JPS62200786A - 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置及びその製造方法Info
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- JPS62200786A JPS62200786A JP4293486A JP4293486A JPS62200786A JP S62200786 A JPS62200786 A JP S62200786A JP 4293486 A JP4293486 A JP 4293486A JP 4293486 A JP4293486 A JP 4293486A JP S62200786 A JPS62200786 A JP S62200786A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、電流狭窄効果と光導波効果を存する半導体レ
ーザに係わり、特に有機金属を用いた化学気相成長法（
以下ＭＯＣＶＤ法と略記する）による製造に適した半導
体レーザ装置及びその製造方法に関する。
ーザに係わり、特に有機金属を用いた化学気相成長法（
以下ＭＯＣＶＤ法と略記する）による製造に適した半導
体レーザ装置及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、組成と膜厚の制御性と大面積に亙る均一性の優れ
たＭＯＣＶＤ法を利用して作成した半導体レーザが注目
されており、これらの方法によって作成した単一の基本
横モードを有する種々の構造の半導体レーザが報告され
ている。第３図に示す断面構造の素子は、ＭＯＣＶＤ法
による選択的成長を利用して自己整合的に電流狭窄構造
と光導波構造を形成したものである。なお、図中３１は
ｎ−ＧａＡｓ基板、３２はｎ−ＧａＡｓバッファ層、３
３はｎ−ＧａＡ１Ａｓクラッド層、３４はＧａＡｓ活性
層、３５はｐ−Ｃ；ａＡノＡｓクラッド層、３６はｐ−
ＧａＡｓコンタクト層、３７はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
、３８．３９は金属電極を示している。この索、子は、
設計の自由度、再現性に優れており、ＭＯＣＶＤ法の優
れた制御性を生かしたものであり、有望な素子構造の一
つであるが、これまで信頼性等に関しては殆ど報告され
ていない。
たＭＯＣＶＤ法を利用して作成した半導体レーザが注目
されており、これらの方法によって作成した単一の基本
横モードを有する種々の構造の半導体レーザが報告され
ている。第３図に示す断面構造の素子は、ＭＯＣＶＤ法
による選択的成長を利用して自己整合的に電流狭窄構造
と光導波構造を形成したものである。なお、図中３１は
ｎ−ＧａＡｓ基板、３２はｎ−ＧａＡｓバッファ層、３
３はｎ−ＧａＡ１Ａｓクラッド層、３４はＧａＡｓ活性
層、３５はｐ−Ｃ；ａＡノＡｓクラッド層、３６はｐ−
ＧａＡｓコンタクト層、３７はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
、３８．３９は金属電極を示している。この索、子は、
設計の自由度、再現性に優れており、ＭＯＣＶＤ法の優
れた制御性を生かしたものであり、有望な素子構造の一
つであるが、これまで信頼性等に関しては殆ど報告され
ていない。
本発明者等は、ＭＯＣＶＤ法により形成したＩｎＧａＡ
、ｉ’Ｐ、ＧａＡノＡ ｓ 、ｌｎ Ｇ ａ ＡノＡｓ
を利用した単一の基本横モードを有する半導体レーザの
研究を行ってきたが、その結果従来試みられてきた第３
図に示す断面構造の素子では十分な信頼性を有する素子
を作成することが困難であることが判明した。即ち、第
３図に示す如き層構造に作成した素子は、駆動電圧の素
子間の変動が大きく、突発的な劣化を生じるものが多く
、寿命的にも信頼性が乏しいものであった。これらの不
良が生じる原因を調査したところ、駆動電圧が高いもの
ではコンタクト層３６と電極３８との間の接触抵抗が大
きく、また突発的な劣化を生じた素子ではクラッド層３
５と電極３８との間に汚れ若しくは電極金属の変形によ
ると見られる短絡が生じていた。
、ｉ’Ｐ、ＧａＡノＡ ｓ 、ｌｎ Ｇ ａ ＡノＡｓ
を利用した単一の基本横モードを有する半導体レーザの
研究を行ってきたが、その結果従来試みられてきた第３
図に示す断面構造の素子では十分な信頼性を有する素子
を作成することが困難であることが判明した。即ち、第
３図に示す如き層構造に作成した素子は、駆動電圧の素
子間の変動が大きく、突発的な劣化を生じるものが多く
、寿命的にも信頼性が乏しいものであった。これらの不
良が生じる原因を調査したところ、駆動電圧が高いもの
ではコンタクト層３６と電極３８との間の接触抵抗が大
きく、また突発的な劣化を生じた素子ではクラッド層３
５と電極３８との間に汚れ若しくは電極金属の変形によ
ると見られる短絡が生じていた。
以上のように従来報告に述べられている第３図の構造の
素子は、そのままでは信頼性に問題があることが明らか
であり、何らかの対策が必要であった。
素子は、そのままでは信頼性に問題があることが明らか
であり、何らかの対策が必要であった。
一方、最近の技術動向として、光通信用長波長レーザや
光記録用短波長レーザに使用する半導体材料として、よ
り長波長化や短波長化が可能なＩｎＧａＡｓＰ、
ＩｎＧａＡ１Ａｓ。
光記録用短波長レーザに使用する半導体材料として、よ
り長波長化や短波長化が可能なＩｎＧａＡｓＰ、
ＩｎＧａＡ１Ａｓ。
ＩｎＧａＡｉＰが注目されている。中でも、Ｖ族元素が
１種類のみで構成されるＩｎＧａＡｉＰ。
１種類のみで構成されるＩｎＧａＡｉＰ。
Ｉ ｎＧａＡＧａＡｓ基板成長に適したものである。
しかし、これらの材料はＧａＡ、１’ＡＳと異なり基板
結晶との格子整合のための条件が厳格なために、複雑な
層構造の作成が困難であり、これまで実用的な単一の基
本横モードを有するレーザの試作丁ら報告されていない
。
結晶との格子整合のための条件が厳格なために、複雑な
層構造の作成が困難であり、これまで実用的な単一の基
本横モードを有するレーザの試作丁ら報告されていない
。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のように従来装置では、単一の基本横モードを達成
するために、電流狭窄構造と先導波構造を自己整合的に
製造しようとすると、コンタクト層と電極との接触抵抗
の増大成いは電極変形に起因する短絡等の問題により、
素子特性の劣化や信頼性の低下等を招いていた。
するために、電流狭窄構造と先導波構造を自己整合的に
製造しようとすると、コンタクト層と電極との接触抵抗
の増大成いは電極変形に起因する短絡等の問題により、
素子特性の劣化や信頼性の低下等を招いていた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、電流狭窄構造と光導波構造を自己整合
的に形成することができ、且つコンタクト層と電極との
接触抵抗の増大や電極の変形等を未然に防止することが
でき、素子特性の向上及び信頼性の向上をはかり得る半
導体レーザ装置を提供することにある。
とするところは、電流狭窄構造と光導波構造を自己整合
的に形成することができ、且つコンタクト層と電極との
接触抵抗の増大や電極の変形等を未然に防止することが
でき、素子特性の向上及び信頼性の向上をはかり得る半
導体レーザ装置を提供することにある。
また本発明の他の目的は、上記目的を達成する半導体レ
ーザ装置の製造方法を提供することにある。
ーザ装置の製造方法を提供することにある。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
本発明の骨子は、ストライプ状リブ（凸部）と電流阻止
層の上に、さらにある程度のコンタクト層を一様に積層
してその上に電極を彼イクすることにより、電極金属の
変形による短絡の危険と狭いストライプ部への電極形成
の困難性とを回避することにある。
層の上に、さらにある程度のコンタクト層を一様に積層
してその上に電極を彼イクすることにより、電極金属の
変形による短絡の危険と狭いストライプ部への電極形成
の困難性とを回避することにある。
即ち本発明は、第１導電型半導体基板上に、第１導電型
クラッド層、活性層及びストライプ状凸部を有した第２
導電型クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造部を形
成し、さらに上記凸部の周辺に電流阻止層を形成し、電
流狭窄と光導波を同時に行う半導体レーザ装置において
、電流阻止層をダブルヘテロ接合構造部上に第２導電型
クラッド層の゛凸部の少なくとも一部を除いて形成し、
第２導電型クラッド層及び電流阻止層上に第２導電型コ
ンタクト層を形成するようにしたものである。
クラッド層、活性層及びストライプ状凸部を有した第２
導電型クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造部を形
成し、さらに上記凸部の周辺に電流阻止層を形成し、電
流狭窄と光導波を同時に行う半導体レーザ装置において
、電流阻止層をダブルヘテロ接合構造部上に第２導電型
クラッド層の゛凸部の少なくとも一部を除いて形成し、
第２導電型クラッド層及び電流阻止層上に第２導電型コ
ンタクト層を形成するようにしたものである。
また本発明は、上記構造の半導体レーザ装置を製造する
方法において、第１導電型半導体基板上に、第１導電型
クラッド層、活性層及びストライプ状の凸部を有した第
２導電型クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造部と
、第２導電型コンタクト層とをＭＯＣＶＤ法により上記
順に連続して成長形成したのち、上記第２導電型コンタ
クト層上にエツチングマスクを形成し、次いで上記マス
クを用い前記コンタクト層を選択エツチングし、且つ前
記第２導電型クラッド層をその途中まで選択エツチング
して該クラッド層にストライプ状の凸部を形成し、次い
で前記ダブルヘテロ接合構造部上及びコンタクト層の側
面にＭＯＣＶＤ法により電流阻止層を成長形成し、次い
で前記マスクを除去したのち前記コンタクト層及び電流
阻止層上にＭＯＣＶＤ法により再び第２導電型コンタク
ト層を成長形成するようにした方法である。
方法において、第１導電型半導体基板上に、第１導電型
クラッド層、活性層及びストライプ状の凸部を有した第
２導電型クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造部と
、第２導電型コンタクト層とをＭＯＣＶＤ法により上記
順に連続して成長形成したのち、上記第２導電型コンタ
クト層上にエツチングマスクを形成し、次いで上記マス
クを用い前記コンタクト層を選択エツチングし、且つ前
記第２導電型クラッド層をその途中まで選択エツチング
して該クラッド層にストライプ状の凸部を形成し、次い
で前記ダブルヘテロ接合構造部上及びコンタクト層の側
面にＭＯＣＶＤ法により電流阻止層を成長形成し、次い
で前記マスクを除去したのち前記コンタクト層及び電流
阻止層上にＭＯＣＶＤ法により再び第２導電型コンタク
ト層を成長形成するようにした方法である。
（作用）
上記の構造であれば、コンタクト層は第２導電型クラッ
ド層側ではその断面積が小さいものとなるが、電極側で
は断面積が大きく且つその表面が平坦となる。このため
、電極は平坦で且つ面積の大きなコンタクト層の表面に
被着されることになり、コンタクト層と電極との接触抵
抗は十分小さくなり、また電極の変形が生じる虞れもな
くなる。
ド層側ではその断面積が小さいものとなるが、電極側で
は断面積が大きく且つその表面が平坦となる。このため
、電極は平坦で且つ面積の大きなコンタクト層の表面に
被着されることになり、コンタクト層と電極との接触抵
抗は十分小さくなり、また電極の変形が生じる虞れもな
くなる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図である。図中１１はｎ−ＧａＡｓ基板
であり、この基板ｌｔ上にはｎ−ＧａＡｓバッファ層１
２及びｎ−１ｎＧａＰバツフアＪＷ１３が形成されてい
る。バッファ層１３上には、ｎ−ＩｎＧａＡノＰクラッ
ド層１４゜ＩｎＧａＰ活性層１５及びｐ−１ｎＧａＡｉ
Ｐクラッド層１Ｂ、１７．１８からなるダブルヘテロ接
合構造部が形成されている。ここで、クラッド層１７は
低Ａ、ｆｆ組成であり、後述のエツチング停止層として
作用する。また、クラッド層１８はストライプ状に加工
されており、これによりｐクラッド層にストライプ状リ
ブが形成されている。クラッド層１８上には、ｐ −Ｉ
ｎ Ｇ ａ Ａ 、ｉ’ Ｐコンタクト層１９及びｐ
−Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層２０が形成されている
。
構造を示す断面図である。図中１１はｎ−ＧａＡｓ基板
であり、この基板ｌｔ上にはｎ−ＧａＡｓバッファ層１
２及びｎ−１ｎＧａＰバツフアＪＷ１３が形成されてい
る。バッファ層１３上には、ｎ−ＩｎＧａＡノＰクラッ
ド層１４゜ＩｎＧａＰ活性層１５及びｐ−１ｎＧａＡｉ
Ｐクラッド層１Ｂ、１７．１８からなるダブルヘテロ接
合構造部が形成されている。ここで、クラッド層１７は
低Ａ、ｆｆ組成であり、後述のエツチング停止層として
作用する。また、クラッド層１８はストライプ状に加工
されており、これによりｐクラッド層にストライプ状リ
ブが形成されている。クラッド層１８上には、ｐ −Ｉ
ｎ Ｇ ａ Ａ 、ｉ’ Ｐコンタクト層１９及びｐ
−Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層２０が形成されている
。
ダブルヘテロ接合構造部及びコンタクト層２０の側面に
は、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２１が形成されている。コ
ンタクト層２０及び電流阻止層２１上には、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層２２が形成されている。
は、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２１が形成されている。コ
ンタクト層２０及び電流阻止層２１上には、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層２２が形成されている。
そして、コンタクト層２２の上面に金属電極２３が被着
され、基板１１の下面に金属電極２４が被着されている
。
され、基板１１の下面に金属電極２４が被着されている
。
この構造では、電流狭窄はコンタクト層２０と電流阻止
層２１により行われ、光導波はストライプ状のメサに形
成されたクラッド層１８により行われる。
層２１により行われ、光導波はストライプ状のメサに形
成されたクラッド層１８により行われる。
なお、バッファ層１３はＧａＡｓ上に形成するＩｎＧａ
ＡＪＰ系結晶の品質向上のためである。
ＡＪＰ系結晶の品質向上のためである。
また、コンタクト層（中間コンタクト層）１９は、クラ
ッド層１８とコンタクト層２０との間の電気抵抗の低減
を目的とするものであり、コンタクト層２０よりもバン
ドギャップが大きく、且つクラッド層１８よりもバンド
ギャップが小さいものであればよい。さらに、中間コン
タクト層１９のバンドギャップを、クラッド層１８及び
コンタクト層２０に接する部分でこれらと同様にし、ク
ラッド層１８からコンタクト層２０まで徐々に変化させ
るようにしてもよい。
ッド層１８とコンタクト層２０との間の電気抵抗の低減
を目的とするものであり、コンタクト層２０よりもバン
ドギャップが大きく、且つクラッド層１８よりもバンド
ギャップが小さいものであればよい。さらに、中間コン
タクト層１９のバンドギャップを、クラッド層１８及び
コンタクト層２０に接する部分でこれらと同様にし、ク
ラッド層１８からコンタクト層２０まで徐々に変化させ
るようにしてもよい。
次に、上記構成の半導体レーザの製造方法について説明
する。
する。
第２図（ａ）〜（［’）は実施例レーザの製造工程を示
す断面図である。まず、原料としてメタル系■族ｑＦＩ
＆金属（トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、
トリメチルアルミニウム）と、Ｖ放水素化物（アルシン
、ホスフィン）とを使用した大気圧未満の圧力下でのＭ
ＯＣＶＤ法により、第２図（ａ）に示す如く面方位（１
００）のｎ−ＧａＡｓ基板１１（Ｓｉドープ、３Ｘ １
０１８ｃｍ−３）上に厚さ０．５ ［μｍ］のｎ−Ｇ
ａＡｓ第１バッファ層１２（Ｓｅドープ、３Ｘ １０１
８ｎ−” ） 、 厚さ０．５Ｅｕ ７７Ｚ］のｎ−Ｉ
ｎＧａＰ第２バッファ層１３（Ｓｅドープ、ａｘ １０
１８ｎ−３） 、厚さ１．５ ［μｍ］のｎ−１ｎＧ
ａＡノ Ｐ第１クラッド０．５ ０．２ ０．３ 層１３（Ｓｅドープ、ＬＸ １０１８ｎ−３） 、厚さ
０．１［μｍ］のＩ ｎＯ，５Ｇ ａＯ，５Ｐ活性層１
５．厚さ０．１ ［μｍ］のｐ−１ｎＧａＡノ Ｐ
Ｏ，５０，２０！ 第２クラッド層１Ｂ（Ｍｇドープ、２ｘ １０１８Ｃ１
１−３） 。
す断面図である。まず、原料としてメタル系■族ｑＦＩ
＆金属（トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、
トリメチルアルミニウム）と、Ｖ放水素化物（アルシン
、ホスフィン）とを使用した大気圧未満の圧力下でのＭ
ＯＣＶＤ法により、第２図（ａ）に示す如く面方位（１
００）のｎ−ＧａＡｓ基板１１（Ｓｉドープ、３Ｘ １
０１８ｃｍ−３）上に厚さ０．５ ［μｍ］のｎ−Ｇ
ａＡｓ第１バッファ層１２（Ｓｅドープ、３Ｘ １０１
８ｎ−” ） 、 厚さ０．５Ｅｕ ７７Ｚ］のｎ−Ｉ
ｎＧａＰ第２バッファ層１３（Ｓｅドープ、ａｘ １０
１８ｎ−３） 、厚さ１．５ ［μｍ］のｎ−１ｎＧ
ａＡノ Ｐ第１クラッド０．５ ０．２ ０．３ 層１３（Ｓｅドープ、ＬＸ １０１８ｎ−３） 、厚さ
０．１［μｍ］のＩ ｎＯ，５Ｇ ａＯ，５Ｐ活性層１
５．厚さ０．１ ［μｍ］のｐ−１ｎＧａＡノ Ｐ
Ｏ，５０，２０！ 第２クラッド層１Ｂ（Ｍｇドープ、２ｘ １０１８Ｃ１
１−３） 。
エツチング停止層として作用する厚さ０．０２ ［μ７
７Ｚ］のｐ−Ｉｎ Ｇａ Ａｉ Ｐ第３クラ
ッド０．５ ０．４ ０．１層１７（
Ｍｇドープ、２ｘ １０１８ｃＩｌ−３） 、厚さ１．
４［μ７７Ｚ］のｐ−１ｎＧａＡノ Ｐ第４０．５
０．２ ０．３ クラッド層１８（Ｍｇドープ、２ｘ １０Ｉ８Ｃ「３）
、中間コンタクト層としての厚さ０．０１ ［μｍ］
のｐ−１ｎＧａＡノ Ｐ第１コンタクト０．５
０．４ ０．１層＋９（Ｍｇドープ、２Ｘ
１０１８ｃｍ−３）及び厚さ０．５［、ｃｚＴｉＬ］
のｐ−ＧａＡｓ第２コンタクト層２０（Ｍｇドープ、２
ｘ １０１８ｃ１１−３）を順次成長してダブルヘテロ
ウェハを形成した。続いて、第２コンタクト層２０上に
、シランガスの熱分解と写真蝕刻により幅５ ［μｍ］
、厚さ０、■［μｍ］のストライプ状に５ｉ０２膜２
Ｂを形成した。
７Ｚ］のｐ−Ｉｎ Ｇａ Ａｉ Ｐ第３クラ
ッド０．５ ０．４ ０．１層１７（
Ｍｇドープ、２ｘ １０１８ｃＩｌ−３） 、厚さ１．
４［μ７７Ｚ］のｐ−１ｎＧａＡノ Ｐ第４０．５
０．２ ０．３ クラッド層１８（Ｍｇドープ、２ｘ １０Ｉ８Ｃ「３）
、中間コンタクト層としての厚さ０．０１ ［μｍ］
のｐ−１ｎＧａＡノ Ｐ第１コンタクト０．５
０．４ ０．１層＋９（Ｍｇドープ、２Ｘ
１０１８ｃｍ−３）及び厚さ０．５［、ｃｚＴｉＬ］
のｐ−ＧａＡｓ第２コンタクト層２０（Ｍｇドープ、２
ｘ １０１８ｃ１１−３）を順次成長してダブルヘテロ
ウェハを形成した。続いて、第２コンタクト層２０上に
、シランガスの熱分解と写真蝕刻により幅５ ［μｍ］
、厚さ０、■［μｍ］のストライプ状に５ｉ０２膜２
Ｂを形成した。
次いで、第２図（ｂ）に示す如く、５ｉ０２膜２６をマ
スクとして用い、ＱａＡｓの選択エッチャントにより第
２コンタクト層２０をエツチングして第１コンタクト層
１９を露出させ、幅３［μｍ］のＧａＡｓのストライプ
状メサ２７を形成した。
スクとして用い、ＱａＡｓの選択エッチャントにより第
２コンタクト層２０をエツチングして第１コンタクト層
１９を露出させ、幅３［μｍ］のＧａＡｓのストライプ
状メサ２７を形成した。
次いで、第２図（ｃ）に示す如＜ 、Ｇ ａ Ａ ５ス
トライプ状メサ２７をマスクとして用い、ＩｎＧａＡ、
ｆｆＰの選択エッチャントにより、第３クラッド層１７
が露出するまで第１コンタクト層１９及び第４クラッド
層Ｉ８をエツチングして、ストライプ状メサ２８を形成
した。
トライプ状メサ２７をマスクとして用い、ＩｎＧａＡ、
ｆｆＰの選択エッチャントにより、第３クラッド層１７
が露出するまで第１コンタクト層１９及び第４クラッド
層Ｉ８をエツチングして、ストライプ状メサ２８を形成
した。
このウェハをＧａＡｓの選択エッチャントにて処理する
ことにより、第２コンタクト層２０をエツチングしてそ
の幅を狭くし、第２図（ｄ）に示す形状のストライプ状
メサ２９を形成した。なお、ＧａＡｓの選択エッチャン
トは、２８％アンモニア水、３５％過酸化水素水及び水
を１；３０：９の割合いで混合したものであり、２０［
’Ｃ］にて使用した。
ことにより、第２コンタクト層２０をエツチングしてそ
の幅を狭くし、第２図（ｄ）に示す形状のストライプ状
メサ２９を形成した。なお、ＧａＡｓの選択エッチャン
トは、２８％アンモニア水、３５％過酸化水素水及び水
を１；３０：９の割合いで混合したものであり、２０［
’Ｃ］にて使用した。
また、ＩｎＧａＡ、ｆ’Ｐの選択エッチャントは、硫酸
或いは燐酸であり、４０〜１３０ ［’Ｃ］の温度に
て使用した。
或いは燐酸であり、４０〜１３０ ［’Ｃ］の温度に
て使用した。
次いで、トリメチルガリウムとアルシンを原料として使
用した減圧下でのＭＯＣＶＤ法により、第２図（（３）
に示す如＜ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２１（Ｍｇドープ、
５Ｘ １０１８ｎ−３）を厚さ０．５［μ７７Ｚ］成長
した。このとき、成長は希釈ホスフィンガスを導入しつ
つ７００ ［’Ｃ］まで昇温した後、ホスフィンガス
流をアルシンガス流に切換え、約１秒間待機した後、ト
リメチルガリウム有機金属ガスを導入することにより行
っだ。その結果、前記５ｉ０２膜２Ｇ上にはＧａＡｓの
成長は全く見られず、第２図（ｅ）に示す断面形状のウ
エノ１が得られた。
用した減圧下でのＭＯＣＶＤ法により、第２図（（３）
に示す如＜ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２１（Ｍｇドープ、
５Ｘ １０１８ｎ−３）を厚さ０．５［μ７７Ｚ］成長
した。このとき、成長は希釈ホスフィンガスを導入しつ
つ７００ ［’Ｃ］まで昇温した後、ホスフィンガス
流をアルシンガス流に切換え、約１秒間待機した後、ト
リメチルガリウム有機金属ガスを導入することにより行
っだ。その結果、前記５ｉ０２膜２Ｇ上にはＧａＡｓの
成長は全く見られず、第２図（ｅ）に示す断面形状のウ
エノ１が得られた。
次いで、５ｉ０２膜２６を除去した後、第２図（［’）
に示す如＜、ＭＯＣＶＤ法により全面にｐ−ＧａＡｓ第
３コンタクト層２２（Ｍｇドープ。
に示す如＜、ＭＯＣＶＤ法により全面にｐ−ＧａＡｓ第
３コンタクト層２２（Ｍｇドープ。
５Ｘ １０１８ｃＩＩ−３＞を厚さ３［μＴｒＬ］成長
シタ。ソノ後、通常の電極付は工程により、第３コンタ
クト層２２上にＡ ｕ ／ Ｚ ｎ電極２３を基板１１
の下面にＡ ｕ ／ Ｇ ｅ電極２４を被着することに
よって、前シ８第１図に示す構造のレーザ用ウェハを得
た。
シタ。ソノ後、通常の電極付は工程により、第３コンタ
クト層２２上にＡ ｕ ／ Ｚ ｎ電極２３を基板１１
の下面にＡ ｕ ／ Ｇ ｅ電極２４を被着することに
よって、前シ８第１図に示す構造のレーザ用ウェハを得
た。
かくして得られたウェハをへき開して、共振器長２５０
［μ７７１］のレーザ素子を作成したところ、しきい値
電流９０［ｍＡｌ、微分量子効率片面当り２０［％］と
良好な特性が得られた。光出力は駆動電流に従って２０
［ｍＷ］以」二まで直線的に増大し、キンクのない良好
な電流−光出力特性を示した。
［μ７７１］のレーザ素子を作成したところ、しきい値
電流９０［ｍＡｌ、微分量子効率片面当り２０［％］と
良好な特性が得られた。光出力は駆動電流に従って２０
［ｍＷ］以」二まで直線的に増大し、キンクのない良好
な電流−光出力特性を示した。
また、遠視野像、近視野像共に単峰であり、良好なモー
ド制御が行われていることが判明した。
ド制御が行われていることが判明した。
このように本実施例によれば、電流狭窄構造及び光導波
構造を自己整合的に形成することができ、単一の横モー
ドで良好な素子特性を示す半導体レーザを実現すること
ができる。しかも、電極２３が第３コンタクト層２２の
平坦な面上に被着されているので、コンタクト層２２と
電極２３との接触抵抗を十分小さくすることができ、且
つ電極２３の変形を招くこともない。このため、素子特
性及び信頼性の向上をはかり得る。また、ＩｎＧａＡ、
／Ｐ系の材料でレーザを実現できたことにより１．光情
報処理用光源として極めて有効である。
構造を自己整合的に形成することができ、単一の横モー
ドで良好な素子特性を示す半導体レーザを実現すること
ができる。しかも、電極２３が第３コンタクト層２２の
平坦な面上に被着されているので、コンタクト層２２と
電極２３との接触抵抗を十分小さくすることができ、且
つ電極２３の変形を招くこともない。このため、素子特
性及び信頼性の向上をはかり得る。また、ＩｎＧａＡ、
／Ｐ系の材料でレーザを実現できたことにより１．光情
報処理用光源として極めて有効である。
また、本実施例の製造方法によれば、通常問題となる種
々の困難が巧みに回避される。即ち、選択エツチングに
よる先導波路の形成と減圧下でのＭＯＣＶＤ法による電
流狭窄構造の作成は、高度な微細加工技術を用いること
なく、良好な再現性を提供する。また、実施例のように ＩｎＧａＡノＰとＧａＡｓ （ＧａＡ、１７Ａｓであっ
てもよい）とを組合わせて光導波及び電流狭窄構造を形
成する場合、ＩｎＧａＡノＰ及びＧａＡｓが同時に露出
した表面上へ゛の再成長が必要となるが、通常は昇温時
におけるＰとＡｓの蒸発による結晶表面の損傷をＩｎＧ
ａＡノＰ及びＧａＡｓの両者にて同時に抑制することは
困難である。しかし、ここで採用した成長方法では、Ｇ
ａＡｓ表面を５ｉ０２膜２Ｇにて被覆しているために、
上記のような問題は生じず、Ｐ雰囲気下にて昇温するこ
とにより良好な成長が達成される。さらに、この実施例
では、ストライプ状の５ｉ０２膜２Ｇの幅５［μ７ｒＬ
］に対して、第２コンタクト層２０の頂部の幅は３［μ
ｍｌ と狭められる。このため、 ・ＧａＡｓ電流阻
止層２１の成長後の形状は前記第２図（１’）に示すよ
うなものとなり、電流流路を形成する第２コンタクト層
２０の周辺が平坦であるので、その上への電極形成が容
易になる等の利点がある。
々の困難が巧みに回避される。即ち、選択エツチングに
よる先導波路の形成と減圧下でのＭＯＣＶＤ法による電
流狭窄構造の作成は、高度な微細加工技術を用いること
なく、良好な再現性を提供する。また、実施例のように ＩｎＧａＡノＰとＧａＡｓ （ＧａＡ、１７Ａｓであっ
てもよい）とを組合わせて光導波及び電流狭窄構造を形
成する場合、ＩｎＧａＡノＰ及びＧａＡｓが同時に露出
した表面上へ゛の再成長が必要となるが、通常は昇温時
におけるＰとＡｓの蒸発による結晶表面の損傷をＩｎＧ
ａＡノＰ及びＧａＡｓの両者にて同時に抑制することは
困難である。しかし、ここで採用した成長方法では、Ｇ
ａＡｓ表面を５ｉ０２膜２Ｇにて被覆しているために、
上記のような問題は生じず、Ｐ雰囲気下にて昇温するこ
とにより良好な成長が達成される。さらに、この実施例
では、ストライプ状の５ｉ０２膜２Ｇの幅５［μ７ｒＬ
］に対して、第２コンタクト層２０の頂部の幅は３［μ
ｍｌ と狭められる。このため、 ・ＧａＡｓ電流阻
止層２１の成長後の形状は前記第２図（１’）に示すよ
うなものとなり、電流流路を形成する第２コンタクト層
２０の周辺が平坦であるので、その上への電極形成が容
易になる等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。実施例ではｐ−１ｎＧａＡｉＰ第４クラッド層をエ
ツチングしてストライプ状リブを形成した後、ｐ−Ｇａ
Ａｓ第２コンタクト層を再エツチングしているが、この
再エツチング工程は必ずしも必要でない。また、ｐ−Ｉ
ｎＧａＡ、７？Ｐからなる第２〜第４クラッド層は、単
一の層で形成することも可能である。さらに、 ｐ−１ｎＧａＡｉＰ第１コンタクト層（中間コンタクト
層）は必ずしも用いなくてもよい。
い。実施例ではｐ−１ｎＧａＡｉＰ第４クラッド層をエ
ツチングしてストライプ状リブを形成した後、ｐ−Ｇａ
Ａｓ第２コンタクト層を再エツチングしているが、この
再エツチング工程は必ずしも必要でない。また、ｐ−Ｉ
ｎＧａＡ、７？Ｐからなる第２〜第４クラッド層は、単
一の層で形成することも可能である。さらに、 ｐ−１ｎＧａＡｉＰ第１コンタクト層（中間コンタクト
層）は必ずしも用いなくてもよい。
また、本発明は実施例で述べた以外の材料を利用したレ
ーザにも同様に適用することができる。
ーザにも同様に適用することができる。
例えば、ＧａＡｓを基板としたＧａＡノＡｓ。
ＩｎＧａＡｓＰ、或いはＩｎＰを基板としたＩｎＧａＡ
ｌ！Ａｓ、ＩｎＧａＡｓＰを使用したレーザ等が考えら
れる。さらに、実施例では第１導電型をｎ型、第２導電
型をｐ型としたが、これらを逆にしてもよいのは勿論の
ことである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
、種々変形して実施することができる。
ｌ！Ａｓ、ＩｎＧａＡｓＰを使用したレーザ等が考えら
れる。さらに、実施例では第１導電型をｎ型、第２導電
型をｐ型としたが、これらを逆にしてもよいのは勿論の
ことである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
、種々変形して実施することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、第２導電型クラッ
ド層の凸部（ストライプ状メサ）及び電流阻止層の上に
、コンタクト層を十分厚く成長形成することによって、
電流狭窄構造と先導波構造とを自己整合的に形成しなが
らも、コンタクト層の電極と接する部分の面積を大きく
し、且つその表面を平坦なものとすることができる。こ
のため、電極とコンタクト層との接触抵抗の増大や電極
の変形を等を防止することができ、素子特性の向上及び
信頼性の向上をはかり得る。
ド層の凸部（ストライプ状メサ）及び電流阻止層の上に
、コンタクト層を十分厚く成長形成することによって、
電流狭窄構造と先導波構造とを自己整合的に形成しなが
らも、コンタクト層の電極と接する部分の面積を大きく
し、且つその表面を平坦なものとすることができる。こ
のため、電極とコンタクト層との接触抵抗の増大や電極
の変形を等を防止することができ、素子特性の向上及び
信頼性の向上をはかり得る。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの素子
構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｒ）は上記実施例
レーザの製造工程を示す断面図、第３図は従来レーザの
素子構造を示す断面図である。 １１・ ｎ−ＧａＡｓ基板、１２・ ｎ−ＧａＡｓバッ
ファ層、１３・・・ｎ−ＩｎＧａＰバッファＪｌｉ？、
１４・・・ｎ−１ｎＧａＡノＰクラッド層（第１導電型
クラッド層）、１５・ ＩｎＧａＰ活性層、１Ｇ、１７
．１８・・・ｐ−１ｎＧａＡｉＰクラッド層（第２導電
型クラッド層）、１９・・・ｐ−１ｎＧａＡノＰコンタ
クト層、２０．２２ ・・ｐ−ＧａＡｓ ：Ｉンタクト
層、 ２１−・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、２３．２４
−・・電極、２ Ｇ −・・５ｉ０２膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第２図
構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｒ）は上記実施例
レーザの製造工程を示す断面図、第３図は従来レーザの
素子構造を示す断面図である。 １１・ ｎ−ＧａＡｓ基板、１２・ ｎ−ＧａＡｓバッ
ファ層、１３・・・ｎ−ＩｎＧａＰバッファＪｌｉ？、
１４・・・ｎ−１ｎＧａＡノＰクラッド層（第１導電型
クラッド層）、１５・ ＩｎＧａＰ活性層、１Ｇ、１７
．１８・・・ｐ−１ｎＧａＡｉＰクラッド層（第２導電
型クラッド層）、１９・・・ｐ−１ｎＧａＡノＰコンタ
クト層、２０．２２ ・・ｐ−ＧａＡｓ ：Ｉンタクト
層、 ２１−・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、２３．２４
−・・電極、２ Ｇ −・・５ｉ０２膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第２図
Claims (7)
- （１）第１導電型半導体基板と、第１導電型クラッド層
、活性層及びストライプ状の凸部を有した第２導電型ク
ラッド層からなり、上記半導体基板上に形成されたダブ
ルヘテロ接合構造部と、このダブルヘテロ接合構造部上
に第２導電型クラッド層の凸部の少なくとも一部を除い
て形成された電流阻止層と、前記第２導電型クラッド層
及び電流阻止層上に形成された第２導電型コンタクト層
とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）前記半導体基板及び各半導体層は、III−Ｖ族半
導体からなるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - （３）前記半導体基板及びコンタクト層はＧａＡｓであ
り、前記ダブルヘテロ接合構造部は Ｉｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＡｌ＿ｙＰ（０≦ｙ
≦１）系であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体レーザ装置。 - （４）前記ＧａＡｓ基板と第１導電型ＩｎＧａＡｌＰク
ラッド層との間に、第１導電型ＩｎＧａＰバッファ層を
設けてなることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
の半導体レーザ装置。 - （５）前記コンタクト層と第２導電型クラッド層との間
に、該コンタクト層よりもバンドギャップが大きく、該
クラッド層よりもバンドギャップが小さい少なくとも一
層の第２導電型中間コンタクト層を設けてなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置
。 - （６）前記中間コンタクト層は、前記コンタクト層に近
い方でそのバンドギャップが小さく、前記第２導電型ク
ラッド層に近い方でそのバンドギャップが大きく、且つ
その間でバンドギャップが徐々に変化するものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の半導体レー
ザ装置。 - （７）第１導電型半導体基板上に、第１導電型クラッド
層、活性層及び第２導電型クラッド層からなるダブルヘ
テロ接合構造部と、第２導電型コンタクト層とを有機金
属を用いた化学気相成長法により上記順に連続して成長
形成する工程と、上記第２導電型コンタクト層上にエッ
チングマスクを形成する工程と、次いで上記マスクを用
いて前記コンタクト層を選択エッチングし、且つ前記第
２導電型クラッド層をその途中まで選択エッチングして
該クラッド層にストライプ状の凸部を形成する工程と、
次いで前記ダブルヘテロ接合構造部上及びコンタクト層
の側面に有機金属を用いた化学気相成長法により電流阻
止層を成長形成する工程と、次いで前記マスクを除去す
る工程と、次いで前記コンタクト層及び電流阻止層上に
有機金属を用いた化学気相成長法により再び第２導電型
コンタクト層を成長形成する工程とを含むことを特徴と
する半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042934A JPH0815228B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| US07/019,332 US4792958A (en) | 1986-02-28 | 1987-02-26 | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure |
| EP87301775A EP0234955B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure and manufacturing method thereof |
| DE8787301775T DE3779775T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Halbleiterlaser mit streifenfoermiger mesa-wellenleiterstruktur und dessen herstellungsverfahren. |
| US07/247,268 US4835117A (en) | 1986-02-28 | 1988-09-21 | Manufacturing method for semiconductor laser with mesa stripe |
| US07/283,796 US4910743A (en) | 1986-02-28 | 1988-12-13 | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042934A JPH0815228B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7144918A Division JP2519879B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 半導体レ―ザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200786A true JPS62200786A (ja) | 1987-09-04 |
| JPH0815228B2 JPH0815228B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12649840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61042934A Expired - Lifetime JPH0815228B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815228B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360404A (ja) * | 1986-03-28 | 1988-03-16 | トムソン‐セーエスエフ | 固体光導波路、該光導波路を応用したレ−ザ、および該光導波路とレ−ザの製造方法 |
| JPH01187989A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US4893313A (en) * | 1988-03-14 | 1990-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device which has a double-hetero structure having an optimal layer thickness |
| US5408488A (en) * | 1993-07-09 | 1995-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
| US5495493A (en) * | 1993-01-20 | 1996-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
| US6200382B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor laser device and a crystal growth apparatus for use in a semiconductor laser device |
| US6399965B2 (en) | 2000-01-11 | 2002-06-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device with high yield and low power consumption |
| US6468818B2 (en) | 1999-01-25 | 2002-10-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a high-luminance semiconductor light-emitting device capable of operating at a low voltage |
| KR100343203B1 (ko) * | 1993-10-21 | 2002-11-18 | 삼성전자 주식회사 | 반도체레이저소자 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50153592A (ja) * | 1974-05-29 | 1975-12-10 | ||
| JPS5766685A (en) * | 1980-06-03 | 1982-04-22 | Nec Corp | Rib structure semiconductor laser |
| JPS6167285A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6174382A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS62166586A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 半導体発光素子とその製造方法 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61042934A patent/JPH0815228B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50153592A (ja) * | 1974-05-29 | 1975-12-10 | ||
| JPS5766685A (en) * | 1980-06-03 | 1982-04-22 | Nec Corp | Rib structure semiconductor laser |
| JPS6167285A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6174382A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
| JPS62166586A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 半導体発光素子とその製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360404A (ja) * | 1986-03-28 | 1988-03-16 | トムソン‐セーエスエフ | 固体光導波路、該光導波路を応用したレ−ザ、および該光導波路とレ−ザの製造方法 |
| JPH01187989A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US4893313A (en) * | 1988-03-14 | 1990-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device which has a double-hetero structure having an optimal layer thickness |
| US5036521A (en) * | 1988-03-14 | 1991-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
| US5495493A (en) * | 1993-01-20 | 1996-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
| US5408488A (en) * | 1993-07-09 | 1995-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
| KR100343203B1 (ko) * | 1993-10-21 | 2002-11-18 | 삼성전자 주식회사 | 반도체레이저소자 |
| US6200382B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor laser device and a crystal growth apparatus for use in a semiconductor laser device |
| US6468818B2 (en) | 1999-01-25 | 2002-10-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a high-luminance semiconductor light-emitting device capable of operating at a low voltage |
| US6399965B2 (en) | 2000-01-11 | 2002-06-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device with high yield and low power consumption |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815228B2 (ja) | 1996-02-14 |
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