JP2001244570A - 半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一基板上に設けられた複数の発光部から各
々出射されるレーザ光を用途に応じて最適に発振できる
ようにすること。 【解決手段】 同一基板１上に複数の発光部に対応する
複数の共振器（レーザダイオードＡ、Ｂ）を備えている
半導体レーザにおいて、これら複数の共振器における共
振器長が異なるものである。
々出射されるレーザ光を用途に応じて最適に発振できる
ようにすること。 【解決手段】 同一基板１上に複数の発光部に対応する
複数の共振器（レーザダイオードＡ、Ｂ）を備えている
半導体レーザにおいて、これら複数の共振器における共
振器長が異なるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一基板上に複数
の発光部に対応する共振器を備えている半導体レーザ、
レーザカプラ、データ再生装置、データ記録装置ならび
に半導体レーザの製造方法に関する。
の発光部に対応する共振器を備えている半導体レーザ、
レーザカプラ、データ再生装置、データ記録装置ならび
に半導体レーザの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＤ（コンパクトディスク）やＤ
ＶＤ（デジタルビデオディスク）のように複数種類のメ
ディアを再生／記録する装置が開発されている。1台の
装置で複数種類のメディアを再生／記録する場合、各メ
ディアの規格に合わせたシステム構成が必要となるが、
例えばＣＤとＤＶＤとでは異なる波長のレーザ光を用い
るため、少なくとも２つの波長のレーザ光を出射するデ
バイスを搭載する必要が生じる。
ＶＤ（デジタルビデオディスク）のように複数種類のメ
ディアを再生／記録する装置が開発されている。1台の
装置で複数種類のメディアを再生／記録する場合、各メ
ディアの規格に合わせたシステム構成が必要となるが、
例えばＣＤとＤＶＤとでは異なる波長のレーザ光を用い
るため、少なくとも２つの波長のレーザ光を出射するデ
バイスを搭載する必要が生じる。
【０００３】ここで、２つの波長のレーザ光を出射する
デバイスとしては、各波長のレーザ光を出射する半導体
レーザやそれに対応する光学系を別個に用意して組み合
わせるものがある。しかし、これでは部品点数が増加
し、装置コストの上昇を招くとともに、装置の小型化を
妨げることになる。
デバイスとしては、各波長のレーザ光を出射する半導体
レーザやそれに対応する光学系を別個に用意して組み合
わせるものがある。しかし、これでは部品点数が増加
し、装置コストの上昇を招くとともに、装置の小型化を
妨げることになる。
【０００４】そこで、同一基板上に２つの波長のレーザ
光を出射する活性層を各々成長させたモノリシック型の
半導体レーザ（いわゆる２波長レーザ）が開発されてい
る。図１０は、モノリシック型の半導体レーザを説明す
る図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線
矢視断面図である。
光を出射する活性層を各々成長させたモノリシック型の
半導体レーザ（いわゆる２波長レーザ）が開発されてい
る。図１０は、モノリシック型の半導体レーザを説明す
る図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線
矢視断面図である。
【０００５】この半導体レーザにおいては、例えばｎ−
ＧａＡｓからなる基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２
ａが形成され、その上層に例えば７８０ｎｍ帯の波長の
レーザ光を出射するレーザダイオードＡと、６５０ｎｍ
帯の波長のレーザ光を出射するレーザダイオードＢとが
形成されている。レーザダイオードＡの光出射部とレー
ザダイオードＢの光出射部との間隔は２００μｍ以下、
例えば１００μｍ程度とされることが多い。
ＧａＡｓからなる基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２
ａが形成され、その上層に例えば７８０ｎｍ帯の波長の
レーザ光を出射するレーザダイオードＡと、６５０ｎｍ
帯の波長のレーザ光を出射するレーザダイオードＢとが
形成されている。レーザダイオードＡの光出射部とレー
ザダイオードＢの光出射部との間隔は２００μｍ以下、
例えば１００μｍ程度とされることが多い。
【０００６】このような構成からなるモノリシック型の
半導体レーザでは、半導体プロセスによって同一基板上
に異なる波長を発振できる活性層およびクラッド層等を
各々形成するため、２つのレーザ光の発光間隔を精度よ
く近づけられる。これにより、後段の光学系を共用する
ことができ、部品点数の削減、装置コストの低減および
装置の小型化を図ることができる。
半導体レーザでは、半導体プロセスによって同一基板上
に異なる波長を発振できる活性層およびクラッド層等を
各々形成するため、２つのレーザ光の発光間隔を精度よ
く近づけられる。これにより、後段の光学系を共用する
ことができ、部品点数の削減、装置コストの低減および
装置の小型化を図ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体レーザにおいては次のような問題がある。す
なわち、異なる波長のレーザ光を出射するレーザダイオ
ードが同一基板上に形成されているため、発光間隔を精
度良く狭くできたり、後段の光学系を共用できるように
なるものの、各レーザダイオードの共振器長が全て同じ
であるため、各レーザ光を用いたデータ再生／記録装置
であるシステム側の要求を必ずしも満たすことができな
い。
うな半導体レーザにおいては次のような問題がある。す
なわち、異なる波長のレーザ光を出射するレーザダイオ
ードが同一基板上に形成されているため、発光間隔を精
度良く狭くできたり、後段の光学系を共用できるように
なるものの、各レーザダイオードの共振器長が全て同じ
であるため、各レーザ光を用いたデータ再生／記録装置
であるシステム側の要求を必ずしも満たすことができな
い。
【０００８】つまり、データ再生／記録装置としては、
例えばＣＤについては７８０ｎｍ帯のレーザ光を用いて
最適にデータ再生／記録を行い、ＤＶＤについては６５
０ｎｍ帯のレーザ光を用いて最適にデータ再生／記録を
行いたいという要求がある。ところが、同一基板上に２
つのレーザダイオードを形成するモノリシック型では、
劈開によって一律に共振器長が決まってしまう。このた
め、異なる波長のレーザ光を用いる各メディアの再生／
記録において、両方の要求を満足できる半導体レーザを
提供できないという問題が生じる。
例えばＣＤについては７８０ｎｍ帯のレーザ光を用いて
最適にデータ再生／記録を行い、ＤＶＤについては６５
０ｎｍ帯のレーザ光を用いて最適にデータ再生／記録を
行いたいという要求がある。ところが、同一基板上に２
つのレーザダイオードを形成するモノリシック型では、
劈開によって一律に共振器長が決まってしまう。このた
め、異なる波長のレーザ光を用いる各メディアの再生／
記録において、両方の要求を満足できる半導体レーザを
提供できないという問題が生じる。
【０００９】また、一つのレーザダイオードの共振器長
に合わせて他のレーザダイオードの共振器長が決まって
しまうことで、他のレーザダイオードの共振器長を不要
に長くしてしまうことになり、無駄な電流消費を強いら
れることにもなる。
に合わせて他のレーザダイオードの共振器長が決まって
しまうことで、他のレーザダイオードの共振器長を不要
に長くしてしまうことになり、無駄な電流消費を強いら
れることにもなる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成されたものである。すなわち、本
発明は、同一基板上に複数の発光部に対応する複数の共
振器を備えている半導体レーザにおいて、これら複数の
共振器における共振器長が異なるものである。
題を解決するために成されたものである。すなわち、本
発明は、同一基板上に複数の発光部に対応する複数の共
振器を備えている半導体レーザにおいて、これら複数の
共振器における共振器長が異なるものである。
【００１１】このような本発明では、同一基板上に複数
の発光部に対する複数の共振器を備えている半導体レー
ザであっても、複数の共振器の共振器長が異なるため、
各発光部から出射するレーザ光の用途に合わせた共振器
長に構成して、データ再生／記録装置との最適化を図る
ことができるようになる。
の発光部に対する複数の共振器を備えている半導体レー
ザであっても、複数の共振器の共振器長が異なるため、
各発光部から出射するレーザ光の用途に合わせた共振器
長に構成して、データ再生／記録装置との最適化を図る
ことができるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明における実施の形態
を図に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る半
導体レーザを説明する概略斜視図である。すなわち、本
実施形態の半導体レーザは、同一の基板１上に複数の発
光部に対応する共振器（活性層４ａ、４ｂ）が形成され
たいわゆるモノリシック型の半導体レーザであり、特
に、複数の共振器の共振器長が異なる点に特徴がある。
を図に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る半
導体レーザを説明する概略斜視図である。すなわち、本
実施形態の半導体レーザは、同一の基板１上に複数の発
光部に対応する共振器（活性層４ａ、４ｂ）が形成され
たいわゆるモノリシック型の半導体レーザであり、特
に、複数の共振器の共振器長が異なる点に特徴がある。
【００１３】図１に示す半導体レーザでは、ＣＤに対応
した７８０ｎｍ帯の発振波長からなるレーザ光を出射す
るレーザダイオードＡと、ＤＶＤに対応した６５０ｎｍ
帯の発振波長からなるレーザ光を出射するレーザダイオ
ードＢとが同一基板１上に形成されている。
した７８０ｎｍ帯の発振波長からなるレーザ光を出射す
るレーザダイオードＡと、ＤＶＤに対応した６５０ｎｍ
帯の発振波長からなるレーザ光を出射するレーザダイオ
ードＢとが同一基板１上に形成されている。
【００１４】ここで、基板１としては、例えばｎ−Ｇａ
Ａｓが用いられる。また、レーザダイオードＡ部分に
は、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａの上に、ｎ−ＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ−クラッド層３ａ、ＧａＡｓからなる活
性層４ａ、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ−クラッド層５
ａによってレーザダイオードＡが構成され、ｎ−クラッ
ド層３ｂ、活性層４ｂ、ｐ−クラッド層５ｂ、ｐ−Ｇａ
Ａｓからなるキャップ層６ａが順に積層されている。ｐ
−クラッド層５ａの表面には中央をストライプ状に残し
て高抵抗層７ａが形成されている。これにより、ゲイン
ガイド型の電流狭窄構造となっている。キャップ層６ａ
の上部にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜からなるｐ型電極
８ａが形成されている。また、レーザダイオードＡ部分
およびレーザダイオードＢ部分に共通して、基板１の下
部にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜からなるｎ型電極９
が形成されている。
Ａｓが用いられる。また、レーザダイオードＡ部分に
は、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａの上に、ｎ−ＡｌＧａ
Ａｓからなるｎ−クラッド層３ａ、ＧａＡｓからなる活
性層４ａ、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ−クラッド層５
ａによってレーザダイオードＡが構成され、ｎ−クラッ
ド層３ｂ、活性層４ｂ、ｐ−クラッド層５ｂ、ｐ−Ｇａ
Ａｓからなるキャップ層６ａが順に積層されている。ｐ
−クラッド層５ａの表面には中央をストライプ状に残し
て高抵抗層７ａが形成されている。これにより、ゲイン
ガイド型の電流狭窄構造となっている。キャップ層６ａ
の上部にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜からなるｐ型電極
８ａが形成されている。また、レーザダイオードＡ部分
およびレーザダイオードＢ部分に共通して、基板１の下
部にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜からなるｎ型電極９
が形成されている。
【００１５】レーザダイオードＢ部分には、ｎ−ＧａＡ
ｓバッファ層２ａの上に、ｎ−ＩｎＧａＰバッファ層２
ｂ、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ−クラッド層３ｂ、
ＧａＩｎＰからなる活性層４ｂ、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰか
らなるｐ−クラッド層５ｂ、ｐ−ＧａＡｓからなるキャ
ップ層６ｂとが順に積層されている。ｐ−クラッド層５
ｂの表面には中央をストライプ状に残して高抵抗層７ｂ
が形成されている。これにより、ゲインガイド型の電流
狭窄構造となっている。キャップ層６ｂの上部にはＴｉ
／Ｐｔ／Ａｕの積層膜からなるｐ型電極８ｂが形成され
ている。
ｓバッファ層２ａの上に、ｎ−ＩｎＧａＰバッファ層２
ｂ、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ−クラッド層３ｂ、
ＧａＩｎＰからなる活性層４ｂ、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰか
らなるｐ−クラッド層５ｂ、ｐ−ＧａＡｓからなるキャ
ップ層６ｂとが順に積層されている。ｐ−クラッド層５
ｂの表面には中央をストライプ状に残して高抵抗層７ｂ
が形成されている。これにより、ゲインガイド型の電流
狭窄構造となっている。キャップ層６ｂの上部にはＴｉ
／Ｐｔ／Ａｕの積層膜からなるｐ型電極８ｂが形成され
ている。
【００１６】このようなレーザダイオードＡ、Ｂのう
ち、ＤＶＤ用のレーザダイオードＢについては両端部を
劈開することで共振器（活性層４ｂ）の長さ（共振器
長）が決まり、ＣＤ用のレーザダイオードＡについては
一方端を例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）のよ
うなドライプロセスによって除去することで共振器（活
性層４ａ）の長さ（共振器長）が決まっている。つま
り、ＤＶＤ用のレーザダイオードＢはＤＶＤ再生／記録
装置（システム）に適した共振器長となり、ＣＤ用のレ
ーザダイオードＡはＤＶＤ用のレーザダイオードＢの共
振器長に拘束されることなくＣＤ再生／記録装置（シス
テム）に適した共振器長を実現できることになる。
ち、ＤＶＤ用のレーザダイオードＢについては両端部を
劈開することで共振器（活性層４ｂ）の長さ（共振器
長）が決まり、ＣＤ用のレーザダイオードＡについては
一方端を例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）のよ
うなドライプロセスによって除去することで共振器（活
性層４ａ）の長さ（共振器長）が決まっている。つま
り、ＤＶＤ用のレーザダイオードＢはＤＶＤ再生／記録
装置（システム）に適した共振器長となり、ＣＤ用のレ
ーザダイオードＡはＤＶＤ用のレーザダイオードＢの共
振器長に拘束されることなくＣＤ再生／記録装置（シス
テム）に適した共振器長を実現できることになる。
【００１７】図２は、本実施形態の半導体レーザをフォ
トディテクタ基板に搭載した例を示す図で、（ａ）は側
面図、（ｂ）は平面図である。フォトディテクタ基板１
０に搭載する場合には、本実施形態の半導体レーザを図
１に示す向きに対して表裏反転させる。上記説明したよ
うに、本実施形態の半導体レーザは、２つのレーザダイ
オードＡ、Ｂにおいて共振器長が異なっている。このた
め、各レーザダイオードＡ、Ｂの一方端は揃っている
が、他方端は段差がついた状態となる。そこで、段差の
ついた端面から出射されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２を各々対
応するフォトディテクタ１１ａ、１１ｂで受光するよう
にする。このフォトディテクタ１１ａ、１１ｂは、主と
してレーザ光の強度モニタ用として使用される。
トディテクタ基板に搭載した例を示す図で、（ａ）は側
面図、（ｂ）は平面図である。フォトディテクタ基板１
０に搭載する場合には、本実施形態の半導体レーザを図
１に示す向きに対して表裏反転させる。上記説明したよ
うに、本実施形態の半導体レーザは、２つのレーザダイ
オードＡ、Ｂにおいて共振器長が異なっている。このた
め、各レーザダイオードＡ、Ｂの一方端は揃っている
が、他方端は段差がついた状態となる。そこで、段差の
ついた端面から出射されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２を各々対
応するフォトディテクタ１１ａ、１１ｂで受光するよう
にする。このフォトディテクタ１１ａ、１１ｂは、主と
してレーザ光の強度モニタ用として使用される。
【００１８】本実施形態の半導体レーザでは、段差のつ
いた端部を備えることから、ここから出射されるレーザ
光Ｃ１、Ｃ２の出射位置が異なり、互いの干渉を防止で
きるようになる。つまり、レーザ光Ｃ１のうちレーザダ
イオードＢ側へ広がる一部は出射後にレーザダイオード
Ｂの側壁に当たる状態となり、レーザ光Ｃ２を受光する
ためのフォトディテクタ１１ｂへは向かわないようにな
る。これにより、各レーザ光Ｃ１、Ｃ２を各々対応する
フォトディテクタ１１ａ、１１ｂで正確に受けることが
でき、精度の高いモニタを行うことができる。
いた端部を備えることから、ここから出射されるレーザ
光Ｃ１、Ｃ２の出射位置が異なり、互いの干渉を防止で
きるようになる。つまり、レーザ光Ｃ１のうちレーザダ
イオードＢ側へ広がる一部は出射後にレーザダイオード
Ｂの側壁に当たる状態となり、レーザ光Ｃ２を受光する
ためのフォトディテクタ１１ｂへは向かわないようにな
る。これにより、各レーザ光Ｃ１、Ｃ２を各々対応する
フォトディテクタ１１ａ、１１ｂで正確に受けることが
でき、精度の高いモニタを行うことができる。
【００１９】次に、本実施形態における半導体レーザの
製造方法について説明する。先ず、図３（ａ）に示すよ
うに、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯ
ＶＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、例えばｎ
−ＧａＡｓからなる基板１上に、例えばｎ−ＧａＡｓか
らなるバッファ層２ａ、例えばｎ−ＡｌＧａＡｓからな
るｎ−クラッド層３ａ、例えばＧａＡｓ層を含む多重量
子井戸構造の活性層４ａ、例えばｐ−ＡｌＧａＡｓから
なるｐ−クラッド層５ａ、例えばｐ−ＧａＡｓからなる
キャップ層６ａを順に積層させる。
製造方法について説明する。先ず、図３（ａ）に示すよ
うに、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯ
ＶＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、例えばｎ
−ＧａＡｓからなる基板１上に、例えばｎ−ＧａＡｓか
らなるバッファ層２ａ、例えばｎ−ＡｌＧａＡｓからな
るｎ−クラッド層３ａ、例えばＧａＡｓ層を含む多重量
子井戸構造の活性層４ａ、例えばｐ−ＡｌＧａＡｓから
なるｐ−クラッド層５ａ、例えばｐ−ＧａＡｓからなる
キャップ層６ａを順に積層させる。
【００２０】次いで、図３（ｂ）に示すように、レーザ
ダイオードＡ部分をレジスト（図示せず）により保護
し、硫酸系の溶液を用いた無選択エッチング、およびフ
ッ酸系の溶液を用いたＡｌＧａＡｓに対する選択エッチ
ング等のウェットエッチングを行う。このエッチングに
より、レーザダイオードＢ部分に形成されたｎ−クラッ
ド層３ａから上の積層体を除去する。
ダイオードＡ部分をレジスト（図示せず）により保護
し、硫酸系の溶液を用いた無選択エッチング、およびフ
ッ酸系の溶液を用いたＡｌＧａＡｓに対する選択エッチ
ング等のウェットエッチングを行う。このエッチングに
より、レーザダイオードＢ部分に形成されたｎ−クラッ
ド層３ａから上の積層体を除去する。
【００２１】次に、図３（ｃ）に示すように、例えば有
機金属気相エピタキシャル成長法などエピタキシャル成
長法により、レーザダイオードＢ部分のバッファ層２ａ
上およびそれ以外の領域のキャップ層６ａ上に、例えば
ｎ−ＩｎＧａＰからなるバッファ層２ｂを形成する。さ
らにその上層に、例えばｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ
−クラッド層３ｂと、例えばＧａＩｎＰ層を含む多重量
子井戸構造の活性層４ｂと、例えばｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
からなるｐ−クラッド層５ｂと、ｐ−ＧａＡｓからなる
キャップ層６ｂとを順に積層させる。
機金属気相エピタキシャル成長法などエピタキシャル成
長法により、レーザダイオードＢ部分のバッファ層２ａ
上およびそれ以外の領域のキャップ層６ａ上に、例えば
ｎ−ＩｎＧａＰからなるバッファ層２ｂを形成する。さ
らにその上層に、例えばｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ
−クラッド層３ｂと、例えばＧａＩｎＰ層を含む多重量
子井戸構造の活性層４ｂと、例えばｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
からなるｐ−クラッド層５ｂと、ｐ−ＧａＡｓからなる
キャップ層６ｂとを順に積層させる。
【００２２】次に、図４（ａ）に示すように、レーザダ
イオードＢ部分をレジスト（図示せず）により保護して
から、例えば硫酸系の溶液を用いたウェットエッチング
を行い、レーザダイオードＢ以外の部分のキャップ層６
ｂを除去する。さらに、例えばリン酸／塩酸系の溶液を
用いたウェットエッチングを行い、レーザダイオードＢ
以外の部分のｐ−クラッド層５ｂ、活性層４ｂ、ｎ−ク
ラッド層３ｂおよびバッファ層２ｂを除去する。その
後、例えば塩酸系の溶液を用いたウェットエッチングを
行い、バッファ層２ａに達するトレンチを形成する。こ
れにより、レーザダイオード間が分離される。
イオードＢ部分をレジスト（図示せず）により保護して
から、例えば硫酸系の溶液を用いたウェットエッチング
を行い、レーザダイオードＢ以外の部分のキャップ層６
ｂを除去する。さらに、例えばリン酸／塩酸系の溶液を
用いたウェットエッチングを行い、レーザダイオードＢ
以外の部分のｐ−クラッド層５ｂ、活性層４ｂ、ｎ−ク
ラッド層３ｂおよびバッファ層２ｂを除去する。その
後、例えば塩酸系の溶液を用いたウェットエッチングを
行い、バッファ層２ａに達するトレンチを形成する。こ
れにより、レーザダイオード間が分離される。
【００２３】次に、図４（ｂ）に示すように、各レーザ
ダイオードの電流注入領域となる部分をレジスト（図示
せず）により保護し、ｐ−クラッド層５ａ、５ｂの表面
に不純物をイオン注入する。これにより、イオン注入さ
れた領域に高抵抗層７ａ、７ｂが形成され、ゲインガイ
ド型の電流狭窄構造となる。
ダイオードの電流注入領域となる部分をレジスト（図示
せず）により保護し、ｐ−クラッド層５ａ、５ｂの表面
に不純物をイオン注入する。これにより、イオン注入さ
れた領域に高抵抗層７ａ、７ｂが形成され、ゲインガイ
ド型の電流狭窄構造となる。
【００２４】次に、図５（ａ）に示すように、レーザダ
イオードＡ、Ｂのうち、ＣＤ用として使用するレーザダ
イオードＡの一方端側の一部に例えばＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）のようなドライプロセスを施して、高
抵抗層７ａ、キャップ層６ａ、ｐ−クラッド層５ａ、活
性層４ａおよびｎ−クラッド層３ａを削除する。なお、
ｎ−クラッド層３ａは全て削除しなくてもよい。これに
より、レーザダイオードＡの共振器長を最適化できるこ
とになる。
イオードＡ、Ｂのうち、ＣＤ用として使用するレーザダ
イオードＡの一方端側の一部に例えばＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）のようなドライプロセスを施して、高
抵抗層７ａ、キャップ層６ａ、ｐ−クラッド層５ａ、活
性層４ａおよびｎ−クラッド層３ａを削除する。なお、
ｎ−クラッド層３ａは全て削除しなくてもよい。これに
より、レーザダイオードＡの共振器長を最適化できるこ
とになる。
【００２５】次に、図５（ｂ）に示すように、キャップ
層６ａ、６ｂの上部に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜
をスパッタリングにより成膜し、レーザダイオードＡ、
Ｂにそれぞれｐ型電極８ａ、８ｂを形成する。また、基
板１のレーザダイオードＡ、Ｂが形成された側と反対側
の面に、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜をスパッ
タリングにより成膜し、ｎ型電極９を形成する。
層６ａ、６ｂの上部に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜
をスパッタリングにより成膜し、レーザダイオードＡ、
Ｂにそれぞれｐ型電極８ａ、８ｂを形成する。また、基
板１のレーザダイオードＡ、Ｂが形成された側と反対側
の面に、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜をスパッ
タリングにより成膜し、ｎ型電極９を形成する。
【００２６】その後、ペレタイズ工程を経て、同一の基
板１上に共振器長の異なる２つのレーザダイオードＡ、
Ｂを有する図１に示すような半導体レーザが構成され
る。なお、レーザダイオードＡ、Ｂの両端面には、各々
の発振波長に応じた誘電体膜を被着しておくことが望ま
しい。
板１上に共振器長の異なる２つのレーザダイオードＡ、
Ｂを有する図１に示すような半導体レーザが構成され
る。なお、レーザダイオードＡ、Ｂの両端面には、各々
の発振波長に応じた誘電体膜を被着しておくことが望ま
しい。
【００２７】次に、本実施形態の他の例を説明する。図
６は他の例を説明する模式図（その１）である。すなわ
ち、この半導体レーザは、レーザダイオードＡ、Ｂの両
方における一方端側の一部をＲＩＥ等のドライプロセス
によって削除して共振器長を各々最適化しているととも
に、削除する部分におけるレーザダイオードＡ、Ｂ間を
残して隔壁Ｐを設けたものである。
６は他の例を説明する模式図（その１）である。すなわ
ち、この半導体レーザは、レーザダイオードＡ、Ｂの両
方における一方端側の一部をＲＩＥ等のドライプロセス
によって削除して共振器長を各々最適化しているととも
に、削除する部分におけるレーザダイオードＡ、Ｂ間を
残して隔壁Ｐを設けたものである。
【００２８】このような隔壁Ｐを設けることで、各レー
ザダイオードＡ、Ｂの削除によって形成された端面から
出射されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２は、互いに隔壁Ｐによっ
て確実に分離されることになる。つまり、端面から出射
されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２を例えば強度モニタ用のフォ
トディテクタへ入射するにあたり、レーザダイオードＡ
の端面から出射されるレーザ光Ｃ１のうちレーザダイオ
ードＢ側へ広がる部分は隔壁Ｐによって反射し、反対に
レーザダイオードＢの端面から出射されるレーザ光Ｃ２
のうちレーザダイオードＡ側へ広がる部分は隔壁Ｐによ
って反射する。
ザダイオードＡ、Ｂの削除によって形成された端面から
出射されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２は、互いに隔壁Ｐによっ
て確実に分離されることになる。つまり、端面から出射
されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２を例えば強度モニタ用のフォ
トディテクタへ入射するにあたり、レーザダイオードＡ
の端面から出射されるレーザ光Ｃ１のうちレーザダイオ
ードＢ側へ広がる部分は隔壁Ｐによって反射し、反対に
レーザダイオードＢの端面から出射されるレーザ光Ｃ２
のうちレーザダイオードＡ側へ広がる部分は隔壁Ｐによ
って反射する。
【００２９】これにより、各々のレーザ光Ｃ１、Ｃ２は
互いに隔壁Ｐによって確実に分離され、各々干渉するこ
となくフォトディテクタへ入射され、正確なモニタを行
うことが可能となる。また、互いのレーザ光Ｃ１、Ｃ２
が干渉しないため、同時にモニタすることも可能とな
る。
互いに隔壁Ｐによって確実に分離され、各々干渉するこ
となくフォトディテクタへ入射され、正確なモニタを行
うことが可能となる。また、互いのレーザ光Ｃ１、Ｃ２
が干渉しないため、同時にモニタすることも可能とな
る。
【００３０】さらに、このような半導体レーザでは、図
２（ａ）に示すように基板側を上にして（反転して）フ
ォトディテクタ基板に搭載するため、各レーザダイオー
ドＡ、Ｂから出射されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２の出射部付
近は、フォトディテクタ基板、半導体レーザの基板およ
び隔壁Ｐによって３面を囲まれる状態となる。これによ
り、レーザ光Ｃ１、Ｃ２は、各々囲まれる壁で反射して
有効にフォトディテクタへ入射されるため、フォトディ
テクタでの受光感度を高めることができる。
２（ａ）に示すように基板側を上にして（反転して）フ
ォトディテクタ基板に搭載するため、各レーザダイオー
ドＡ、Ｂから出射されるレーザ光Ｃ１、Ｃ２の出射部付
近は、フォトディテクタ基板、半導体レーザの基板およ
び隔壁Ｐによって３面を囲まれる状態となる。これによ
り、レーザ光Ｃ１、Ｃ２は、各々囲まれる壁で反射して
有効にフォトディテクタへ入射されるため、フォトディ
テクタでの受光感度を高めることができる。
【００３１】図７は、他の例を説明する模式図（その
２）で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。この
半導体レーザは、２つのレーザダイオードＡ、Ｂのう
ち、主としてＣＤ用のレーザダイオードＡの途中の一部
をドライプロセス（ＲＩＥ等）によって削除し、端部に
残った部分をレーザダイオードＡ用のフォトディテクタ
ＰＤａとして用いるものである。ここで、図中Ｌ１がレ
ーザダイオードＡの共振器長となる。
２）で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。この
半導体レーザは、２つのレーザダイオードＡ、Ｂのう
ち、主としてＣＤ用のレーザダイオードＡの途中の一部
をドライプロセス（ＲＩＥ等）によって削除し、端部に
残った部分をレーザダイオードＡ用のフォトディテクタ
ＰＤａとして用いるものである。ここで、図中Ｌ１がレ
ーザダイオードＡの共振器長となる。
【００３２】この場合、フォトディテクタＰＤａはレー
ザダイオードＡと同じ構造となっているが、強度モニタ
用の受光素子としても使用することができる。つまり、
レーザダイオードＡと同じ製造工程でフォトディテクタ
ＰＤａを製造することができ、別途製造する必要がなく
なる。また、先と同様に、レーザダイオードＡ、Ｂの共
振器長を各々最適化することもできる。
ザダイオードＡと同じ構造となっているが、強度モニタ
用の受光素子としても使用することができる。つまり、
レーザダイオードＡと同じ製造工程でフォトディテクタ
ＰＤａを製造することができ、別途製造する必要がなく
なる。また、先と同様に、レーザダイオードＡ、Ｂの共
振器長を各々最適化することもできる。
【００３３】なお、このようにレーザダイオードＡの途
中の一部のみを削除（エッチング）する場合でも、レー
ザダイオードＡのフォトディテクタＰＤａ側の端面に
は、斜め蒸着等によってコーティングを施すことが可能
である。
中の一部のみを削除（エッチング）する場合でも、レー
ザダイオードＡのフォトディテクタＰＤａ側の端面に
は、斜め蒸着等によってコーティングを施すことが可能
である。
【００３４】また、図８は、他の例を説明する模式図
（その３）である。この半導体レーザは、２つのレーザ
ダイオードＡ、Ｂの両方における途中をドライプロセス
（ＲＩＥ等）によって各々削除するにあたり、基板端部
まで削除しないで一部を残し、ここをレーザダイオード
Ａ、Ｂ用のフォトディテクタＰＤａ、ＰＤｂとして用い
るものである。ここで、図中Ｌ１がレーザダイオードＡ
の共振器長、Ｌ２がレーザダイオードＢの共振器長とな
る。
（その３）である。この半導体レーザは、２つのレーザ
ダイオードＡ、Ｂの両方における途中をドライプロセス
（ＲＩＥ等）によって各々削除するにあたり、基板端部
まで削除しないで一部を残し、ここをレーザダイオード
Ａ、Ｂ用のフォトディテクタＰＤａ、ＰＤｂとして用い
るものである。ここで、図中Ｌ１がレーザダイオードＡ
の共振器長、Ｌ２がレーザダイオードＢの共振器長とな
る。
【００３５】この場合、フォトディテクタＰＤａはレー
ザダイオードＡと同じ構造、またフォトディテクタＰＤ
ｂはレーザダイオードＢと同じ構造となっており、各々
強度モニタ用の受光素子として使用することができる。
すなわち、レーザダイオードＡ、Ｂと同じ製造工程でフ
ォトディテクタＰＤａ、ＰＤｂを製造することができ、
別途製造する必要がなくなる。また、先と同様に、レー
ザダイオードＡ、Ｂの共振器長を各々最適化することも
できる。
ザダイオードＡと同じ構造、またフォトディテクタＰＤ
ｂはレーザダイオードＢと同じ構造となっており、各々
強度モニタ用の受光素子として使用することができる。
すなわち、レーザダイオードＡ、Ｂと同じ製造工程でフ
ォトディテクタＰＤａ、ＰＤｂを製造することができ、
別途製造する必要がなくなる。また、先と同様に、レー
ザダイオードＡ、Ｂの共振器長を各々最適化することも
できる。
【００３６】次に、本実施形態の半導体レーザをレーザ
カプラに適用する例を説明する。図９は、レーザカプラ
を説明する模式図であり、（ａ）はパッケージ外観図、
（ｂ）はレーザカプラ外観図である。このレーザカプラ
１０ｃは、主としてＣＤおよびＤＶＤなどの光学記録媒
体に対して光照射することでデータの再生／記録を行う
装置に用いる。ここで、本実施形態の半導体レーザ１０
０は、レーザカプラ１０ｃのＰＩＮフォトダイオード１
２０が形成された半導体ブロック１３０の上に搭載され
ている。
カプラに適用する例を説明する。図９は、レーザカプラ
を説明する模式図であり、（ａ）はパッケージ外観図、
（ｂ）はレーザカプラ外観図である。このレーザカプラ
１０ｃは、主としてＣＤおよびＤＶＤなどの光学記録媒
体に対して光照射することでデータの再生／記録を行う
装置に用いる。ここで、本実施形態の半導体レーザ１０
０は、レーザカプラ１０ｃのＰＩＮフォトダイオード１
２０が形成された半導体ブロック１３０の上に搭載され
ている。
【００３７】レーザカプラ１０ｃは、第１パッケージ部
材２０の凹部に装填され、ガラスなどの透明な第２パッ
ケージ３０によって封止されている。例えば、シリコン
の単結晶を切り出した基板である集積回路基板１１０上
に、モニタ用の受光素子としてＰＩＮフォトダイオード
１２０が形成された半導体ブロック１３０が配置され、
さらに半導体ブロック１３０上に発光素子としてレーザ
ダイオードＡ、Ｂが同一基板上に形成されたモノリシッ
ク型の半導体レーザ１００が配置される。
材２０の凹部に装填され、ガラスなどの透明な第２パッ
ケージ３０によって封止されている。例えば、シリコン
の単結晶を切り出した基板である集積回路基板１１０上
に、モニタ用の受光素子としてＰＩＮフォトダイオード
１２０が形成された半導体ブロック１３０が配置され、
さらに半導体ブロック１３０上に発光素子としてレーザ
ダイオードＡ、Ｂが同一基板上に形成されたモノリシッ
ク型の半導体レーザ１００が配置される。
【００３８】一方、集積回路基板１１０には、例えば第
１フォトダイオード１６０、１７０および第２フォトダ
イオード１８０、１９０が形成され、この第１および第
２フォトダイオード１６０、１７０、１８０、１９０上
にレーザダイオードＡ、Ｂと所定間隔をおいてプリズム
２００が搭載されている。
１フォトダイオード１６０、１７０および第２フォトダ
イオード１８０、１９０が形成され、この第１および第
２フォトダイオード１６０、１７０、１８０、１９０上
にレーザダイオードＡ、Ｂと所定間隔をおいてプリズム
２００が搭載されている。
【００３９】このようなレーザカプラ１０ｃにおいて、
レーザダイオードＡから出射されたレーザ光Ｆ１は、プ
リズム２００の分光面２００ａで一部反射して進行方向
を屈曲し、第２パッケージ部材３０に形成された出射窓
から出射方向に出射し、図示しない反射ミラーや対物レ
ンズなどを介して光ディスク（ＣＤ）などの被照射対象
物に照射される。
レーザダイオードＡから出射されたレーザ光Ｆ１は、プ
リズム２００の分光面２００ａで一部反射して進行方向
を屈曲し、第２パッケージ部材３０に形成された出射窓
から出射方向に出射し、図示しない反射ミラーや対物レ
ンズなどを介して光ディスク（ＣＤ）などの被照射対象
物に照射される。
【００４０】上記の被照射対象物からの反射光は、被照
射対象物への入射方向と反対方向に進み、レーザカプラ
１０ｃからの出射方向からプリズム２００の分光面２０
０ａに入射する。このプリズム２００の上面で焦点を結
びながら、プリズム２００の下面となる集積回路基板１
１０上に形成された前部のフォトダイオード１６０およ
び後部のフォトダイオード１７０に入射する。
射対象物への入射方向と反対方向に進み、レーザカプラ
１０ｃからの出射方向からプリズム２００の分光面２０
０ａに入射する。このプリズム２００の上面で焦点を結
びながら、プリズム２００の下面となる集積回路基板１
１０上に形成された前部のフォトダイオード１６０およ
び後部のフォトダイオード１７０に入射する。
【００４１】一方、レーザダイオードＢから出射された
レーザ光Ｆ２は、上記と同様に、プリズム２００の分光
面２００ａで一部反射して進行方向を屈曲し、第２パッ
ケージ部材３０に形成された出射窓から出射方向に出射
し、図示しない反射ミラーや対物レンズなどを介して光
ディスク（ＤＶＤ）などの被照射対象物に照射される。
レーザ光Ｆ２は、上記と同様に、プリズム２００の分光
面２００ａで一部反射して進行方向を屈曲し、第２パッ
ケージ部材３０に形成された出射窓から出射方向に出射
し、図示しない反射ミラーや対物レンズなどを介して光
ディスク（ＤＶＤ）などの被照射対象物に照射される。
【００４２】上記の被照射対象物からの反射光は、被照
射対象物への入射方向と反対方向に進み、レーザカプラ
１０ｃからの出射方向からプリズム２００の分光面２０
０ａに入射する。このプリズム２００の上面で焦点を結
びながら、プリズム２００の下面となる集積回路基板１
１０上に形成された前部のフォトダイオード１８０およ
び後部のフォトダイオード１９０に入射する。
射対象物への入射方向と反対方向に進み、レーザカプラ
１０ｃからの出射方向からプリズム２００の分光面２０
０ａに入射する。このプリズム２００の上面で焦点を結
びながら、プリズム２００の下面となる集積回路基板１
１０上に形成された前部のフォトダイオード１８０およ
び後部のフォトダイオード１９０に入射する。
【００４３】また、半導体ブロック１３０上に形成され
たＰＩＮダイオード１２０は、例えば２つに分割された
領域を有し、レーザダイオードＡ、Ｂのそれぞれについ
て、リア側に出射されたレーザ光を感知し、レーザ光の
強度を測定してレーザ光の強度が一定となるようにレー
ザダイオードＡ、Ｂの駆動電流を制御するＡＰＣ制御が
行われる。
たＰＩＮダイオード１２０は、例えば２つに分割された
領域を有し、レーザダイオードＡ、Ｂのそれぞれについ
て、リア側に出射されたレーザ光を感知し、レーザ光の
強度を測定してレーザ光の強度が一定となるようにレー
ザダイオードＡ、Ｂの駆動電流を制御するＡＰＣ制御が
行われる。
【００４４】このように、レーザカプラ１０ｃとして本
実施形態のモノリシック型の半導体レーザ１００を用い
ることで、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディスク
システムの光学系ピックアップ装置における部品点数を
減らすことができ、光学系の構成を簡素化し、容易に組
み立て可能で小型化および低コストを図ることが可能と
なる。また、本実施形態の半導体レーザ１００では、２
つのレーザダイオードＡ、Ｂの共振器長が各々対応する
ＣＤ、ＤＶＤの光ディスクシステムに対して最適化され
ているため、正確な再生／記録動作を行うことができる
ようになる。
実施形態のモノリシック型の半導体レーザ１００を用い
ることで、ＣＤやＤＶＤなどの波長の異なる光ディスク
システムの光学系ピックアップ装置における部品点数を
減らすことができ、光学系の構成を簡素化し、容易に組
み立て可能で小型化および低コストを図ることが可能と
なる。また、本実施形態の半導体レーザ１００では、２
つのレーザダイオードＡ、Ｂの共振器長が各々対応する
ＣＤ、ＤＶＤの光ディスクシステムに対して最適化され
ているため、正確な再生／記録動作を行うことができる
ようになる。
【００４５】なお、上記説明した各実施形態では、いず
れも２つのレーザ光を出射する半導体レーザを例とした
が、３つ以上のレーザ光を出射するものであっても適用
可能である。また、各レーザ光の波長が異なる場合を例
としたが、各レーザ光の波長が同じであってもよい。ま
た、本実施形態ではＣＤおよびＤＶＤを媒体としたが、
他の媒体（例えば、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＭＤ（ミニディス
ク））であっても適用可能である。
れも２つのレーザ光を出射する半導体レーザを例とした
が、３つ以上のレーザ光を出射するものであっても適用
可能である。また、各レーザ光の波長が異なる場合を例
としたが、各レーザ光の波長が同じであってもよい。ま
た、本実施形態ではＣＤおよびＤＶＤを媒体としたが、
他の媒体（例えば、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＭＤ（ミニディス
ク））であっても適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。すなわち、同一基板上に複数の発
光部を備える半導体レーザにおいて、各発光部に対応す
る共振器の共振器長を最適な長さにすることができ、各
レーザ光を用いるデータ再生／記録装置の要求を個別に
満たすことが可能となる。また、一つの発光部における
共振器長に合わせて他の発光部の共振器長を不要に長く
する必要がなくなり、無駄な消費電流を抑制することが
可能となる。これらより、半導体レーザを用いたデータ
再生／記録装置の小型化、コストダウンを図りつつ、各
レーザ光に対応したメディアの再生／記録性能を向上さ
せることが可能となる。
のような効果がある。すなわち、同一基板上に複数の発
光部を備える半導体レーザにおいて、各発光部に対応す
る共振器の共振器長を最適な長さにすることができ、各
レーザ光を用いるデータ再生／記録装置の要求を個別に
満たすことが可能となる。また、一つの発光部における
共振器長に合わせて他の発光部の共振器長を不要に長く
する必要がなくなり、無駄な消費電流を抑制することが
可能となる。これらより、半導体レーザを用いたデータ
再生／記録装置の小型化、コストダウンを図りつつ、各
レーザ光に対応したメディアの再生／記録性能を向上さ
せることが可能となる。
【図１】本実施形態に係る半導体レーザを説明する概略
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本実施形態の半導体レーザをフォトディテクタ
基板に搭載した例を示す図である。
基板に搭載した例を示す図である。
【図３】本実施形態の半導体レーザの製造方法を説明す
る図（その１）である。
る図（その１）である。
【図４】本実施形態の半導体レーザの製造方法を説明す
る図（その２）である。
る図（その２）である。
【図５】本実施形態の半導体レーザの製造方法を説明す
る図（その３）である。
る図（その３）である。
【図６】他の例を説明する模式図（その１）である。
【図７】他の例を説明する模式図（その２）である。
【図８】他の例を説明する模式図（その３）である。
【図９】レーザカプラを説明する模式図である。
【図１０】従来の半導体レーザを説明する模式図であ
る。
る。
１…基板、２ａ…ｎ−ＧａＡｓバッファ層、２ｂ…ｎ−
ＩｎＧａＰバッファ層、３ａ…ｎ−クラッド層、３ｂ…
ｎ−クラッド層、４ａ…活性層、４ｂ…活性層、５ａ…
ｐ−クラッド層、５ｂ…ｐ−クラッド層、６ａ…キャッ
プ層、６ｂ…キャップ層、７ａ…高抵抗層、７ｂ…高抵
抗層、１０ｃ…レーザカプラ、１００…半導体レーザ
ＩｎＧａＰバッファ層、３ａ…ｎ−クラッド層、３ｂ…
ｎ−クラッド層、４ａ…活性層、４ｂ…活性層、５ａ…
ｐ−クラッド層、５ｂ…ｐ−クラッド層、６ａ…キャッ
プ層、６ｂ…キャップ層、７ａ…高抵抗層、７ｂ…高抵
抗層、１０ｃ…レーザカプラ、１００…半導体レーザ
Claims (13)
- 【請求項１】 同一基板上に、複数の発光部に対応する
複数の共振器を備えている半導体レーザにおいて前記複
数の共振器における共振器長が異なることを特徴とする
半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記複数の共振器は、各共振器に対応す
る出射光の発振波長に応じた共振器長に各々形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記複数の共振器における共振器長は、
前記基板の長さより各々短く形成されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 隣接する前記共振器の間に隔壁が設けら
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項５】 前記複数の共振器のうち、一つは３元系
化合物半導体によって構成され、他の一つは４元系化合
物半導体によって構成されることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 前記複数の共振器のうち、一つは７８０
ｎｍ帯の発振波長からなるレーザ光を出射し、他の一つ
は６５０ｎｍ帯の発振波長からなるレーザ光を出射する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 前記複数の共振器のうち、一つはＣＤ
（コンパクトディスク）用、他の一つはＤＶＤ（デジタ
ルビデオディスク）用であることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ。 - 【請求項８】 同一基板上に、複数の発光部に対応する
複数の共振器を備えており、この複数の共振器における
共振器長が異なる半導体レーザを備えていることを特徴
とするレーザカプラ。 - 【請求項９】 同一基板上に、複数の発光部に対応する
複数の共振器を備えており、この複数の共振器における
共振器長が異なる半導体レーザを備えていることを特徴
とするデータ再生装置。 - 【請求項１０】 同一基板上に、複数の発光部に対応す
る複数の共振器を備えており、この複数の共振器におけ
る共振器長が異なる半導体レーザを備えていることを特
徴とするデータ記録装置。 - 【請求項１１】 同一基板上に複数の発光部に対応する
複数の共振器を構成する工程と、 前記複数の共振器のうち、少なくとも１つにおける端部
を削除して複数の共振器の共振器長を設定する工程とを
備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１２】 前記複数の共振器のうち、少なくとも
１つにおける端部をドライプロセスによって削除するこ
とを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項１３】 前記複数の共振器のうち、共振器長が
最も長くなるものを劈開によって構成することを特徴と
する請求項１１記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053764A JP2001244570A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法 |
| US09/792,244 US6643310B2 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-23 | Semiconductor laser apparatus, laser coupler, data reproduction apparatus, data recording apparatus and production method of semiconductor laser apparatus |
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