JPH0364977A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、動作電圧の低減を図った半導体発光装置に
関するものである。

（従来の技術） 第２図は、従来の半導体発光装置の断面図である。同図
において、（１）はｐ　−１ｎＰ基板であり、この上に
ｎ　−１ｎＰブロック層（２）　、　ｐ　−１ｎＰブロ
ック層（３）　、　ｐ　−１ｎＰ下クラッド層（４）、
活性層（５）、ｎ　−１ｎＰ上クチクラッド６）　、　
ｎ　−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層（７）が順次結晶成
長により形成され、またｎ　−１ｎＧａＡｓＰコンタク
ト層（７）上にｎ電極（９）　、　ｐ　−１ｎＰ基板（
１）上にｐ電極（１２）が形成されている。

次に動作について説明する。ｐ電極（１２）とｎ電極（
９）に電圧を印加し電流を注入すると、電流はｎ　−１
ｎＰブロツクＦ（２）　、　ｐ　−１ｎＰブロック層（
３）で狭窄され、活性層（５）に注入される。この時、
活性層（５）の組成に応じて一定の波長の光が出射され
る。

（発明が解決しようとする課題） 従来の半導体発光装置は基板の結晶性が悪くなるため、
キャリア濃度を５　Ｘ　１Ｇ”ａｍ−”以上に上げるこ
とができないので、基板と電極との間で良好なオーミッ
ク接触が得られず、動作電圧の低減が困難であった。

この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、動作電圧を容易に、かつ確実に低減することがで
きる半導体発光装置を得ることを目的とする。

（課題を解決するための手段） この発明に係る半導体発光装置は、半導体基板上に形成
された領域のうち活性層を含まない領域の一部にその上
面から基板へ達する基板と同一導電型の拡散領域を形成
し、その拡散領域と活性層を含む領域とを溝で分離する
ものである。

（作用） 拡散によりキャリヤ濃度が上昇した拡散領域表面に電極
を形成すると良好なオーミック接触が得られ、半導体発
光装置の動作電圧の低減が可能となる。

（実施例） 以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。

第１図において、（１）はｐ　−１ｎＰ基板であり、そ
の上にｎ　−１ｎＰｎロック層（２）、ｐ−ＩｎＰｎロ
ック層（３）、ｐ　−１ｎＰ下クチクラット４）、活性
層（５）　、　ｎ　−１ｎＰ上クチクラッド６）、ｎ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（７）が順次結晶成長によ
り形成されている。また、（８）は活性層（５）を含ま
ない領域の一部にｐ　−１ｎＰ基板（１）へ達するまで
ｐ０拡散された領域、（９）はｎ　−１ｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層（７）上に形成されたｎ電極、（１０）はｐ
３拡散領域（８）上に形成されたｐ電極、（１１）はｐ
０拡散領域（８）と非拡散領域とを電気的に分離するた
めのメサ溝である。

この様に、拡散によりキャリア濃度が上昇したｐ０拡散
領域（８）にｐ電極（１０）を形成することにより、ｐ
型電極（ｌＯ）とｐ０拡散領域（８）との間に良好なオ
ーミックコンタクトが得られる。

第１図におおいて、ｐ電極（１０）とｎ電極（９）との
間に電圧を印加すると、ｐ電極（１０）により注入され
た電流はｐ９拡散領域（８）を通過し、−度ｐ−ＩｎＰ
基板（１）へ注入され、その後ｎ　−ＴｎＰｎロック層
（２）　、　ｐ　−１ｎＰｎロック層（３）により狭窄
され、ｐ　−１ｎＰ下クチクラット４）を通って活性層
（５）に注入される。この時、活性層（５）の組成に応
じた一定の波長の光が出射される。

（発明の効果） 以上のように、この発明によれば、基板に達する基板と
同一導電型の拡散領域上に電極を形成することにより、
電極と半導体との間で良好なオーミック接触が得られ、
動作電圧の低減が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す半導体発光装置の断
面図、第２図は従来の半導体発光装置の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（４）は下クラッド
層、（５）は活性層、（６）は上クラッド層、（８）は
拡散領域、　（１１）は溝である。 なお、各図面中間−符号は同一または相当部分を示す。 兜１　図 第２　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に形成された領域の第１の部分に下
   クラッド層、活性層、上クラッド層を含み、上記活性層
   を含まない上記領域の第２の部分をその上面から上記基
   板へ達する、上記基板と同一導電型の拡散領域で構成し
   、 上記第１の部分と第２の部分を溝によって分離した、 ことを特徴とする半導体発光装置。