JPH0629618A - マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH0629618A JPH0629618A JP18381292A JP18381292A JPH0629618A JP H0629618 A JPH0629618 A JP H0629618A JP 18381292 A JP18381292 A JP 18381292A JP 18381292 A JP18381292 A JP 18381292A JP H0629618 A JPH0629618 A JP H0629618A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザにも適用で
きるマルチビーム半導体レーザを提供すること。 【構成】 同一の半導体基板１上に２つのビームＡ、Ｂ
を有し、半導体基板１の裏面に共通電極１０を設けると
共に表面にビーム毎に分離された電極９を設けることに
より各ビームＡ，Ｂを相互独立に駆動できるようにした
マルチビーム半導体レーザにおいて、各ビームの活性層
４を溝１２およびその表面を覆った窒化シリコン膜１１
で分断している。これにより、ビームＡおよびＢの間の
電流のクロストークを防ぐことができ、独立駆動が可能
となる。
きるマルチビーム半導体レーザを提供すること。 【構成】 同一の半導体基板１上に２つのビームＡ、Ｂ
を有し、半導体基板１の裏面に共通電極１０を設けると
共に表面にビーム毎に分離された電極９を設けることに
より各ビームＡ，Ｂを相互独立に駆動できるようにした
マルチビーム半導体レーザにおいて、各ビームの活性層
４を溝１２およびその表面を覆った窒化シリコン膜１１
で分断している。これにより、ビームＡおよびＢの間の
電流のクロストークを防ぐことができ、独立駆動が可能
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ、特に、同
一の半導体チップ上に相互に独立に駆動できる複数のビ
ームを持ったマルチビーム半導体レーザに関するもので
ある。
一の半導体チップ上に相互に独立に駆動できる複数のビ
ームを持ったマルチビーム半導体レーザに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】現在、レーザプリンタや光ディスクなど
に半導体レーザが広く用いられているが、そのプリンタ
の描画速度や光ディスクのデータ転送速度は必ずしも十
分大きくはない。この場合、１つの半導体レーザ基板
に、相互に近接し且つ独立に駆動できる２本のレーザビ
ームを設けることができれば、１つの光学系で２倍の描
画速度あるいはデータ転送速度をもつシステムを作るこ
とができると期待されるため、最近そのようなマルチビ
ーム半導体レーザの研究が行われている。現在用いられ
ているこの種のレーザはＡｌＧａＡｓ系のものであり、
波長が０．７８〜０．８４μｍ程度で、各ビーム毎に別
々に結晶成長させた活性層が用いられている。
に半導体レーザが広く用いられているが、そのプリンタ
の描画速度や光ディスクのデータ転送速度は必ずしも十
分大きくはない。この場合、１つの半導体レーザ基板
に、相互に近接し且つ独立に駆動できる２本のレーザビ
ームを設けることができれば、１つの光学系で２倍の描
画速度あるいはデータ転送速度をもつシステムを作るこ
とができると期待されるため、最近そのようなマルチビ
ーム半導体レーザの研究が行われている。現在用いられ
ているこの種のレーザはＡｌＧａＡｓ系のものであり、
波長が０．７８〜０．８４μｍ程度で、各ビーム毎に別
々に結晶成長させた活性層が用いられている。
【０００３】一方、これとは別に、波長が０．６〜０．
７μｍの赤色のレーザ光を放射するＡｌＧａＩｎＰ系の
半導体レーザの開発が進んでいる。ＡｌＧａＡｓ系の半
導体レーザをＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに置き換
えることができれば、レーザプリンタにおいて、より高
感度の感光材を用いることや、光スポットをより小さく
絞り込むことが可能となり、印字速度の高速化を実現で
きることが予想される。また、光ディスクにおいては、
光スポットをより小さく絞り込むことができるため、大
容量化が可能となる。
７μｍの赤色のレーザ光を放射するＡｌＧａＩｎＰ系の
半導体レーザの開発が進んでいる。ＡｌＧａＡｓ系の半
導体レーザをＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに置き換
えることができれば、レーザプリンタにおいて、より高
感度の感光材を用いることや、光スポットをより小さく
絞り込むことが可能となり、印字速度の高速化を実現で
きることが予想される。また、光ディスクにおいては、
光スポットをより小さく絞り込むことができるため、大
容量化が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このＡｌＧ
ａＩｎＰ系材料による場合、ＡｌＧａＡｓ系におけるよ
うなマルチビーム化の技術が十分に開発されていない。
すなわち、ＡｌＧａＡｓ系のマルチビーム半導体レーザ
のように、各ビーム毎に活性層を結晶成長させ、適当な
材料を用いてこれを埋め込むという構造のものでは各ビ
ームを互いに独立に駆動できるマルチビーム半導体レー
ザとして十分な発振特性のものを得られない。
ａＩｎＰ系材料による場合、ＡｌＧａＡｓ系におけるよ
うなマルチビーム化の技術が十分に開発されていない。
すなわち、ＡｌＧａＡｓ系のマルチビーム半導体レーザ
のように、各ビーム毎に活性層を結晶成長させ、適当な
材料を用いてこれを埋め込むという構造のものでは各ビ
ームを互いに独立に駆動できるマルチビーム半導体レー
ザとして十分な発振特性のものを得られない。
【０００５】本発明の目的は、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導
体レーザにおいても、複数のビームを相互独立に駆動で
きるマルチビーム半導体レーザを得ることにある。
体レーザにおいても、複数のビームを相互独立に駆動で
きるマルチビーム半導体レーザを得ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のマルチビーム半
導体レーザは、各ビームの活性層が、表面から掘り込ま
れた溝によって分離されており、この溝は誘電体で覆わ
れているものである。
導体レーザは、各ビームの活性層が、表面から掘り込ま
れた溝によって分離されており、この溝は誘電体で覆わ
れているものである。
【０００７】また、本発明のマルチビーム半導体レーザ
の製造方法は、半導体基板上に第１クラッド層、活性
層、第２クラッド層およびキャップ層を形成する第１の
工程と、その表面から第２クラッド層の途中までを所定
のパターンでエッチング除去し、その除去部に電流ブロ
ック層を形成する第２の工程と、その表面全体にコンタ
クト層を形成した後、電流ブロック層の形成領域におい
てコンタクト層から少なくとも活性層の下面に至る溝を
形成してコンタクト層、電流ブロック層、第２クラッド
層、および活性層をビーム毎に分離し、その溝を誘電体
材料で覆う第３の工程と、溝で分離された各ビームのコ
ンタクト層の上面と、半導体基板の下面にそれぞれ電極
を形成する第４の工程とを備えている。
の製造方法は、半導体基板上に第１クラッド層、活性
層、第２クラッド層およびキャップ層を形成する第１の
工程と、その表面から第２クラッド層の途中までを所定
のパターンでエッチング除去し、その除去部に電流ブロ
ック層を形成する第２の工程と、その表面全体にコンタ
クト層を形成した後、電流ブロック層の形成領域におい
てコンタクト層から少なくとも活性層の下面に至る溝を
形成してコンタクト層、電流ブロック層、第２クラッド
層、および活性層をビーム毎に分離し、その溝を誘電体
材料で覆う第３の工程と、溝で分離された各ビームのコ
ンタクト層の上面と、半導体基板の下面にそれぞれ電極
を形成する第４の工程とを備えている。
【０００８】
【作用】各ビームの活性層は、溝によって分離される前
は、半導体基板全面に共通に形成されたものなので、ビ
ーム毎に別々に結晶成長させたものよりも結晶性に優れ
ている。したがって、発振特性が良好である。また、各
ビームの活性層は、誘電体で表面が覆われた溝で分離さ
れているので、ビーム間の電流のクロストークがほとん
どない。さらに、誘電体に熱伝導率の小さいものを用い
ることにより、ビーム間の熱的クロストークも抑えられ
る。
は、半導体基板全面に共通に形成されたものなので、ビ
ーム毎に別々に結晶成長させたものよりも結晶性に優れ
ている。したがって、発振特性が良好である。また、各
ビームの活性層は、誘電体で表面が覆われた溝で分離さ
れているので、ビーム間の電流のクロストークがほとん
どない。さらに、誘電体に熱伝導率の小さいものを用い
ることにより、ビーム間の熱的クロストークも抑えられ
る。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示すマルチビーム
半導体レーザの断面図である。Ｓｉを添加したＧａＡｓ
基板１の上には、同じくＳｉを添加したＧａＡｓバッフ
ァ層２、Ｓｉを添加したＡｌＧａＩｎＰからなる第１ク
ラッド層３、アンドープＧａＩｎＰからなる活性層４、
Ｚｎを添加したＡｌＧａＩｎＰからなる第２クラッド層
５、Ｓｉを添加したＧａＡｓからなる電流ブロック層
６、Ｚｎを添加したＧａＩｎＰからなるキャップ層７、
Ｚｎを添加したＧａＡｓからなるコンタクト層８が形成
されている。中央部にはコンタクト層８の上面からバッ
ファ層２の上面に至る溝１２がエッチングにより掘ら
れ、さらにその表面に誘電体である窒化シリコン膜１１
が形成されており、これによって２つのビームＡ，Ｂが
分離されている。ビームＡ，Ｂのそれぞれのコンタクト
層８の上面にはｐ電極９が形成されており、ＧａＡｓ基
板１の裏面には両ビームに共通のｎ電極１０が形成され
ている。なお、この実施例はＡｌＧａＩｎＰ系の半導体
レーザと言うことができるが、ここにいうＡｌＧａＩｎ
Ｐ系には、活性層のＡｌ組成が零、すなわち、ＧａＩｎ
Ｐの場合及びクラッド層のＧａ組成が零、すなわちＡｌ
ＩｎＰの場合も含まれるものとする。
半導体レーザの断面図である。Ｓｉを添加したＧａＡｓ
基板１の上には、同じくＳｉを添加したＧａＡｓバッフ
ァ層２、Ｓｉを添加したＡｌＧａＩｎＰからなる第１ク
ラッド層３、アンドープＧａＩｎＰからなる活性層４、
Ｚｎを添加したＡｌＧａＩｎＰからなる第２クラッド層
５、Ｓｉを添加したＧａＡｓからなる電流ブロック層
６、Ｚｎを添加したＧａＩｎＰからなるキャップ層７、
Ｚｎを添加したＧａＡｓからなるコンタクト層８が形成
されている。中央部にはコンタクト層８の上面からバッ
ファ層２の上面に至る溝１２がエッチングにより掘ら
れ、さらにその表面に誘電体である窒化シリコン膜１１
が形成されており、これによって２つのビームＡ，Ｂが
分離されている。ビームＡ，Ｂのそれぞれのコンタクト
層８の上面にはｐ電極９が形成されており、ＧａＡｓ基
板１の裏面には両ビームに共通のｎ電極１０が形成され
ている。なお、この実施例はＡｌＧａＩｎＰ系の半導体
レーザと言うことができるが、ここにいうＡｌＧａＩｎ
Ｐ系には、活性層のＡｌ組成が零、すなわち、ＧａＩｎ
Ｐの場合及びクラッド層のＧａ組成が零、すなわちＡｌ
ＩｎＰの場合も含まれるものとする。
【００１０】図１は構造を模式的に示したものであり、
各部の寸法比は必ずしも実際の素子における寸法比を表
していない。例えば、実際はＧａＡｓ基板１の厚みが７
０μｍ程度であるのに対し、その上のバッファ層２から
キャップ層７までの合計の厚みが２〜３μｍ、さらにそ
の上のコンタクト層８の厚みが２μｍ程度である。
各部の寸法比は必ずしも実際の素子における寸法比を表
していない。例えば、実際はＧａＡｓ基板１の厚みが７
０μｍ程度であるのに対し、その上のバッファ層２から
キャップ層７までの合計の厚みが２〜３μｍ、さらにそ
の上のコンタクト層８の厚みが２μｍ程度である。
【００１１】本実施例の構造によれば、２つのビーム
Ａ，Ｂの活性層４が溝１２および窒化シリコン膜１１に
よって完全に分断されているので、ビーム間の電流のク
ロストークがない。また、実用的なマルチビーム半導体
レーザを得るには、電気的なクロストークだけではな
く、熱的なクロストークも抑える必要がある。つまり、
半導体レーザは温度上昇に伴って出力が低下するという
特性があるので、駆動時の発熱により他のビームの出力
が低下するという悪影響を抑制する必要がある。そのた
めの方法としては、ビーム間において熱が伝達しない
ようにする方法、各ビームを熱の影響を受けにくいも
のとする方法、各ビームを発熱しにくいものとする方
法等が考えられる。この実施例では、第１の方法を採用
しており、溝１２に埋め込まれた窒化シリコン１２は、
各ビームを構成する半導体材料である活性層材、クラッ
ド層材、電流ブロック層材等のいずれよりも熱伝導率が
小さいため、ビーム間において熱が伝達しにくい。した
がって、熱的クロストークが小さい。なお、ビームを構
成する半導体材料よりも熱伝導率が小さいその他の誘電
体として、酸化シリコンなどが挙げられる。
Ａ，Ｂの活性層４が溝１２および窒化シリコン膜１１に
よって完全に分断されているので、ビーム間の電流のク
ロストークがない。また、実用的なマルチビーム半導体
レーザを得るには、電気的なクロストークだけではな
く、熱的なクロストークも抑える必要がある。つまり、
半導体レーザは温度上昇に伴って出力が低下するという
特性があるので、駆動時の発熱により他のビームの出力
が低下するという悪影響を抑制する必要がある。そのた
めの方法としては、ビーム間において熱が伝達しない
ようにする方法、各ビームを熱の影響を受けにくいも
のとする方法、各ビームを発熱しにくいものとする方
法等が考えられる。この実施例では、第１の方法を採用
しており、溝１２に埋め込まれた窒化シリコン１２は、
各ビームを構成する半導体材料である活性層材、クラッ
ド層材、電流ブロック層材等のいずれよりも熱伝導率が
小さいため、ビーム間において熱が伝達しにくい。した
がって、熱的クロストークが小さい。なお、ビームを構
成する半導体材料よりも熱伝導率が小さいその他の誘電
体として、酸化シリコンなどが挙げられる。
【００１２】次に、このようなマルチビーム半導体レー
ザの製造方法を図２および図３を用いて説明する。
ザの製造方法を図２および図３を用いて説明する。
【００１３】ＧａＡｓ基板１の上に、バッファ層２、第
１（ｎ型）クラッド層３、活性層４、第２（ｐ型）クラ
ッド層５およびキャップ層７を順次エピタキシャル成長
させた後、窒化シリコン膜２１を形成する（図２
（ａ））。このときの結晶成長温度は７４０℃である。
ｎ型クラッド層３及びｐ型クラッド層５のドーピンク量
は各々２×１０17ｃｍ-3と４×１０17ｃｍ-3であり、そ
の厚みは共に１μｍである。窒化シリコン膜２１は、破
線で示した部分を次工程においてエッチングにより除去
する際のマスクとなるように、表面全体に堆積した窒化
シリコン膜をパターニングしたものである。このパター
ニングの際のエッチャントにはバッファード弗酸を用い
た。なお、ここでは、パターンニングされた２つの窒化
シリコン膜２１の幅を５μｍ、両者の中心間の間隔を１
５μｍとしている。
１（ｎ型）クラッド層３、活性層４、第２（ｐ型）クラ
ッド層５およびキャップ層７を順次エピタキシャル成長
させた後、窒化シリコン膜２１を形成する（図２
（ａ））。このときの結晶成長温度は７４０℃である。
ｎ型クラッド層３及びｐ型クラッド層５のドーピンク量
は各々２×１０17ｃｍ-3と４×１０17ｃｍ-3であり、そ
の厚みは共に１μｍである。窒化シリコン膜２１は、破
線で示した部分を次工程においてエッチングにより除去
する際のマスクとなるように、表面全体に堆積した窒化
シリコン膜をパターニングしたものである。このパター
ニングの際のエッチャントにはバッファード弗酸を用い
た。なお、ここでは、パターンニングされた２つの窒化
シリコン膜２１の幅を５μｍ、両者の中心間の間隔を１
５μｍとしている。
【００１４】そこで次にメサエッチングを行う。ここで
は、エッチャントに５０℃の混酸（硫酸：過酸化水素：
水＝３：１：１）を用い、６分間エッチングを行うこと
により、第２クラッド層５を２０００オングストローム
残す（図２（ｂ））。そして、エッチングで除去した部
分にＳｉを添加したＧａＡｓ（不純物濃度が２×１０17
ｃｍ-3）を成長させ、電流ブロック層６を形成する（図
２（ｃ））。その後、窒化シリコン膜２１を弗酸：水＝
１：１のエッチャントで除去し、全面にコンタクト層８
となるＺｎを添加したＧａＡｓ（不純物濃度が１×１０
19ｃｍ-3）を１μｍ成長させる（図２（ｄ））。
は、エッチャントに５０℃の混酸（硫酸：過酸化水素：
水＝３：１：１）を用い、６分間エッチングを行うこと
により、第２クラッド層５を２０００オングストローム
残す（図２（ｂ））。そして、エッチングで除去した部
分にＳｉを添加したＧａＡｓ（不純物濃度が２×１０17
ｃｍ-3）を成長させ、電流ブロック層６を形成する（図
２（ｃ））。その後、窒化シリコン膜２１を弗酸：水＝
１：１のエッチャントで除去し、全面にコンタクト層８
となるＺｎを添加したＧａＡｓ（不純物濃度が１×１０
19ｃｍ-3）を１μｍ成長させる（図２（ｄ））。
【００１５】ついで、窒化シリコン膜を全面に堆積した
後、リソグラフィ技術により溝形成部を除去する（図２
（ｅ））。この除去部の幅Ｄは、たとえば６μｍとす
る。このパターニングされた窒化シリコン膜２２をマス
クとして、各ビームを電気的に分離するためのエッチン
グを行い溝１２を形成する。その後、マスクに用いた窒
化シリコン膜２２を除去する（図２（ｆ））。このエッ
チングには、まず、アンモニア水：過酸化水素水：水＝
９：６：２５のエッチャントを用いる。すると、ＡｌＧ
ａＩｎＰの第２クラッド層５の上面でエッチングが止ま
る。つぎに、６０℃の熱硫酸で溝を深くする。このエッ
チャントは、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＰをエッチング
するが、ＧａＡｓはほとんどエッチングしないので、Ｇ
ａＡｓバッファ層２の上面で止まる。なお、この溝１２
の深さは、第１クラッド層３の上面よりも深くして活性
層４を分断すれば十分であり、必ずしもバッファ層２の
表面まで掘る必要はない。しかし、上述の２種類のエッ
チャントを用いた選択性エッチングでバッファ層２の表
面まで掘ることにより、溝１２の深さについての製造ば
らつきを少なくすることができる。
後、リソグラフィ技術により溝形成部を除去する（図２
（ｅ））。この除去部の幅Ｄは、たとえば６μｍとす
る。このパターニングされた窒化シリコン膜２２をマス
クとして、各ビームを電気的に分離するためのエッチン
グを行い溝１２を形成する。その後、マスクに用いた窒
化シリコン膜２２を除去する（図２（ｆ））。このエッ
チングには、まず、アンモニア水：過酸化水素水：水＝
９：６：２５のエッチャントを用いる。すると、ＡｌＧ
ａＩｎＰの第２クラッド層５の上面でエッチングが止ま
る。つぎに、６０℃の熱硫酸で溝を深くする。このエッ
チャントは、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＰをエッチング
するが、ＧａＡｓはほとんどエッチングしないので、Ｇ
ａＡｓバッファ層２の上面で止まる。なお、この溝１２
の深さは、第１クラッド層３の上面よりも深くして活性
層４を分断すれば十分であり、必ずしもバッファ層２の
表面まで掘る必要はない。しかし、上述の２種類のエッ
チャントを用いた選択性エッチングでバッファ層２の表
面まで掘ることにより、溝１２の深さについての製造ば
らつきを少なくすることができる。
【００１６】その後、窒化シリコン膜１１′を全面に形
成し、その上に、フォトレジスト膜２３′を塗布する
（図３（ａ））。ついで、フォトリソグラフィによりフ
ォトレジスト膜２３′をパターニングしてレジストパタ
ーン２３を形成し、さらに、このレジストパターン２３
をマスクとして窒化シリコン膜１１′をエッチングによ
り除去してパターニングされた窒化シリコン膜１１を残
す（図３（ｂ））。
成し、その上に、フォトレジスト膜２３′を塗布する
（図３（ａ））。ついで、フォトリソグラフィによりフ
ォトレジスト膜２３′をパターニングしてレジストパタ
ーン２３を形成し、さらに、このレジストパターン２３
をマスクとして窒化シリコン膜１１′をエッチングによ
り除去してパターニングされた窒化シリコン膜１１を残
す（図３（ｂ））。
【００１７】さらに全面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ３層膜から
なる金属膜９′を蒸着により形成した後（図３
（ｃ））、レジストパターン２３をアセトンで除去する
ことにより、その上の金属膜９′をリフトオフして各ビ
ーム毎にｐ電極９を残す（図３（ｄ））。続いて、基板
を裏からエッチングして厚みを７０μｍ程度にし、その
後、裏面にｎ電極を蒸着し、窒素雰囲気中４００℃で１
分間の合金化処理を行って、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ３層
膜からなるｎ電極１０を形成する（図３（ｅ））。これ
によって、相互に独立駆動できるマルチビーム半導体レ
ーザが完成する。
なる金属膜９′を蒸着により形成した後（図３
（ｃ））、レジストパターン２３をアセトンで除去する
ことにより、その上の金属膜９′をリフトオフして各ビ
ーム毎にｐ電極９を残す（図３（ｄ））。続いて、基板
を裏からエッチングして厚みを７０μｍ程度にし、その
後、裏面にｎ電極を蒸着し、窒素雰囲気中４００℃で１
分間の合金化処理を行って、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ３層
膜からなるｎ電極１０を形成する（図３（ｅ））。これ
によって、相互に独立駆動できるマルチビーム半導体レ
ーザが完成する。
【００１８】なお、本発明は、ＡｌＧａＩｎＰをクラッ
ドとする半導体レーザのマルチビーム化の実現を目指し
たものであるが、この材料系に限定されるものではな
い。たとえば、０．７８−１．１μｍ帯の、いわゆるＡ
ｌＧａＡｓ系半導体レーザに対しても適用できる。その
場合、活性層として（Ａｌ）ＧａＩｎＡｓを用いる。ま
た、同じ波長帯（０．７８−１．１μｍ帯）の半導体レ
ーザを実現する際に、クラッドのＡｌＧａＡｓの代わり
にＧａＩｎＰ、あるいはＡｌＧａＩｎＰを用いることも
考えられ、その場合も本発明を適用できる。さらに、
１．３−１．６μｍ帯のＧａＩｎＡｓＰ半導体レーザに
も適用できる。
ドとする半導体レーザのマルチビーム化の実現を目指し
たものであるが、この材料系に限定されるものではな
い。たとえば、０．７８−１．１μｍ帯の、いわゆるＡ
ｌＧａＡｓ系半導体レーザに対しても適用できる。その
場合、活性層として（Ａｌ）ＧａＩｎＡｓを用いる。ま
た、同じ波長帯（０．７８−１．１μｍ帯）の半導体レ
ーザを実現する際に、クラッドのＡｌＧａＡｓの代わり
にＧａＩｎＰ、あるいはＡｌＧａＩｎＰを用いることも
考えられ、その場合も本発明を適用できる。さらに、
１．３−１．６μｍ帯のＧａＩｎＡｓＰ半導体レーザに
も適用できる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、各ビーム
の活性層を、表面から掘り込まれた溝によって分離し、
その溝を誘電体で覆うことにより、電流のクロストーク
の少ないマルチビーム半導体レーザが得られる。特に、
各ビームごとに分断された活性層を埋め込む構造の作り
にくいＧａＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰ系のレーザに
おいては有用で、ＡｌＧａＡｓ系に比較してより短波長
のマルチビーム半導体レーザの利用が可能になる効果が
ある。
の活性層を、表面から掘り込まれた溝によって分離し、
その溝を誘電体で覆うことにより、電流のクロストーク
の少ないマルチビーム半導体レーザが得られる。特に、
各ビームごとに分断された活性層を埋め込む構造の作り
にくいＧａＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰ系のレーザに
おいては有用で、ＡｌＧａＡｓ系に比較してより短波長
のマルチビーム半導体レーザの利用が可能になる効果が
ある。
【図１】本発明の一実施例を示すマルチビーム半導体レ
ーザの構成を示す図。
ーザの構成を示す図。
【図２】本発明の一実施例の製造方法を示す工程断面
図。
図。
【図３】本発明の一実施例の製造方法を示す工程断面
図。
図。
１…ＧａＡｓ基板、２…バッファ層、３…第１クラッド
層、４…活性層、５…第２クラッド層、６…電流ブロッ
ク層、７…キャップ層、８…コンタクト層、９…ｐ電
極、１０…ｎ電極。１１…窒化シリコン膜（誘電体
膜）、１２…溝。
層、４…活性層、５…第２クラッド層、６…電流ブロッ
ク層、７…キャップ層、８…コンタクト層、９…ｐ電
極、１０…ｎ電極。１１…窒化シリコン膜（誘電体
膜）、１２…溝。
Claims (3)
- 【請求項１】 同一の半導体基板上に複数のビームを有
し、前記半導体基板の裏面に共通電極を設けると共に表
面にビーム毎に分離された電極を設けることにより各ビ
ームを相互独立に駆動できるように構成したマルチビー
ム半導体レーザにおいて、 前記各ビームの活性層は、表面から掘り込まれた溝によ
って分離されており、この溝は誘電体で覆われているこ
とを特徴とするマルチビーム半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記誘電体は、前記各ビームを構成する
半導体材料よりも熱伝導率が小さいことを特徴とする請
求項１記載のマルチビーム半導体レーザ。 - 【請求項３】 半導体基板上に第１クラッド層、活性
層、第２クラッド層およびキャップ層を形成する第１の
工程と、 前記キャップ層の表面から前記第２クラッド層の途中ま
でを所定のパターンでエッチング除去し、その除去部に
電流ブロック層を形成する第２の工程と、 前記第２の工程後の基板表面全体にコンタクト層を形成
した後、前記電流ブロック層の形成領域において前記コ
ンタクト層から少なくとも前記活性層の下面に至る溝を
形成して前記コンタクト層、電流ブロック層、第２クラ
ッド層、および活性層をビーム毎に分離し、その溝を誘
電体材料で覆う第３の工程と、 前記溝で分離された前記各ビームのコンタクト層の上面
と、前記半導体基板の下面にそれぞれ電極を形成する第
４の工程とを備えているマルチビーム半導体レーザの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18381292A JPH0629618A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18381292A JPH0629618A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629618A true JPH0629618A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16142305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18381292A Pending JPH0629618A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629618A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919217B2 (en) | 2002-04-15 | 2005-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device fabricating method |
| US7034341B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a multi-layer buffer layer |
| JP2007180563A (ja) * | 2001-02-14 | 2007-07-12 | Fuji Xerox Co Ltd | レーザ光源 |
| KR100854282B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2008-08-26 | (주)큐에스아이 | 레이저 다이오드 바 및 그 제조 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63302586A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
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| JPH03142985A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP18381292A patent/JPH0629618A/ja active Pending
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