JP2008300470A - 半導体レーザ製造方法、面発光型半導体レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アルミニウムの組成が互いに異なるAlGaAsからなる高屈折率層7bと低屈折率層7aを組として複数の組からなる上部反射鏡7を含む複数の半導体層が積層された半導体積層体が表面からエッチングされ、メサ形状の構造体が形成される。そして、この構造体は酸化され、電流狭窄層10が形成される。さらに、構造体の側壁の酸化膜がエッチングされた後、構造体の側壁で突出している高屈折率層7bがエッチングされる。これにより、各屈折率層の酸化膜を除去するとともに構造体の側壁を略平坦とすることができる。
【選択図】図6
Description
以下、本発明の半導体レーザ製造方法の一実施形態として、780nm帯の面発光型半導体レーザ素子の製造方法について図1(A)〜図11を用いて説明する。
次に、本発明の画像形成装置の一実施形態を図12に基づいて説明する。図12には、本発明の一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ1000の概略構成が示されている。
Claims (9)
- 電流供給領域が酸化物によって囲まれている電流狭窄層を有する面発光型半導体レーザ素子を製造する半導体レーザ製造方法であって、
アルミニウムの組成が互いに異なるAlGaAsからなる高屈折率層と低屈折率層を組として複数の組からなる半導体多層膜反射鏡を含む複数の半導体層が積層された積層体を該積層体の表面からエッチングし、メサ形状の構造体を形成する工程と;
前記構造体を酸化し、前記電流狭窄層を形成する工程と;
前記構造体の側壁の酸化膜をエッチングする工程と;
前記構造体の側壁で突出している前記高屈折率層をエッチングする工程と;を含む半導体レーザ製造方法。 - 前記メサ形状の構造体を形成する工程では、複数の構造体を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ製造方法。
- 電流供給領域が酸化物によって囲まれている電流狭窄層、及びアルミニウムの組成が互いに異なるAlGaAsからなる高屈折率層と低屈折率層を組として複数の組からなる半導体多層膜反射鏡を含む複数の半導体層が積層されたメサ形状の発光部を有する面発光型半導体レーザ素子において、
前記電流狭窄層の外周部は、積層方向に平行な断面形状が、内側に向かって凸形状であることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。 - 前記半導体多層膜反射鏡の外周部は酸化されていないことを特徴とする請求項3に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 前記メサ形状の側壁における前記高屈折率層と前記低屈折率層の段差が、前記高屈折率層の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項3又は4に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 前記発光部を複数有することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項3〜6のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザ素子を有する光源ユニットと;
前記光源ユニットからの光を偏向する偏向器と;
前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。 - 少なくとも1つの像担持体と;
前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報が含まれる光を走査する少なくとも1つの請求項7に記載の光走査装置と;を備える画像形成装置。 - 前記画像情報は、カラー画像情報であることを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。
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