JPH0878778A - 半導体レーザ装置，及びその製造方法 - Google Patents

半導体レーザ装置，及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0878778A
JPH0878778A JP6213651A JP21365194A JPH0878778A JP H0878778 A JPH0878778 A JP H0878778A JP 6213651 A JP6213651 A JP 6213651A JP 21365194 A JP21365194 A JP 21365194A JP H0878778 A JPH0878778 A JP H0878778A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
unit
unit semiconductor
face
semiconductor lasers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6213651A
Other languages
English (en)
Inventor
Taisuke Miyazaki
泰典 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP6213651A priority Critical patent/JPH0878778A/ja
Priority to US08/524,777 priority patent/US5636235A/en
Priority to GB9518301A priority patent/GB2293687B/en
Publication of JPH0878778A publication Critical patent/JPH0878778A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405—Two-dimensional arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡易な工程で作製でき、発光点が狭い範囲に
集中したアレイ型半導体レーザ装置、及びその製造方法
を提供する。 【構成】 ２個の単位半導体レーザが縦に積み重なって
なる列が２列、その光の出射方向がすべて同一方向とな
るようにサブマウント３上に隣接して形成されており、
各単位半導体レーザ１における活性層２は、その端面の
中央より上側でかつ相隣接する単位半導体レーザの列に
相対する側面に近い側に形成されている。 【効果】 上記活性層の中心位置が上記端面の中央の上
側にある従来のアレイ型半導体レーザ装置より、活性層
の分布する領域すなわち発光領域を狭くすることがで
き、出射光のレンズ等による集光を容易にすることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置、
特に狭い領域に発光点が存在するアレイ型半導体レーザ
装置、及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置を高出力化する方法と
して、複数の単位半導体レーザを集積して、アレイ型半
導体レーザ装置とする方法がある。図９に従来のアレイ
型半導体レーザ装置の構成を示す。図において、５１は
単位半導体レーザ、５２は活性層、３はサブマウント、
４はワイヤである。活性層５２は、各単位半導体レーザ
の両側面の中央に位置している。
【０００３】図９（ａ）のように、個々の活性層５２の
間隔が３００μｍある４点アレイ型レーザ装置の場合、
発光点（活性層の中心点）は９００μｍの長さにわたっ
て分布している。この場合、出射光をレンズなどの光学
系を用いて狭い範囲に絞るのが難しい。
【０００４】また、図９（ｂ）のように単位半導体レー
ザ５１を縦に積み上げた場合には、個々の単位半導体レ
ーザ５１の厚さを１００μｍとすると、発光点（活性層
の中心点）の分布している領域（以下、発光領域と記
す）は長さ３００μｍに収まるが、はんだを用いて単位
半導体レーザとサブマウント、あるいは単位半導体レー
ザ相互の接合を行う場合、接合した部分がその上に積み
上げられる単位半導体レーザのはんだ付けの際に再び融
解することのないように、接合に用いるはんだの融点
は、その接合を行う部分がサブマウントから離れるほど
低くなるようにする。すなわち、融点の異なる複数種類
のはんだを用いる必要があり、この接合の工程は煩雑な
ものとなる。
【０００５】また、図９（ｃ）のように、縦に積み重ね
た単位半導体レーザの列を２列に分けると、上記のはん
だ接合工程の煩雑さは緩和される。しかし、この横に並
んだ２列の単位半導体レーザの相対する側面間の間隔は
１００μｍ程度であり、各単位半導体レーザの幅は３０
０μｍ程度とすると、上記列の間の発光点（活性層中心
点）間の間隔は４００μｍ程度となり、発光領域は（縦
×横）１００×４００μｍ2 と、上記図９（ｂ）の場合
より広くなる。これでは、出射光を狭い範囲に絞るのが
難しくなる。上記発光領域を縮小するため、各単位半導
体レーザ５１の幅を小さくすることが考えられるが、放
熱が充分に行われ、かつ取扱いを容易にするためには、
この幅は２００μｍ以上必要である。従って、この幅を
縮小して発光領域を狭くすることには限界がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、単位半
導体レーザを縦に１列に積み上げたアレイ型半導体レー
ザ装置より、これを２列に分けて横に並べたものの方
が、はんだによる接合工程は簡易なものとなるが、発光
領域は広くなってしまい、レンズ等による出射光の集光
が困難になるという問題があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点に鑑みなさ
れたものであり、簡易な工程で作製でき、発光点が狭い
領域に集中したアレイ型半導体レーザ装置、及びその製
造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係わる半導体レーザ装置は、同数の単位半導体レーザが
縦に積み重なってなる列を２列その光の出射方向がすべ
て同一方向となるように隣接して備え、上記各単位半導
体レーザの端面における活性層の中心位置は、該単位半
導体レーザの端面の中央より相隣接する列に近い位置に
あるものである。
【０００９】この発明（請求項２）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、相隣接する列の単
位半導体レーザとそれらの側面において接しているもの
である。
【００１０】この発明（請求項３）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単
位半導体レーザを積み重ねてなるものであり、上記各列
の上側及び下側の上記単位半導体レーザの活性層の中心
位置は、該単位半導体レーザの端面の中央よりそれぞれ
下側及び上側にあるものである。
【００１１】この発明（請求項４）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単
位半導体レーザを積み重ねてなるものであり、上記各単
位半導体レーザは、相隣接する列の単位半導体レーザと
それらの側面において接しており、上記各列の上側及び
下側の上記単位半導体レーザの活性層の中心位置は、該
単位半導体レーザの端面の中央よりそれぞれ下側及び上
側にあるものである。
【００１２】この発明（請求項５）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位
半導体レーザの活性層の位置が端面の中央より一方の側
面側にある半導体レーザバーを切り出す工程と、該半導
体レーザバーを任意の上記単位半導体レーザの側面にお
いて切断して第１及び第２半導体レーザバーに分割する
工程と、上記第１半導体レーザバーの前端面と、上記第
２半導体レーザバーの後端面とに低反射率膜を、上記第
１半導体レーザバーの後端面と、上記第２半導体レーザ
バーの前端面とに高反射率膜を形成する工程と、上記第
１及び第２半導体レーザバーをそれぞれ複数の単位半導
体レーザに切り出す工程と、互いに同数の第１及び第２
半導体レーザバーからそれぞれ切り出した単位半導体レ
ーザを、隣接した二つの各列をなすよう、かつ上記低反
射率膜が形成された端面が同一平面上に揃い、各列の単
位半導体レーザの活性層に近い側面が相対するよう、さ
らに各列において表面電極を上に、裏面電極を下にし
て、サブマウント上にそれぞれ積み重ね、相互に接合す
る工程とを含むものである。
【００１３】この発明（請求項６）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつその活性層の
位置が２つ毎にその接合側面の近くにある対向する一対
の単位半導体レーザが複数配列されてなる対向型半導体
レーザバーを切り出す工程と、上記対向型半導体レーザ
バーの前端面に低反射率膜を、後端面に高反射率膜を形
成する工程と、上記対向型半導体レーザバーを上記対向
する一対の単位半導体レーザの活性層から遠い側の接合
側面において切断し、それぞれ活性層から近い側の側面
において相互に接する対向する一対の単位半導体レーザ
からなる対向型半導体レーザチップに切り出す工程と、
複数の上記対向型半導体レーザチップを、上記低反射率
膜が形成された端面が同一平面上に揃うように、かつ表
面電極を上に、裏面電極を下にして、サブマウント上に
積み重ね、相互に接合する工程とを含むものである。
【００１４】この発明（請求項７）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位
半導体レーザの活性層の位置が端面の中央にある半導体
レーザバーを切り出す工程と、上記半導体レーザバーの
前端面に低反射率膜を、後端面に高反射率膜を形成する
工程と、上記半導体レーザバーを複数の単位半導体レー
ザに切り出す工程と、複数の上記単位半導体レーザを、
上記低反射率膜が形成された端面が同一平面上に揃うよ
うに、表面電極を上に、裏面電極を下にしてサブマウン
ト上に積み重ね、相互に接合する工程と、上記積み重ね
られた複数の単位半導体レーザをその中心を通る、その
側面に平行な面で切断し、同方向に光を出射する複数の
分割単位半導体レーザをその各々の活性層が相対向する
よう２列の各々に積み重ねてなる半導体レーザ装置を形
成する工程とを含むものである。
【００１５】この発明（請求項８）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されており、活性層を上記裏面電極より上
記表面電極近くに有し、その表面電極と裏面電極間の活
性層を除く半導体層の導電型が、第１と第２とで逆であ
る第１及び第２の単位半導体レーザ構成体を、各単位半
導体レーザの端面を形成するよう切断して、各単位半導
体レーザが側面を接して連なり、かつ２つ毎にその接合
側面の近くにある対向する一対の単位半導体レーザが複
数配列されてなる対向型半導体レーザバーを切り出す工
程と、上記対向型半導体レーザバーの前端面に低反射率
膜を、後端面に高反射率膜を形成する工程と、上記対向
型半導体レーザバーを上記対向する一対の単位半導体レ
ーザの活性層から遠い側の接合側面において切断し、そ
れぞれ活性層から近い側の側面において相互に接する対
向する一対の単位半導体レーザからなる対向型半導体レ
ーザチップに切り出す工程と、上記第１単位半導体レー
ザ構成体から切り出された第１半導体レーザチップを、
その裏面電極を下にしてサブマウント上に接合し、上記
第２単位半導体レーザ構成体から切り出された第２半導
体レーザチップを、その表面電極を下にして、かつ第
１，第２半導体レーザチップの上記低反射率膜が形成さ
れた端面が一平面内に揃うように上記第１半導体レーザ
チップの表面電極上に接合する工程とを含むものであ
る。
【００１６】
【作用】この発明（請求項１）に係わる半導体レーザ装
置は、同数の単位半導体レーザが縦に積み重なってなる
列を２列その光の出射方向がすべて同一方向となるよう
に隣接して備え、上記各単位半導体レーザの端面におけ
る活性層の中心位置は、該単位半導体レーザの端面の中
央より相隣接する列に近い位置にあるものであるから、
活性層の中心位置が上記端面の中央（各単位半導体レー
ザの両側面間の中央）にある従来のアレイ型半導体レー
ザ装置より、活性層の分布する領域すなわち発光領域を
狭くすることができ、レンズ等による出射光の集光を容
易にすることができる。
【００１７】この発明（請求項２）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、相隣接する列の単
位半導体レーザとそれらの側面において接しているもの
であるから、上記２列の単位半導体レーザの相対する側
面間に一定の間隔が存在する場合より、互いに隣合って
いる２つの単位半導体レーザの活性層間の距離が短くな
り、発光領域をより狭くすることができ、レンズ等によ
る出射光の集光をさらに容易にすることができる。
【００１８】この発明（請求項３）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単
位半導体レーザを積み重ねてなるものであり、上記各列
の上側及び下側の上記単位半導体レーザの活性層の中心
位置は、該単位半導体レーザの端面の中央よりそれぞれ
下側及び上側にあるものであるから、互いに隣接する２
つ単位半導体レーザの活性層間の間隔を狭くするだけで
なく、縦方向に積み重なった２つの単位半導体レーザの
活性層間の間隔をも狭くすることが可能となり、発光領
域をより狭くすることができ、レンズ等による出射光の
集光をさらに容易にすることができる。
【００１９】この発明（請求項４）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単
位半導体レーザを積み重ねてなるものであり、上記各単
位半導体レーザは、相隣接する列の単位半導体レーザと
それらの側面において接しており、上記各列の上側及び
下側の上記単位半導体レーザの活性層の中心位置は、該
単位半導体レーザの端面の中央よりそれぞれ下側及び上
側にあるものであるから、上記２列の単位半導体レーザ
の相対する側面間に一定の間隔が存在する場合より、互
いに隣接する２つ単位半導体レーザの活性層間の間隔を
狭くするだけでなく、縦方向に積み重なった２つの単位
半導体レーザの活性層間の間隔をも狭くすることが可能
となり、発光領域をより狭くすることができ、レンズ等
による出射光の集光をさらに容易にすることができる。
【００２０】この発明（請求項５）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位
半導体レーザの活性層の位置が端面の中央より一方の側
面側にある半導体レーザバーを切り出す工程と、該半導
体レーザバーを任意の上記単位半導体レーザの側面にお
いて切断して第１及び第２半導体レーザバーに分割する
工程と、上記第１半導体レーザバーの前端面と、上記第
２半導体レーザバーの後端面とに低反射率膜を、上記第
１半導体レーザバーの後端面と、上記第２半導体レーザ
バーの前端面とに高反射率膜を形成する工程と、上記第
１及び第２半導体レーザバーをそれぞれ複数の単位半導
体レーザに切り出す工程と、互いに同数の第１及び第２
半導体レーザバーからそれぞれ切り出した単位半導体レ
ーザを、隣接した二つの各列をなすよう、かつ上記低反
射率膜が形成された端面が同一平面上に揃い、各列の単
位半導体レーザの活性層に近い側面が相対するよう、さ
らに各列において表面電極を上に、裏面電極を下にし
て、サブマウント上にそれぞれ積み重ね、相互に接合す
る工程とを含むものであるから、この製造方法によるア
レイ型半導体レーザは、活性層が各単位半導体レーザの
両側面の中央より、隣接する単位半導体レーザの列に相
対する側面に近い側に形成されているため、活性層の中
心位置が上記端面の中央（単位半導体レーザの両側面の
中央）にある従来のアレイ型半導体レーザ装置より活性
層の間隔、すなわち、発光領域を狭くでき、レンズ等に
よる出射光の集光を容易にすることができる。また、
（全単位半導体レーザの個数を同数とすると、）各列で
縦に積み重ねる単位半導体レーザの個数は、従来の単位
半導体レーザを縦に１列に積み重ねる場合の１／２であ
るから、融点の異なるはんだの種類も１／２で済み、は
んだを用いた接合工程は簡易なものとなる。一方、単位
半導体レーザ１個の大きさは前述の従来のものと同じで
あるから、放熱、接合工程での取り扱いは従来のものと
同等である。
【００２１】この発明（請求項６）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつその活性層の
位置が２つ毎にその接合側面の近くにある対向する一対
の単位半導体レーザが複数配列されてなる対向型半導体
レーザバーを切り出す工程と、上記対向型半導体レーザ
バーの前端面に低反射率膜を、後端面に高反射率膜を形
成する工程と、上記対向型半導体レーザバーを上記対向
する一対の単位半導体レーザの活性層から遠い側の接合
側面において切断し、それぞれ活性層から近い側の側面
において相互に接する対向する一対の単位半導体レーザ
からなる対向型半導体レーザチップに切り出す工程と、
複数の上記対向型半導体レーザチップを、上記低反射率
膜が形成された端面が同一平面上に揃うように、かつ表
面電極を上に、裏面電極を下にして、サブマウント上に
積み重ね、相互に接合する工程とを含むものであるか
ら、この製造方法によるアレイ型半導体レーザにおい
て、各単位半導体レーザは相隣接する列の単位半導体レ
ーザとそれらの側面において接しており、上記２列の単
位半導体レーザの相対する側面間に一定の間隔が存在す
るアレイ型半導体レーザ（請求項５）より、互いに隣合
っている２つの単位半導体レーザの活性層間の距離が短
くなり、発光領域をより狭くすることができ、レンズ等
による出射光の集光をさらに容易にすることができる。
また、縦に積み重ねる対向型半導体レーザチップの数は
従来の単位半導体レーザを縦１列に積み重ねる場合の単
位半導体レーザ数の１／２であるから、融点の異なるは
んだの種類も１／２で済み、はんだを用いた接合工程は
簡易なものとなる。さらに、はんだによる接合箇所は、
上記の縦２列に積み上げる製造方法（請求項５）の１／
２であり、この点に関しても接合工程は簡素化される。
さらに、半導体レーザバーを第１及び第２の半導体レー
ザバーに分割する必要が無いため、この面でも工程は簡
素なものとなる。また、すべての単位半導体レーザを切
り出す場合に比べて、上記対向型半導体レーザチップを
切り出す場合は切断箇所は１／２であるから、この切り
出し工程も簡素化される。一方、対向型半導体レーザチ
ップの大きさは前述の従来の単位半導体レーザの２倍で
あるから、接合工程でのチップの取り扱いは従来より容
易となる。また、単位半導体レーザの大きさは従来のも
のと同じであるから、従来と同等の放熱性を確保でき
る。
【００２２】この発明（請求項７）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位
半導体レーザの活性層の位置が端面の中央にある半導体
レーザバーを切り出す工程と、上記半導体レーザバーの
前端面に低反射率膜を、後端面に高反射率膜を形成する
工程と、上記半導体レーザバーを複数の単位半導体レー
ザに切り出す工程と、複数の上記単位半導体レーザを、
上記低反射率膜が形成された端面が同一平面上に揃うよ
うに、表面電極を上に、裏面電極を下にしてサブマウン
ト上に積み重ね、相互に接合する工程と、上記積み重ね
られた複数の単位半導体レーザをその中心を通る、その
側面に平行な面で切断し、同方向に光を出射する複数の
分割単位半導体レーザをその各々の活性層が相対向する
よう２列の各々に積み重ねてなる半導体レーザ装置を形
成する工程とを含むものであるから、この製造方法によ
るアレイ型半導体レーザは、分割活性層が各分割単位半
導体レーザの両側面の中央より、隣接する分割単位半導
体レーザの列に相対する側面の側に、活性層の一端がそ
の側面に露出するように形成されているため、活性層の
間隔を狭くすることができる。すなわち、発光点を従来
及び上記の製造方法（請求項５）によるアレイ型半導体
レーザ装置より狭い領域に集めることができ、出射光の
レンズ等による出射光の集光を容易にすることができ
る。また、縦に積み重ねる単位半導体レーザの個数は、
従来の単位半導体レーザを縦１列に積み重ねる場合の１
／２であるから、融点の異なるはんだの種類も１／２で
済み、はんだを用いた接合工程は簡易なものとなる。さ
らに、はんだによる接合箇所は、上記の縦２列に積み上
げる製造方法（請求項５）の１／２であり、この点に関
しても接合工程は簡素化されている。さらに、上記の製
造方法（請求項５）のように半導体レーザバーを第１及
び第２の半導体レーザバーに分割する必要が無いため、
工程は簡素化される。一方、単位半導体レーザの大きさ
は前述の従来の単位半導体レーザの約２倍であるから、
接合工程でのチップの取り扱いは従来より容易となる。
単位半導体レーザの大きさは従来のものと同じであるか
ら、従来と同等の放熱性を確保できる。
【００２３】この発明（請求項８）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されており、活性層を上記裏面電極より上
記表面電極近くに有し、その表面電極と裏面電極間の活
性層を除く半導体層の導電型が、第１と第２とで逆であ
る第１及び第２の単位半導体レーザ構成体を、各単位半
導体レーザの端面を形成するよう切断して、各単位半導
体レーザが側面を接して連なり、かつ２つ毎にその接合
側面の近くにある対向する一対の単位半導体レーザが複
数配列されてなる対向型半導体レーザバーを切り出す工
程と、上記対向型半導体レーザバーの前端面に低反射率
膜を、後端面に高反射率膜を形成する工程と、上記対向
型半導体レーザバーを上記対向する一対の単位半導体レ
ーザの活性層から遠い側の接合側面において切断し、そ
れぞれ活性層から近い側の側面において相互に接する対
向する一対の単位半導体レーザからなる対向型半導体レ
ーザチップに切り出す工程と、上記第１単位半導体レー
ザ構成体から切り出された第１半導体レーザチップを、
その裏面電極を下にしてサブマウント上に接合し、上記
第２単位半導体レーザ構成体から切り出された第２半導
体レーザチップを、その表面電極を下にして、かつ第
１，第２半導体レーザチップの上記低反射率膜が形成さ
れた端面が一平面内に揃うように上記第１半導体レーザ
チップの表面電極上に接合する工程とを含むものである
から、この製造方法によるアレイ型半導体レーザにおい
て、各単位半導体レーザは相隣接する列の単位半導体レ
ーザとそれらの側面において接しており、上記２列の単
位半導体レーザの相対する側面間に一定の間隔が存在す
るアレイ型半導体レーザ（請求項５）より、互いに隣合
っている２つの単位半導体レーザの活性層間の距離が短
くなる。さらに、縦方向に積み重なった２つの単位半導
体レーザの活性層の間隔を上記の製造方法（請求項５〜
７）より狭くすることが可能となり、発光領域をより狭
くすることができ、レンズ等による出射光の集光をさら
に容易にすることができる。また、縦に積み重ねる対向
型半導体レーザチップの数は従来の単位半導体レーザを
縦１列に積み重ねる場合の１／２であるから、融点の異
なるはんだの種類も１／２で済み、はんだを用いた接合
工程は簡易なものとなる。さらに、はんだによる接合箇
所も、上記の縦２列に積み上げる製造方法（請求項５）
は４箇所であるのに対して、この場合は２箇所となって
おり、この点に関しても接合工程は簡素化されている。
さらに、半導体レーザバーを第１及び第２の半導体レー
ザバーに分割する必要が無いため、この面でも工程は簡
素化される。また、すべての単位半導体レーザを切り出
す場合に比べて、上記対向型半導体レーザチップを切り
出す場合は切断箇所は１／２であるから、この切り出し
工程も簡素なものとなる。一方、対向型半導体レーザチ
ップの大きさは前述の従来の単位半導体レーザの２倍で
あるから、接合工程でのチップの取り扱いは従来より容
易となる。また、単位半導体レーザの大きさは従来のも
のと同じであるから、従来と同等の放熱性を確保でき
る。
【００２４】
【実施例】
実施例１．この発明の第１の実施例について説明する。
図１は、本実施例のアレイ型半導体レーザ装置の正面図
である。図において、１は単位半導体レーザ、２は活性
層、３はサブマウント、４はワイヤ、Ａ１は第１列、Ａ
２は第２列である。単位半導体レーザの配置は、図９
（ｃ）に示したような従来のアレイ型半導体レーザ装置
と同じであるが、各単位半導体レーザの活性層は、従来
のものが単位半導体レーザ端面の中央の上側に形成され
ているのに対して、本実施例の単位半導体レーザにおい
ては、その端面の中央より上側でかつ相隣接する単位半
導体レーザの列に相対する側面に近い側に形成されてい
る。
【００２５】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置の製
造方法を図２に示す。まず、基板上に半導体レーザとな
る半導体層を積層し、基板裏面を研削した後、この半導
体層の表面に表面電極５を、裏面に裏面電極６を形成す
る。次に、図２（ａ）に示すような同一構造の複数の単
位半導体レーザがその側面を接して１列に並んでいる半
導体レーザバーを上記半導体層から切り出す。これによ
り、各単位半導体レーザの端面が形成される。この際、
各単位半導体レーザの活性層は、各端面の中央より上側
でかつ一方の側面に近い側に形成されているように、上
記半導体層の積層及び表面電極５，裏面電極６の形成は
行われている。図において手前側の端面７を前端面、奥
側の端面８を後端面と呼ぶことにする。この後、上記半
導体レーザバーを構成する単位半導体レーザの適当な１
側面でこのバーを切断する。図中のＣがこの切断面であ
る。これにより、上記半導体レーザバーは、第１の半導
体レーザバーＢ１と第２の半導体レーザバーＢ２とに分
けられる。さらに、図２（ｂ）に示すように、第１半導
体レーザバーＢ１の前端面７と第２半導体レーザバーＢ
２の後端面８が同じ方向を向くようにして、これらの面
に低反射率膜を蒸着により形成する。同様に、第１半導
体レーザバーＢ１の後端面８と第２半導体レーザバーＢ
２の前端面７も同方向を向くようにし、これらの面に高
反射率膜を蒸着により形成する。図中のＬは低反射率膜
蒸着方向（蒸着中に蒸着物質の原子または分子の飛んで
行く方向）、Ｈは高反射率膜蒸着方向である。波長１．
５５μｍの光を発振するレーザの場合、低反射率膜とし
てはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜を、高反射率膜としては
アルミナ／アモルファスシリコン２層膜を用いることが
できる。次に、上記の第１及び第２の半導体レーザバー
から単位半導体レーザを切り出した後、図２（ｃ）に示
すように、サブマウント３上に単位半導体レーザ１を、
表面電極５を上に、裏面電極６を下にして２個積み重ね
た列をＡ１及びＡ２の２列形成する。この際、図中の左
側の列Ａ１は、第１半導体レーザバーＢ１から、右側の
列Ａ２は第２半導体レーザバーＢ２から切り出した単位
半導体レーザから構成されるようにし、かつ低反射率膜
９が形成された端面が同一平面上に揃うようにする。従
って、図からわかるように、各活性層は各単位半導体レ
ーザの端面の中央より、隣接する単位半導体レーザの列
に相対する側面に近い側に形成されている。また、図に
おいて、各単位半導体レーザの手前側の端面は低反射率
膜９が形成された面となつており、奥側の端面は高反射
率膜１０が形成された面となつている。サブマウントと
単位半導体レーザ、及び単位半導体レーザ相互はＡｕＳ
ｎはんだを用いて接合されている。最後に、ワイヤのボ
ンディングを行うことにより、図１に示したアレイ型半
導体レーザ装置が完成する。
【００２６】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置にお
いては、単位半導体レーザからなる各列の上の単位半導
体レーザの表面電極５とサブマウント３の間に順方向電
圧を印加することにより、電流が流れ、各単位半導体レ
ーザの活性層２でレーザ発振が起き、低反射率膜９が形
成された面の側からレーザ光が出射される。
【００２７】本実施例においては、活性層が各単位半導
体レーザの両側面の中央より、隣接する単位半導体レー
ザの列に相対する側面に近い側に形成されているため、
発光点（活性層中心点）の間隔を、図９（ｃ）に示した
従来のアレイ型半導体レーザ装置より狭くすることがで
きる。実際、単位半導体レーザ１の幅は３００μｍであ
り、上記単位半導体レーザの列の相対する側面の間隔は
１００μｍであるから、活性層２の中心点が各単位半導
体レーザの両側面の中央より５０μｍ隣接する単位半導
体レーザの列に相対する側面に近い側にあるとすると、
横方向の発光点間隔は３００μｍとなり、図９（ｃ）の
従来例より１００μｍ短くできる。すなわち、従来のも
のより発光領域を狭くすることができ、出射光のレンズ
等による集光を容易にすることができる。
【００２８】また、本実施例においては、縦に積み重ね
る単位半導体レーザは各列で２個であるから、従来の４
個の単位半導体レーザを縦に積み重ねる場合と比較し
て、融点の異なるはんだの種類も１／２で済み、はんだ
を用いた接合工程は簡易なものとなる。一方、単位半導
体レーザ１個の大きさは前述の従来のものと同じである
から、放熱、接合工程での取り扱いは従来のものと変わ
らない。
【００２９】実施例２．この発明の第２の実施例につい
て説明する。図３は、本実施例のアレイ型半導体レーザ
装置の正面図である。図において、１は単位半導体レー
ザ、２は活性層、３はサブマウント、４はワイヤであ
る。単位半導体レーザの配置は、実施例１のアレイ型半
導体レーザ装置と基本的には同じであるが、実施例１の
ように縦に積み上げられた単位半導体レーザの２列の間
に空間が存在せず、この２列が接している点が異なって
いる。各単位半導体レーザの活性層は、実施例１と同様
に各単位半導体レーザの端面の中央より上側でかつ隣接
する単位半導体レーザの列に接する側面に近い側に形成
されている。
【００３０】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置の製
造方法を図４に示す。まず、基板上に半導体レーザとな
る半導体層を積層し、基板裏面を研削した後、この半導
体層の表面に表面電極５を、裏面に裏面電極６を形成す
る。次に、図４（ａ）に示すような同一構造の複数の単
位半導体レーザがその側面を接して１列に並んでいる半
導体レーザバーを上記半導体層から切り出す。これによ
り、各単位半導体レーザの端面が形成される。この際、
各単位半導体レーザの活性層は、各端面の中央より上側
でかつ互いに隣合う単位半導体レーザにおいては互いに
逆方向の側面に近い位置に形成されているように、上記
半導体層の積層及び表面電極５，裏面電極６の形成は行
われている。図において手前側の端面７を前端面、奥側
の端面８を後端面と呼ぶ。この後、さらに、半導体レー
ザバーの前端面７に低反射率膜を、後端面８に高反射率
膜を蒸着により形成する。実施例１と同様に、波長１．
５５μｍの光を発振するレーザの場合、低反射率膜とし
てはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）膜を、高反射率膜としては
アルミナ／アモルファスシリコン２層膜を用いることが
できる。次に、上記半導体レーザバーから、互いに隣接
し、それらが接する側面に近い側に活性層が形成されて
いる２個の単位半導体レーザからなる対向型半導体レー
ザチップ１１を切り出した後、図４（ｂ）に示すよう
に、サブマウント３上に対向型半導体レーザチップを、
表面電極５を上に、裏面電極６を下にして２個積み重ね
た列を形成する。この際、低反射率膜９が形成された端
面が同一平面上に揃うようにする。従って、図からわか
るように、各活性層は各単位半導体レーザの端面の中央
より、隣接する単位半導体レーザの列に相対する側面に
近い側に形成されている。また、図において、各単位半
導体レーザの手前側の端面は低反射率膜９が形成された
面となつており、奥側の端面は高反射率膜１０が形成さ
れた面となつている。サブマウントと対向型半導体レー
ザチップ、及び対向型半導体レーザチップ相互はＡｕＳ
ｎはんだを用いて接合されている。最後に、ワイヤのボ
ンディングを行うことにより、図３に示したアレイ型半
導体レーザ装置が完成する。
【００３１】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置にお
いては、対向型半導体レーザチップ１１からなる列の上
の表面電極８とサブマウント３の間に順方向電圧を印加
することにより、電流が流れ、各単位半導体レーザの活
性層２でレーザ発振が起き、低反射率膜９が形成された
面の側からレーザ光が出射される。
【００３２】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置にお
いては、活性層が各単位半導体レーザの両側面の中央よ
り、隣接する単位半導体レーザに接する側面に近い側に
形成されているため、発光点（活性層中心点）の間隔
を、図９（ｃ）に示した従来のアレイ型半導体レーザ装
置より狭くすることができるだけでなく、実施例１のア
レイ型半導体レーザ装置よりも狭くすることができる。
実際、単位半導体レーザ１の幅は実施例１と同じく３０
０μｍであるが、実施例１では単位半導体レーザの列の
相対する側面の間隔が１００μｍあるのに対して本実施
例においてはこれらの側面は接しているから、活性層２
の中心点が各単位半導体レーザの両側面の中央より５０
μｍ程度隣接する単位半導体レーザに接する側面に近い
側にあるとすると、発光点間隔は２００μｍとなり、図
９（ｃ）の従来例より２００μｍ短くなっているだけで
なく、実施例１より１００μｍ短くなっている。すなわ
ち、従来例及び実施例１のアレイ型半導体レーザ装置よ
り発光点を狭い領域に集めることができ、出射光のレン
ズ等による集光を容易にすることができる。
【００３３】また、本実施例においては、縦に積み重ね
る対向型半導体レーザチップは２個であるから、従来の
４個の単位半導体レーザを縦１列に積み重ねる場合と比
較して、融点の異なるはんだの種類も１／２で済み、は
んだを用いた接合工程は簡易なものとなる。さらに、実
施例１では、はんだによる接合箇所が４箇所であるのに
対して、本実施例においては２箇所のみとなっており、
この点に関しても接合工程は簡素化されている。さら
に、実施例１のように、半導体レーザバーを第１及び第
２の半導体レーザバーに分割する必要が無いため、この
面においても工程は簡素化される。また、実施例１のよ
うにすべての単位半導体レーザを切り出す必要がなく、
上記対向型半導体レーザチップを切り出すための切断箇
所は実施例１の１／２であるから、この切り出し工程は
簡素化される。一方、対向型半導体レーザチップの大き
さは前述の従来の単位半導体レーザの２倍であるから、
接合工程でのチップの取り扱いは従来より容易となる。
単位半導体レーザの大きさは従来のものと同じであるか
ら、放熱性に関しては、従来のものと変わらない。
【００３４】実施例３．この発明の第３の実施例につい
て説明する。図５は、本実施例のアレイ型半導体レーザ
装置の正面図である。図において、２０１は分割単位半
導体レーザ、２０２は分割活性層、３はサブマウント、
４はワイヤである。この分割単位半導体レーザは、後述
するように一つの単位半導体レーザの中央を切断するこ
とによって形成されたものである。分割単位半導体レー
ザの配置は、図９（ｃ）に示したような従来のアレイ型
半導体レーザ装置における単位半導体レーザと同じであ
るが、各分割活性層は、従来の活性層が各単位半導体レ
ーザ端面の中央の上側に形成されているのに対して、本
実施例の分割単位半導体レーザにおいては、その端面の
中央より上側でかつ隣接する単位半導体レーザの列に相
対する側面に近い側に形成されており、さらに、この側
面に分割活性層の一端が露出している。
【００３５】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置の製
造方法を図６に示す。まず、基板上に半導体レーザとな
る半導体層を積層し、基板裏面を研削した後、この半導
体層の表面に表面電極５を、裏面に裏面電極６を形成す
る。次に、図６（ａ）に示すような同一構造の複数の単
位半導体レーザがその側面を接して１列に並んでいる半
導体レーザバーを上記半導体層から切り出す。これによ
り、各単位半導体レーザの端面が形成される。この際、
各単位半導体レーザの活性層は、各端面の中央の上側に
位置している。ただし、各単位半導体レーザの幅及び活
性層の幅は従来の２倍程度にする。図において手前側の
端面７を前端面、奥側の端面８を後端面と呼ぶ。さら
に、半導体レーザバーの前端面７に低反射率膜を、半導
体レーザバーの後端面８に高反射率膜を蒸着により形成
する。波長１．５５μｍの光を発振するレーザの場合、
低反射率膜としてはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜を、高反
射率膜としてはアルミナ／アモルファスシリコン２層膜
を用いることができる。次に、上記半導体レーザバーか
ら単位半導体レーザを切り出した後、図６（ｂ）に示す
ように、サブマウント３上に単位半導体レーザ２１を、
表面電極５を上に、裏面電極６を下にして２個積み重ね
た列を形成する。サブマウント３と単位半導体レーザ２
１、及び単位半導体レーザ２１相互はＡｕＳｎはんだを
用いて接合されている。この際、低反射率膜９が形成さ
れた端面が同一平面上に揃うようにする。次に、図６
（ｃ）に示すように、上記の単位半導体レーザを積み重
ねた列を各活性層の中心をとおる面でダイシングソーや
ダイヤモンドホイール等を用いて切断することにより、
各単位半導体レーザ２１及び活性層２２を２つに分割す
る。これによってできた切断溝が図中のＤである。従っ
て、図からわかるように、各分割活性層２０２は各分割
単位半導体レーザ２０１の端面の中央より、隣接する分
割単位半導体レーザの列に相対する側面に近い側に形成
されており、分割活性層２０２の一端はこの側面に露出
している。また、図において、各分割単位半導体レーザ
２０１の手前側の端面は低反射率膜９が形成された面と
なつており、奥側の端面は高反射率膜１０が形成された
面となつている。最後に、ワイヤのボンディングを行う
ことにより、図１に示したアレイ型半導体レーザ装置が
完成する。
【００３６】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置にお
いては、分割単位半導体レーザ２０１からなる各列の上
の表面電極５とサブマウント３の間に順方向電圧を印加
することにより、電流が流れ、各分割単位半導体レーザ
２０１の分割活性層２０２でレーザ発振が起き、低反射
率膜９が形成された面の側からレーザ光が出射される。
【００３７】本実施例においては、分割活性層が各分割
単位半導体レーザの両側面の中央より、隣接する分割単
位半導体レーザの列に相対する側面の側に形成されてい
るため、発光点（活性層中心点）の間隔を、図９（ｃ）
に示した従来のアレイ型半導体レーザ装置より狭くする
ことができる。実際、上記分割単位半導体レーザの列の
相対する側面の間隔（分割溝の幅）を１００μｍ程度、
分割単位半導体レーザ１の幅を３００μｍとし、活性層
２の中心点が各単位半導体レーザの両側面の中央より１
００μｍ隣接する単位半導体レーザの列に相対する側面
に近い側に形成されているとすると、発光点間隔は２０
０μｍとなり、図９（ｃ）の従来例より２００μｍ短く
なっているだけでなく、実施例１より１００μｍ短くな
っている。すなわち、従来例及び実施例１のアレイ型半
導体レーザ装置より発光点を狭い領域に集めることがで
き、出射光のレンズ等による集光を容易にすることがで
きる。
【００３８】また、本実施例においては、縦に積み重ね
る単位半導体レーザは２個であるから、従来の４個の単
位半導体レーザを縦に積み重ねる場合と比較して、融点
の異なるはんだの種類も１／２で済み、はんだを用いた
接合工程は簡易なものとなる。また、実施例１では、は
んだによる接合箇所が４箇所であるのに対して、本実施
例においては２箇所のみとなっており、この点に関して
も接合工程は簡素化されている。さらに、実施例１のよ
うに、半導体レーザバーを第１及び第２の半導体レーザ
バーに分割する必要が無いため、工程は簡素化される。
一方、本実施例の単位半導体レーザの大きさは前述の従
来の単位半導体レーザの約２倍であるから、接合工程で
のチップの取り扱いは従来より容易となる。単位半導体
レーザの大きさは従来のものと同じであるから、放熱性
に関しては、従来のものと変わらない。
【００３９】実施例４．この発明の第４の実施例につい
て説明する。図７は、本実施例のアレイ型半導体レーザ
装置の正面図である。図において、３０１はｐ型半導体
基板上に形成した半導体層による単位半導体レーザ、４
０１はｎ型半導体基板上に形成した半導体層による単位
半導体レーザ、２は活性層、３はサブマウント、４はワ
イヤである。単位半導体レーザの配置は、実施例２のア
レイ型半導体レーザ装置と同じであるが、各単位半導体
レーザの活性層の位置が異なっている。すなわち、いず
れの単位半導体レーザの活性層も、端面の中央より隣接
する単位半導体レーザの列に接する側面に近い側に形成
されており、下側の単位半導体レーザ３０１の活性層は
その端面の中央より上側にあるが、上側の単位半導体レ
ーザ４０１の活性層は実施例２と異なりその端面の中央
より下側にある。
【００４０】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置の製
造方法を図８に示す。まず、ｐ型基板上及びｎ型基板上
にそれぞれ半導体レーザとなる半導体層を積層し、基板
裏面を研削した後、これらの半導体層の表面に表面電極
５，４５を、裏面（基板裏面側）に裏面電極６，４６を
形成する。次に、図８（ａ）に示すような複数の単位半
導体レーザがその側面を接して１列に並んでいる半導体
レーザバーを上記のそれぞれの半導体層から切り出す。
これにより、各単位半導体レーザの端面が形成される。
図中、単位半導体レーザ３０１が並んでいる方が、ｐ型
基板上に形成した半導体層から切り出した半導体レーザ
バー、単位半導体レーザ４０１が並んでいる方が、ｎ型
基板上に形成した半導体層から切り出した半導体レーザ
バーである。これら２種類の単位半導体レーザを構成す
る半導体層においては、活性層を除く各層の導電型が互
いに逆になっている。また、各単位半導体レーザの活性
層２は、各端面の中央より表面電極側でかつ互いに隣合
う単位半導体レーザにおいては互いに逆方向の側面に近
い位置に形成されているように、上記半導体層の積層及
び表面電極，裏面電極の形成は行われている。図におい
て手前側の端面７，４７を前端面、奥側の端面８，４８
を後端面と呼ぶ。この後、さらに、半導体レーザバーの
前端面７，４７に低反射率膜を、後端面８，４８に高反
射率膜を蒸着により形成する。実施例１と同様に、波長
１．５５μｍの光を発振するレーザの場合、低反射率膜
としてはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜を、高反射率膜とし
てはアルミナ／アモルファスシリコン２層膜を用いるこ
とができる。次に、上記半導体レーザバーから、互いに
隣接し、それらが接する側面に近い側に活性層が形成さ
れている２個の単位半導体レーザからなる、ｐ型基板上
に形成した半導体層による対向型半導体レーザチップ３
１、ｎ型基板上に形成した半導体層による対向型半導体
レーザチップ４１を切り出した後、図４（ｂ）に示すよ
うに、ｐ型基板上に形成した半導体層による対向型半導
体レーザチップ３１を、表面電極５を上に、裏面電極６
を下にしてサブマウント３上に接合し、さらに、ｎ型基
板上に形成した半導体層による対向型半導体レーザチッ
プ４１を、表面電極４５を下に、裏面電極４６を上にし
て上記レーザチップ３１上に接合する。この際、低反射
率膜９が形成された端面が同一平面上に揃うようにす
る。従って、図からわかるように、各活性層は各単位半
導体レーザの端面の中央より、隣接する単位半導体レー
ザの列に相対する側面に近い側に形成されている。ま
た、図において、各単位半導体レーザの手前側の端面は
低反射率膜９が形成された面となつており、奥側の端面
は高反射率膜１０が形成された面となつている。サブマ
ウントと対向型半導体レーザチップ、及び対向型半導体
レーザチップ相互はＡｕＳｎはんだを用いて接合されて
いる。最後に、ワイヤのボンディングを行うことによ
り、図７に示したアレイ型半導体レーザ装置が完成す
る。
【００４１】本実施例のアレイ型半導体レーザ装置にお
いては、対向型半導体レーザチップ４１の裏面電極４６
とサブマウント３の間に順方向電圧を印加することによ
り、電流が流れ、各単位半導体レーザの活性層２でレー
ザ発振が起き、低反射率膜９が形成された面の側からレ
ーザ光が出射される。
【００４２】本実施例においては、実施例２と同様に、
活性層が各単位半導体レーザの両側面の中央より、隣接
する単位半導体レーザに接する側面に近い側に形成され
ているため、発光点（活性層中心点）の間隔を、図９
（ｃ）に示した従来のアレイ型半導体レーザ装置より狭
くすることができるだけでなく、実施例１のアレイ型半
導体レーザ装置よりも狭くすることができる。実際、単
位半導体レーザ３１，４１の幅は実施例１と同じく３０
０μｍであるが、実施例１では単位半導体レーザの列の
相対する側面の間隔が１００μｍあるのに対して本実施
例においてはこれらの側面は接しているから、活性層２
の中心点が各単位半導体レーザの両側面の中央より５０
μｍ隣接する単位半導体レーザに接する側面に近い側に
あるとすると、発光点間隔は２００μｍとなり、図９
（ｃ）の従来例より２００μｍ短くなっているだけでな
く、実施例１より１００μｍ短くなっている。一方、下
側の単位半導体レーザ３１の活性層の位置は端面の中央
より上側にあり、上側の単位半導体レーザ４１の活性層
の位置は端面の中央より下側にあるため、縦方向の活性
層の間隔は実施例１〜３より狭くなっている。すなわ
ち、本実施例のアレイ型半導体レーザは、従来及び実施
例１〜３のアレイ型半導体レーザ装置より発光点を狭い
領域に集めることができ、出射光のレンズ等による集光
を容易にすることができる。
【００４３】また、本実施例においては、縦に積み重ね
る対向型半導体レーザチップは２個であるから、従来の
４個の単位半導体レーザを縦に積み重ねる場合と比較し
て、融点の異なるはんだの種類も１／２で済み、はんだ
を用いた接合工程は簡易なものとなる。また、実施例１
では、はんだによる接合箇所が４箇所であるのに対し
て、本実施例においては２箇所のみとなっており、この
点に関しても接合工程は簡素化されている。さらに、実
施例１のように、半導体レーザバーを第１及び第２の半
導体レーザバーに分割する必要が無いため、工程は簡素
化される。また、実施例１のようにすべての単位半導体
レーザを切り出す必要がなく、上記対向型半導体レーザ
チップを切り出すための切断箇所は実施例１の１／２で
あるから、この切り出し工程は簡素化される。一方、対
向型半導体レーザチップの大きさは前述の従来の単位半
導体レーザの２倍であるから、接合工程でのチップの取
り扱いは従来より容易となる。単位半導体レーザの大き
さは従来のものと同じであるから、放熱性に関しては、
従来のものと変わらない。
【００４４】なお、本実施例においては、サブマウント
上にｐ型基板上に形成した半導体層による対向型半導体
レーザチップを、この上にｎ型基板上に形成した半導体
層による対向型半導体レーザチップを配置したが、これ
と逆にサブマウント上にｎ型基板上に形成した半導体層
による対向型半導体レーザチップを、この上にｐ型基板
上に形成した半導体層による対向型半導体レーザチップ
を配置してもよい。
【００４５】また、本実施例においては、対向型半導体
レーザチップを用いているが、実施例１のように単独の
単位半導体レーザからなるレーザチップを積み上げる方
法に本実施例の方法を応用することも可能である。すな
わち、各列の２個の単位半導体レーザにおいて上側と下
側の単位半導体レーザの各半導体層の導電型を逆にする
ことにより、本実施例のように、上側の単位半導体レー
ザの活性層がその端面の下側に、下側の単位半導体レー
ザの活性層がその端面の上側に位置するようにアレイ型
半導体レーザを作製することができる。これにより、実
施例１より発光領域を狭くすることが可能となる。ただ
し、当然のことながら、本実施例のように、互いに隣接
する単位半導体レーザがその側面において接しているア
レイ型半導体レーザの方が、発光領域はより狭くでき
る。
【００４６】
【発明の効果】この発明（請求項１）に係わる半導体レ
ーザ装置は、同数の単位半導体レーザが縦に積み重なっ
てなる列を２列その光の出射方向がすべて同一方向とな
るように隣接して備え、上記各単位半導体レーザの端面
における活性層の中心位置は、該単位半導体レーザの端
面の中央より相隣接する列に近い位置にあるものである
から、従来のアレイ型半導体レーザ装置より、発光領域
を狭くすることができ、レンズ等による出射光の集光を
容易にすることができる。
【００４７】この発明（請求項２）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、相隣接する列の単
位半導体レーザとそれらの側面において接しているもの
であるから、上記２列の単位半導体レーザの相対する側
面間に一定の間隔が存在する場合より、発光領域をより
狭くすることができ、レンズ等による出射光の集光をさ
らに容易にすることができる。
【００４８】この発明（請求項３）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単
位半導体レーザを積み重ねてなるものであり、上記各列
の上側及び下側の上記単位半導体レーザの活性層の中心
位置は、該単位半導体レーザの端面の中央よりそれぞれ
下側及び上側にあるものであるから、縦方向に積み重な
った２つの単位半導体レーザの活性層の間隔をも狭くす
ることが可能となり、発光領域をより狭くすることがで
き、レンズ等による出射光の集光をさらに容易にするこ
とができる。
【００４９】この発明（請求項４）に係わる半導体レー
ザ装置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）におい
て、上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単
位半導体レーザを積み重ねてなるものであり、上記各単
位半導体レーザは、相隣接する列の単位半導体レーザと
それらの側面において接しており、上記各列の上側及び
下側の上記単位半導体レーザの活性層の中心位置は、該
単位半導体レーザの端面の中央よりそれぞれ下側及び上
側にあるものであるから、互いに隣接する２つ単位半導
体レーザの活性層間の間隔をさらに狭くするだけでな
く、縦方向に積み重なった２つの単位半導体レーザの活
性層間の間隔をも狭くすることが可能となり、発光領域
をより狭くすることができ、レンズ等による出射光の集
光をさらに容易にすることができる。
【００５０】この発明（請求項５）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位
半導体レーザの活性層の位置が端面の中央より一方の側
面側にある半導体レーザバーを切り出す工程と、該半導
体レーザバーを任意の上記単位半導体レーザの側面にお
いて切断して第１及び第２半導体レーザバーに分割する
工程と、上記第１半導体レーザバーの前端面と、上記第
２半導体レーザバーの後端面とに低反射率膜を、上記第
１半導体レーザバーの後端面と、上記第２半導体レーザ
バーの前端面とに高反射率膜を形成する工程と、上記第
１及び第２半導体レーザバーをそれぞれ複数の単位半導
体レーザに切り出す工程と、互いに同数の第１及び第２
半導体レーザバーからそれぞれ切り出した単位半導体レ
ーザを、隣接した二つの各列をなすよう、かつ上記低反
射率膜が形成された端面が同一平面上に揃い、各列の単
位半導体レーザの活性層に近い側面が相対するよう、さ
らに各列において表面電極を上に、裏面電極を下にし
て、サブマウント上にそれぞれ積み重ね、相互に接合す
る工程とを含むものであるから、この製造方法によるア
レイ型半導体レーザは、活性層が各単位半導体レーザの
両側面の中央より、隣接する単位半導体レーザの列に相
対する側面に近い側に形成されているため、従来のアレ
イ型半導体レーザ装置より発光領域を狭くでき、出射光
のレンズ等による集光を容易にすることができる。ま
た、融点の異なるはんだの種類は従来の単位半導体レー
ザを縦に１列に積み重ねる場合の１／２で済み、はんだ
を用いた接合工程は簡易なものとなる。一方、単位半導
体レーザ１個の大きさは前述の従来のものと同じである
から、放熱、接合工程での取り扱いは従来のものと同等
である。
【００５１】この発明（請求項６）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつその活性層の
位置が２つ毎にその接合側面の近くにある対向する一対
の単位半導体レーザが複数配列されてなる対向型半導体
レーザバーを切り出す工程と、上記対向型半導体レーザ
バーの前端面に低反射率膜を、後端面に高反射率膜を形
成する工程と、上記対向型半導体レーザバーを上記対向
する一対の単位半導体レーザの活性層から遠い側の接合
側面において切断し、それぞれ活性層から近い側の側面
において相互に接する対向する一対の単位半導体レーザ
からなる対向型半導体レーザチップに切り出す工程と、
複数の上記対向型半導体レーザチップを、上記低反射率
膜が形成された端面が同一平面上に揃うように、かつ表
面電極を上に、裏面電極を下にして、サブマウント上に
積み重ね、相互に接合する工程とを含むものであるか
ら、この製造方法によるアレイ型半導体レーザは上記２
列の単位半導体レーザの相対する側面間に一定の間隔が
存在するアレイ型半導体レーザ（請求項５）より、発光
領域をより狭くすることができ、レンズ等による出射光
の集光をさらに容易にすることができる。また、融点の
異なるはんだの種類は従来の単位半導体レーザを縦１列
に積み重ねる場合の１／２で済み、はんだを用いた接合
工程は簡易なものとなる。さらに、はんだによる接合箇
所も、上記の縦２列に積み上げる場合（請求項５）の１
／２となっており、この点に関しても接合工程は簡素化
されている。さらに、半導体レーザバーを第１及び第２
の半導体レーザバーに分割する必要が無いため、この面
でも工程は簡素化される。また、すべての単位半導体レ
ーザを切り出す場合に比べて、上記対向型半導体レーザ
チップを切り出す場合は切断箇所数は１／２であるか
ら、この切り出し工程も簡素化される。一方、対向型半
導体レーザチップの大きさは前述の従来の単位半導体レ
ーザの２倍であるから、接合工程でのチップの取り扱い
は従来より容易となる。また、単位半導体レーザの大き
さは従来のものと同じであるから、従来と同等の放熱性
を確保できる。
【００５２】この発明（請求項７）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各
単位半導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位
半導体レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位
半導体レーザの活性層の位置が端面の中央にある半導体
レーザバーを切り出す工程と、上記半導体レーザバーの
前端面に低反射率膜を、後端面に高反射率膜を形成する
工程と、上記半導体レーザバーを複数の単位半導体レー
ザに切り出す工程と、複数の上記単位半導体レーザを、
上記低反射率膜が形成された端面が同一平面上に揃うよ
うに、表面電極を上に、裏面電極を下にしてサブマウン
ト上に積み重ね、相互に接合する工程と、上記積み重ね
られた複数の単位半導体レーザをその中心を通る、その
側面に平行な面で切断し、同方向に光を出射する複数の
分割単位半導体レーザをその各々の活性層が相対向する
よう２列の各々に積み重ねてなる半導体レーザ装置を形
成する工程とを含むものであるから、この製造方法によ
るアレイ型半導体レーザは、発光点を従来及び上記の製
造方法（請求項５）によるアレイ型半導体レーザ装置よ
り狭い領域に集めることができ、出射光のレンズ等によ
る集光を容易にすることができる。また、融点の異なる
はんだの種類は従来の単位半導体レーザを縦１列に積み
重ねる場合の１／２で済み、はんだを用いた接合工程は
簡易なものとなる。さらに、はんだによる接合箇所も、
上記の縦２列に積み上げる場合（請求項５）の１／２と
なっており、この点に関しても接合工程は簡素化されて
いる。さらに、半導体レーザバーを第１及び第２の半導
体レーザバーに分割する必要が無いため、工程は簡素化
される。一方、単位半導体レーザの大きさは前述の従来
の単位半導体レーザの約２倍であるから、接合工程での
チップの取り扱いは従来より容易となる。単位半導体レ
ーザの大きさは従来のものと同じであるから、放熱性に
関しては、従来のものと変わらない。
【００５３】この発明（請求項８）に係わる半導体レー
ザ装置の製造方法は、その表面に表面電極が、裏面に裏
面電極が形成されており、活性層を上記裏面電極より上
記表面電極近くに有し、その表面電極と裏面電極間の活
性層を除く半導体層の導電型が、第１と第２とで逆であ
る第１及び第２の単位半導体レーザ構成体を、各単位半
導体レーザの端面を形成するよう切断して、各単位半導
体レーザが側面を接して連なり、かつ２つ毎にその接合
側面の近くにある対向する一対の単位半導体レーザが複
数配列されてなる対向型半導体レーザバーを切り出す工
程と、上記対向型半導体レーザバーの前端面に低反射率
膜を、後端面に高反射率膜を形成する工程と、上記対向
型半導体レーザバーを上記対向する一対の単位半導体レ
ーザの活性層から遠い側の接合側面において切断し、そ
れぞれ活性層から近い側の側面において相互に接する対
向する一対の単位半導体レーザからなる対向型半導体レ
ーザチップに切り出す工程と、上記第１単位半導体レー
ザ構成体から切り出された第１半導体レーザチップを、
その裏面電極を下にしてサブマウント上に接合し、上記
第２単位半導体レーザ構成体から切り出された第２半導
体レーザチップを、その表面電極を下にして、かつ第
１，第２半導体レーザチップの上記低反射率膜が形成さ
れた端面が一平面内に揃うように上記第１半導体レーザ
チップの表面電極上に接合する工程とを含むものである
から、この製造方法によるアレイ型半導体レーザは、上
記２列の単位半導体レーザの相対する側面間に一定の間
隔が存在するアレイ型半導体レーザ（請求項５）より、
互いに隣合っている２つの単位半導体レーザの活性層間
の距離が短くなる。さらに、縦方向においても、上記の
製造方法（請求項５〜７）によるアレイ型半導体レーザ
より発光領域を狭くすることができ、レンズ等による出
射光の集光をさらに容易にすることができる。また、融
点の異なるはんだの種類も従来の単位半導体レーザを１
列に積み重ねる場合の１／２で済み、はんだを用いた接
合工程は簡易なものとなる。さらに、上記の縦２列に積
み上げる製造方法（請求項５）は、はんだによる接合箇
所が４箇所であるのに対して、この場合は２箇所のみと
なっており、この点に関しても接合工程は簡素化されて
いる。さらに、半導体レーザバーを第１及び第２の半導
体レーザバーに分割する必要が無いため、この面でも工
程は簡素化される。また、すべての単位半導体レーザを
切り出す場合に比べて、上記対向型半導体レーザチップ
を切り出す場合は切断箇所数は１／２であるから、この
切り出し工程も簡素化される。一方、対向型半導体レー
ザチップの大きさは前述の従来の単位半導体レーザの２
倍であるから、接合工程でのチップの取り扱いは従来よ
り容易となる。また、単位半導体レーザの大きさは従来
のものと同じであるから、従来と同等の放熱性を確保で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体レーザ
装置を示す正面図である。
【図２】 この発明の第１の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法を示す斜視図である。
【図３】 この発明の第２の実施例による半導体レーザ
装置を示す正面図である。
【図４】 この発明の第２の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法を示す斜視図である。
【図５】 この発明の第３の実施例による半導体レーザ
装置を示す正面図である。
【図６】 この発明の第３の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法を示す斜視図である。
【図７】 この発明の第４の実施例による半導体レーザ
装置を示す正面図である。
【図８】 この発明の第４の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法を示す斜視図である。
【図９】 従来のアレイ型半導体レーザ装置を示す断面
図である。
【符号の説明】
１，２１，５１ 単位半導体レーザ、２，２２，５２
活性層、３ サブマウント、４ ワイヤ、５，４５ 表
面電極、６，４６ 裏面電極、７，４７ 前端面、８，
４８ 後端面、９ 低反射率膜、１０ 高反射率膜、１
１ 対向型半導体レーザチップ、３１ ｐ型基板上に形
成した半導体層による対向型半導体レーザチップ、４１
ｎ型基板上に形成した半導体層による対向型半導体レ
ーザチップ、２０１ 分割単位半導体レーザ、２０２
分割活性層、３０１ ｐ型基板上に形成した半導体層に
よる単位半導体レーザ、４０１ ｎ型基板上に形成した
半導体層による単位半導体レーザ、Ａ１ 第１列、Ａ２
第２列、Ｂ１ 第１の半導体レーザバー、Ｂ２ 第２
の半導体レーザバー、Ｃ 切断面、Ｈ 高反射率膜蒸着
方向、Ｌ 低反射率膜蒸着方向、Ｄ 切断溝。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 同数の単位半導体レーザが縦に積み重な
    ってなる列を２列その光の出射方向がすべて同一方向と
    なるように隣接して備え、 上記各単位半導体レーザの端面における活性層の中心位
    置は、該単位半導体レーザの端面の中央より相隣接する
    列に近い位置にあることを特徴とする半導体レーザ装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記２列の単位半導体レーザは、相隣接する列の単位半
    導体レーザとそれらの側面において接していることを特
    徴とする半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単位半
    導体レーザを積み重ねてなるものであり、 上記各列の上側及び下側の上記単位半導体レーザの活性
    層の中心位置は、該単位半導体レーザの端面の中央より
    それぞれ下側及び上側にあることを特徴とする半導体レ
    ーザ装置。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記２列の単位半導体レーザは、各々２個の上記単位半
    導体レーザを積み重ねてなるものであり、 上記各単位半導体レーザは、相隣接する列の単位半導体
    レーザとそれらの側面において接しており、 上記各列の上側及び下側の上記単位半導体レーザの活性
    層の中心位置は、該単位半導体レーザの端面の中央より
    それぞれ下側及び上側にあることを特徴とする半導体レ
    ーザ装置。
  5. 【請求項５】 その表面に表面電極が、裏面に裏面電極
    が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各単位半
    導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位半導体
    レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位半導体
    レーザの活性層の位置が端面の中央より一方の側面側に
    ある半導体レーザバーを切り出す工程と、 該半導体レーザバーを任意の上記単位半導体レーザの側
    面において切断して第１及び第２半導体レーザバーに分
    割する工程と、 上記第１半導体レーザバーの前端面と、上記第２半導体
    レーザバーの後端面とに低反射率膜を、上記第１半導体
    レーザバーの後端面と、上記第２半導体レーザバーの前
    端面とに高反射率膜を形成する工程と、 上記第１及び第２半導体レーザバーをそれぞれ複数の単
    位半導体レーザに切り出す工程と、 互いに同数の第１及び第２半導体レーザバーからそれぞ
    れ切り出した単位半導体レーザを、隣接した二つの各列
    をなすよう、かつ上記低反射率膜が形成された端面が同
    一平面上に揃い、各列の単位半導体レーザの活性層に近
    い側面が相対するよう、さらに各列において表面電極を
    上に、裏面電極を下にして、サブマウント上にそれぞれ
    積み重ね、相互に接合する工程とを含むことを特徴とす
    る半導体レーザ装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 その表面に表面電極が、裏面に裏面電極
    が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各単位半
    導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位半導体
    レーザが側面を接して連なり、かつその活性層の位置が
    ２つ毎にその接合側面の近くにある対向する一対の単位
    半導体レーザが複数配列されてなる対向型半導体レーザ
    バーを切り出す工程と、 上記対向型半導体レーザバーの前端面に低反射率膜を、
    後端面に高反射率膜を形成する工程と、 上記対向型半導体レーザバーを上記対向する一対の単位
    半導体レーザの活性層から遠い側の接合側面において切
    断し、それぞれ活性層から近い側の側面において相互に
    接する対向する一対の単位半導体レーザからなる対向型
    半導体レーザチップに切り出す工程と、 複数の上記対向型半導体レーザチップを、上記低反射率
    膜が形成された端面が同一平面上に揃うように、かつ表
    面電極を上に、裏面電極を下にして、サブマウント上に
    積み重ね、相互に接合する工程とを含むことを特徴とす
    る半導体レーザ装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 その表面に表面電極が、裏面に裏面電極
    が形成されている単位半導体レーザ構成体を、各単位半
    導体レーザの端面を形成するよう切断して、単位半導体
    レーザが側面を接して連なり、かつすべての単位半導体
    レーザの活性層の位置が端面の中央にある半導体レーザ
    バーを切り出す工程と、 上記半導体レーザバーの前端面に低反射率膜を、後端面
    に高反射率膜を形成する工程と、 上記半導体レーザバーを複数の単位半導体レーザに切り
    出す工程と、 複数の上記単位半導体レーザを、上記低反射率膜が形成
    された端面が同一平面上に揃うように、表面電極を上
    に、裏面電極を下にしてサブマウント上に積み重ね、相
    互に接合する工程と、 上記積み重ねられた複数の単位半導体レーザをその中心
    を通る、その側面に平行な面で切断し、同方向に光を出
    射する複数の分割単位半導体レーザをその各々の活性層
    が相対向するよう２列の各々に積み重ねてなる半導体レ
    ーザ装置を形成する工程とを含むことを特徴とする半導
    体レーザ装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 その表面に表面電極が、裏面に裏面電極
    が形成されており、活性層を上記裏面電極より上記表面
    電極近くに有し、その表面電極と裏面電極間の活性層を
    除く半導体層の導電型が、第１と第２とで逆である第１
    及び第２の単位半導体レーザ構成体を、各単位半導体レ
    ーザの端面を形成するよう切断して、各単位半導体レー
    ザが側面を接して連なり、かつ２つ毎にその接合側面の
    近くにある対向する一対の単位半導体レーザが複数配列
    されてなる対向型半導体レーザバーを切り出す工程と、 上記対向型半導体レーザバーの前端面に低反射率膜を、
    後端面に高反射率膜を形成する工程と、 上記対向型半導体レーザバーを上記対向する一対の単位
    半導体レーザの活性層から遠い側の接合側面において切
    断し、それぞれ活性層から近い側の側面において相互に
    接する対向する一対の単位半導体レーザからなる対向型
    半導体レーザチップに切り出す工程と、 上記第１単位半導体レーザ構成体から切り出された第１
    半導体レーザチップを、その裏面電極を下にしてサブマ
    ウント上に接合し、上記第２単位半導体レーザ構成体か
    ら切り出された第２半導体レーザチップを、その表面電
    極を下にして、かつ第１，第２半導体レーザチップの上
    記低反射率膜が形成された端面が一平面内に揃うように
    上記第１半導体レーザチップの表面電極上に接合する工
    程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
    法。
JP6213651A 1994-09-07 1994-09-07 半導体レーザ装置，及びその製造方法 Pending JPH0878778A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6213651A JPH0878778A (ja) 1994-09-07 1994-09-07 半導体レーザ装置，及びその製造方法
US08/524,777 US5636235A (en) 1994-09-07 1995-09-07 Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions
GB9518301A GB2293687B (en) 1994-09-07 1995-09-07 Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6213651A JPH0878778A (ja) 1994-09-07 1994-09-07 半導体レーザ装置，及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0878778A true JPH0878778A (ja) 1996-03-22

Family

ID=16642701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6213651A Pending JPH0878778A (ja) 1994-09-07 1994-09-07 半導体レーザ装置，及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5636235A (ja)
JP (1) JPH0878778A (ja)
GB (1) GB2293687B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738110B1 (ko) * 2006-04-11 2007-07-12 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 어레이
US7672349B2 (en) 2005-08-08 2010-03-02 Sony Corporation Laser diode
JP2017510986A (ja) * 2014-03-05 2017-04-13 ユーリー・ゲオルギヴィッチ・シュレター 対称軸を有する半導体発光デバイス

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10153742A (ja) * 1996-11-21 1998-06-09 Canon Inc 複数ビーム光源装置
EP1389812A1 (en) * 2002-08-13 2004-02-18 Agilent Technologies Inc A mounting arrangement for high frequency electro-optical components
US8768701B2 (en) * 2003-01-24 2014-07-01 Nuance Communications, Inc. Prosodic mimic method and apparatus
DE102009047791B4 (de) * 2009-09-30 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh RGB-Laserlichtquelle
DE102010002966B4 (de) 2010-03-17 2020-07-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung
JP2015231021A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 三菱電機株式会社 半導体レーザー装置およびその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61280693A (ja) * 1985-06-06 1986-12-11 Nec Corp 複合半導体レ−ザ
JP2780981B2 (ja) * 1988-06-27 1998-07-30 三菱電機株式会社 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法
JPH0724324B2 (ja) * 1990-03-16 1995-03-15 株式会社東芝 半導体レーザ・チップおよびその製造方法
US5086431A (en) * 1990-12-21 1992-02-04 Santa Barbara Research Center Increased intensity laser diode source configuration
JP2737563B2 (ja) * 1992-08-18 1998-04-08 三菱電機株式会社 半導体発光装置
JP3146735B2 (ja) * 1993-03-26 2001-03-19 株式会社デンソー スタックレーザ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7672349B2 (en) 2005-08-08 2010-03-02 Sony Corporation Laser diode
KR100738110B1 (ko) * 2006-04-11 2007-07-12 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 어레이
JP2017510986A (ja) * 2014-03-05 2017-04-13 ユーリー・ゲオルギヴィッチ・シュレター 対称軸を有する半導体発光デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
GB2293687B (en) 1998-06-10
US5636235A (en) 1997-06-03
GB2293687A (en) 1996-04-03
GB9518301D0 (en) 1995-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8213479B2 (en) High power diode laser having multiple emitters and method for its production
US20090185593A1 (en) Method of manufacturing laser diode packages and arrays
US20090147816A1 (en) Semiconductor laser device
JP2005150692A (ja) 半導体レーザ装置
JP5259166B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH0878778A (ja) 半導体レーザ装置，及びその製造方法
KR101517277B1 (ko) 멀티빔 반도체 레이저 장치
US11557874B2 (en) Double-sided cooling of laser diodes
JPH01184892A (ja) 半導体レーザ装置
JP5280119B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP4755199B2 (ja) 多波長集積半導体レーザ装置の製造方法
JP2000077726A (ja) 半導体素子とその製造方法
JP3573976B2 (ja) マルチビームレーザダイオード
JP2008047761A (ja) 半導体レーザ装置
WO2021059752A1 (ja) レーザ発光素子およびレーザ発光装置
JP6334772B2 (ja) マルチビーム半導体レーザ装置
JP2019004064A (ja) マルチビーム型半導体レーザ素子およびマルチビーム型半導体レーザ装置
JP2006024665A (ja) アレイ型半導体レーザ装置
JP2766017B2 (ja) 光素子および光電子装置
JPH0945996A (ja) 光学装置
JP4786059B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP4081897B2 (ja) 積層型半導体レーザ装置およびその製造方法
CN117813735A (zh) 半导体激光器装置、带焊料副装配件、带焊料集合副装配件及半导体激光器装置的检查方法
JPH07321398A (ja) スタック型半導体レーザの組み立て方法とその組み立て治具
JPH1117270A (ja) スタック型半導体レーザ