JP3005998B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JP3005998B2 JP3005998B2 JP1212600A JP21260089A JP3005998B2 JP 3005998 B2 JP3005998 B2 JP 3005998B2 JP 1212600 A JP1212600 A JP 1212600A JP 21260089 A JP21260089 A JP 21260089A JP 3005998 B2 JP3005998 B2 JP 3005998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- mesa
- stripe
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0658—Self-pulsating
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザの製造方法、特に凹凸基板上
にAlGaAs系のAl混晶成長層を形成する場合に適用する凹
凸基板上のAlGaAs系結晶成長法に係わる。
にAlGaAs系のAl混晶成長層を形成する場合に適用する凹
凸基板上のAlGaAs系結晶成長法に係わる。
本発明は、凹凸基板上のAlGaAs系結晶成長法に係わ
り、Alを含んだ有機金属系化学的気相成長法によって凹
凸面を有する基板上に、Al混晶層を４Å／秒程度以下の
成長速度をもって結晶成長させるものであり、このよう
にすることによって確実に所要の特性の例えば半導体装
置を得ることができるようにする。
り、Alを含んだ有機金属系化学的気相成長法によって凹
凸面を有する基板上に、Al混晶層を４Å／秒程度以下の
成長速度をもって結晶成長させるものであり、このよう
にすることによって確実に所要の特性の例えば半導体装
置を得ることができるようにする。
低しきい値電流Ithの半導体レーザを得る方法として
例えば特開昭61−183987号公報に開示された発明があ
る。この場合、予め半導体基体上にストライプ状のメサ
突起を形成して置き、これの上に順次半導体層のエピタ
キシャル成長を連続的に行うことで、エピタキシャル成
長速度の結晶面方位の依存性を利用することで埋込みヘ
テロ接合型の低Ith半導体レーザを構成するものであ
る。
例えば特開昭61−183987号公報に開示された発明があ
る。この場合、予め半導体基体上にストライプ状のメサ
突起を形成して置き、これの上に順次半導体層のエピタ
キシャル成長を連続的に行うことで、エピタキシャル成
長速度の結晶面方位の依存性を利用することで埋込みヘ
テロ接合型の低Ith半導体レーザを構成するものであ
る。
更に上述した半導体レーザにおいて、より製造の簡易
化と、特性の安定化をはかったものとして、本出願人の
出願に係る特願昭63−217829号出願及び特願昭63−3301
36号出願において、同様にエピタキシャル成長速度の結
晶の面方位の依存性を利用した半導体レーザの提案がな
された。
化と、特性の安定化をはかったものとして、本出願人の
出願に係る特願昭63−217829号出願及び特願昭63−3301
36号出願において、同様にエピタキシャル成長速度の結
晶の面方位の依存性を利用した半導体レーザの提案がな
された。
この半導体レーザは、第３図に示すように第１導電型
例えばｎ型で一主面が（100）結晶面を有する例えばGaA
s化合物半導体基体（１）のその一主面（1a）に第３図
の紙面と直交する＜011＞軸方向に延びるストライプ状
のメサ状突起（２）が形成され、この突起（２）を有す
る基体（１）の主面（1a）上に順次MOCVD（Metal Organ
ic chemical Vapor Deposition）によって連続的に第１
導電型例えばｎ型のAlGaAsクラッド層（３）と、低不純
物ないしはアンドープのGaAs活性層（４）と、第１の第
２導電型例えばｐ型のAlGaAsクラッド層（５）と、第１
導電型例えばｎ型のAlGaAs電流ブロック層（６）と、第
２の第２導電型例えばｐ型のAlGaAsクラッド層（７）と
第２導電型のキャップ層（８）との各半導体層がエピタ
キシャル成長される。
例えばｎ型で一主面が（100）結晶面を有する例えばGaA
s化合物半導体基体（１）のその一主面（1a）に第３図
の紙面と直交する＜011＞軸方向に延びるストライプ状
のメサ状突起（２）が形成され、この突起（２）を有す
る基体（１）の主面（1a）上に順次MOCVD（Metal Organ
ic chemical Vapor Deposition）によって連続的に第１
導電型例えばｎ型のAlGaAsクラッド層（３）と、低不純
物ないしはアンドープのGaAs活性層（４）と、第１の第
２導電型例えばｐ型のAlGaAsクラッド層（５）と、第１
導電型例えばｎ型のAlGaAs電流ブロック層（６）と、第
２の第２導電型例えばｐ型のAlGaAsクラッド層（７）と
第２導電型のキャップ層（８）との各半導体層がエピタ
キシャル成長される。
（９）及び（10）はキャップ層（８）と基体（１）の
裏面にオーミックに被着された第１及び第２の電極を示
す。
裏面にオーミックに被着された第１及び第２の電極を示
す。
第１導電型のクラッド層（３）と、第２導電型の第１
及び第２のクラッド層（５）及び（７）と、第１導電型
の電流ブロック層（６）とは、活性層（４）に比してバ
ンドギャップが大すなわち屈折率が小なる材料よりな
る。
及び第２のクラッド層（５）及び（７）と、第１導電型
の電流ブロック層（６）とは、活性層（４）に比してバ
ンドギャップが大すなわち屈折率が小なる材料よりな
る。
このようなエピタキシャル成長を行うと、メサ突起
（２）上へのエピタキシャル成長部は断面三角形とな
る。これはメサ突起（２）上へのエピタキシャル成長に
よって一旦（111）Ｂ結晶面が生じると、これへのエピ
タキシャル成長速度は、他の結晶面例えば（100）面に
比し数10分の１以下であることから、この面へのエピタ
キシャル成長が殆ど停止し、この（111）Ｂによって断
層部が生じることによる。すなわち、基体（１）の突起
（２）のその結晶方位との関係を特定すると共にその形
状，大きさを選定し、更に各層（３）〜（６）の厚さを
選定することによって突起（２）上に（111）Ｂ結晶面
による約55゜の傾きを有する側壁斜面によって挟み込む
ようにクラッド層（３）及び（５）とこれらによって挟
まれた活性層（４）を他と分離してストライプ状に画成
すると共に、その両側端部においてすなわち斜面（11）
に臨んでメサ溝（12）上にエピタキシャル成長された電
流ブロック層（６）が配置されるようにするものであ
る。
（２）上へのエピタキシャル成長部は断面三角形とな
る。これはメサ突起（２）上へのエピタキシャル成長に
よって一旦（111）Ｂ結晶面が生じると、これへのエピ
タキシャル成長速度は、他の結晶面例えば（100）面に
比し数10分の１以下であることから、この面へのエピタ
キシャル成長が殆ど停止し、この（111）Ｂによって断
層部が生じることによる。すなわち、基体（１）の突起
（２）のその結晶方位との関係を特定すると共にその形
状，大きさを選定し、更に各層（３）〜（６）の厚さを
選定することによって突起（２）上に（111）Ｂ結晶面
による約55゜の傾きを有する側壁斜面によって挟み込む
ようにクラッド層（３）及び（５）とこれらによって挟
まれた活性層（４）を他と分離してストライプ状に画成
すると共に、その両側端部においてすなわち斜面（11）
に臨んでメサ溝（12）上にエピタキシャル成長された電
流ブロック層（６）が配置されるようにするものであ
る。
このようにしてメサ突起（２）上でストライプ状に分
離画成された活性層（４）が電流ブロック層（６）によ
って囲まれた構成としたことによってしきい値電流Ith
の小さい半導体レーザを１回の連続エピタキシャル作業
で製造できるようにするものである。
離画成された活性層（４）が電流ブロック層（６）によ
って囲まれた構成としたことによってしきい値電流Ith
の小さい半導体レーザを１回の連続エピタキシャル作業
で製造できるようにするものである。
ところが、このようなMOCVDによるAl混晶のエピタキ
シャル成長によって形成された半導体レーザについて観
察すると、しばしば電極（９）のそのストライプ状突起
（２）上に相当する部分の一部に陥没ないしは凹凸が発
生していることが観察され、しかもこの場合、レーザ光
の発振がみられないとか、発振効率が低いとか、特性が
不安定であるなどの特性上の問題が生じている。
シャル成長によって形成された半導体レーザについて観
察すると、しばしば電極（９）のそのストライプ状突起
（２）上に相当する部分の一部に陥没ないしは凹凸が発
生していることが観察され、しかもこの場合、レーザ光
の発振がみられないとか、発振効率が低いとか、特性が
不安定であるなどの特性上の問題が生じている。
一方このAlを含むMOCVDによる場合、特にAlの含有量
が増大するにつれそのエピタキシャル成長速度が極めて
大となることが観察されている。
が増大するにつれそのエピタキシャル成長速度が極めて
大となることが観察されている。
本発明者らは諸種の研究考察を行った結果、このレー
ザ発振や特性に問題がある半導体レーザは、その成長速
度となんらかの係わりが存在することを究明した。その
一つの原因には、例えば第３図の例において本来ストラ
イプ状突起（２）上に他と分離されて形成されるストラ
イプ状エピタキシャル半導体層上にそのストライプを横
切るように例えばAlの酸化物の生成物が生じ、これが電
極（９）に陥没ないしは凹凸を発生させたり、活性層
（４）への電流集中を阻害したり、逆に電流通路を遮断
するなどの効果を生じてレーザ発振がされない不良品や
特性低下、特性の不安定性等の特性上の問題を招来する
ものであると考えられる。
ザ発振や特性に問題がある半導体レーザは、その成長速
度となんらかの係わりが存在することを究明した。その
一つの原因には、例えば第３図の例において本来ストラ
イプ状突起（２）上に他と分離されて形成されるストラ
イプ状エピタキシャル半導体層上にそのストライプを横
切るように例えばAlの酸化物の生成物が生じ、これが電
極（９）に陥没ないしは凹凸を発生させたり、活性層
（４）への電流集中を阻害したり、逆に電流通路を遮断
するなどの効果を生じてレーザ発振がされない不良品や
特性低下、特性の不安定性等の特性上の問題を招来する
ものであると考えられる。
本発明はこのような問題の解決をはかって、例えば半
導体レーザの製造方法に適用して不良品発生率の低下、
安定したすぐれた特性の半導体レーザを得ることができ
るようにした凹凸基板上の結晶成長法を提供する。
導体レーザの製造方法に適用して不良品発生率の低下、
安定したすぐれた特性の半導体レーザを得ることができ
るようにした凹凸基板上の結晶成長法を提供する。
すなわち、本発明においては、ストライプ状のメサ突
起を有する基板を用いて、そのメサ突起上に、少なくと
も第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型ク
ラッド層とを有し、メサ突起の両側縁に対応して発生す
る対の｛111｝Ｂ面による斜面によって挟みこまれたス
トライプ状半導体層を有し、このストライプ状半導体層
上を横切って形成される半導体層を有するAlGaAs系半導
体レーザを製造するに当たり、上述したメサ突起上に形
成されたストライプ状半導体層上を横切って形成する半
導体層との間に発生するAl酸化物等の欠陥発生因子の生
成を回避するものであり、少なくともこの欠陥発生因子
の生成に係わる半導体層のAlを含む有機金属系化学的気
相成長の成長条件を特定した条件に選定する。
起を有する基板を用いて、そのメサ突起上に、少なくと
も第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型ク
ラッド層とを有し、メサ突起の両側縁に対応して発生す
る対の｛111｝Ｂ面による斜面によって挟みこまれたス
トライプ状半導体層を有し、このストライプ状半導体層
上を横切って形成される半導体層を有するAlGaAs系半導
体レーザを製造するに当たり、上述したメサ突起上に形
成されたストライプ状半導体層上を横切って形成する半
導体層との間に発生するAl酸化物等の欠陥発生因子の生
成を回避するものであり、少なくともこの欠陥発生因子
の生成に係わる半導体層のAlを含む有機金属系化学的気
相成長の成長条件を特定した条件に選定する。
すなわち、その半導体層のAlを含む有機金属系化学的
気相成長の成長素度g.r.を、 g.r.＜−20x＋13〔Å/sec〕（但し、ｘはAl含有量（原
子比）） を満たすように選定する。
気相成長の成長素度g.r.を、 g.r.＜−20x＋13〔Å/sec〕（但し、ｘはAl含有量（原
子比）） を満たすように選定する。
このように、上述したメサ突起上に形成されたストラ
イプ状半導体層上を横切るように発生するAl酸化物等の
欠陥発生因子の生成に係わる半導体層の成長条件を上述
した特定されたた条件下で成長させて得たAlGaAs系半導
体レーザは、レーザ発振の不安定性、特性劣化の発生、
不良品の発生を効果的に回避できた。
イプ状半導体層上を横切るように発生するAl酸化物等の
欠陥発生因子の生成に係わる半導体層の成長条件を上述
した特定されたた条件下で成長させて得たAlGaAs系半導
体レーザは、レーザ発振の不安定性、特性劣化の発生、
不良品の発生を効果的に回避できた。
第１図を参照して本発明法を半導体レーザ製造方法に
適用した場合の一例を説明する。この場合AlGaAs系のII
I−Ｖ族化合物半導体レーザを得る場合であって、この
場合先ず第１図Ａに示すように、例えばｎ型のGaAs化合
物半導体基体（41）を設ける。この基体（41）はとその
一主面（41a）が（100）結晶面を有して成る。この基体
（41）の主面（41a）上に所要の幅Ｗをもってストライ
プ上のエッチングマスク（51）を選択的に形成する。マ
スク（51）は例えばフォトレジスト膜の塗布，パターン
露光，現像の各処理によって形成し得る。この場合、紙
面に沿う面が（011）面に選ばれ、マスク（51）のスト
ライプの延長方向は、この面と直交する方向＜011＞軸
方向に選ばれる。
適用した場合の一例を説明する。この場合AlGaAs系のII
I−Ｖ族化合物半導体レーザを得る場合であって、この
場合先ず第１図Ａに示すように、例えばｎ型のGaAs化合
物半導体基体（41）を設ける。この基体（41）はとその
一主面（41a）が（100）結晶面を有して成る。この基体
（41）の主面（41a）上に所要の幅Ｗをもってストライ
プ上のエッチングマスク（51）を選択的に形成する。マ
スク（51）は例えばフォトレジスト膜の塗布，パターン
露光，現像の各処理によって形成し得る。この場合、紙
面に沿う面が（011）面に選ばれ、マスク（51）のスト
ライプの延長方向は、この面と直交する方向＜011＞軸
方向に選ばれる。
次に、基体（41）に対し、その主面（41a）側から例
えば硫酸系エッチング液のH2SO4とH2O2とH2Oが3:1:1の
割合で混合されたエッチング液による結晶学的エッチン
グを行う。このようにすると、マスク（51）によって覆
われない部分からエッチングが進行し、第１図Ｂに示す
ようにメサ溝（48）が形成されて両側面（42a）がなだ
らかな湾曲凹面とされた順メサに近いストライプ状のメ
サ突起（42）が生ずる。
えば硫酸系エッチング液のH2SO4とH2O2とH2Oが3:1:1の
割合で混合されたエッチング液による結晶学的エッチン
グを行う。このようにすると、マスク（51）によって覆
われない部分からエッチングが進行し、第１図Ｂに示す
ようにメサ溝（48）が形成されて両側面（42a）がなだ
らかな湾曲凹面とされた順メサに近いストライプ状のメ
サ突起（42）が生ずる。
次に第１図Ｃに示すようにエッチングマスク（51）を
除去し、基体（41）の凹凸面上に、MOCVD法によって図
示しないがｎ型のバッファ層を必要に応じて形成し、次
いでｎ型AlxGa1-xAsの第１導電型クラッド層（43）をエ
ピタキシャル成長する。この場合、エピタキシャル成長
が進行すると、メサ突起（42）の上面では（100）面に
対しての角度θが約55゜をなす（111）Ｂ結晶面より成
る斜面（49）が両側に自然発生的に生じて来る。そし
て、このような（111）Ｂ面による斜面（49）が存在し
ている状態でｎ型クラッド層（43）のエピタキシャル成
長を停止する。続いて連続MOCVDによって、メサ突起（4
2）上の断面台形をなすｎクラッド層（43）上を含んで
アンドープのAlyGa1-yAsよりなる活性層（44）をエピタ
キシャル成長する。
除去し、基体（41）の凹凸面上に、MOCVD法によって図
示しないがｎ型のバッファ層を必要に応じて形成し、次
いでｎ型AlxGa1-xAsの第１導電型クラッド層（43）をエ
ピタキシャル成長する。この場合、エピタキシャル成長
が進行すると、メサ突起（42）の上面では（100）面に
対しての角度θが約55゜をなす（111）Ｂ結晶面より成
る斜面（49）が両側に自然発生的に生じて来る。そし
て、このような（111）Ｂ面による斜面（49）が存在し
ている状態でｎ型クラッド層（43）のエピタキシャル成
長を停止する。続いて連続MOCVDによって、メサ突起（4
2）上の断面台形をなすｎクラッド層（43）上を含んで
アンドープのAlyGa1-yAsよりなる活性層（44）をエピタ
キシャル成長する。
この場合、斜面（49）の（111）Ｂ結晶面にはMOCVDに
よるエピタキシャル成長層が生じにくいので、活性層
（44）はこの斜面（49）上には実質的に殆ど成長せず
に、メサ突起（42）上とその両側のメサ溝（48）の底面
にのみ選択的に互に分断して形成することができる。
よるエピタキシャル成長層が生じにくいので、活性層
（44）はこの斜面（49）上には実質的に殆ど成長せず
に、メサ突起（42）上とその両側のメサ溝（48）の底面
にのみ選択的に互に分断して形成することができる。
次に、基体（41）上に第１のｐ型AlxGa1-xAsの第１の
第２導電型クラッド層（45）をMOCVDによってエピタキ
シャル成長する。この場合、第１図Ｄに示すように、ｐ
型クラッド層（45）の成長が進行してメサ突起（42）上
においてその両側の斜面（49）が交叉するような位置ま
でｐ型クラッド層（45）を成長させ、一方、メサ溝（4
8）上においてメサ突起（42）上のｎ型クラッド層（4
3）の斜面（49）の中間位置までｐ型クラッド層（45）
を成長させる。
第２導電型クラッド層（45）をMOCVDによってエピタキ
シャル成長する。この場合、第１図Ｄに示すように、ｐ
型クラッド層（45）の成長が進行してメサ突起（42）上
においてその両側の斜面（49）が交叉するような位置ま
でｐ型クラッド層（45）を成長させ、一方、メサ溝（4
8）上においてメサ突起（42）上のｎ型クラッド層（4
3）の斜面（49）の中間位置までｐ型クラッド層（45）
を成長させる。
次に、第１図Ｅに示すように例えばｎ型クラッド層
（43）と同じ組成のｎ型AlxGa1-xAsより成る電流ブロッ
ク層（46）をMOCVDによってエピタキシャル成長する。
この場合、電流ブロック層（46）はメサ突起（42）上の
活性層（44）の両側斜面（49）を覆うように膜厚制御し
て成長する。また、電流ブロック層（46）はメサ突起
（42）上のｐ型クラッド層（45）とメサ溝（48）上の第
１の第２導電型（ｐ型）クラッド層（45）間を分離する
ように形成される。
（43）と同じ組成のｎ型AlxGa1-xAsより成る電流ブロッ
ク層（46）をMOCVDによってエピタキシャル成長する。
この場合、電流ブロック層（46）はメサ突起（42）上の
活性層（44）の両側斜面（49）を覆うように膜厚制御し
て成長する。また、電流ブロック層（46）はメサ突起
（42）上のｐ型クラッド層（45）とメサ溝（48）上の第
１の第２導電型（ｐ型）クラッド層（45）間を分離する
ように形成される。
次に、第１図Ｆに示すように第１の第２導電型（ｐ
型）クラッド層（45）と同じ組成の第２の第２導電型
（ｐ型）AlxGa1-xAsクラッド層（47）及び第２導電型
（ｐ型）GaAsよりなる高不純物濃度のキャップ層（50）
を、順次MOCVDによってエピタキシャル成長する。この
場合、第２のｐ型クラッド層（47）は、初期では斜面
（49）において成長しないが成長の進行により斜面（4
9）とのつき合せ部に（111）Ｂ面以外の結晶面が生じて
くると斜面（49）上を含んで全面に成長される。従っ
て、この第２のｐ型クラッド層（47）上のキャップ層
（50）も全面的に成長される。
型）クラッド層（45）と同じ組成の第２の第２導電型
（ｐ型）AlxGa1-xAsクラッド層（47）及び第２導電型
（ｐ型）GaAsよりなる高不純物濃度のキャップ層（50）
を、順次MOCVDによってエピタキシャル成長する。この
場合、第２のｐ型クラッド層（47）は、初期では斜面
（49）において成長しないが成長の進行により斜面（4
9）とのつき合せ部に（111）Ｂ面以外の結晶面が生じて
くると斜面（49）上を含んで全面に成長される。従っ
て、この第２のｐ型クラッド層（47）上のキャップ層
（50）も全面的に成長される。
次に、同第１図Ｆに示すように、キャップ層（50）上
に第１の電極（61）を、また基体（41）の裏面に第２の
電極（62）を夫々オーミックに被着して本発明による半
導体レーザを得る。
に第１の電極（61）を、また基体（41）の裏面に第２の
電極（62）を夫々オーミックに被着して本発明による半
導体レーザを得る。
ここに、各層（43），（44），（45），（46），（4
7），（50）は一連のMOCVDによってその供給する原料ガ
スを切り換えることによって１作業すなわち１回の連続
結晶成長で形成し得る。
7），（50）は一連のMOCVDによってその供給する原料ガ
スを切り換えることによって１作業すなわち１回の連続
結晶成長で形成し得る。
このMOCVDにおけるAlGaAs系各エピタキシャル成長層
のMOCVDの原料ガスとしては、トリメチルガリウム，ト
リメチルアルミニウム，アルシン（AsH3），あるいはト
リエチルガリウム，トリエチルアルミニウム、AsH3を用
い得るものであるが、上述したようにメサ突起上に断面
三角形状のエピタキシャル成長を自己整合的に形成する
場合はメチル系原料ガスを用いることが望ましい。この
場合において、今AlxGa1-xAs系の結晶成長をメサ突起
（42）上に形成する場合においてｘ（原子比）の値すな
わちAlの含有量に対する上述したエピタキシャル成長す
なわち半導体レーザの形成において欠陥が生じないすな
わち酸化物の生成が生じないｘ値と気相成長速度ｇ・ｒ
の関係を求めたところ、第２図に示す直線ｇ・ｒ＝−20
x＋13より小さい、すなわち図において左側の斜線を付
した領域となった。これより明らかなようにAl系混晶の
成長速度ｇ・ｒはAlの混晶比ｘは一般的にｘ0.45であ
ることから、４Å／秒程度以下に抑えなければならない
ことがわかる。
のMOCVDの原料ガスとしては、トリメチルガリウム，ト
リメチルアルミニウム，アルシン（AsH3），あるいはト
リエチルガリウム，トリエチルアルミニウム、AsH3を用
い得るものであるが、上述したようにメサ突起上に断面
三角形状のエピタキシャル成長を自己整合的に形成する
場合はメチル系原料ガスを用いることが望ましい。この
場合において、今AlxGa1-xAs系の結晶成長をメサ突起
（42）上に形成する場合においてｘ（原子比）の値すな
わちAlの含有量に対する上述したエピタキシャル成長す
なわち半導体レーザの形成において欠陥が生じないすな
わち酸化物の生成が生じないｘ値と気相成長速度ｇ・ｒ
の関係を求めたところ、第２図に示す直線ｇ・ｒ＝−20
x＋13より小さい、すなわち図において左側の斜線を付
した領域となった。これより明らかなようにAl系混晶の
成長速度ｇ・ｒはAlの混晶比ｘは一般的にｘ0.45であ
ることから、４Å／秒程度以下に抑えなければならない
ことがわかる。
尚、第１図の例において、ｎ型クラッド層（43）、第
１のｐ型クラッド層（45）、ｎ型電流ブロック層（46）
及び第２のｐクラッド層（47）の組成AlxGa1-xAsと、活
性層（44）の組成AlyGa1-yAsとはｘ＞ｙに選ばれる。
１のｐ型クラッド層（45）、ｎ型電流ブロック層（46）
及び第２のｐクラッド層（47）の組成AlxGa1-xAsと、活
性層（44）の組成AlyGa1-yAsとはｘ＞ｙに選ばれる。
尚、必要に応じて、活性層（44）に接して光導波層を
連続MOCVDにより形成する構成とすることもできる。
連続MOCVDにより形成する構成とすることもできる。
また、各層の導電型は、図示とは反対の導電型とする
こともできる。
こともできる。
〔発明の効果〕 上述したように本発明によればAlを含む混晶をMOCVD
によって形成する場合においてその成長速度の規制によ
って欠陥の発生が生じにくい良好なエピタキシャル成長
を行うことができるので、半導体レーザの製造において
目的とするレーザ発振を確実に行うことができ、安定か
つすぐれた特性の半導体レーザを製造することができる
ことからその工業的利益は大である。
によって形成する場合においてその成長速度の規制によ
って欠陥の発生が生じにくい良好なエピタキシャル成長
を行うことができるので、半導体レーザの製造において
目的とするレーザ発振を確実に行うことができ、安定か
つすぐれた特性の半導体レーザを製造することができる
ことからその工業的利益は大である。
第１図Ａ〜Ｆは本発明方法によって得る半導体レーザの
一例の各製造工程の略線的拡大断面図、第２図は本発明
方法における欠陥発生を回避できるAl含有量ｘと結晶成
長速度ｇ・ｒとの関係を示す図、第３図はその比較例の
断面図である。 （41）は化合物半導体基体、（42）はメサ突起である。
一例の各製造工程の略線的拡大断面図、第２図は本発明
方法における欠陥発生を回避できるAl含有量ｘと結晶成
長速度ｇ・ｒとの関係を示す図、第３図はその比較例の
断面図である。 （41）は化合物半導体基体、（42）はメサ突起である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−183987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−144385（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−190328（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−65288（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−174287（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01S 3/18
Claims (1)
- 【請求項１】ストライプ状のメサ突起を有する基板を用
い、上記メサ突起上に、少なくとも第１導電型のクラッ
ド層と、活性層と、第２導電型クラッド層とを有し、上
記メサ突起の両側縁に対応して発生する対の｛111｝Ｂ
面による斜面によって挟みこまれたストライプ状半導体
層を有し、該ストライプ状半導体層上を横切って形成さ
れる半導体層を有するAlGaAs系の半導体レーザを製造す
るに当たり、 上記メサ突起上を横切るように発生する欠陥発生因子の
生成に係わる半導体層のAlを含む有機金属系化学的気相
成長の成長速度g.r.を、 g.r.＜−20x＋13〔Å/sec〕（但し、ｘはAl含有量（原
子比）） に選定したことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212600A JP3005998B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体レーザの製造方法 |
| US07/566,824 US5111469A (en) | 1989-08-15 | 1990-08-14 | Semiconductor laser |
| EP90308948A EP0413567B1 (en) | 1989-08-15 | 1990-08-15 | Semiconductor lasers |
| DE69018732T DE69018732T2 (de) | 1989-08-15 | 1990-08-15 | Halbleiterlaser. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212600A JP3005998B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376218A JPH0376218A (ja) | 1991-04-02 |
| JP3005998B2 true JP3005998B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=16625380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1212600A Expired - Fee Related JP3005998B2 (ja) | 1989-08-15 | 1989-08-18 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3005998B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1212600A patent/JP3005998B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376218A (ja) | 1991-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0155152B1 (en) | A semiconductor laser | |
| KR100455053B1 (ko) | 반도체레이저소자및그제조방법 | |
| US4719633A (en) | Buried stripe-structure semiconductor laser | |
| JPS6343387A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| EP0264225B1 (en) | A semiconductor laser device and a method for the production of the same | |
| JPH09186396A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS62200786A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPS62200785A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JP3005998B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| EP0604965A1 (en) | Semiconductor laser having an A1GaInP cladding layer | |
| JP2629678B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH1187764A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JP2990837B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2940158B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3011938B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| JP3185239B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2910120B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2685800B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2699662B2 (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3239528B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2910115B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2960845B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2519879B2 (ja) | 半導体レ―ザ装置及びその製造方法 | |
| KR950008859B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |