JPH0724324B2 - 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ・チップおよびその製造方法Info
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- JPH0724324B2 JPH0724324B2 JP2066685A JP6668590A JPH0724324B2 JP H0724324 B2 JPH0724324 B2 JP H0724324B2 JP 2066685 A JP2066685 A JP 2066685A JP 6668590 A JP6668590 A JP 6668590A JP H0724324 B2 JPH0724324 B2 JP H0724324B2
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- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は光導波路を含むレーザ・ストライプに沿って回
折格子を有する半導体レーザ・チップおよびその製造方
法に関する。
折格子を有する半導体レーザ・チップおよびその製造方
法に関する。
（従来の技術） 近年、光通信や光学ディスク用の光源として、各種の半
導体発光素子が盛んに使用されている。
導体発光素子が盛んに使用されている。
特に光導波路に沿って周期的摂動（回折格子）を設けた
分布帰還型半導体レーザ（DFB:Distributed Feedback l
aser）は、回折格子の波長選択性により、単一波長（単
一縦モード）での発振が実現できる。中でも長距離高速
光通信用の光源としては、GaInAsP/InP系材料を用いた
ものを筆頭に実用化が進んでいる。
分布帰還型半導体レーザ（DFB:Distributed Feedback l
aser）は、回折格子の波長選択性により、単一波長（単
一縦モード）での発振が実現できる。中でも長距離高速
光通信用の光源としては、GaInAsP/InP系材料を用いた
ものを筆頭に実用化が進んでいる。
一般に、DFBレーザは、レーザ・ストライプの端面にお
ける回折格子の位相によって単一縦モード発振の実現性
が決まる。
ける回折格子の位相によって単一縦モード発振の実現性
が決まる。
しかし、回折格子の周期が2000Å程度しかないことや、
劈開によって端面を形成している現状では、端面位相の
制御は事実上不可能である。従って、その単一縦モード
発振の歩留りは、構造パラメータにもよるが、おおむね
50％以下であり、通常は20〜30％程度と非常に低いもの
である。
劈開によって端面を形成している現状では、端面位相の
制御は事実上不可能である。従って、その単一縦モード
発振の歩留りは、構造パラメータにもよるが、おおむね
50％以下であり、通常は20〜30％程度と非常に低いもの
である。
最近では、両劈開端面の反射率を低下させ、かつその共
振器の中央に回折格子の周期の不連続部（管内波長λの
1/4に相当する位相だけシフトしている）を有する構造
が注目されている。このλ/4シフト構造の素子は縦モー
ドのゲイン差も大きいため、単一縦モード動作に極めて
有利である。しかし、この素子にも問題がある。つま
り、シフト構造形成のため、工程が極めて複雑になるこ
とである。例えば、ポジ型レジストとネガ型レジストの
両方を組み合わせて二光束干渉露光を行う方法（例え
ば、宇高他、昭和60年春季応用物理学会講演予稿、講演
番号29p−ZB−15）、あるいは、位相マスクを用いて二
光束干渉露光する方法（例えば、白崎他、昭和60年電子
情報通信学会半導体材料部門大会（秋）、講演番号31
1、同じく白崎他、昭和60年電子情報通信学会、光量子
エレクトロニクス研究会報告、OQE85−60）等である。
振器の中央に回折格子の周期の不連続部（管内波長λの
1/4に相当する位相だけシフトしている）を有する構造
が注目されている。このλ/4シフト構造の素子は縦モー
ドのゲイン差も大きいため、単一縦モード動作に極めて
有利である。しかし、この素子にも問題がある。つま
り、シフト構造形成のため、工程が極めて複雑になるこ
とである。例えば、ポジ型レジストとネガ型レジストの
両方を組み合わせて二光束干渉露光を行う方法（例え
ば、宇高他、昭和60年春季応用物理学会講演予稿、講演
番号29p−ZB−15）、あるいは、位相マスクを用いて二
光束干渉露光する方法（例えば、白崎他、昭和60年電子
情報通信学会半導体材料部門大会（秋）、講演番号31
1、同じく白崎他、昭和60年電子情報通信学会、光量子
エレクトロニクス研究会報告、OQE85−60）等である。
また、規格化結合係数kLの値が1.25より大きい場合に
は、λ/4位相シフタ位置に放射モード光が集中する。こ
の様な、導波モードの光強度分布の大きな偏りは、軸方
向の空間的ホールバーニング（例えば、雙田他、電子情
報通信学会、光量子エレクトロニクス研究会OQE87−7p
p.49−56、1986年）を引き起こす。これにより、せっか
く大きい値であった縦モード間のゲイン差Δαが小さく
なる。つまり、単一縦モード性が大きく損なわれる。こ
の様に、単一縦モード発振するDFBレーザ・チップを高
い歩留りで得るのは非常に難しかった。
は、λ/4位相シフタ位置に放射モード光が集中する。こ
の様な、導波モードの光強度分布の大きな偏りは、軸方
向の空間的ホールバーニング（例えば、雙田他、電子情
報通信学会、光量子エレクトロニクス研究会OQE87−7p
p.49−56、1986年）を引き起こす。これにより、せっか
く大きい値であった縦モード間のゲイン差Δαが小さく
なる。つまり、単一縦モード性が大きく損なわれる。こ
の様に、単一縦モード発振するDFBレーザ・チップを高
い歩留りで得るのは非常に難しかった。
（発明が解決しようとする課題） この発明は上記のような点に鑑みて為されたもので、そ
の目的は、特に光導波路を含むレーザ・ストライプに沿
って回折格子を有する半導体レーザ・チップにおいて、
高い確率で単一縦モード発振する半導体レーザ・チッ
プ、および高い歩留りで半導体レーザ・チップを製造で
きる製造方法を提供することにある。
の目的は、特に光導波路を含むレーザ・ストライプに沿
って回折格子を有する半導体レーザ・チップにおいて、
高い確率で単一縦モード発振する半導体レーザ・チッ
プ、および高い歩留りで半導体レーザ・チップを製造で
きる製造方法を提供することにある。
［発明の構成］ （発明を解決するための手段） 本発明は、上記の克服すべき課題を、次のような方法で
解決するものである。
解決するものである。
つまり、本発明では、回折格子を有する、例えばDFBレ
ーザ・チップ等において、一つのチップの中に、複数本
のレーザ・ストライプを互いに電気的にアイソレートし
て形成する。そして、複数本のレーザ・ストライプ端面
における回折格子の位相を、それぞれ変える。
ーザ・チップ等において、一つのチップの中に、複数本
のレーザ・ストライプを互いに電気的にアイソレートし
て形成する。そして、複数本のレーザ・ストライプ端面
における回折格子の位相を、それぞれ変える。
ここで、複数本のレーザ・ストライプ端面における回折
格子の位相の差をΔθとした場合、このΔθに、上記複
数本のレーザ・ストライプのうち、いずれか１本が単一
縦モード発振する確率が最も大きくなるよう、さらに限
定を加えるものである。
格子の位相の差をΔθとした場合、このΔθに、上記複
数本のレーザ・ストライプのうち、いずれか１本が単一
縦モード発振する確率が最も大きくなるよう、さらに限
定を加えるものである。
また、その製造方法では、回折格子を形成する際、レー
ザストライプと交差する劈開面に対して所定角度φずら
して形成するものである。
ザストライプと交差する劈開面に対して所定角度φずら
して形成するものである。
（作用） 上記のような半導体レーザ・チップにあっては、複数本
のレーザ・ストライプが備えられており、これらレーザ
・ストライプのうち、特性が最も良好である一本を選択
し使用する。従って、一つのチップにおいて、単一縦モ
ード発振する確率が高められる。
のレーザ・ストライプが備えられており、これらレーザ
・ストライプのうち、特性が最も良好である一本を選択
し使用する。従って、一つのチップにおいて、単一縦モ
ード発振する確率が高められる。
DFBレーザの場合、これを単純に複数個並べても、少な
くとも１つが単一縦モード発振する確率が、必ずしも向
上しない。
くとも１つが単一縦モード発振する確率が、必ずしも向
上しない。
しかし、複数本のレーザ・ストライプの端面における回
折格子の位相をそれぞれ変えることによって単一縦モー
ド発振する確率が初めて向上する。
折格子の位相をそれぞれ変えることによって単一縦モー
ド発振する確率が初めて向上する。
また、レーザ・ストライプをより多く形成すれば、上記
確率をより高められる。
確率をより高められる。
また、その様なチップを得るには、回折格子を形成する
際、将来、レーザストライプと交差する劈開面に対して
所定角度φずらして形成すれば、大変容易に、複数本の
レーザ・ストライプの端面位相をそれぞれ変えることが
できる。
際、将来、レーザストライプと交差する劈開面に対して
所定角度φずらして形成すれば、大変容易に、複数本の
レーザ・ストライプの端面位相をそれぞれ変えることが
できる。
（実施例） 以下、本発明をGaInAsP/InP系埋込み型DFBレーザに適用
した一実施例について図面を参照して詳細に説明する。
した一実施例について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は、一実施例に係わるDFBレーザ・チップの斜視
図、第２図は、第１図中の２−２線に沿う断面図、第３
図は正面図である。これはつぎのようにして製作され
る。
図、第２図は、第１図中の２−２線に沿う断面図、第３
図は正面図である。これはつぎのようにして製作され
る。
第１図乃至第３図に示すように、まず、ｎ型InP基板11
上に二光束干渉露光法で１次の回折格子12を形成し、そ
の上にｎ型GaInAsP光導波層13（λ＝1.3μｍ帯組成）、
アンドープGaInAsP活性層14（1.55μｍ帯組成）、ｐ型G
aInAsPアンチ・メルトバック層15（λ＝1.3μｍ帯組
成）、ｐ型InPクラッド層16、P+型GaInAsPモーミックコ
ンタクト層17（λ＝1.15μｍ帯組成）を順次積層する。
そののち、エッチングにより、メサ・ストライプ部（≒
レーザ・ストライプ）を形成する。つぎに、その周囲
を、ｐ型InP層18、ｎ型InP層19アンドープGaInAsPキャ
ップ層20（λ＝1.15μｍ帯組成）を連続成長して埋め込
む（BH構造）。このとき、埋め込み領域ではｐ−ｎ逆バ
イアス接合21によって電流がブロックされるため、スト
ライプ状の活性層14にのみ、電流が効率良く注入され
る。
上に二光束干渉露光法で１次の回折格子12を形成し、そ
の上にｎ型GaInAsP光導波層13（λ＝1.3μｍ帯組成）、
アンドープGaInAsP活性層14（1.55μｍ帯組成）、ｐ型G
aInAsPアンチ・メルトバック層15（λ＝1.3μｍ帯組
成）、ｐ型InPクラッド層16、P+型GaInAsPモーミックコ
ンタクト層17（λ＝1.15μｍ帯組成）を順次積層する。
そののち、エッチングにより、メサ・ストライプ部（≒
レーザ・ストライプ）を形成する。つぎに、その周囲
を、ｐ型InP層18、ｎ型InP層19アンドープGaInAsPキャ
ップ層20（λ＝1.15μｍ帯組成）を連続成長して埋め込
む（BH構造）。このとき、埋め込み領域ではｐ−ｎ逆バ
イアス接合21によって電流がブロックされるため、スト
ライプ状の活性層14にのみ、電流が効率良く注入され
る。
このとき、レーザ・ストライプの端面における回折格子
の位相によって単一縦モード発振の実現性が決まること
は、既に述べた。レーザ・ストライプが１つのチップに
１本あるのが、従来のチップ構造である。
の位相によって単一縦モード発振の実現性が決まること
は、既に述べた。レーザ・ストライプが１つのチップに
１本あるのが、従来のチップ構造である。
第１図に示すように、本発明では、一つのチップの中
に、レーザ・ストライプ50Aと、50Bとが間隔ｄを開けて
２本並んでいる。これら２本のレーザ・ストライプ50
A、50Bは、エッチングにより形成した溝100で互いに電
気的にアイソレートされている。そして、本発明のレー
ザ・チップでは、レーザ・ストライプ50A、50Bのうち、
特性が良い方のレーザ・ストライプを、実際のレーザ発
光部として使用する。
に、レーザ・ストライプ50Aと、50Bとが間隔ｄを開けて
２本並んでいる。これら２本のレーザ・ストライプ50
A、50Bは、エッチングにより形成した溝100で互いに電
気的にアイソレートされている。そして、本発明のレー
ザ・チップでは、レーザ・ストライプ50A、50Bのうち、
特性が良い方のレーザ・ストライプを、実際のレーザ発
光部として使用する。
このようなレーザ・チップは、第４図の回折格子と、劈
開面と、レーザ・ストライプとの関係を示す平面図にあ
るように、回折格子12の溝の形成方向と劈開面とを角度
φだけずらして形成した。
開面と、レーザ・ストライプとの関係を示す平面図にあ
るように、回折格子12の溝の形成方向と劈開面とを角度
φだけずらして形成した。
また、例えば同一チップ内に、互いに近接して形成され
た２本のレーザ・ストライプの間隔がｄの場合、単一縦
モード発振する確率が向上する端面位相差をΔθ、回折
格子周期をΛとすれば、回折格子の溝の形成方向と、劈
開面の角度φとは、 φ＝tan-1（Λ・Δθ/2πｄ） …（１） で与えることができる。
た２本のレーザ・ストライプの間隔がｄの場合、単一縦
モード発振する確率が向上する端面位相差をΔθ、回折
格子周期をΛとすれば、回折格子の溝の形成方向と、劈
開面の角度φとは、 φ＝tan-1（Λ・Δθ/2πｄ） …（１） で与えることができる。
この角度φの制御は、基板上に二光束干渉露光法で回折
格子を露光する際に、干渉面を劈開面に対して角度φだ
けずらせばよい。これは精密な回転台と、劈開面にレー
ザ・ビームを当てて戻り光のずれを観察する方法等で容
易に制御できた。
格子を露光する際に、干渉面を劈開面に対して角度φだ
けずらせばよい。これは精密な回転台と、劈開面にレー
ザ・ビームを当てて戻り光のずれを観察する方法等で容
易に制御できた。
なお、図中のＩ線は、レーザ・ストライプ50Aの断面
を、図中のII線は、レーザ・ストライプ50Bの断面を、
それぞれ示している。Ｉ線、II線からも分かるように、
レーザ・ストライプ50A、50Bの、それぞれの端面におけ
る回折格子の位相は、それぞれずれている。
を、図中のII線は、レーザ・ストライプ50Bの断面を、
それぞれ示している。Ｉ線、II線からも分かるように、
レーザ・ストライプ50A、50Bの、それぞれの端面におけ
る回折格子の位相は、それぞれずれている。
さて、同一チップ上に形成したレーザ・ストライプ50
A、50Bの最適な端面位相差Δθであるが、これはつぎの
ようにして求めた。
A、50Bの最適な端面位相差Δθであるが、これはつぎの
ようにして求めた。
単一縦モードで発振するためには、最低、次のモードと
次のモードとのしきい値ゲイン値Δαが大きく、かつ、
前述の軸方向の空間的ホールバーニングが小さくなくて
はいけない。ホールバーニングが小さいためには、共振
器軸方向の光強度分布は平坦である必要がある。つま
り、規格化しきい値ゲイン値ΔαＬ（L:共振器長）が大
きく、かつ、軸方向の光強度分布の最小値と最大値の比
の値Ｆが大きいことが必要条件である。そこで、一方の
レーザ・ストライプの端面位相をランダムに変化させ
（例えば16×16通り）、これらの端面位相の組み合わせ
に対し、他方のレーザ・ストライプの端面における回折
格子の位相をΔθだけずらす。そして、この場合に２本
のレーザ・ストライプのうち、少なくとも一方が上記Ｆ
およびΔαＬの条件を満たす、すなわち、単一縦モード
で発振すると考えられる確率を計算した。
次のモードとのしきい値ゲイン値Δαが大きく、かつ、
前述の軸方向の空間的ホールバーニングが小さくなくて
はいけない。ホールバーニングが小さいためには、共振
器軸方向の光強度分布は平坦である必要がある。つま
り、規格化しきい値ゲイン値ΔαＬ（L:共振器長）が大
きく、かつ、軸方向の光強度分布の最小値と最大値の比
の値Ｆが大きいことが必要条件である。そこで、一方の
レーザ・ストライプの端面位相をランダムに変化させ
（例えば16×16通り）、これらの端面位相の組み合わせ
に対し、他方のレーザ・ストライプの端面における回折
格子の位相をΔθだけずらす。そして、この場合に２本
のレーザ・ストライプのうち、少なくとも一方が上記Ｆ
およびΔαＬの条件を満たす、すなわち、単一縦モード
で発振すると考えられる確率を計算した。
上記の確率計算を、端面位相差Δθを変化させて行い、
端面位相差Δθ＝０の場合（レーザ・ストライプが１本
の場合）と比較して歩留りを大きく向上させることがで
きるΔθの範囲を決定した。
端面位相差Δθ＝０の場合（レーザ・ストライプが１本
の場合）と比較して歩留りを大きく向上させることがで
きるΔθの範囲を決定した。
第５図（ａ）および（ｂ）は、その計算結果の例であ
る。
る。
同図（ａ）の様に、規格化結合係数kL（回折格子による
光フィードバックの量を表す構造パラメータ）が1.5
で、両端面の反射率が、共に30％の場合（両端面劈
開）、 ｛（1/4）・π｝≦Δθ≦｛（7/4）・π｝ …（２） の範囲で、曲線IIIに示すように36％以上の歩留りを得
た（１本の場合は28％）。
光フィードバックの量を表す構造パラメータ）が1.5
で、両端面の反射率が、共に30％の場合（両端面劈
開）、 ｛（1/4）・π｝≦Δθ≦｛（7/4）・π｝ …（２） の範囲で、曲線IIIに示すように36％以上の歩留りを得
た（１本の場合は28％）。
また、同図（ｂ）の様に、規格化結合係数kL＝1.5、一
端面の反射率を30％（劈開）、他端面の反射率を誘電体
コート等により10％にした場合でも、上記（２）式に示
される端面位相差Δθの範囲で、曲線IVに示すように70
％以上の歩留りを得た（１本の場合は54％）。
端面の反射率を30％（劈開）、他端面の反射率を誘電体
コート等により10％にした場合でも、上記（２）式に示
される端面位相差Δθの範囲で、曲線IVに示すように70
％以上の歩留りを得た（１本の場合は54％）。
なお、ここで軸方向の光強度分布の最小値と最大値の比
の値Ｆ、および規格化しきい値ゲイン差ΔαＬの条件
は、次のように設定した。
の値Ｆ、および規格化しきい値ゲイン差ΔαＬの条件
は、次のように設定した。
Ｆ≧0.4, ΔαＬ≧0.1 また、上述した以外の規格化結合係数kL、および端面反
射率の値の場合でも同様に、上記（２）式に示される端
面位相差Δθの範囲でレーザ・ストライプが１本の場合
より、大きく歩留りが向上している。
射率の値の場合でも同様に、上記（２）式に示される端
面位相差Δθの範囲でレーザ・ストライプが１本の場合
より、大きく歩留りが向上している。
さらに、上記Ｆ、およびΔαＬの条件を多少変化させて
もこの傾向は変わらなかった。
もこの傾向は変わらなかった。
実際の試験結果でも同様に、端面位相差Δθを上記
（２）式の範囲にすることで大きく歩留りが向上してい
る。
（２）式の範囲にすることで大きく歩留りが向上してい
る。
本実施例では、ワイヤ・ボンディンディングの容易さ
（ボンディンディング・パッドの大きさ）を考慮して２
本のレーザ・ストライプとしたが、３本以上のレーザ・
ストライプを同一チップに形成した場合には、さらに、
DFBレーザが単一縦モードで発振する確率が高まり、１
枚のウェファからのチップの収量を向上できる。
（ボンディンディング・パッドの大きさ）を考慮して２
本のレーザ・ストライプとしたが、３本以上のレーザ・
ストライプを同一チップに形成した場合には、さらに、
DFBレーザが単一縦モードで発振する確率が高まり、１
枚のウェファからのチップの収量を向上できる。
なお、一実施例では、埋め込み型DFBレーザ・チップを
例にとって説明したが、本発明はこれに限られることは
なく、回折格子を有する半導体レーザ・チップであれ
ば、上述した効果を損なうことなく適用できることは言
うまでもない。例えば上述した埋め込み型（BH構造）ば
かりでなく、電流狭窄によってレーザ・ストライプを得
るタイプの半導体レーザ（利得導波構造）であっても、
本発明の主旨を逸脱する範囲ではない。
例にとって説明したが、本発明はこれに限られることは
なく、回折格子を有する半導体レーザ・チップであれ
ば、上述した効果を損なうことなく適用できることは言
うまでもない。例えば上述した埋め込み型（BH構造）ば
かりでなく、電流狭窄によってレーザ・ストライプを得
るタイプの半導体レーザ（利得導波構造）であっても、
本発明の主旨を逸脱する範囲ではない。
また、回折格子を有する半導体レーザ・チップとしては
DFBレーザのみならず、分布反射型レーザ（DBRレーザ）
にも応用できることは勿論である。
DFBレーザのみならず、分布反射型レーザ（DBRレーザ）
にも応用できることは勿論である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、特に回折格子を
有する半導体レーザ・チップにおいて、高い確率で単一
縦モード発振するチップと、１枚のウェファからの上記
チップの収量を向上できるチップ製造方法とが提供でき
る。
有する半導体レーザ・チップにおいて、高い確率で単一
縦モード発振するチップと、１枚のウェファからの上記
チップの収量を向上できるチップ製造方法とが提供でき
る。
第１図は一実施例に係わるDFBレーザ・チップの斜視
図、 第２図は第１図中の２−２線に沿う断面図、 第３図は上記チップの正面図、 第４図は回折格子形成方向と劈開面およびレーザ・スト
ライプの関係を示す平面図、 第５図は端面位相差Δθと歩留りの関係を示す図であ
る。 11……ｎ型InP基板、12……１次の回折格子、13……ｎ
型GaInAsP光導波層（λ＝1.3μｍ帯組成）、14……アン
ドープGaInAsP活性層（λ＝1.55μｍ帯組成）、15……
ｐ型GaInAsPアンチ・メルトバック層（λ＝1.3μｍ帯組
成）、16……ｐ型InPクラッド層、17…p+型GaInAsPオー
ミックコンタクト層（λ＝1.15μｍ帯組成）、18……ｐ
型InP層、19……ｎ型InP層、20……アンドープGaInAsP
キャップ層（λ＝1.15μｍ帯組成）、21……ｐ−ｎ逆バ
イアス接合、22……ｐ型電極、23……ｎ側電極、40……
回折格子、50A、50B……レーザ・ストライプ、100……
電気的アイソレーションのためにエッチングにより形成
した溝。
図、 第２図は第１図中の２−２線に沿う断面図、 第３図は上記チップの正面図、 第４図は回折格子形成方向と劈開面およびレーザ・スト
ライプの関係を示す平面図、 第５図は端面位相差Δθと歩留りの関係を示す図であ
る。 11……ｎ型InP基板、12……１次の回折格子、13……ｎ
型GaInAsP光導波層（λ＝1.3μｍ帯組成）、14……アン
ドープGaInAsP活性層（λ＝1.55μｍ帯組成）、15……
ｐ型GaInAsPアンチ・メルトバック層（λ＝1.3μｍ帯組
成）、16……ｐ型InPクラッド層、17…p+型GaInAsPオー
ミックコンタクト層（λ＝1.15μｍ帯組成）、18……ｐ
型InP層、19……ｎ型InP層、20……アンドープGaInAsP
キャップ層（λ＝1.15μｍ帯組成）、21……ｐ−ｎ逆バ
イアス接合、22……ｐ型電極、23……ｎ側電極、40……
回折格子、50A、50B……レーザ・ストライプ、100……
電気的アイソレーションのためにエッチングにより形成
した溝。
Claims (3)
- 【請求項１】光導波路を含むレーザ・ストライプに沿っ
て回折格子を有する半導体レーザ・チップにおいて、 一つの前記チップの中に、互いに電気的にアイソレート
された複数本の前記レーザ・ストライプを備え、 複数本の前記レーザ・ストライプ端面における前記回折
格子の端面位相は、それぞれ異なっていることを特徴と
する半導体レーザ・チップ。 - 【請求項２】前記複数本のレーザ・ストライプの端面に
おける回折格子の位相の差をΔθとしたとき、前記Δθ
は、 （2n＋1/4）π≦Δθ≦（2n＋7/4）π（n;0,1,2…整
数） の範囲にあることを特徴とする請求項（１）記載の半導
体レーザ・チップ。 - 【請求項３】光導波路を含むレーザ・ストライプに沿っ
て回折格子を有する半導体レーザ・チップの製造方法に
おいて、 半導体基板上に、レーザ・ストライプを構成する半導体
層を形成する工程と、 前記半導体基板上に、将来レーザ・ストライプと交差す
る劈開面に対し、所定の角度φずらして回折格子を形成
する工程と、 前記半導体層に複数のレーザ・ストライプを形成する工
程と、 前記複数のレーザ・ストライプのうち、所定のレーザ・
ストライプ同士を互い電気的にアイソレートするアイソ
レート領域を選択的に形成する工程と、 前記アイソレート領域を含み、かつレーザ・ストライプ
に複数含んだレーザ・チップに劈開する工程と、 を具備することを特徴とする半導体レーザ・チップの製
造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2066685A JPH0724324B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 |
| KR1019910003968A KR910017703A (ko) | 1990-03-16 | 1991-03-13 | 반도체레이저 칩 및 그 제조방법 |
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| JPH0724324B2 true JPH0724324B2 (ja) | 1995-03-15 |
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ID=13323035
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2066685A Expired - Fee Related JPH0724324B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 |
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| EP (1) | EP0447983A3 (ja) |
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- 1991-03-13 KR KR1019910003968A patent/KR910017703A/ko not_active IP Right Cessation
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