JP2007281483A - 半導体レーザダイオードアレイ - Google Patents
半導体レーザダイオードアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007281483A JP2007281483A JP2007102121A JP2007102121A JP2007281483A JP 2007281483 A JP2007281483 A JP 2007281483A JP 2007102121 A JP2007102121 A JP 2007102121A JP 2007102121 A JP2007102121 A JP 2007102121A JP 2007281483 A JP2007281483 A JP 2007281483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- semiconductor laser
- oscillation
- diode array
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Revoked
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L9/00—Supporting devices; Holding devices
- B01L9/02—Laboratory benches or tables; Fittings therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
- H01S5/405—Two-dimensional arrays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L1/00—Enclosures; Chambers
- B01L1/04—Dust-free rooms or enclosures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L2200/00—Solutions for specific problems relating to chemical or physical laboratory apparatus
- B01L2200/06—Fluid handling related problems
- B01L2200/0647—Handling flowable solids, e.g. microscopic beads, cells, particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L2200/00—Solutions for specific problems relating to chemical or physical laboratory apparatus
- B01L2200/14—Process control and prevention of errors
- B01L2200/141—Preventing contamination, tampering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L2300/00—Additional constructional details
- B01L2300/02—Identification, exchange or storage of information
- B01L2300/025—Displaying results or values with integrated means
- B01L2300/027—Digital display, e.g. LCD, LED
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L2300/00—Additional constructional details
- B01L2300/06—Auxiliary integrated devices, integrated components
- B01L2300/0627—Sensor or part of a sensor is integrated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
- H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Clinical Laboratory Science (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】下部基板110と、下部基板に設けられた第1発振部120と、下部基板に第1発振部と離隔されて設けられた第2発振部140とを有するデュアル構造の下部半導体レーザダイオードチップ100と、上部基板と、上部基板210に設けられた第3発振部220と、上部基板に第3発振部と離隔されて設けられた第4発振部240とを有するデュアル構造の上部半導体レーザダイオードチップ200と、第1ないし第4発振部120、140,220、240を外部と電気的に連結する電極部P1,P2、P3、P4と、を備え、第1ないし第4発振部のレーザ光が放出される第1ないし第4発光点が2次元的に配列されるように、第1発振部と前記第3発振部とは垂直接合され、第2発振部と第4発振部とが垂直接合される。
【選択図】図1
Description
110、210 基板、
120、140、220、240 第1ないし第4発振部、
121、141 第1及び第2n型コンタクト層、
122、142、222、242 第1ないし第4n型クラッド層、
123、143、223、243 第1ないし第4n型導波層、
124、144、224、244 第1ないし第4活性層、
125、145、225、245 第1ないし第4p型導波層、
126、146、226、246 第1ないし第4p型クラッド層、
127、147、227、247 第1ないし第4p型メタル層、
128、148、228、248 第1ないし第4絶縁層、
129、149、229、249 第1ないし第4ボンディングメタル層、
L1、L2、L3、L4 第1ないし第4発光点、
P1、P2、P3、P4、P5 第1ないし第5電極。
Claims (18)
- 下部基板と、前記下部基板に設けられた第1発振部と、前記下部基板に前記第1発振部と離隔されて設けられた第2発振部とを有するデュアル構造の下部半導体レーザダイオードチップと、
上部基板と、前記上部基板に設けられた第3発振部、前記上部基板に前記第3発振部と離隔されて設けられた第4発振部とを有するデュアル構造の上部半導体レーザダイオードチップと、
前記第1ないし第4発振部を外部と電気的に連結する電極部と、を備え、
前記第1ないし第4発振部のレーザ光が放出される第1ないし第4発光点が2次元的に配列されるように、前記第1発振部と前記第3発振部とは垂直接合され、前記第2発振部と前記第4発振部とが垂直接合されることを特徴とする半導体レーザダイオードアレイ。 - 前記第1ないし第4発光点それぞれの中心間の距離は、50μm以内の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1ないし第4発光点は、水平方向から見たときに互いにずれるように配置されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1ないし第4発光点の水平方向の間隔が一定であることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1ないし第4発光点の水平方向の間隔は、30μm以内の範囲にあることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1発光点と第3発光点とは、垂直方向に一直線上に整列されており、前記第2発光点と第4発光点とは、垂直方向に一直線上に整列されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1及び第2発振部のそれぞれは、下部基板上に順次に積層されて形成されるn型コンタクト層、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層、p型メタル層、ボンディングメタル層を備え、前記第3及び第4発振部のそれぞれは、上部基板上に順次に積層されて形成されるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層、p型メタル層、ボンディングメタル層を備え、
前記第1発振部のボンディングメタル層と前記第3発振部のボンディングメタル層とが接合され、
前記第2発振部のボンディングメタル層と前記第4発振部のボンディングメタル層とが接合されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードアレイ。 - 前記電極部は、
前記第1発振部の前記n型コンタクト層が段差を持って露出された部分に形成された第1電極と、
前記第2発振部の前記n型コンタクト層が段差を持って露出された部分に形成された第2電極と、
前記第1発振部のボンディングメタル層が前記第3発振部のボンディングメタル層に接合された前記第1発振部のボンディングメタル層の領域外郭の露出された部分に形成された第3電極と、
前記第2発振部のボンディングメタル層が前記第4発振部のボンディングメタル層に接合された前記第2発振部のボンディングメタル層の領域外郭の露出された部分に形成された第4電極と、
前記上部基板の前記第3及び第4発振部が設けられた面の裏面に形成された第5電極と、を備え、
前記第1ないし第4発振部は、独立して駆動されることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザダイオードアレイ。 - 前記第1及び第2発振部のボンディングメタル層の一部が露出されるように、前記第3発振部のボンディングメタル部の面積は、前記第1発振部のボンディングメタル部の面積よりも小さく、前記第4発振部のボンディングメタル部の面積は、前記第2発振部のボンディングメタル部の面積よりも小さいことを特徴とする請求項8に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記上部基板は、導電性であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記上部基板は、GaN、SiCのうちいずれかの物質から形成されたことを特徴とする請求項10に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記下部基板は、非導電性基板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記下部基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項12に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記下部基板は、導電性であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1発振部と第2発振部とが電気的に絶縁されるように、前記下部基板と前記第1発振部との間に介在した第1電流制限層と、前記下部基板と第2発振部との間に介在した第2電流制限層とをさらに備えていることを特徴とする請求項14に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記下部基板は、GaN、SiCのうちいずれかの物質から形成されたことを特徴とする請求項14に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1ないし第4発振部のそれぞれは、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層を備え、前記p型クラッド層は、リッジ構造を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
- 前記第1ないし第4発振部のそれぞれは、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層を備え、前記n型およびp型クラッド層と活性層とは、AlxInyGa1−(x+y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表現される窒化ガリウム系化合物のうちから選択されたいずれかの化合物を基本として形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060032746A KR100738110B1 (ko) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | 반도체 레이저 다이오드 어레이 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281483A true JP2007281483A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=38503955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007102121A Revoked JP2007281483A (ja) | 2006-04-11 | 2007-04-09 | 半導体レーザダイオードアレイ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7616674B2 (ja) |
JP (1) | JP2007281483A (ja) |
KR (1) | KR100738110B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010016095A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2023523975A (ja) * | 2020-04-27 | 2023-06-08 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 半導体レーザ装置を製造する方法および半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994524B1 (en) * | 2007-09-12 | 2011-08-09 | David Yaunien Chung | Vertically structured LED array light source |
US7792173B2 (en) * | 2007-12-06 | 2010-09-07 | Opnext Japan, Inc. | Semiconductor laser device |
DE102009047791B4 (de) * | 2009-09-30 | 2019-01-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | RGB-Laserlichtquelle |
DE102010002966B4 (de) | 2010-03-17 | 2020-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung |
KR102239170B1 (ko) * | 2015-01-29 | 2021-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101852343B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2018-06-12 | 주식회사 옵토웰 | 병렬 적층 구조를 가지는 레이저 다이오드 및 이의 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10294529A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH11340587A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-12-10 | Xerox Corp | フリップチップ接合で製作した多重波長レ―ザアレ― |
JP2002118331A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 集積型半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2003298193A (ja) * | 2003-05-06 | 2003-10-17 | Sony Corp | 発光装置およびそれを用いた光装置並びに発光装置の製造方法 |
JP2004014943A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Sony Corp | マルチビーム型半導体レーザ、半導体発光素子および半導体装置 |
JP2005327905A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Sony Corp | 半導体発光装置およびそれを用いた光装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0846280A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
JPH0878778A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
JP3486900B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2004-01-13 | ソニー株式会社 | 発光装置およびそれを用いた光装置 |
US7462882B2 (en) * | 2003-04-24 | 2008-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus |
JP4634047B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2011-02-16 | パイオニア株式会社 | 集積型半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4583128B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-11-17 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP4614715B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
2006
- 2006-04-11 KR KR1020060032746A patent/KR100738110B1/ko active IP Right Grant
- 2006-08-31 US US11/513,053 patent/US7616674B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-09 JP JP2007102121A patent/JP2007281483A/ja not_active Revoked
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10294529A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH11340587A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-12-10 | Xerox Corp | フリップチップ接合で製作した多重波長レ―ザアレ― |
JP2002118331A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 集積型半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2004014943A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Sony Corp | マルチビーム型半導体レーザ、半導体発光素子および半導体装置 |
JP2003298193A (ja) * | 2003-05-06 | 2003-10-17 | Sony Corp | 発光装置およびそれを用いた光装置並びに発光装置の製造方法 |
JP2005327905A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Sony Corp | 半導体発光装置およびそれを用いた光装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010016095A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2023523975A (ja) * | 2020-04-27 | 2023-06-08 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 半導体レーザ装置を製造する方法および半導体レーザ装置 |
JP7493618B2 (ja) | 2020-04-27 | 2024-05-31 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 半導体レーザ装置を製造する方法および半導体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070237200A1 (en) | 2007-10-11 |
US7616674B2 (en) | 2009-11-10 |
KR100738110B1 (ko) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007281483A (ja) | 半導体レーザダイオードアレイ | |
US8000369B2 (en) | Surface emitting laser array, production process thereof, and image forming apparatus having surface emitting laser array | |
JP5183111B2 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置 | |
JP2011151357A (ja) | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 | |
JPH07211991A (ja) | 多重ビーム型ダイオードレーザアレイ | |
TW201008065A (en) | Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, optical scanning device, and image forming apparatus | |
JP6662013B2 (ja) | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置、内燃機関、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール、及び光伝送システム | |
KR20110043992A (ko) | 조리개를 포함하는 발광다이오드 어레이, 이를 이용한 라인 프린터 헤드 및 발광다이오드 어레이의 제조방법 | |
JP2013026487A (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
US7804874B2 (en) | Multibeam laser apparatus and image forming device using the same | |
JP2009004473A (ja) | 半導体レーザ装置、光書込器およびプリンタ装置 | |
JP2013051283A (ja) | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 | |
JP5621369B2 (ja) | 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置 | |
JP2008028139A (ja) | 半導体チップの製造方法、面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 | |
JP2004319915A (ja) | 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置 | |
JP2012195474A (ja) | 半導体レーザ装置、および該半導体レーザ装置を用いた光走査装置、ならびに画像形成装置 | |
JP2013058563A (ja) | 面発光レーザモジュール | |
JP2016127175A (ja) | 面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置及びレーザ装置。 | |
JP2016051815A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、プリントヘッド、及び画像形成装置 | |
JP6379755B2 (ja) | 光源モジュール、光走査装置、画像形成装置、及び光源モジュールの製造方法 | |
JPH10193679A (ja) | レーザ光源装置及びレーザプリンタ | |
JP4836258B2 (ja) | 半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム | |
JPH10282440A (ja) | 光走査装置及び電子写真記録装置 | |
JPH05136459A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3229403B2 (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120403 |
|
AA91 | Notification of revocation by ex officio |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091 Effective date: 20120612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120926 |