JP5183111B2 - 垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置に関するものである。
面発光レーザの一つの構成として、活性領域の両側を二つの反射鏡で挟み、基板面に垂直な方向に共振器を形成し、基板面から垂直方向に光を出射する垂直共振器型面発光レーザが知られている。
一般的な面発光レーザの反射鏡としては、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した分布ブラッグ反射鏡が用いられる。
一般的な面発光レーザの反射鏡としては、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した分布ブラッグ反射鏡が用いられる。
この垂直共振器型面発光レーザは、次のような多くの利点を有していることから盛んに研究されている。
すなわち、この面発光レーザは低閾値、低消費電力であり、またスポット形状が円形で光学素子とのカップリングが容易であり、アレイ化が可能である、等の多くの利点を有している。
このため、光通信、光記録、また電子写真用の光源として応用が期待されている。
例えば、電子写真用の光源への応用を考えると、面発光レーザを二次元面に並べたアレイ構造をとることにより、高速印刷かつ高精細な画質を得ることが可能となる。
特に、面発光レーザの素子間のピッチを狭くすることにより、素子を高密度に多数並べ、高速、高精細を達成することが可能となる。
しかしながら、面発光レーザの素子間のピッチを狭くした場合には、二次元に並べられた面発光レーザを個別に駆動するための駆動用配線を敷設する領域が不足し、駆動用配線を敷設することが困難になるという課題が生じる。
すなわち、この面発光レーザは低閾値、低消費電力であり、またスポット形状が円形で光学素子とのカップリングが容易であり、アレイ化が可能である、等の多くの利点を有している。
このため、光通信、光記録、また電子写真用の光源として応用が期待されている。
例えば、電子写真用の光源への応用を考えると、面発光レーザを二次元面に並べたアレイ構造をとることにより、高速印刷かつ高精細な画質を得ることが可能となる。
特に、面発光レーザの素子間のピッチを狭くすることにより、素子を高密度に多数並べ、高速、高精細を達成することが可能となる。
しかしながら、面発光レーザの素子間のピッチを狭くした場合には、二次元に並べられた面発光レーザを個別に駆動するための駆動用配線を敷設する領域が不足し、駆動用配線を敷設することが困難になるという課題が生じる。
従来において、実用的な面発光レーザの素子サイズを保ち、かつ高密度に二次元配置した面発光レーザアレイにおいて、素子を個別駆動させるための配線を敷設する領域を確保するため、特許文献１では、つぎのような面発光レーザ素子が提案がなされている。
すなわち、この特許文献１の面発光レーザ素子では、少なくとも第１の反射鏡の一部を含み且つ活性層を含まない第１メサ構造と、少なくとも活性層を含み前記第１メサ構造よりも大きな外形を有する第２メサ構造とを有している。
そして、前記第１の反射鏡上に電気的に接続される電極を有する構造とされている。
具体的には、図８に示すように、上記した第１メサ構造と第２メサ構造を形成することにより複数の素子が分離され、電極が形成された第１メサ上を除く領域には絶縁膜が形成されている。
そして、絶縁膜上に形成した配線と第１メサ上に形成した電極を接続することで個別駆動ができるように構成されている。
特許文献１では、以上のように第１メサ構造と第２メサ構造とによる径の異なる二段のメサ構造とすることにより、配線を敷設する領域の確保がなされている。
すなわち、この特許文献１の面発光レーザ素子では、少なくとも第１の反射鏡の一部を含み且つ活性層を含まない第１メサ構造と、少なくとも活性層を含み前記第１メサ構造よりも大きな外形を有する第２メサ構造とを有している。
そして、前記第１の反射鏡上に電気的に接続される電極を有する構造とされている。
具体的には、図８に示すように、上記した第１メサ構造と第２メサ構造を形成することにより複数の素子が分離され、電極が形成された第１メサ上を除く領域には絶縁膜が形成されている。
そして、絶縁膜上に形成した配線と第１メサ上に形成した電極を接続することで個別駆動ができるように構成されている。
特許文献１では、以上のように第１メサ構造と第２メサ構造とによる径の異なる二段のメサ構造とすることにより、配線を敷設する領域の確保がなされている。
一方、レーザ光の出射口が設けられた側と反対側である素子の裏面側に配設した別基板に配線を敷設するようにし、出射口による制約がなく配線敷設の自由度の増した上記の別基板に、配線を敷設可能とした面発光デバイスが、特許文献２において提案されている。
図９に、特許文献２の面発光デバイスの構成を説明する図を示す。
図９において、９１５は発光領域（ビクセル）であり、活性層の外径を示すものである。また、９１６は発光層であり、活性層部そのものを示すものである。
この面発光デバイスは、半導体基板９０１上に、上記した活性層部９１６を複数備えた面発光レーザアレーが、配線を敷設可能とした別基板９１２に貼り付けて構成されている。
すなわち、配線を敷設可能とした別基板９１２は出射口が設けられた側と反対側である素子の裏面側に配設されている。
そして、出射口側である半導体基板９０１においては、出射口が塞がれるため、吸収体である半導体基板９０１を選択的に除去して、アレー領域の外枠が額縁状に残されている。
特開２００７−５３８６号公報
特開平１１−１６８２６２号公報
図９に、特許文献２の面発光デバイスの構成を説明する図を示す。
図９において、９１５は発光領域（ビクセル）であり、活性層の外径を示すものである。また、９１６は発光層であり、活性層部そのものを示すものである。
この面発光デバイスは、半導体基板９０１上に、上記した活性層部９１６を複数備えた面発光レーザアレーが、配線を敷設可能とした別基板９１２に貼り付けて構成されている。
すなわち、配線を敷設可能とした別基板９１２は出射口が設けられた側と反対側である素子の裏面側に配設されている。
そして、出射口側である半導体基板９０１においては、出射口が塞がれるため、吸収体である半導体基板９０１を選択的に除去して、アレー領域の外枠が額縁状に残されている。
しかしながら、上記した従来例のものは、つぎのような課題を有している。
上記特許文献１のものでは、上記した二段メサ構造を形成することが必要なことから複雑な作製プロセスを要し、また、特性の均一な面発光レーザを得る上での困難性を有している。
また、上記特許文献２のものにおいては、配線を敷設可能とした別基板は出射口が設けられた側とは反対側にあり、出射口側は出射口が塞がれるため、吸収体である半導体基板を選択的に除去することが必要となる。
そのため、作製プロセスが煩雑となるだけでなく、選択的に除去されて極めて薄い形状とされた半導体基板側にかかる応力をハンドリングしながら、配線を敷設可能とした別基板に貼り付ける作業が必要となる。
上記特許文献１のものでは、上記した二段メサ構造を形成することが必要なことから複雑な作製プロセスを要し、また、特性の均一な面発光レーザを得る上での困難性を有している。
また、上記特許文献２のものにおいては、配線を敷設可能とした別基板は出射口が設けられた側とは反対側にあり、出射口側は出射口が塞がれるため、吸収体である半導体基板を選択的に除去することが必要となる。
そのため、作製プロセスが煩雑となるだけでなく、選択的に除去されて極めて薄い形状とされた半導体基板側にかかる応力をハンドリングしながら、配線を敷設可能とした別基板に貼り付ける作業が必要となる。
本発明は、上記課題に鑑み、素子間が狭ピッチ化されたレーザアレイに個別駆動することができる駆動用配線を敷設する際に、
自由度を有し、簡単に敷設することが可能となる垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
自由度を有し、簡単に敷設することが可能となる垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
本発明は、以下のように構成した垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置を提供するものである。
本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、
共振器を構成する反射ミラー間に活性層を備えた垂直共振器型の複数の面発光レーザ素子が、２次元的に配列されている第１の基板と、
前記複数の面発光レーザ素子から出射する光の透過を可能とした該複数の面発光レーザ素子に対応する複数の光取り出し用貫通孔を備え、前記第１の基板のレーザ光の出射側に配置されている第２の基板と、を有し、
前記第２の基板は、該第２の基板を貫通する電極形成用貫通孔と、前記複数の面発光レーザ素子と電気的コンタクトをとるために前記第２の基板の表面に設けられた金属からなる複数の配線とを有し、
前記電極形成用貫通孔には、
前記第２の基板の裏面側に設けられた前記複数の面発光レーザ素子と前記複数の配線との電気的コンタクトをとり、前記複数の面発光レーザ素子を個別駆動するための貫通電極が設けられており、
前記複数の光取り出し用貫通孔の径が、前記複数の面発光レーザ素子の径よりも小さいことにより、前記第１の基板における複数の面発光レーザ素子のメサ間隔よりも、前記第２の基板における複数の光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなっていることによって、
前記第２の基板の表面に前記複数の配線を形成するために使用できる領域を広く取ることが可能に構成され、
前記複数の光取り出し用貫通孔の、ある２つの光取り出し用貫通孔の間の領域に、前記複数の配線のうち、前記２つの光取り出し用貫通孔とは異なる光取り出し貫通孔に対応する面発光レーザ素子と電気的コンタクトをとるための配線が敷設され、
前記第１の基板と、前記第１の基板のレーザ光の出射側に配置されている該第２の基板とが接合されていることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記電極形成用貫通孔と前記光取り出し用貫通孔は同じ孔であることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記電極形成用貫通孔と前記光取り出し用貫通孔は異なる孔であることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記第１の基板と前記第２の基板とが、金属部材を介して接合されていることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記面発光レーザ素子のメサ間隔が、１５μｍ以下とされていることを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、上記したいずれかに記載の垂直共振器型面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする。
共振器を構成する反射ミラー間に活性層を備えた垂直共振器型の複数の面発光レーザ素子が、２次元的に配列されている第１の基板と、
前記複数の面発光レーザ素子から出射する光の透過を可能とした該複数の面発光レーザ素子に対応する複数の光取り出し用貫通孔を備え、前記第１の基板のレーザ光の出射側に配置されている第２の基板と、を有し、
前記第２の基板は、該第２の基板を貫通する電極形成用貫通孔と、前記複数の面発光レーザ素子と電気的コンタクトをとるために前記第２の基板の表面に設けられた金属からなる複数の配線とを有し、
前記電極形成用貫通孔には、
前記第２の基板の裏面側に設けられた前記複数の面発光レーザ素子と前記複数の配線との電気的コンタクトをとり、前記複数の面発光レーザ素子を個別駆動するための貫通電極が設けられており、
前記複数の光取り出し用貫通孔の径が、前記複数の面発光レーザ素子の径よりも小さいことにより、前記第１の基板における複数の面発光レーザ素子のメサ間隔よりも、前記第２の基板における複数の光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなっていることによって、
前記第２の基板の表面に前記複数の配線を形成するために使用できる領域を広く取ることが可能に構成され、
前記複数の光取り出し用貫通孔の、ある２つの光取り出し用貫通孔の間の領域に、前記複数の配線のうち、前記２つの光取り出し用貫通孔とは異なる光取り出し貫通孔に対応する面発光レーザ素子と電気的コンタクトをとるための配線が敷設され、
前記第１の基板と、前記第１の基板のレーザ光の出射側に配置されている該第２の基板とが接合されていることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記電極形成用貫通孔と前記光取り出し用貫通孔は同じ孔であることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記電極形成用貫通孔と前記光取り出し用貫通孔は異なる孔であることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記第１の基板と前記第２の基板とが、金属部材を介して接合されていることを特徴とする。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザアレイは、前記面発光レーザ素子のメサ間隔が、１５μｍ以下とされていることを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、上記したいずれかに記載の垂直共振器型面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする。
本発明によれば、素子間が狭ピッチ化されたレーザアレイに個別駆動することができる駆動用配線を敷設する際に、
自由度を有し、簡単に敷設することが可能となる垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置を実現することができる。
自由度を有し、簡単に敷設することが可能となる垂直共振器型面発光レーザアレイ、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置を実現することができる。
本発明の実施の形態における高密度に配置された垂直共振器型面発光レーザアレイについて説明する。
本実施形態における高密度に配置された垂直共振器型面発光レーザアレイは、各素子（面発光レーザ）を個別駆動するための駆動用配線の敷設自由度を増すために、つぎのような構成が採られる。
すなわち、第１の基板である面発光レーザアレイ基板と、第２の基板である個別駆動用配線を敷設した配線基板との、二つの基板を貼り合せるに当たり、前記第２の基板が、第１の基板のレーザ光の出射側で該第１の基板と接合された構成が採られる。
その際、前記第２の基板の表面に配線を引き、この配線は例えば前記第２の基板を貫通する電極形成用貫通孔を通じて、前記第２の基板の裏面に形成した金属パッドと電気接続可能に構成される。
そして、前記第１の基板に形成した面発光レーザアレイの各素子のトップ電極（面発光レーザの出射口側）と、前記第２の基板裏面に形成した電極パッドとが、電気的に接合するように接合している。
また、前記第２の基板には、上記電極形成用貫通孔とは別に、光取り出し用貫通孔が形成される。但し、第２の基板に透明基板を用いた場合には、この光取り出し用貫通孔は必要ではない。
なお、光取り出し用貫通孔を形成した場合において、これを電極形成用貫通孔として用いることができ、その場合には、光取り出し用貫通孔とは別の電極形成用貫通孔を形成する必要はない。
そして、上記光取り出し用貫通孔を形成した際、その径を、面発光レーザアレイの各素子の径よりも小さく形成し、これにより上記各素子の素子間隔よりも光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなるようにして、これを配線施設領域として用いるように構成する。
このように構成することで、素子間隔よりも間隔の大きい間隔領域を配線施設領域としても用いることができ、面発光レーザを個別駆動するための駆動用配線の敷設自由度を増すことが可能なる。
本実施形態における高密度に配置された垂直共振器型面発光レーザアレイは、各素子（面発光レーザ）を個別駆動するための駆動用配線の敷設自由度を増すために、つぎのような構成が採られる。
すなわち、第１の基板である面発光レーザアレイ基板と、第２の基板である個別駆動用配線を敷設した配線基板との、二つの基板を貼り合せるに当たり、前記第２の基板が、第１の基板のレーザ光の出射側で該第１の基板と接合された構成が採られる。
その際、前記第２の基板の表面に配線を引き、この配線は例えば前記第２の基板を貫通する電極形成用貫通孔を通じて、前記第２の基板の裏面に形成した金属パッドと電気接続可能に構成される。
そして、前記第１の基板に形成した面発光レーザアレイの各素子のトップ電極（面発光レーザの出射口側）と、前記第２の基板裏面に形成した電極パッドとが、電気的に接合するように接合している。
また、前記第２の基板には、上記電極形成用貫通孔とは別に、光取り出し用貫通孔が形成される。但し、第２の基板に透明基板を用いた場合には、この光取り出し用貫通孔は必要ではない。
なお、光取り出し用貫通孔を形成した場合において、これを電極形成用貫通孔として用いることができ、その場合には、光取り出し用貫通孔とは別の電極形成用貫通孔を形成する必要はない。
そして、上記光取り出し用貫通孔を形成した際、その径を、面発光レーザアレイの各素子の径よりも小さく形成し、これにより上記各素子の素子間隔よりも光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなるようにして、これを配線施設領域として用いるように構成する。
このように構成することで、素子間隔よりも間隔の大きい間隔領域を配線施設領域としても用いることができ、面発光レーザを個別駆動するための駆動用配線の敷設自由度を増すことが可能なる。
以上のように構成することにより、第１の基板に個別駆動配線を敷設する場合と比較して、個別駆動用配線を敷設するために使用できる領域を広く取ることが可能となる。
その結果、面発光レーザ個別駆動用配線の敷設自由度を向上させることが可能となる。
また、本実施形態の上記構成を有する垂直共振器型面発光レーザアレイを備えた画像形成装置を構成することにより、高速・高精細印刷を実現できる画像形成装置を得ることが可能となる。
その結果、面発光レーザ個別駆動用配線の敷設自由度を向上させることが可能となる。
また、本実施形態の上記構成を有する垂直共振器型面発光レーザアレイを備えた画像形成装置を構成することにより、高速・高精細印刷を実現できる画像形成装置を得ることが可能となる。
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、本発明を適用して構成した垂直共振器型面発光レーザアレイの一形態について説明する。
図１に、本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイを示す。
図１において、１００は面発光レーザアレイ基板（第１の基板）、１０２は面発光レーザ素子、１０４は共通電極、２００は配線基板（第２の基板）、２０２は貫通孔、２０４は個別駆動用配線、２０６は接合用金属材料である。
また、ａは素子間隔、ｂは光取り出し用貫通孔の間隔である。
本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイにおいては、面発光レーザアレイ基板（第１の基板）１００と、配線基板（第２の基板）２００との、二つの基板が貼り合わされて構成されている。
その際、光取り出し用貫通孔の径を、面発光レーザ素子の径よりも小さく形成することにより、素子間隔ａよりも光取り出し用貫通孔の間隔ｂが大きくなるようにし、これを配線施設領域幅とすることが可能となる。
このように、素子間隔ａよりも間隔の大きい領域を配線施設領域とすることで、面発光レーザを個別駆動するための駆動用配線の敷設自由度を増すことが可能とされている。
［実施例１］
実施例１においては、本発明を適用して構成した垂直共振器型面発光レーザアレイの一形態について説明する。
図１に、本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイを示す。
図１において、１００は面発光レーザアレイ基板（第１の基板）、１０２は面発光レーザ素子、１０４は共通電極、２００は配線基板（第２の基板）、２０２は貫通孔、２０４は個別駆動用配線、２０６は接合用金属材料である。
また、ａは素子間隔、ｂは光取り出し用貫通孔の間隔である。
本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイにおいては、面発光レーザアレイ基板（第１の基板）１００と、配線基板（第２の基板）２００との、二つの基板が貼り合わされて構成されている。
その際、光取り出し用貫通孔の径を、面発光レーザ素子の径よりも小さく形成することにより、素子間隔ａよりも光取り出し用貫通孔の間隔ｂが大きくなるようにし、これを配線施設領域幅とすることが可能となる。
このように、素子間隔ａよりも間隔の大きい領域を配線施設領域とすることで、面発光レーザを個別駆動するための駆動用配線の敷設自由度を増すことが可能とされている。
つぎに、本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法について説明する。
図２、図３及び図４にて本実施例の上記面発光レーザアレイの製造方法について説明する模式図を示す。
なお、図２、図３及び図４においては、基板の一部のみを示している。
図２においては、面発光レーザアレイ基板の製造方法について説明する模式図を示す。
図３においては、配線基板の製造方法について説明する模式図を示す。
図４においては、面発光レーザアレイ基板と配線基板を張り合わせた本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイの一形態を説明する。
図２、図３及び図４にて本実施例の上記面発光レーザアレイの製造方法について説明する模式図を示す。
なお、図２、図３及び図４においては、基板の一部のみを示している。
図２においては、面発光レーザアレイ基板の製造方法について説明する模式図を示す。
図３においては、配線基板の製造方法について説明する模式図を示す。
図４においては、面発光レーザアレイ基板と配線基板を張り合わせた本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイの一形態を説明する。
図２において、３００はｎ型ＧａＡｓ基板、３０２は半導体エピ層、３０４は活性層、３０６はメサ、３０８は電流狭窄構造、３１０は絶縁膜、３１２はｐ側電極、３１４は接合用金属材料及び３１６はｎ側電極である。
まず、図２を用いて、共振器を構成する反射ミラー間に活性層を備えた垂直共振器型面発光レーザ素子が、複数個設けられている第１の基板を形成する工程について説明する。
図２（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上に、ＭＯＣＶＤ装置によりバッファー層を介して、以下のように各半導体エピ層３０２を成長させる。
ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ−ＤＢＲミラー層上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰスペーサー層、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ−ＭＱＷ活性層３０４を成長させる。
そして、この活性層３０４上に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰスペーサー層、ｐ型Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ−ＤＢＲミラー層、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を順次成長させる。
まず、図２を用いて、共振器を構成する反射ミラー間に活性層を備えた垂直共振器型面発光レーザ素子が、複数個設けられている第１の基板を形成する工程について説明する。
図２（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上に、ＭＯＣＶＤ装置によりバッファー層を介して、以下のように各半導体エピ層３０２を成長させる。
ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ−ＤＢＲミラー層上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰスペーサー層、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ−ＭＱＷ活性層３０４を成長させる。
そして、この活性層３０４上に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰスペーサー層、ｐ型Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ−ＤＢＲミラー層、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を順次成長させる。
次に、図２（ｂ）に示すように、リソグラフィー及びドライエッチング技術を用いてｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ−ＤＢＲミラー層が露出するように、メサ３０６を形成する。
その後、水蒸気雰囲気下でｐ型Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を選択的に酸化し、電流狭窄構造３０８を形成する。
その後、水蒸気雰囲気下でｐ型Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を選択的に酸化し、電流狭窄構造３０８を形成する。
次に、図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ成膜技術、リソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、絶縁膜（酸化シリコン膜）３１０を形成する。
次に、図２（ｄ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてｐ側電極（Ｔｉ／Ａｕ）３１２及び接合用金属（Ｔｉ／Ａｕ）３１４を形成する。
また、金属蒸着技術を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板３００にｎ側電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）３１６を形成する。
次に、図２（ｄ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてｐ側電極（Ｔｉ／Ａｕ）３１２及び接合用金属（Ｔｉ／Ａｕ）３１４を形成する。
また、金属蒸着技術を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板３００にｎ側電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）３１６を形成する。
つぎに、図３を用いて、前記面発光レーザ素子と電気的コンタクトをとるための配線を備え、且つ前記面発光レーザ素子から出射する光の透過を可能とする第２の基板を形成する工程について説明する。
図３において、４００は基板、４０２は光取り出し用貫通孔、４０４は電極形成用貫通孔、４０６は表面配線金属、４０８は裏面配線金属、４１０は接合用の金属部材及び４１２は貫通電極である。
まず、図３（ａ）に示すように、リソグラフィー及びドライエッチング技術を用いてＳｉ基板４００に光取り出し用貫通孔４０２及び電極形成用貫通孔４０４を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板４００表面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）４０６を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板４００裏面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）４０８及び接合用の金属部材４１０（Ｔｉ／Ａｕ）を形成する。
次に、図３（ｄ）に示すように、メッキ技術を用いて貫通電極４１２を形成する。
図３において、４００は基板、４０２は光取り出し用貫通孔、４０４は電極形成用貫通孔、４０６は表面配線金属、４０８は裏面配線金属、４１０は接合用の金属部材及び４１２は貫通電極である。
まず、図３（ａ）に示すように、リソグラフィー及びドライエッチング技術を用いてＳｉ基板４００に光取り出し用貫通孔４０２及び電極形成用貫通孔４０４を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板４００表面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）４０６を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板４００裏面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）４０８及び接合用の金属部材４１０（Ｔｉ／Ａｕ）を形成する。
次に、図３（ｄ）に示すように、メッキ技術を用いて貫通電極４１２を形成する。
図４において、５００は面発光レーザアレイ基板、５０２は配線基板である。
図４に示すように、図２及び図３にて説明した製造方法で作製した面発光レーザアレイ基板５００と配線基板５０２を金属同士による直接接合（Ａｕ−Ａｕ接合）技術を用いて貼り合せる。
以上説明した工程により、面発光レーザアレイの個々の面発光レーザを個別に駆動するための配線を、面発光レーザアレイを形成した基板とは別の基板に形成した垂直共振器型面発光レーザアレイを得ることが可能となる。
図４に示すように、図２及び図３にて説明した製造方法で作製した面発光レーザアレイ基板５００と配線基板５０２を金属同士による直接接合（Ａｕ−Ａｕ接合）技術を用いて貼り合せる。
以上説明した工程により、面発光レーザアレイの個々の面発光レーザを個別に駆動するための配線を、面発光レーザアレイを形成した基板とは別の基板に形成した垂直共振器型面発光レーザアレイを得ることが可能となる。
また、図４において、ａはメサ径、ｂはメサピッチ、ｃはメサ間隔、ｄは光取り出し用貫通孔径、ｅは配線スペースである。
本実施例では、メサ径ａ：３０μｍ、メサピッチｂ：４０μｍ、メサ間隔ｃ：１０μｍ、光取り出し用貫通孔径ｄ：１８μｍ、配線スペースｅ：２２μｍを備えた、８×４の垂直共振器型面発光レーザアレイを形成している。
本実施例では、面発光レーザの出射口を６μｍとして形成している。
また、本実施例では絶縁膜３１０は発振波長λの１／２の厚さとしている。
また、本実施例では配線基板のＳｉ基板厚を５０μｍとしている。
このように、本実施例においては、面発光レーザ素子から出射する複数の光取り出し用貫通孔を設けるに際し、この複数の光取り出し用貫通孔を、複数の面発光レーザ素子が設けられている間隔よりも大きい間隔で形成するプロセスを含む構成が採られる。
本実施例では、メサ径ａ：３０μｍ、メサピッチｂ：４０μｍ、メサ間隔ｃ：１０μｍ、光取り出し用貫通孔径ｄ：１８μｍ、配線スペースｅ：２２μｍを備えた、８×４の垂直共振器型面発光レーザアレイを形成している。
本実施例では、面発光レーザの出射口を６μｍとして形成している。
また、本実施例では絶縁膜３１０は発振波長λの１／２の厚さとしている。
また、本実施例では配線基板のＳｉ基板厚を５０μｍとしている。
このように、本実施例においては、面発光レーザ素子から出射する複数の光取り出し用貫通孔を設けるに際し、この複数の光取り出し用貫通孔を、複数の面発光レーザ素子が設けられている間隔よりも大きい間隔で形成するプロセスを含む構成が採られる。
以上のような構成を採ることにより、各面発光レーザ素子間隔が１５μｍ以下のｍ×ｎ（ｍ，ｎ：自然数（０は含まず））の垂直共振器型面発光レーザにおいて、次のようなことが可能となる。
すなわち、面発光レーザアレイ基板と面発光レーザ個別駆動用配線を形成した配線基板をそれぞれ作製し、両基板を貼り合せる構成を採るに際して、光取り出し用貫通孔の径を、面発光レーザアレイの各素子の径よりも小さく形成する。
これにより上記各素子の素子間隔よりも光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなるようにすることにより、個別駆動用配線を敷設するための領域を広く取ることが可能となる。
その結果、面発光レーザ基板上に面発光レーザ個別駆動用配線を敷設する従来例の場合と比較して、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることが、つぎのように可能となる。
従来例のように、面発光レーザアレイ基板上に敷設した場合には、
面発光レーザ素子間隔が１０μｍであるとすると、その素子間隔が配線敷設領域幅（１０μｍ）となる。
これに対して、本実施例のように配線基板と貼り合せる構成を採るの場合には、光取り出し用貫通孔の間隔が２２μｍであるとすると、その光取り出し用貫通孔の間隔が配線敷設領域幅（２２μｍ）となる。
これにより、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることができる。
すなわち、面発光レーザアレイ基板と面発光レーザ個別駆動用配線を形成した配線基板をそれぞれ作製し、両基板を貼り合せる構成を採るに際して、光取り出し用貫通孔の径を、面発光レーザアレイの各素子の径よりも小さく形成する。
これにより上記各素子の素子間隔よりも光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなるようにすることにより、個別駆動用配線を敷設するための領域を広く取ることが可能となる。
その結果、面発光レーザ基板上に面発光レーザ個別駆動用配線を敷設する従来例の場合と比較して、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることが、つぎのように可能となる。
従来例のように、面発光レーザアレイ基板上に敷設した場合には、
面発光レーザ素子間隔が１０μｍであるとすると、その素子間隔が配線敷設領域幅（１０μｍ）となる。
これに対して、本実施例のように配線基板と貼り合せる構成を採るの場合には、光取り出し用貫通孔の間隔が２２μｍであるとすると、その光取り出し用貫通孔の間隔が配線敷設領域幅（２２μｍ）となる。
これにより、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることができる。
本実施例では、６８０ｎｍ帯垂直共振器型面発光レーザについて述べたがこれに限定されるものではなく、例えば８５０ｎｍ帯（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層系）などの垂直共振器型面発光レーザにも適用可能である。
また、本実施例では、配線基板としてＳｉ基板を加工して形成したがこれに限定されるものではなく、樹脂材料や金属材料、またＳｉ以外の半導体材料であっても良い。
特に、配線基板に熱抵抗の小さい材料を用いることにより、面発光レーザの活性層で発生した熱を効果的に放熱することが可能となる。
また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法（装置）は記述手法（装置）に限るものではなく、同様の効果が得られるのであればいかなる手法（装置）であっても良い。
また、本実施例では、配線基板としてＳｉ基板を加工して形成したがこれに限定されるものではなく、樹脂材料や金属材料、またＳｉ以外の半導体材料であっても良い。
特に、配線基板に熱抵抗の小さい材料を用いることにより、面発光レーザの活性層で発生した熱を効果的に放熱することが可能となる。
また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法（装置）は記述手法（装置）に限るものではなく、同様の効果が得られるのであればいかなる手法（装置）であっても良い。
［実施例２］
実施例２においては、配線基板の表裏面における配線を電気接続する貫通電極が、光取り出し用貫通孔に形成するようにした垂直共振器型面発光レーザアレイの一形態について説明する。
図５に、本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイを示す。
図５において、６００は面発光レーザアレイ基板、６０２は配線基板である。
本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイにおいては、配線基板における基板表面に形成した配線と基板裏面に形成した配線とを電気的に接続する貫通電極が、光取り出し用貫通孔に形成されている。
実施例２においては、配線基板の表裏面における配線を電気接続する貫通電極が、光取り出し用貫通孔に形成するようにした垂直共振器型面発光レーザアレイの一形態について説明する。
図５に、本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイを示す。
図５において、６００は面発光レーザアレイ基板、６０２は配線基板である。
本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイにおいては、配線基板における基板表面に形成した配線と基板裏面に形成した配線とを電気的に接続する貫通電極が、光取り出し用貫通孔に形成されている。
つぎに、本実施例の垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法について説明する。
面発光レーザアレイ基板は、実施例１と同じである。
図６に、本実施例における配線基板の製造方法について説明する模式図を示す。図６において、７００は基板、７０２は貫通孔、７０４は表面配線金属、７０６は貫通電極、７０８は裏面配線金属及び７１０は接合用金属である。
まず、図６（ａ）に示すように、リソグラフィー及びドライエッチング技術を用いてＳｉ基板７００に貫通孔７０２を形成する。
次に、図６（ｂ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板７００表面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）７０４及び貫通電極（Ｔｉ／Ａｕ）７０６を形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板７００裏面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）７０８及び接合用金属７１０（Ｔｉ／Ａｕ）を形成する。
面発光レーザアレイ基板は、実施例１と同じである。
図６に、本実施例における配線基板の製造方法について説明する模式図を示す。図６において、７００は基板、７０２は貫通孔、７０４は表面配線金属、７０６は貫通電極、７０８は裏面配線金属及び７１０は接合用金属である。
まず、図６（ａ）に示すように、リソグラフィー及びドライエッチング技術を用いてＳｉ基板７００に貫通孔７０２を形成する。
次に、図６（ｂ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板７００表面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）７０４及び貫通電極（Ｔｉ／Ａｕ）７０６を形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、リソグラフィー技術及び金属蒸着技術を用いてＳｉ基板７００裏面に配線金属（Ｔｉ／Ａｕ）７０８及び接合用金属７１０（Ｔｉ／Ａｕ）を形成する。
図５に示すように、図２及び図６にて説明した製造方法で作製した面発光レーザアレイ基板６００と配線基板６０２を金属同士による直接接合（Ａｕ−Ａｕ接合）技術を用いて貼り合せる。
以上説明した工程により、面発光レーザアレイの個々の面発光レーザを個別に駆動するための配線を、面発光レーザアレイを形成した基板とは別の基板に形成した垂直共振器型面発光レーザアレイを得ることが可能となる。
以上説明した工程により、面発光レーザアレイの個々の面発光レーザを個別に駆動するための配線を、面発光レーザアレイを形成した基板とは別の基板に形成した垂直共振器型面発光レーザアレイを得ることが可能となる。
また、図５において、ａはメサ径、ｂはメサピッチ、ｃはメサ間隔、ｄは配線スペースである。
本実施例では、メサ径ａ：３０μｍ、メサピッチｂ：４０μｍ、メサ間隔ｃ：１０μｍ、配線スペースｄ：１８μｍを備えた、８×４の垂直共振器型面発光レーザアレイを形成している。
本実施例では、面発光レーザの出射口を６μｍとして形成している。
また、本実施例では絶縁膜３１０は発振波長λの１／２の厚さとしている。
また、本実施例では配線基板のＳｉ基板厚を５０μｍとしている。
本実施例では、メサ径ａ：３０μｍ、メサピッチｂ：４０μｍ、メサ間隔ｃ：１０μｍ、配線スペースｄ：１８μｍを備えた、８×４の垂直共振器型面発光レーザアレイを形成している。
本実施例では、面発光レーザの出射口を６μｍとして形成している。
また、本実施例では絶縁膜３１０は発振波長λの１／２の厚さとしている。
また、本実施例では配線基板のＳｉ基板厚を５０μｍとしている。
以上のような構成をとることにより、各面発光レーザ素子間隔が１５μｍ以下のｍ×ｎ（ｍ，ｎ：自然数（０は含まず））の垂直共振器型面発光レーザにおいて、次のようなことが可能となる。
すなわち、面発光レーザアレイ基板と面発光レーザ個別駆動用配線を形成した配線基板をそれぞれ作製し、両基板を貼り合せる構成を採るに際して、光取り出し用貫通孔の径を、面発光レーザアレイの各素子の径よりも小さく形成する。
これにより上記各素子の素子間隔よりも光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなるようにすることにより、個別駆動用配線を敷設するための領域を広く取ることが可能となる。
その結果、面発光レーザ基板上に面発光レーザ個別駆動用配線を敷設する従来例の場合と比較して、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることが、つぎのように可能となる。
従来例のように、面発光レーザアレイ基板上に敷設した場合には、
面発光レーザ素子間隔が１０μｍであるとすると、その素子間隔が配線敷設領域幅（１０μｍ）となる。
これに対して、本実施例のように配線基板と貼り合せる構成を採るの場合には、
貫通孔間隔（上部）が１８μｍであるとすると、その貫通孔間隔が配線敷設領域幅（１８μｍ）となり、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることができる。
すなわち、面発光レーザアレイ基板と面発光レーザ個別駆動用配線を形成した配線基板をそれぞれ作製し、両基板を貼り合せる構成を採るに際して、光取り出し用貫通孔の径を、面発光レーザアレイの各素子の径よりも小さく形成する。
これにより上記各素子の素子間隔よりも光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなるようにすることにより、個別駆動用配線を敷設するための領域を広く取ることが可能となる。
その結果、面発光レーザ基板上に面発光レーザ個別駆動用配線を敷設する従来例の場合と比較して、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることが、つぎのように可能となる。
従来例のように、面発光レーザアレイ基板上に敷設した場合には、
面発光レーザ素子間隔が１０μｍであるとすると、その素子間隔が配線敷設領域幅（１０μｍ）となる。
これに対して、本実施例のように配線基板と貼り合せる構成を採るの場合には、
貫通孔間隔（上部）が１８μｍであるとすると、その貫通孔間隔が配線敷設領域幅（１８μｍ）となり、配線引き回し（パターン）の自由度を増加させることができる。
本実施例では、６８０ｎｍ帯垂直共振器型面発光レーザについて述べたがこれに限定されるものではなく、例えば８５０ｎｍ帯（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ活性層系）などの垂直共振器型面発光レーザにも適用可能である。
また、本実施例では、配線基板としてＳｉ基板を加工して形成したがこれに限定されるものではなく、樹脂材料や金属材料、またＳｉ以外の半導体材料であっても良い。
特に、配線基板に熱抵抗の小さい材料を用いることにより、面発光レーザの活性層で発生した熱を効果的に放熱することが可能となる。
また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法（装置）は記述手法（装置）に限るものではなく、同様の効果が得られるのであればいかなる手法（装置）であっても良い。
また、本実施例では、配線基板としてＳｉ基板を加工して形成したがこれに限定されるものではなく、樹脂材料や金属材料、またＳｉ以外の半導体材料であっても良い。
特に、配線基板に熱抵抗の小さい材料を用いることにより、面発光レーザの活性層で発生した熱を効果的に放熱することが可能となる。
また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法（装置）は記述手法（装置）に限るものではなく、同様の効果が得られるのであればいかなる手法（装置）であっても良い。
［実施例３］
実施例３においては、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた応用例の一形態について説明する。
図７に、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを実装した電子写真記録方式の画像形成装置の構造図を示す。
図７（ａ）は画像形成装置の側面図であり、図７（ｂ）は同装置の側面図である。
図７において、８００は感光ドラム、８０２は帯電器、８０４は現像器、８０６は転写帯電器、８０８は定着器、８１０は回転多面鏡、８１２はモータである。
また、８１４は垂直共振器型面発光レーザアレイ、８１６は反射鏡、８２０はコリメータレンズ及び８２２はｆ−θレンズである。
実施例３においては、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた応用例の一形態について説明する。
図７に、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを実装した電子写真記録方式の画像形成装置の構造図を示す。
図７（ａ）は画像形成装置の側面図であり、図７（ｂ）は同装置の側面図である。
図７において、８００は感光ドラム、８０２は帯電器、８０４は現像器、８０６は転写帯電器、８０８は定着器、８１０は回転多面鏡、８１２はモータである。
また、８１４は垂直共振器型面発光レーザアレイ、８１６は反射鏡、８２０はコリメータレンズ及び８２２はｆ−θレンズである。
図７において、モータ８１２は回転多面鏡８１０を回転駆動するものである。
本実施例における回転多面鏡８１０は、６つの反射面を備えている。
垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４は、記録用光源となるものであり、レーザドライバ（図示せず）により画像信号に応じて点灯または消灯するように構成されている。
こうして光変調されたレーザ光は、垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４からコリメータレンズ８２０を介し回転多面鏡８１０に向けて照射される。
回転多面鏡８１０は矢印方向に回転していて、垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４から出力されたレーザ光は、回転多面鏡８１０の回転に伴い、その反射面で連続的に出射角度を変える偏向ビームとして反射される。
この反射光は、ｆ−θレンズ８２２により歪曲収差の補正等を受け、反射鏡８１６を経て感光ドラム８００に照射され、感光ドラム８００上で主走査方向に走査される。
このとき、回転多面鏡８１０の１面を介したビーム光の反射により、感光ドラム８００の主走査方向に垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４に対応した複数のライン分の画像が形成される。
本実施例における回転多面鏡８１０は、６つの反射面を備えている。
垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４は、記録用光源となるものであり、レーザドライバ（図示せず）により画像信号に応じて点灯または消灯するように構成されている。
こうして光変調されたレーザ光は、垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４からコリメータレンズ８２０を介し回転多面鏡８１０に向けて照射される。
回転多面鏡８１０は矢印方向に回転していて、垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４から出力されたレーザ光は、回転多面鏡８１０の回転に伴い、その反射面で連続的に出射角度を変える偏向ビームとして反射される。
この反射光は、ｆ−θレンズ８２２により歪曲収差の補正等を受け、反射鏡８１６を経て感光ドラム８００に照射され、感光ドラム８００上で主走査方向に走査される。
このとき、回転多面鏡８１０の１面を介したビーム光の反射により、感光ドラム８００の主走査方向に垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４に対応した複数のライン分の画像が形成される。
本実施例においては、４×８の垂直共振器型面発光レーザアレイ８１４を用いており、４ライン分の画像が形成される。
感光ドラム８００は、予め帯電器８０２により帯電されており、レーザ光の走査により順次露光され、静電潜像が形成される。
また、感光ドラム８００は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は、現像器８０４により現像され、現像された可視像は転写帯電器８０６により、転写紙（図示せず）に転写される。
可視像が転写された転写紙は、定着器８０８に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。
感光ドラム８００は、予め帯電器８０２により帯電されており、レーザ光の走査により順次露光され、静電潜像が形成される。
また、感光ドラム８００は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は、現像器８０４により現像され、現像された可視像は転写帯電器８０６により、転写紙（図示せず）に転写される。
可視像が転写された転写紙は、定着器８０８に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。
なお、感光ドラム８００の側部における主走査方向の走査開始位置近傍に、ビーム検出センサ（Ｂｅａｍ Ｄｅｔｅｃｔセンサ：以下ＢＤセンサ）が配置されている（図示せず）。
回転多面鏡８１０の各反射面で反射されたレーザ光は、ライン走査に先立ってＢＤセンサにより検出される。
この検出信号は、主走査奉公の走査開始基準信号としてタイミングコントローラ（図示せず）に入力され、この信号を規準として各ラインにおける走査方向の書き出し開始位置の同期が取られる。
なお、本実施例では、４×８垂直共振器型面発光レーザアレイを用いたが、これに限定されるものではなく、ｍ×ｎ垂直共振器型面発光レーザアレイ（ｍ，ｎ：自然数（０は含まず））であっても良い。
以上説明したように、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを電子写真記録方式の画像形成装置に用いることにより、高速・高精細印刷を可能とする画像形成装置を得ることが可能となる。
回転多面鏡８１０の各反射面で反射されたレーザ光は、ライン走査に先立ってＢＤセンサにより検出される。
この検出信号は、主走査奉公の走査開始基準信号としてタイミングコントローラ（図示せず）に入力され、この信号を規準として各ラインにおける走査方向の書き出し開始位置の同期が取られる。
なお、本実施例では、４×８垂直共振器型面発光レーザアレイを用いたが、これに限定されるものではなく、ｍ×ｎ垂直共振器型面発光レーザアレイ（ｍ，ｎ：自然数（０は含まず））であっても良い。
以上説明したように、本発明による垂直共振器型面発光レーザアレイを電子写真記録方式の画像形成装置に用いることにより、高速・高精細印刷を可能とする画像形成装置を得ることが可能となる。
１００：面発光レーザアレイ基板（第１の基板）
１０２：面発光レーザ素子
１０４：共通電極
２００：配線基板（第２の基板）
２０２：貫通孔
２０４：個別駆動用配線
２０６：接合用金属材料
３００：ｎ型ＧａＡｓ基板
３０２：半導体エピ層
３０４：活性層
３０６：メサ
３０８：電流狭窄構造
３１０：絶縁膜
３１２：ｐ側電極
３１４：接合用金属材料
３１６：ｎ側電極
４００：基板
４０２：光取り出し用貫通孔
４０４：電極形成用貫通孔
４０６：表面配線金属
４０８：裏面配線金属
４１０：接合用の金属部材
４１２：貫通電極
５００，６００：面発光レーザアレイ基板
５０２，６０２：配線基板
７００：基板
７０２：貫通孔
７０４：表面配線金属
７０６：貫通電極
７０８：裏面配線金属
７１０：接合用金属
８００：感光ドラム
８０２：帯電器
８０４：現像器
８０６：転写帯電器
８０８：定着器
８１０：回転多面鏡
８１２：モータ
８１４：垂直共振器型面発光レーザアレイ
８１６：反射鏡
８２０：コリメータレンズ
８２２：ｆ−θレンズ
１０２：面発光レーザ素子
１０４：共通電極
２００：配線基板（第２の基板）
２０２：貫通孔
２０４：個別駆動用配線
２０６：接合用金属材料
３００：ｎ型ＧａＡｓ基板
３０２：半導体エピ層
３０４：活性層
３０６：メサ
３０８：電流狭窄構造
３１０：絶縁膜
３１２：ｐ側電極
３１４：接合用金属材料
３１６：ｎ側電極
４００：基板
４０２：光取り出し用貫通孔
４０４：電極形成用貫通孔
４０６：表面配線金属
４０８：裏面配線金属
４１０：接合用の金属部材
４１２：貫通電極
５００，６００：面発光レーザアレイ基板
５０２，６０２：配線基板
７００：基板
７０２：貫通孔
７０４：表面配線金属
７０６：貫通電極
７０８：裏面配線金属
７１０：接合用金属
８００：感光ドラム
８０２：帯電器
８０４：現像器
８０６：転写帯電器
８０８：定着器
８１０：回転多面鏡
８１２：モータ
８１４：垂直共振器型面発光レーザアレイ
８１６：反射鏡
８２０：コリメータレンズ
８２２：ｆ−θレンズ
Claims (6)
- 垂直共振器型面発光レーザアレイであって、
共振器を構成する反射ミラー間に活性層を備えた垂直共振器型の複数の面発光レーザ素子が、２次元的に配列されている第１の基板と、
前記複数の面発光レーザ素子から出射する光の透過を可能とした該複数の面発光レーザ素子に対応する複数の光取り出し用貫通孔を備え、前記第１の基板のレーザ光の出射側に配置されている第２の基板と、を有し、
前記第２の基板は、該第２の基板を貫通する電極形成用貫通孔と、前記複数の面発光レーザ素子と電気的コンタクトをとるために前記第２の基板の表面に設けられた金属からなる複数の配線とを有し、
前記電極形成用貫通孔には、
前記第２の基板の裏面側に設けられた前記複数の面発光レーザ素子と前記複数の配線との電気的コンタクトをとり、前記複数の面発光レーザ素子を個別駆動するための貫通電極が設けられており、
前記複数の光取り出し用貫通孔の径が、前記複数の面発光レーザ素子の径よりも小さいことにより、前記第１の基板における複数の面発光レーザ素子のメサ間隔よりも、前記第２の基板における複数の光取り出し用貫通孔の間隔が大きくなっていることによって、
前記第２の基板の表面に前記複数の配線を形成するために使用できる領域を広く取ることが可能に構成され、
前記複数の光取り出し用貫通孔の、ある２つの光取り出し用貫通孔の間の領域に、前記複数の配線のうち、前記２つの光取り出し用貫通孔とは異なる光取り出し貫通孔に対応する面発光レーザ素子と電気的コンタクトをとるための配線が敷設され、
前記第１の基板と、前記第１の基板のレーザ光の出射側に配置されている該第２の基板とが接合されていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザアレイ。 - 前記電極形成用貫通孔と前記光取り出し用貫通孔は同じ孔であることを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイ。
- 前記電極形成用貫通孔と前記光取り出し用貫通孔は異なる孔であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイ。
- 前記第１の基板と前記第２の基板とが、金属部材を介して接合されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイ。
- 前記面発光レーザ素子のメサ間隔が、１５μｍ以下とされていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイ。
- 請求項１から５のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする画像形成装置。
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