JPH02126692A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02126692A JPH02126692A JP28060988A JP28060988A JPH02126692A JP H02126692 A JPH02126692 A JP H02126692A JP 28060988 A JP28060988 A JP 28060988A JP 28060988 A JP28060988 A JP 28060988A JP H02126692 A JPH02126692 A JP H02126692A
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- Japan
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置の構造に関するものであ
る。
る。
第２図は電子情報通信学会研究会資料０Ｃ３８８−１５
に示された従来の半導体レーザ装Ｒを示す断面斜視図で
ある。図にどいて、（１）はＰ型１ｎＰ基板、（２）は
Ｐ型１ｎＰバッファ層、（３）はアンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、（４）はｎ型１ｎＧａＡｓＰガイド層、（
５）はｎ型１ｎＰ ｓ （７）はＰ型ＩｎＰ埋め込み層
、（８）はｎ型ＩｎＰブロック層、（９）はＰ型ＩｎＰ
ブロック層、頭は１ｎＧａＡｓＰコンタクト層、Ｑ〃は
５ｉ０２、饅は電極である。
に示された従来の半導体レーザ装Ｒを示す断面斜視図で
ある。図にどいて、（１）はＰ型１ｎＰ基板、（２）は
Ｐ型１ｎＰバッファ層、（３）はアンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、（４）はｎ型１ｎＧａＡｓＰガイド層、（
５）はｎ型１ｎＰ ｓ （７）はＰ型ＩｎＰ埋め込み層
、（８）はｎ型ＩｎＰブロック層、（９）はＰ型ＩｎＰ
ブロック層、頭は１ｎＧａＡｓＰコンタクト層、Ｑ〃は
５ｉ０２、饅は電極である。
次に動作について説明する。Ｐ型１ｎＰ基板（１）から
注入されたホールと、ｎ型１ｎＰ層（５］から注入され
た電子がアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３）中で再
結合することをこより発光し、レーザ発振に至る。しか
しアンドープｌ ｎＧａＡｓＰ活性層（３）の不純物濃
度が高いと、非発光再結合や、光の吸収損失が大きく、
発振しきい値電流が小さ（、高効率な半導体レーザは得
られない。Ｐ型ＩｎＰ基板上（１）にアンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層（３）を形成した場合、形成後に行われ
る熱処理によりＰ型ＩｎＰ基板（１）からアンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層（３）に不純物が拡散し、不純物濃
度の低い高品位な活性層は得られない。Ｐ型ＩｎＰ基板
（１）アンドープＩ ｎＧａＡｓ Ｐ と活性層（３
）の間のＰ型ＩｎＰバッファ層（２）は上記の問題を解
決するため（こ形成されたもので、Ｐ型１ｎＰ基板（１
）よりもＰ型１ｎＰバッファ層（２）の不純物濃度を低
くすることでアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３１の
不純物濃度の増加を防いでいる。
注入されたホールと、ｎ型１ｎＰ層（５］から注入され
た電子がアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３）中で再
結合することをこより発光し、レーザ発振に至る。しか
しアンドープｌ ｎＧａＡｓＰ活性層（３）の不純物濃
度が高いと、非発光再結合や、光の吸収損失が大きく、
発振しきい値電流が小さ（、高効率な半導体レーザは得
られない。Ｐ型ＩｎＰ基板上（１）にアンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層（３）を形成した場合、形成後に行われ
る熱処理によりＰ型ＩｎＰ基板（１）からアンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層（３）に不純物が拡散し、不純物濃
度の低い高品位な活性層は得られない。Ｐ型ＩｎＰ基板
（１）アンドープＩ ｎＧａＡｓ Ｐ と活性層（３
）の間のＰ型ＩｎＰバッファ層（２）は上記の問題を解
決するため（こ形成されたもので、Ｐ型１ｎＰ基板（１
）よりもＰ型１ｎＰバッファ層（２）の不純物濃度を低
くすることでアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３１の
不純物濃度の増加を防いでいる。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、ＩｎＰ中での拡散速度が速いＺｎを多数含むＰ型
１ｎＰ基板を用いた場合、Ｐ型１ｎＰバッファ層を厚く
形成することが必要で、材料コスト、生産効率にわいて
問題があった。
ので、ＩｎＰ中での拡散速度が速いＺｎを多数含むＰ型
１ｎＰ基板を用いた場合、Ｐ型１ｎＰバッファ層を厚く
形成することが必要で、材料コスト、生産効率にわいて
問題があった。
この発明は上記のような問題点、を解消するためになさ
れたもので、低コスト、高効率で生産でさる半導体レー
ザ装置を得ることを目的とする。
れたもので、低コスト、高効率で生産でさる半導体レー
ザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、Ｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐバッファ層を不純物の拡散を防ぐ目的で用いたもので
ある。
Ｐバッファ層を不純物の拡散を防ぐ目的で用いたもので
ある。
〔作用〕
この発明におけるＰ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層は不純
物の拡散防止に有効に作用する。
物の拡散防止に有効に作用する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。図にお
いて（１）〜（５） 、（７１〜曹は第２図の従来例に
示したものと同等であるので説明を省略する。（６〕は
Ｐ型１ｎＧａＡｓＰバッファ層で、Ｐ型１ｎＰ基板（１
）からアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３）への不純
物の拡散を防ぐため形成されたものである。
図は半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。図にお
いて（１）〜（５） 、（７１〜曹は第２図の従来例に
示したものと同等であるので説明を省略する。（６〕は
Ｐ型１ｎＧａＡｓＰバッファ層で、Ｐ型１ｎＰ基板（１
）からアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３）への不純
物の拡散を防ぐため形成されたものである。
次に動作（こついて説明する。上記のごとくＰ型ＩｎＧ
ａＡｓ Ｐバフフッ層（６）はＰ型１ｎＰ基板（１）か
らアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３）への不純物の
拡散を防止するため１こ形成されたものである。Ｐ型Ｉ
ｎＰ基板（１）（こ多数含まれるＺｎ０ＩｎＧａＡｓ
Ｐ中での拡散速度はＩｎＰ中での拡散速度よりはるかに
遅り、Ｐ型１ｎＰ基板（１）からアンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層（３）への不純物の拡散防止に対し、Ｐ型１
ｎＧａＡｓＰバッファ層（６）はＰ型１ｎＰバッファ層
（２）より有効に作用する。したがってＰ型ＩｎＰバッ
ファ層（２）の一部をＰ型１ｎＧａＡｓＰバッファ層（
６）に置さ換えることにより、バッファ層の総膜厚を薄
くすることが可能となり、材料コストの低減やバッファ
層形成時間の短縮による生産性の向上が行える。
ａＡｓ Ｐバフフッ層（６）はＰ型１ｎＰ基板（１）か
らアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層（３）への不純物の
拡散を防止するため１こ形成されたものである。Ｐ型Ｉ
ｎＰ基板（１）（こ多数含まれるＺｎ０ＩｎＧａＡｓ
Ｐ中での拡散速度はＩｎＰ中での拡散速度よりはるかに
遅り、Ｐ型１ｎＰ基板（１）からアンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層（３）への不純物の拡散防止に対し、Ｐ型１
ｎＧａＡｓＰバッファ層（６）はＰ型１ｎＰバッファ層
（２）より有効に作用する。したがってＰ型ＩｎＰバッ
ファ層（２）の一部をＰ型１ｎＧａＡｓＰバッファ層（
６）に置さ換えることにより、バッファ層の総膜厚を薄
くすることが可能となり、材料コストの低減やバッファ
層形成時間の短縮による生産性の向上が行える。
なお、上記実施例では半導体レーザ装置について説明し
たが半導体受光装置など、不純物濃度の低い／Ｉを必要
とするものに適用した場合、上記実施例と同様の効果を
層することは明らかである。
たが半導体受光装置など、不純物濃度の低い／Ｉを必要
とするものに適用した場合、上記実施例と同様の効果を
層することは明らかである。
以上のようにこの発明によれば、Ｐ型１ ｎＧａＡｓＰ
バッファ層を導入したので、装置を低コストで生産性良
く作成することができる。
バッファ層を導入したので、装置を低コストで生産性良
く作成することができる。
第１図はこの発明に係る半導体装置の構造の一実施例に
よる半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第２図は従来
の半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。 図に８いて、（１）はＰ型１ｎＰ基板、（２）はＰ型１
ｎＰバッファ層、（３）はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活
性層、（４）はｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層、（５］は
ｎ型ＩｎＰ層、（６）はＰ型１ｎＧａＡｓＰバッファ層
、（７）はＰ型１ｎＰ埋め込み層、（８）はｎ型１ｎＰ
ブロック層、（９）はＰ型ＩｎＰブロック層、叫はＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層、（ロ）はＳｉｎｇ、□□□は
電極である。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
よる半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第２図は従来
の半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。 図に８いて、（１）はＰ型１ｎＰ基板、（２）はＰ型１
ｎＰバッファ層、（３）はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活
性層、（４）はｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層、（５］は
ｎ型ＩｎＰ層、（６）はＰ型１ｎＧａＡｓＰバッファ層
、（７）はＰ型１ｎＰ埋め込み層、（８）はｎ型１ｎＰ
ブロック層、（９）はＰ型ＩｎＰブロック層、叫はＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層、（ロ）はＳｉｎｇ、□□□は
電極である。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
Claims (1)
- ＩｎＰを基板とする半導体装置において、上記基板に接
してＩｎＧａＡｓＰを形成したことを特徴とする半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28060988A JPH02126692A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28060988A JPH02126692A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126692A true JPH02126692A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=17627422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28060988A Pending JPH02126692A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02126692A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291686A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH0823139A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP28060988A patent/JPH02126692A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291686A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH0823139A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Nec Corp | 半導体レーザ |
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