JPS62166586A - 半導体発光素子とその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子とその製造方法Info
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は１ＧａｌｎＰ 可視光半導体レーザ等の半導体
発光素子とその製造方法に関する。
発光素子とその製造方法に関する。
（従来の技術およびその問題点）
ＡＩＧｆ１工ｎｐ 可視光半導体レーザは６００ ｎｍ
帯のレーザとして現在開発が活発に行なわれている。
帯のレーザとして現在開発が活発に行なわれている。
ＡｚＧａＩｎＰ でなる４元混晶の液相エピタキシャル
成長による形成は難しいから、ｒｎＧａＡ８Ｐ／ｎＧａ
系のレーザの上うな埋め込み構造による横モード制御レ
ーザをＡｚＧａ工ｎｐ で作製するのはかなシ難しい
。しかしながら、横モード制御は実用化の上で不可欠で
ありＡａＧａＩｎＰ、 ＧａＩｎＰ、 ＧａＡｓ
ｔ７）成長方法に合った横モード制御構造は重要である
。さらにＡｚＧａＩｎＰ 混晶は熱伝導率が小さく活性
層あるいはその近傍で発生する熱を効率よく放散させる
ことも素子特性上重要である。
成長による形成は難しいから、ｒｎＧａＡ８Ｐ／ｎＧａ
系のレーザの上うな埋め込み構造による横モード制御レ
ーザをＡｚＧａ工ｎｐ で作製するのはかなシ難しい
。しかしながら、横モード制御は実用化の上で不可欠で
ありＡａＧａＩｎＰ、 ＧａＩｎＰ、 ＧａＡｓ
ｔ７）成長方法に合った横モード制御構造は重要である
。さらにＡｚＧａＩｎＰ 混晶は熱伝導率が小さく活性
層あるいはその近傍で発生する熱を効率よく放散させる
ことも素子特性上重要である。
１ＧａＩｎＰ 可視光半導体レーザにおいて横モード制
御されたレーザの報告は現在ない。しかしＡｊＧａＡ８
／ＧａＡｓレーザよシ容易に類推されるレーザ構造を第
３図に示す。ＧａＡｓ半導体基板１０上にＡｚＧａＩｎ
Ｐ でなる活性層１を活性層より禁制帯幅が大きいＡ
ｊＧａ工ｎｐ でなるクラッド層２および３で才夾ま
れたダブルヘテロ構造を有し、そのダブルヘテロ構造上
にＧａＡｓでなる部分的に消失せしめた電流ブロック層
４を有し、さらにその上にＡｌＧａ工ｎｐ でなるク
ラッド層７、ＧａＡｓでなるキャップ層５が積層される
。発光領域は電流ブロック層４がとぎれた部分の下部の
活性層である。この構造は２回の有機金属分解成長法（
以下ＭｏｖｐＥ法と略記）、あるいは分子線エピタキシ
ー（以下ＭＢＥ法と略記〕で成長される。２回成長にお
ける再成長界面は発光領域の上部のクラッド層３と電流
ブロック層４の表面である。この表面は２回目の成長前
のプロセスで外気に接した面であり、ＡｚＧａＩｎＰは
ＡＩを含むから特にクラッド層３の表面は酸化されやす
く、２回目のＭＯＶＰＫ法とＭＢＥ法による成長の際に
欠陥が導入されやすい。
御されたレーザの報告は現在ない。しかしＡｊＧａＡ８
／ＧａＡｓレーザよシ容易に類推されるレーザ構造を第
３図に示す。ＧａＡｓ半導体基板１０上にＡｚＧａＩｎ
Ｐ でなる活性層１を活性層より禁制帯幅が大きいＡ
ｊＧａ工ｎｐ でなるクラッド層２および３で才夾ま
れたダブルヘテロ構造を有し、そのダブルヘテロ構造上
にＧａＡｓでなる部分的に消失せしめた電流ブロック層
４を有し、さらにその上にＡｌＧａ工ｎｐ でなるク
ラッド層７、ＧａＡｓでなるキャップ層５が積層される
。発光領域は電流ブロック層４がとぎれた部分の下部の
活性層である。この構造は２回の有機金属分解成長法（
以下ＭｏｖｐＥ法と略記）、あるいは分子線エピタキシ
ー（以下ＭＢＥ法と略記〕で成長される。２回成長にお
ける再成長界面は発光領域の上部のクラッド層３と電流
ブロック層４の表面である。この表面は２回目の成長前
のプロセスで外気に接した面であり、ＡｚＧａＩｎＰは
ＡＩを含むから特にクラッド層３の表面は酸化されやす
く、２回目のＭＯＶＰＫ法とＭＢＥ法による成長の際に
欠陥が導入されやすい。
かつその界面は活性層１に０．１〜０．４μｍの距離に
あシ、その界面での光強度の密度は高くその界面を通過
する電流の密度も数Ｋ Ａ ／ａｎ”と高くその欠陥が
成長し活性層を劣化されるという問題がある。また、発
光領域で発生した熱は、キャップ層５側のヒートシンク
へと放散されるが、その経路には熱伝導率の小さなＡａ
ＧａＩｎＰ でなる比較的厚い層が必ず存在している
。
あシ、その界面での光強度の密度は高くその界面を通過
する電流の密度も数Ｋ Ａ ／ａｎ”と高くその欠陥が
成長し活性層を劣化されるという問題がある。また、発
光領域で発生した熱は、キャップ層５側のヒートシンク
へと放散されるが、その経路には熱伝導率の小さなＡａ
ＧａＩｎＰ でなる比較的厚い層が必ず存在している
。
本発明の目的は、横モード制御が可能で、活性層で発生
した熱が放散し易いＡｚＧａＩｎＰ 可視光半導体レー
ザ等の半導体発光素子とその製造方法を提供することに
ある。
した熱が放散し易いＡｚＧａＩｎＰ 可視光半導体レー
ザ等の半導体発光素子とその製造方法を提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本願の第１の発明が提供
する半導体発光素子は、（ＡｊｘＧａ＋−ｘ）ｙＩｎ＋
−、ｙｐからなる活性層をこの活性層よシ禁制帯幅が大
きなＡｚＧａＩｎＰ からなるクラッド層で代み込んだ
ダブルヘテロ構造がＧａＡｓ基板上形成してあり、前記
活性層の上側の前記クラッド層は層厚が部分的に厚くな
ることにより形成されるメサ構造を有し、前記メサ構造
は上部がＧａＡｓでなるメルトバック防止層で被覆して
あり側面及び底面がＧａＡｓでなシ前記基板と導電をの
同じ電流ブロック層で被覆してあシ、前記メルトバック
防止層及び前記電流ブロック層の表面がＧａＡｇでなる
キャップ層で被覆してあることを特徴とする。
する半導体発光素子は、（ＡｊｘＧａ＋−ｘ）ｙＩｎ＋
−、ｙｐからなる活性層をこの活性層よシ禁制帯幅が大
きなＡｚＧａＩｎＰ からなるクラッド層で代み込んだ
ダブルヘテロ構造がＧａＡｓ基板上形成してあり、前記
活性層の上側の前記クラッド層は層厚が部分的に厚くな
ることにより形成されるメサ構造を有し、前記メサ構造
は上部がＧａＡｓでなるメルトバック防止層で被覆して
あり側面及び底面がＧａＡｓでなシ前記基板と導電をの
同じ電流ブロック層で被覆してあシ、前記メルトバック
防止層及び前記電流ブロック層の表面がＧａＡｇでなる
キャップ層で被覆してあることを特徴とする。
前述の問題点を解決するために本題の第２の発明が提供
する半導体発光素子の製造方法は、（ＡｔｘＧａ＋ −
Ｘ ）７エｎ、−７Ｐからなる活性層をこの活性層よシ
禁制帯幅が大きな／ＢＧａ工ｎＰ からなるクラッド層
でスみ込んだダブルヘテロ構造をＧａＡｓ基板上に形成
する工程と、前記ダブルヘテロ構造上にメルトバック防
止層を積層する工程と、形成する工程と、液相エピタキ
シャル成長法により前記メサ側面をＧａＡｓからなり前
記基板と同導電型の電流ブロック層で被覆する工程と、
前記メサ上面及び前記電流ブロック層の上面に液相エピ
タキシャル成長法によ＃） ＧａＡａキャップ層を積層
する工程とを含むことを特徴とする。
する半導体発光素子の製造方法は、（ＡｔｘＧａ＋ −
Ｘ ）７エｎ、−７Ｐからなる活性層をこの活性層よシ
禁制帯幅が大きな／ＢＧａ工ｎＰ からなるクラッド層
でスみ込んだダブルヘテロ構造をＧａＡｓ基板上に形成
する工程と、前記ダブルヘテロ構造上にメルトバック防
止層を積層する工程と、形成する工程と、液相エピタキ
シャル成長法により前記メサ側面をＧａＡｓからなり前
記基板と同導電型の電流ブロック層で被覆する工程と、
前記メサ上面及び前記電流ブロック層の上面に液相エピ
タキシャル成長法によ＃） ＧａＡａキャップ層を積層
する工程とを含むことを特徴とする。
（作用）
本願の第１の発明の半導体発光素子の例の断面模式図を
第１図に示す（第１図は後に説明するように本願の第１
の発明の一実施例を示す図である）。
第１図に示す（第１図は後に説明するように本願の第１
の発明の一実施例を示す図である）。
ＧａＡｇでなる半導体基板１０上に（Ａ′１ｘＧａ＋−
ｘ）７エｎ１−ｙｐでなる活性層１、クラッド層２．３
よりなるダブルヘテロ構造を含み、クラッド層３にメサ
構造を有する。そのメサの上面はＧａＡｓでなるメルト
バック防止層６、側面は電流ブロック層４で被覆されて
いる。この第１図の構造は、本願の第２の発明を適用し
て、ＭＯＶＰＫ法あるいはＭＢＫ法とＩ、ＰＫ法の２回
の結晶成長で作製する。
ｘ）７エｎ１−ｙｐでなる活性層１、クラッド層２．３
よりなるダブルヘテロ構造を含み、クラッド層３にメサ
構造を有する。そのメサの上面はＧａＡｓでなるメルト
バック防止層６、側面は電流ブロック層４で被覆されて
いる。この第１図の構造は、本願の第２の発明を適用し
て、ＭＯＶＰＫ法あるいはＭＢＫ法とＩ、ＰＫ法の２回
の結晶成長で作製する。
その製作工程を第２図（ａ）〜（Ｃ）に示す。（第２図
（ａ）〜（Ｃ）は後に説明するように本願の第２の発明
の一実施例の工程を示す図である）。１回目と２回目の
成長での再成長界面はメルトバック防止層６の上面と側
面クラッド層３のメサ構造側面と底面である。発光領域
はそのメサの下部である。メルトバック防止層６はＧａ
Ａｓでなるから酸化等の問題は低減される。そのうえメ
ルトバック層６にある再成長界面と活性層１との距離は
０．７μｍ以上であり従来の０．２〜０．４μｍと比較
して大きい。従ってメルトバック防止層６の再成長界面
が活性層へ与える影響は小さい。またクラッド層３に形
成されたメサ側面はＡＩＧａＩｎＰ でＡｊを含み酸
化の問題が生じるが、この界面を通過する電流はないの
で活性層の劣化につながる欠陥の成長は低減される。ま
たメサ構造をしているから発光部の活性層との距離が小
さい界面の面積は小さい。また、電流ブロック層４の形
成はＬＰＥ法により行なう。
（ａ）〜（Ｃ）は後に説明するように本願の第２の発明
の一実施例の工程を示す図である）。１回目と２回目の
成長での再成長界面はメルトバック防止層６の上面と側
面クラッド層３のメサ構造側面と底面である。発光領域
はそのメサの下部である。メルトバック防止層６はＧａ
Ａｓでなるから酸化等の問題は低減される。そのうえメ
ルトバック層６にある再成長界面と活性層１との距離は
０．７μｍ以上であり従来の０．２〜０．４μｍと比較
して大きい。従ってメルトバック防止層６の再成長界面
が活性層へ与える影響は小さい。またクラッド層３に形
成されたメサ側面はＡＩＧａＩｎＰ でＡｊを含み酸
化の問題が生じるが、この界面を通過する電流はないの
で活性層の劣化につながる欠陥の成長は低減される。ま
たメサ構造をしているから発光部の活性層との距離が小
さい界面の面積は小さい。また、電流ブロック層４の形
成はＬＰＥ法により行なう。
そのためその界面はＡｍを含むＧａメルトと接する。そ
の際Ａ７Ｇａ工ｎＰはＧａメルトに溶けようとし、Ｇａ
メルトからはＧａＡｓが析出しようとする。実際はＧａ
Ａｓの析出速度を速め、ＧａＡｅ結晶を側面に成長され
るが、多少であるがＡＩＧａＩｎＰ ｉ！：Ｇａメルト
に溶け、界面の清浄化が行なわれる。このことは素子の
劣化特性を良くすることになる。また、メサ上部にはＧ
ａＡｓが析出しない柔性で電流ブロック層の成長を行な
う。このとき、メサ上部がＡａＧａ工ｎＰ であると
メサの形状はメルトバックにより変形を起こす。しかし
、メサ上部にＧａＡｓでなるメルトバック防止層を導入
しているからメサ形状の大幅な変形は起らず電流ブロッ
ク層４の結晶成長が安定し作製が容易となる。さらにキ
ャップ層５まで同じＬＰＫ成長で形成でき２回の結晶成
長で作製されかつメルトバック防止層６と電流ブロック
層４の界面はウェファ表面まで達していない。このこと
は電極金属の界面による急速浸透を防ぎレーザの頓死を
低減する。さらに、発光領域とその近傍で発生する熱の
放散経路を考えると、クラッド層３０層厚が薄い部分、
電流ブロック層４、キャップ層５そしてヒートシンクと
いう熱放牧経路が形成され、この経路では熱伝導率の小
さなＡＩＧａＩｎＰ の層厚が小さく熱伝導率の相対的
に高いＧａＡｓが大部分を占めるから熱放散特性は良く
なる。
の際Ａ７Ｇａ工ｎＰはＧａメルトに溶けようとし、Ｇａ
メルトからはＧａＡｓが析出しようとする。実際はＧａ
Ａｓの析出速度を速め、ＧａＡｅ結晶を側面に成長され
るが、多少であるがＡＩＧａＩｎＰ ｉ！：Ｇａメルト
に溶け、界面の清浄化が行なわれる。このことは素子の
劣化特性を良くすることになる。また、メサ上部にはＧ
ａＡｓが析出しない柔性で電流ブロック層の成長を行な
う。このとき、メサ上部がＡａＧａ工ｎＰ であると
メサの形状はメルトバックにより変形を起こす。しかし
、メサ上部にＧａＡｓでなるメルトバック防止層を導入
しているからメサ形状の大幅な変形は起らず電流ブロッ
ク層４の結晶成長が安定し作製が容易となる。さらにキ
ャップ層５まで同じＬＰＫ成長で形成でき２回の結晶成
長で作製されかつメルトバック防止層６と電流ブロック
層４の界面はウェファ表面まで達していない。このこと
は電極金属の界面による急速浸透を防ぎレーザの頓死を
低減する。さらに、発光領域とその近傍で発生する熱の
放散経路を考えると、クラッド層３０層厚が薄い部分、
電流ブロック層４、キャップ層５そしてヒートシンクと
いう熱放牧経路が形成され、この経路では熱伝導率の小
さなＡＩＧａＩｎＰ の層厚が小さく熱伝導率の相対的
に高いＧａＡｓが大部分を占めるから熱放散特性は良く
なる。
（実施例）
以下実施例を挙げ本願発明を一層詳しく説明する。先に
第１図に示した本願の第１の発明の構造の実施例を作製
する工程を第２図（ａ）〜（Ｃ）に示す。
第１図に示した本願の第１の発明の構造の実施例を作製
する工程を第２図（ａ）〜（Ｃ）に示す。
Ｓ１ドープのｎ型ＧａＡｓ基板上にＭＯＶＰＥ法により
ＳｓドープのＧａＡｓバッファ一層を積層後、Ｓｅドー
プｎ型の（Ａｄｏ、４ Ｇａ ｏ、ａ ） ｏ、５工ｎ
ｏ、ｓＰでなる厚さ１μｍのクラッド層２、ノンドープ
Ｇａｏ、！Ｉ工ｎｏ、ｓＰでなる厚さ０．１μｍの活性
層１．Ｚｎドーグｐ型の（Ａｄｏ、４Ｇａｏ、６） ｏ
、ｓ工ｎ ｏ、ｓ ｐでなる厚さ１μｍのクラッド層３
、およびＺｎドープｐ型のＧａＡｓでなるメルトバック
防止層６をこのｌ１ｌｆｆｉ Ｋ積層し第２図（ａ）の
構造を作製する。次にＧａＡｓでなるメルトバック防止
層６を含めクラッド層３を部分的にエツチングし、メサ
を形成する。メサ上部の幅を１μｍ、クラッド層３のエ
ツチングによる残存する厚さを０．３μｍとした。Ｇａ
ＡｓのエツチングはＴｉ３ＰＯ３とＨｔＯ、！： Ｈｌ
Ｏ，の混合液で、Ａ４ＧａＩｎＰ のエツチングはＨＣ
ｊとＨｓＰｏ４の混合液で行なった。このときの形状を
第２図（ｂ）に示す。次に液相エピタキシャル成長によ
りＴｏドープｎ型のＧａＡｓでなる電流ブロック層４と
Ｚｎドープｐ型のＧａＡｓでなるキャップ層を順次積層
した。そのとき電流ブロック層はメサ上部には積層しな
いように液相の過飽和度と成長膜厚を制御した。電流ブ
ロック層４の厚さは平坦部で０．３μｍである。ＧａＡ
ｓキャップ層５の厚さは平坦部で０．５μ璋である。こ
のようにして、本願の第２の発明の一実施例により本願
の第１の発明の一実施例を作製した。即ち、第２図（ａ
）〜（Ｃ）の工程により第１図の構造が作製された。電
流ブロック層４が存在する部分はｐ−ｎ−ｐ−’ｎの導
電型の層構造となり電流は流れず、電流は電流プロック
層４が存在しないメサ部のみに流れる。電流ブロック層
４はＧａＩｎＰ活性層ｌで発光する光に対し吸収層とし
て働くから、メサ部の下の活性層はメサを含めて屈折率
導波構造と等価になり横モードの制御が行なわれる。
ＳｓドープのＧａＡｓバッファ一層を積層後、Ｓｅドー
プｎ型の（Ａｄｏ、４ Ｇａ ｏ、ａ ） ｏ、５工ｎ
ｏ、ｓＰでなる厚さ１μｍのクラッド層２、ノンドープ
Ｇａｏ、！Ｉ工ｎｏ、ｓＰでなる厚さ０．１μｍの活性
層１．Ｚｎドーグｐ型の（Ａｄｏ、４Ｇａｏ、６） ｏ
、ｓ工ｎ ｏ、ｓ ｐでなる厚さ１μｍのクラッド層３
、およびＺｎドープｐ型のＧａＡｓでなるメルトバック
防止層６をこのｌ１ｌｆｆｉ Ｋ積層し第２図（ａ）の
構造を作製する。次にＧａＡｓでなるメルトバック防止
層６を含めクラッド層３を部分的にエツチングし、メサ
を形成する。メサ上部の幅を１μｍ、クラッド層３のエ
ツチングによる残存する厚さを０．３μｍとした。Ｇａ
ＡｓのエツチングはＴｉ３ＰＯ３とＨｔＯ、！： Ｈｌ
Ｏ，の混合液で、Ａ４ＧａＩｎＰ のエツチングはＨＣ
ｊとＨｓＰｏ４の混合液で行なった。このときの形状を
第２図（ｂ）に示す。次に液相エピタキシャル成長によ
りＴｏドープｎ型のＧａＡｓでなる電流ブロック層４と
Ｚｎドープｐ型のＧａＡｓでなるキャップ層を順次積層
した。そのとき電流ブロック層はメサ上部には積層しな
いように液相の過飽和度と成長膜厚を制御した。電流ブ
ロック層４の厚さは平坦部で０．３μｍである。ＧａＡ
ｓキャップ層５の厚さは平坦部で０．５μ璋である。こ
のようにして、本願の第２の発明の一実施例により本願
の第１の発明の一実施例を作製した。即ち、第２図（ａ
）〜（Ｃ）の工程により第１図の構造が作製された。電
流ブロック層４が存在する部分はｐ−ｎ−ｐ−’ｎの導
電型の層構造となり電流は流れず、電流は電流プロック
層４が存在しないメサ部のみに流れる。電流ブロック層
４はＧａＩｎＰ活性層ｌで発光する光に対し吸収層とし
て働くから、メサ部の下の活性層はメサを含めて屈折率
導波構造と等価になり横モードの制御が行なわれる。
（発明の効果）
以上に実施例を挙げて説明したように、本願の第１の発
明の半導体発光素子は横モード制御が可能であり、活性
層で発生した熱が放散し易い。また、本願の第２の発明
の方法によれば、本願の第１の発明の半導体発光素子が
容易に作製できる。
明の半導体発光素子は横モード制御が可能であり、活性
層で発生した熱が放散し易い。また、本願の第２の発明
の方法によれば、本願の第１の発明の半導体発光素子が
容易に作製できる。
第１図は本願の第１の発明の一実施例の断面模式図、第
２図（ａ）〜（Ｃ）は本願の第２の発明の一実施例の工
程を示す図、第３図は従来の半導体レーザから容易に推
考される構造のＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの断面模式
図である。 ｌ・・・活性層、２． ３． ７・・−クラッド層、４
・・・電流ブロック層、５・・・キャップ層、６・・・
メルトバック防止層、１０・・・ＧａＡｓ基板。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ６メルトバ′・°ｌりｙ方ｒ１ 第１図 第２図
２図（ａ）〜（Ｃ）は本願の第２の発明の一実施例の工
程を示す図、第３図は従来の半導体レーザから容易に推
考される構造のＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザの断面模式
図である。 ｌ・・・活性層、２． ３． ７・・−クラッド層、４
・・・電流ブロック層、５・・・キャップ層、６・・・
メルトバック防止層、１０・・・ＧａＡｓ基板。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ６メルトバ′・°ｌりｙ方ｒ１ 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＩｎ＿１＿−
＿ｙＰからなる活性層をこの活性層より禁制帯幅が大き
なＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層で挾み込んだダブ
ルヘテロ構造がＧａＡｅ基板上形成してあり、前記活性
層の上側の前記クラッド層は層厚が部分的に厚くなるこ
とにより形成されるメサ構造を有し、前記メサ構造は上
部がＧａＡｓでなるメルトバック防止層で被覆してあり
側面及び底面がＧａＡｓでなり前記基板と導電型の同じ
電流ブロック層で被覆してあり、前記メルトバック防止
層及び前記電流ブロック層の表面がＧａＡｅでなるキャ
ップ層で被覆してあることを特徴とする半導体発光素子
。 - （２）（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＩｎ＿１＿−
＿ｙＰからなる活性層をこの活性層より禁制帯幅が大き
なＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層で挾み込んだダブ
ルヘテロ構造をＧａＡｓ基板上に形成する工程と、前記
ダブルヘテロ構造上にメルトバック防止層を積層する工
程と、前記メルトバック防止層から前記活性層の上側の
前記クラッド層の内部までを部分的に除去しメサを形成
する工程と、液相エピタキシャル成長法により前記メサ
側面をＧａＡｓからなり前記基板と同導電型の電流ブロ
ック層で被覆する工程と、前記メサ上面及び前記電流ブ
ロック層の上面に液相エピタキシャル成長法によりＧａ
Ａｓキャップ層を積層する工程とを含むことを特徴とす
る半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61009610A JPS62166586A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61009610A JPS62166586A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166586A true JPS62166586A (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=11725065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61009610A Pending JPS62166586A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62166586A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200785A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| JPS62200786A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| JP2003526214A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | アルプ ラゼール エス．アー． | 量子カスケードレーザーとその製造方法 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP61009610A patent/JPS62166586A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200785A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| JPS62200786A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| JP2003526214A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | アルプ ラゼール エス．アー． | 量子カスケードレーザーとその製造方法 |
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