JPS63302586A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS63302586A JPS63302586A JP62138543A JP13854387A JPS63302586A JP S63302586 A JPS63302586 A JP S63302586A JP 62138543 A JP62138543 A JP 62138543A JP 13854387 A JP13854387 A JP 13854387A JP S63302586 A JPS63302586 A JP S63302586A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置の製造方法に関し、特にそ
の共振器端面の形成に関するものである〇〔従来の技術
〕 第４図は例えば特開昭６０−２１６５９５号公報圧示さ
れた従来の嗅−波長半導体レーザ装置であり、図におい
て、＋１１はｎ形１ｎＰ層、＋２１ ｕ ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、ｆ３１ＨＩｎＧａＡｓＰガイド層、（４）は
回折格子、（５）はＰ形１ｎＰ １４、ｌ’ｌｉはへき
開面、（６１は誘′１体膜、（１０）は金属又は誘電体
多層膜である。
の共振器端面の形成に関するものである〇〔従来の技術
〕 第４図は例えば特開昭６０−２１６５９５号公報圧示さ
れた従来の嗅−波長半導体レーザ装置であり、図におい
て、＋１１はｎ形１ｎＰ層、＋２１ ｕ ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、ｆ３１ＨＩｎＧａＡｓＰガイド層、（４）は
回折格子、（５）はＰ形１ｎＰ １４、ｌ’ｌｉはへき
開面、（６１は誘′１体膜、（１０）は金属又は誘電体
多層膜である。
次に動作について説明する。回折格子を活性領域に持ち
、かつ位相シフト領域を素子内にもたない分布帰還型半
導体レーザ装置においては、例えばＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ、 Ｖｏ１４３．Ｎｏ５１９７２ ｐ２３２７〜２
３３５に示されたように、活性領域（２１で発生した光
は、回折格子（４）により帰還しレーザ発振テ至る。こ
の場合、発振する波長は素子両端面が完全に無反射の場
合は、回折格子のピッチにより決まるＢｒａｇｇ 波長
を中心とし、光と回折格子の結合の強さに〔己じた量だ
け、Ｂｒａｇｇ波長より短波長側および長波長側に等し
く離れた２つの波長で発振する。また両端面へき開の状
態では、へき開面での回折格子の位相により、単一波長
またはＢｒａｇｇ波長を間にはさむ２つの波長で発振す
る。そこでへき開面の位置に依存しないで単一波長発振
をすることのできる単一波長半導体レーザ装置として考
え出されたものが第４図に示すものである。ここでは両
端面をへき開で形成した後、片端面を無反射コーテイン
グ膜で無反射とし、他端面を金属又は誘電体多層膜（７
）で高反射率としたことにより上記の目的を達成してい
る。
、かつ位相シフト領域を素子内にもたない分布帰還型半
導体レーザ装置においては、例えばＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ、 Ｖｏ１４３．Ｎｏ５１９７２ ｐ２３２７〜２
３３５に示されたように、活性領域（２１で発生した光
は、回折格子（４）により帰還しレーザ発振テ至る。こ
の場合、発振する波長は素子両端面が完全に無反射の場
合は、回折格子のピッチにより決まるＢｒａｇｇ 波長
を中心とし、光と回折格子の結合の強さに〔己じた量だ
け、Ｂｒａｇｇ波長より短波長側および長波長側に等し
く離れた２つの波長で発振する。また両端面へき開の状
態では、へき開面での回折格子の位相により、単一波長
またはＢｒａｇｇ波長を間にはさむ２つの波長で発振す
る。そこでへき開面の位置に依存しないで単一波長発振
をすることのできる単一波長半導体レーザ装置として考
え出されたものが第４図に示すものである。ここでは両
端面をへき開で形成した後、片端面を無反射コーテイン
グ膜で無反射とし、他端面を金属又は誘電体多層膜（７
）で高反射率としたことにより上記の目的を達成してい
る。
従来の単一波長半導体レーザ装置はへき開により端面を
形成した後、端面反射率の制御を行うため、バー状態又
はチップ状態で端面コーテイング膜＋６１ 、 （７１
を形成しなければならず、工程数が多く、かつバー状態
にウェハーを切断する際にバーごとに幅がばらつくため
蒸着源からの距離が異なり、反射率の制御性が悪くなり
、歩留りの低下をまねくという問題点があった。
形成した後、端面反射率の制御を行うため、バー状態又
はチップ状態で端面コーテイング膜＋６１ 、 （７１
を形成しなければならず、工程数が多く、かつバー状態
にウェハーを切断する際にバーごとに幅がばらつくため
蒸着源からの距離が異なり、反射率の制御性が悪くなり
、歩留りの低下をまねくという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たまので、少ない工程数でかつ制御性よく端面の反射率
制御を行うことのできる半導体レーザ装置の製造方法を
提供することを目的とじている。
たまので、少ない工程数でかつ制御性よく端面の反射率
制御を行うことのできる半導体レーザ装置の製造方法を
提供することを目的とじている。
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は活性領域
より深く溝をストライプ状に形成し、溝を形成した前記
多層構造の全面を覆うように誘電体膜を形成し、次にス
トライプ状の溝をひとつおきにマスクで覆うことにより
片側共振器端面上に金属膜または誘電体多層膜を形成す
るものである。
より深く溝をストライプ状に形成し、溝を形成した前記
多層構造の全面を覆うように誘電体膜を形成し、次にス
トライプ状の溝をひとつおきにマスクで覆うことにより
片側共振器端面上に金属膜または誘電体多層膜を形成す
るものである。
本発明でにウェハーを切断することなく共振器端面に金
属膜または誘電体膜を形成することができる。
属膜または誘電体膜を形成することができる。
以下、この発明の一実施例の製造方法を用いて作られる
単一波長発振半導体レーザを図について説明する。
単一波長発振半導体レーザを図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例により作成された単一波長
発振レーザ装置の全体構成図である。図中（＋ｌＨｎ型
ＩｎＰ層、ｆ２１ ｔｒｉ ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｉ
３１［ＩｎＧａＡｓＰガイド層、（４）は回折格子、（
５）はＰ型ｘｎｐ＠、（６１は誘電体膜、（７）は金属
膜である。
発振レーザ装置の全体構成図である。図中（＋ｌＨｎ型
ＩｎＰ層、ｆ２１ ｔｒｉ ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｉ
３１［ＩｎＧａＡｓＰガイド層、（４）は回折格子、（
５）はＰ型ｘｎｐ＠、（６１は誘電体膜、（７）は金属
膜である。
第２図はこの発明の一実施例の製造方法について示した
ものである。第２図（、）に示すように、回折格子（４
）を活性領域に有する多層構造を作成し、次に第２□□
□（ｂ）に示すように前記活性領域より深くストライプ
状に溝０２１を形成した後、溝Ｑ２１を形成した多層構
造の全面を覆うように誘電体膜（６）を作成し、＠２図
（ｃ）に示すように前記溝（１２１以外の平坦部の誘電
体膜（６）に窓を開け、第２図（ｄ）に示すように前記
ストライプ状に形成した溝をひとつおきにマスク（８）
で覆い、第２図（、）で示すように前記マスクで覆った
状態で反射層を作るため金１を片方の共振器端面上にも
蒸着し、その後、マスク（８）を取り去った後、前記溝
１２）の中央で切断し、さらに、この溝θカに直交する
方向に切断することにより、単−波長発振半纏体レーザ
のチップを製造する。
ものである。第２図（、）に示すように、回折格子（４
）を活性領域に有する多層構造を作成し、次に第２□□
□（ｂ）に示すように前記活性領域より深くストライプ
状に溝０２１を形成した後、溝Ｑ２１を形成した多層構
造の全面を覆うように誘電体膜（６）を作成し、＠２図
（ｃ）に示すように前記溝（１２１以外の平坦部の誘電
体膜（６）に窓を開け、第２図（ｄ）に示すように前記
ストライプ状に形成した溝をひとつおきにマスク（８）
で覆い、第２図（、）で示すように前記マスクで覆った
状態で反射層を作るため金１を片方の共振器端面上にも
蒸着し、その後、マスク（８）を取り去った後、前記溝
１２）の中央で切断し、さらに、この溝θカに直交する
方向に切断することにより、単−波長発振半纏体レーザ
のチップを製造する。
この一実施例による分布帰還型半導体レーザ装置におい
ては、回折格子により光を帰還するため、へき開面のよ
うに活性層に対して垂直でかつ非常て均質な端面を必要
としないことて着目し回折格子を活性領域に有する多層
構造を形成した後、ストライプ状に溝を形成することに
より端面を形成し、端面を含み上記多層構造全体を覆う
ように誘電体膜を形成し、端面の無反射コーテイング膜
として作用させ、その後、前記溝以外の平坦部の誘電体
膜に窓を開け、前記ストライプ状に形成した溝を、ひと
つおきにマスクで覆い、電極となる金属を蒸着すること
により片端面上にも金属膜を形成し、高反射膜として作
用させる。このようにバー状態またにチップ状態にする
ことなく分布帰還型レーザの片端面を無反射し、他端面
を高反射にし、少ない工程数で反射率の制御性良く高歩
留りで単一波長発振レーザ装置を製造することができる
。
ては、回折格子により光を帰還するため、へき開面のよ
うに活性層に対して垂直でかつ非常て均質な端面を必要
としないことて着目し回折格子を活性領域に有する多層
構造を形成した後、ストライプ状に溝を形成することに
より端面を形成し、端面を含み上記多層構造全体を覆う
ように誘電体膜を形成し、端面の無反射コーテイング膜
として作用させ、その後、前記溝以外の平坦部の誘電体
膜に窓を開け、前記ストライプ状に形成した溝を、ひと
つおきにマスクで覆い、電極となる金属を蒸着すること
により片端面上にも金属膜を形成し、高反射膜として作
用させる。このようにバー状態またにチップ状態にする
ことなく分布帰還型レーザの片端面を無反射し、他端面
を高反射にし、少ない工程数で反射率の制御性良く高歩
留りで単一波長発振レーザ装置を製造することができる
。
なお、上記実施例では高反射膜として金属膜を用いた場
合について説明したが、＄３図８に示すように金属膜を
高反射膜として用いるかわりに、誘電体多層膜を高反射
膜として片端面上に形成することによっても、前記実施
例と同等の効果をあげ得ることは明らかである。
合について説明したが、＄３図８に示すように金属膜を
高反射膜として用いるかわりに、誘電体多層膜を高反射
膜として片端面上に形成することによっても、前記実施
例と同等の効果をあげ得ることは明らかである。
との場合は前記実施例と比べて工程数がやや増加するが
、反射率をより細かく調節できるという利点を有する。
、反射率をより細かく調節できるという利点を有する。
以上のようにこの発明によれば、活性領域より深く溝を
ストライプ状に形成し、溝を形成した前記多層構造の全
面を覆うように誘電体膜を形成し、次にストライプ状の
溝をひとつおきにマスクで多うことにより片側共振器端
面上に金属膜またに誘電体多層膜を形成したので、少な
い工程数で反射率の制御性良く、高歩留な半導体レーザ
を作成できる効果がある。
ストライプ状に形成し、溝を形成した前記多層構造の全
面を覆うように誘電体膜を形成し、次にストライプ状の
溝をひとつおきにマスクで多うことにより片側共振器端
面上に金属膜またに誘電体多層膜を形成したので、少な
い工程数で反射率の制御性良く、高歩留な半導体レーザ
を作成できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例により作成した単一波長発
振レーザの全体構成図、第２図はこの発明の一実施例で
ある単一波長発振レーザの製造方法を示す工程別図、第
３図はこの発明の他の医施１ｆｌｌにより作成した単一
波長発振レーザの全体構成図、第４図は従来の単一波長
発振レーザの断面図である。 図において、［１１はｎ型ＩｎＰ層、ｆ２１ ｎ Ｉ
ｎＧａＡ ｓＰ活性層、（３）はＩｎＧａＡａＰ活性層
、（４）は回折格子、（６）はＰ型ＩｎＰ層、（６）は
誘電体膜、（７）は金属膜、（８）はマスク、（９）は
誘電体多層膜、Ｑ２）は多層構造中に形成したストライ
プ状の溝を示す。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
振レーザの全体構成図、第２図はこの発明の一実施例で
ある単一波長発振レーザの製造方法を示す工程別図、第
３図はこの発明の他の医施１ｆｌｌにより作成した単一
波長発振レーザの全体構成図、第４図は従来の単一波長
発振レーザの断面図である。 図において、［１１はｎ型ＩｎＰ層、ｆ２１ ｎ Ｉ
ｎＧａＡ ｓＰ活性層、（３）はＩｎＧａＡａＰ活性層
、（４）は回折格子、（６）はＰ型ＩｎＰ層、（６）は
誘電体膜、（７）は金属膜、（８）はマスク、（９）は
誘電体多層膜、Ｑ２）は多層構造中に形成したストライ
プ状の溝を示す。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）活性領域を有する多層構造を形成する工程と、前
記活性領域よりも深い複数の溝をストライプ状に形成す
る工程と、溝を形成した前記多層構造の全面をおおうよ
うに誘電体膜を形成する工程と、前記ストライプ状に形
成した溝をひとつおきにマスクでおおう工程と、前記マ
スクでおおわれた溝以外の全面に金属膜または誘電体多
層膜を形成する工程を有する半導体レーザ装置の製造方
法。 - （２）回折格子を活性領域に有する多層構造を形成する
ことを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138543A JPS63302586A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138543A JPS63302586A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63302586A true JPS63302586A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15224611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62138543A Pending JPS63302586A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63302586A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629618A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
| CN114665375A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-06-24 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体芯片制造方法 |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP62138543A patent/JPS63302586A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629618A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
| CN114665375A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-06-24 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体芯片制造方法 |
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