JP4126873B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4126873B2 JP4126873B2 JP2000386651A JP2000386651A JP4126873B2 JP 4126873 B2 JP4126873 B2 JP 4126873B2 JP 2000386651 A JP2000386651 A JP 2000386651A JP 2000386651 A JP2000386651 A JP 2000386651A JP 4126873 B2 JP4126873 B2 JP 4126873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- red
- infrared
- laser device
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置、特に２種類の半導体レーザを集積して２波長のレーザを出力する半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、コンパクトディスク（ＣＤ）用の光源として用いられる発振波長が７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）の赤外半導体レーザと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）用の光源として用いられる発振波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の赤色半導体レーザとを集積した２波長の半導体レーザ装置は、低コスト、小型化という観点から新しい光ピックアップの光源として注目されており、特開平０１―２７２１７７や特開平１１―１８６６５１などに開示されている。
【０００３】
以下、従来の２波長の半導体レーザ装置について図６を参照しながら説明する。
【０００４】
図６（ａ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を示す外観斜視図であり、図６（ｂ）は、その従来の２波長の半導体レーザ装置をヒートシンクに実装したときの外観斜視図である。
【０００５】
図６（ａ）に示すように、従来の２波長の半導体レーザ装置１０１は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１０２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ１０３と発振波長が７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料からなる赤外半導体レーザ１０４が分離溝１０５を介して集積されている。
【０００６】
赤色半導体レーザ１０３は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層１０６、活性層１０７、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層１０８、ｎ型のＧａＡｓからなる電流ブロック層１０９及びｐ型の電極１１０が順次積層されて形成されている。
【０００７】
一方、赤外半導体レーザ１０４においては、基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１１３、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層１１４及びｐ型の電極１１５が順次積層されて形成されている。
【０００８】
また、基板１０２の半導体レーザが形成されていない側の面には、ｎ型の電極１１６が形成されている。
【０００９】
以上のような２波長の半導体レーザ装置１０１は、赤色半導体レーザ１０３のチップ幅Ｗと赤外半導体レーザ１０４のチップ幅Ｗが同じになるように、分離溝１０５が設けられている。分離溝１０５により、同一基板上に結晶成長により形成した赤色半導体レーザ部分と赤外半導体レーザ部分とがエッチングにより電気的に分離している。
【００１０】
また、図６（ｂ）に示すように、赤色半導体レーザ１０３及び赤外半導体レーザ１０４のそれぞれに対応した放熱材であるヒートシンク１１７、１１８の上にジャンクションダウンで実装することでそれぞれの半導体レーザの独立駆動を可能としている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般に半導体レーザは、温度上昇に伴って光出力が低下するという特性を有する。従って、半導体レーザの駆動時における半導体レーザ自身が発生する熱を十分に放熱させる必要があるため、熱伝導率の高いヒートシンクにジャンクションダウンで実装される。その際、ヒートシンクに接している半導体レーザの面積が大きいほど放熱が良くなることは明らかであるが、２波長の半導体レーザ装置の場合、２つの半導体レーザを単に接触して並べたのでは、２つの半導体レーザが電気的に接続されてしまうため、２つの半導体レーザの間には、分離溝を設ける必要がある。しかし、２つの半導体レーザを並べたものと同じ寸法の２波長の半導体レーザ装置を作製すると、その分離溝により放熱する面積が低減し、放熱の効率が低下してしまうという問題があった。
【００１２】
また、放熱を良くしようと各々の半導体レーザの面積を大きくしてしまうと、小型化が可能であるという２波長の半導体レーザ装置の特徴が失われてしまう。
【００１３】
特に、この分離溝を設けて放熱面積を小さくすることによる放熱効率の低下は、赤色半導体レーザのように半導体材料の熱伝導率が小さい場合などは深刻である。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、分離溝の形成位置を工夫し、集積された複数の半導体レーザの他の装置との電気的接続部分である接続面積を互いに変えることで、低コスト、小型でかつ放熱の良い２波長の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る第１の半導体レーザ装置は、半導体層で構成され、かつ赤色光を放射する第１の半導体レーザと、半導体層で構成され、かつ赤外光を放射する第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、前記第１の半導体レーザが前記第２の半導体レーザとは異なる他の装置と接続される第１部位を有し、前記第２の半導体レーザが前記第１の半導体レーザとは異なる他の装置と接続される第２部位を有し、前記第１部位と前記他の装置とが接続する接続面積をＳ１、前記第２部位と前記他の装置とが接続する接続面積をＳ２、前記第１の半導体レーザの熱伝導率をκ１、
前記第２の半導体レーザの熱伝導率をκ２とすると、κ１≦κ２、かつ、Ｓ１＞Ｓ２の関係が成立することを特徴とするものである。
【００１６】
第１の半導体レーザ装置では、熱伝導率が小さい材料で構成されている方の半導体レーザの部位の接続面積を熱伝導率が大きい材料で構成されている方の半導体レーザの部位よりも大きくすることで、半導体レーザ装置全体の大きさを大きくすることなく、集積された２つの半導体レーザとも十分に放熱することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体レーザ装置における実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図１を参照しながら説明する。なお、図１は、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１の外観斜視図である。
【００２１】
図１に示すように、同じｎ型のＧａＡｓからなる基板２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ（第１の半導体レーザ）３と発振波長が７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料からなる赤外半導体レーザ（第２の半導体レーザ）４とが形成されている。赤色半導体レーザ３と赤外半導体レーザ４とは分離溝５を介して形成されている。
【００２２】
赤色半導体レーザ３は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層６、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎＰからなる多重量子井戸構造の活性層７及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層８が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層８中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層９が設けられ、活性層７に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００２３】
一方、赤外半導体レーザ４は、基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、ＡｌＧａＡｓ及びＧａＡｓからなる多重量子井戸構造の活性層１１、及びｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層１３が設けられ、活性層１１に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００２４】
また、基板１における赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４が形成されていない側の面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなるｎ型の電極１４が形成されている。さらに、赤色半導体レーザ３のクラッド層８の上には、ｐ型の電極１５が形成され、赤外半導体レーザ４のクラッド層１２の上には、ｐ型の電極１６が形成されている。ｐ型の電極１５、１６は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなる。
【００２５】
また、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の各半導体層におけるＡｌ組成及び膜厚を表１に示す。なお、赤色半導体レーザ３では（ＡｌXＧａ1-X）0.5Ｉｎ0.5ＰのＡｌ組成、赤外半導体レーザ４ではＡｌXＧａ1-XのＡｌ組成を示している。
【００２６】
【表１】
【００２７】
次に、上述のように構成された半導体レーザ装置１をジャンクションダウンにより放熱材であるヒートシンクに実装した場合の放熱について説明する。このとき、第１部位となる赤色半導体レーザ３のｐ型の電極１５及び第２部位となる赤外半導体レーザ４のｐ型の電極１６のそれぞれがヒートシンク（放熱材）に接続される。
【００２８】
ここで、第１部位及び第２部位とは、半導体レーザ装置とヒートシンクあるいは半導体レーザが接続されるその他の装置（以下、「ヒートシンク等」という）とを接続するときにおける両半導体レーザのヒートシンク等と接続される部分のことをいう。第１の実施形態における部位は、前述のように、電極１５（第１部位）及び電極１６（第２部位）をいう。
【００２９】
また、部位とは、各半導体レーザから発生する熱を半導体レーザの外部に放熱する部分をいい、接続面積とは、その部位とヒートシンク等とが接続されて接触する実質的な接触面積のことをいう。赤色半導体レーザ３から発生する熱を放熱する電極１５の接続面積Ｓ１は、赤色半導体レーザ３における共振器長をＬ１、チップ幅をＷ１とするとＬ１とＷ１の積で表される。さらに、赤外半導体レーザ４から発生する熱を放熱する電極１６の接続面積Ｓ２は、赤外半導体レーザ４における共振器長をＬ２、チップ幅をＷ２とするとＬ２とＷ２の積で表される。
【００３０】
なお、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の各々の接続面積の大きさは、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の間の分離溝５の形成位置を変えることで決定される。
【００３１】
また、赤色半導体レーザ３の熱抵抗をＲth1、赤外半導体レーザ４の熱抵抗をＲth2とする。一般的に、薄膜材料の熱抵抗Ｒthは材料の熱伝導率をκ、膜厚をｄ、面積をＳとすると、Ｒth=（１／κ）×（ｄ／Ｓ）と定義され、特に半導体レーザの場合には、主な発熱源である活性層からヒートシンクまでの各層の熱抵抗の和で近似される。なお、赤色半導体レーザ３における熱抵抗Ｒth1、Ｓ１、膜厚の和ｄ１から求められる赤色半導体レーザ３の熱伝導率κ１は、赤外半導体レーザ３の各半導体層の熱伝導率の平均値であり、実質的な赤色半導体レーザ３の熱伝導率である。同様に、赤外半導体レーザ４における熱抵抗Ｒth2、Ｓ２、膜厚の和ｄ２から求められる赤外半導体レーザ４の熱伝導率κ２は、赤外半導体レーザ４の各半導体層の熱伝導率の平均値であり、実質的な赤外半導体レーザ４の熱伝導率である。
【００３２】
このときの各半導体レーザの接続面積Ｓ１、Ｓ２と熱抵抗Ｒth1、Ｒth2の関係を図２に示す。なお、横軸は赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１と赤色及び赤外半導体レーザ３、４の接続面積の和（Ｓ１＋Ｓ２）との面積比である。
【００３３】
図２において、面積比が０．５、即ちＳ１＝Ｓ２の場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗Ｒth1の値はＡ点で示され、赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2の値はＢ点で示される。この場合、Ｒth1＞Ｒth2となっているが、これは赤色半導体レーザ３を構成するＡｌＧａＩｎＰ系の材料の熱伝導率（例えば、ＧａＩｎＰの熱伝導率は０．０５３Ｗ／Ｋｃｍである）が、赤外半導体レーザ４を構成するＧａＡｓ系の材料の熱伝導率（例えば、ＧａＡｓの熱伝導率は０．４８Ｗ／Ｋｃｍ）よりも小さいためである。従って、Ｓ１＝Ｓ２となるように分離溝５を形成した場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗が大きくなるので、駆動時の発熱を十分に放熱できず光出力が低下してしまうことになる。
【００３４】
図２に示すように、赤色半導体レーザ３の熱抵抗Ｒth1を小さくするためには、面積比を大きく（Ｓ１＞Ｓ２）すればよい。この場合、逆に赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2は大きくなってしまうが、赤外半導体レーザ４の熱抵抗は元々小さいので、赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2があまり大きくならない範囲で熱抵抗Ｒth2を選べばよい。例えば図２におけるＣ点（Ｒth1＝Ｒth2）はそのような場合の一例である。Ｃ点における各半導体レーザの接続面積を選択することにより、赤色半導体レーザ３の熱抵抗を赤外半導体レーザ４の熱抵抗と同程度まで低減でき、十分な放熱特性を実現できる。
【００３５】
なお、図２に示すように、面積比は、０．５から０．８の範囲となるようにすれば、従来における半導体レーザ装置（面積比をＳ１＝Ｓ２とした場合）よりも優れた効果が現れていることが分かる。
【００３６】
次に、ｐ型の電極１５あるいは電極１６の厚さと熱抵抗の関係について、図３を用いて説明する。図３は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型の電極の厚さと熱抵抗の関係を示す図である。
【００３７】
図３に示すように、電極の厚さが約１μｍより厚い領域では、前述の熱抵抗の定義Ｒth=（１／κ）×（ｄ／Ｓ）により決まるように、電極の厚さｄに比例して熱抵抗が大きくなっていることがわかる。しかし、電極の主要材料であるＡｕの熱伝導率（３．２Ｗ／Ｋｃｍ） は、半導体層の材料に比べて１桁以上大きいので電極の厚さの増加による熱抵抗の増加は全体の熱抵抗に比して小さく無視できる。ところが図３に示すように、電極の厚さが約１μｍより薄くなってくると、放熱効果の大きい（熱伝導率の大きい）金属電極による放熱が十分行われなくなるので、熱抵抗としては逆に大きくなり無視できなくなってくる。従って、電極の厚さとしては約１μｍ以上が望ましい。
【００３８】
以上より、熱伝導率が小さい赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１を、赤外半導体レーザ４の接続面積Ｓ２よりも大きくするように分離溝５の形成位置を変えることにより、半導体レーザ装置１の大きさを大きくすることなく熱抵抗による弊害を改善し、熱伝導率の良い赤外半導体レーザ４と同程度の放熱特性を有する２波長の半導体レーザ装置を実現することができる。
【００３９】
また、第１の実施形態において部位となるｐ型の電極１５、１６の厚さを１μｍ以上とすることで熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することができるという利点がある。
【００４０】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１７の外観斜視図である。
【００４１】
第２の実施形態では、同じｎ型のＧａＡｓからなる基板１８上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる高出力の赤色半導体レーザ（第１の半導体レーザ）１９及び低出力の赤色半導体レーザ（第２の半導体レーザ）２０が分離溝２１を介して形成されている。
【００４２】
高出力の赤色半導体レーザ１９は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２２、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎＰからなる多重量子井戸構造の活性層２３及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２４が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２４中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層２５が設けられ、活性層２３に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００４３】
一方、低出力の赤色半導体レーザ２０は、基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２６、ＡｌＧａＩｎＰからなるバルク活性層２７及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２８が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２８中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層２９が設けられ、バルク活性層２７に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００４４】
また、基板１８における赤色半導体レーザ１９、２０が形成されていない側の面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなるｎ型の電極３０が形成されている。さらに、高出力の赤色半導体レーザ１９のクラッド２４の上には、第１部位であるｐ型の電極３１が形成され、低出力の赤色半導体レーザ２０のクラッド層２８の上には、第２部位であるｐ型の電極３２が形成されている。ｐ型の電極３１、３２は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなる。
【００４５】
ここで、第１部位及び第２部位とは、半導体レーザ装置とヒートシンク等とを接続するときにおける両半導体レーザのヒートシンク等と接続される部分のことをいう。第２の実施形態における部位は、電極３１（第１部位）及び電極３２（第２部位）をいう。
【００４６】
また、第２の実施形態に係る高出力の赤色半導体レーザ１９から発生する熱を放熱する電極３１の接続面積Ｓ３は、赤色半導体レーザ１９における共振器長をＬ３、チップ幅をＷ４とするとＬ３とＷ４の積で表される。さらに、低出力の赤色半導体レーザ２０から発生する熱を放熱する電極３２の接続面積Ｓ４は、赤色半導体レーザ２０における共振器長をＬ４、チップ幅をＷ４とするとＬ４とＷ４の積で表される。
【００４７】
なお、高出力の赤色半導体レーザ１９及び低出力の赤色半導体レーザ２０の各々の接続面積の大きさは、赤色半導体レーザ１９及び赤色半導体レーザ２０の間の分離溝２１の形成位置を変えることで決定される。
【００４８】
次に、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１７の動作について図５を参照しながら説明する。図５は、高出力の赤色半導体レーザ１９及び低出力の赤色半導体レーザ２０の光出力―電流特性を示す図である。
【００４９】
バルク活性層を有する低出力の赤色半導体レーザ２０の電流の閾値は３０ｍＡであり、光出力が約９ｍＷ程度で熱飽和している。この低出力の赤色半導体レーザ２０は、光ディスクシステムの読み出し用に用いられ、通常５ｍＷの光出力で用いられる。図５に示すように、光出力が５ｍＷのときの動作電流は５０ｍＡである。
【００５０】
一方、多重量子井戸活性層を有する高出力の赤色半導体レーザ１９の電流の閾値は２０ｍＡであり、３０ｍＷ以上の高い光出力を得ることができる。この高出力の赤色半導体レーザ２０は、光ディスクシステムの書き込み用に用いられ、通常３５ｍＷの光出力で用いられる。図５に示すように、光出力が３５ｍＷのときの動作電流は５８ｍＡである。
【００５１】
以上のように、ある電流値に対する高出力の赤色半導体レーザ１９の光出力の値（光出力値）Ｐ１とその電流値に対する低出力の赤色半導体レーザ２０の光出力値Ｐ２を比べると、高出力半導体レーザ１９の方がその光出力値が大きい（Ｐ１＞Ｐ）ことがわかる。また、高出力の赤色半導体レーザ１９の方が低出力の赤色半導体レーザ２０よりも動作電流は大きくなる。
【００５２】
従って、高出力の赤色半導体レーザ１９の方が低出力の赤色半導体レーザ２０よりも発熱が大きくなるので、高出力の赤色半導体レーザ１９の接続面積Ｓ３よりも低出力の半導体レーザ２０の接続面積Ｓ４を大きくする（Ｓ３＞Ｓ４）ような位置に分離溝２１を形成する。
【００５３】
このように、分離溝２１の形成位置を変えて２つの半導体レーザの接続面積の大きさを変えることにより、半導体レーザ装置１７の大きさを大きくすることなく、高出力の赤色半導体レーザ１９の方の熱抵抗を下げることができ、高出力の赤色半導体レーザ１９の放熱特性は、低出力の赤色半導体レーザ２０の放熱特性よりも良くすることが可能となる。
【００５４】
なお、第２の実施形態では、赤色半導体レーザにおける高出力用半導体レーザと低出力用半導体レーザについて説明したが、赤色半導体レーザに限らず、赤外半導体レーザ、青紫色半導体レーザ等のその他の半導体レーザにおける高出力用、低出力用の半導体レーザにも応用できる。
【００５５】
また、第１の実施形態と同様に、部位となるｐ型の電極３１、３２の厚さを１μｍ以上とすることで熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することができるという利点がある。
【００５６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、熱伝導率がκ１の半導体材料で構成された第１の半導体レーザの接続面積Ｓ１が、熱伝導率がκ１よりも大きい熱伝導率κ２の半導体材料で構成された第２の半導体レーザの接続面積Ｓ２より大きくすることで、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を実現することができる。
【００５７】
また、動作電流が大きくなる高出力の半導体レーザの接続面積Ｓ３が、低出力の半導体レーザの接続面積Ｓ４よりも大きくすることでも、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図
【図２】半導体レーザの放熱面の面積と熱抵抗との関係を示す特性図
【図３】ｐ型の電極の厚さと熱抵抗の関係を示す特性図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図
【図５】高出力の赤色半導体レーザ及び低出力の赤色半導体レーザの光出力―電流特性を示す図
【図６】（ａ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を示す外観斜視図
（ｂ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を実装したときの外観斜視図
【符号の説明】
１、１７、１０１ 半導体レーザ装置
２、１８、１０２ 基板
３、１９、２０、１０３ 赤色半導体レーザ
４、１０４ 赤外半導体レーザ
５、２１、１０５ 分離溝
６、８、１０、１２、２２、２４、２６、２８、１０６、１０８、１１１、１１３ クラッド層
７、１１、２３、１０７、１１２ 活性層
９、１３、２５、２９、１０９、１１４ 電流ブロック層
１４、１５、１６、３０、３１、３２、１１０、１１５、１１６ 電極
２７ バルク活性層
１１７、１１８ ヒートシンク
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置、特に２種類の半導体レーザを集積して２波長のレーザを出力する半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、コンパクトディスク（ＣＤ）用の光源として用いられる発振波長が７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）の赤外半導体レーザと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）用の光源として用いられる発振波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の赤色半導体レーザとを集積した２波長の半導体レーザ装置は、低コスト、小型化という観点から新しい光ピックアップの光源として注目されており、特開平０１―２７２１７７や特開平１１―１８６６５１などに開示されている。
【０００３】
以下、従来の２波長の半導体レーザ装置について図６を参照しながら説明する。
【０００４】
図６（ａ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を示す外観斜視図であり、図６（ｂ）は、その従来の２波長の半導体レーザ装置をヒートシンクに実装したときの外観斜視図である。
【０００５】
図６（ａ）に示すように、従来の２波長の半導体レーザ装置１０１は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１０２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ１０３と発振波長が７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料からなる赤外半導体レーザ１０４が分離溝１０５を介して集積されている。
【０００６】
赤色半導体レーザ１０３は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層１０６、活性層１０７、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層１０８、ｎ型のＧａＡｓからなる電流ブロック層１０９及びｐ型の電極１１０が順次積層されて形成されている。
【０００７】
一方、赤外半導体レーザ１０４においては、基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１１３、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層１１４及びｐ型の電極１１５が順次積層されて形成されている。
【０００８】
また、基板１０２の半導体レーザが形成されていない側の面には、ｎ型の電極１１６が形成されている。
【０００９】
以上のような２波長の半導体レーザ装置１０１は、赤色半導体レーザ１０３のチップ幅Ｗと赤外半導体レーザ１０４のチップ幅Ｗが同じになるように、分離溝１０５が設けられている。分離溝１０５により、同一基板上に結晶成長により形成した赤色半導体レーザ部分と赤外半導体レーザ部分とがエッチングにより電気的に分離している。
【００１０】
また、図６（ｂ）に示すように、赤色半導体レーザ１０３及び赤外半導体レーザ１０４のそれぞれに対応した放熱材であるヒートシンク１１７、１１８の上にジャンクションダウンで実装することでそれぞれの半導体レーザの独立駆動を可能としている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般に半導体レーザは、温度上昇に伴って光出力が低下するという特性を有する。従って、半導体レーザの駆動時における半導体レーザ自身が発生する熱を十分に放熱させる必要があるため、熱伝導率の高いヒートシンクにジャンクションダウンで実装される。その際、ヒートシンクに接している半導体レーザの面積が大きいほど放熱が良くなることは明らかであるが、２波長の半導体レーザ装置の場合、２つの半導体レーザを単に接触して並べたのでは、２つの半導体レーザが電気的に接続されてしまうため、２つの半導体レーザの間には、分離溝を設ける必要がある。しかし、２つの半導体レーザを並べたものと同じ寸法の２波長の半導体レーザ装置を作製すると、その分離溝により放熱する面積が低減し、放熱の効率が低下してしまうという問題があった。
【００１２】
また、放熱を良くしようと各々の半導体レーザの面積を大きくしてしまうと、小型化が可能であるという２波長の半導体レーザ装置の特徴が失われてしまう。
【００１３】
特に、この分離溝を設けて放熱面積を小さくすることによる放熱効率の低下は、赤色半導体レーザのように半導体材料の熱伝導率が小さい場合などは深刻である。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、分離溝の形成位置を工夫し、集積された複数の半導体レーザの他の装置との電気的接続部分である接続面積を互いに変えることで、低コスト、小型でかつ放熱の良い２波長の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る第１の半導体レーザ装置は、半導体層で構成され、かつ赤色光を放射する第１の半導体レーザと、半導体層で構成され、かつ赤外光を放射する第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、前記第１の半導体レーザが前記第２の半導体レーザとは異なる他の装置と接続される第１部位を有し、前記第２の半導体レーザが前記第１の半導体レーザとは異なる他の装置と接続される第２部位を有し、前記第１部位と前記他の装置とが接続する接続面積をＳ１、前記第２部位と前記他の装置とが接続する接続面積をＳ２、前記第１の半導体レーザの熱伝導率をκ１、
前記第２の半導体レーザの熱伝導率をκ２とすると、κ１≦κ２、かつ、Ｓ１＞Ｓ２の関係が成立することを特徴とするものである。
【００１６】
第１の半導体レーザ装置では、熱伝導率が小さい材料で構成されている方の半導体レーザの部位の接続面積を熱伝導率が大きい材料で構成されている方の半導体レーザの部位よりも大きくすることで、半導体レーザ装置全体の大きさを大きくすることなく、集積された２つの半導体レーザとも十分に放熱することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体レーザ装置における実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図１を参照しながら説明する。なお、図１は、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１の外観斜視図である。
【００２１】
図１に示すように、同じｎ型のＧａＡｓからなる基板２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ（第１の半導体レーザ）３と発振波長が７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料からなる赤外半導体レーザ（第２の半導体レーザ）４とが形成されている。赤色半導体レーザ３と赤外半導体レーザ４とは分離溝５を介して形成されている。
【００２２】
赤色半導体レーザ３は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層６、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎＰからなる多重量子井戸構造の活性層７及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層８が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層８中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層９が設けられ、活性層７に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００２３】
一方、赤外半導体レーザ４は、基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、ＡｌＧａＡｓ及びＧａＡｓからなる多重量子井戸構造の活性層１１、及びｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層１３が設けられ、活性層１１に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００２４】
また、基板１における赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４が形成されていない側の面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなるｎ型の電極１４が形成されている。さらに、赤色半導体レーザ３のクラッド層８の上には、ｐ型の電極１５が形成され、赤外半導体レーザ４のクラッド層１２の上には、ｐ型の電極１６が形成されている。ｐ型の電極１５、１６は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなる。
【００２５】
また、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の各半導体層におけるＡｌ組成及び膜厚を表１に示す。なお、赤色半導体レーザ３では（ＡｌXＧａ1-X）0.5Ｉｎ0.5ＰのＡｌ組成、赤外半導体レーザ４ではＡｌXＧａ1-XのＡｌ組成を示している。
【００２６】
【表１】
次に、上述のように構成された半導体レーザ装置１をジャンクションダウンにより放熱材であるヒートシンクに実装した場合の放熱について説明する。このとき、第１部位となる赤色半導体レーザ３のｐ型の電極１５及び第２部位となる赤外半導体レーザ４のｐ型の電極１６のそれぞれがヒートシンク（放熱材）に接続される。
【００２８】
ここで、第１部位及び第２部位とは、半導体レーザ装置とヒートシンクあるいは半導体レーザが接続されるその他の装置（以下、「ヒートシンク等」という）とを接続するときにおける両半導体レーザのヒートシンク等と接続される部分のことをいう。第１の実施形態における部位は、前述のように、電極１５（第１部位）及び電極１６（第２部位）をいう。
【００２９】
また、部位とは、各半導体レーザから発生する熱を半導体レーザの外部に放熱する部分をいい、接続面積とは、その部位とヒートシンク等とが接続されて接触する実質的な接触面積のことをいう。赤色半導体レーザ３から発生する熱を放熱する電極１５の接続面積Ｓ１は、赤色半導体レーザ３における共振器長をＬ１、チップ幅をＷ１とするとＬ１とＷ１の積で表される。さらに、赤外半導体レーザ４から発生する熱を放熱する電極１６の接続面積Ｓ２は、赤外半導体レーザ４における共振器長をＬ２、チップ幅をＷ２とするとＬ２とＷ２の積で表される。
【００３０】
なお、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の各々の接続面積の大きさは、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の間の分離溝５の形成位置を変えることで決定される。
【００３１】
また、赤色半導体レーザ３の熱抵抗をＲth1、赤外半導体レーザ４の熱抵抗をＲth2とする。一般的に、薄膜材料の熱抵抗Ｒthは材料の熱伝導率をκ、膜厚をｄ、面積をＳとすると、Ｒth=（１／κ）×（ｄ／Ｓ）と定義され、特に半導体レーザの場合には、主な発熱源である活性層からヒートシンクまでの各層の熱抵抗の和で近似される。なお、赤色半導体レーザ３における熱抵抗Ｒth1、Ｓ１、膜厚の和ｄ１から求められる赤色半導体レーザ３の熱伝導率κ１は、赤外半導体レーザ３の各半導体層の熱伝導率の平均値であり、実質的な赤色半導体レーザ３の熱伝導率である。同様に、赤外半導体レーザ４における熱抵抗Ｒth2、Ｓ２、膜厚の和ｄ２から求められる赤外半導体レーザ４の熱伝導率κ２は、赤外半導体レーザ４の各半導体層の熱伝導率の平均値であり、実質的な赤外半導体レーザ４の熱伝導率である。
【００３２】
このときの各半導体レーザの接続面積Ｓ１、Ｓ２と熱抵抗Ｒth1、Ｒth2の関係を図２に示す。なお、横軸は赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１と赤色及び赤外半導体レーザ３、４の接続面積の和（Ｓ１＋Ｓ２）との面積比である。
【００３３】
図２において、面積比が０．５、即ちＳ１＝Ｓ２の場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗Ｒth1の値はＡ点で示され、赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2の値はＢ点で示される。この場合、Ｒth1＞Ｒth2となっているが、これは赤色半導体レーザ３を構成するＡｌＧａＩｎＰ系の材料の熱伝導率（例えば、ＧａＩｎＰの熱伝導率は０．０５３Ｗ／Ｋｃｍである）が、赤外半導体レーザ４を構成するＧａＡｓ系の材料の熱伝導率（例えば、ＧａＡｓの熱伝導率は０．４８Ｗ／Ｋｃｍ）よりも小さいためである。従って、Ｓ１＝Ｓ２となるように分離溝５を形成した場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗が大きくなるので、駆動時の発熱を十分に放熱できず光出力が低下してしまうことになる。
【００３４】
図２に示すように、赤色半導体レーザ３の熱抵抗Ｒth1を小さくするためには、面積比を大きく（Ｓ１＞Ｓ２）すればよい。この場合、逆に赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2は大きくなってしまうが、赤外半導体レーザ４の熱抵抗は元々小さいので、赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2があまり大きくならない範囲で熱抵抗Ｒth2を選べばよい。例えば図２におけるＣ点（Ｒth1＝Ｒth2）はそのような場合の一例である。Ｃ点における各半導体レーザの接続面積を選択することにより、赤色半導体レーザ３の熱抵抗を赤外半導体レーザ４の熱抵抗と同程度まで低減でき、十分な放熱特性を実現できる。
【００３５】
なお、図２に示すように、面積比は、０．５から０．８の範囲となるようにすれば、従来における半導体レーザ装置（面積比をＳ１＝Ｓ２とした場合）よりも優れた効果が現れていることが分かる。
【００３６】
次に、ｐ型の電極１５あるいは電極１６の厚さと熱抵抗の関係について、図３を用いて説明する。図３は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型の電極の厚さと熱抵抗の関係を示す図である。
【００３７】
図３に示すように、電極の厚さが約１μｍより厚い領域では、前述の熱抵抗の定義Ｒth=（１／κ）×（ｄ／Ｓ）により決まるように、電極の厚さｄに比例して熱抵抗が大きくなっていることがわかる。しかし、電極の主要材料であるＡｕの熱伝導率（３．２Ｗ／Ｋｃｍ） は、半導体層の材料に比べて１桁以上大きいので電極の厚さの増加による熱抵抗の増加は全体の熱抵抗に比して小さく無視できる。ところが図３に示すように、電極の厚さが約１μｍより薄くなってくると、放熱効果の大きい（熱伝導率の大きい）金属電極による放熱が十分行われなくなるので、熱抵抗としては逆に大きくなり無視できなくなってくる。従って、電極の厚さとしては約１μｍ以上が望ましい。
【００３８】
以上より、熱伝導率が小さい赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１を、赤外半導体レーザ４の接続面積Ｓ２よりも大きくするように分離溝５の形成位置を変えることにより、半導体レーザ装置１の大きさを大きくすることなく熱抵抗による弊害を改善し、熱伝導率の良い赤外半導体レーザ４と同程度の放熱特性を有する２波長の半導体レーザ装置を実現することができる。
【００３９】
また、第１の実施形態において部位となるｐ型の電極１５、１６の厚さを１μｍ以上とすることで熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することができるという利点がある。
【００４０】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１７の外観斜視図である。
【００４１】
第２の実施形態では、同じｎ型のＧａＡｓからなる基板１８上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる高出力の赤色半導体レーザ（第１の半導体レーザ）１９及び低出力の赤色半導体レーザ（第２の半導体レーザ）２０が分離溝２１を介して形成されている。
【００４２】
高出力の赤色半導体レーザ１９は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２２、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎＰからなる多重量子井戸構造の活性層２３及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２４が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２４中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層２５が設けられ、活性層２３に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００４３】
一方、低出力の赤色半導体レーザ２０は、基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２６、ＡｌＧａＩｎＰからなるバルク活性層２７及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２８が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２８中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層２９が設けられ、バルク活性層２７に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００４４】
また、基板１８における赤色半導体レーザ１９、２０が形成されていない側の面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなるｎ型の電極３０が形成されている。さらに、高出力の赤色半導体レーザ１９のクラッド２４の上には、第１部位であるｐ型の電極３１が形成され、低出力の赤色半導体レーザ２０のクラッド層２８の上には、第２部位であるｐ型の電極３２が形成されている。ｐ型の電極３１、３２は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなる。
【００４５】
ここで、第１部位及び第２部位とは、半導体レーザ装置とヒートシンク等とを接続するときにおける両半導体レーザのヒートシンク等と接続される部分のことをいう。第２の実施形態における部位は、電極３１（第１部位）及び電極３２（第２部位）をいう。
【００４６】
また、第２の実施形態に係る高出力の赤色半導体レーザ１９から発生する熱を放熱する電極３１の接続面積Ｓ３は、赤色半導体レーザ１９における共振器長をＬ３、チップ幅をＷ４とするとＬ３とＷ４の積で表される。さらに、低出力の赤色半導体レーザ２０から発生する熱を放熱する電極３２の接続面積Ｓ４は、赤色半導体レーザ２０における共振器長をＬ４、チップ幅をＷ４とするとＬ４とＷ４の積で表される。
【００４７】
なお、高出力の赤色半導体レーザ１９及び低出力の赤色半導体レーザ２０の各々の接続面積の大きさは、赤色半導体レーザ１９及び赤色半導体レーザ２０の間の分離溝２１の形成位置を変えることで決定される。
【００４８】
次に、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１７の動作について図５を参照しながら説明する。図５は、高出力の赤色半導体レーザ１９及び低出力の赤色半導体レーザ２０の光出力―電流特性を示す図である。
【００４９】
バルク活性層を有する低出力の赤色半導体レーザ２０の電流の閾値は３０ｍＡであり、光出力が約９ｍＷ程度で熱飽和している。この低出力の赤色半導体レーザ２０は、光ディスクシステムの読み出し用に用いられ、通常５ｍＷの光出力で用いられる。図５に示すように、光出力が５ｍＷのときの動作電流は５０ｍＡである。
【００５０】
一方、多重量子井戸活性層を有する高出力の赤色半導体レーザ１９の電流の閾値は２０ｍＡであり、３０ｍＷ以上の高い光出力を得ることができる。この高出力の赤色半導体レーザ２０は、光ディスクシステムの書き込み用に用いられ、通常３５ｍＷの光出力で用いられる。図５に示すように、光出力が３５ｍＷのときの動作電流は５８ｍＡである。
【００５１】
以上のように、ある電流値に対する高出力の赤色半導体レーザ１９の光出力の値（光出力値）Ｐ１とその電流値に対する低出力の赤色半導体レーザ２０の光出力値Ｐ２を比べると、高出力半導体レーザ１９の方がその光出力値が大きい（Ｐ１＞Ｐ）ことがわかる。また、高出力の赤色半導体レーザ１９の方が低出力の赤色半導体レーザ２０よりも動作電流は大きくなる。
【００５２】
従って、高出力の赤色半導体レーザ１９の方が低出力の赤色半導体レーザ２０よりも発熱が大きくなるので、高出力の赤色半導体レーザ１９の接続面積Ｓ３よりも低出力の半導体レーザ２０の接続面積Ｓ４を大きくする（Ｓ３＞Ｓ４）ような位置に分離溝２１を形成する。
【００５３】
このように、分離溝２１の形成位置を変えて２つの半導体レーザの接続面積の大きさを変えることにより、半導体レーザ装置１７の大きさを大きくすることなく、高出力の赤色半導体レーザ１９の方の熱抵抗を下げることができ、高出力の赤色半導体レーザ１９の放熱特性は、低出力の赤色半導体レーザ２０の放熱特性よりも良くすることが可能となる。
【００５４】
なお、第２の実施形態では、赤色半導体レーザにおける高出力用半導体レーザと低出力用半導体レーザについて説明したが、赤色半導体レーザに限らず、赤外半導体レーザ、青紫色半導体レーザ等のその他の半導体レーザにおける高出力用、低出力用の半導体レーザにも応用できる。
【００５５】
また、第１の実施形態と同様に、部位となるｐ型の電極３１、３２の厚さを１μｍ以上とすることで熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することができるという利点がある。
【００５６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、熱伝導率がκ１の半導体材料で構成された第１の半導体レーザの接続面積Ｓ１が、熱伝導率がκ１よりも大きい熱伝導率κ２の半導体材料で構成された第２の半導体レーザの接続面積Ｓ２より大きくすることで、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を実現することができる。
【００５７】
また、動作電流が大きくなる高出力の半導体レーザの接続面積Ｓ３が、低出力の半導体レーザの接続面積Ｓ４よりも大きくすることでも、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図
【図２】半導体レーザの放熱面の面積と熱抵抗との関係を示す特性図
【図３】ｐ型の電極の厚さと熱抵抗の関係を示す特性図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図
【図５】高出力の赤色半導体レーザ及び低出力の赤色半導体レーザの光出力―電流特性を示す図
【図６】（ａ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を示す外観斜視図
（ｂ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を実装したときの外観斜視図
【符号の説明】
１、１７、１０１ 半導体レーザ装置
２、１８、１０２ 基板
３、１９、２０、１０３ 赤色半導体レーザ
４、１０４ 赤外半導体レーザ
５、２１、１０５ 分離溝
６、８、１０、１２、２２、２４、２６、２８、１０６、１０８、１１１、１１３ クラッド層
７、１１、２３、１０７、１１２ 活性層
９、１３、２５、２９、１０９、１１４ 電流ブロック層
１４、１５、１６、３０、３１、３２、１１０、１１５、１１６ 電極
２７ バルク活性層
１１７、１１８ ヒートシンク
Claims (5)
- 半導体層で構成され、かつ赤色光を放射する第１の半導体レーザと、半導体層で構成され、かつ赤外光を放射する第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、
前記第１の半導体レーザが前記第２の半導体レーザとは異なる他の装置と接続される第１部位を有し、
前記第２の半導体レーザが前記第１の半導体レーザとは異なる他の装置と接続される第２部位を有し、
前記第１部位と前記他の装置とが接続する接続面積をＳ１、
前記第２部位と前記他の装置とが接続する接続面積をＳ２、
前記第１の半導体レーザの熱伝導率をκ１、
前記第２の半導体レーザの熱伝導率をκ２とすると、
κ１≦κ２、かつ、Ｓ１＞Ｓ２の関係が成立することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記第１の半導体レーザを構成する半導体層がＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料であり、前記第２の半導体レーザを構成する半導体層がＡｌＧａＡｓ系半導体材料であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第１部位及び前記第２部位が、電極であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第１の半導体レーザ又は前記第２の半導体レーザに設けられた電極の厚みが１μｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第１の半導体レーザ及び前記第２の半導体レーザが同一の基板の上に形成され、前記基板の上に設けられる分離溝の位置によって、前記第１の半導体レーザの接続面積及び前記第２の半導体レーザの接続面積が決定されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000386651A JP4126873B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000386651A JP4126873B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体レーザ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008071022A Division JP2008153713A (ja) | 2008-03-19 | 2008-03-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190649A JP2002190649A (ja) | 2002-07-05 |
| JP4126873B2 true JP4126873B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=18853718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000386651A Expired - Fee Related JP4126873B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4126873B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153713A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4552396B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-09-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置 |
| JP2006073851A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2006120908A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sharp Corp | 半導体装置、ホログラムレーザ装置および半導体装置の製造方法 |
| US7310358B2 (en) * | 2004-12-17 | 2007-12-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Semiconductor lasers |
| JP2006313875A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP4876480B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2012-02-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザアレイ |
| JP5103008B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-12-19 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
| JP4965354B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2012-07-04 | 株式会社リコー | 半導体レーザ装置、光書込器およびプリンタ装置 |
| JP2009200463A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-09-03 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
| JP2009277934A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP5981092B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2016-08-31 | ローム株式会社 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
-
2000
- 2000-12-20 JP JP2000386651A patent/JP4126873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153713A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002190649A (ja) | 2002-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080310471A1 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| JP4126873B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4295776B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| US20050180475A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP5103008B2 (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 | |
| US20070025406A1 (en) | Semiconductor laser array and semiconductor laser device | |
| US20090232178A1 (en) | Two-wavelength semiconductor laser device | |
| JP2004319987A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3443241B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US8509278B2 (en) | Light emitting device and optical apparatus using the same | |
| JP4701832B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3655066B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP4885434B2 (ja) | 半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム | |
| EP1923973A1 (en) | High-power red semiconductor laser | |
| US7843984B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2007201390A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH10294533A (ja) | 窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2008153713A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2007012729A (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ装置 | |
| JP2004079833A (ja) | 垂直共振器型面発光半導体レーザ | |
| JP2006324552A (ja) | 赤色半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2000232255A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| US20100296541A1 (en) | Semiconductor laser diode | |
| JP2004193302A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2006032437A (ja) | 半導体レーザおよびこれを用いた光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060126 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080318 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080422 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080505 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4126873 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |