JPH0437598B2 - - Google Patents
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- JPH0437598B2 JPH0437598B2 JP58053621A JP5362183A JPH0437598B2 JP H0437598 B2 JPH0437598 B2 JP H0437598B2 JP 58053621 A JP58053621 A JP 58053621A JP 5362183 A JP5362183 A JP 5362183A JP H0437598 B2 JPH0437598 B2 JP H0437598B2
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- optical waveguide
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- semiconductor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Description
【発明の詳細な説明】
(ア) 発明の技術分野
本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関する
ものであり、より詳しく述べるならば、半導体基
板上に異なる高さに形成された２つの活性層から
レーザ発振可能な半導体レーザ素子の製造方法に
関するものである。
ものであり、より詳しく述べるならば、半導体基
板上に異なる高さに形成された２つの活性層から
レーザ発振可能な半導体レーザ素子の製造方法に
関するものである。
(イ) 従来技術と問題点
近年、半導体レーザ素子は研究開発が進み光通
信、高密度記録再生、光計測、光情報処理関係な
どの分野での光源として使用されるようになつて
きた。半導体レーザの材料、構造などがらいろい
ろと提案されている（例えば、末松安晴、荒井滋
久：長波長光通信用光源、電子材料、1979年12月
号、pp.27−34、参照）。しかしながら、ひとつの
半導体レーザにおいて異なる２波長のレーザを発
振する（すなわち、２つの活性層を有する）もの
はあまり提案されていない。
信、高密度記録再生、光計測、光情報処理関係な
どの分野での光源として使用されるようになつて
きた。半導体レーザの材料、構造などがらいろい
ろと提案されている（例えば、末松安晴、荒井滋
久：長波長光通信用光源、電子材料、1979年12月
号、pp.27−34、参照）。しかしながら、ひとつの
半導体レーザにおいて異なる２波長のレーザを発
振する（すなわち、２つの活性層を有する）もの
はあまり提案されていない。
(ウ) 発明の目的
本発明の目的は、異なる波長のレーザ発振が可
能となる複数の活性層を有する半導体レーザ素子
の製造方法を提供することである。
能となる複数の活性層を有する半導体レーザ素子
の製造方法を提供することである。
(エ) 発明の構成
上述の目的が、下記工程(ア)〜(ク)：
(ア)半導体単結晶基板の上にストライプ状凸部分
がこの基板に到達する第１光導波層を形成する工
程；(イ)この第１光導波層上に第１活性層を形成す
る工程；(ウ)この第１活性層上にクラツド層兼第１
コンタクト層を構成する半導体層を形成する工
程；(エ)前記半導体層上に第２活性層を形成する工
程；(オ)この第２活性層上にストライプ状凸部分を
有する第２光導波層を形成する工程；(カ)この第２
光導波層上に第２コンタクト層を形成する工程；
(キ)選択的エツチングによつて第１コンタクト層の
上方にある第２コンタクト層、第２光導波層、第
２活性層さらにこの第１コンタクト層部分の一部
を選択的に除去する工程；および(ク)半導体結晶基
板、第１コンタクト層、および第２コンタクト層
のそれぞれの上に電極層を形成する工程；を含ん
でなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造
方法によつて達成される。
がこの基板に到達する第１光導波層を形成する工
程；(イ)この第１光導波層上に第１活性層を形成す
る工程；(ウ)この第１活性層上にクラツド層兼第１
コンタクト層を構成する半導体層を形成する工
程；(エ)前記半導体層上に第２活性層を形成する工
程；(オ)この第２活性層上にストライプ状凸部分を
有する第２光導波層を形成する工程；(カ)この第２
光導波層上に第２コンタクト層を形成する工程；
(キ)選択的エツチングによつて第１コンタクト層の
上方にある第２コンタクト層、第２光導波層、第
２活性層さらにこの第１コンタクト層部分の一部
を選択的に除去する工程；および(ク)半導体結晶基
板、第１コンタクト層、および第２コンタクト層
のそれぞれの上に電極層を形成する工程；を含ん
でなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造
方法によつて達成される。
本発明に係る半導体レーザ素子は、いわゆる平
凸導波路（Plano−Convex Waveguide）型レー
ザと呼ばれる構造であり、光導波層の厚い凸部で
は平坦部分よりも光が多く導波層にしみ出して導
波されるため、凸部と平坦部分とで実効的な屈折
率差が生じ、安定な基本横モードが導波される。
凸導波路（Plano−Convex Waveguide）型レー
ザと呼ばれる構造であり、光導波層の厚い凸部で
は平坦部分よりも光が多く導波層にしみ出して導
波されるため、凸部と平坦部分とで実効的な屈折
率差が生じ、安定な基本横モードが導波される。
第１および第２活性層を単一ないし複数の超薄
膜の量子井戸（quantum−well）とすることは
好ましく、このことにより低しき値、高効率の半
導体レーザ素子となる。
膜の量子井戸（quantum−well）とすることは
好ましく、このことにより低しき値、高効率の半
導体レーザ素子となる。
２つの活性層の組成を制御することによつて異
なる波長のレーザ素子あるいは同一波長のレーザ
素子が得られる。
なる波長のレーザ素子あるいは同一波長のレーザ
素子が得られる。
(オ) 発明の実施態様
以下、添付図面に関連した本発明の実施態様例
によつて本発明を詳細に説明する。
によつて本発明を詳細に説明する。
第７図に示した本発明に係る製造方法によつて
製作された半導体レーザ素子は、半導体基板１上
に２つの活性層８，１０を有しかつこれら活性層
の間のクラツド層９が電極１８のコンタクト層を
兼ねており、光導波層６，１１のストライプ状凸
部７，１３に対応する活性層８，１０の部分から
異なる波長のレーザが発振される。この半導体レ
ーザ素子の製造工程を添付図面を参照して説明す
る。
製作された半導体レーザ素子は、半導体基板１上
に２つの活性層８，１０を有しかつこれら活性層
の間のクラツド層９が電極１８のコンタクト層を
兼ねており、光導波層６，１１のストライプ状凸
部７，１３に対応する活性層８，１０の部分から
異なる波長のレーザが発振される。この半導体レ
ーザ素子の製造工程を添付図面を参照して説明す
る。
第１図に示すようにGaAsあるいはInPなどの
ウエハである半導体基板１上に第１電流阻止層２
をエピタキシヤル成長法で形成する。この電流阻
止層２は、例えば、ｐ型GaAs基板であるなら
ば、ｎ型GaAs層である。この第１電流阻止層２
上にSiO2，SiN4などのマスク層３をスパツタ法
又はCVD法によつて形成し、フオトリソグラフ
イー（フオトエツチング）法によつて〈110〉方
向にストライプ状の窓４を形成する。
ウエハである半導体基板１上に第１電流阻止層２
をエピタキシヤル成長法で形成する。この電流阻
止層２は、例えば、ｐ型GaAs基板であるなら
ば、ｎ型GaAs層である。この第１電流阻止層２
上にSiO2，SiN4などのマスク層３をスパツタ法
又はCVD法によつて形成し、フオトリソグラフ
イー（フオトエツチング）法によつて〈110〉方
向にストライプ状の窓４を形成する。
次に、マスク層３をマスクとして適切なエツチ
ヤントで電流阻止層２および半導体基板１の一部
をエツチングしてストライプ状の溝５を第２図の
ように形成する。
ヤントで電流阻止層２および半導体基板１の一部
をエツチングしてストライプ状の溝５を第２図の
ように形成する。
マスク層３を除去した後で、第３図に示すよう
に第１光導波層６を溝５を埋めかつその表面が平
坦となるようにエピタキシヤル成長させる。溝５
を埋めている凸部７での厚さd1と平坦部での厚さ
d2との比d1／d2が大きいほど好ましい。この第１
光導波層６は、例えば、ｐ型GaAs基板ならば、
ｐ型GaAlAs層である。
に第１光導波層６を溝５を埋めかつその表面が平
坦となるようにエピタキシヤル成長させる。溝５
を埋めている凸部７での厚さd1と平坦部での厚さ
d2との比d1／d2が大きいほど好ましい。この第１
光導波層６は、例えば、ｐ型GaAs基板ならば、
ｐ型GaAlAs層である。
次に、第１光導波層６の上に第１活性層８をエ
ピタキシヤル成長で形成する。この活性層は、例
えば、GaAs基板であるならばGaAs層又は
AlGaAs層であり、InP基板であるならば
InGaAsP層であり、液相エピタキシヤル成長
（LPE）法、気相エピタキシヤル成長（VPE）法
又は有機金属熱分解法（MO−CVD）法により
形成する。この第１活性層８を第４図に示したよ
うに超薄膜からなる（すなわち、超格子構造の）
量子井戸にすることが特に好ましい。量子井戸は
一層又は複数層のウエルとそれをはさむバリヤと
からなり共に厚さが数ナノメートル（ｎｍ）の超
薄膜であつて、GaAs系ならば分子量エピタキシ
ー（MBE）によつて形成され、また、InP系な
らばMBE法、VPE法又はMO−CVD法によつて
形成できる。第１活性層８の上にクラツド層９
が、第２活性層１０が、さらにその上に第２光導
波層１１がエピタキシヤル成長で形成される（第
４図）。第２活性層１０は第１活性層８と同様な
ものが、その組成を第１活性層と異なるようにし
て異なる２つの波長のレーザが発振されることが
好ましい。また、第２光導波層１１は、第１光導
波層６と同様なものであり、例えば、ｐ型
GaAlAs層である。さらに、第２光導波層１１の
上にSiO2，Si3N4などをスパツタ法又はCVD法に
よつて層状に形成し、それをフオトリソグラフイ
ー法によつて〈110〉方向にストライプ状に残し
てストライプマスク層１２を形成する。
ピタキシヤル成長で形成する。この活性層は、例
えば、GaAs基板であるならばGaAs層又は
AlGaAs層であり、InP基板であるならば
InGaAsP層であり、液相エピタキシヤル成長
（LPE）法、気相エピタキシヤル成長（VPE）法
又は有機金属熱分解法（MO−CVD）法により
形成する。この第１活性層８を第４図に示したよ
うに超薄膜からなる（すなわち、超格子構造の）
量子井戸にすることが特に好ましい。量子井戸は
一層又は複数層のウエルとそれをはさむバリヤと
からなり共に厚さが数ナノメートル（ｎｍ）の超
薄膜であつて、GaAs系ならば分子量エピタキシ
ー（MBE）によつて形成され、また、InP系な
らばMBE法、VPE法又はMO−CVD法によつて
形成できる。第１活性層８の上にクラツド層９
が、第２活性層１０が、さらにその上に第２光導
波層１１がエピタキシヤル成長で形成される（第
４図）。第２活性層１０は第１活性層８と同様な
ものが、その組成を第１活性層と異なるようにし
て異なる２つの波長のレーザが発振されることが
好ましい。また、第２光導波層１１は、第１光導
波層６と同様なものであり、例えば、ｐ型
GaAlAs層である。さらに、第２光導波層１１の
上にSiO2，Si3N4などをスパツタ法又はCVD法に
よつて層状に形成し、それをフオトリソグラフイ
ー法によつて〈110〉方向にストライプ状に残し
てストライプマスク層１２を形成する。
次に、第２光導波層１１を適切なエツチヤント
でエツチングしてストライプマスク層１２の下に
凸部１３を第５図のように形成する。さらにスト
ライプマスク層１２を残こしたままで、第２電流
阻止層１４を第２光導波層１１上にその凸部１３
の高さまでエピタキシヤル成長させる。そして、
ストライプマスク層１２を除去する。この電流阻
止層１４は第１電流阻止層と同様なものであり、
例えば、ｎ型GaAs層である。
でエツチングしてストライプマスク層１２の下に
凸部１３を第５図のように形成する。さらにスト
ライプマスク層１２を残こしたままで、第２電流
阻止層１４を第２光導波層１１上にその凸部１３
の高さまでエピタキシヤル成長させる。そして、
ストライプマスク層１２を除去する。この電流阻
止層１４は第１電流阻止層と同様なものであり、
例えば、ｎ型GaAs層である。
第６図に示すように、第２電流阻止層１４およ
び第２光導波層１１の凸部１３の上にコンタクト
層１５をエピタキシヤル成長させる。このコンタ
クト層１５は、例えば、ｐ型GaAs基板であるな
らば、ｐ型GaAs層である。そして、コンタクト
層１５の上にSiO2，Si3N4などの層をスパツタ法
又はCVD法によつて形成し、それをフオトソグ
ラフイー法によつてストライプ状凸部１３を含む
領域の上方は残すようにエツチングしてマスク層
１６を形成する。
び第２光導波層１１の凸部１３の上にコンタクト
層１５をエピタキシヤル成長させる。このコンタ
クト層１５は、例えば、ｐ型GaAs基板であるな
らば、ｐ型GaAs層である。そして、コンタクト
層１５の上にSiO2，Si3N4などの層をスパツタ法
又はCVD法によつて形成し、それをフオトソグ
ラフイー法によつてストライプ状凸部１３を含む
領域の上方は残すようにエツチングしてマスク層
１６を形成する。
次に、マスク層１６をマスクとして適切なエツ
チヤントによつて、第７図に示すように、コンタ
クト層１５、第２電流阻止層１４、第２光導波層
１１および第２活性層１０をエツチングし、さら
に、クラツド層９の一部もエツチングする。
チヤントによつて、第７図に示すように、コンタ
クト層１５、第２電流阻止層１４、第２光導波層
１１および第２活性層１０をエツチングし、さら
に、クラツド層９の一部もエツチングする。
GaAs系の多層構造であれば、エツチング液と
してはH2SO4／H2O2／H2Ｏ系のエツチング液が
適している。マスク層１６を除去した後で、コン
タクト層１５の上に電極１７を、クラツド層９の
表出部分（すなわち、コンタクト層として働く部
分）の上に電極１８を、および半導体基板１上に
も電極１９を形成する。電極１８は第１および第
２活性層８，１０に関して共通電極である。そし
て、ウエハをへき開することによつて個々の半導
体レーザ素子のチツプにする。
してはH2SO4／H2O2／H2Ｏ系のエツチング液が
適している。マスク層１６を除去した後で、コン
タクト層１５の上に電極１７を、クラツド層９の
表出部分（すなわち、コンタクト層として働く部
分）の上に電極１８を、および半導体基板１上に
も電極１９を形成する。電極１８は第１および第
２活性層８，１０に関して共通電極である。そし
て、ウエハをへき開することによつて個々の半導
体レーザ素子のチツプにする。
上述した製造工程でのエピタキシヤル成長は、
量子井戸の活性層以外は、LPE法、VPE法、MO
−CVD法のいずれかの方法を適切に選んで行な
うことができるが、LPE法が最も好ましい。
量子井戸の活性層以外は、LPE法、VPE法、MO
−CVD法のいずれかの方法を適切に選んで行な
うことができるが、LPE法が最も好ましい。
半導体層の導電性を上述した場合とは逆の導電
性としてもよい。
性としてもよい。
電流阻止層は上述の場合ではPN接合を利用し
ているが、高抵抗層であつてもよい。
ているが、高抵抗層であつてもよい。
実施例
ｐ型（001）GaAs基板１（Znドープ、ｐ＝１
×1018cm-3、厚さ約350μｍ）を用意して、その上
にLPE法によつてｎ−GaAs電流阻止層２（Teド
ープ、ｎ＝１×1018cm-3、厚さ約1μｍ）を成長さ
せる。次に、SiO2スパツタ層３（厚さ約0.3μｍ）
を電流阻止層２上に形成し、フオトリソグラフイ
ーで〈110〉方向のストライプ状窓４を形成する。
SiO2スパツタ層３の窓４を通してH2SO4／H2
O2／H2Ｏ系エツチング液で電流阻止層２および
その下のGaAs基板１をエツチングしてストライ
プ状溝５を形成する。そして、SiO2スパツタ層
３を希HFで除去する。ｐ−Ga0.7Al0.3As第１光
導波層６（Znドープ、ｐ＝５×1017cm-3）をLPE
法により形成して、凸部７で厚さd1約2.5μｍかつ
平坦部で厚さd2約０，5μｍの表面平坦な層とす
る。その上に複数の超薄膜からなる量子井戸型活
性層８をMBE法によつて形成する。まず、ウエ
ルであるGa0.5As層（厚さ約１−nm）を次にバリ
アであるGa0.7Al0.3As層（厚さ約10nｍ）を形成
するようにして４層のウエルと３層のバリアで量
子井戸の活性層とする。次に、ｎ−Ga0.7Al0.3As
クラツド層９（Teドープ、ｎ＝１〜４×1018cm-
３、厚さ約2μｍ）をLPEで形成する。量子井戸型
活性層１０を４層のGaAs層ウエル（厚さ約10n
ｍ）と３層のGa0.7Al0.3As層（厚さ約10nｍ）の
バリアとの組合せでMBE法により形成する。こ
の活性層１０の上にｐ−Ga0.7Al0.3As第２光導波
層１１（Znドープ、ｐ＝５×1017cm-3、厚さ約2μ
ｍ）をLPE法によつて形成する。次に、SiO2ス
パツタ層（厚さ約０，2μｍ）を形成し、フオト
リソグラフイーで〈110〉方向のストライプマス
ク層１２とする。このSiO2マスク層１２をマス
クとしてH2SO4／H2O2／H2Ｏ系エツチング液で
第２光導波層１１の一部をエツチングしてストラ
イプ状凸部１３を形成する。このSiO2マスク層
１２を付けたままでLPEによつてｎ−GaAs第２
電流阻止層１４（Teドープ、ｎ＝４×1018cm-3、
厚さ約1μｍ）をほぼ凸部１３の高さまで形成す
る。SiO2マスク層１２を希HFで除去する。第２
電流阻止層１４および凸部１３の上にｐ−GaAs
コンタクト層１５（Znドープ、ｐ＝１×1019cm-
３、厚さ1.5〜2μｍ）をLPE法により形成する。こ
のコンタクト層１５の上にSiO2スパツタ層１６
を形成し、フオトリソグラフイーでストライプ凸
部１３の上方領域に残す。このSiO2スパツタ層
１６で覆われていない部分のコンタクト層１５、
第２電流阻止層１４、第２光導波層１１、第２活
性層１０さらにクラツド層９の一部までもH2
SO4／H2O2／H2Ｏ系エツチング液でエツチング
除去する。SiO2スパツタ層１６を希HFで除去し
た後で、コンタクト層１５の上にｐ−電極１７
（Au／Zn）を、クラツド層９の表出部分の上に
ｎ−電極１８（Au／Ge／Ni）をそしてGaAs基
板１上にｐ電極１９（Au／Zn）を公知の方法で
形成する。そして、へき開によつて半導体レーザ
チツプ（長さ＝共振器長約250μｍ、幅約300μｍ）
にする。
×1018cm-3、厚さ約350μｍ）を用意して、その上
にLPE法によつてｎ−GaAs電流阻止層２（Teド
ープ、ｎ＝１×1018cm-3、厚さ約1μｍ）を成長さ
せる。次に、SiO2スパツタ層３（厚さ約0.3μｍ）
を電流阻止層２上に形成し、フオトリソグラフイ
ーで〈110〉方向のストライプ状窓４を形成する。
SiO2スパツタ層３の窓４を通してH2SO4／H2
O2／H2Ｏ系エツチング液で電流阻止層２および
その下のGaAs基板１をエツチングしてストライ
プ状溝５を形成する。そして、SiO2スパツタ層
３を希HFで除去する。ｐ−Ga0.7Al0.3As第１光
導波層６（Znドープ、ｐ＝５×1017cm-3）をLPE
法により形成して、凸部７で厚さd1約2.5μｍかつ
平坦部で厚さd2約０，5μｍの表面平坦な層とす
る。その上に複数の超薄膜からなる量子井戸型活
性層８をMBE法によつて形成する。まず、ウエ
ルであるGa0.5As層（厚さ約１−nm）を次にバリ
アであるGa0.7Al0.3As層（厚さ約10nｍ）を形成
するようにして４層のウエルと３層のバリアで量
子井戸の活性層とする。次に、ｎ−Ga0.7Al0.3As
クラツド層９（Teドープ、ｎ＝１〜４×1018cm-
３、厚さ約2μｍ）をLPEで形成する。量子井戸型
活性層１０を４層のGaAs層ウエル（厚さ約10n
ｍ）と３層のGa0.7Al0.3As層（厚さ約10nｍ）の
バリアとの組合せでMBE法により形成する。こ
の活性層１０の上にｐ−Ga0.7Al0.3As第２光導波
層１１（Znドープ、ｐ＝５×1017cm-3、厚さ約2μ
ｍ）をLPE法によつて形成する。次に、SiO2ス
パツタ層（厚さ約０，2μｍ）を形成し、フオト
リソグラフイーで〈110〉方向のストライプマス
ク層１２とする。このSiO2マスク層１２をマス
クとしてH2SO4／H2O2／H2Ｏ系エツチング液で
第２光導波層１１の一部をエツチングしてストラ
イプ状凸部１３を形成する。このSiO2マスク層
１２を付けたままでLPEによつてｎ−GaAs第２
電流阻止層１４（Teドープ、ｎ＝４×1018cm-3、
厚さ約1μｍ）をほぼ凸部１３の高さまで形成す
る。SiO2マスク層１２を希HFで除去する。第２
電流阻止層１４および凸部１３の上にｐ−GaAs
コンタクト層１５（Znドープ、ｐ＝１×1019cm-
３、厚さ1.5〜2μｍ）をLPE法により形成する。こ
のコンタクト層１５の上にSiO2スパツタ層１６
を形成し、フオトリソグラフイーでストライプ凸
部１３の上方領域に残す。このSiO2スパツタ層
１６で覆われていない部分のコンタクト層１５、
第２電流阻止層１４、第２光導波層１１、第２活
性層１０さらにクラツド層９の一部までもH2
SO4／H2O2／H2Ｏ系エツチング液でエツチング
除去する。SiO2スパツタ層１６を希HFで除去し
た後で、コンタクト層１５の上にｐ−電極１７
（Au／Zn）を、クラツド層９の表出部分の上に
ｎ−電極１８（Au／Ge／Ni）をそしてGaAs基
板１上にｐ電極１９（Au／Zn）を公知の方法で
形成する。そして、へき開によつて半導体レーザ
チツプ（長さ＝共振器長約250μｍ、幅約300μｍ）
にする。
(カ) 発明の効果
本発明によつて波長の異なる２つのレーザをひ
とつの半導体レーザから発振することが可能にな
り、しかも個々独立して動作できる。量子井戸型
活性層とすることによつて低しき値電流でかつ高
効率の半導体レーザでもある。
とつの半導体レーザから発振することが可能にな
り、しかも個々独立して動作できる。量子井戸型
活性層とすることによつて低しき値電流でかつ高
効率の半導体レーザでもある。
第１図ないし第７図は、本発明に係る半導体レ
ーザの製造工程を説明する半導体レーザの概略断
面図である。 １……半導体基板、６……第１光導波層、７…
…凸部、８……第１活性層、９……クラツド層、
１０……第２活性層、１１……第２光導波層、１
３……凸部、１５……コンタクト層、１７，１
８，１９……電極。
ーザの製造工程を説明する半導体レーザの概略断
面図である。 １……半導体基板、６……第１光導波層、７…
…凸部、８……第１活性層、９……クラツド層、
１０……第２活性層、１１……第２光導波層、１
３……凸部、１５……コンタクト層、１７，１
８，１９……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記工程(ア)〜(ク)： (ア) 半導体単結晶基板の上にストライプ状凸部分
がこの基板に到達する第１光導波層を形成する
工程； (イ) この第１光導波層上に第１活性層を形成する
工程； (ウ) この第１活性層上にクラツド層兼第１コンタ
クト層を構成する半導体層を形成する工程； (エ) 前記半導体層上に第２活性層を形成する工
程； (オ) この第２活性層上にストライプ状凸部分を有
する第２光導波層を形成する工程； (カ) この第２光導波層上に第２コンタクト層を形
成する工程； (キ) 選択的エツチングによつて前記第１コンタク
ト層の上方にある前記第２コンタクト層、第２
光導波層、第２活性層さらにこの第１コンタク
ト層部分の一部を選択的に除去する工程；およ
び (ク) 前記半導体結晶基板、第１コンタクト層、お
よび第２コンタクト層のそれぞれの上に電極層
を形成する工程； を含んでなることを特徴とする半導体レーザ素子
の製造方法。 ２ 前記第１活性層および第２活性層を量子井戸
構造とすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体レーザ素子の製造方法。 ３ 前記半導体結晶基板上に、第１電流阻止層を
介して前記第１光導波層を形成することにより、
該第１光導波層のストライプ状凸部の両側に該第
１電流阻止層を形成することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子の製造方
法。 ４ 前記第２光導波層上に、第２電流阻止層を介
して前記第２コンタクト層を形成することによ
り、該第２光導波層のストライプ状凸部の両側に
該第２電流阻止層を形成することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5362183A JPS59181587A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5362183A JPS59181587A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181587A JPS59181587A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0437598B2 true JPH0437598B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=12947973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5362183A Granted JPS59181587A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181587A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423378A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH07111357A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| KR100705738B1 (ko) | 2005-09-16 | 2007-04-09 | 강봉섭 | 전해질이 분할된 리튬 전지 |
| KR100874896B1 (ko) | 2007-01-04 | 2008-12-19 | 한국과학기술연구원 | 좁은 광퍼짐을 갖는 반도체 레이저 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164588A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light amplifier |
| JPS57152178A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting device with super lattice structure |
| JPS57155790A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Hitachi Ltd | Optical transmission module |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5362183A patent/JPS59181587A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164588A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light amplifier |
| JPS57152178A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting device with super lattice structure |
| JPS57155790A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Hitachi Ltd | Optical transmission module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59181587A (ja) | 1984-10-16 |
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