KR100738110B1 - 반도체 레이저 다이오드 어레이 - Google Patents

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Abstract

반도체 레이저 다이오드 어레이가 개시되어 있다.
이 개시된 반도체 레이저 다이오드 어레이는 하부 기판과, 하부 기판에 마련된 제1 발진부와, 하부 기판에 제1 발진부와 이격되어 마련된 제2 발진부를 갖는 듀얼 구조의 하부 반도체 레이저 다이오드 칩과; 상부 기판과, 상부 기판에 마련된 제3 발진부와, 상부 기판에 제3 발진부와 이격되어 마련된 제4 발진부를 갖는 듀얼 구조의 상부 반도체 레이저 다이오드 칩과; 제1 내지 제4 발진부를 외부와 전기적으로 연결하는 전극부;를 포함하며, 제1 내지 제4 발진부의 레이저광이 방출되는 제1 내지 제4 발광점이 2차원적으로 배열되도록, 제1 발진부와 상기 제3 발진부는 수직 접합되며, 제2 발진부와 제4 발진부가 수직 접합된다.

Description

반도체 레이저 다이오드 어레이{Seniconductor laser diode array}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이의 개략적인 단면도.
도 2는 도 1의 분리 단면도.
도 3은 도 1의 반도체 레이저 다이오드 어레이의 회로도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이의 개략적인 단면도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이의 개략적인 단면도.
<도면 중 주요부분에 대한 부호의 설명>
100,200...반도체 레이저 다이오드 칩
110,210...기판, 120,140,220,240...발진부
121,141...n형 콘택트층, 122,142,222,242...n형 클래드층
124,144,224,244...활성층, 126,146,226,246...p형 클래드층
129,149,229,249...본딩 메탈층, P1,P2,P3,P4,P5...전극
L1,L2,L3,L4...발광점
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 어레이에 관한 것으로, 보다 상세하게는 두 개의 발진부를 갖는 듀얼 구조의 반도체 레이저 다이오드 칩을 접합하여 제조된 반도체 레이저 다이오드 어레이에 관한 것이다.
반도체 레이저 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적 신호를 레이저광으로 변화시킨다. 이러한 반도체 레이저 다이오드는 화상형성장치를 포함한 다양한 분야에서 사용되고 있다. 가령, 복사기나 프린터 등과 같이 인쇄용지에 화상을 인쇄하는 화상형성장치의 광주사장치에 사용되는 반도체 레이저 다이오드는 대전된 감광매체에 레이저광을 조사하여 정전잠상을 형성시킨다.
최근 들어 화상형성장치는 더욱 빠른 인쇄속도를 갖고 고해상도로 인쇄할 것이 요구되고 있다. 고해상도를 구현하기 위하여, 종래의 적외선 레이저 다이오드나 적색 레이저 다이오드 대신에 질화물계 반도체로 제작된 청색 레이저 다이오드를 이용하여 보다 작은 스팟 사이즈로 주사하는 방법이 채용되고 있다. 또한, 고속의 인쇄를 위하여, 복수개의 레이저광을 동시에 주사하여 인쇄 속도를 높이는 방법이 개발되고 있다. 그런데, 복수개의 레이저광을 동시에 주사하는 레이저 다이오드 어레이에서 레이저 다이오드의 간격은 20μm 정도로 좁게 유지하는 것이 필요하다. 따라서, 고속 고해상도의 인쇄를 하기 위해서는, 컴팩트한 질화물계 반도체 레이저 어레이를 개발하는 것이 중요한 기술적 과제로 요구되고 있다. 특히, 이러한 반도체 레이저 다이오드 어레이에서 레이저 다이오드 사이의 간격이 매우 좁으므로 각 각의 레이저 다이오드를 독립적으로 구동하기 위하여 p형 메탈층을 효율적으로 형성하는 것이 중요하다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 반도체 레이저 다이오드의 발광점 사이의 간격을 좁게 배치할 수 있으며 전극구조가 단순한 반도체 레이저 다이오드 어레이를 제공함을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이는 하부 기판과, 상기 하부 기판에 마련된 제1 발진부와, 상기 하부 기판에 상기 제1 발진부와 이격되어 마련된 제2 발진부를 갖는 듀얼 구조의 하부 반도체 레이저 다이오드 칩과; 상부 기판과, 상기 상부 기판에 마련된 제3 발진부와, 상기 상부 기판에 상기 제3 발진부와 이격되어 마련된 제4 발진부를 갖는 듀얼 구조의 상부 반도체 레이저 다이오드 칩과; 상기 제1 내지 제4 발진부를 외부와 전기적으로 연결하는 전극부;를 포함하며, 상기 제1 내지 제4 발진부의 레이저광이 방출되는 제1 내지 제4 발광점이 2차원적으로 배열되도록, 상기 제1 발진부와 상기 제3 발진부는 수직 접합되며, 상기 제2 발진부와 상기 제4 발진부가 수직 접합되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이의 개략적인 단면도이며, 도 2는 도 1의 분리 단면도이다. 도 3는 도 1의 전기회로를 도시한다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이는 제1 및 제2 발진부(120,140)를 갖는 듀얼 구조의 하부 반도체 레이저 다이오드 칩(100) 위에 제3 및 제4 발진부(220,240)를 갖는 듀얼 구조의 상부 반도체 레이저 다이오드 칩(200)이 뒤잡어진 채로 수직하게 접합된 구조이다. 상기 하부 및 상부 반도체 레이저 다이오드 칩(100,200)은 측면 방출형 레이저 다이오드이다. 상기 제1 내지 제4 발진부(120,140,220,240)의 레이저광이 방출되는 제1 내지 제4 발광점(L1,L2,L3,L4)은 상기 제1 내지 제4 발진부(120,140,220,240)의 측면에, 도면상으로는 지면에, 2차원적으로 배열되어 있다.
하부 반도체 레이저 다이오드 칩(100)은 하부 기판(110) 상에 적층되어 마련된 제1 및 제2 발진부(120,140)를 갖는 듀얼 리지 구조이다.
상기 하부 기판(110)은 예를 들어 사파이어 기판과 같은 비전도성 기판이 사용될 수 있다. 상기 하부 기판(110)의 하부에는 히트싱크(heat sink)(미도시)가 더 배치될 수 있으며, 상기 히트싱크를 통해서, 상기 제1 내지 제4 발진부(120,140,220,240)에서 발생된 열이 효율적으로 발산될 수 있다.
상기 하부 기판(110) 위에는 제1 발진부(120)와 제2 발진부(140)가 소정 거리 이격되어 함께 적층되어 형성된다.
상기 제1 발진부(120)는, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(110) 위에 순차적으로 적층된 제1 n형 콘택트층(121), 제1 n형 클래드층(122), 제1 n형 도파층(123), 제1 활성층(124), 제1 p형 도파층(125), 제1 p형 클래드층(126), 제1 p형 메탈층(127), 및 제1 본딩 메탈층(129)을 포함한다.
상기 제1 n형 콘택트층(121), 제1 n형 클래드층(122), 제1 n형 도파층(123), 제1 활성층(124), 제1 p형 도파층(125), 제1 p형 클래드층(126)은 질화물계 화합물 반도체, 예를 들어 AlxInyGa1-(x+y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 표현되는 화합물 중 선택된 어느 화합물을 기본으로 하여 형성될 수 있다.
상기 제1 활성층(124)는 단층 또는 MQW층 등 공지의 다양한 방식으로 구성될 수 있다.
상기 제1 p형 클래드층(126)은 스트라이프 형태로 돌출된 리지 구조를 가진다. 이와 같은 리지구조는 주입되는 전류를 제한하여 제1 활성층(124)에서의 레이저 발진을 위한 공진 영역을 제한함으로써, 레이저 발진을 위한 임계 전류값을 작게 함과 동시에 다중 횡모드의 발진을 억제한다. 상기 제1 n형 도파층(123)과, 제1 활성층(124) 및 제1 p형 도파층(125)에서 공진되어 레이저광이 발진되며, 측면을 통해 레이저광이 방출된다.
상기 제1 p형 클래드층(126)의 리지 상부에는 제1 p형 메탈층(127)이 마련되어 있다. 상기 제1 p형 클래드층(126)과 상기 제1 p형 메탈층(127)은 제1 본딩 메탈층(129)으로 뒤덮여 있다. 상기 제1 p형 클래드층(126)과 상기 제1 본딩 메탈 층(129)에는 절연성 유전 물질로 형성된 제1 절연층(128)이 개재되어 있다.
상기 제2 발진부(140)는 상기 하부 기판(110) 위에 상기 제1 발진부(120)에 이격되어 순차적으로 적층된 제2 n형 콘택트층(141), 제2 n형 클래드층(142), 제2 n형 도파층(143), 제2 활성층(144), 제2 p형 도파층(145), 제2 p형 클래드층(146), 제2 p형 메탈층(147), 제2 본딩 메탈층(149)을 포함한다. 상기 제2 p형 클래드층(146)과 상기 제2 본딩 메탈층(149)에는 제2 절연층(148)이 개재되어 있다. 이러한 제2 발진부(140)는 상기 제1 발진부(120)와 실질적으로 동일한 구조를 가지므로 상세한 설명은 생략한다.
상부 반도체 레이저 다이오드 칩(200)은 상부 기판(210) 상에 적층된 제3 및 제4 발진부(220,240)를 갖는 듀얼 리지 구조이다.
상기 제3 발진부(220)는 제3 n형 클래드층(222), 제3 n형 도파층(223), 제3 활성층(224), 제3 p형 도파층(225), 제3 p형 클래드층(226), 제3 p형 메탈층(227), 제3 본딩 메탈층(229)을 포함한다. 상기 제3 p형 클래드층(226)과 상기 제3 본딩 메탈층(229)에는 제3 절연층(228)이 개재되어 있다. 상기 제4 발진부(240)는 제4 n형 클래드층(242), 제4 n형 도파층(243), 제4 활성층(244), 제4 p형 도파층(245), 제4 p형 클래드층(246), 제4 p형 메탈층(247), 제4 본딩 메탈층(249)을 포함한다. 상기 제4 p형 클래드층(246)과 상기 제4 본딩 메탈층(249)에는 제4 절연층(248)이 개재되어 있다. 상기 제3 및 제4 발진부(220,240)는 후술하는 바와 같이 상부 기판(210)에 동시에 적층되어 형성된다. 상기 제3 및 제4 발진부(220,240)의 각 층들의 구성은 상기 제1 발진부(210)의 대응되는 각 층들의 구성과 실질적으로 동일하 므로 상세한 설명은 생략한다.
상기 제1 내지 제4 발진부(120,140,220,240)를 외부와 전기적으로 연결하는 전극부는 제1 내지 제5 전극(P1,P2,P3,P4,P5)으로 구성된다.
제1 전극(P1)은 제1 n형 콘택트층(121)의 일부가 단차되어 노출된 부분에 마련된다. 제2 전극(P2)은 제2 n형 콘택트층(141)의 일부가 단차되어 노출된 부분에 이 마련된다.
상기 제1 본딩 메탈층(129)과 제3 본딩 메탈층(229)은 서로 접합되며, 상기 제2 본딩 메탈층(149)과 제4 본딩 메탈층(249)은 서로 접합된다. 이때, 상기 제1 본딩 메탈층(129)의 일부는 노출되어 제3 전극(P3)이 되며, 상기 제2 본딩 메탈층(149)의 일부는 노출되어 제4 전극(P4)이 된다. 이와 같이 하부 및 상부 반도체 레이저 다이오드 칩(100,200)이 접합될 때, 상기 제1 및 제2 본딩 메탈층(129,149)의 일부가 노출되도록, 상기 제3 본딩 메탈층(229)의 넓이가 상기 제1 본딩 메탈층(129)의 넓이보다 작고, 상기 제4 본딩 메탈층(249)의 넓이가 상기 제2 본딩 메탈층(149)의 넓이보다 작은 것이 바람직하다.
상기 상부 기판(200)으로는 예를 들어 GaN, SiC와 같은 전도성 기판이 사용된다. 상기 상부 기판(200)은 상기 제1 및 제2 발진부에 의해 지지된다. 상기 상부 기판(200)의 상기 제3 및 제4 발진부(220,240)에 의해 지지되는 면의 이면에는 제5 전극(P5)이 마련된다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 전극(P1)은 상기 제1 발진부(120)의 n형 전극이 되며, 상기 제2 전극(P2)은 상기 제2 발진부(140)의 n형 전극이 된다. 상기 제3 전 극(P3)은 상기 제1 및 제3 발진부(120,220)의 공통의 p형 전극이 되며, 제4 전극(P4)은 상기 제2 및 제4 발진부(140,240)의 공통의 p형 전극이 된다. 또한, 상기 제5 전극(P5)은 상기 제3 및 제4 발진부(220,240)의 공통의 n형 전극이 된다. 상기 제1 내지 제5 전극(P1,P2,P3,P4,P5)을 통하여 제1 내지 제4 발진부(120,140,220,240)는 독립적으로 구동될 수 있다. 상기와 같은 전극부를 갖는 본 실시예의 반도체 레이저 다이오드 어레이는 종래의 미국 특허 제6,816,528호에 개시된 에어-브릿지(air-bridge) 형의 전극 구조를 갖는 4-발광 레이저 다이오드 어레이에 비하여 그 구조가 단순하여 제조가 용이하다.
프린터나 인쇄기에 사용되는 반도체 레이저 다이오드 어레이는 충분한 해상도를 제공하기 위하여 레이저 스팟 사이의 간격이 충분히 좁아야 한다. 다시 도 1을 참조하면, 듀얼 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드는 리지간의 간격이 수 십 μm 범위 내에 있도록 제조될 수 있으므로, 본 실시예의 반도체 레이저 다이오드 어레이의 발광점들(L1,L2,L3,L4)의 수평 방향의 간격(x1,x2,x3)을 충분히 좁힐 수 있다. 또한, 하부 및 상부 반도체 레이저 다이오드 칩(100,200)의 접합에 있어서, 발광점(L1,L2,L3,L4)과 가까운 p형 본딩 메탈층(129,149,229,249)들이 접합되므로, 발광점들(L1,L2,L3,L4)의 수직 방향의 간격(y) 또한 충분히 좁힐 수 있다. 상기 발광점들(L1,L2,L3,L4) 중심 간의 거리는 바람직하게는 50 μm 이내의 범위, 보다 바람직하게는 20 μm 이내의 범위에 있다.
본 실시예의 경우, 상기 제1 내지 제4 발진부(120,140,220,240)는 상기 발광 점들(L1,L2,L3,L4)이 수평 방향으로 보았을 때 서로 엇갈리도록 배치된다. 바람직하게는 상기 발광점들(L1,L2,L3,L4)이 수평 방향의 간격(x1,x2,x3)이 일정하도록 배치된다. 상기 발광점들(L1,L2,L3,L4)의 수평 방향의 간격(x1,x2,x3)은 30 μm 이내의 범위, 보다 바람직하게는 5 μm 이내의 범위에 있다. 고속 고해상도 인쇄를 하는 복사기나 프린터에서 사용되는 레이저 다이오드 어레이는 레이저 스팟이 한 쪽 방향으로 조밀하면서도 일정한 간격을 유지하도록 하는 것이 중요하다. 본 실시예의 반도체 레이저 다이오드 어레이는 출사되는 레이저 빔들이 한 쪽 방향으로 충분히 작으면서도 일정한 간격을 유지되도록 할 수 있으므로, 고속 고해상도 인쇄를 하는 복사기나 프린터에 사용되는데 적합하다.
본 실시예의 반도체 레이저 다이오드 어레이는 두 개의 발진부를 갖는 듀얼 구조의 상부 및 하부 반도체 레이저 다이오드 칩(100,200)이 수직으로 접합되어 제조되는데 반하여, 종래의 4-발광(quad-spot) 레이저 다이오드 어레이는 4개의 발진부가 동시에 형성되어 제조된다. 본 실시예는 상부 및 하부 반도체 레이저 다이오드 칩(100,200)을 수직으로 접합하기 전에 양질의 반도체 레이저 다이오드 칩을 선택할 수 있으므로, 종래의 반도체 레이저 다이오드 어레이에 비하여 4개의 발진부의 성능이 균일하며, 그 생산 수율이 향상된다.
실시예의 경우, 상부 및 하부 반도체 레이저 다이오드 칩(100,200)을 수직으로 접합하기 전에 양질의 레이저 다이오드 칩을 선택함으로써 그 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 4은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이의 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이는 하부 기판(111)과, 상기 하부 기판에 마련된 제1 및 제2 발진부(120,140)와, 상기 제1 및 제2 발진부(120,140) 각각과 수직 접합되는 제3 및 제4 발진부(220,240)와, 상기 제3 및 제4 발진부(220,240)에 의해 지지되는 상부 기판(210)을 포함한다.
본 실시예의 경우 상술된 제1 실시예와 달리 상기 하부 기판(111)으로 예를 들어 GaN, SiC와 같은 전도성 물질이 사용된다. 상기 제1 내지 제4 발진부(120,140,220,240)가 독립적으로 구동될 수 있도록, 상기 제1 발진부(120)와 상기 제2 발진부(140)는 전기적으로 절연되도록 한다. 이를 위해, 상기 하부 기판(111)과 상기 제1 발진부(120) 사이에는 제1 전류 제한층(115)이 개재되어 있으며, 상기 하부 기판(111)과 제2 발진부(140) 사이에는 제2 전류 제한층(135)이 개재되어 있다. 상기 제1 및 제2 전류 제한층(115,135)은 도핑되지 않거나, p형으로 도핑된 반도체층으로 형성된다. 이와 같은 제1 및 제2 전류 제한층(115,135)을 이용함으로써, 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 어레이의 하부 기판으로 비전도성 기판에 한정되지 않고, 전도성 기판이 사용될 수 있다.
본 실시예의 반도체 레이저 다이오드 어레이의 구성은 하부기판(111)과 제1 및 제2 전류 제한층(115,135) 외에는 상술된 제1 실시예의 구성과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이의 개략 적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이는 하부 기판(110)과, 상기 하부 기판에 마련된 제1 및 제2 발진부(120′,140′)와, 상기 제1 및 제2 발진부(120′,140′) 각각과 수직 접합되는 제3 및 제4 발진부(220′,240′)와, 상기 제3 및 제4 발진부(220′,240′)에 의해 지지되는 상부 기판(210)을 포함한다. 본 실시예는 상기 제1 발진부(120′)의 제1 발광점(L1′)과 상기 제3 발진부(140′)의 제3 발광점(L3′)은 수직 방향으로 일직선 상에 정렬되며, 상기 제2 발진부(220′)의 제2 발광점(L2′)과 상기 제4 발진부(240′)의 제4 발광점(L4′)은 수직 방향으로 일직선 상에 정렬된다는 점에서 상술된 제1 및 제2 실시예와 차이점이 있다. 즉, 본 실시예의 제1 내지 제4 발광점(L1′,L2′,L3′,L4′)는 상기 제1 내지 제4 발진부(120′,140′,220′,240′)의 측면에서 직사각형의 꼭지점을 이룬다. 상기 제1 내지 제4 발광점(L1′,L2′,L3′,L4′) 사이의 간격들(x,y)은 50μm 이내의 범위, 바람직하게는 20 μm 이내의 범위에 있다.
본 실시예의 반도체 레이저 다이오드 어레이가 복사기나 프린터의 레이저주사장치에 사용되는 경우, 상기 반도체 레이저 다이오드 어레이를 소정 각도로 회전시킴으로써 레이저 스팟이 한 쪽 방향으로 일정한 간격을 유지하도록 할 수 있다.
본 실시예의 반도체 레이저 다이오드 어레이의 구성은 제1 내지 제4 발광점(L1′,L2′,L3′,L4′)의 정렬 위치를 외에는 상술된 제1 실시예의 구성과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
상술된 실시예에서 질화물계 반도체 물질로 형성된 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다른 물질로 형성된 일반적인 반도체 레이저 다이오드 어레이에도 적용될 수 있다. 또한 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 어레이의 4개의 발진부는 동일 파장대의 레이저광을 조사하는데 한정되지 않으며, 발진부를 구성하는 화합물 반도체에 따라서 제1 및 제2 발진부에서 출사되는 레이저광의 파장대와 제3 및 제4 발진부에서 출사되는 레이저광의 파장대가 서로 달라질 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 어레이은 듀얼 리지 구조의 레이저 다이오드 칩을 수직으로 접합하여 제조함으로써 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 반도체 레이저 다이오드 어레이의 발광점들의 간격을 충분히 좁게 할 수 있다.
둘째, 반도체 레이저 다이오드 어레이의 전극 구조가 단순하여, 그 제조가 용이하다.
셋째, 양질의 듀얼 리지 구조의 레이저 다이오드 칩을 선택하여 접합하므로써, 발진부의 성능이 균일하며, 그 생산수율이 향상된다.
이러한 본원 발명인 반도체 레이저 다이오드 어레이는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (18)

  1. 하부 기판과, 상기 하부 기판에 마련된 제1 발진부와, 상기 하부 기판에 상기 제1 발진부와 이격되어 마련된 제2 발진부를 갖는 듀얼 구조의 하부 반도체 레이저 다이오드 칩과;
    상부 기판과, 상기 상부 기판에 마련된 제3 발진부와, 상기 상부 기판에 상기 제3 발진부와 이격되어 마련된 제4 발진부를 갖는 듀얼 구조의 상부 반도체 레이저 다이오드 칩과;
    상기 제1 내지 제4 발진부를 외부와 전기적으로 연결하는 전극부;를 포함하며,
    상기 제1 내지 제4 발진부의 레이저광이 방출되는 제1 내지 제4 발광점이 2차원적으로 배열되도록, 상기 제1 발진부와 상기 제3 발진부는 수직 접합되며, 상기 제2 발진부와 상기 제4 발진부가 수직 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 발광점 각각의 중심간의 거리는 50 μm 이내의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 발광점은 수평 방향으로 보았을 때 서로 엇갈리도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 발광점의 수평 방향의 간격이 일정한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 발광점의 수평 방향의 간격은 30 μm 이내의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 발광점과 제3 발광점은 수직 방향으로 일직선 상에 정렬되어 있으며, 상기 제2 발광점과 제4 발광점은 수직 방향으로 일직선 상에 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발진부 각각은 하부 기판 위에 순차적으로 적층되어 형성되는 n형 콘택트층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, p형 메탈층, 본딩 메탈층을 포함하며, 상기 제3 및 제4 발진부 각각은 상부 기판 위에 순차적으로 적층되어 형성되는 n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, p형 메탈층, 본딩 메탈층을 포함하며,
    상기 제1 발진부의 제1 본딩 메탈층과 상기 제3 발진부의 제3 본딩 메탈층이 접합되며,
    상기 제2 발진부의 제2 본딩 메탈층과 상기 제4 발진부의 제4 본딩 메탈층이 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전극부는,
    상기 제1 발진부의 상기 제1 n형 콘택트층이 단차되어 노출된 부분에 형성된 제1 전극과;
    상기 제2 발진부의 상기 제2 n형 콘택트층이 단차되어 노출된 부분에 형성된 제2 전극과;
    상기 제1 본딩 메탈층의 상기 제3 본딩 메탈층에 접합된 영역 외곽의 노출된 부분에 형성된 제3 전극과;
    상기 제2 본딩 메탈층의 상기 제4 본딩 메탈층에 접합된 영역 외곽의 노출된 부분에 형성된 제4 전극과;
    상기 상부 기판의 상기 제1 및 제2 발진부가 며련된 면의 이면에 형성된 제5 전극;을 포함하며,
    상기 제1 내지 제4 발진부는 독립적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 본딩 메탈층의 일부가 노출될 수 있도록, 상기 제3 본딩 메탈부의 넓이는 상기 제1 본딩 메탈부의 넓이보다 더 작으며, 상기 제4 본딩 메탈부의 넓이는 상기 제2 본딩 메탈부의 넓이보다 더 작은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 기판은 전도성인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 상부 기판은 GaN, SiC 중에서 어느 한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  12. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 기판은 비전도성 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  13. 제15항에 있어서,
    상기 하부 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  14. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 기판은 전도성인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 발진부와 제2 발진부가 전기적으로 절연되도록, 상기 하부 기판과 상기 제1 발진부 사이에 개재된 제1 전류 제한층과, 상기 하부 기판과 제2 발진부 사이에 개재된 제2 전류 제한층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 하부 기판은 GaN, SiC 중에서 어느 한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  17. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 발진부 각각은 n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층을 포함하며, 상기 p형 클래드층은 리지 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
  18. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 발진부 각각은 n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층을 포함하며, 상기 클래드층과 활성층은 AlxInyGa1-(x+y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 표현되는 질화갈륨계 화합물 중 선택된 어느 화합물을 기본으로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이.
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