩｎＰ，活性層として（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ
であり、０≦ｙ＜ｘ≦１を満足するものである。また基
板としてｎ−ＧａＡｓ基板を用いたが、ｐ−ＧａＡｓ基
板でもよく、活性層として量子井戸構造を用いてもよ
い。
【００２９】
【発明の効果】請求項１記載の半導体レーザは、（Ａｌ
X Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（ＡｌY Ｇａ1-Y ）Ｉ
ｎＰ活性層の間にアンドープもしくは低ドープ（ＡｌX
Ｇａ1- X ）ＩｎＰ層を設けているため、（ＡｌY Ｇａ
1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物の拡散を回避できる。し
たがって、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物
の拡散によってもたらされる特性劣化や発振波長のばら
つきはなく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩
留りの半導体レーザが得られる。
X Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（ＡｌY Ｇａ1-Y ）Ｉ
ｎＰ活性層の間にアンドープもしくは低ドープ（ＡｌX
Ｇａ1- X ）ＩｎＰ層を設けているため、（ＡｌY Ｇａ
1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物の拡散を回避できる。し
たがって、（ＡｌY Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層への不純物
の拡散によってもたらされる特性劣化や発振波長のばら
つきはなく、長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩
留りの半導体レーザが得られる。
【００３０】請求項２記載の半導体レーザは、（ＡｌX
Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（ＡｌY Ｇａ1-Y ）Ｉｎ
Ｐ活性層との間に不純物の拡散係数の小さいＡｌＧａＩ
ｎＰ層を含む拡散抑止層を設けているため、拡散速度を
遅くでき、（ＡｌY Ｇａ1-Y）ＩｎＰ活性層への不純物
の拡散を回避できる。したがって、（ＡｌY Ｇａ1-Y）
ＩｎＰ活性層への不純物の拡散によってもたらされる特
性劣化や発振波長のばらつきはなく、長寿命かつ発振波
長の再現性に優れた高歩留りの半導体レーザが得られ
る。
Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層と（ＡｌY Ｇａ1-Y ）Ｉｎ
Ｐ活性層との間に不純物の拡散係数の小さいＡｌＧａＩ
ｎＰ層を含む拡散抑止層を設けているため、拡散速度を
遅くでき、（ＡｌY Ｇａ1-Y）ＩｎＰ活性層への不純物
の拡散を回避できる。したがって、（ＡｌY Ｇａ1-Y）
ＩｎＰ活性層への不純物の拡散によってもたらされる特
性劣化や発振波長のばらつきはなく、長寿命かつ発振波
長の再現性に優れた高歩留りの半導体レーザが得られ
る。
【図１】この発明の第１の実施例の半導体レーザの素子
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例の半導体レーザの素子
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図３】従来の半導体レーザの素子構造を示す断面図で
ある
ある
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層 ３ アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ４１，４２ ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
クラッド層 ５ ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層 ６ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １０１，１０２ アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ層 １０３ アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
層 ３ アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ４１，４２ ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
クラッド層 ５ ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層 ６ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １０１，１０２ アンドープ（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ層 １０３ アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に格子整合のとれた２つ
の（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層の間に（ＡｌY
Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層（０≦ｙ＜ｘ≦１）を備えたダ
ブルヘテロ構造を有する半導体レーザであって、 少なくとも一方の（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層
と前記（ＡｌY Ｇａ1- Y ）ＩｎＰ活性層との間に、アン
ドープあるいは低ドープＡｌＧａＩｎＰ層を設けたこと
を特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ基板上に格子整合のとれた２つ
の（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層の間に（ＡｌY
Ｇａ1-Y ）ＩｎＰ活性層（０≦ｙ＜ｘ≦１）を備えたダ
ブルヘテロ構造を有する半導体レーザであって、 少なくとも一方の（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド層
と前記（ＡｌY Ｇａ1- Y ）ＩｎＰ活性層との間に、不純
物の拡散係数が前記（ＡｌX Ｇａ1-X ）ＩｎＰクラッド
層より小さいＡｌＧａＩｎＰ層を含む単層あるいは多層
の拡散抑止層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4094239A JPH05291686A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 半導体レーザ |
| US08/045,423 US5345463A (en) | 1992-04-14 | 1993-04-13 | Semiconductor laser with improved oscillation wavelength reproducibility |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4094239A JPH05291686A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291686A true JPH05291686A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14104760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4094239A Pending JPH05291686A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 半導体レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5345463A (ja) |
| JP (1) | JPH05291686A (ja) |
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| US6563850B1 (en) | 1997-10-06 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| US7221690B2 (en) | 2002-03-08 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and process for manufacturing the same |
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| JP2011166108A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-08-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
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| US6240114B1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-05-29 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Multi-quantum well lasers with selectively doped barriers |
| GB2351841A (en) | 1999-07-06 | 2001-01-10 | Sharp Kk | A semiconductor laser device |
| JP2006269568A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2006286870A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザおよびそれを用いた光通信システム |
| DE102005037022A1 (de) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Diffusionsbarriere |
| CN112542770B (zh) * | 2020-12-04 | 2021-10-15 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
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| JPH0449691A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード |
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| JP2847702B2 (ja) * | 1987-12-29 | 1999-01-20 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP4094239A patent/JPH05291686A/ja active Pending
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