JP2699662B2 - 半導体レーザとその製造方法 - Google Patents
半導体レーザとその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単一モードで発振するＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに関する。
ｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機金属熱分解法（以下ＭＯＶＰ
Ｅ法と略す）という気相結晶成長法により形成された単
一横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ
装置として、図３に示すような構造がエレクトロニクス
レターズに報告されている（Ｓ．Ｋａｗａｔａ，Ｈ．Ｆ
ｕｊｉｉ，Ｋ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ａ．Ｇｏｍｙｏ，
Ｉ．Ｈｉｎｏ，Ｔ．Ｓｕｚｕｋｉ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．
Ｌｅｔｔ．２３（１９８７）１３２７．）。この構造の
製作工程を図４に示す。
Ｅ法と略す）という気相結晶成長法により形成された単
一横モードで発振するＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ
装置として、図３に示すような構造がエレクトロニクス
レターズに報告されている（Ｓ．Ｋａｗａｔａ，Ｈ．Ｆ
ｕｊｉｉ，Ｋ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ａ．Ｇｏｍｙｏ，
Ｉ．Ｈｉｎｏ，Ｔ．Ｓｕｚｕｋｉ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．
Ｌｅｔｔ．２３（１９８７）１３２７．）。この構造の
製作工程を図４に示す。
【０００３】一回目の成長でｎ型ＧａＡｓ基板２１上に
ｎ型（Ａｌ0.6Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２
２、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層２３、ｐ型（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ内側クラッド層２４、ｐ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層２５、ｐ型（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ外側クラッド層２６、ｐ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ緩衝層２７、ｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層２８を順次形成する。こうして成長したウェハーに
フォトリソグラフィにより幅７μｍのストライプ上のＳ
ｉＯ2 マスク３１を形成する（図４（ａ））。つぎにこ
のＳｉＯ2 マスク３１を用いてリン酸系のエッチング液
によりｐ型ＧａＡｓキャップ層２８をメサ上にエッチン
グする（図４（ｂ））。続いて塩酸系のエッチング液に
よりｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２５の上界面
までをメサ状にエッチングする（図４（ｃ））。つぎに
ｐ型ＧａＡｓキャップ層２８をリン酸系のエッチング液
により幅３μｍまでサイドエッチングする（図４
（ｄ））。そしてＳｉＯ2 マスクをつけたまま、二回目
の成長を行いエッチングしたところをｎ型ＧａＡｓブロ
ック層２９で埋め込む（図４（ｅ））。次にＳｉＯ2 マ
スクを除去し、ｐ型全面に電極が形成できるように３回
目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト層３０を成長する
（図３，図４（ｆ））。
ｎ型（Ａｌ0.6Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２
２、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層２３、ｐ型（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ内側クラッド層２４、ｐ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストッパ層２５、ｐ型（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ外側クラッド層２６、ｐ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ緩衝層２７、ｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層２８を順次形成する。こうして成長したウェハーに
フォトリソグラフィにより幅７μｍのストライプ上のＳ
ｉＯ2 マスク３１を形成する（図４（ａ））。つぎにこ
のＳｉＯ2 マスク３１を用いてリン酸系のエッチング液
によりｐ型ＧａＡｓキャップ層２８をメサ上にエッチン
グする（図４（ｂ））。続いて塩酸系のエッチング液に
よりｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２５の上界面
までをメサ状にエッチングする（図４（ｃ））。つぎに
ｐ型ＧａＡｓキャップ層２８をリン酸系のエッチング液
により幅３μｍまでサイドエッチングする（図４
（ｄ））。そしてＳｉＯ2 マスクをつけたまま、二回目
の成長を行いエッチングしたところをｎ型ＧａＡｓブロ
ック層２９で埋め込む（図４（ｅ））。次にＳｉＯ2 マ
スクを除去し、ｐ型全面に電極が形成できるように３回
目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト層３０を成長する
（図３，図４（ｆ））。
【０００４】この構造により電流はｎ型ＧａＡｓ層２９
によりブロックされメサストライプ部にのみ注入され
る。また電流ブロック構造とメサ構造の部分との屈折率
差によって横モードを十分に制御できる。
によりブロックされメサストライプ部にのみ注入され
る。また電流ブロック構造とメサ構造の部分との屈折率
差によって横モードを十分に制御できる。
【０００５】以上のようにこの製造方法により、３回の
成長で屈折率導波型半導体レーザを製造することができ
る。
成長で屈折率導波型半導体レーザを製造することができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の図３の構造では
電流ブロック層として用いているｎ型ＧａＡｓ層のバン
ドギャップが活性層のバンドギャップよりも小さいた
め、ブロック層によって光が吸収され、共振器内での光
の損失が増大するため外部微分量子効率が下がり、また
ｎ型ブロック層とメサとの界面での波面の遅れにより、
非点収差が増大するという問題がある。更に、従来構造
の半導体レーザの製造方法では計３回の成長を必要と
し、エッチングストッパ層を形成したり、エッチャント
を２種類必要とするなど、工程が複雑であるという問題
点がある。
電流ブロック層として用いているｎ型ＧａＡｓ層のバン
ドギャップが活性層のバンドギャップよりも小さいた
め、ブロック層によって光が吸収され、共振器内での光
の損失が増大するため外部微分量子効率が下がり、また
ｎ型ブロック層とメサとの界面での波面の遅れにより、
非点収差が増大するという問題がある。更に、従来構造
の半導体レーザの製造方法では計３回の成長を必要と
し、エッチングストッパ層を形成したり、エッチャント
を２種類必要とするなど、工程が複雑であるという問題
点がある。
【０００７】本発明の目的は前述の電流ブロック層によ
る吸収の問題点を解決し、外部微分量子効率が大きく、
非点収差の小さい横モード制御構造の実屈折率導波型で
かつ電流狭窄型の半導体レーザを２回の成長で製造し提
供することにある。
る吸収の問題点を解決し、外部微分量子効率が大きく、
非点収差の小さい横モード制御構造の実屈折率導波型で
かつ電流狭窄型の半導体レーザを２回の成長で製造し提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザは
ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＩ
ｎＰもしくはそれらの量子井戸構造からなる活性層と、
この活性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなＡｌＧａ
ＩｎＰ内側クラッド層とからなるダブルヘテロ構造と、
前記クラッド層の上層に形成されたストライプ状のメサ
構造と、該メサの上部及び両脇に形成された活性層より
もバンドギャップが大きくクラッド層よりも屈折率の小
さい高抵抗のｐ型ＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰ電流
ブロック層と、該メサ側面上に形成された活性層よりバ
ンドギャップが大きくクラッド層より屈折率の小さなｐ
型ＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰ低抵抗層とを有する
ことを特徴としている。
ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＩ
ｎＰもしくはそれらの量子井戸構造からなる活性層と、
この活性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなＡｌＧａ
ＩｎＰ内側クラッド層とからなるダブルヘテロ構造と、
前記クラッド層の上層に形成されたストライプ状のメサ
構造と、該メサの上部及び両脇に形成された活性層より
もバンドギャップが大きくクラッド層よりも屈折率の小
さい高抵抗のｐ型ＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰ電流
ブロック層と、該メサ側面上に形成された活性層よりバ
ンドギャップが大きくクラッド層より屈折率の小さなｐ
型ＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰ低抵抗層とを有する
ことを特徴としている。
【０００９】本発明の半導体レーザの製造方法は表面が
（００１）面方位の半導体結晶基板上に、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、アンドープＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＧａＩｎＰまたはそれらの量子井戸構造からなる活性
層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、クラッド層を順次
気相成長する工程と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層をエッチン
グして側面が（１１１）面のメサストライプを形成する
工程と、前記メサストライプを覆って、各ｐ型層のドー
パントをＺｎとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層
及び低抵抗層、ｐ型ＧａＩｎＰ緩衝層、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層を順次気相成長する工程を少なくとも具備し
たことを特徴としている。
（００１）面方位の半導体結晶基板上に、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、アンドープＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＧａＩｎＰまたはそれらの量子井戸構造からなる活性
層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、クラッド層を順次
気相成長する工程と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層をエッチン
グして側面が（１１１）面のメサストライプを形成する
工程と、前記メサストライプを覆って、各ｐ型層のドー
パントをＺｎとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層
及び低抵抗層、ｐ型ＧａＩｎＰ緩衝層、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層を順次気相成長する工程を少なくとも具備し
たことを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の構造によれば、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電
流ブロック層及び低抵抗層は活性層よりもバンドギャッ
プが大きく、活性層からの光を吸収できないので光の損
失を減らすことができ、また非点収差を小さくすること
ができる。
流ブロック層及び低抵抗層は活性層よりもバンドギャッ
プが大きく、活性層からの光を吸収できないので光の損
失を減らすことができ、また非点収差を小さくすること
ができる。
【００１１】本発明の半導体レーザの製造方法では、活
性層よりバンドギャップが大きくクラッド層より屈折率
の小さなｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層及び低抵抗
層を成長する際、（１１１）面でのＺｎの結晶中への取
り込まれ率が（００１）面での取り込まれ率よりも高い
ことを利用して、メサ両脇のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層を高
抵抗にし、且つメサ側面上のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層を低
抵抗にするようなＺｎ原料の流量で成長するため、２回
の成長で電流狭窄型且つ実屈折率導波型の半導体レーザ
を製造できる。
性層よりバンドギャップが大きくクラッド層より屈折率
の小さなｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層及び低抵抗
層を成長する際、（１１１）面でのＺｎの結晶中への取
り込まれ率が（００１）面での取り込まれ率よりも高い
ことを利用して、メサ両脇のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層を高
抵抗にし、且つメサ側面上のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層を低
抵抗にするようなＺｎ原料の流量で成長するため、２回
の成長で電流狭窄型且つ実屈折率導波型の半導体レーザ
を製造できる。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例を図面を用いて説明する。図
１は本発明の半導体レーザの一実施例を示す断面図であ
り、図２はその製造工程図である。
１は本発明の半導体レーザの一実施例を示す断面図であ
り、図２はその製造工程図である。
【００１３】まず、１回目の減圧ＭＯＶＰＥ法による成
長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ、ｎ＝２×１０
１８ｃｍ−３）上にｎ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）
０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層２（ｎ＝５×１０１７ｃ
ｍ−３；厚さ１μｍ）、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層
３（アンドーブ；厚さ０．１μｍ）、ｐ型（Ａｌ０．６
Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ内側クラッド層４（厚
さ：１μｍ）、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチング
ストッパ層５、ｐ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉ
ｎ０．５Ｐ外側クラッド層６を順次形成した（図２
（ａ））。成長条件は温度６６０℃、圧力７０Ｔｏｒ
ｒ、５／３比１５０、キャリヤガス（Ｈ２）の全流量１
５リットル／分とした。原料としては、トリメチルイン
ジウム（ＴＭＩ：（ＣＨ３）３Ｉｎ）、トリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ：（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ：（ＣＨ３）３Ａｌ）、アルシン（Ａ
Ｈ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、ｎ型ドーパント：ジシ
ラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ｐ型ドーパント：ジメチルジンク
（ＤＭＺｎ：（ＣＨ３）２Ｚｎ）を用いた。こうして成
長したウェハーにフォトリソグラフィにより幅７μｍの
ストライプ上のＳｉＯ２マスクを形成した（図２
（ａ））。続いて塩酸系のエッチング液によりエッチン
グストッパ層の上界面までをメサ上にエッチングした
（図２（ｂ））。この際メサ側面は（１１１）面とな
る。次にＳｉＯ２マスクを除去した後に減圧ＭＯＶＰＥ
により、２回目の成長を行い、ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ
０．２ Ｐ電流ブロック層７及びｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ
０．５Ｐ低抵抗層８（厚さ：１μｍ）、Ｇａ ０．８ Ｉｎ
０．８ Ｐ緩衝層９（厚さ：０．１μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層１０（厚さ：２μｍ）を形成した（図２
（ｃ））。ここでｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐクラッド
電流ブロック層７及び低抵抗層８とｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ
０．５Ｐ緩衝層９とｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を形成
する際、ドーパント原料としてジメチルジンクを用いる
が、Ｚｎの結晶中への取り込まれ率は（１１１）面の方
が（０１１）面よりも大きいので、例えばジメチルジン
クの実質的な流量を１．３４×１０−６ｍｏｌ／ｍｉｎ
とすると、（１１１）面上に成長したＡｌＧａＩｎＰ層
は低抵抗に、（００１）面上に成長したＡｌＧａＩｎＰ
層は高抵抗となり、電流は低抵抗層の部分のみを流れ
る。最後に、Ｐ，ｎ両電極（図示省略）をそれぞれｐ型
ＧａＡｓコンタクト層、ｎ型ＧａＡｓ基板上に形成し
て、キャビティ長３００μｍにへき開して、個々のチッ
プに分離した。
長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ、ｎ＝２×１０
１８ｃｍ−３）上にｎ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）
０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層２（ｎ＝５×１０１７ｃ
ｍ−３；厚さ１μｍ）、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層
３（アンドーブ；厚さ０．１μｍ）、ｐ型（Ａｌ０．６
Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ内側クラッド層４（厚
さ：１μｍ）、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチング
ストッパ層５、ｐ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉ
ｎ０．５Ｐ外側クラッド層６を順次形成した（図２
（ａ））。成長条件は温度６６０℃、圧力７０Ｔｏｒ
ｒ、５／３比１５０、キャリヤガス（Ｈ２）の全流量１
５リットル／分とした。原料としては、トリメチルイン
ジウム（ＴＭＩ：（ＣＨ３）３Ｉｎ）、トリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ：（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ：（ＣＨ３）３Ａｌ）、アルシン（Ａ
Ｈ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、ｎ型ドーパント：ジシ
ラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ｐ型ドーパント：ジメチルジンク
（ＤＭＺｎ：（ＣＨ３）２Ｚｎ）を用いた。こうして成
長したウェハーにフォトリソグラフィにより幅７μｍの
ストライプ上のＳｉＯ２マスクを形成した（図２
（ａ））。続いて塩酸系のエッチング液によりエッチン
グストッパ層の上界面までをメサ上にエッチングした
（図２（ｂ））。この際メサ側面は（１１１）面とな
る。次にＳｉＯ２マスクを除去した後に減圧ＭＯＶＰＥ
により、２回目の成長を行い、ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ
０．２ Ｐ電流ブロック層７及びｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ
０．５Ｐ低抵抗層８（厚さ：１μｍ）、Ｇａ ０．８ Ｉｎ
０．８ Ｐ緩衝層９（厚さ：０．１μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層１０（厚さ：２μｍ）を形成した（図２
（ｃ））。ここでｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐクラッド
電流ブロック層７及び低抵抗層８とｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ
０．５Ｐ緩衝層９とｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を形成
する際、ドーパント原料としてジメチルジンクを用いる
が、Ｚｎの結晶中への取り込まれ率は（１１１）面の方
が（０１１）面よりも大きいので、例えばジメチルジン
クの実質的な流量を１．３４×１０−６ｍｏｌ／ｍｉｎ
とすると、（１１１）面上に成長したＡｌＧａＩｎＰ層
は低抵抗に、（００１）面上に成長したＡｌＧａＩｎＰ
層は高抵抗となり、電流は低抵抗層の部分のみを流れ
る。最後に、Ｐ，ｎ両電極（図示省略）をそれぞれｐ型
ＧａＡｓコンタクト層、ｎ型ＧａＡｓ基板上に形成し
て、キャビティ長３００μｍにへき開して、個々のチッ
プに分離した。
【００１４】上述の製作工程においてメサ幅は上部４μ
ｍ、下部で７μｍとなった。こうして得られた本発明の
半導体レーザの外部微分量子効率をメサ幅４μｍの従来
構造の半導体レーザと比較したところ、従来構造の半導
体レーザが０．４３の外部微分量子効率を持つのに比
べ、本発明の半導体レーザでは外部微分量子効率が０．
５０と向上し、２５℃、３ｍＷでの駆動電流値が５０ｍ
Ａから４０ｍＡと減少した。また、非点収差は従来の７
μｍから４μｍ以下となった。以上述べた実施例では活
性層をＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ、クラッド層を（Ａｌ
０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐとしたが、活性
層組成は製作する半導体レーザに要求される発振波長要
件を満たす組成、材料もしくは量子井戸にすれば良く、
クラッド層組成は用いる活性層に対して光キャリヤの閉
じこめが十分にできる組成、材料を選べば良い。また、
半導体レーザに要求される特性によりＳＣＨ構造にする
こともできる。更に、ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐ電流
ブロック層７及び低抵抗層８は活性層よりもバンドギャ
ップが大きく、クラッド層よりも屈折率の小さければ他
の組成、材料であっても良い。
ｍ、下部で７μｍとなった。こうして得られた本発明の
半導体レーザの外部微分量子効率をメサ幅４μｍの従来
構造の半導体レーザと比較したところ、従来構造の半導
体レーザが０．４３の外部微分量子効率を持つのに比
べ、本発明の半導体レーザでは外部微分量子効率が０．
５０と向上し、２５℃、３ｍＷでの駆動電流値が５０ｍ
Ａから４０ｍＡと減少した。また、非点収差は従来の７
μｍから４μｍ以下となった。以上述べた実施例では活
性層をＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ、クラッド層を（Ａｌ
０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐとしたが、活性
層組成は製作する半導体レーザに要求される発振波長要
件を満たす組成、材料もしくは量子井戸にすれば良く、
クラッド層組成は用いる活性層に対して光キャリヤの閉
じこめが十分にできる組成、材料を選べば良い。また、
半導体レーザに要求される特性によりＳＣＨ構造にする
こともできる。更に、ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐ電流
ブロック層７及び低抵抗層８は活性層よりもバンドギャ
ップが大きく、クラッド層よりも屈折率の小さければ他
の組成、材料であっても良い。
【００１５】
【発明の効果】このように本発明により、外部微分量子
効率が大きく、非点収差の小さい半導体レーザが簡便な
手法で製作できる。
効率が大きく、非点収差の小さい半導体レーザが簡便な
手法で製作できる。
【図１】本発明の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の半導体レーザの製作工程を示す断面図
【図３】従来の半導体レーザの例を示す断面図。
【図４】従来の半導体レーザの製作工程を示す断面図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ
クラッド層 ３ Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層 ４ ｐ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ
内側クラッド層 ５ ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチングストッパ層 ６ ｐ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ
外側クラッド層 ７ ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐ電流ブロック層 ８ ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐ低抵抗層 ９ ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ緩衝層 １０ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １１ ＳｉＯ２膜
クラッド層 ３ Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層 ４ ｐ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ
内側クラッド層 ５ ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチングストッパ層 ６ ｐ型（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ
外側クラッド層 ７ ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐ電流ブロック層 ８ ｐ型Ａｌ ０．８ Ｉｎ ０．２ Ｐ低抵抗層 ９ ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ緩衝層 １０ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １１ ＳｉＯ２膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰもし
くはＡｌＧａＩｎＰもしくはそれらの量子井戸構造から
なる活性層と、この活性層を挟み活性層よりも屈折率の
小さなＡｌＧａＩｎＰ内側クラッド層とからなるダブル
ヘテロ構造と、前記クラッド層の上側に形成されたスト
ライプ状のメサ構造と、該メサの上部及び両脇に活性層
よりもバンドギャップが大きくクラッド層よりも屈折率
の小さい高抵抗のｐ型ＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰ
電流ブロック層と、該メサ側面上に形成された活性層よ
りバンドギャップが大きくクラッド層より屈折率の小さ
なｐ型ＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰ低抵抗層とを有
することを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 表面が（００１）面方位の半導体結晶基
板上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、アンドープＧ
ａＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰまたはそれらの量子井
戸構造からなる活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
を順次気相成長する工程と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層をエ
ッチングして側面が（１１１）面のメサストライプを形
成する工程と、前記メサストライプを覆って、各ｐ型層
のドーパントをＺｎとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロ
ック及び低抵抗層、ｐ型ＧａＩｎＰ緩衝層、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層を順次気相成長する工程を少なくとも具
備したことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP408291A JP2699662B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 半導体レーザとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP408291A JP2699662B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 半導体レーザとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243180A JPH04243180A (ja) | 1992-08-31 |
| JP2699662B2 true JP2699662B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=11574864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP408291A Expired - Fee Related JP2699662B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 半導体レーザとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699662B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07240562A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP408291A patent/JP2699662B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04243180A (ja) | 1992-08-31 |
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