JP2003298193A - 発光装置およびそれを用いた光装置並びに発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置およびそれを用いた光装置並びに発光装置の製造方法

Info

Publication number
JP2003298193A
JP2003298193A JP2003127745A JP2003127745A JP2003298193A JP 2003298193 A JP2003298193 A JP 2003298193A JP 2003127745 A JP2003127745 A JP 2003127745A JP 2003127745 A JP2003127745 A JP 2003127745A JP 2003298193 A JP2003298193 A JP 2003298193A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
substrate
emitting device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003127745A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3928583B2 (ja
Inventor
Masao Ikeda
昌夫 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2003127745A priority Critical patent/JP3928583B2/ja
Publication of JP2003298193A publication Critical patent/JP2003298193A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3928583B2 publication Critical patent/JP3928583B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 容易に製造することができると共に、光の出
射位置を精度よく制御することができる発光装置および
それを用いた光装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性の支持基体17の一面側に、第1
の発光素子90および第2の発光素子30が形成されて
いる。第1の発光素子90は、サファイアよりなる第1
の基板91の支持基体17側に活性層23を有してい
る。第2の発光素子30は、GaAsよりなる第2の基
板31の支持基体11側にレーザ発振部40,50を備
えている。可視領域において透明である材料により第1
の基板91が構成されているので、リソグラフィ技術を
用いて第1の発光素子20の発光領域および第2の発光
素子30の発光領域の位置を精確に制御することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の発光素子を
備えた発光装置およびそれを用いた光装置並び発光装置
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、発光装置の分野においては、同一
基板(または基体)上に発光波長が異なる複数の発光部
が形成されてなる半導体レーザ(LD;laser diode )
(以下、多波長レーザという。)が活発に開発されてい
る。このような多波長レーザの一例としては、例えば図
16に示したように、1チップ内に発光波長が異なる複
数の発光部を作り込んだもの(いわゆる、モノリシック
型の多波長レーザ)がある。この多波長レーザは、例え
ば、気相成長法を用いてAlGaAs系の半導体材料を
成長させることにより形成されたレーザ発振部201
と、AlGaInP系の半導体材料を成長させることに
より形成されたレーザ発振部202とが、分離溝211
を介してGaAs(ガリウムヒ素)よりなる基板212
の一面側に並列配置されたものである。この場合、レー
ザ発振部201の発振波長は700nm帯(例えば、7
80nm)であり、レーザ発振部202の発振波長は6
00nm帯(例えば、650nm)である。
【0003】また、図16に示した構造のもの以外に
も、図17に示したように、配設用の基体221の上
に、発光波長が異なる複数の半導体レーザLD1 ,LD
2 が並列に実装されたもの(いわゆる、ハイブリッド型
の多波長レーザ)も提案されている。しかし、上述した
いわゆるモノリシック型のものの方が、発光点間隔を高
精度に制御することができる点で有効である。
【0004】これらの多波長レーザは、例えば光ディス
ク装置のレーザ光源として用いられる。現在、一般に光
ディスク装置では、700nm帯の半導体レーザ光がC
D(Compact Disk)の再生に用いられると共に、CD−
R(CD recordable ),CD−RW(CD Rewritable )
あるいはMD(Mini Disk )などの記録可能な光ディス
クの記録・再生に用いられている。また、600nm帯
の半導体レーザ光がDVD(Digital Versatile Disk)
の記録・再生に用いられている。従って、上述したよう
な多波長レーザを光ディスク装置に搭載することによ
り、既存の複数種類の光ディスクのいずれに関しても、
記録または再生が可能となる。しかも、各レーザ発振部
201,202は、同一基板上(いわゆるハイブリッド
型の各半導体レーザLD1 ,LD2 においては同一の配
設用基体上)に並列に配置されているので、レーザ光源
用のパッケージが1つで済み、種々の光ディスクを記録
・再生するための対物レンズやビームスプリッタなどの
光学系の部品点数を減らして光学系の構成を簡素化し、
光ディスク装置の小型化および低コスト化を実現するこ
とができる。
【0005】ところで、近年、更に短波長の光を発する
半導体レーザを用いて更に光ディスクの高密度化を図る
ことが要請されている。このような要請に応える半導体
レーザの構成材料としては、GaN,AlGaN混晶お
よびGaInN混晶に代表される窒化物系III−V族
化合物半導体(以下、GaN系の半導体ともいう。)が
知られている。このGaN系の半導体を用いた半導体レ
ーザは、既存の光学系を使用して記録・再生が可能な光
ディスクの限界波長とされている400nm前後の発振
波長が得られることから、次世代の光ディスク用の記録
・再生装置の光源として大いに注目されている。また、
RGB三原色を用いたフルカラーのディスプレイの光源
としても期待されている。そこで、GaN系のレーザ発
振部を備えた多波長レーザの開発が望まれている。
【0006】従来、GaN系のレーザ発振部を有する多
波長レーザとしては、例えば図18に示したように、A
lGaAs系のレーザ発振部201,AlGaInP系
のレーザ発振部202およびGaN系のレーザ発振部2
03を、分離溝211a,211bを介してSiC(炭
化ケイ素)基板231の一面側の並列に作り込んだ多波
長レーザが提案されている(特開平11−186651
号公報参照)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いわゆ
るモノリシック型の多波長レーザを作製する場合には、
GaN系の材料とAlGaAs系あるいはAlGaIn
P系の材料とでは格子定数が大きく異なるため等の理由
により、同一基板上に1チップで集積することが困難で
あるという問題があった。
【0008】また、いわゆるハイブリッド型の多波長レ
ーザでは、既に述べたように、発光点間隔の制御性に劣
るという問題があるため、3つ以上の半導体レーザを配
設用の基体上に並列配置すると、より発光点間隔の制御
性に劣ってしまうという不具合が生じてしまう。
【0009】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第1の目的は、容易に製造することができる
と共に、光の出射位置を精度よく制御することができる
発光装置およびそれを用いた光装置並びに発光装置の製
造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による発光装置
は、絶縁性の支持基体と、この支持基体の一面側に設け
られ、絶縁性かつ可視領域において透明の第1の基板を
有する第1の発光素子と、この第1の発光素子の前記支
持基板と反対側に設けられ、第2の基板を有する第2の
発光素子とを備えた構成を有している。
【0011】第1の基板は、具体的には、例えばサファ
イア(Al2 3 )基板である。
【0012】また、絶縁性の支持基体は、例えば、高い
熱伝導率を有する例えば窒化アルミニウム(AlN)に
より構成することができる。
【0013】本発明による光装置は、発光装置を有し、
この発光装置が、絶縁性の支持基体と、この支持基体の
一面側に設けられ、絶縁性かつ可視領域において透明の
第1の基板を有する第1の発光素子と、この第1の発光
素子の前記支持基板と反対側に設けられ、第2の基板を
有する第2の発光素子とを備えた構成を有している。
【0014】また、本発明による発光装置の製造方法
は、絶縁性かつ可視領域において透明の第1の基板の表
面に第1の発光素子を形成したのち、第1の基板の裏面
に第1の配線を形成する工程と、第2の配線が形成され
た絶縁性の支持基体の上に、第1の基板に形成された発
光素子を第2の配線に電気的に接続されるようにして接
着する工程と、第1の基板の第1の配線に電気的に接続
されるよう第2の基板を有する第2の発光素子を接着す
る工程とを含むものである。
【0015】本発明による発光装置およびその製造方法
では、第1の基板が絶縁性かつ可視領域において透明で
あり、この第1の基板の表面に第1の発光素子が形成さ
れているので、組立工程において第1の発光素子の発光
領域および第2の発光素子の発光領域の位置が精確に制
御される。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【0017】〔第1の実施の形態〕図1は、本発明の第
1の実施の形態に係る発光装置10Aの断面構造を表す
ものである。この発光装置10Aは、支持基体11と、
支持基体11の一面側に配設された第1の発光素子20
と、第1の発光素子20の支持基体11と反対側に配設
された第2の発光素子30とを備えている。
【0018】支持基体11は、例えば銅(Cu)などの
金属により構成されており、第1の発光素子20および
第2の発光素子30において発生した熱を放散するヒー
トシンクの役割を有している。この支持基体11は、ま
た、図示しない外部電源に対して電気的に接続されてお
り、第1の発光素子20を外部電源に対して電気的に接
続する役割も有している。
【0019】第1の発光素子20は、例えば、400n
m前後の波長の光を出射可能な半導体レーザである。こ
の第1の発光素子20は、例えば窒化物系III−V族
化合物半導体よりなる第1の基板21の支持基体11側
に、例えば窒化物系III−V族化合物半導体よりなる
n型クラッド層22,活性層23,劣化防止層24,p
型クラッド層25およびp側コンタクト層26が第1の
基板21の側からこの順に積層された構成を有してい
る。ここにおいて、窒化物系III−V族化合物半導体
とは、短周期型周期率表における3B族元素群のうちの
少なくとも1種と、短周期型周期率表における5B族元
素のうちの少なくとも窒素(N)とを含むもののことを
指す。
【0020】具体的には、第1の基板21は、例えば、
n型不純物としてケイ素(Si)が添加されたn型Ga
Nにより構成されており、その積層方向における厚さ
(以下、単に厚さという。)は例えば80〜100μm
である。なお、GaNは、可視領域(380〜800n
m程度)において透明の材料である。また、GaNは、
約1.3W/(cm・K)と高い熱伝導率を有する熱伝
導性に優れた材料であり、第1の基板21はこの特性を
利用することにより、第2の発光素子30において発生
した熱を放散するヒートシンクとして機能するようにな
っている。
【0021】n型クラッド層22は、例えば、厚さが1
μmであり、n型不純物としてケイ素が添加されたn型
AlGaN(例えば、Al0.08Ga0.92N)混晶により
構成されている。活性層23は、例えば、厚さが30n
mであり、組成の異なるGa x In1-x N(但し、x≧
0)混晶によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層と
の多重量子井戸構造を有している。なお、この活性層2
3は発光部として機能するものである。
【0022】劣化防止層24は、例えば、厚さが20n
mであり、p型不純物としてマグネシウム(Mg)が添
加されたp型AlGaN(例えば、Al0.2 Ga
0.8 N)混晶により構成されている。p型クラッド層2
5は、例えば、厚さが0.7μmであり、p型不純物と
してマグネシウムが添加されたp型AlGaN(例え
ば、Al0.08Ga0.92N)混晶により構成されている。
p側コンタクト層26は、例えば、厚さが0.1μmで
あり、p型不純物としてマグネシウムが添加されたp型
GaNにより構成されている。
【0023】p型クラッド層25の一部およびp側コン
タクト層26は、共振器方向(図1においては紙面に対
して垂直な方向)に延長された細い帯状に形成されてお
り、いわゆるレーザストライプを構成することにより電
流狭窄を行うようになっている。このp側コンタクト層
26は、例えば共振器方向に対して垂直な方向(図1に
示した矢印Aの方向)の中央部に設けられており、p側
コンタクト層26の側面およびp型クラッド層25の劣
化防止層24と反対側の面は二酸化ケイ素(SiO2
などよりなる絶縁層27により覆われている。ちなみ
に、このp側コンタクト層26に対応する活性層23の
領域が発光領域となっている。
【0024】p側コンタクト層26のp型クラッド層2
5と反対側には、p側電極28が形成されている。この
p側電極28は、例えば、p側コンタクト層26の側か
らパラジウム(Pd),白金(Pt)および金(Au)
を順次積層したものであり、p側コンタクト層26と電
気的に接続されている。このp側電極28は、また、接
着層12を介して支持基体11と電気的に接続されてい
る。接着層12は、例えば、金(Au)とスズ(Sn)
との合金あるいはスズにより構成されている。
【0025】また、第1の基板21の支持基体11と反
対側には、n側電極29が後述するレーザ発振部50に
対応して設けられている。n側電極29は、例えば、第
1の基板21の側から、チタン(Ti)およびアルミニ
ウムを順次積層して熱処理によりを合金化したものであ
り、第1の基板21と電気的に接続されている。このn
側電極29は、また、レーザ発振部50を外部電源に対
して接続する配線としての機能も兼ね備えている。第1
の基板21の支持基体11と反対側には、また、第2の
発光素子30の後述するレーザ発振部40に対して電気
的に接続するための配線13が絶縁膜14を介して形成
されている。配線13は、例えば金属により構成されて
いる。
【0026】更に、第1の発光素子20は共振器方向の
端部に位置する一対の側面が共振器端面となっており、
この一対の共振器端面には図示しない一対の反射鏡膜が
それぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜のう
ち、一方は活性層23において発生した光を高い反射率
で反射するように設定され、他の一方はこれよりも低い
反射率で反射するように設定されており、他の一方の側
から光が出射するようになっている。
【0027】第2の発光素子30は、例えば、第2の基
板31と、第2の基板31の支持基体11側にバッファ
層32を介して形成された700nm帯(例えば780
nm)の光を出射可能なレーザ発振部40と、第2の基
板31の支持基体11側にバッファ層32を介して形成
された600nm帯(例えば650nm)の光を出射可
能なレーザ発振部50とを有している。第2の基板31
は、例えば、厚さが100μm程度であり、n型不純物
としてケイ素が添加されたn型GaAsにより構成され
ている。バッファ層32は、例えば、厚さが0.5μm
であり、n型不純物としてケイ素が添加されたn型Ga
Asにより構成されている。レーザ発振部40およびレ
ーザ発振部50は、例えば200μm程度以下の間を隔
て、共振器方向を第1の発光素子20と揃えてそれらの
間に第1の発光素子20のp側コンタクト層26が対応
して位置するように配置されている。具体的には、レー
ザ発振部40の後述する発光領域とレーザ発振部50の
後述する発光領域との間隔は約120μmとなってお
り、ちょうどその真ん中に第1の発光素子20の発光領
域が対応して位置している。
【0028】レーザ発振部40は、例えば、短周期型周
期表における3B族元素のうちの少なくともガリウム
(Ga)と短周期型周期表における5B族元素のうちの
少なくともヒ素(As)とを含むIII−V族化合物半
導体よりそれぞれなるn型クラッド層41,活性層4
2,p型クラッド層43およびp型キャップ層44が第
2の基板31の側からこの順に積層された構成を有して
いる。
【0029】具体的には、n型クラッド層41は、例え
ば、厚さが1.5μmであり、n型不純物としてケイ素
が添加されたn型AlGaAs混晶により構成されてい
る。活性層42は、例えば、厚さが40nmであり、組
成の異なるAlx Ga1-x As(但し、x≧0)混晶に
よりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子
井戸構造を有している。なお、この活性層42は、発光
部として機能するものであり、その発光波長は例えば7
00nm帯である。p型クラッド層43は、例えば、厚
さが1.5μmであり、p型不純物として亜鉛が添加さ
れたp型AlGaAs混晶により構成されている。p型
キャップ層44は、例えば、厚さが0.5μmであり、
p型不純物として亜鉛が添加されたp型GaAsにより
構成されている。
【0030】なお、p型クラッド層43の一部およびp
型キャップ層44は、共振器方向に延長された細い帯状
となっており、電流狭窄をするようになっている。この
帯状部分の両側には、電流ブロック領域45がそれぞれ
設けられている。ちなみに、このp側キャップ層44に
対応する活性層42の領域が発光領域となっている。
【0031】p型キャップ層44のp型クラッド層43
と反対側には、p側電極46が形成されている。このp
側電極46は、例えば、p型キャップ層44の側からチ
タン,白金および金を順次積層して熱処理により合金化
したものであり、p型キャップ層44と電気的に接続さ
れている。このp側電極46は、また、接着層15を介
して配線13と電気的に接続されている。接着層15
は、例えば接着層12と同様の材料により構成されてい
る。
【0032】レーザ発振部50は、例えば、バッファ層
51を介して、n型クラッド層52,活性層53,p型
クラッド層54およびp型キャップ層55が第2の基板
31の側からこの順に積層された構成を有している。こ
れらの各層は、例えば、短周期型周期表における3B族
元素のうちの少なくともインジウム(In)と短周期型
周期表における5B族元素のうちの少なくともリン
(P)とを含むIII−V族化合物半導体によりそれぞ
れ構成されている。
【0033】具体的には、バッファ層51は、例えば、
厚さが0.5μmであり、n型不純物としてケイ素が添
加されたn型InGaP混晶により構成されている。n
型クラッド層52は、例えば、厚さが1.5μmであ
り、n型不純物としてケイ素が添加されたn型AlGa
InP混晶により構成されている。活性層53は、例え
ば、例えば、厚さが35nmであり、組成の異なるAl
x Gay In1-x-y P(但し、x≧0かつy≧0)混晶
によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量
子井戸構造を有している。なお、この活性層53は、発
光部として機能するものである。p型クラッド層54
は、例えば、厚さが1.0μmであり、p型不純物とし
て亜鉛が添加されたp型AlGaInP混晶により構成
されている。p型キャップ層55は、例えば、厚さが
0.5μmであり、p型不純物として亜鉛が添加された
p型GaAsにより構成されている。
【0034】なお、p型クラッド層54の一部およびp
型キャップ層55は、細い帯状に形成となっており、共
振器方向に延長された電流狭窄をするようになってい
る。この帯状部分の両側には電流ブロック領域56がそ
れぞれ設けられている。ちなみに、このp側キャップ層
55に対応する活性層53の領域が発光領域となってい
る。
【0035】p型キャップ層55のp型クラッド層54
と反対側には、p型キャップ層55と電気的に接続さ
れ、例えばp側電極46と同様の構成を有するp側電極
57が設けられている。このp側電極57は、また、接
着層15と同様の材料により構成された接着層16を介
して第1の発光素子20のn側電極29と電気的に接続
されている。
【0036】また、第2の基板31の支持基体11と反
対側には、レーザ発振部40,50のn側電極33が形
成されている。このn側電極33は、例えば、第2の基
板31の側から金とゲルマニウム(Ge)との合金,ニ
ッケルおよび金を順次積層して熱処理により合金化した
ものである。
【0037】更に、第2の発光素子30は、共振器方向
の端部に位置する一対の側面がそれぞれ共振器端面とな
っており、各レーザ発振部40,50それぞれにおいて
この一対の共振器端面に図示しない一対の反射鏡膜がそ
れぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜では、反
射率の高低が第1の発光素子20に設けられた図示しな
い一対の反射鏡膜と対応するようにそれぞれ設定されて
おり、第1の発光素子20および第2の発光素子30の
レーザ発振部40,50は、それぞれ同一の側から光が
出射するようになっている。
【0038】このような構成を有する発光装置10A
は、例えば図2に示したように、パッケージ1の内部に
収納されて用いられる。このパッケージ1は、例えば、
円板状の支持体2と、この支持体2の一面側に設けられ
た蓋体3とを備えている。蓋体3の内部には、支持体2
により支持基体11が支持されて発光装置10Aが収納
されており、発光装置10Aから出射された光は、蓋体
3の取り出し窓3aから取り出されるようになってい
る。
【0039】また、このパッケージ1には、導電性を有
する複数のピン4a〜4dが設けられており、ピン4a
は支持基体11に対して電気的に接続されている。他の
ピン4b〜4dは、例えば絶縁リング5b〜5dを介し
て支持体2を貫通し、蓋体3の内部から外部に向かって
設けられている。ピン4bにはワイヤ6bを介して配線
13が電気的に接続され、ピン4cにはワイヤ6cを介
してn側電極29が電気的に接続され、ピン4dにはワ
イヤ6dを介してn側電極33が電気的に接続されてい
る。なお、ここでは、4本のピン4a〜4dを備えたパ
ッケージ1を例に挙げて説明したが、ピンの数は適宜に
設定することができる。例えば、配線13と支持基体1
1とをワイヤで接続するようにすれば、ピン4bが不要
となり、ピンを3本にすることができる。
【0040】このような発光装置10Aは次のようにし
て製造することができる。図3〜図5は、発光装置10
Aの製造方法の各製造工程をそれぞれ表すものである。
【0041】まず、図3(A)に示したように、例え
ば、厚さ400μm程度のn型GaNよりなる第1の基
板21を用意し、この第1の基板21の表面に、MOC
VD法により、n型AlGaN混晶よりなるn型クラッ
ド層22,InGaN混晶よりなる活性層23,p型A
lGaN混晶よりなる劣化防止層24,p型AlGaN
混晶よりなるp型クラッド層25およびp型GaNより
なるp側コンタクト層26を順次成長させる。なお、こ
れらの各層を成長させる際には、第1の基板21の温度
を例えば750℃〜1100℃にそれぞれ調節する。
【0042】次いで、図3(B)に示したように、p側
コンタクト層26の上に図示しないマスクを形成し、p
側コンタクト層26およびp型クラッド層25の上層部
を選択的にエッチングしてこれらを細い帯状とし、p型
クラッド層25を表面に露出させる。続いて、p側コン
タクト層26上の図示しないマスクを利用して、p型ク
ラッド層25の表面およびp側コンタクト層26の側面
を覆うように絶縁層27を形成する。
【0043】絶縁層27を形成したのち、p側コンタク
ト層26の表面およびその近傍に、例えば、パラジウ
ム,白金および金を順次蒸着し、p側電極28を形成す
る。更に、後述する工程において第1の基板21の劈開
を容易に行うために、第1の基板21の裏面側を例えば
ラッピングおよびポリッシングして第1の基板21の厚
さを例えば100μm程度とする。
【0044】続いて、第1の基板21の裏面側に、レー
ザ発振部40の配設位置に対応して絶縁膜14を形成
し、その上に配線13を形成する。また、レーザ発振部
50の配設位置に対応して、例えばチタンおよびアルミ
ニウムを順次蒸着し、n側電極29を形成する。具体的
には、配線13およびn側電極29を、p側コンタクト
層26を中心として60μm程度それぞれ離間した位置
に形成する。その際、本実施の形態では、第1の基板2
1を可視領域において透明なGaNにより構成すると共
に、第1の基板21上に同じく可視領域において透明な
窒化物系III−V族化合物半導体よりなる各層を積層
しているので、第1の基板21側からp側電極28の位
置を観察することができ、リソグラフィにおける位置合
わせを高精度に行うことができるようになっている。す
なわち、配線13およびn側電極29の形成位置を精確
に制御できるようになっている。なお、ここでは、第1
の基板21を構成するGaNの硬度が高いので、第1の
基板21の厚さが100μm程度であっても、リソグラ
フィ工程において第1の基板21が割れてしまう等のお
それがない。
【0045】配線13およびn側電極29を形成したの
ち、加熱処理を行い、n側電極29を合金化する。その
のち、ここでは図示しないが、第1の基板21を例えば
p側電極28の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開
し、その劈開面に一対の反射鏡膜を形成する。これによ
り、第1の発光素子20が作製される。
【0046】また一方、図4(A)に示したように、例
えば、厚さ350μm程度のn型GaAsよりなる第2
の基板31を用意し、この第2の基板31の表面にMO
CVD法により、n型GaAsよりなるバッファ層3
2,n型AlGaAs混晶よりなるn型クラッド層4
1,Alx Ga1-x As(但し、x≧0)混晶よりなる
活性層42,p型AlGaAs混晶よりなるp型クラッ
ド層43およびp型GaAsよりなるp型キャップ層4
4を順次成長させる。なお、これらの各層を成長させる
際には、第2の基板31の温度を例えば750℃〜80
0℃にそれぞれ調節する。
【0047】次いで、図4(B)に示したように、p型
キャップ層44の上にレーザ発振部40の形成予定領域
に対応してレジスト膜R1 を形成する。そののち、この
レジスト膜R1 をマスクとして、例えば、硫酸系のエッ
チング液を用いてp型キャップ層44を選択的に除去
し、フッ酸系のエッチング液を用いてp型クラッド層4
3,活性層42およびn型クラッド層41のレジスト膜
1 に覆われていない部分をそれぞれ選択的に除去す
る。そののち、レジスト膜R1 を除去する。
【0048】続いて、図5(A)に示したように、例え
ばMOCVD法により、n型InGaP混晶よりなるバ
ッファ層51,n型AlGaInP混晶よりなるn型ク
ラッド層52,Alx Gay In1-x-y P(但し、x≧
0かつy≧0)混晶よりなる活性層53,p型AlGa
InP混晶よりなるp型クラッド層54およびp型Ga
Asよりなるp型キャップ層55を順次成長させる。な
お、これらの各層を成長させる際には、第2の基板31
の温度を例えば680℃程度にそれぞれ調節する。
【0049】そののち、図5(B)に示したように、p
型キャップ層55の上にレーザ発振部50の形成予定領
域に対応してレジスト膜R2 を形成する。続いて、この
レジスト膜R2 をマスクとして、例えば、硫酸系のエッ
チング液を用いてp型キャップ層55を選択的に除去
し、リン酸系および塩酸系のエッチング液を用いてp型
クラッド層54,活性層53およびn型クラッド層52
をそれぞれ選択的に除去し、塩酸系のエッチング液を用
いてバッファ層51を選択的に除去する。そののち、レ
ジスト膜R2 を除去する。
【0050】レジスト膜R2 を除去したのち、図6
(A)に示したように、例えば、p型キャップ層44,
55の上に図示しない細い帯状のマスクを形成し、p型
キャップ層44,55およびp型クラッド層43,54
の上層部にイオン注入法によりケイ素などのn型不純物
を導入する。これにより、不純物が導入された領域は絶
縁化され、電流ブロック領域45,56となる。なお、
ここでは、リソグラフィ技術を用いてp型キャップ層4
4,55の位置を規定するようにしているので、それら
の位置を精確に制御できるようになっている。
【0051】電流ブロック領域45,56を形成したの
ち、図6(B)に示したように、p型キャップ層44,
55の表面およびその近傍に、例えば、ニッケル,白金
および金を順次蒸着し、p側電極46,57をそれぞれ
形成する。更に、第2の基板31の裏面側を例えばラッ
ピングおよびポリッシングすることにより、第2の基板
31の厚さを例えば100μm程度とする。続いて、こ
の第2の基板31の裏面側に、例えば、金とゲルマニウ
ムとの合金,ニッケルおよび金を順次蒸着し、各レーザ
発振部40,50に共通のn側電極33を形成する。そ
ののち、加熱処理を行い、p側電極46,57およびn
側電極33をそれぞれ合金化する。更に、ここでは図示
しないが、第2の基板31を例えばp側電極46,57
の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開し、その劈開
面に一対の反射鏡膜を形成する。これにより、第2の発
光素子30が作製される。
【0052】このようにして第1の発光素子20および
第2の発光素子30をそれぞれ作製したのち、支持基体
11を用意し、例えば接着層12により第1の発光素子
20の絶縁層27およびp側電極28と支持基体11と
を接着する。また、例えば接着層15により第2の発光
素子30のp側電極46と配線13とを接着すると共
に、例えば接着層16により第2の発光素子30のp側
電極57と第1の発光素子20のp側電極29とを接着
する。これにより、図1に示した発光装置10Aが完成
する。
【0053】なお、ここでは、高精度のリソグラフィ技
術を用いて位置精度よく形成された配線13およびn側
電極29と、同じく高精度のリソグラフィ技術を用いて
位置精度よく形成されたp型キャップ層44,55とを
対応させて、第1の発光素子20に第2の発光素子30
を配設するので、それらの発光領域の位置も精確に制御
される。
【0054】ちなみに、支持基体11と第1の発光素子
20、および第1の発光素子20と第2の発光素子30
とを同時に接着する場合には、接着層12,14a,1
4bを同一の材料により形成することが好ましい。ま
た、個別に接着する場合には、先に接着する接着層を、
後に接着する接着層の形成材料よりも融点の高い材料に
より形成することが好ましい。具体的には、例えば、先
に接着する接着層を金とスズとの合金により形成し、後
に接着する接着層をスズにより形成する。これにより、
必要以上に加熱しなくても両方において良好に接着させ
ることができるからである。
【0055】この発光装置10Aは、図2に示したよう
なパッケージ1に収納され、次のように動作する。
【0056】この発光装置10Aでは、パッケージ1の
ピン4cおよびピン4aを介して第1の発光素子20の
n側電極29とp側電極28との間に電圧が印加される
と、活性層23に電流が注入され、電子−正孔再結合に
より発光が起こり、第1の発光素子20から400nm
前後の波長の光が出射される。また、ピン4dおよびピ
ン4bを介して第2の発光素子30のn側電極33とp
側電極46との間に所定の電圧が印加されると、活性層
42に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が
起こり、レーザ発振部40から700nm帯の波長の光
が出射される。更に、ピン4dおよびピン4cを介して
第2の発光素子30のn側電極33とp側電極57との
間に所定の電圧が印加されると、活性層53に電流が注
入され、電子−正孔再結合により発光が起こり、レーザ
発振部50から600nm帯の波長の光が出射される。
これらの光は、パッケージ1の取り出し窓3aを介して
パッケージ1の外部に取り出される。
【0057】なお、発光の際には熱も発生するが、ここ
では第1の基板21が比較的熱伝導率の高い材料により
構成されているので、レーザ発振部40またはレーザ発
振部50において発生した熱は、第1の基板21および
支持基体11を介して速やかに放散される。また、第1
の発光素子20において発生した熱は、支持基体11を
介して速やかに放散される。
【0058】このように本実施の形態に係る発光装置1
0Aによれば、第1の発光素子20と第2の発光素子3
0とを積層するようにしたので、窒化物系III−V族
化合物半導体層とAlGaAs系およびAlGaInP
系のIII−V族化合物半導体層とを同一基板上に成長
させる必要がなく、容易に400nm前後の発光波長を
有する多波長レーザを得ることができる。よって、この
発光装置10Aを用いれば、例えば複数種類の光源によ
り光ディスクの種類を問わず記録・再生が可能な光ディ
スク装置を容易に実現することができる。
【0059】特に、第1の発光素子20が窒化物系II
I−V族化合物半導体層を有するように構成し、400
nm前後の波長の光を出射可能としたので、この発光装
置10Aを光ディスク装置などの光装置に搭載すれば、
より高密度に情報が記録された光ディスクの記録・再生
をすることができる。
【0060】また、第1の基板21を可視領域において
透明である材料により構成するようにしたので、リソグ
ラフィ技術を用いて位置精度よくn側電極29および配
線13を形成することができ、リソグラフィ技術を用い
て位置精度よく形成された第2の発光素子30のp側電
極46,57を接着させることにより、第1の発光素子
20の発光領域および第2の発光素子30の発光領域の
位置を精確に制御することができる。更に、これらの間
隔を所望の微少の値とすることにより、各発光素子にお
いて発せられた光を微少の径の領域内からそれぞれ出射
させることができる。
【0061】加えて、第1の基板21を熱伝導率の高い
材料により構成するようにしたので、レーザ発振部4
0,50において発光の際に発生した熱を第1の基板2
1を介して速やかに支持基体11に放散することができ
る。よって、第1の発光素子20の上に第2の発光素子
30を配設しても、第2の発光素子30の温度上昇を防
止でき、長時間に渡って安定に動作させることができ
る。
【0062】なお、この発光装置10Aは、例えば光装
置としての光ディスク記録再生装置に用いられる。図7
は、その光ディスク記録再生装置の構成を模式的に表す
ものである。この光ディスク記録再生装置は、波長の異
なる光を用いて光ディスクに記録されている情報をそれ
ぞれ再生し、また光ディスクに情報を記録するためのも
のである。この光ディスク記録再生装置は、本実施の形
態に係る発光装置10A、および制御部111の制御に
基づき発光装置10Aから出射させた所定の発光波長の
出射光Lout を光ディスクDへ導くと共に、光ディスク
Dからの信号光(反射光Lref )読み取るための光学
系、すなわち、ビームスプリッタ112,コリメータレ
ンズ113,ミラー114,開口制限アパーチャ11
5,対物レンズ116,信号光検出用レンズ117,信
号光検出用受光素子118および信号光再生回路119
を備えている。
【0063】この光ディスク記録再生装置では、発光装
置10から出射した例えば強度の大きい出射光L
out は、ビームスプリッタ132で反射し、コリメータ
レンズ133で平行光にされ、ミラー134で反射す
る。このミラー134で反射した出射光Lout は、開口
制限アパーチャ115を通過したのち、対物レンズ11
6により集光されて光ディスクDに入射する。これによ
り、光ディスクDに情報が書き込まれる。また、発光装
置10から出射した例えば微弱な出射光Lout は、上述
したように各光学系を経て光ディスクDに入射したの
ち、光ディスクDで反射する。この反射光Lref は、対
物レンズ116,開口制限アパーチャ115,ミラー1
14,コリメータレンズ113およびビームスプリッタ
112を経て、信号光検出用レンズ117を通過し、信
号光検出用受光素子118に入射し、ここで電気信号に
変換された後、信号光再生回路119において光ディス
クDに書き込まれた情報の再生が行われる。
【0064】なお、本実施の形態に係る発光装置10A
は、上述したように、1つのパッケージ内に収納され得
ると共に、間隔が精確に規定された複数の発光領域から
出射光Lout を発するようになっている。よって、この
発光装置10Aを用いれば、波長の異なる複数の出射光
out を共通の光学系を利用して所定の箇所に導くこと
ができる。よって、光ディスク記録再生装置の簡略化,
小型化および低コスト化を実現することができる。また
発光点間隔の誤差が極めて小さいので、受光部(信号光
検出用受光素子118)に結像する反射光Lref の位置
が各光ディスク記録再生装置によって異なってしまうこ
とを防止できる。すなわち、光学系の設計を容易に行う
ことができ、かつ光ディスク記録再生装置の歩留まりを
向上させることができる。
【0065】また、本実施の形態の発光装置10Aは、
400nm前後,600nm帯および700nm帯の3
波長の発光を得ることができるので、CD−ROM(Re
ad Onry Memory),CD−R,CD−RW,MD,DV
D−ROMなどの既存の各種光ディスクは勿論のこと、
現在書き換え可能な大容量ディスクとして提唱されてい
るいわゆるDVD−RAM(Random Access Memory),
DVD+RWあるいはDVD−R/RWなどのほか、更
に高い面記録密度(例えば20Gバイト以上)を有する
次世代の記録可能な光ディスク(例えば、次世代の光デ
ィスク装置として提唱されているDVR(Digital Vide
o Recorder)またはVDR(Video DiskRecorder )に
用いる光ディスク)についても、記録・再生を行うこと
が可能となる。このような次世代の記録可能な大容量デ
ィスクを利用することができれば、映像データを録画す
ることができると共に、録画したデータ(画像)を良好
な画質で操作性よく再生することができる。
【0066】なお、ここでは、発光装置10Aを光ディ
スク記録再生装置に適用した例について説明したが、光
ディスク再生装置,光ディスク記録装置,光磁気ディス
ク(MO;Magneto-optical disk)などの記録・再生を
行うための光磁気ディスク装置あるいは光通信装置など
の光装置全般に適用できることは勿論、高温で動作する
必要のある車載用の半導体レーザ装置を備えた機器など
にも適用可能である。
【0067】[第2の実施の形態]図8は、本発明の第
2の実施の形態に係る発光装置10Bの断面構造を表す
ものである。この発光装置10Bは、第1の実施の形態
の発光装置10Aにおける第2の発光素子30に代えて
第2の発光素子60を備えたことを除き、他は発光装置
10Aと同一の構成,作用および効果を有している。よ
って、第1の実施の形態と同一の構成要素には同一の符
号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【0068】本実施の形態における第2の発光素子60
は、第1の実施の形態における第2の発光素子30のレ
ーザ発振部40に代えて500mn帯(例えば、520
nm)の光を出射可能なレーザ発振部70を備えたこ
と、およびバッファ層32を備えていないことを除き、
他は第2の発光素子30と同一の構成を有している。
【0069】レーザ発振部70は、第2の基板31の支
持基体11側に、例えば、バッファ層71を介して、n
型クラッド層72,ガイド層73,活性層74,ガイド
層75,p型クラッド層76,第1のp型半導体層7
7,第2のp型半導体層78,p型超格子層79および
p側コンタクト層80が第2の基板31の側からこの順
に積層された構成を有している。これらの各層は、例え
ば、亜鉛(Zn),カドミウム(Cd),水銀(H
g),ベリリウム(Be)およびマグネシウム(Mg)
よりなる短周期型周期表における2Aまたは2B族元素
群のうちの少なくとも1種と、硫黄(S),セレン(S
e)およびテルル(Te)よりなる短周期型周期表にお
ける6B族元素群のうちの少なくとも1種とを含むII
−VI族化合物半導体により構成されている。
【0070】具体的には、バッファ層71は、例えば、
n型不純物としてケイ素が添加されたn型GaAs膜,
n型不純物として塩素(Cl)が添加されたZnSe膜
およびn型不純物として塩素が添加されたZnSSe混
晶膜が第2の基板31の側からこの順に成膜されたもの
であり、その厚さは例えば100nmである。n型クラ
ッド層72は、例えば、厚さが1μmであり、n型不純
物として塩素が添加されたn型ZnMgSSe混晶によ
り構成されている。ガイド層73は、例えば、厚さが
0.1μmであり、n型不純物として塩素が添加された
n型ZnSSe混晶あるいは不純物を添加しないundope
−ZnSSe混晶により構成されている。活性層74
は、例えば、厚さが20nmであり、組成の異なるZn
x Cd1-x Se(但し、x≧0)混晶によりそれぞれ形
成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有し
ている。なお、この活性層74は、発光部として機能す
るものである。
【0071】ガイド層75は、例えば、厚さが0.1μ
mであり、p型不純物として窒素が添加されたp型Zn
SSe混晶あるいは不純物を添加しないundope−ZnS
Se混晶により構成されている。p型クラッド層76
は、例えば、厚さが1.0μmであり、p型不純物とし
て窒素が添加されたp型ZnMgSSe混晶により構成
されている。第1のp型半導体層77は、例えば、厚さ
が0.2μmであり、p型不純物として窒素が添加され
たp型ZnSSe混晶により構成されている。第2のp
型半導体層78は、例えば、厚さが0.2μmであり、
p型不純物として窒素が添加されたp型ZnSeにより
構成されている。p型超格子層79は、例えば、厚さが
35nmであり、p型不純物として窒素が添加されたp
型ZnSe膜とp型不純物として窒素が添加されたp型
ZnTe膜とが交互に積層されることにより構成されて
いる。p側コンタクト層80は、例えば、厚さが0.1
μmであり、p型不純物として窒素が添加されたp型Z
nTeにより構成されている。
【0072】なお、第1のp型半導体層77の一部,第
2のp型半導体層78,p型超格子層79およびp側コ
ンタクト層80は、共振器方向に延長された細い帯状と
なっており、電流狭窄をするようになっている。この帯
状部分の両側には電流ブロック領域81がそれぞれ設け
られている。ちなみに、p側コンタクト層80に対応す
る活性層74の領域が発光領域となっている。
【0073】p側コンタクト層80のp型超格子層79
と反対側には、p側電極82が形成されている。このp
側電極82は、例えば、p側コンタクト層80の側か
ら、パラジウム(Pd),白金および金を順次積層して
熱処理により合金化したものであり、p側コンタクト層
80と電気的に接続されている。このp側電極82は、
また、接着層15を介して配線13と電気的に接続され
ている。
【0074】このような構成を有する発光装置10B
は、発光装置10Aの第2の発光素子30に代えて第2
の発光素子60を形成することを除き、第1の実施の形
態と同様にして製造することができる。
【0075】すなわち、第2の発光素子60を作製する
際には、まず図9(A)に示したように、第1の実施の
形態と同様にして、例えば、n型GaAsよりなる第2
の基板31の表面にn型InGaP混晶よりなるバッフ
ァ層51,n型AlGaInP混晶よりなるn型クラッ
ド層52,Alx Gay In1-x-y P(但し、x≧0か
つy≧0)混晶よりなる活性層53,p型AlGaIn
P混晶よりなるp型クラッド層54およびp型GaAs
よりなるp型キャップ層55を順次成長させる。
【0076】次いで、図9(B)に示したように、p型
キャップ層55の上にレーザ発振部50の形成予定領域
に対応して、例えばCVD(Chemical Vapor Depositio
n )法により二酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素(Si3
4 )よりなるマスクMを形成する。続いて、このマス
クMを利用して、例えば、RIE(Reactive Ion Etchi
ng;反応性イオンエッチング)などのエッチングを行
い、p型キャップ層55,p型クラッド層54,活性層
53,n型クラッド層52およびバッファ層51を選択
的に除去する。
【0077】続いて、図10(A)に示したように、第
2の基板31の表面に、例えばMBE(Molecular Beam
Epitaxy;分子線エピタキシー)法により、n型GaA
s膜とn型ZnSe膜とn型ZnSSe混晶膜とがこの
順に積層されたバッファ層71,n型ZnMgSSe混
晶よりなるn型クラッド層72,n型ZnSSe混晶よ
りなるガイド層73,Znx Se1-x Cd(但し、x≧
0)混晶よりなる活性層74,p型ZnSSe混晶より
なるガイド層75,p型ZnMgSSe混晶よりなるp
型クラッド層76,p型ZnSSe混晶よりなる第1の
p型半導体層77,p型ZnSeよりなる第2のp型半
導体層78,p型ZnSe膜とp型ZnTe膜とが交互
に積層されたp型超格子層79およびp型ZnTeより
なるp側コンタクト層80を順次成長させる。なお、こ
れらの各層を成長させる際には、第2の基板31の温度
を例えば280℃程度にそれぞれ調節する。そののち、
マスクMを除去する。
【0078】マスクMを除去したのち、図10(B)に
示したように、例えば、電流ブロック領域56の形成予
定領域に対応して開口が設けられた図示しないマスクを
形成し、イオン注入法により塩素などのn型不純物を導
入して、電流ブロック領域56を形成する。また、全面
に電流ブロック領域81の形成予定領域に対応して開口
が設けられた図示しないマスクを形成し、p側コンタク
ト層80,p型超格子層79,第2のp型半導体層78
および第1のp型半導体層77の上層部にイオン注入法
により塩素などのn型不純物を導入して、電流ブロック
領域81を形成する。ここでは、第1の実施の形態と同
様に、リソグラフィ技術を用いているのでレーザ発振部
50,70の発光領域の位置を精確に規定できるように
なっている。
【0079】電流ブロック領域56,81を形成したの
ち、図11に示したように、p型キャップ層55の表面
およびその近傍に、例えば、チタン,白金および金を順
次蒸着してp側電極57を形成する。また、p側コンタ
クト層80の表面およびその近傍に、例えば、パラジウ
ム,白金および金を順次蒸着してp側電極82を形成す
る。続いて、レーザ発振部50,70の形成予定領域に
対応して図示しないマスクを形成し、p側コンタクト層
80からバッファ層71までを選択的に除去する。
【0080】p側コンタクト層80からバッファ層71
までを選択的に除去したのち、第1の実施の形態と同様
にして、第2の基板31の裏面側を例えばラッピングお
よびポリッシングし、この第2の基板31の裏面側にn
側電極33を形成する。続いて、加熱処理を行い、p側
電極57,82およびn側電極33をそれぞれ合金化す
る。最後に、第2の基板31を例えばp側電極57,8
2の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開し、その劈
開面に一対の図示しない反射鏡膜を形成する。これによ
り、第2の発光素子60が作製される。
【0081】このように本実施の形態に係る発光装置1
0Bによれば、400nm帯の光を発光可能な第1の発
光素子20と、500nm帯の光を発光可能なレーザ発
振部70および700nm帯の光を発光可能なレーザ発
振部50を有する第2の発光素子60とを備えるように
したので、赤(Red =R),緑(Green =G)および青
(Blue=B)の3原色の光をそれぞれ出射する発光装置
とすることができる。よって、この発光装置10Bは、
光ディスク装置以外にも、フルカラー表示装置の光源と
しても利用することができる。
【0082】なお、発光装置10Bをフルカラー表示装
置の光源として利用するする場合には、各活性層23,
53,74を構成する材料の組成を適宜に調整すること
により、各発光部から出射する光を所望の色相とするこ
とができる。
【0083】図12は、本実施の形態に係る発光装置1
0Bを用いた表示装置120の概略構成を表すものであ
る。この表示装置120は、配設基板121と、配設基
板121の一面側に設けられた本実施の形態に係る複数
の発光装置10Bとを備えている。これらの発光装置1
0Bは、例えば、それぞれ図2に示したようなパッケー
ジ1に収納されており、M行×N列(但し、M,Nは自
然数)のマトリクス状に配列されている。配設基板12
1には、また、図12においては図示しないが、列方向
の共通配線122,123および行方向の共通配線12
4,125がそれぞれ形成されている。
【0084】図13は、この表示装置120の駆動回路
の概略構成を表すものである。このように、各発光装置
10Bの支持基体11はワイヤにより列方向の共通配線
122に接続されており、第2の発光素子60のn側電
極33はワイヤにより列方向の共通配線123に接続さ
れている。また、配線13は行方向の共通配線124に
接続されており、第1の発光素子20のn側電極29は
ワイヤにより列方向の共通配線125に接続されてい
る。これらの共通配線122〜125は、図示しない制
御部に接続されており、この制御部からの信号に応じて
所望のカラー表示がなされるようになっている。
【0085】なお、本実施の形態の発光装置10Bは、
パッケージ1(図2)のピン4dおよびピン4bを介し
てn側電極33とp側電極82との間に電圧が印加され
ると、活性層74に電流が注入され、電子−正孔再結合
により発光が起こり、レーザ発振部70から500nm
帯の波長の光が出射されることを除き第1の実施の形態
の発光装置10Aと同様に作用する。
【0086】[第3の実施の形態]図14は、本発明の
第3の実施の形態に係る発光装置10Cの断面構造を表
すものである。この発光装置10Cは、第1の実施の形
態の発光装置10Aにおける第1の発光素子20に代え
て第1の発光素子90を備えたこと、および支持基体1
1に代えて支持基体17を備えたことを除き、他は第1
の実施の形態の発光装置10Aと同一の構成,作用およ
び効果を有している。よって、第1の実施の形態と同一
の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な
説明を省略する。
【0087】第1の発光素子90が第1の発光素子20
と大きく異なる点は第1の基板91の構成材料が異なる
ことであり、例えば厚さが80μm程度のサファイアに
より構成されている。なお、サファイアは、絶縁性材料
であると共に、GaNと同様に可視領域において透明の
材料である。また、第1の発光素子90は、第1の基板
91の例えばc面に、例えば、バッファ層92を介し
て、n側コンタクト層93,n型クラッド層22,活性
層23,劣化防止層24,p型クラッド層25およびp
側コンタクト層26が第1の基板21の側からこの順に
積層された構成を有している。p型クラッド層の表面お
よびp側コンタクト層26の側面には絶縁層27が形成
されていると共に、p側コンタクト層26のp側クラッ
ド層25と反対側にはp側電極28が形成されている。
【0088】バッファ層92は、例えば、厚さが30n
mであり、不純物を添加しないundope−GaNあるいは
n型不純物としてケイ素が添加されたn型GaNにより
構成されている。n側コンタクト層93は、例えば、厚
さが5μmであり、n型不純物としてケイ素が添加され
たn型GaNにより構成されている。
【0089】このn側コンタクト層93には、n型クラ
ッド層22,活性層23,劣化防止層24,p型クラッ
ド層25およびp側コンタクト層26が形成されていな
い露出部が部分的に設けられており、この露出部には、
例えば、n側コンタクト層93の側からチタンおよびア
ルミニウムを順次積層して熱処理により合金化したn側
電極94が形成されている。なお、絶縁膜27は、本実
施の形態では、p型クラッド層25,劣化防止層24,
活性層23およびクラッド層22の側面も覆うように設
けられている。
【0090】支持基体17は、窒化アルミニウム(Al
N)などの高い熱伝導率を有する絶縁材料により構成さ
れている。この支持基体17の一面側には、第1の発光
素子90のp側電極28に対応して金属よりなる配線1
7aが設けられると共に、n側電極94に対応して金属
よりなる配線17bが設けられている。p側電極28と
配線17a、およびn側電極94と配線17bとはそれ
ぞれ、接着層12,18を介して互いに接着されてい
る。
【0091】なお、第1の基板91の支持基体17と反
対側には、第1の実施の形態と同様に配線13が設けら
れると共に、第1の実施の形態のn側電極29に代えて
レーザ発振部50を外部電源に対して接続するための金
属よりなる配線19が設けられている。
【0092】なお、この発光装置10Cは、第1の実施
の形態と同様に例えばパッケージの内部に収納されて用
いられる。このパッケージでは、支持体の一面側に載置
台が設けられており、載置台の上に支持基体17を載置
すると共に、例えば5本のピンが設けられ、各ピンと各
配線13,17a,17b,19およびn側電極33と
がワイヤによってそれぞれ電気的に接続されるようにな
っている。この場合も、第1の実施の形態と同様に、ピ
ンの数を適宜に設定することができる。
【0093】この発光装置10Cは、次のようにして製
造することができる。
【0094】まず、図15(A)に示したように、例え
ば、厚さ400μm程度のサファイアよりなる第1の基
板91を用意し、MOCVD法により第1の基板91の
c面に、不純物を添加しないundope−GaNあるいはn
型GaNよりなるバッファ層92を成長させる。その
際、第1の基板91の温度を例えば500℃とする。次
いで、バッファ層92の上に、n型GaNよりなるn側
コンタクト層93,n型AlGaN混晶よりなるn型ク
ラッド層22,InGaN混晶よりなる活性層23,p
型AlGaN混晶よりなる劣化防止層24,p型AlG
aN混晶よりなるp型クラッド層25およびp型GaN
よりなるp側コンタクト層26を順次成長させる。これ
らの各層を成長させる際には、第1の基板91の温度を
例えば750〜1100℃の適宜の温度にそれぞれ調節
する。
【0095】続いて、図15(B)に示したように、p
側コンタクト層26,p型クラッド層25,劣化防止層
24,活性層23およびn型クラッド層22を順次エッ
チングして、n側コンタクト層93の一部を表面に露出
させる。そののち、図示しないマスクを形成し、このマ
スクを利用して例えばRIE法によりp型クラッド層2
5の上層部およびp側コンタクト層26を細い帯状とす
る。
【0096】次いで、一部を選択的にエッチングした各
層の側面とp型クラッド層25の表面とに例えば蒸着法
により二酸化ケイ素よりなる絶縁層27を形成する。そ
ののち、第1の基板91の裏面側を例えばラッピングお
よびポリッシングして第1の基板91の厚さを例えば1
00μm程度とする。
【0097】第1の基板91を薄くしたのち、第1の基
板91のバッファ層92と反対側に所定の位置に配線1
3,19をそれぞれ形成する。ここでは、第1の実施の
形態と同様に、第1の基板91を可視領域において透明
な材料により構成しているので、第1の実施の形態と同
様に配線13,19の形成位置を精確に制御できるよう
になっている。
【0098】続いて、p側コンタクト層26の表面およ
びその近傍に、例えば、ニッケル,白金および金を順次
蒸着し、p側電極28を形成する。また、n側コンタク
ト層93の表面に例えばチタンおよびアルミニウムを順
次蒸着し、n側電極94を形成する。更に、加熱処理を
行い、p側電極28およびn側電極94をそれぞれ合金
化する。そののち、ここでは図示しないが、第1の基板
91を例えばp側電極28の長さ方向と垂直に所定の幅
で劈開し、その劈開面に一対の反射鏡膜を形成する。こ
れにより、第1の発光素子90が作製される。
【0099】次いで、第1の実施の形態と同様にして、
第2の発光素子30を作製する。
【0100】そののち、表面に配線17a,17bをそ
れぞれ形成した支持基体17を用意し、接着層12によ
り第1の発光素子90のp側電極28と配線17aとを
接着すると共に、接着層18によりn側電極94と配線
17bとを接着する。また、接着層15により第2の発
光素子30のp側電極46と配線13とを着すると共
に、接着層16によりp側電極57と配線19とを接着
する。これにより、発光装置10Cが完成する。
【0101】このように本実施の形態に係る発光装置1
0Cによれば、第1の基板91を可視領域において透明
であるサファイアにより構成するようにしたので、第1
の実施の形態と同様に、第1の発光素子90の発光領域
および第2の発光素子30の発光領域の位置を精確に制
御することができる。
【0102】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態で
は、第1の発光素子20,90および第2の発光素子3
0,60について、具体的な積層構造の一例を挙げて説
明したが、本発明は第1の発光素子20,90または第
2の発光素子30,60が他の構造を有している場合に
ついても同様に適用することができる。例えば、第1の
発光素子を第2の発光素子30,86と同様に電流ブロ
ック領域により電流狭窄する構成としてもよいし、第2
の発光素子を第1の発光素子20,90と同様に二酸化
シリコンなどよりなる絶縁層により電流狭窄する構成と
してもよい。また、上記実施の形態では、利得導波型と
屈折率導波型を組み合わせたリッジ導波型の半導体レー
ザを例に挙げて説明したが、利得導波型の半導体レーザ
および屈折率導波型の半導体レーザについても同様に適
用することができる。
【0103】更に、上記実施の形態では、GaN系,A
lGaAs系およびAlGaInP系の化合物よりなる
各層をMOCVD法により形成する場合について説明し
たが、MBE法やハイドライド気相成長法などの他の気
相成長法により形成するようにしてもよい。なお、ハイ
ドライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送または反応に
寄与する気相成長法のことをいう。また、上記第2の実
施の形態では、ZnSe系の化合物よりなる各層をMB
E法により形成する場合について説明したが、MOCV
D法などの他の気相成長法により形成するようにしても
よい。
【0104】加えて、上記実施の形態では、第1の発光
素子20,90の第1の基板21,91を構成する材料
について具体例を挙げて説明したが、他の材料により構
成するようにしてもよい。但し、可視領域において透明
な材料を用いるようにすれば、上記実施の形態で説明し
た効果が得られるので好ましく、高い熱伝導性を有する
材料であればより好ましい。そのような材料としては、
例えば窒化アルミニウムまたは炭化ケイ素(SiC)が
挙げられる。
【0105】更にまた、上記第3の実施の形態では、A
lGaAs系のレーザ発振部40とAlGaInP系の
レーザ発振部50とを有する第2の発光素子30を備え
る場合について説明したが、第2の発光素子として、第
2の実施の形態で説明したもの(第2の発光素子60)
を備えるようにしてもよい。
【0106】加えてまた、上記実施の形態では、第1の
発光素子20,90と第2の発光素子30,60とが互
いに異なる波長の光を出射するように構成した場合につ
いて説明したが、支持基体11,17の一面側に第1の
発光素子20,90を複数積層することも可能である。
更に、特性あるいは構造が異なる複数の発光素子を積層
することも可能である。その場合、発光波長は同一であ
ってもよいし、異なっていてもよい。特性が異なる複数
の発光素子を積層する場合には、例えば低出力のものと
高出力のものとを混載することができる。
【0107】更にまた、上記実施の形態では、第1の発
光素子20,90の発光部が1つである場合について説
明したが、第1の発光素子20,90は複数の発光部を
有していてもよい。具体的には、第2の発光素子30と
同様に複数のレーザ発振部を有するように構成してもよ
い。その場合には、各レーザ発振部の発光波長は同一で
あってもよいし、異なっていてもよい。また、特性ある
いは構造についても同一であってもよいし、異なってい
てもよい。
【0108】更にまた、上記実施の形態では、第2の発
光素子30,60が2つのレーザ発振部を有する場合を
例に挙げて説明したが、第2の発光素子のレーザ発振部
の数は1つであってもよいし、3つ以上であってもよ
い。これらの各レーザ発振部の発光波長,特性および構
造については、同一であってもよいし、異なっていても
よい。
【0109】加えてまた、上記実施の形態では、第2の
発光素子30,60がいわゆるモノリシック型の多波長
レーザよりなる場合について説明したが、本発明は、第
2の発光素子が図17に示したようないわゆるハイブリ
ッド型の多波長レーザである場合にも適用することがで
きる。
【0110】更にまた、上記実施の形態では、支持基体
11,17を構成する材料について具体例を挙げて説明
したが、他の材料により構成するようにしてもよい。但
し、高い熱伝導性を有する材料であることが好ましい。
例えば第1および第2の実施の形態では、金属により支
持基体11を構成するようにしたが、第3の実施の形態
と同様に、絶縁性を有する材料により支持基体を構成
し、その上に配線を設けるようにしてもよい。
【0111】加えてまた、上記実施の形態では、パッケ
ージ1に収納する際に、支持体2により直接支持基体1
1,17を支持するようにしたが、支持体2に載置台を
設け、その載置台の上に支持基体11,17を載置する
ようにしてもよい。
【0112】更にまた、上記実施の形態では、発光素子
として半導体レーザを具体例に挙げて説明したが、本発
明は、発光ダイオード(light emitting diode;LE
D)などの他の発光素子を備えた発光装置についても適
用することができる。
【0113】
【発明の効果】以上説明したように本発明の発光装置に
よれば、支持基体の一面側に複数の発光素子を積層する
ように構成したので、複数の発光素子を同一基板上に配
設する必要がなく、容易に製造することができるという
効果を奏する。
【0114】また、第1の基板が可視領域において透明
であるので、第1の発光素子の発光領域および第2の発
光素子の発光領域の位置を精確に制御することができ
る。
【0115】また、第1の発光素子が、3B族元素のう
ちの少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒
素とを含む半導体層を有するようにすれば、第1の発光
素子は400nm前後の波長の光を出射可能である。よ
って、この発光装置を光装置に搭載すれば、より高性能
な光装置を実現することができる。
【0116】更に、第1の基板を、3B族元素のうちの
少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒素と
を含む窒化物系III−V族化合物半導体またはサファ
イアにより構成するようにすれば、第2の発光素子にお
いて発光の際に発生した熱を第1の基板を介して速やか
に放散することができる。よって、第2の発光素子の温
度上昇を防止でき、長時間に渡って安定に動作させるこ
とができる。
【0117】加えて、本発明の光装置によれば、本発明
の発光装置を用いて構成するようにしたので、高性能化
を図ることができると共に、小型化および低コスト化を
実現することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の構
成を表す断面図である。
【図2】図1に示した発光装置が収納されたパッケージ
の構成を表す部分分解斜視図である。
【図3】図1に示した発光装置の製造方法を説明するた
めの断面図である。
【図4】図3に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図5】図4に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図6】図5に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図7】図1に示した発光装置を用いた光ディスク記録
再生装置を表す構成図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態に係る発光装置の構
成を表す断面図である。
【図9】図8に示した発光装置の製造方法を説明するた
めの断面図である。
【図10】図9に続く製造工程を説明するための断面図
である。
【図11】図10に続く製造工程を説明するための断面
図である。
【図12】図8に示した発光装置を用いた表示表示の概
略構成を表す平面図である。
【図13】図12に示した表示装置の駆動回路の要部を
表す構成図である。
【図14】本発明の第3の実施の形態に係る発光装置の
構成を表す断面図である。
【図15】図14に示した発光装置の製造方法を説明す
るための断面図である。
【図16】従来の発光装置の一構成例を表す断面図であ
る。
【図17】従来の発光装置の他の構成例を表す断面図で
ある。
【図18】従来の発光装置の更に他の構成例を表す断面
図である。
【符号の説明】
1…パッケージ、2…支持体、3…蓋体、4a〜4d…
ピン、5a〜5d…絶縁リング、6b〜6d…ワイヤ、
10A,10B,10C…発光装置、11,17…支持
基体、12,15,16,18…接着層、14…絶縁
膜、13,17a,17b,19…配線、20,90…
第1の発光素子、21,91…第1の基板、22,4
1,52,72…n型クラッド層、23,42,53,
74…活性層、25,43,54,76…p型クラッド
層、26,80…p側コンタクト層、27…絶縁層、2
8,46,57,82…p側電極、29,33,94…
n側電極、30,60…第2の発光素子、31…第2の
基板、32,51,71,92…バッファ層、40,5
0,70…レーザ発振部、44,55,77…p型キャ
ップ層、45,56,81…電流ブロック領域、93…
n側コンタクト層

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性の支持基体と、 この支持基体の一面側に設けられ、絶縁性かつ可視領域
    において透明の第1の基板を有する第1の発光素子と、 この第1の発光素子の前記支持基板と反対側に設けら
    れ、第2の基板を有する第2の発光素子とを備えたこと
    を特徴とする発光装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の発光素子と前記第2の発光素
    子とは、互いに波長が異なる光を出射可能であることを
    特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の発光素子は、3B族元素のう
    ちの少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒
    素(N)とを含む半導体層を有することを特徴とする請
    求項2記載の発光装置。
  4. 【請求項4】 前記第1の基板は、3B族元素のうちの
    少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒素
    (N)とを含む窒化物系III−V族化合物半導体また
    はサファイア(Al2 3 )よりなることを特徴とする
    請求項1記載の発光装置。
  5. 【請求項5】 前記第1の発光素子は、前記第1の基板
    の前記支持基体側に発光部を有することを特徴とする請
    求項1記載の発光装置。
  6. 【請求項6】 前記第2の発光素子は、前記第2の基板
    の前記第1の発光素子側に発光部を有することを特徴と
    する請求項1記載の発光装置。
  7. 【請求項7】 前記第2の発光素子は、互いに発光波長
    が異なる複数の発光部を有することを特徴とする請求項
    1記載の発光装置。
  8. 【請求項8】 前記第2の発光素子は、前記複数の発光
    部毎に個別の電極を有することを特徴とする請求項7記
    載の発光装置。
  9. 【請求項9】 前記第2の基板は、ガリウムヒ素(Ga
    As)よりなることを特徴とする請求項1記載の発光装
    置。
  10. 【請求項10】 前記第2の発光素子は、3B族元素の
    うちの少なくともガリウム(Ga)と5B族元素のうち
    の少なくともヒ素(As)とを含む半導体層を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  11. 【請求項11】 前記第2の発光素子は、3B族元素の
    うちの少なくともインジウム(In)と5B族元素のう
    ちの少なくともリン(P)とを含む半導体層を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  12. 【請求項12】 前記第2の発光素子は、亜鉛(Z
    n),カドミウム(Cd),水銀(Hg),ベリリウム
    (Be)およびマグネシウム(Mg)よりなる2Aまた
    は2B族元素群のうちの少なくとも1種と、硫黄
    (S),セレン(Se)およびテルル(Te)よりなる
    6B族元素群のうちの少なくとも1種とを含む半導体層
    を有することを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  13. 【請求項13】 発光装置を有する光装置であって、 前記発光装置は、 絶縁性の支持基体と、 この支持基体の一面側に設けられ、絶縁性かつ可視領域
    において透明の第1の基板を有する第1の発光素子と、 この第1の発光素子の前記支持基板と反対側に設けら
    れ、第2の基板を有する第2の発光素子とを備えたこと
    を特徴とする光装置。
  14. 【請求項14】 絶縁性かつ可視領域において透明の第
    1の基板の表面に第1の発光素子を形成したのち、前記
    第1の基板の裏面に第1の配線を形成する工程と、 第2の配線が形成された絶縁性の支持基体の上に、前記
    第1の基板に形成された発光素子を前記第2の配線に電
    気的に接続されるようにして接着する工程と、前記第1
    の基板の第1の配線に電気的に接続されるよう第2の基
    板を有する第2の発光素子を接着する工程とを含むこと
    を特徴とする発光装置の製造方法。
JP2003127745A 2003-05-06 2003-05-06 発光装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3928583B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003127745A JP3928583B2 (ja) 2003-05-06 2003-05-06 発光装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003127745A JP3928583B2 (ja) 2003-05-06 2003-05-06 発光装置の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000041361A Division JP3486900B2 (ja) 2000-02-15 2000-02-15 発光装置およびそれを用いた光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006319994A Division JP4595929B2 (ja) 2006-11-28 2006-11-28 発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003298193A true JP2003298193A (ja) 2003-10-17
JP3928583B2 JP3928583B2 (ja) 2007-06-13

Family

ID=29398305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003127745A Expired - Fee Related JP3928583B2 (ja) 2003-05-06 2003-05-06 発光装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3928583B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286213A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 集積型半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2005317918A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置
JP2005327905A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Sony Corp 半導体発光装置およびそれを用いた光装置
JP2006073643A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2006073644A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2007048810A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Sony Corp 半導体レーザ
JP2007234643A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Sony Corp 光装置およびその製造方法、並びに光機器
JP2007281483A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Samsung Electronics Co Ltd 半導体レーザダイオードアレイ
JP2008288527A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Rohm Co Ltd レーザ発光装置
CN100454594C (zh) * 2005-08-11 2009-01-21 璨圆光电股份有限公司 发光二极管元件及其驱动方法
JP2010153710A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2010183111A (ja) * 2004-03-30 2010-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
KR20200056628A (ko) * 2018-11-15 2020-05-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010183111A (ja) * 2004-03-30 2010-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2005317918A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置
JP2005286213A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 集積型半導体レーザ素子及びその製造方法
US8098699B2 (en) 2004-03-30 2012-01-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus and optical apparatus
JP4671617B2 (ja) * 2004-03-30 2011-04-20 三洋電機株式会社 集積型半導体レーザ素子
JP4568133B2 (ja) * 2004-03-30 2010-10-27 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置および光装置
JP2005327905A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Sony Corp 半導体発光装置およびそれを用いた光装置
JP2006073643A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2006073644A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP4614715B2 (ja) * 2004-08-31 2011-01-19 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
US7817694B2 (en) 2004-08-31 2010-10-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus and manufacturing method thereof
JP4530768B2 (ja) * 2004-08-31 2010-08-25 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2007048810A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Sony Corp 半導体レーザ
US7672349B2 (en) 2005-08-08 2010-03-02 Sony Corporation Laser diode
CN100454594C (zh) * 2005-08-11 2009-01-21 璨圆光电股份有限公司 发光二极管元件及其驱动方法
JP2007234643A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Sony Corp 光装置およびその製造方法、並びに光機器
JP2007281483A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Samsung Electronics Co Ltd 半導体レーザダイオードアレイ
WO2008143276A1 (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Rohm Co., Ltd. レーザ発光装置
JP2008288527A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Rohm Co Ltd レーザ発光装置
US8189640B2 (en) 2007-05-21 2012-05-29 Rohm Co., Ltd. Laser light emitting device
JP2010153710A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
KR20200056628A (ko) * 2018-11-15 2020-05-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102655343B1 (ko) * 2018-11-15 2024-04-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3928583B2 (ja) 2007-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3486900B2 (ja) 発光装置およびそれを用いた光装置
US7141827B2 (en) Semiconductor light emitting device and optical disc apparatus using the same
JPH11186651A (ja) 集積型半導体発光装置
JP3928583B2 (ja) 発光装置の製造方法
US20010038101A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of producing same
JP2004349286A (ja) 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置、光ピックアップ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
JP2002118331A (ja) 集積型半導体発光装置及びその製造方法
JP2004022717A (ja) 多波長レーザ装置
JP2001244570A (ja) 半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法
US6358764B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of producing same
JP2007035854A (ja) 半導体レーザアレイ及び半導体レーザ装置
JP4844791B2 (ja) 半導体発光装置およびそれを用いた光装置
JP5633670B2 (ja) 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2006080307A (ja) 半導体レーザアレイ及びその製造方法、多波長半導体レーザ装置
JP4219147B2 (ja) 多波長レーザ装置
JP4595929B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP4985100B2 (ja) 多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置
JP2001244573A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2000232255A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4821829B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2002299764A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2006210510A (ja) 発光装置の製造方法
JP2006060105A (ja) 半導体発光装置およびそれを用いた光装置
JP2005228945A (ja) 半導体基板上にモノリシック集積化された三波長半導体レーザアレイ装置
JP2003347665A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060706

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060929

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070226

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110316

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140316

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees