JP2001244573A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高い信頼性を有する、複数個の半導体発光素子
を有する半導体発光装置の製造方法を提供する。 【解決手段】基板３０上に、第１半導体発光素子形成領
域を開口し、第２半導体発光素子形成領域を保護するマ
スク層ＭＳを形成し、マスク層をマスクとするエピタキ
シャル成長法により第１半導体発光素子形成領域におい
て選択的に少なくとも第１クラッド層３２、第１活性層
３３および第２クラッド層３４を積層させた第１積層体
を形成し、マスク層を除去する。次に、エピタキシャル
成長法により少なくとも第３クラッド層３７、第２活性
層３８および第４クラッド層３９を積層させた第２積層
体を形成する。次に、第２半導体発光素子形成領域の第
２積層体を残して、他の領域の第２積層体を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数個の半導体発
光素子を有する半導体発光装置の製造方法に関し、特に
波長の異なる複数の光を出射する複数個の半導体発光素
子を有する半導体発光装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＣＤ（コンパクトディスク）、
ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）あるいはＭＤ（ミニ
ディスク）などの光学的に情報を記録する光学記録媒体
（以下、光ディスクとも称する）に記録された情報の読
み取り（再生）、あるいはこれらに情報の書き込み（記
録）を行う装置（以下、光ディスク装置とも称する）に
は、光学ピックアップ装置が内蔵されている。

【０００３】上記の光ディスク装置や光学ピックアップ
装置においては、一般に、光ディスクの種類（光ディス
クシステム）が異なる場合には、波長の異なるレーザ光
を用いる。例えば、ＣＤの再生などには７８０ｎｍ帯の
波長のレーザ光を、ＤＶＤの再生などには６５０ｎｍ帯
の波長のレーザ光を用いる。

【０００４】上記のように光ディスクの種類によってレ
ーザ光の波長の異なる状況において、例えばＤＶＤ用の
光ディスク装置でＣＤの再生を可能にするコンパチブル
光学ピックアップ装置が望まれている。上記のＣＤとＤ
ＶＤの再生を可能にするコンパチブル光学ピックアップ
装置を構成するのに好適なＣＤ用のレーザダイオード
（発光波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレーザダイオード
（発光波長６５０ｎｍ）を１チップ上に搭載するモノリ
シックレーザダイオードが開発されている。

【０００５】図１３は、上記のモノリシックレーザダイ
オード１１４ａの断面図である。第１レーザダイオード
ＬＤ１として、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上
に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例え
ばＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層３
３、例えばＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４、
例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層３５が積層し
て、第１積層体ＳＴ１を形成している。ｐ型キャップ層
３５表面からｐ型クラッド層３４の途中の深さまで絶縁
化された領域４１となって、ゲインガイド型の電流狭窄
構造となるストライプを形成している。

【０００６】一方、第２レーザダイオードＬＤ２とし
て、ｎ型基板３０上に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バ
ッファ層３１、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ
層３６、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層
３７、活性層３８、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型
クラッド層３９、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ
層４０が積層して、第２積層体ＳＴ２を形成している。
ｐ型キャップ層４０表面からｐ型クラッド層３９の途中
の深さまで絶縁化された領域４１となって、ゲインガイ
ド型の電流狭窄構造となるストライプを形成している。

【０００７】上記の第１レーザダイオードＬＤ１および
第２レーザダイオードＬＤ２においては、ｐ型キャップ
層（３５，４０）にはｐ電極４２が、ｎ型基板３０には
ｎ電極４３が接続して形成されている。

【０００８】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１１４ａは、第１レーザダイオードＬＤ１のレーザ光
出射部と第２レーザダイオードＬＤ２のレーザ光出射部
の間隔は例えば２００μｍ以下程度の範囲（１００μｍ
程度）に設定される。各レーザ光出射部からは、例えば
７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光および６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光が基板と平行であってほぼ同一の方向（ほ
ぼ平行）に出射される。

【０００９】上記のモノリシックレーザダイオード１１
４ａは、例えば図１４に示すように、ｐ電極４２側か
ら、半導体ブロック１３上に形成された電極１３ａにハ
ンダなどにより接続および固定されて使用される。この
場合、例えば、第１レーザダイオードＬＤ１のｐ型電極
４２を接続させる電極１３ａにはリード１３ｂにより、
第２レーザダイオードＬＤ２のｐ型電極４２を接続させ
る電極１３ａにはリード１３ｃにより、また、両レーザ
ダイオード（ＬＤ１，ＬＤ２）に共通のｎ型電極４３に
はリード４３ａにより、それぞれ電圧を印加する。

【００１０】上記の第１レーザダイオードＬＤ１と第２
レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリ
シックレーザダイオード１１４ａの形成方法について説
明する。まず、図１５（ａ）に示すように、例えば有機
金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などのエ
ピタキシャル成長法により、例えばＧａＡｓからなるｎ
型基板３０上に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バッファ
層３１、例えばＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層３
２、活性層（発振波長７８０ｎｍの多重量子井戸構造）
３３、例えばＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３
４、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層３５を順に
積層させる。

【００１１】次に、図１５（ｂ）に示すように、第１レ
ーザダイオードＬＤ１として残す領域を不図示のレジス
ト膜で保護して、硫酸系の無選択エッチング、および、
フッ酸系のＡｌＧａＡｓ選択エッチングなどのウェット
エッチング（ＥＣ４）により、第１レーザダイオードＬ
Ｄ１領域以外の領域でｎ型クラッド層３２までの上記の
積層体を除去する。

【００１２】次に、図１６（ｃ）に示すように、例えば
有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）など
のエピタキシャル成長法により、ｎ型バッファ層３１上
に、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層３６、例
えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層３７、活性
層（発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸構造）３８、例
えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層３９、例え
ばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層４０を順に積層させ
る。

【００１３】次に、図１６（ｄ）に示すように、第２レ
ーザダイオードＬＤ２として残す領域を不図示のレジス
ト膜で保護して、硫酸系のキャップエッチング、リン酸
塩酸系の４元選択エッチング、塩酸系の分離エッチング
などのウェットエッチング（ＥＣ５）により、第２レー
ザダイオードＬＤ２領域以外の領域でｎ型バッファ層３
６までの上記の積層体を除去し、第１レーザダイオード
ＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２を分離する。

【００１４】次に、図１７（ｅ）に示すように、レジス
ト膜により電流注入領域となる部分を保護して、不純物
Ｄ２をイオン注入などにより導入し、ｐ型キャップ層
（３５，４０）表面からｐ型クラッド層（３４，３９）
の途中の深さまで絶縁化された領域４１を形成し、ゲイ
ンガイド型の電流狭窄構造となるストライプとする。

【００１５】次に、図１７（ｆ）に示すように、ｐ型キ
ャップ層（３５，４０）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ
／Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３
０に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型
電極４３を形成する。

【００１６】以降は、ペレタイズ工程を経て、図１３に
示すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レ
ーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシ
ックレーザダイオード１１４ａとすることができる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のモノリシックレーザダイオードの製造方法におい
ては、ｎ型バッファ層３１からｐ型キャップ層３５まで
を積層させた後、第１レーザダイオードＬＤ１として残
す領域をレジスト膜で保護して、硫酸系の無選択エッチ
ングおよびフッ酸系のＡｌＧａＡｓ選択エッチングなど
のウェットエッチングにより、第１レーザダイオードＬ
Ｄ１領域以外の領域でｎ型クラッド層３２までの上記の
積層体を除去する工程において、ｎ型クラッド層３２を
完全に除去することが困難となっている。

【００１８】第２レーザダイオードＬＤ２は上記積層体
を除去した領域に形成するので、上記のようにｎ型クラ
ッド層３２を完全に除去しきれていない場合、第２レー
ザダイオードＬＤ２のクオリティが著しく悪化する。

【００１９】フッ酸系のＡｌＧａＡｓ選択エッチングの
後に、再度無選択エッチングを行うことにより、ｎ型ク
ラッド層３２を完全に除去する方法があるが、この場合
には上記積層体を除去した領域表面の平坦性が悪化する
ので、第２レーザダイオードＬＤ２の性能や信頼性が悪
化してしまう。

【００２０】さらに、エッチングレートの結晶面方位依
存性により、例えば傾斜基板を用いた場合には、上記積
層体を除去した領域表面のステップバンチングが顕著に
なり、上記積層体を除去した領域に積層される第２レー
ザダイオードがオーダリング構造を有する結晶となると
いった問題がある。上記のオーダリング結晶を含む可視
光半導体レーザダイオードは、以下のような不利な点が
生じる。

【００２１】第１に、ＧａＩｎＰ活性層やＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層は、オーダリングにより低エネルギー化す
るため、発振波長の短波長化が困難となる。特に、ＤＶ
Ｄ用レーザの発振波長６５０ｎｍを得るためには、多重
量子井戸構造のウェルを薄くするか、Ａｌを添加する必
要があるが、どちらも性能や信頼性の面で不利となる。

【００２２】第２に、多重量子井戸構造において、Ｇａ
ＩｎＰウェルの異なる秩序に起因する発光スペクトルの
拡大により、利得の減少が生じ、十分な性能が得られな
くなる。

【００２３】本発明は上述の状況に鑑みてなされたもの
であり、従って本発明は、高い信頼性を有する、複数個
の半導体発光素子を有する半導体発光装置を製造する方
法を提供することを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板に少な
くとも第１半導体発光素子と第２半導体発光素子を有す
る半導体発光装置の製造方法であって、基板上に、第１
半導体発光素子形成領域を開口し、第２半導体発光素子
形成領域を保護するマスク層を形成する工程と、前記マ
スク層をマスクとするエピタキシャル成長法により、前
記第１半導体発光素子形成領域において選択的に、前記
基板上に、少なくとも第１導電型第１クラッド層、第１
活性層および第２導電型第２クラッド層を積層させた第
１積層体を形成する工程と、前記マスク層を除去する工
程と、エピタキシャル成長法により、前記基板上に、少
なくとも第１導電型第３クラッド層、第２活性層および
第２導電型第４クラッド層を積層させた第２積層体を形
成する工程と、第２半導体発光素子形成領域の前記第２
積層体を残して、他の領域の前記第２積層体を除去する
工程とを有する。

【００２５】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、基板上に、第１半導体発光素子形成領域を開口し、
第２半導体発光素子形成領域を保護するマスク層を形成
する。次に、マスク層をマスクとするエピタキシャル成
長法により、第１半導体発光素子形成領域において選択
的に、基板上に、少なくとも第１導電型第１クラッド
層、第１活性層および第２導電型第２クラッド層を積層
させた第１積層体を形成する。次に、マスク層を除去す
る。次に、エピタキシャル成長法により、基板上に、少
なくとも第１導電型第３クラッド層、第２活性層および
第２導電型第４クラッド層を積層させた第２積層体を形
成する。次に、第２半導体発光素子形成領域の第２積層
体を残して、他の領域の第２積層体を除去する。

【００２６】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
によれば、第１半導体発光素子形成領域を開口し、第２
半導体発光素子形成領域を保護するマスク層をマスクと
するエピタキシャル成長法により、第１半導体発光素子
形成領域において選択的に第１積層体を積層させて形成
するので、第２半導体発光素子形成領域はマスク層によ
り保護されており、当該マスク層を除去した後の第２半
導体発光素子形成領域表面は高い平坦性および高いクオ
リティを維持している。従って、第２半導体発光素子を
上記高い平坦性および高いクオリティを有する第２半導
体発光素子形成領域表面上に形成することができるの
で、高い性能と高い信頼性を有する半導体発光装置を製
造することができる。

【００２７】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、好適には、前記基板として、オフオリエンテーショ
ン基板を用い、前記第２積層体を形成する工程において
は、少なくとも１つの自発的にオーダリングして結晶成
長する層を含む積層体を形成する。基板として、オフオ
リエンテーション基板を用い、第２積層体が少なくとも
１つの自発的にオーダリングして結晶成長する層を含む
場合でも、本発明においては第２積層体のオーダリング
を防止することができるので、高い性能と高い信頼性を
有する半導体発光装置を製造することができる。

【００２８】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、好適には、前記第１積層体と前記第２積層体を、少
なくともその一部の組成または構造が異なるように形成
し、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子
の素子特性を異ならせて形成する。これにより、活性層
の膜厚や組成を変えることなどで第１半導体発光素子と
第２半導体発光素子の発光強度を異ならせるなど、素子
特性の異なる複数の半導体発光素子を有する半導体発光
装置を形成することができる。

【００２９】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、好適には、前記第１積層体と前記第２積層体を、少
なくともその一部の組成が異なるように形成し、前記第
１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子の発光波長
を異ならせて形成する。これにより、発光波長の異なる
複数の半導体発光素子を有する半導体発光装置を形成す
ることができる。

【００３０】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、好適には、前記第１活性層と第２活性層を、それぞ
れ組成比を異ならせて形成する。あるいは好適には、前
記第１活性層と第２活性層を、互いに異なる組成元素に
より形成する。あるいは好適には、前記第１導電型第１
クラッド層、第１活性層および第２導電型第２クラッド
層の組成と、前記第１導電型第３クラッド層、第２活性
層および第２導電型第４クラッド層の組成とを異ならせ
て形成する。これにより、各活性層から出射される光の
波長をそれぞれ異ならせることが可能となる。

【００３１】上記の本発明の半導体発光装置の製造方法
は、好適には、前記基板として、ＧａＡｓ、ＧａＡｓ
Ｐ、ＧａＰおよびＩｎＰからなる化合物群から選択され
る化合物を含む基板を用いる。また、好適には、前記第
１積層体を形成する工程および前記第２積層体を形成す
る工程においては、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＰおよびＡｓか
らなる元素群から選択される元素によって構成される層
を少なくとも１層含む積層体を形成する。本発明の半導
体発光装置の製造方法においては、複数個の半導体発光
素子を分離して形成するので、それぞれの半導体発光素
子に適した元素を選択して構成することができ、それら
複数個の半導体発光素子を搭載する基板を上記から適宜
選択することができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光装置お
よびこれを用いた光学ピックアップ装置の実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。

【００３３】第１実施形態 本実施形態に係る半導体発光装置は、ＣＤ用のレーザダ
イオードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤＶＤ用のレ
ーザダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎｍ）を１チッ
プ上に搭載するモノリシックレーザダイオードであり、
ＣＤとＤＶＤの再生を可能にするコンパチブル光学ピッ
クアップ装置を構成するのに好適な半導体発光装置であ
る。その断面図を図１に示す。

【００３４】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ａについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えば
ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層（発振波長７
８０ｎｍの多重量子井戸構造）３３、例えばＡｌＧａＡ
ｓからなるｐ型クラッド層３４、例えばＧａＡｓからな
るｐ型キャップ層３５が積層して、第１積層体ＳＴ１を
形成している。ｐ型キャップ層３５表面からｐ型クラッ
ド層３４の途中の深さまで絶縁化された領域４１となっ
て、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるストライプを
形成している。

【００３５】一方、第２レーザダイオードＬＤ２とし
て、ｎ型基板３０上に、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型
バッファ層３６、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型ク
ラッド層３７、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量子
井戸構造）３８、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型ク
ラッド層３９、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層
４０が積層して、第２積層体ＳＴ２を形成している。ｐ
型キャップ層４０表面からｐ型クラッド層３９の途中の
深さまで絶縁化された領域４１となって、ゲインガイド
型の電流狭窄構造となるストライプを形成している。上
記のｎ型バッファ層３６としては、例えばＧａＡｓ層と
ＩｎＧａＰ層とを積層させた積層構造としてもよい。

【００３６】上記の第１レーザダイオードＬＤ１および
第２レーザダイオードＬＤ２においては、ｐ型キャップ
層（３５，４０）にはｐ電極４２が、ｎ型基板３０には
ｎ電極４３が接続して形成されている。

【００３７】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１４ａは、第１レーザダイオードＬＤ１のレーザ光出
射部と第２レーザダイオードＬＤ２のレーザ光出射部の
間隔は例えば２００μｍ以下程度の範囲（１００μｍ程
度）に設定される。各レーザ光出射部からは、例えば７
８０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１および６５０ｎｍ帯の
波長のレーザ光Ｌ２が基板と平行であってほぼ同一の方
向（ほぼ平行）に出射される。上記の構造のレーザダイ
オード１４ａは、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光デ
ィスクシステムの光学系ピックアップ装置などを構成す
るのに好適な、発光波長の異なる２種類のレーザダイオ
ードを１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイオ
ードである。

【００３８】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ａは、例えば図２に示すように、ｐ電極４２側から、半
導体ブロック１３上に形成された電極１３ａにハンダな
どにより接続および固定されて使用される。この場合、
例えば、第１レーザダイオードＬＤ１のｐ型電極４２を
接続させる電極１３ａにはリード１３ｂにより、第２レ
ーザダイオードＬＤ２のｐ型電極４２を接続させる電極
１３ａにはリード１３ｃにより、また、両レーザダイオ
ード（ＬＤ１，ＬＤ２）に共通のｎ型電極４３にはリー
ド４３ａにより、それぞれ電圧を印加する。

【００３９】図３（ａ）は上記のモノリシックレーザダ
イオード１４ａをＣＡＮパッケージに搭載する場合の構
成例を示す斜視図である。例えば、円盤状の基台２１に
設けられた突起部２１ａ上にモニター用の光検出素子と
してのＰＩＮダイオード１２が形成された半導体ブロッ
ク１３が固着され、その上部に、第１および第２レーザ
ダイオード（ＬＤ１，ＬＤ２）を１チップ上に搭載する
モノリシックレーザダイオード１４ａが配置されてい
る。また、基台２１を貫通して端子２２が設けられてお
り、リード２３により上記の第１および第２レーザダイ
オード（ＬＤ１，ＬＤ２）、あるいはＰＩＮダイオード
１２に接続されて、それぞれのダイオードの駆動電源が
供給される。

【００４０】図３（ｂ）は上記のＣＡＮパッケージ化さ
れたレーザダイオードのレーザ光の出射方向と垂直な方
向からの要部平面図である。ＰＩＮダイオード１２が形
成された半導体ブロック１３の上部に第１レーザダイオ
ードＬＤ１と第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ上
に有するレーザダイオード１４ａが配置されている。Ｐ
ＩＮダイオード１２においては、第１および第２レーザ
ダイオード（ＬＤ１，ＬＤ２）のリア側に出射されたレ
ーザ光を感知し、その強度を測定して、レーザ光の強度
が一定となるように第１および第２レーザダイオード
（ＬＤ１，ＬＤ２）の駆動電流を制御するＡＰＣ（Ａｕ
ｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）制御が
行われるように構成されている。

【００４１】図４は、上記の第１レーザダイオードＬＤ
１および第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭
載するモノリシックレーザダイオードをＣＡＮパッケー
ジ化したレーザダイオードＬＤを用いて、ＣＤやＤＶＤ
などの波長の異なる光ディスクシステムの光学系ピック
アップ装置を構成したときの構成を示す模式図である。

【００４２】光学ピックアップ装置１ａは、それぞれ個
々に、すなわちディスクリートに構成された光学系を有
し、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光を出射する第
１レーザダイオードＬＤ１と６５０ｎｍ帯の波長のレー
ザ光を出射する第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ
上に搭載するモノリシックレーザダイオードＬＤ、７８
０ｎｍ帯用であって６５０ｎｍ帯に対しては素通しとな
るグレーティングＧ、ビームスプリッタＢＳ、コリメー
タＣ、ミラーＭ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、対物レ
ンズＯＬ、マルチレンズＭＬ、および、フォトダイオー
ドＰＤがそれぞれ所定の位置に配設されている。フォト
ダイオードＰＤには、例えば、７８０ｎｍ帯の光を受光
する第１フォトダイオードと、６５０ｎｍ帯の光を受光
する第２フォトダイオードが互いに隣接して並列に形成
されている。

【００４３】上記構成の光学ピックアップ装置１ａにお
いて、第１レーザダイオードＬＤ１からの第１レーザ光
Ｌ１は、グレーティングＧを通過し、ビームスプリッタ
ＢＳによって一部反射され、コリメータＣ、ミラーＭお
よびＣＤ用開口制限アパーチャＲをそれぞれ通過あるい
は反射して、対物レンズＯＬにより光ディスクＤ上に集
光される。光ディスクＤからの反射光は、対物レンズＯ
Ｌ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲ、ミラーＭ、コリメー
タＣおよびビームスプリッタＢＳを介して、マルチレン
ズＭＬを通過し、フォトダイオードＰＤ（第１フォトダ
イオード）上に投光され、この反射光の変化によりＣＤ
などの光ディスクＤの記録面上に記録された情報の読み
出しがなされる。

【００４４】上記構成の光学ピックアップ装置１ａにお
いて、第２レーザダイオードＬＤ２からの第２レーザ光
Ｌ２も、上記と同じ経路を辿って光ディスクＤ上に集光
され、その反射光はフォトダイオードＰＤ（第２フォト
ダイオード）上に投光され、この反射光の変化によりＤ
ＶＤなどの光ディスクＤの記録面上に記録された情報の
読み出しがなされる。

【００４５】上記の光学ピックアップ装置１ａによれ
ば、ＣＤ用のレーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイ
オードを搭載し、共通の光学系によりその反射光をＣＤ
用のフォトダイオードとＤＶＤ用のフォトダイオードに
結合させ、ＣＤとＤＶＤの再生を可能にしている。

【００４６】また、本実施形態に係る第１レーザダイオ
ードＬＤ１および第２レーザダイオードＬＤ２を１チッ
プ上に搭載するモノリシックレーザダイオードを用い
て、ＣＤおよびＤＶＤなどの光学記録媒体に対して光照
射により記録、再生を行う光学ピックアップ装置に好適
なレーザカプラを構成することも可能である。図５
（ａ）は、上記のレーザカプラ１ｂの概略構成を示す説
明図である。レーザカプラ１ｂは、第１パッケージ部材
２の凹部に装填され、ガラスなどの透明な第２パッケー
ジ部材３により封止されている。

【００４７】図５（ｂ）は上記のレーザカプラ１ｂの要
部斜視図である。例えば、シリコンの単結晶を切り出し
た基板である集積回路基板１１上に、モニター用の光検
出素子としてのＰＩＮダイオード１２が形成された半導
体ブロック１３が配置され、さらに、この半導体ブロッ
ク１３上に、発光素子として第１レーザダイオードＬＤ
１および第２レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭
載するモノリシックレーザダイオード１４ａが配置され
ている。

【００４８】一方、集積回路基板１１には、例えば第１
フォトダイオード（１６，１７）および第２フォトダイ
オード（１８，１９）が形成され、この第１および第２
フォトダイオード（１６，１７，１８，１９）上に、第
１および第２レーザダイオード（ＬＤ１，ＬＤ２）と所
定間隔をおいて、プリズム２０が搭載されている。

【００４９】第１レーザダイオードＬＤ１から出射され
たレーザ光Ｌ１は、プリズム２０の分光面２０ａで一部
反射して進行方向を屈曲し、第２パッケージ部材３に形
成された出射窓から出射方向に出射し、不図示の反射ミ
ラーや対物レンズなどを介して光ディスク（ＣＤ）など
の被照射対象物に照射される。上記の被照射対象物から
の反射光は、被照射対象物への入射方向と反対方向に進
み、レーザカプラ１ｂからの出射方向からプリズム２０
の分光面２０ａに入射する。このプリズム２０の上面で
焦点を結びながら、プリズム２０の下面となる集積回路
基板１１上に形成された前部第１フォトダイオード１６
および後部第１フォトダイオード１７に入射する。

【００５０】一方、第２レーザダイオードＬＤ２から出
射されたレーザ光Ｌ２は、上記と同様に、プリズム２０
の分光面２０ａで一部反射して進行方向を屈曲し、第２
パッケージに形成された出射窓から出射方向に出射し、
不図示の反射ミラーや対物レンズなどを介して光ディス
ク（ＤＶＤ）などの被照射対象物に照射される。上記の
被照射対象物からの反射光は、被照射対象物への入射方
向と反対方向に進み、レーザカプラ１ｂからの出射方向
からプリズム２０の分光面２０ａに入射する。このプリ
ズム２０の上面で焦点を結びながら、プリズム２０の下
面となる集積回路基板１１上に形成された前部第２フォ
トダイオード１８および後部第２フォトダイオード１９
に入射する。

【００５１】また、半導体ブロック１３上に形成された
ＰＩＮダイオード１２は、例えば２つに分割された領域
を有し、第１および第２レーザダイオード（ＬＤ１，Ｌ
Ｄ２）のそれぞれについて、リア側に出射されたレーザ
光を感知し、レーザ光の強度を測定して、レーザ光の強
度が一定となるように第１および第２レーザダイオード
（ＬＤ１，ＬＤ２）の駆動電流を制御するＡＰＣ制御が
行われる。

【００５２】上記の第１レーザダイオードＬＤ１のレー
ザ光出射部と第２レーザダイオードＬＤ２のレーザ光出
射部の間隔は例えば２００μｍ以下程度の範囲（１００
μｍ程度）に設定される。各レーザ光出射部（活性層）
からは、例えば７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１およ
び６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ２がほぼ同一の方向
（ほぼ平行）に出射される。

【００５３】上記のレーザカプラを用いて光学ピックア
ップ装置を構成した時の例を図６に示す。レーザカプラ
１ｂに内蔵される第１および第２レーザダイオードから
の出射レーザ光（Ｌ１，Ｌ２）をコリメータＣ、ミラー
Ｍ、ＣＤ用開口制限アパーチャＲおよび対物レンズＯＬ
を介して、ＣＤあるいはＤＶＤなどの光ディスクＤに入
射する。光ディスクＤからの反射光は、入射光と同一の
経路をたどってレーザカプラに戻り、レーザカプラに内
蔵される第１および第２フォトダイオードにより受光さ
れる。上記のように、本実施形態のモノリシックレーザ
ダイオードを用いることにより、ＣＤやＤＶＤなどの波
長の異なる光ディスクシステムの光学系ピックアップ装
置を、部品点数を減らして光学系の構成を簡素化し、容
易に組み立て可能で小型化および低コストで構成するこ
とができる。

【００５４】上記の第１レーザダイオードＬＤ１と第２
レーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリ
シックレーザダイオード１４ａの形成方法について説明
する。 まず、図７（ａ）に示すように、例えばｎ型の
ＧａＡｓからなり、（１００）面から＜０１１＞方向に
１０〜１５°程度傾けられたオフオリエンテーション基
板（以下、オフ基板という）３０上に、例えばＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの
絶縁膜を堆積させ、フォトリソグラフィー工程により不
図示のレジスト膜をパターン形成し、ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）などのエッチングを施して、第１レー
ザダイオード形成領域を開口し、第２レーザダイオード
形成領域を保護するマスク層ＭＳを形成する。

【００５５】次に、図７（ｂ）に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などの
エピタキシャル成長法により、マスク層ＭＳを形成した
オフ基板３０上に、例えばＧａＡｓからなるｎ型バッフ
ァ層３１、例えばＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層
３２、活性層（発振波長７８０ｎｍの多重量子井戸構
造）３３、例えばＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層
３４、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層３５を順
に積層させる。ここで、マスク層ＭＳがエピタキシャル
成長の選択マスクとなり、ｎ型バッファ層３１からｐ型
キャップ層３５までの積層体は第１レーザダイオード形
成領域に選択的に成長させることができる。

【００５６】次に、図７（ｃ）に示すように、例えばフ
ッ酸系のウェットエッチング（ＥＣ１）により、マスク
層ＭＳを除去する。ここで、ウェットエッチング（ＥＣ
１）に用いるエッチャントが、第１レーザダイオード形
成領域におけるｎ型バッファ層３１からｐ型キャップ層
３５までの積層体に悪影響を与える恐れがある場合に
は、第１レーザダイオード形成領域を保護するレジスト
膜を形成してから、上記のウェットエッチング（ＥＣ
１）を行うことができる。

【００５７】次に、図８（ｄ）に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などの
エピタキシャル成長法により、第２レーザダイオード形
成領域におけるオフ基板３０上に、例えばＩｎＧａＰか
らなるｎ型バッファ層３６、例えばＡｌＧａＩｎＰから
なるｎ型クラッド層３７、活性層（発振波長６５０ｎｍ
の多重量子井戸構造）３８、例えばＡｌＧａＩｎＰから
なるｐ型クラッド層３９、例えばＧａＡｓからなるｐ型
キャップ層４０を順に積層させる。ここで、上記のｎ型
バッファ層３６からｐ型キャップ層４０までの積層体は
基板上の全面に成長するので、第１レーザダイオード形
成領域におけるｎ型バッファ層３１からｐ型キャップ層
３５までの積層体の上層にも形成される。

【００５８】上記において、基板としてオフ基板を用
い、ｎ型バッファ層３６からｐ型キャップ層４０までの
積層体が少なくとも１つの自発的にオーダリングして結
晶成長する層を含む場合でも、本実施形態においてはオ
ーダリングを防止して積層することができるので、第２
レーザダイオードとして、高い性能と高い信頼性を確保
することができる。

【００５９】次に、図８（ｅ）に示すように、第２レー
ザダイオードＬＤ２として残す領域を不図示のレジスト
膜で保護して、硫酸系のキャップエッチング、リン酸塩
酸系の４元選択エッチング、塩酸系の分離エッチングな
どのウェットエッチング（ＥＣ２）により、第２レーザ
ダイオードＬＤ２領域以外の領域におけるｎ型バッファ
層３６までの上記の積層体を除去し、第１レーザダイオ
ード用の第１積層体ＳＴ１と第２レーザダイオード用の
第２積層体ＳＴ２を分離する。

【００６０】次に、図９（ｆ）に示すように、レジスト
膜により電流注入領域となる部分を保護して、不純物Ｄ
１をイオン注入などにより導入し、ｐ型キャップ層（３
５，４０）表面からｐ型クラッド層（３４，３９）の途
中の深さまで絶縁化された領域４１を形成し、ゲインガ
イド型の電流狭窄構造となるストライプとする。

【００６１】次に、図９（ｇ）に示すように、ｐ型キャ
ップ層（３５，４０）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ／
Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３０
に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電
極４３を形成する。

【００６２】以降は、ペレタイズ工程を経て、図１に示
すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レー
ザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシッ
クレーザダイオード１４ａとすることができる。

【００６３】上記の本実施形態のモノリシックレーザダ
イオードの製造方法によれば、第１レーザダイオード形
成領域を開口し、第２レーザダイオード形成領域を保護
するマスク層をマスクとするエピタキシャル成長法によ
り、第１レーザダイオード形成領域において選択的にｎ
型バッファ層３１からｐ型キャップ層３５までの積層体
を積層させて形成しており、第２レーザダイオード形成
領域はマスク層により保護されているので、当該マスク
層を除去した後の第２レーザダイオード形成領域表面は
高い平坦性および高いクオリティを維持している。従っ
て、第２レーザダイオードを上記高い平坦性および高い
クオリティを有する第２レーザダイオード形成領域表面
上に形成することができるので、高い性能と高い信頼性
を有する第１レーザダイオードＬＤ１と第２レーザダイ
オードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシックレー
ザダイオードを製造することができる。

【００６４】第２実施形態 本実施形態に係る半導体発光装置は、第１実施形態に係
るモノリシックレーザダイオードと同様であり、ＣＤ用
のレーザダイオードＬＤ１（発光波長７８０ｎｍ）とＤ
ＶＤ用のレーザダイオードＬＤ２（発光波長６５０ｎ
ｍ）を１チップ上に搭載し、ＣＤとＤＶＤの再生を可能
にするコンパチブル光学ピックアップ装置を構成するの
に好適な半導体発光装置である。その断面図を図１０に
示す。

【００６５】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｂについて説明する。第１レーザダイオードＬＤ１とし
て、例えばＧａＡｓからなるｎ型基板３０上に、例えば
ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層３１、例えばＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ型クラッド層３２、活性層（発振波長７
８０ｎｍの多重量子井戸構造）３３、例えばＡｌＧａＡ
ｓからなるｐ型クラッド層３４、例えばＧａＡｓからな
るｐ型キャップ層３５が積層して、第１積層体ＳＴ１を
形成している。ｐ型キャップ層３５表面からｐ型クラッ
ド層３４の途中の深さまでリッジ状（凸状）に加工され
ており、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるストライ
プを形成している。また、リッジ深さや形状などの制御
によって、インデックスガイドやセルフパルセーション
タイプなどを作製することも容易に可能である。

【００６６】一方、第２レーザダイオードＬＤ２とし
て、ｎ型基板３０上に、例えばＩｎＧａＰからなるｎ型
バッファ層３６、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型ク
ラッド層３７、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量子
井戸構造）３８、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型ク
ラッド層３９、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層
４０が積層して、第２積層体ＳＴ２を形成している。ｐ
型キャップ層４０表面からｐ型クラッド層３９の途中の
深さまでリッジ状（凸状）に加工されており、ゲインガ
イド型の電流狭窄構造となるストライプを形成してい
る。第１レーザダイオードＬＤ１と同様に、リッジ深さ
や形状などの制御によって、インデックスガイドやセル
フパルセーションタイプなどを作製することも容易に可
能である。上記のｎ型バッファ層３６としては、例えば
ＧａＡｓ層とＩｎＧａＰ層とを積層させた積層構造とし
てもよい。

【００６７】さらに、上記の第１レーザダイオードＬＤ
１および第２レーザダイオードＬＤ２を被覆して、酸化
シリコンなどの絶縁膜４４が形成されている。絶縁膜４
４には、ｐ型キャップ層（３５，４０）を露出させるよ
うにコンタクト開口されており、さらにｐ型キャップ層
（３５，４０）にはｐ電極４２が、ｎ型基板３０にはｎ
電極４３が接続して形成されている。また、この場合、
ストライプ以外の部分でオーミックコンタクトがとれな
い構造になってさえいれば、絶縁膜４４は必ずしも必要
ではない。

【００６８】上記の構造のモノリシックレーザダイオー
ド１４ｂにおいて、各レーザ光出射部から、例えば７８
０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌ１および６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光Ｌ２が基板と平行であってほぼ同一の方向
（ほぼ平行）に出射される。上記の構造のレーザダイオ
ード１４ｂは、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディ
スクシステムの光学系ピックアップ装置などを構成する
のに好適な、発光波長の異なる２種類のレーザダイオー
ドを１チップ上に搭載するモノリシックレーザダイオー
ドである。

【００６９】上記のモノリシックレーザダイオード１４
ｂの形成方法について説明する。まず、図１１（ａ）の
第１レーザダイオード用の第１積層体ＳＴ１と第２レー
ザダイオード用の第２積層体ＳＴ２を形成する工程まで
は、第１実施形態において、図８（ｅ）に示す工程まで
と同様にして形成される。

【００７０】次に、図１１（ｂ）に示すように、絶縁膜
などにより電流注入領域となる部分を保護して、エッチ
ング処理ＥＣ３を行い、ゲインガイド型の電流狭窄構造
となるストライプを形成するために、ｐ型キャップ層
（３５，４０）の表面からｐ型クラッド層（３４，３
９）の途中の深さまでリッジ状（凸状）に加工する。

【００７１】次に、図１２（ｃ）に示すように、例えば
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法により全面に酸化シリコンを堆積させ、絶
縁膜４４を形成し、ｐ型キャップ層（３５，４０）を露
出させるようにコンタクト開口する。

【００７２】次に、図１２（ｄ）に示すように、ｐ型キ
ャップ層（３５，４０）に接続するように、Ｔｉ／Ｐｔ
／Ａｕなどのｐ型電極４２を形成し、一方、ｎ型基板３
０に接続するように、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型
電極４３を形成する。

【００７３】以降は、ペレタイズ工程を経て、図１０に
示すような所望の第１レーザダイオードＬＤ１と第２レ
ーザダイオードＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシ
ックレーザダイオード１４ｂとすることができる。

【００７４】上記の本実施形態のモノリシックレーザダ
イオードの製造方法によれば、第１実施形態と同様に、
第２レーザダイオードを上記高い平坦性および高いクオ
リティを有する第２レーザダイオード形成領域表面上に
形成することができるので、高い性能と高い信頼性を有
する第１レーザダイオードＬＤ１と第２レーザダイオー
ドＬＤ２を１チップ上に搭載するモノリシックレーザダ
イオードを製造することができる。

【００７５】以上、本発明を２形態の実施形態により説
明したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定される
ものではない。例えば、本発明に用いる発光素子として
は、レーザダイオードに限定されず、発光ダイオード
（ＬＥＤ）とすることも可能である。また、本発明にお
いて搭載される複数個の発光素子としては、発光波長が
異なる発光素子の他、発光波長が同じでも発光強度が異
なるなどの素子特性の異なる発光素子でもよく、さらに
複数個の発光素子を有していれば素子特性が同一の発光
素子にも適用可能である。また、第１および第２レーザ
ダイオードの発光波長は、７８０ｎｍ帯と６５０ｎｍ帯
に限定されるものではなく、その他の光ディスクシステ
ムに採用されている波長とすることができる。すなわ
ち、ＣＤとＤＶＤの他の組み合わせの光ディスクシステ
ムを採用することができる。また、ゲインガイド型の電
流狭窄構造の他、インデックスガイド型、パルセーショ
ンレーザなど、様々な特性の他のレーザに適用すること
も可能である。また、上記の実施形態ではＣＤ用の第１
レーザダイオードとＤＶＤ用の第２レーザダイオードと
で、ストライプ構造が同じ場合について示しているが、
例えば第１レーザダイオードが第１実施形態と同様のイ
オン注入タイプであり、一方第２レーザダイオードが第
２実施形態と同様のリッジタイプであるというように、
２つのレーザダイオードでそれぞれ別のストライプ構造
をとることも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変更を行うことが可能である。

【００７６】また、本発明により製造可能な半導体発光
装置としては、複数個の半導体発光素子を有していれば
よく、３個以上の半導体発光素子を有する半導体発光装
置も製造可能である。この場合においては、最初に半導
体発光素子となる積層体を形成する領域を開口し、他の
領域を保護するマスク層を形成した後、当該マスク層を
マスクとして開口領域に選択的にエピタキシャル成長法
により第１積層体を形成する。次に、上記マスク層をパ
ターン加工して、次に半導体発光素子となる積層体を形
成する領域を開口する。次に、マスク層をマスクとし
て、開口領域に選択的にエピタキシャル成長法により第
２積層体を形成し、新たに開口した領域に積層した第２
積層体を残して他の領域の第２積層体を除去する。その
後、次に半導体発光素子となる積層体を形成する領域を
開口する上記マスク層のパターン加工工程、当該マスク
層をマスクとしたエピタキシャル成長法により次の積層
体を形成する工程、新たに開口した領域に積層した積層
体を残して他の領域の積層体を除去する工程の各工程を
繰り返すなどの方法により、３個以上の半導体発光素子
を有する半導体発光装置も製造可能であり、本発明の効
果を享受することができる。

【００７７】

【発明の効果】本発明の半導体発光装置の製造方法によ
れば、第１半導体発光素子形成領域を開口し、第２半導
体発光素子形成領域を保護するマスク層をマスクとする
エピタキシャル成長法により、第１半導体発光素子形成
領域において選択的に第１積層体を積層させて形成する
ので、第２半導体発光素子形成領域はマスク層により保
護されており、当該マスク層を除去した後の第２半導体
発光素子形成領域表面は高い平坦性および高いクオリテ
ィを維持している。従って、第２半導体発光素子を上記
高い平坦性および高いクオリティを有する第２半導体発
光素子形成領域表面上に形成することができるので、高
い性能と高い信頼性を有する半導体発光装置を製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は第１実施形態に係るレーザダイオードの
断面図である。

【図２】図２は第１実施形態に係るレーザダイオードの
使用例を示す断面図である。

【図３】図３（ａ）は第１実施形態に係るレーザダイオ
ードをＣＡＮパッケージに搭載する場合の構成を示す斜
視図であり、図３（ｂ）はその要部平面図である。

【図４】図４は、図３のＣＡＮパッケージ化されたレー
ザダイオードを用いた光学ピックアップ装置の構成を示
す模式図である。

【図５】図５（ａ）は第１実施形態に係るレーザダイオ
ードをレーザカプラに搭載する場合の構成を示す斜視図
であり、図５（ｂ）はその要部斜視図である。

【図６】図６は、図５のレーザカプラ化されたレーザダ
イオードを用いた光学ピックアップ装置の構成を示す模
式図である。

【図７】図７は第１実施形態に係るレーザダイオードの
製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はマス
ク層を形成する工程まで、（ｂ）は第１レーザダイオー
ドとなる第１積層体の形成工程まで、（ｃ）はマスク層
を除去する工程までを示す。

【図８】図８は図７の続きの工程を示し、（ｄ）は第２
レーザダイオードとなる第２積層体の形成工程まで、
（ｅ）は第２レーザダイオード領域を残して上記第２積
層体をエッチング除去する工程までを示す。

【図９】図９は図８の続きの工程を示し、（ｆ）は電流
狭窄構造となるストライプの形成工程まで、（ｇ）はｎ
電極およびｐ電極の形成工程までを示す。

【図１０】図１０は第２実施形態に係るレーザダイオー
ドの断面図である。

【図１１】図１１は第２実施形態に係るレーザダイオー
ドの製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は
第１積層体と第２積層体を形成する工程まで、（ｂ）は
電流狭窄構造となるリッジ構造の形成工程までを示す。

【図１２】図１２は図１１の続きの工程を示し、（ｃ）
は絶縁膜の形成工程まで、（ｄ）はｎ電極およびｐ電極
の形成工程までを示す。

【図１３】図１３は従来例に係るレーザダイオードの断
面図である。

【図１４】図１４は従来例に係るレーザダイオードの使
用例を示す断面図である。

【図１５】図１５は従来例に係るレーザダイオードの製
造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は第１レ
ーザダイオードとなる積層体の形成工程まで、（ｂ）は
第１レーザダイオード領域を残して上記積層体をエッチ
ング除去する工程までを示す。

【図１６】図１６は図１５の続きの工程を示し、（ｃ）
は第２レーザダイオードとなる積層体の形成工程まで、
（ｄ）は第２レーザダイオード領域を残して上記積層体
をエッチング除去する工程までを示す。

【図１７】図１７は図１６の続きの工程を示し、（ｅ）
は電流狭窄構造となるストライプの形成工程まで、
（ｆ）はｎ電極およびｐ電極の形成工程までを示す。

【符号の説明】

１ａ…光学ピックアップ装置、１ｂ……レーザカプラ、
２…第１パッケージ部材、３…第２パッケージ部材、１
１…集積回路基板、１２…ＰＩＮダイオード、１３…半
導体ブロック、１４ａ，１４ｂ，１１４ａ…モノリシッ
クレーザダイオード、ＬＤ１…第１レーザダイオード、
ＬＤ２…第２レーザダイオード、１６…前部第１フォト
ダイオード、１７…後部第１フォトダイオード、１８…
前部第２フォトダイオード、１９…後部第２フォトダイ
オード、２０…プリズム、２０ａ…分光面、２１…基
台、２１ａ…突起部、２２…端子、２３，１３ｂ，１３
ｃ，４３ａ…リード、３０…ｎ型基板、３１，３６…ｎ
型バッファ層、３２，３７…ｎ型クラッド層、３３，３
８…活性層、３４，３９…ｐ型クラッド層、３５，４０
…ｐ型キャップ層、４１…絶縁化領域、４２…ｐ電極、
４３…ｎ電極、４４…絶縁膜、ＭＳ…マスク層、ＳＴ
１，ＳＴ２…積層体、ＢＳ…ビームスプリッタ、Ｃ…コ
リメータ、Ｒ…ＣＤ用開口制限アパーチャ、ＭＬ…マル
チレンズ、ＰＤ…フォトダイオード、ＥＣ…エッチング
液、Ｇ…グレーティング、Ｍ…ミラー、ＯＬ…対物レン
ズ、Ｄ…光ディスク、Ｌ１…第１レーザ光、Ｌ２…第２
レーザ光。

フロントページの続き (72)発明者 成井 啓修 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D119 AA41 BA01 BB01 BB04 EC47 FA05 FA08 NA01 NA04 5F041 AA12 CA04 CA05 CA34 CA35 CA36 CA37 CA38 CA65 CA74 CA82 CA92 CB04 CB27 FF16 5F073 AA13 AA74 AB04 AB12 AB27 BA04 CA05 CA14 CB02 DA05 DA22 DA25 EA04 EA28 FA02 FA11 GA01

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に少なくとも第１半導体発光素子と第
   ２半導体発光素子を有する半導体発光装置の製造方法で
   あって、 基板上に、第１半導体発光素子形成領域を開口し、第２
   半導体発光素子形成領域を保護するマスク層を形成する
   工程と、 前記マスク層をマスクとするエピタキシャル成長法によ
   り、前記第１半導体発光素子形成領域において選択的
   に、前記基板上に、少なくとも第１導電型第１クラッド
   層、第１活性層および第２導電型第２クラッド層を積層
   させた第１積層体を形成する工程と、 前記マスク層を除去する工程と、 エピタキシャル成長法により、前記基板上に、少なくと
   も第１導電型第３クラッド層、第２活性層および第２導
   電型第４クラッド層を積層させた第２積層体を形成する
   工程と、 第２半導体発光素子形成領域の前記第２積層体を残し
   て、他の領域の前記第２積層体を除去する工程とを有す
   る半導体発光装置の製造方法。
2. 【請求項２】前記基板として、オフオリエンテーション
   基板を用い、 前記第２積層体を形成する工程においては、少なくとも
   １つの自発的にオーダリングして結晶成長する層を含む
   積層体を形成する請求項１記載の半導体発光装置の製造
   方法。
3. 【請求項３】前記第１積層体と前記第２積層体を、少な
   くともその一部の組成または構造が異なるように形成
   し、 前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子の素
   子特性を異ならせて形成する請求項１記載の半導体発光
   装置の製造方法。
4. 【請求項４】前記第１積層体と前記第２積層体を、少な
   くともその一部の組成が異なるように形成し、 前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子の発
   光波長を異ならせて形成する請求項３記載の半導体発光
   装置の製造方法。
5. 【請求項５】前記第１活性層と第２活性層を、それぞれ
   組成比を異ならせて形成する請求項１記載の半導体発光
   装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記第１活性層と第２活性層を、互いに異
   なる組成元素により形成する請求項１記載の半導体発光
   装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記第１導電型第１クラッド層、第１活性
   層および第２導電型第２クラッド層の組成と、前記第１
   導電型第３クラッド層、第２活性層および第２導電型第
   ４クラッド層の組成とを異ならせて形成する請求項１記
   載の半導体発光装置の製造方法。
8. 【請求項８】前記基板として、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、
   ＧａＰおよびＩｎＰからなる化合物群から選択される化
   合物を含む基板を用いる請求項１記載の半導体発光装置
   の製造方法。
9. 【請求項９】前記第１積層体を形成する工程および前記
   第２積層体を形成する工程においては、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
   ｎ、ＰおよびＡｓからなる元素群から選択される元素に
   よって構成される層を少なくとも１層含む積層体を形成
   する請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。