JP2007035854A - 半導体レーザアレイ及び半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 放熱特性が改善された半導体レーザアレイ及びこれを備えた半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の主面上にモノリシックに形成され、互いに異なる波長のレーザ光を放射する複数のレーザエレメントと、を備え、前記複数のレーザエレメントのうちで最短の波長のレーザ光を放射する第１レーザエレメントの発光点は、前記第１レーザエレメントの光軸と直交する面内において、前記主面に対して平行な方向にみた前記基板の中心線の上に実質的に位置することを特徴とする半導体レーザアレイを提供する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体レーザアレイ及び半導体レーザ装置に関し、特に書き換えを含む光ディスク記録に適した半導体レーザアレイ及びこの半導体レーザアレイを備えた半導体レーザ装置に関する。

ＣＤ（Compact Disc）の再生機能を兼ね備えた再生用ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）ディスクドライブには、モノリシック２波長半導体レーザ装置が用いられて、高性能化、小型化、軽量化、価格低減に寄与している。

また、再生用におけるのと同様に、記録（ＤＶＤ−Ｒ：DVD-Recordable）や書き換え（ＤＶＤ−ＲＷ：DVD-Rewritable）をはじめとする記録用途に対応するＤＶＤレコーダにおいても、ＣＤ（Compact Disc）などの再生機能が必要とされる。従って、これらＤＶＤレコーダ用のモノリシック２波長半導体レーザ装置においては、６５０ナノメータにおいて記録用の高い光出力が、７８０ナノメータにおいて再生用低出力が要求される。特に、倍速ＤＶＤ−ＲＷなどにおいては、６５０ナノメータ波長帯において１００ｍＷを越えるＣＷ（continous wave：連続波）光出力が要求される。

しかし、２個以上の半導体レーザエレメントをモノリシック集積し、かつ６５０ナノメータ波長帯において高出力を得るのに必要な放熱特性を確保するためには、再生専用モノリシック２波長半導体レーザアレイの構造では不十分である。モノリシック２波長半導体レーザアレイの放熱性を改善する技術開示例があるが（特許文献１）、倍速ＤＶＤ−ＲＷ用途に対しては到底不十分である。
特開２００２−１９０６４９号公報

本発明は、放熱特性が改善された半導体レーザアレイ及びこれを備えた半導体レーザ装置を提供する。

本発明の一態様によれば、
基板と、
前記基板の主面上にモノリシックに形成され、互いに異なる波長のレーザ光を放射する複数のレーザエレメントと、
を備え、
前記複数のレーザエレメントのうちで最短の波長のレーザ光を放射する第１レーザエレメントの発光点は、前記第１レーザエレメントの光軸と直交する面内において、前記主面に対して平行な方向にみた前記基板の中心線の上に実質的に位置することを特徴とする半導体レーザアレイが提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、
マウント面を有する基体と、
前記マウント面の上に搭載された上記の半導体レーザアレイと、
を備え、
前記第１レーザエレメントの前記発光点は、前記第１レーザエレメントの光軸と直交する面内において、前記マウント面に対して平行な方向にみた前記基体の中心線の上に実質的に位置することを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明する。
図１は、本発明の第１具体例にかかる半導体レーザ装置の一部模式断面図である。すなわち、同図は、半導体レーザ装置をレーザの光共振方向に対して略垂直に切断した断面構造を表す。
この半導体レーザ装置は、２波長半導体レーザアレイ１０が、絶縁板２２の上に金錫共晶ハンダ（図示せず）などで接着された構造を有する。２波長半導体レーザアレイ１０は、第１波長を有する第１レーザエレメント５２および第２波長を有する第２レーザエレメント５４から構成されている。

絶縁板２２は、窒化アルミニウムや炭化珪素などのように熱伝導率の良好な絶縁物からなり、その表面には互いに電気的に絶縁された第１導電パターン１８及び第２導電パターン２０が形成されている。本図に例示される構造は、「アップサイドダウン」または「ジャンクションダウン」などとよばれ、ダブルへテロ接合側が絶縁板２２または金属ブロック２４へ接着されるために、放熱性を改善することができる。

２波長半導体レーザアレイ１０の第１ｐ側電極１４は絶縁板２２上に形成された導電パターン１８と接続され、第２ｐ側電極１６は第２導電パターン２０と接続されている。

２波長半導体レーザアレイ１０の基板６０側には、共通のｎ側電極１２が設けられている。バイアス電圧は独立に印加できて、第１レーザエレメント５２からは第１波長を有する第１レーザ光Ｌ１が放射される。後に説明するように、これは６５０ナノメータ波長帯とする。同様に第２波長を有する第２レーザ光Ｌ２が放射される。これは７８０ナノメータ波長帯とする。

絶縁板２２は、パッケージなどに設けられた金属ブロック２４にハンダなどで接着されており、２波長半導体レーザアレイ１０からの熱流２６及び２８の経路を形成している。高出力を得るために発生する熱は大となるので、放熱性をよくすることが重要である。

図２及び図３は、２波長半導体レーザアレイ１０が組み込まれた、５．６ｍｍφの缶型パッケージを表す。すなわち、図２は、その平面図であり、図３はその立面図である。
２波長半導体レーザアレイ１０が絶縁板２２の上に接着され、絶縁板２２がパッケージに設けられた金属ブロック２４に接着されている。図３に例示されるように、絶縁板２２の一主面には、第１導電パターン１８及び第２導電パターン２０が形成されており、それぞれ第１ｐ側電極１４および第２ｐ側電極１６へ接続されている。第１導電パターン１８と、第１リード４０とは、ボンディングワイヤ４２により接続されている。同様に、第２導電パターン２０と第２リード４４とは、ボンディングワイヤ４６により接続されている。さらに、内部を保護するために、レーザ光Ｌ１及びＬ２に対して透過率が高く、反射率の低いガラスを備えたキャップ３８が設けられる。

第１レーザエレメント５２からは６５０ナノメータ波長帯の第１レーザ光Ｌ１が放射され、第２レーザエレメント５４からは７８０ナノメータ波長帯の第２レーザ光Ｌ２が放射される。

図１に例示したように、第１レーザエレメント５２からの第１レーザ光Ｌ１（６５０ナノメータ波長帯）は、２波長半導体レーザアレイ１０断面における中心線Ａ−Ａ’のほぼ上に位置する発光点から放射される。一方、第２レーザエレメント５４からの第２レーザ光Ｌ２（７８０ナノメータ波長帯）は、中心線Ａ−Ａ’から距離Ｄだけ離れた位置にある発光点から放射される。第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２は、同図において、紙面に対して垂直方向に放射される。ここで、「６５０ナノメータ波長帯」とは、６５０プラスマイナス２０ナノメータの範囲を意味する。また、「７８０ナノメータ波長帯」とは、７８０プラスマイナス３０ナノメータの範囲を意味する。

この距離Ｄは、再生専用モノリシック２波長半導体レーザ装置の場合と一致させて、１２０マイクロメータ以下とすることが好ましく、１１０マイクロメータとすることがより好ましい。この理由は、ＤＶＤ書き換え用ディスクドライブにおいても、再生モードが必要であり光学系互換性が重要であるからである。なお、再生用において、距離Ｄが１２０マイクロメータ以下とされる理由は、主として球面収差やコマ収差を低減するためである。

さらに、本具体例においてはＤＶＤ記録用途を可能とするために、高出力２波長半導体レーザアレイ１０が用いられる。この場合、６５０ナノメータ波長帯の媒体は層変化ディスクであるためにＣＷ１００ｍＷ以上の光出力が必要となる。
図４は、書き換えなどＤＶＤ記録に必要な半導体レーザ装置の光出力−順電流特性である。
Ｔｃ＝７５℃において、１００ｍＷのＣＷ光出力を得るには、約１８０ｍＡの順方向電流が必要であるので、約３５０ｍＷの電力が熱となる。

一方、ＣＤの媒体は、Ｔｃ＝７５℃において７ｍＷのＣＷ光出力で再生できる。
図５は、ＣＤの再生に必要な半導体レーザ装置の光出力−順電流特性である。
ＣＷ７ｍＷを得るには、約４５ｍＡの順方向電流で充分であるので、約８８ｍＷの電力が熱となる。これは、ＤＶＤ記録の約２５％と小さい発熱である。

以上説明したように、ＤＶＤ記録用２波長半導体レーザ装置においては、６５０ナノメータ波長帯を有する第１レーザエレメント５２の第１レーザ光Ｌ１の光軸中心をチップ断面の中心線Ａ−Ａ‘の上にほぼ位置させることにより、第１エレメント５２の熱抵抗を低減することが好ましい。こうすると、図１に模式的に表したように、熱流２６は絶縁板２２及び金属ブロック２４の中心線Ａ−Ａ’に沿うので放熱性を良好にできる。６５０ナノメータ波長帯を構成する第１レーザエレメント５２の最大発振温度Ｔｍａｘは約９０℃と低いので高温特性に余裕が少ない。これに対して、このような放熱性の改善が有効に作用する。

一方、第２レーザエレメント５４からの熱流２８は、図１に模式的に表したように中心線Ａ−Ａ‘から離れるが、その消費電力は第１レーザエレメント５２の約４分の１と小さく、また第２レーザエレメント５４の最大発振温度Ｔｍａｘは約１５０℃と第１レーザエレメント５２と比べて高いこともあり、発熱による特性の劣化は少ない。

光ディスクドライブにおいては、フォーカス及びトラッキングエラー検出信号により光ピックアップを瞬時に機械的に追随させる必要上、小型軽量化は極めて重要である。半導体レーザ装置を小型軽量化するためには、絶縁板２２及び金属ブロックの大きさを制限する必要がある。本具体例によれば、半導体レーザ装置の小型化を図りつつ、放熱性の改善を果たすことができる。

次に、２波長半導体レーザアレイ１０の構造について、さらに詳細に説明する。
図６は、本具体例にかかる半導体レーザアレイ１０の模式断面図である。
基板（例えばＧａＡｓ材料）６０の上に、６５０ナノメータ波長帯である第１レーザ光Ｌ１を放射する第１レーザエレメント５２、及び７８０ナノメータ波長帯である第２レーザ光Ｌ２を放射する第２レーザエレメント５４がそれぞれ形成されている。

以下、図６に例示した２波長半導体レーザアレイ１０の構造について、その製造工程を参照しつつ説明する。
図７乃至図１１は、２波長半導体レーザアレイ１０の製造工程の要部を表す工程断面図である。
まず、基板６０の上に、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層８２，ＩｎＧａＡｌＰガイド層８４、ＭＱＷ活性層８６、ＩｎＧａＡｌＰガイド層８８、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層９０、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層９２、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層９４、ｐ型ＩｎＧａＰ中間層９６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層９８をこの順に成長する。そして、この積層構造のうち、７８０ナノメータ波長帯に対応する第２レーザエレメント５４となる領域のみを残し、他の部分を図７に表したようにエッチングなどにより除去する。

続いて、図８に例示したように、再び結晶成長を行う。すなわち、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層６２、ＩｎＧａＡｌＰガイド層６４、ＭＱＷ活性層６６、ＩｎＧａＡｌＰガイド層６８、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層７０、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層７２、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層７４、ｐ型ＩｎＧａＰ中間層７６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７８をウェーハ全面に成長する。
これら半導体積層は、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長）法により形成できる。また、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシャル成長）法によっても形成できる。

続いて、６５０ナノメータ波長帯に対応する第１レーザエレメント５２となる領域を残し、第２レーザエレメント５４となる領域上に成長された積層部を図９に例示したようにエッチングにより除去する。

続いて、図１０に例示したように、ｐ型エッチングストップ層７２，９２、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層７４，９４、ｐ型ＩｎＧａＰ中間層７６，９６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７８，９８をパターニングによりリッジ形状とし、分離溝５６を形成する。

このあと、図１１に例示したように、絶縁膜７１，９１を被着、パターニングしたのち、ｐ側電極１４、１６，ｎ側電極１２を形成し、図６に例示した２波長半導体レーザアレイ１０が完成する。
ここで第１レーザエレメント５２とは、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層６２以上の第１ｐ側電極１４までの領域を意味する。同様に、第２レーザエレメント５４とは、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層８２以上の第２ｐ側電極１６までの領域を意味する。なお、第１レーザエレメント５２及び第２レーザエレメント５４は、「アップサイドダウン」接着のために、ほぼ同一の高さであることが好ましい。また、２波長半導体レーザアレイ１０のチップ幅は、概ね２８０〜４００マイクロメータの範囲で選択することができる。

ここで、６５０ナノメータ波長帯の第１エレメント５２におけるＭＱＷ（Multiple Quantum Well）活性層６６は、例えばＩｎ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ井戸層とＩｎ_０．５（Ｇａ_０．５Ａｌ_０．５）_０．５Ｐ障壁層とから構成される。また、７８０ナノメータ波長帯の第２レーザエレメント５４における活性層８６は、Ｇａ_０．９Ａｌ_０．１Ａｓ井戸層とＧａ_０．６５Ａｌ_０．３５Ａｓ障壁層とから構成される。なお、活性層６６及び８６は、ＭＱＷ構造でなくとも構わないが、ＭＱＷのほうが低閾値を得られるなど特性改善ができるのでより好ましい。

さらに、リッジ形状とされたクラッド層７４、９４は、絶縁膜７１，９１により覆われているために、互いの屈折率差により光閉じ込めされると共に、光損失の極めて少ない「実屈折率導波型」となっている。この結果、高出力を得るのに好ましい構造となっている。また、リッジの下幅は１．０〜２．０マイクロメータ、リッジ上幅は０．５〜１．５マイクロメータ、リッジ高さは１．０〜５．０マイクロメータの範囲が好ましい。

次に、比較例について説明する。
図１２は、比較例である２波長半導体レーザアレイ１０である。
基板６０上に第１レーザエレメント５２及び第２レーザエレメント５４が形成されており、チップの断面中心線Ａ−Ａ’に関してほぼ左右対称となっている。第１レーザ光Ｌ４の発光点と第２レーザ光Ｌ３の発光点との間隔は１２０マイクロメータ以下とされる。第１エレメントは、６５０ナノメータ波長帯でありＤＶＤ記録のために大電流駆動される。

図１３及び図１４は、図１２に例示した２波長半導体レーザアレイ１０がパッケージに組み込まれた模式図である。すなわち、図１３は、その模式平面図であり、図１４は、模式立面図である。なお、これらの図面については、図２及び図３に関して前述したものと同様の要素には同一の番号を付して詳細な説明は省略する。
記録用途であるＤＶＤ−ＲＷにおいては、再生用途であるＣＤよりも光学上の収差に対する仕様が厳しい。このために６５０ナノメータ波長帯であるレーザ光Ｌ４を光軸中心としやすいようにパッケージの中心に接着される。レーザ光Ｌ４は、第１レーザエレメントから放射されるが、発光点位置はチップの中心ではない。従って、熱流は一方の側に偏るために放熱性は、第１具体例と比べると劣る。

図１５は、Ｔｃ＝７５℃における光出力−順方向電流特性を、第１具体例と比較例とで対比して表したグラフ図である。
比較例においては、順電流が２５０ｍＡを越えると急激に飽和し、１２５ｍＷ以上の出力が得られない。従ってＤＶＤ−ＲＷ用途の仕様を満足しない。一方、第１具体例においては、出力飽和が小さく、１４０ｍＷ以上の出力が得られている。この結果、第１具体例においてはＤＶＤ−ＲＷ用途に充分対応できる。

ＡＮＳＹＳ（汎用有限要素プログラム；伝熱、流体、電磁場、圧電などの解析プログラム）を用いた熱解析プログラムによれば、第１具体例における６５０ナノメータ帯のヘテロ接合の最高温度が約８７℃であるのに対し、比較例においては約９３℃であり最大発振温度以上となっている。このことは、出力飽和の発生をよく説明できる。

図１６は、本発明の第２具体例にかかる３波長半導体レーザアレイの断面構造を例示する模式図である。すなわち、同図も、半導体レーザ装置をレーザの光共振方向に対して略垂直に切断した断面構造を表す。
本具体例においては、４０５ナノメータ波長帯である青紫色レーザ光を放射する第１レーザエレメント１２０が、ほぼチップ中心に配置される。４０５ナノメータ波長帯のレーザ光は、次世代の高密度ＤＶＤにとって必要となる。この場合、６５０、７８０ナノメータ波長帯と合わせて３波長のレーザエレメントがモノリシックに集積されるのが好ましい。

青紫色を放射する窒化ガリウム系半導体レーザ素子においては、動作電圧が約４．５ボルトと高い。従って、Ｔｃ＝７５℃において、ＣＷ１００ｍＷを得るためには順電流は約１５０ｍＡ必要であり、この結果熱となる電力は約５７５ｍＷとなり、６５０ナノメータ波長帯の発熱量の約１．６倍になる。従って、青紫色を放射する第１レーザエレメント１２０の光軸をチップ中心に配置して放熱性を良好に保つことが好ましい。また、第２レーザエレメント１５２と、第３レーザエレメント１５４とは、第１レーザエレメント１２０をはさんで互いに反対側の位置にあることが好ましい。

この場合、光学系における球面収差やコマ収差を低減するために、チップ中心に位置する第１レーザエレメント１２０と第２レーザエレメント１５２との発光点間距離、及び第１レーザエレメント１２０と第３レーザエレメント１５４との発光点間距離は、１２０マイクロメータ以下であることが好ましくい。

次に、３波長半導体レーザアレイ１１の構造についてさらに詳細に説明する。このレーザアレイ１１は、ＳｉＣ基板１２２の上に、６５０ナノメータ波長帯である第２レーザエレメント１５２と、７８０ナノメータ波長帯である第３レーザエレメント１５４と、４０５ナノメータ波長帯である第１レーザエレメント１２０と、が集積された構造を有する。ここで「４０５ナノメータ波長帯」とは、４０５プラスマイナス２０ナノメータの範囲を意味する。

４０５ナノメータ波長帯である第１レーザエレメント１２０においては、ＳｉＣ基板１２２上に、ＧａＮバッファー層１２４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ型ＧａＮガイド層１０４、ＭＱＷ活性層１０６、ｐ^＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層１０８、ｐ型ＧａＮガイド層１１０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１２、ｐ^＋型ＧａＮコンタクト層がこの順に積層されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１２は、リッジ断面形状を有し側面には絶縁膜１１６が被着されており、水平横方向に光閉じ込めがなされる。本具体例は、絶縁膜１１６による実屈折率導波型構造であるので、光損失が少なく高出力が得られる。リッジ上面にはｐ側電極１１８が形成されている。本具体例における第１レーザエレメント１２０とは、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２以上でｐ側電極１１８までの領域を意味する。リッジ底面幅は１〜３マイクロメータ、リッジ高さは０．１〜１．０マイクロメータとすることができる。

なお、第２レーザエレメント１５２、第３レーザエレメント１５４は、図６に例示した具体例における６５０ナノメータ波長帯のレーザエレメント５２、７８０ナノメータ波長帯のレーザエレメント５４に対応するので詳細な説明を省略する。ただし、ＳｉＣ基板１２２上に形成されるために、ｎ型ＧａＡｓバッファー層１２６及び１２８を介して積層がなされる。いずれの積層もＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより成長できる。なお、第１レーザエレメント１２０、第２レーザエレメント１５２、第３レーザエレメント１５４は、「アップサイドダウン」接着のためにほぼ同一の高さであることが好ましい。

積層形成の順序は特に規定されないが、ＭＯＣＶＤ法を用いる場合ＧａＮやＡｌＧａＮの成長温度は約１０００℃程度であり、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰなどの成長温度（７００〜８５０℃）より高いために、最初に第１エレメント１２０を積層することが好ましい。

本具体例にかかるモノリシック３波長半導体レーザ装置において、発熱の大きい青紫色を放射する第１レーザエレメント１２０をほぼチップ中心に配置し、外部への放熱性を改善することにより、次世代ＤＶＤディスクドライブの高性能化、小型化、高速化が可能となる。

次に、本具体例における他の効果について説明をする。比較例のような構造においては、いずれか一方のレーザ光発光点を光学軸に合わせると光学収差を低減しやすい。これは、いずれか一方のレーザ光発光点をパッケージ中心軸に合わせることにより実現できる。

しかしながら、比較例においてはいずれのレーザ光発光点もチップの中心線上にはない。従って、チップをパッケージに接着する場合に機械的な位置合わせは困難であり、チップ平面パターン及びパッケージパターンを画像認識したのち、チップ位置をオフセットしてチップ接着を行う。これを行うには、自動組み立て装置に画像認識および機械的オフセット機構を備えることが必要となる。また、組み立てに要するタクトタイムも増加するので、生産性が低下する。このような設備の高度化や生産性の低下は、ＤＶＤレコーダのような量産化を必要とする製品にとっては、望ましくない。レーザ光発光点の一つを、チップ断面中心線上に配置する本具体例において、このような問題が解決できる。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明した。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、基板としては、ＧａＡｓ，ＳｉＣに限定されず、ＧａＮ，サファイヤなどを用いることもできる。
その他、半導体レーザ装置を構成する各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。

本発明の第１具体例にかかる半導体レーザアレイにおける熱流を表す模式断面図である。 本発明の第１具体例にかかる２波長半導体レーザ装置を表す模式平面図である。 本発明の第１具体例にかかる２波長半導体レーザ装置を表す模式立面図である。 ６５０ナノメータ波長帯の記録用高出力半導体レーザ装置における光出力−順電流特性を表すグラフ図である。 ７８０ナノメータ波長帯の再生用半導体レーザ装置における光出力−順電流特性を表すグラフ図である。 本発明の第１具体例にかかる半導体レーザアレイを表す模式断面図である。 本発明の第１具体例の製造工程の要部を表す工程断面図である。 本発明の第１具体例の製造工程の要部を表す工程断面図である。 本発明の第１具体例の製造工程の要部を表す工程断面図である。 本発明の第１具体例の製造工程の要部を表す工程断面図である。 本発明の第１具体例の製造工程の要部を表す工程断面図である。 比較例にかかる２波長半導体レーザアレイを表す模式断面図である。 比較例にかかる２波長半導体レーザ装置の模式平面図である。 比較例にかかる２波長半導体レーザ装置の模式立面図である。 ６５０ナノメータ波長帯における光出力−順電流特性に関して、第１具体例と比較例との対比を表すグラフ図である。 本発明の第２具体例にかかる半導体レーザアレイを表す模式断面図である。

符号の説明

１０ ２波長半導体レーザアレイ
１１ ３波長半導体レーザアレイ
１２ ｎ側電極
１４ 第１ｐ側電極
１６ 第２ｐ側電極
１８ 第１導電パターン
２０ 第２導電パターン
２２ 絶縁板
２４ 金属ブロック
２６ 熱流
２８ 熱流
４０ 第１リード
４２ ボンディングワイヤ
４４ 第２リード
４６ ボンディングワイヤ
５２ 第１レーザエレメント
５４ 第２レーザエレメント
５６ 分離溝
６０ 基板
６２ ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
６４ ＩｎＧａＡｌＰガイド層
６６ ＭＱＷ活性層
６８ ＩｎＧａＡｌＰガイド層
７０ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
７１ 絶縁膜
７２ ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層
７４ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
７６ ｐ型ＩｎＧａＰ中間層
７８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８２ ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
８４ ＩｎＧａＡｌＰガイド層
８６ ＭＱＷ活性層
８８ ＩｎＧａＡｌＰガイド層
９０ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
９２ ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層
９４ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
９６ ｐ型ＩｎＧａＰ中間層
９８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１０２ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
１０４ ｎ型ＧａＮガイド層
１０６ ＭＱＷ活性層
１０８ ｐ^＋型オーバーフロー防止層
１１０ ｐ型ＧａＮガイド層
１１２ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
１１４ ｐ^＋型ＧａＮコンタクト層
１１６ 絶縁膜
１１８ ｐ側電極
１２０ 第１レーザエレメント（第２具体例）
１２２ ＳｉＣ基板
１２４ ＧａＮバッファー層
１２６ ｎ型ＧａＡｓバッファー層
１２８ ｎ型ＧａＡｓバッファー層
１５２ 第２レーザエレメント（第２具体例）
１５４ 第３レーザエレメント（第２具体例）

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の主面上にモノリシックに形成され、互いに異なる波長のレーザ光を放射する複数のレーザエレメントと、
   を備え、
   前記複数のレーザエレメントのうちで最短の波長のレーザ光を放射する第１レーザエレメントの発光点は、前記第１レーザエレメントの光軸と直交する面内において、前記主面に対して平行な方向にみた前記基板の中心線の上に実質的に位置することを特徴とする半導体レーザアレイ。
2. 前記第１レーザエレメントは、他のレーザエレメントより高い光出力を放射することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ。
3. 前記第１レーザエレメントからの放射光は６５０ナノメータ波長帯であり、
   第２レーザエレメントからの放射光は７８０ナノメータ波長帯であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザアレイ。
4. 前記複数のレーザエレメントは、前記第１レーザエレメントのほかに第２レーザエレメントと第３レーザエレメントとを有し、
   前記第１レーザエレメントからの放射光は４０５ナノメータ波長帯であり、
   前記第２レーザエレメントからの放射光は６５０ナノメータ波長帯であり、
   前記第３レーザエレメントからの放射光は７８０ナノメータ波長帯であり、
   前記第２レーザエレメントと前記第３レーザエレメントとは、前記第１レーザエレメントをはさんで互いに反対側に位置することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザアレイ。
5. マウント面を有する基体と、
   前記マウント面の上に搭載された請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザアレイと、
   を備え、
   前記第１レーザエレメントの前記発光点は、前記第１レーザエレメントの光軸と直交する面内において、前記マウント面に対して平行な方向にみた前記基体の中心線の上に実質的に位置することを特徴とする半導体レーザ装置。
   
   

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