JPS6344790A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザ装置に関するものである。

従来の技術 近年、０ＫＩＣ（光電子集積回路）デバイスの研究が盛
んに行なわれている。その中で電子回路形成時の基板の
平坦性を確保するために、基板にあらかじめ凹部を設け
、その凹部内に発光素子（例えば半導体レーザ）を形成
する方法がある。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第２図ａで示されるように、このような
凹部に液相エピタキシャル法により成長を行なうと、凹
部中央には両側から成長してきた成長層の重なり合いの
ために平坦とはならず、大きな不連続部分が生じる。こ
のため凹部中央に平坦な活性層を有する半導体レーザ装
置を形成するのは罹めて困難である。

問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置は、基板上に形成された凹部内に突起を有し、前記突
起上又はその近傍に活性領域が存在するように活性層を
含む各層が形成されて構成されている。

作用 上記の構成により第２図すに示すように突起部を成長の
種として層が形成されるので突起部上又はその近傍には
平坦な層を形成することができ、凹部内に平坦な活性層
を有する半導体レーザを形成することが可能となる。

実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。

（１００）面を有する半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に〈０
１１〉方向に幅４００　／／　ｍ　、深さ７μｍの凹部
をエツチングにより形成する。この凹部内Ｋｐ＝ＧａＡ
ｓ層２の成長を折々った後、高さ２μｍ１幅１５μｍの
メサをエツチングにより形成する。（第３図ａ）このウ
ェハー上にｎ−ＧａＡｓ層３の成長を、メサ上の膜厚が
１μｍとなるように行なう。

メサ上の成長表面は平坦な面となる。このウェハーに第
３図すに示すように、幅２０μｍ１高さ１．５μｍの平
行なリッジを６μｍをへたてて形成する。

リッジを形成したウェハー上に液相エピタキシャル法に
より第１クラッド層４、活性層５、第２クラッド層６か
もなるダブルへテロのレーザ構造を形成する（第３面Ｃ
）。溝およびリッジ上の活性層は平坦となる。

次にｎ側オーミック電極８、ｎ側オーミック電極９を形
成して本発明の半導体レーザ装置が完成する。

発明の効果 以上のように本発明は、基板上に設けられた凹部の中に
突起が形成され、その突起上又はその近傍に活性層が形
成されることにより、前記凹部内にも液相エピタキシャ
ル法により、平坦な活性層を持つ半導体レーザを形成す
ることができ、その実用的価値は犬なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
構造図、第２図ａ、ｂはそれぞれ従来の凹部での成長、
本発明による凹部での成長を示す図、第３図ａ　−Ｑは
本発明の実施例の作製工程を示す断面図である。 １・・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・・・ｐ
型ＧａＡ３層、３・・・・・・ｎ型Ｇａ人Ｓブロッキン
グ層、４・・・・・・ｐ型クラッド層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名／−
−−半２ｍノ計ｉ−と”ｒａＡｓ＠＝坂４−−−　Ｆ　
翌ｅｒａ−ＡＩＡｓクラッ）″層５−−−こ’ｒａＪＬ
Ａ、５う１＝謄ノｎ一層６−ｘ翌ＣｒのＡノＡδクラッ
Ｙ屑 ７−−−几１仏眞ハＳコングクト、１ ８−７１．Ｓオーミツグミ４反 ９−Ｆ７併１オーミック電」と 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の表面に凹部が形成され、前記凹部内に突起が形成
   され、前記突起上またはその近傍に活性領域が存在する
   ように活性層を含む各層が形成されていることを特徴と
   する半導体レーザ装置。