JP2016127176A - 素子の製造方法、面発光レーザ素子、光走査装置、及び画像形成装置 - Google Patents
素子の製造方法、面発光レーザ素子、光走査装置、及び画像形成装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】製造歩留まりの向上を図ることができる素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板101上に複数の半導体層を形成する工程と、発光部となる領域にメサを形成する工程と、第1の溝を形成する工程と、保護膜111を形成する工程と、第1の溝のほぼ中央に予め設定された深さの第2の溝を形成する工程と、第1の溝の底部に第1の層121を形成する工程と、第1の層121を第2の層122で被覆する工程と、第2の溝に沿って素子毎に分離する工程とを含んでいる。第1の層121と第2の層122は硬さの異なる材料で形成されている。そして、第2の層122は第1の層121よりもやわらかい。【選択図】図22
Description
本発明は、素子の製造方法、面発光レーザ素子、光走査装置、及び画像形成装置に係り、更に詳しくは、基板上に複数の素子を形成した後、該複数の素子を素子毎に分離する素子の製造方法、基板に直交する方向に光を射出する面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を有する光走査装置、及び該光走査装置を備える画像形成装置に関する。
垂直共振器型の面発光レーザ素子は、基板に直交する方向に光を射出するものであり、基板に平行な方向に光を射出する端面発光型の半導体レーザよりも低価格、低消費電力、小型、2次元デバイスに好適、かつ、高性能であることから、近年、注目されている。
このような面発光レーザ素子の応用分野としては、プリンタにおける光書き込み系の光源(発振波長:780nm帯)や、光ディスク装置における書き込み用光源(発振波長:780nm帯、850nm帯)、光ファイバを用いるLAN(Local Area Network)などの光伝送システムの光源(発振波長:1.3μm帯、1.5μm帯)が挙げられる。
さらには、ボード間、ボード内、集積回路(LSI:Large Scale Integrated circuit)のチップ間、及び集積回路のチップ内の光伝送用光源などとしても期待されている。
この面発光レーザ素子の製造方法として、例えば、基板上に複数の素子を形成し、各素子の外周部に分離溝を形成し、スクライブ・ブレーキング工程やダイシング工程で、個々の素子に分離している。
しかし、従来の製造方法では、スクライブ・ブレーキング工程、あるいはダイシング工程で、チッピングにより素子本体に損傷を与えたり、素子本体にパーティクルが付着するおそれがあった。この場合、面発光レーザ素子の製造歩留まりが低下することとなる。
面発光レーザ素子の製造歩留まりを向上させることは、面発光レーザ素子の品質向上と低コスト化に有効であるとともに、面発光レーザ素子を用いた光走査装置、該光走査装置を備えるプリンタや複写機等の画像形成装置、面発光レーザ素子を用いた光ディスク装置、面発光レーザ素子を用いて光伝送を行う光通信装置などの品質向上とコスト削減にも有効である。
例えば、特許文献1には、製造工程における歩留りを向上させ、品質の良い面発光レーザを提供することを目的とし、基板上に、第1の半導体多層膜と活性層および第2の半導体多層膜からなるアルミニウムを含む半導体層を有し、半導体層を除去して基板にいたる深さまで形成された第1の分離溝と、半導体層を保護するよう形成された保護膜と、第1の分離溝における基板に予め定められた深さの第2の分離溝を形成した面発光レーザ素子が開示されている。
また、特許文献2には、ダイシング時のチッピングによる機能部分の損傷を軽減できる半導体装置を得ることを目的とし、半導体基板に機能素子を形成した半導体装置において、ダイシングの際に生じるチッピングが機能素子に達しないようにチッピングを止める手段を有することを特徴とする半導体装置が開示されている。
近年、面発光レーザ素子の製造歩留まりの更なる向上が要求されている。しかしながら、特許文献1に開示されている面発光レーザ素子、及び特許文献2に開示されている半導体装置では、上記要求に応えるのは困難であった。
本発明は、基板上に複数の素子を形成した後、素子毎に分離する素子の製造方法において、前記分離用の第1の溝を形成する工程と、前記第1の溝の底部の中央に、前記第1の溝の幅よりも小さい幅の第2の溝を形成する工程と、前記第1の溝の底部に、前記第2の溝を挟んで、第1の層を形成する工程と、前記第1の層よりもやわらかい第2の層を前記第1の層の上に積層する工程と、前記第2の溝に沿って前記複数の素子を素子毎に分離する工程と、を含む素子の製造方法である。
本発明の素子の製造方法によれば、製造歩留まりの向上を図ることができる。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図27に基づいて説明する。図1には、本発明の一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ500の概略構成が示されている。
このレーザプリンタ500は、光走査装置900、感光体ドラム901、帯電チャージャ902、現像ローラ903、トナーカートリッジ904、クリーニングブレード905、給紙トレイ906、給紙コロ907、レジストローラ対908、転写チャージャ911、除電ユニット914、定着ローラ909、排紙ローラ912、及び排紙トレイ910などを備えている。
なお、ここでは、XYZ3次元直交座標系において、レーザプリンタ500が設置されている設置面に直交する方向をY軸方向、感光体ドラム901の長手方向に沿った方向をX軸方向として説明する。
感光体ドラム901の表面には、感光層が形成されている。ここでは、感光体ドラム901は、図1における矢印方向に回転するようになっている。
帯電チャージャ902、現像ローラ903、転写チャージャ911、除電ユニット914及びクリーニングブレード905は、それぞれ感光体ドラム901の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム901の回転方向に沿って、帯電チャージャ902→現像ローラ903→転写チャージャ911→除電ユニット914→クリーニングブレード905の順に配置されている。
帯電チャージャ902は、感光体ドラム901の表面を均一に帯電させる。
光走査装置900は、帯電チャージャ902で帯電された感光体ドラム901の表面を、上位装置(例えばパソコン)からの画像情報に基づいて変調された光によって走査する。これにより、画像情報に対応した潜像が感光体ドラム901の表面に形成される。すなわち、感光体ドラム901の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム901が像担持体である。ここで形成された潜像は、感光体ドラム901の回転に伴って現像ローラ903の方向に移動する。なお、この光走査装置900の構成については後述する。
ところで、感光体ドラム901において、光によって走査される領域は「走査領域」と呼ばれ、該走査領域のなかで画像情報が書き込まれる領域は、「有効走査領域」、「画像形成領域」、「有効画像領域」などと呼ばれている。また、感光体ドラム901における回転軸に平行な方向は「主走査方向」と呼ばれ、感光体ドラム901の回転方向は「副走査方向」と呼ばれている。
トナーカートリッジ904にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ903に供給される。
現像ローラ903は、感光体ドラム901の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ904から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着された潜像(以下では、便宜上「トナー像」ともいう)は、感光体ドラム901の回転に伴って転写チャージャ911の方向に移動する。
給紙トレイ906には記録紙913が格納されている。この給紙トレイ906の近傍には給紙コロ907が配置されており、該給紙コロ907は、記録紙913を給紙トレイ906から1枚づつ取り出し、レジストローラ対908に搬送する。該レジストローラ対908は、転写チャージャ911の近傍に配置され、給紙コロ907によって取り出された記録紙913を一旦保持するとともに、該記録紙913を感光体ドラム901の回転に合わせて感光体ドラム901と転写チャージャ911との間隙に向けて送り出す。
転写チャージャ911には、感光体ドラム901の表面上のトナーを電気的に記録紙913に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム901の表面のトナー像が記録紙913に転写される。ここで転写された記録紙913は、定着ローラ909に送られる。
この定着ローラ909では、熱と圧力とが記録紙913に加えられ、これによってトナーが記録紙913上に定着される。ここで定着された記録紙913は、排紙ローラ912を介して排紙トレイ910に送られ、排紙トレイ910上に順次積み重ねられる。
除電ユニット914は、感光体ドラム901の表面を除電する。
クリーニングブレード905は、感光体ドラム901の表面に残ったトナー(残留トナー)を除去する。なお、除去された残留トナーは、再度利用されるようになっている。残留トナーが除去された感光体ドラム901の表面は、再度帯電チャージャ902に対向する位置に戻る。
次に、前記光走査装置900の構成について説明する。
光走査装置900は、一例として図2に示されるように、光源2200、カップリングレンズ2201、開口板2202、シリンドリカルレンズ2204、ポリゴンミラー2104、走査光学系2105、2枚の折り返しミラー(2106a、2106b)、及び不図示の走査制御装置などを備えている。
以下では、便宜上、各光学部材において、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
カップリングレンズ2201は、光源2200から射出された光の光路上に配置され、該光を略平行光とする。
開口板2202は、開口部を有し、カップリングレンズ2201を介した光を整形する。
シリンドリカルレンズ2204は、開口板2202の開口部を通過した光を、ポリゴンミラー2104の偏向反射面近傍にY軸方向に関して結像する。
ポリゴンミラー2104は、Y軸方向に平行な回転軸まわりに回転する回転多面鏡であり、ここでは、6つの鏡面を有している。各鏡面が偏向反射面である。ポリゴンミラー2104は、シリンドリカルレンズ2204からの光を偏向する。
ポリゴンミラー2104で偏向されたシリンドリカルレンズ2204からの光は、走査光学系2105、折り返しミラー2106a、折り返しミラー2106bを介して、感光体ドラム901に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー2104の回転に伴って感光体ドラム901の長手方向(主走査方向)に移動する。なお、走査光学系2105は、1つのレンズで構成されていても良いし、複数のレンズで構成されていても良い。
光源2200は、図3(A)及び図3(B)に示されるように、垂直共振器型の面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)100を有している。なお、図3(B)は、図3(A)のA−A断面図である。また、ここでは、レーザ発振方向をz軸方向とし、z軸方向に直交する面内における互いに直交する2つの方向をx軸方向及びy軸方向とする。
面発光レーザ100は、III−V族の化合物半導体により形成され、発振波長が780nm帯の面発光レーザである。この面発光レーザ100は、基板101、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109、保護膜111、上部電極113、下部電極114、電極パッド115、配線部材116、第1の層121、第2の層122などを有している。
基板101は、図4(A)に示されるように、基板表面(主面)の法線方向が、結晶方位[1 0 0]方向に対して、結晶方位[1 1 1]A方向に向かって15度(θ=15度)傾斜したn−GaAs単結晶基板である。すなわち、基板101は、いわゆる傾斜基板である。ここでは、図4(B)に示されるように、結晶方位[0 −1 1]方向が+x方向、結晶方位[0 1 −1]方向が−x方向となるように配置されている。そこで、傾斜基板の傾斜軸は、x軸方向に平行である。なお、−y方向を「傾斜方向」ともいう。
図3(B)に戻り、バッファ層102は、基板101の+z側の面上に積層され、n−GaAsからなる層である。
下部半導体DBR103は、バッファ層102の+z側の面上に積層され、n−Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層と、n−Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを40.5ペア有している。ここでは、ドーパントとして、Se(セレン)が、5×1017cm/cm3〜2×1018cm/cm3の濃度でドープされている。
各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ/4のとき、その層の実際の厚さDは、D=λ/4n(但し、nはその層の媒質の屈折率)である。
下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103の+z側に積層され、ノンドープのAl0.6Ga0.4Asからなる層である。
活性層105は、下部スペーサ層104の+z側に積層され、Al0.12Ga0.88Asからなる量子井戸層と、Al0.3Ga0.7Asからなる障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の活性層である。
上部スペーサ層106は、活性層105の+z側に積層され、ノンドープのAl0.6Ga0.4Asからなる層である。
下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、その厚さが1波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106の+z側に積層され、p−Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とp−Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを24ペア有している。ここでは、ドーパントとして、Zn(亜鉛)が、5×1017cm/cm3〜6×1018cm/cm3の濃度でドープされている。
各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。
上部半導体DBR107における低屈折率層の1つには、p−AlAsからなる被選択酸化層108が厚さ30nmで挿入されている。この被選択酸化層108の挿入位置は、上部スペーサ層106から光学的にλ/4の距離だけ離れた位置であり、低屈折率層中である。
コンタクト層109は、上部半導体DBR107の+z側に積層され、p−GaAsからなる層である。
保護膜111は、SiO2又はSiNからなる膜である。
電極パッド115は、外部から上部電極113に電力を供給するために設けられている。配線部材116は、上部電極113と電極パッド115とを電気的に接続するための部材である。ここでは、電極パッド115及び配線部材116の材料は、上部電極113と同じである。該材料としては、Cr/AuZn/Auからなる金属膜、もしくはTi/Pt/Auからなる金属膜が用いられる。
下部電極114は、基板101の−z側の面に形成される。下部電極114の材料としては、Cr/AuGe/Auからなる金属膜が用いられる。なお、以下では、基板101の−z側の面を、基板101の裏面ともいう。
第1の層121は、面発光レーザ100における外周部であって、基板101の+z側に形成されている。第1の層121の材料は、保護膜111と同じである。
第2の層122は、第1の層121を被覆するように形成されている。ここでは、第2の層122の材料は、上部電極113と同じである。
次に、面発光レーザ100の製造方法について説明する。
(1)有機金属気相成長法(MOCVD法)あるいは分子線エピタキシャル成長法(MBE法)による結晶成長によって、基板101上に、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、被選択酸化層108、コンタクト層109を形成する(図5参照)。なお、このように基板101上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
III族の原料には、トリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルインジウム(TMI)を用い、V族の原料には、フォスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)を用いている。また、p型ドーパントの原料には四臭化炭素(CBr4)、ジメチルジンク(DMZn)を用い、n型ドーパントの原料にはセレン化水素(H2Se)を用いている。
(2)積層体の表面にメサ形状に対応する1辺が20μm〜25μmの正方形状のレジストパターンを形成する(図6参照)。具体的には、コンタクト層109上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、メサ形状に対応したレジストパターンを形成する。ここでは、メサの断面が一辺20μm〜25μmの正方形となるようにした。なお、コンタクト層109上に塗布されるレジストはポジレジストを用い、コンタクト露光により露光を行う。
(3)反応性イオンエッチング(RIE)などのドライエッチングによって、四角柱状のメサを形成する。ここでは、エッチングの底部は下部スペーサ層104中に位置するようにした(図7参照)。なお、ドライエッチングの条件を調整することにより、メサの側面の傾斜角を調整することができる。ここでは、基板101の表面に対し、メサの側面の傾斜角が70°〜80°となるように、ドライエッチングの条件を調整している。この場合は、配線部材116の断線を抑制することができる。
(4)レジストパターンを除去する(図8参照)。
(5)積層体を水蒸気中で熱処理する。ここでは、メサの外周部から被選択酸化層108中のAlが選択的に酸化される。そして、メサの中央部に、Alの酸化層108aによって囲まれた酸化されていない領域108bを残留させる(図9参照)。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、酸化狭窄構造体が作成される。上記酸化されていない領域108bが電流通過領域(電流注入領域)である。ここでは、電流通過領域108bは、一辺の長さが約5μmの略正方形状であった。
(6)積層体の表面における互いに隣接する2つの素子間に第1の溝を形成するためのレジストパターンを形成する(図10参照)。具体的には、フォトレジストの塗布、露光装置による露光、現像により、第1の溝を形成しない領域上にレジストパターンを形成する。
(7)ドライエッチング法により第1の溝を形成する(図11参照)。ここでは、レジストパターンの形成されていない領域における、コンタクト層109、上部半導体DBR107、上部スペーサ層106、活性層105、下部スペーサ層104、下部半導体DBR103、バッファ層102、及び基板101の一部を除去することにより第1の溝を形成する。
(8)レジストパターンを除去する(図12参照)。
(9)プラズマCVD法を用いて、SiNからなる保護膜111を形成する(図13参照)。ここでは、保護膜111の膜厚を150nm〜300nmとしている。
(10)第1の溝の底部中央に第2の溝を形成するためのレジストパターンを形成する(図14参照)。このレジストパターンは、第1の溝の中心部に第2の溝が形成されるようにパターニングされている。第2の溝の幅は、第1の溝の幅よりも小さい。
(11)ドライエッチング法により第2の溝を形成する(図15参照)。なお、第2の溝の深さは、予め設定されている。
(12)レジストパターンを除去する(図16参照)。
(13)メサ上面にコンタクトホールを形成するため、及び第1の溝の底部に第1の層121を形成するためのレジストパターンを作成する(図17参照)。
(14)BHF(バッファード・フッ酸)を用いたウエットエッチングにより、レジストパターンの開口部における保護膜111を除去する(図18参照)。
(15)レジストパターンを除去する(図19参照)。第1の溝の底部に残っている保護膜111が第1の層121となる。すなわち、第1の層121の材料と保護膜111の材料とは同じである。
(16)上部電極113、電極パッド115、配線部材116、及び第2の層122が形成される領域以外の領域をマスクするためのレジストパターンを作成する(図20参照)。
(17)上部電極113、電極パッド115、配線部材116、及び第2の層122の材料を蒸着する。ここでは、Cr(9nm)/AuZn(18nm)/Au(700nm)からなる金属膜をEB(電子ビーム)蒸着により順次積層する。
(18)リフトオフにより、レジストパターンの形成されている領域上の金属膜を除去する。これにより、上部電極113、電極パッド115、配線部材116、及び第2の層122が形成される(図21参照)。ここでは、第2の層122と上部電極113とが同時に形成される。すなわち、第2の層122の材料と上部電極113の材料とは同じである。上部電極113で囲まれた領域が射出領域である。
図21における第2の溝の部分を拡大したものが図22に示されている。第2の溝の側面の一部は、第2の層122で被覆されている。
(19)基板101の厚さが100μm〜300μmとなるまで、基板101の裏側を研磨した後、Cr(9nm)/AuGe(18nm)/Au(250nm)からなる金属膜をEB(電子ビーム)蒸着により順次積層し、下部電極114を形成する(図23参照)。
(20)400℃で5分間アニールし、上部電極113と下部電極114のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。
(21)ダイシングソー等により第2の溝に沿って素子毎に分離する(図24及び図25参照)。
(22)各素子を、それぞれパッケージに実装する。これにより、面発光レーザ100となる。
比較例の面発光レーザが、図26に示されている。この比較例には、第1の層121及び第2の層122は形成されていない。
面発光レーザ100及び比較例の面発光レーザをそれぞれ複数個製造し、チッピング不良の有無、パーティクル付着不良の有無を調査した。その結果が図27に示されている。比較例の面発光レーザでは、チッピング不良発生率が1.00(%)、パーティクル付着不良発生率が6.00(%)であった。一方、上述した製造方法で製造された面発光レーザ100では、チッピング不良発生率が0.01(%)、パーティクル付着不良発生率が0.20(%)であった。
このように、面発光レーザ100では、比較例の面発光レーザに比べて、チッピング不良及びパーティクル付着不良が激減しており、製造歩留まりを飛躍的に向上させることができた。
面発光レーザ100は、第1の溝の底部に第1の層121と第2の層122が積層された段差が形成されている。該段差が形成されている部分は、基板101の裏面までの距離が、該段差が形成されていない部分よりも大きい。そこで、段差が形成されている部分は、段差が形成されていない部分よりも剛性が高い。従って、第2の溝に沿ってブレーキングが行われる際にチッピングが発生しても、段差部分でチッピングが止まり、チッピングが素子本体までは達しない。
また、第2の層122が第1の層121よりもやわらかい材料で形成されているため、スクライブ・ブレーキングの際の衝撃を吸収する効果があり、チッピングの発生を抑制することができる。
また、第2の層122が第1の層121よりもやわらかい材料で形成され、かつ第1の層121が第2の層122で被覆されているため、第1の層121にクラックが入っても、第1の層121からのパーティクルの発生を抑制することができる。
また、第2の溝の側面の一部が第2の層122で被覆されているため、第2の溝からのチッピングの発生を抑制することができる。
また、第2の層122が、やわらかい金属材料で形成されているため、第2の溝にクラックが入っても、パーティクルの発生を抑制することができる。
このように、上記製造方法で製造することにより、損傷が少なく、パーティクルの付着が抑制された高品質、高信頼性の面発光レーザを提供することができる。すなわち、高品質、高信頼性の面発光レーザを高い歩留まりで製造することができる。
以上説明したように、本実施形態に係る面発光レーザの製造方法は、基板101上に、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、被選択酸化層108、コンタクト層109を形成する工程と、発光部となる領域にメサを形成する工程と、第1の溝を形成する工程と、保護膜111を形成する工程と、第1の溝のほぼ中央に予め設定された深さの第2の溝を形成する工程と、第1の溝の底部に第1の層121を形成する工程と、第1の層121を第2の層122で被覆する工程と、第2の溝に沿って素子毎に分離する工程とを含んでいる。
第1の層121と第2の層122は硬さの異なる材料で形成されている。そして、第2の層122は第1の層121よりもやわらかい。
この場合は、基板上に形成された複数の素子をスクライブ・ブレーキングやダイシングなどによって素子毎に分離する際に生じるチッピングが素子本体に達するのを抑制することができる。そのため、チッピングによる素子の損傷が軽減されるとともに、チッピングによるパーティクルの発生を抑制することができる。
そこで、高品質、高信頼性の面発光レーザ100を、高い歩留まりで製造することができる。その結果、高品質、高信頼性の面発光レーザ100を低価格で提供することができる。
また、第2の溝の側面の一部は、第2の層122で被覆されている。これにより、第2の溝からのチッピングの発生を抑制することができる。また、チッピングが発生しても、チッピングによるパーティクルの発生を抑制することができる。
第1の層121は、保護膜111を形成する工程で形成された保護膜111をエッチングして形成される。この場合は、第1の層121を形成するための工程を簡素化することができる。その結果、製造コストの増加を抑制することができる。
第2の層122は上部電極113と同時に形成される。この場合は、第2の層122を形成するための工程を簡素化することができる。その結果、製造コストの増加を抑制することができる。
そして、光走査装置900は、光源2200が面発光レーザ100を有しているため、光走査精度を低下させることなく、低価格化を図ることができる。
また、レーザプリンタ500は、光走査装置900を備えているため、結果として、画像品質を低下させることなく、低価格化を図ることができる。
なお、上記実施形態において、活性層105は、圧縮歪組成であって、バンドギャップ波長が780nmとなる3層のGaInPAs量子井戸層と、該量子井戸層と格子整合する4層の引張り歪みを有するGa0.6In0.4P障壁層とにより形成し、電子を閉じ込めるためのスペーサ層(クラッド層ともいう)として、ワイドバンドギャップ材料である(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pを用いた構成であっても良い。
このような構成とすることにより、キャリアを閉じ込めるためのスペーサ層をAlGaAs系により形成した場合に比べて、スペーサ層と量子井戸層とのバンドギャップ差を極めて大きくすることができ、高い電子の閉じ込め効果を得ることができる。
また、上記実施形態では、第1の層121の材料が、保護膜111の材料と同じである場合について説明したが、これに限定されるものではなく、第1の層121の材料が、保護膜111の材料と異なっていても良い。また、上記実施形態では、第2の層122の材料が、上部電極113の材料と同じである場合について説明したが、これに限定されるものではなく、第2の層122の材料が、上部電極113の材料と異なっていても良い。要するに、第1の層121及び第2の層122が硬さの異なる材料で形成されており、第2の層122が第1の層121よりもやわらかければ良い。
また、上記実施形態において、面発光レーザ100に代えて、面発光レーザ100と同様にして作成され、一例として図28に示されるように、複数の発光部を有する面発光レーザアレイ200が用いられても良い。この面発光レーザアレイ200では、32個の発光部が2次元配列されている。
32個の発光部は、図29に示されるように、全ての発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく(図29では「d1」)なるように配置されている。なお、「発光部間隔」とは2つの発光部の中心間距離をいう。
この場合、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。そこで、1回の走査で、複数の走査線を走査することができる(図30参照)。なお、図30では、走査光学系が2つのレンズ(2105a、2105b)から構成されている。また、折り返しミラーは1枚構成(折り返しミラー2106)となっている。
そして、例えば、上記間隔d1を2.65μm、光走査装置900の光学系の倍率を2倍とすれば、4800dpi(ドット/インチ)の高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、副走査対応方向のピッチd2(図29参照)を狭くして間隔d1を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯のタイミングで容易に制御できる。
また、この場合に、レーザプリンタ500では、書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。
また、上記実施形態では、メサの横断面の外形形状が略正方形の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、メサの横断面の外形形状を、円形、楕円形あるいは長方形など任意の形状とすることができる。
また、上記実施形態では、基板の主面の法線方向が、結晶方位[1 0 0]方向に対して、結晶方位[1 1 1]A方向に向かって傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、主面の法線方向が、結晶方位<1 0 0>の一の方向に対して、結晶方位<1 1 1>の一の方向に向かって傾斜している基板であれば良い。
また、上記実施形態では、発光部の発振波長が780nm帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
また、面発光レーザ100は、画像形成装置以外の用途に用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、650nm帯、850nm帯、980nm帯、1.3μm帯、1.5μm帯等の波長帯であっても良い。
また、上記実施形態における面発光レーザ100の製造方法は、面発光レーザ以外の素子を製造する方法に応用することができる。要するに、基板上に複数の素子を形成した後に、複数の素子を素子毎に分離する製造方法において、上記実施形態と同様にして第1の層と第2の層とを形成することにより、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ500の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、光走査装置900を備えた画像形成装置であれば、結果として、画像品質を低下させることなく、低価格化を図ることができる。
また、多色のカラー画像を形成する画像形成装置であっても、面発光レーザ100を有し、多色のカラー画像に対応した光走査装置を用いることにより、画像品質を低下させることなく、低価格化を図ることができる。
例えば、図31に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるタンデムカラー機であっても良い。このタンデムカラー機は、ブラック(K)用の感光体ドラムK1、帯電器K2、現像器K4、クリーニング手段K5、及び転写用帯電手段K6と、シアン(C)用の感光体ドラムC1、帯電器C2、現像器C4、クリーニング手段C5、及び転写用帯電手段C6と、マゼンタ(M)用の感光体ドラムM1、帯電器M2、現像器M4、クリーニング手段M5、及び転写用帯電手段M6と、イエロー(Y)用の感光体ドラムY1、帯電器Y2、現像器Y4、クリーニング手段Y5、及び転写用帯電手段Y6と、光走査装置900Aと、転写ベルト80と、定着手段30などを備えている。
この場合には、光走査装置900Aは、ブラック用の面発光レーザ100、シアン用の面発光レーザ100、マゼンダ用の面発光レーザ100、イエロー用の面発光レーザ100を有している。そして、ブラック用の面発光レーザ100からの光はブラック用の走査光学系を介して感光体ドラムK1に照射され、シアン用の面発光レーザ100からの光はシアン用の走査光学系を介して感光体ドラムC1に照射され、マゼンダ用の面発光レーザ100からの光はマゼンダ用の走査光学系を介して感光体ドラムM1に照射され、イエロー用の面発光レーザ100からの光はイエロー用の走査光学系を介して感光体ドラムY1に照射されるようになっている。なお、色毎に上述した光走査装置900を備えていても良い。
各感光体ドラムは、図31中の矢印の方向に回転し、周囲にそれぞれ帯電器、現像器、転写用帯電手段、クリーニング手段が配置されている。各帯電器は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。この帯電器によって帯電された感光体ドラム表面に光走査装置900Aにより光が照射され、感光体ドラムに静電潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像器により感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写用帯電手段により、記録紙に各色のトナー像が順次転写され、最終的に定着手段30により記録紙に画像が定着される。
タンデムカラー機では、機械精度等で各色の色ずれが発生する場合があるが、光走査装置900Aが面発光レーザアレイ200を有していると、点灯させる発光部を選択することで各色の色ずれの補正精度を高めることができる。
また、上記実施形態では、トナー画像を記録紙に転写する画像形成装置について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、レーザ光によって発色する媒体(例えば、用紙)に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、入力される電気信号に応じた光信号を生成する光伝送モジュールに好適である。例えば、本発明に係る面発光レーザ素子と、該面発光レーザ素子を、前記入力される電気信号に応じて駆動する駆動装置と、を備える光伝送モジュールが可能である。そして、該光伝送モジュールと、前記光伝送モジュールで生成された光信号を伝達する光伝達媒体と、前記光伝達媒体を介した光信号を電気信号に変換する変換器と、を備える光伝送システムも可能である。
図32には、本発明の一実施形態に係る光伝送システム1000の概略構成が示されている。この光伝送システム1000は、光伝送モジュールとしての光送信モジュール1001と、光受信モジュール1005とが光ファイバケーブル1004で接続されており、光送信モジュール1001から光受信モジュール1005への一方向の光通信が可能となっている。
光送信モジュール1001は、面発光レーザ100又は面発光レーザアレイ200を含む光源1002と、外部から入力された電気信号に応じて、光源1002から出力されるレーザ光の光強度を変調する駆動回路1003とを有している。
光源1002から出力された光信号は、光ファイバケーブル1004に結合し、該光ファイバケーブル1004を導波して光受信モジュール1005に入力される。
光受信モジュール1005は、光信号を電気信号に変換する受光素子1006と、受光素子1006から出力された電気信号に対して信号増幅、及び波形整形等を行う受信回路1007とを有している。
光送信モジュール1001は、光源1002が面発光レーザ100又は面発光レーザアレイ200を含んでいるため、低コスト化を図ることができる。
また、光伝送システム1000は、光送信モジュール1001を備えているため、結果として低コスト化を図ることができる。
なお、ここでは、単チャンネルの一方向通信の構成例を示しているが、双方向通信、並列伝送方式、波長分割多重伝送方式等の構成をとることもできる。要するに、光源1002が面発光レーザ100又は面発光レーザアレイ200を含んでいれば良い。
100…面発光レーザ(面発光レーザ素子)、101…基板、103…下部半導体DBR、104…下部スペーサ層、105…活性層、106…上部スペーサ層、107…上部半導体DBR、111…保護膜、113…上部電極、114…下部電極、115…電極パッド、116…配線部材、121…第1の層、122…第2の層、200…面発光レーザアレイ(面発光レーザ素子)、500…レーザープリンタ(画像形成装置)、900…光走査装置、901…感光体ドラム(像担持体)、903…現像ローラ、911…転写チャージャ、1000…光伝送システム、1001…光送信モジュール(光伝送モジュール)、1003…駆動回路(駆動装置)、1004…光ファイバケーブル(光伝達媒体)、1006…受光素子(変換器の一部)、1007…受信回路(変換器の一部)、2104…ポリゴンミラー、2105…走査光学系、2200…光源。
Claims (10)
- 基板上に複数の素子を形成した後、素子毎に分離する素子の製造方法において、
分離用の第1の溝を形成する工程と、
前記第1の溝の底部の中央に、前記第1の溝の幅よりも小さい幅の第2の溝を形成する工程と、
前記第1の溝の底部に、前記第2の溝を挟んで、第1の層を形成する工程と、
前記第1の層よりもやわらかい第2の層を前記第1の層の上に積層する工程と、
前記第2の溝に沿って前記複数の素子を素子毎に分離する工程と、を含む素子の製造方法。 - 前記積層する工程では、前記第2の層は、前記第1の層を被覆することを特徴とする請求項1に記載の素子の製造方法。
- 前記積層する工程では、前記第2の層は、前記第2の溝の側面を被覆することを特徴とする請求項1又は2に記載の素子の製造方法。
- 前記素子は、少なくとも1つの発光部を有する面発光レーザ素子であって、
前記第1の溝を形成する工程に先だつ、前記基板上に複数の半導体層を形成する工程、及び前記複数の半導体層の一部をエッチングしメサ構造を形成する工程を有し、
前記第1の溝を形成する工程では、前記複数の半導体層をエッチングして前記第1の溝を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の素子の製造方法。 - 前記第1の溝を形成する工程に続く、保護膜を形成する工程を有し、
前記第1の層を形成する工程では、前記保護膜を形成する工程で形成された保護膜をエッチングして前記第1の層を形成することを特徴とする請求項4に記載の素子の製造方法。 - 前記第1の層を形成する工程では、同時に、前記メサ構造の上部に電極を形成することを特徴とする請求項5に記載の素子の製造方法。
- 基板上に形成された少なくとも1つの発光部を有する面発光レーザ素子において、
前記少なくとも1つの発光部の周辺領域の前記基板上に形成された第1の層と、
前記第1の層の上に積層され、前記第1の層よりもやわらかい第2の層とを備える面発光レーザ素子。 - 前記第1の層は、前記第2の層で被覆されていることを特徴とする請求項7に記載の面発光レーザ素子。
- 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項7又は8に記載の面発光レーザ素子を有する光源と、
前記光源からの光を偏向する光偏向器と、
前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に導光する走査光学系と、を備える光走査装置。 - 像担持体と、
前記像担持体を画像情報に応じて変調された光によって走査する請求項9に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。
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