JP4671728B2 - 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 Download PDF

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Description

本発明は波長の異なる複数の光を出射可能な半導体レーザ装置およびそれを備える光ピックアップ装置に関する。
従来より、ＣＤ（コンパクトディスク）ドライブには、光源として波長７８０ｎｍ程度の赤外光を出射する半導体レーザ素子（赤外半導体レーザ素子）が用いられてきた。また、従来のＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）ドライブには、光源として波長６５０ｎｍ程度の赤色光を出射する半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子）が用いられてきた。
一方、近年、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を用いて記録および再生可能なＤＶＤの開発が進められている。このようなＤＶＤの記録および再生のために、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を出射する半導体レーザ素子（青紫色半導体レーザ素子）を用いたＤＶＤドライブも同時に開発が進められている。このＤＶＤドライブにおいては、従来のＣＤおよびＤＶＤに対する互換性が必要とされる。
この場合、ＤＶＤドライブに赤外光、赤色光および青紫色光をそれぞれ出射する複数の光ピックアップ装置を設ける方法、または１つの光ピックアップ装置内に赤外半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子を設ける方法により、従来のＣＤ、ＤＶＤおよび新しいＤＶＤに対する互換性が実現される。しかしながら、これらの方法では部品点数の増加を招くため、ＤＶＤドライブの小型化、構成の簡単化および低コスト化が困難となる。
このような部品点数の増加を防止するために、赤外半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子とを１チップに集積化した半導体レーザ素子が実用化されている。
赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子はともにＧａＡｓ基板上に形成されるため１チップ化が可能であるが、青紫色半導体レーザ素子はＧａＡｓ基板上に形成されないため、青紫色半導体レーザ素子を赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子とともに１チップに集積化することは非常に困難である。
そこで、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子を同一チップに形成することによりモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子を作製するとともに、青紫色半導体レーザ素子を別個のチップに形成した後、青紫色半導体レーザ素子のチップとモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子のチップとを積み重ねた構造を有する発光装置が提案されている（特許文献１参照）。
この発光装置を光ピックアップ装置内に実装する場合、その光ピックアップ装置における青紫色半導体レーザ素子、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子の占有スペースが低減される。
特開２００１−２３０５０２号公報
ところで、上記のような発光装置において、それぞれの半導体レーザ素子の発光点は互いに離間している。したがって、複数の半導体レーザ素子を内蔵する光ピックアップ装置は、各半導体レーザ素子に対応する光学系および受光素子を設けることが好ましい。この場合、複数の半導体レーザ素子から出射される光を正確に光学記録媒体へ導くとともに、光学記録媒体からの反射光を正確に受光素子へ導くことができる。しかしながら、光ピックアップ装置に各半導体レーザ素子に対応する光学系および受光素子を設けると、光ピックアップ装置が大型化する。
特許文献１においては、青紫色半導体レーザ素子、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子を備える発光装置を、３つの半導体レーザ素子に共通の光学系および共通の受光素子が設けられた光ディスク記録再生装置内に実装する例が示されている。
しかしながら、青紫色半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光路は一致しない。そのため、正確な信号再生、トラッキング制御、フォーカス制御およびチルト制御を行うためには、実際には、光ディスク記録再生装置に３つのレーザ光に対応した３つの受光素子を設ける必要がある。したがって、上記の光ディスク記録再生装置は小型化が困難である。
本発明の目的は、光ピックアップ装置の小型化を可能にする半導体レーザ装置を提供することである。
本発明の他の目的は、小型化が可能な光ピックアップ装置を提供することである。
（１）
第１の発明に係る半導体レーザ装置は、第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体レーザ素子と、第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体レーザ素子と、第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の方向に直交する第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離および第２の発光点と第３の発光点との間の距離の少なくとも一方よりも小さいものである。
この発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光が出射され、第２の半導体レーザ素子の第２の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光が出射され、第３の半導体レーザ素子の第３の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光が出射される。
第３の波長は、第１の波長の略自然数倍であるので、第１の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、第３の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは略同一となる。一方、第２の波長は、第１の波長の自然数倍と異なるので、第１の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、第２の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは異なる。
ここで、第１の発光点と第３の発光点とは異なる位置に存在するので、第１の波長の光の光路と、第３の波長の光の光路とは正確には一致しない。
したがって、この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、光ピックアップ装置には、第１の波長の光を受光する第１の光検出器と第３の波長の光を受光する第２の光検出器とを設ける必要がある。
一方、第２の波長の光を回折格子に入射させることにより、第２の波長の光を第１および第２の光検出器の一方に導くことができる。したがって、第１および第２の光検出器により、第１、第２および第３の波長の光を受光することが可能となる。
この場合、第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離および第２の発光点と第３の発光点との間の距離の少なくとも一方よりも小さいことにより、第１の波長の光の光路と第３の波長の光の光路との間の距離が、第１の波長の光の光路と第２の波長の光の光路との間の距離および第２の波長の光の光路と第３の波長の光の光路との間の距離の少なくとも一方よりも小さくなる。
それにより、光ピックアップ装置内において、第１および第２光検出器を互いに近接して配置することができる。その結果、光ピックアップ装置における第１および第２の光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
（２）
第１、第２および第３の発光点は、第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、第３の発光点は、第１の発光点と第２の発光点との間に位置してもよい。この場合、第１、第３および第２の発光点がこの順で第２の方向に沿って略直線上に配置される。これにより、この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合に、光ピックアップ装置の設計が容易となる。
（３）
第１の半導体レーザ素子は、第１の基板を備え、第２の方向は、第１の基板の一面に略平行であってもよい。この場合、第１の発光点、第３の発光点および第２の発光点が第１の基板の一面に略平行な直線に沿って並ぶ。これにより、この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合に、光ピックアップ装置の設計が容易となる。
（４）
第１の半導体レーザ素子上に、第２および第３の半導体レーザ素子が接合されてもよい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子を一体化させることができる。それにより、半導体レーザ装置の小型化が可能となる。
（５）
第１の半導体レーザ素子は、第１の発光点を有する第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成される第１の電極とを備え、第２の半導体レーザ素子は、第２の発光点を有する第２の半導体層と、第２の半導体層上に形成される第２の電極とを備え、第３の半導体レーザ素子は、第３の発光点を備える第３の半導体層と、第３の半導体層上に形成される第３の電極とを備え、第１の電極上に第２および第３の電極が接合されてもよい。
この場合、第１の発光点と第２および第３の発光点との間の距離を、第１の半導体層に垂直な方向において短くすることができる。その結果、第１、第２および第３の発光点を、第１の半導体層と平行な方向において略直線上に配置することが容易となる。
（６）
第１の電極上に第２および第３の電極が絶縁層を介して接合されてもよい。これにより、第１、第２および第３の電極を互いに電気的に分離することができる。それにより、第１、第２および第３の電極にそれぞれ任意の電圧を与えることができる。したがって、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の駆動方式を任意に選択することが可能となる。
（７）
第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とを連結する連結部をさらに備えてもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とが連結部により互いに連結されるので、第１の発光点に対する第２および第３の発光点の位置決めが容易となる。
（８）
第２の方向に平行な一面を有するサブマウントをさらに備え、第１、第２および第３の半導体レーザ素子はサブマウントの一面上に接合されてもよい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子がサブマウントの一面上に接合されるので、第１、第２および第３の発光点をサブマウントの一面上で容易に略直線上に配置することができる。それにより、この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合に、光ピックアップ装置の設計が容易となる。
（９）
第１の波長の光は青紫色光であり、第２の波長の光は赤色光であり、第３の波長の光は赤外光であってもよい。この場合、１つの半導体レーザ装置から複数の色の光を出射することができる。
（１０）
第１の半導体層は窒化物系半導体からなってもよい。この場合、第１の半導体レーザ素子は青紫色光を出射することができる。
第２の半導体層はガリウムインジウムリン系半導体からなってもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子は赤色光を出射することができる。
第３の半導体層はガリウムヒ素系半導体からなってもよい。この場合、第３の半導体レーザ素子は、赤外光を出射することができる。
（１１）
第２の発明に係る光ピックアップ装置は、光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体から帰還する光を検出する光ピックアップ装置であって、第１の発明に係る半導体レーザ装置を備えるものである。
この発明に係る光ピックアップ装置においては、第１の発明に係る半導体レーザ装置から第１、第２または第３の波長の光が選択的に出射される。ここで、第１の発明に係る半導体レーザ装置によれば、第１、第２および第３の波長の光を２つの光検出器に導くことができる。したがって、光ピックアップ装置に第１、第２および第３の波長の光に対応する３つの光検出器を設ける必要がない。その結果、光ピックアップ装置における光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
（１２）
第１および第２の光検出器と、半導体レーザ装置から出射される第１、第２または第３の波長の光を光学記録媒体に導くとともに、光学記録媒体から帰還する第１、第２または第３の波長の光を第１または第２の光検出器に導く光学系とをさらに備えてもよい。
この場合、光学記録媒体から帰還する第１、第２および第３の波長の光の各々が、第１および第２の光検出器のいずれか一方の光検出器に導かれる。その結果、光ピックアップ装置における光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
（１３）
光学系は、第１および第３の波長の光をそれぞれ第１および第２の光検出器に導き、第２の波長の光を第１および第２の光検出器の一方に導くように、第１、第２および第３の波長の光を透過する回折格子を含んでもよい。
この場合、第１の発明に係る半導体レーザ装置から第１、第２または第３の波長の光が選択的に出射される。半導体レーザ装置から出射された第１の波長の光は、光学系により光学記録媒体に導かれ、光学記録媒体から帰還して第１の光検出器に導かれる。
また、半導体レーザ装置から出射された第３の波長の光は、光学系により光学記録媒体に導かれ、光学記録媒体から帰還して第２の光検出器に導かれる。さらに、半導体レーザ装置から出射された第２の波長の光は、光学系により光学記録媒体に導かれ、光学記録媒体から帰還して第１および第２の光検出器の一方に導かれる。
第３の波長は、第１の波長の略自然数倍であるので、第１の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用と、第３の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用とは略同一となる。一方、第２の波長は、第１の波長の自然数倍と異なるので、第１の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用と、第２の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用とは異なる。
ここで、第１の発光点と第３の発光点とは異なる位置に存在するので、第１の波長の光の光路と、第３の波長の光の光路とは正確には一致しない。
そこで、この発明に係る光ピックアップ装置においては、第１の波長の光を受光する第１の光検出器と第３の波長の光を受光する第２の光検出器とを設けている。
一方、第２の波長の光が回折格子を透過することにより、第２の波長の光が第１および第２の光検出器の一方に導かれる。したがって、第１および第２の光検出器により、第１、第２および第３の波長の光を受光することが可能となっている。その結果、この発明に係る光ピックアップ装置には、第１、第２および第３の３つの波長の光を受光するために２つの光検出器が設けられるので、小型化が実現されている。
また、第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離および第２の発光点と第３の発光点との間の距離の少なくとも一方よりも小さいことにより、第１の波長の光の光路と第３の波長の光の光路との間の距離が、第１の波長の光の光路と第２の波長の光の光路との間の距離および第２の波長の光の光路と第３の波長の光の光路との間の距離の少なくとも一方よりも小さくなる。
それにより、光ピックアップ装置内において、第１および第２光検出器を互いに近接して配置することができる。その結果、光ピックアップ装置における第１および第２の光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
（１４）
第１の半導体レーザ素子により出射される第１の波長の光の軸が光学系の光軸に一致するように半導体レーザ装置が配置されてもよい。この場合、半導体レーザ装置の第１の波長の光が光学系の光軸に沿って出射される。それにより、第１の波長の光が光学系を通過する際の効率を、第２および第３の波長の光が光学系を通過する際の効率よりも向上させることができる。
本発明に係る半導体レーザ装置は、第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体レーザ素子と、第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体レーザ素子と、第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離および第２の発光点と第３の発光点との間の距離の少なくとも一方よりも小さいものである。これにより、この発明に係る半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合に、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
また、本発明に係る光ピックアップ装置は、光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体から帰還する光を検出する光ピックアップ装置であって、第１の発明に係る半導体レーザ装置と、第１および第２の光検出器と、半導体レーザ装置から出射される第１、第２または第３の波長の光を光学記録媒体に導くとともに、光学記録媒体から帰還する第１、第２または第３の波長の光を第１または第２の光検出器に導く光学系とを備え、光学系は、第１および第３の波長の光がそれぞれ第１および第２の光検出器に導かれ、第２の波長の光が第１および第２の光検出器の一方に導かれるように、第１、第２および第３の波長の光を透過する回折格子を含むものである。
この発明に係る光ピックアップ装置には、第１、第２および第３の３つの波長の光を受光するために２つの光検出器が設けられるので、小型化が実現されている。
以下、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置およびそれを備える光ピックアップ装置について説明する。
（１） 第１の実施の形態
本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置は、波長約４０５ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、青紫色半導体レーザ素子と呼ぶ。）、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ。）および波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。）を備える。
（ａ） 半導体レーザ装置の構造
図１は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図１（ａ）に第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図１（ｂ）に図１（ａ）のＡ１−Ａ１線断面図が示されている。図２は、図１の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
図１および図２においては、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、後述する青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に平行な方向である。Ｚ方向は青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に垂直な方向である。
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の上面にはＸ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成されている。このリッジ部Ｒｉは、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の中心から偏った箇所に位置する。リッジ部Ｒｉの側面およびリッジ部Ｒｉの両側には青紫色半導体レーザ素子１の上面を覆うように絶縁膜４ａが形成されている。リッジ部Ｒｉの上面にはｐ型オーミック電極６２１が形成されている。
ｐ型オーミック電極６２１の上面およびリッジ部Ｒｉ周辺の絶縁膜４ａを覆うようにｐ側パッド電極１２が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１の下面にはｎ電極１５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。
本実施の形態において、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３は一体的に形成されている。以下、一体的に形成された赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘと呼ぶ。
このモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘにおいては、赤色半導体レーザ素子２と赤外半導体レーザ素子３とが共通の基板上に作製されている。詳細は後述する。
赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の上面には、共通ｎ電極２３３が形成されている。赤色半導体レーザ素子２の下面にはｐ側パッド電極２２が形成されている。赤色半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。赤外半導体レーザ素子３の下面にはｐ側パッド電極３２が形成されている。赤外半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。
なお、図１（ｂ）には図示しないが赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ３にもＸ方向に延びるストライプ状のリッジ部が形成されている。したがって、それぞれのリッジ部にも図示しないｐ型オーミック電極が形成されている。
Ｙ方向において、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘは、赤外半導体レーザ素子３が青紫色半導体レーザ素子１の略中心に位置するように、かつ赤色半導体レーザ素子２が赤外半導体レーザ素子３を基準として青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉと反対側に位置するように、青紫色半導体レーザ素子１上に接合されている。
青紫色半導体レーザ素子１とモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘとの接合部について説明する。
図２（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上には、上述のｐ側パッド電極１２の他、ｐ側パッド電極１３，１４が形成されている。
ｐ側パッド電極１２は、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉに沿うようにＸ方向に延びるとともに、その一部がＹ方向に延びている。
ｐ側パッド電極１４は、ｐ側パッド電極１２に隣接するように形成されている。ｐ側パッド電極１４は、青紫色半導体レーザ素子１の略中央部でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と同様にＹ方向に延びている。
ｐ側パッド電極１３は、ｐ側パッド電極１４に隣接するように形成されている。ｐ側パッド電極１３は、青紫色半導体レーザ素子１の角部近傍でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と同様にＹ方向に延びている。
ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、絶縁膜４ａ上で互いに離間するように形成されている。これにより、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、互いに電気的に分離されている。
図２（ｂ）に示すように、絶縁膜４ａおよびｐ側パッド電極１２，１３，１４上に所定のパターンで絶縁膜４ｂが形成されている。絶縁膜４ｂは、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１３，１４の一端が露出するように形成されている。露出するｐ側パッド電極１２，１３，１４の一端には各半導体レーザ素子を駆動するためのワイヤがボンディングされる。なお、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１３，１４の一端の幅約１００μｍおよび長さ約１００μｍの領域が露出している。
また、絶縁膜４ｂは、青紫色半導体レーザ素子１の略中央部でｐ側パッド電極１４の一部が露出するように形成されている。このｐ側パッド電極１４の露出部には、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。
さらに、絶縁膜４ｂは、ｐ側パッド電極１３の略中央部が露出するように形成されている。このｐ側パッド電極１３の露出部にも、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。
図１の青紫色半導体レーザ素子１へのモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの接合は、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３に接合され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４に接合されるように行われる。
これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がｐ側パッド電極１３と電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がｐ側パッド電極１４と電気的に接続される。
また、上記では、パターニングされた絶縁膜４ｂ上にモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが接合されるので、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２とｐ側パッド電極１２，１３との接触が防止され、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２とｐ側パッド電極１２，１４との接触が防止されている。
青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２とｎ電極１５との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面１０におけるリッジ部Ｒｉの下方の領域（以下、青紫色発光点と呼ぶ。）１１から波長約４０５ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２（青紫色半導体レーザ素子１上のｐ側パッド電極１３）と共通ｎ電極２３３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面２０における所定の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ。）２１から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２（青紫色半導体レーザ素子１上のｐ側パッド電極１４）と共通ｎ電極２３３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面３０における所定の領域（以下、赤外発光点と呼ぶ。）３１から波長約７８０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
本実施の形態においては、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉの側方に、赤外半導体レーザ素子３および赤色半導体レーザ素子２が順に配置されている。これにより、青紫色発光点１１と赤色発光点２１との間の距離が、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の距離ならびに赤外発光点３１と赤色発光点２１との間の距離のいずれよりも長い。さらに、Ｙ方向において、赤外発光点３１は青紫色発光点１１と赤色発光点２１との間に位置する。
本実施の形態において、Ｙ方向における青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１１０μｍに調整される。また、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約９０μｍに調整される。
Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の幅は、例えば約４００μｍである。Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの幅は、例えば約２００μｍである。
なお、図１（ｂ）の断面図はＺ方向に拡大されている。実際には、Ｚ方向における各発光点の間隔はＹ方向における各発光点の間隔と比べて非常に小さい。したがって、実際の半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１がＹ方向に平行な軸に沿って略直線上に位置している。
（ｂ） 半導体レーザ装置の効果
図１（ａ）に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１３，１４の一端が、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上で、青紫色半導体レーザ素子１とモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘとの間を通って、Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの側面から突出し、露出している。これにより、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１３，１４の露出部がＸ方向において略直線上に並ぶので、青紫色半導体レーザ素子１のＹ方向における幅を小さくすることができる。
また、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１３，１４の露出部がＸ方向において略直線上に並ぶことにより、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１上のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの配置スペースを大きくすることができる。したがって、Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの幅を大きくすることができる。
さらに、青紫色半導体レーザ素子１上でモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの配置位置を青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉに近づけることができる。この場合、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔を小さくすることができる。
上述のように、半導体レーザ装置１０００Ａにおけるｐ側パッド電極１２，１３，１４の露出部は、ワイヤをボンディングするための所定の大きさが必要とされる。したがって、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の露出部を、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉとモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘとの間に配置した場合には、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔を小さくすることができない。
ここで、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、Ｙ方向において青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉに関してモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘと反対側で露出してもよい。しかしながら、この場合、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４はＸ方向に延びるｐ側パッド電極１２と交差する。また、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極１３は、Ｘ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１４と交差する。この場合、各ｐ側パッド電極の交差部に新たに絶縁膜を設ける必要がある。
これに対して、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上でｐ側パッド電極１２，１３，１４がそれぞれ交差しない。したがって、絶縁膜４ａ上へのｐ側パッド電極１２，１３，１４の形成を同時に行うことができる。その結果、製造工程が単純となり、構造が単純となっている。
また、半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、青紫色半導体レーザ素子１の半導体層１ｔ上に形成されたｐ側パッド電極１２と、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの半導体層２ｔ，３ｔ上に形成されたｐ側パッド電極２２，３２とがはんだ膜Ｈを介して接合されている。これにより、青紫色発光点１１と赤色発光点２１および赤外発光点３１との間の距離を、Ｚ方向において短くすることができる。その結果、青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１を、Ｙ方向において略直線上に配置することが容易となっている。
（ｃ） レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図１の半導体レーザ装置１０００Ａは、レーザ用パッケージ内に実装される。図３は図１の半導体レーザ装置１０００Ａが実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージの外観斜視図である。
図３において、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００は、導電性の略丸型キャンパッケージ本体５０３、給電ピン５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０２および蓋体５０４を備える。
略丸型キャンパッケージ本体５０３には、図１の半導体レーザ装置１０００Ａが設けられ、蓋体５０４により封止されている。蓋体５０４には、取り出し窓５０４ａが設けられている。取り出し窓５０４ａは、レーザ光を透過する材料からなる。また、給電ピン５０２は、機械的および電気的に略丸型キャンパッケージ本体５０３と接続されている。給電ピン５０２は接地端子として用いられる。
略丸型キャンパッケージ本体５０３の外部に延びる給電ピン５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０２の一端は、それぞれ図示しない駆動回路に接続される。
レーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装される半導体レーザ装置１０００Ａのワイヤを用いた配線について説明する。以下、半導体レーザ素子からのレーザ光が出射される方向を正面として説明する。
図４は図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図であり、図５は図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の蓋体５０４を外した状態を示す模式的上面図である。なお、図４では、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００に設けられる半導体レーザ装置１０００Ａが図１（ａ）のＡ１−Ａ１線の断面により示されている。図４および図５においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
図４に示すように、略丸型キャンパッケージ本体５０３と一体化された導電性の支持部材５０５上に導電性のサブマウント５０５Ｓが設けられている。支持部材５０５およびサブマウント５０５Ｓは導電性および熱伝導性に優れた材料からなる。
サブマウント５０５Ｓ上に融着層５０５Ｈを介して図１の半導体レーザ装置１０００Ａが接合されている。サブマウント５０５Ｓ（融着層５０５Ｈ）への半導体レーザ装置１０００Ａの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、ＹＺ平面におけるレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の略中央部、すなわち蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。
図４および図５に示すように、給電ピン５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃは、それぞれ絶縁リング５０１ｚにより略丸型キャンパッケージ本体５０３と電気的に絶縁されている。
給電ピン５０１ａはワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ａのｐ側パッド電極１２の一端に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介して半導体レーザ装置１０００Ａのｐ側パッド電極１４の一端に接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ａのｐ側パッド電極１３の一端に接続されている。
一方、支持部材５０５の露出した上面と半導体レーザ装置１０００Ａの共通ｎ電極２３３とがワイヤＷ４により電気的に接続されている。
ここで、支持部材５０５はサブマウント５０５Ｓおよび融着層５０５Ｈを通じて電気的に接続されている。これにより、給電ピン５０２は青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５、ならびに赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通ｎ電極２３３と電気的に接続されている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のカソードコモンの結線が実現されている。
給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、上述のように、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々が、互いに電気的に分離されている。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のそれぞれのｐ側パッド電極１２，１３，１４に、任意の電圧を与えることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の駆動方式を任意に選択することが可能となっている。
（ｄ） 半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光の強度は、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光の強度よりも弱い。本例では、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａの中央部に位置する。これにより、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光がレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中央から出射される。それにより、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中心軸に関して、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００を回転させても、青紫色半導体レーザ素子１から出射されるレーザ光の軸の位置の変化を小さくすることができる。
したがって、青紫色半導体レーザ素子１の光の取り出し効率を大きくしつつ、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中心軸に関して、レンズ等の光学系の角度調整と、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の角度調整とを容易に行うことができる。その結果、光学系の設計が容易となる。
一般に、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光は次世代のＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）の記録および再生に用いられ、赤色半導体レーザ素子２のレーザ光は従来のＤＶＤの記録および再生に用いられ、赤外半導体レーザ素子３のレーザ光はＣＤ（コンパクトディスク）の記録および再生に用いられる。
ここで、上記の各光学記録媒体は、表面に形成されるピットの密度が互いに異なる。例えば、次世代および従来のＤＶＤに形成されるピットの密度はＣＤに形成されるピットの密度よりも高い。したがって、次世代および従来のＤＶＤの記録および再生を行う際には、ＣＤの記録および再生時に比べて高速で信号処理を行う必要がある。
このように、次世代および従来のＤＶＤに対応する青紫色半導体レーザ素子１および赤色半導体レーザ素子２には、高い応答特性が要求されている。
図４および図５に示すように、本例では、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４が最も遠い箇所に位置する給電ピン５０１ｂに接続されている。一方、青紫色半導体レーザ素子１および赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極１２，１３はともに近くに位置する給電ピン５０１ａ，５０１ｃにそれぞれ接続されている。
このように、本例では、青紫色半導体レーザ素子１および赤色半導体レーザ素子２に対応するワイヤＷ１，Ｗ３の長さを短くしているので、青紫色半導体レーザ素子１および赤色半導体レーザ素子２の応答特性が向上している。
さらに、図５に示すように、本例では、半導体レーザ装置１０００Ａのレーザ光の出射面から最も離れた箇所に位置するｐ側パッド電極１３がワイヤＷ３を介して、支持部材５０５に対向する給電ピン５０１ｃに接続されている。換言すれば、Ｘ方向において最も略丸型キャンパッケージ本体５０３に近いｐ側パッド電極１３と給電ピン５０１ｃとがワイヤＷ３により接続されている。これにより、各ｐ側パッド電極１２，１３，１４と、各給電ピン５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃとの間に接続されるワイヤＷ１〜Ｗ３が交差することが防止される。
本例においては、青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２の露出部を、Ｘ方向における半導体レーザ装置１０００Ａのレーザ光の出射面側に配置しているが、青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２の露出部を、Ｘ方向における半導体レーザ装置１０００Ａのレーザ光の出射面と反対側に配置してもよい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２と給電ピン５０１ｃとをワイヤにより接続する。また、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極１３と給電ピン５０１ａとをワイヤにより接続する。
（ｅ） 半導体レーザ装置の製造方法
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａの製造方法について説明する。図６〜図８は第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａの製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。図６〜図８においても、図１のＸ，Ｙ，Ｚ方向が定義されている。
なお、図６〜図８に示される断面は、図１のＡ１−Ａ１線における断面に相当する。また、後述するｎ−ＧａＮ基板１ｓはｎ−ＧａＮウェハであり、ｎ−ＧａＡｓ基板５０はｎ−ＧａＡｓウェハである。これらｎ−ＧａＮウェハおよびｎ−ＧａＡｓウェハには、それぞれ複数の青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが形成される。したがって、図６〜図８では、これらｎ−ＧａＮウェハおよびｎ−ＧａＡｓウェハの一部が図示されている。
図６（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１を作製するために、第１の成長基板であるｎ−ＧａＮ基板１ｓの一方の面上に積層構造を有する半導体層１ｔを形成し、半導体層１ｔにＸ方向に延びる断面凸状のリッジ部Ｒｉを形成する。その後、リッジ部Ｒｉの形成された半導体層１ｔの上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜４ａを形成する。さらに、リッジ部Ｒｉの上面における絶縁膜４ａを除去し、露出したリッジ部Ｒｉ上にｐ型オーミック電極６２１を形成する。
続いて、図６（ｂ）に示すように、ｐ型オーミック電極６２１の上面およびリッジ部Ｒｉの両側の絶縁膜４ａ上にｐ側パッド電極１２，１３，１４をパターニングして形成する（図２（ａ）参照）。
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁膜４ａ上およびｐ側パッド電極１２，１３，１４上の所定の領域に絶縁膜４ｂをパターニングして形成する（図２（ｂ）参照）。そこで、露出したｐ側パッド電極１３，１４の上面にＡｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈを形成する。なお、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５は後の工程で形成される。
一方、図７（ｄ）に示すように、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを作製するために、第２の成長基板であるｎ−ＧａＡｓ基板５０の一方の面上にＡｌＧａＡｓからなるエッチングストップ層５１を形成し、エッチングストップ層５１上にｎ−ＧａＡｓコンタクト層５を形成する。
そして、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上にＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造を有する半導体層２ｔおよびＡｌＧａＡｓ系の積層構造を有する半導体層３ｔを互いに離間するように形成する。さらに、半導体層２ｔ上にｐ側パッド電極２２を形成し、半導体層３ｔ上にｐ側パッド電極３２を形成する。図では省略しているが、半導体層２ｔとｐ側パッド電極２２との間および半導体層３ｔとｐ側パッド電極３２との間には、それぞれｐ型オーミック電極が形成される。なお、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの共通ｎ電極２３３は後の工程で形成される。なお、図７（ｄ）では図示しないが、上述のように赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ３にもリッジ部が形成されている。
次に、図７（ｅ）に示すように、絶縁膜４ａ上に形成されたｐ側パッド電極１３と半導体層２ｔ上に形成されたｐ側パッド電極２２とをはんだ膜Ｈを介して接合するとともに、絶縁膜４ａ上に形成されたｐ側パッド電極１４と半導体層３ｔ上に形成されたｐ側パッド電極３２とをはんだ膜Ｈを介して接合して積層基板を形成する。
なお、このとき、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０はともに約３００〜５００μｍ程度の厚みを有する。これにより、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０の取り扱いが容易となり、ｐ側パッド電極１３，１４へのｐ側パッド電極２２，３２の接合が容易に行われる。
また、青紫色半導体レーザ素子１のｎ−ＧａＮ基板１ｓは透明である。ｎ−ＧａＮ基板１ｓは、このｎ−ＧａＮ基板１ｓを通してモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを目視することができる透過率および厚みを有する。
これにより、ｐ側パッド電極１３，１４へのｐ側パッド電極２２，３２の接合位置をｎ−ＧａＮ基板１ｓを通して目視により確認することができる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１上のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘ（赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３）の位置決めが容易となる。
なお、本実施の形態において、青紫色半導体レーザ素子１の基板はｎ−ＧａＮ基板１ｓに限らず、他の透光性でかつ導電性の基板を用いてもよい。他の透光性基板として、例えば、ｎ−ＺｎＯ基板を用いることができる。この場合、上述のように、青紫色半導体レーザ素子１上のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの位置決めが容易となる。
ここで、ｎ−ＧａＡｓ基板５０をエッチングまたは研磨等により所定の薄さに加工した後、エッチングストップ層５１までエッチングする。
例えば、ｎ−ＧａＡｓ基板５０は、初めにｎ−ＧａＡｓ基板５０を所定の厚みとなるまで研磨し、その後、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）等のドライエッチングにより除去する。
そして、エッチングストップ層５１をさらに除去する。例えば、エッチングストップ層５１は、フッ酸または塩酸からなるエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより除去する。
その後、図８（ｆ）に示すように、エッチングストップ層５１が除去された後、半導体層２ｔ，３ｔの上方におけるｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上の領域およびその間の所定の領域に共通ｎ電極２３３をパターニングにより形成する。
図８（ｇ）に示すように、共通ｎ電極２３３が形成されていない部分のｎ−ＧａＡｓコンタクト層５をドライエッチングにより除去する。これにより、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘ（赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３）が作製される。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細は後述する。
さらに、ｎ−ＧａＮ基板１ｓを研磨により薄くした後、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの下面側に、ｎ電極１５を形成する。これにより、青紫色半導体レーザ素子１が作製される。青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細は後述する。
最後に、上記のように作製された青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘからなる積層基板を、Ｙ方向に平行な複数の線に沿ってへき開して、共振器端面を形成する。ここで、Ｙ方向に沿ったへき開は、例えば青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘのそれぞれの共振器長（Ｘ方向）が約７００μｍとなるように行う。
共振器端面に保護膜を形成した後、Ｘ方向に平行な複数の線に沿って裁断することにより複数の半導体レーザ装置１０００Ａのチップに分割する。Ｘ方向に沿った積層基板の裁断は、例えば図８（ｇ）の一点鎖線ＣＴ１で行う。
なお、予め青紫色半導体レーザ素子１のチップおよびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘのチップを個別に作製し、それらのチップを互いに貼り合わせることにより半導体レーザ装置１０００Ａを作製してもよい。
（ｆ） 青紫色半導体レーザ素子の構造
図９に基づいて青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細について作製方法とともに説明する。
図９は青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
青紫色半導体レーザ素子１の製造時においては、上述のようにｎ−ＧａＮ基板１ｓ上に積層構造を有する半導体層１ｔが形成される。
図９（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓ上には、積層構造を有する半導体層１ｔとして、ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層１０４、アンドープＡｌＧａＮキャップ層１０５、アンドープＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により行われる。
図９（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層１０４は４つのアンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａと３つのアンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２およびｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３にはＳｉがドープされている。
また、アンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａのＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。アンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂのＧａ組成は０．９０であり、Ｉｎ組成は０．１０である。ｐ−ＡｌＧａＮキャップ層１０５のＡｌ組成は０．３０であり、Ｇａ組成は０．７０である。
さらに、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７にはＭｇがドープされている。アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８のＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。
上記の半導体層１ｔのうち、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７には、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成される。ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のリッジ部Ｒｉは約１．５μｍの幅を有する。
アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８は、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のリッジ部Ｒｉの上面に形成される。
ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８の上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜４ａが形成され、アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８上に形成された絶縁膜４ａがエッチングにより除去される。そして、外部に露出したアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８上にＰｄ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型オーミック電極６２１が形成される。さらに、ｐ型オーミック電極６２１および絶縁膜４ａの上面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ側パッド電極１２が形成される。なお、ここでは図１のｐ側パッド電極１３，１４の説明については省略している。
このように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの一面側に積層構造を有する半導体層１ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの他面側にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ電極１５が形成される。
この青紫色半導体レーザ素子１では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層１０４の位置に青紫色発光点１１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層１０４が図１のｐｎ接合面１０に相当する。
（ｇ） 赤色半導体レーザ素子の構造
図１０に基づいて赤色半導体レーザ素子２の構造の詳細について作製方法とともに説明する。
図１０はモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの赤色半導体レーザ素子２の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。また、本実施の形態では、赤色半導体レーザ素子２はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上に半導体層２ｔを形成することにより作製するとしているが、以下の説明では、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５に代えてｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上に半導体層２ｔを形成する。このｎ−ＧａＡｓ基板５ＸにはＳｉがドープされている。
図１０（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上には、積層構造を有する半導体層２ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層２０１、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３、ＭＱＷ活性層２０４、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により行われる。
図１０（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層２０４は２つのアンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａと３つのアンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｎ−ＧａＡｓ層２０１およびｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２にはＳｉがドープされている。
アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
また、アンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａのＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。アンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂのＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
さらに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７のＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
ｐ−コンタクト層２０９は、ｐ−ＧａＩｎＰ層とｐ−ＧａＡｓ層との積層構造を有する。このｐ−ＧａＩｎＰのＧａ組成は０．５であり、Ｉｎ組成は０．５である。
なお、上記したＡｌＧａＩｎＰ系材料の組成は、一般式（Ａｌa Ｇａb ）0.5 Ｉｎc Ｐd で表した時のａがＡｌ組成であり、ｂがＧａ組成であり、ｃがＩｎ組成であり、ｄがＰ組成である。
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９のｐ−ＧａＩｎＰおよびｐ−ＧａＡｓにはＺｎがドープされている。
上記において、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７上へのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８の形成は、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７の一部（中央部）にのみ行われる。そして、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８の上面にｐ−コンタクト層２０９が形成される。
これにより、上記の半導体層２ｔのうち、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９により、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成される。ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９からなるリッジ部Ｒｉは約２．５μｍの幅を有する。
ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７の上面、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８の側面ならびにｐ−コンタクト層２０９の上面および側面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜２１０が形成され、ｐ−コンタクト層２０９上に形成された絶縁膜２１０がエッチングにより除去される。そして、外部に露出したｐ−コンタクト層２０９上にＣｒ／Ａｕからなるｐ型オーミック電極２１１が形成される。さらに、ｐ型オーミック電極２１１の上面および絶縁膜２１０の上面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ側パッド電極２２が形成される。
このように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの一面側に積層構造を有する半導体層２ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの他面側にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極２３（共通ｎ電極２３３）が形成される。
この赤色半導体レーザ素子２では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層２０４の位置に赤色発光点２１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層２０４が図１のｐｎ接合面２０に相当する。
（ｈ） 赤外半導体レーザ素子の構造
図１１に基づいて赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細について作製方法とともに説明する。
図１１はモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。また、本実施の形態では、赤外半導体レーザ素子３はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上に半導体層３ｔを形成することにより作製するとしているが、以下の説明では、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５に代えてｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上に半導体層３ｔを形成する。このｎ−ＧａＡｓ基板５ＸにはＳｉがドープされている。
図１１（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上には、積層構造を有する半導体層３ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層３０１、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３、ＭＱＷ活性層３０４、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により行われる。
図１１（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層３０４は２つのアンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａと３つのアンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。ｎ−ＧａＡｓ層３０１およびｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２にはＳｉがドープされている。
アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。また、アンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａのＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。アンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂのＡｌ組成は０．１０であり、Ｇａ組成は０．９０である。アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。
さらに、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０である。
ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。
ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９にはＺｎがドープされている。
上記において、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７上へのｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８の形成は、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７の一部（中央部）にのみ行われる。そして、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８の上面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９が形成される。
これにより、上記の半導体層３ｔのうち、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９により、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成される。ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９からなるリッジ部Ｒｉは約２．８μｍの幅を有する。
ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７の上面、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８の側面ならびにｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９の上面および側面に、ＳｉＮからなる絶縁膜３１０が形成され、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９上に形成された絶縁膜３１０がエッチングにより除去される。そして、外部に露出したｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９上にＣｒ／Ａｕからなるｐ型オーミック電極３１１が形成される。さらに、ｐ型オーミック電極３１１の上面および絶縁膜３１０の上面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ側パッド電極３２が形成される。
このように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの一面側に積層構造を有する半導体層３ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの他面側にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極３３（共通ｎ電極２３３）が形成される。
この赤外半導体レーザ素子３では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層３０４の位置に赤外発光点３１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層３０４が図１のｐｎ接合面３０に相当する。
（ｉ） 半導体レーザ装置が内蔵された光ピックアップ装置の構成
図１２は本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す図である。以下の説明においては、半導体レーザ装置１０００Ａの青紫色発光点１１から出射される波長約４０５ｎｍのレーザ光を青紫色レーザ光と呼び、赤色発光点２１から出射される波長約６５０ｎｍのレーザ光を赤色レーザ光と呼び、赤外発光点３１から出射される波長約７８０ｎｍのレーザ光を赤外レーザ光と呼ぶ。図１２では、青紫色レーザ光が実線で示され、赤外レーザ光が点線で示され、赤色レーザ光が一点鎖線で示されている。
図１２に示すように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置９００は、半導体レーザ装置１０００Ａが実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージ５００、偏光ビームスプリッタ（以下、偏光ＢＳと略記する。）９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５、対物レンズ９０６、シリンダレンズ９０７、光軸補正素子９０８および２つの光検出器９０９ａ，９０９ｂを備える。
図１２においては、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とする。Ｘ方向は再生対象となる光学記録媒体（以下、光ディスクと呼ぶ。）ＤＩに直交する方向である。また、Ｙ方向およびＺ方向は、光ディスクＤＩの一面に平行でかつ互いに直交する方向である。
本実施の形態において、半導体レーザ装置１０００Ａが実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージ５００は、半導体レーザ装置１０００Ａの青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１が、Ｙ方向に沿って略直線上に並ぶように配置されている。青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１から出射されるレーザ光の偏光面は互いに平行となっている。
上述のように、半導体レーザ装置１０００Ａの青紫色発光点１１は、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００のＹＺ平面における略中央部に位置する。
本例では、偏光ＢＳ９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５および対物レンズ９０６からなる光学系が青紫色発光点１１（レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中央部）からＸ方向に出射される青紫色レーザ光の光軸に沿って順に配置されている。すなわち、偏光ＢＳ９０２から対物レンズ９０６までの光学系の光軸は青紫色レーザ光の光軸に位置合わせされている。
偏光ＢＳ９０２は、半導体レーザ装置１０００Ａから出射される各レーザ光を全透過するとともに、光ディスクＤＩから帰還するレーザ光を全反射する。
コリメータレンズ９０３は、偏光ＢＳ９０２を透過した半導体レーザ装置１０００Ａからの青紫色レーザ光、赤色レーザ光または赤外レーザ光を平行光に変換する。
ビームエキスパンダ９０４は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは図示しないサーボ回路からのサーボ信号に応じて凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させる。これにより、半導体レーザ装置１０００Ａから出射された各レーザ光の波面状態が補正される。
λ／４板９０５は、コリメータレンズ９０３によって平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板９０５は光ディスクＤＩから帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、半導体レーザ装置１０００Ａから出射されるレーザ光の直線偏光の偏光方向に直交する。それにより、光ディスクＤＩから帰還するレーザ光は、偏光ＢＳ９０２によってほぼ全反射される。
対物レンズ９０６は、λ／４板９０５を透過したレーザ光を光ディスクＤＩの表面（記録層）上に収束させる。
なお、対物レンズ９０６は、サーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて図示しない対物レンズアクチュエータにより、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能である。
偏光ＢＳ９０２により全反射されるレーザ光の光軸に沿うようにシリンダレンズ９０７、光軸補正素子９０８および光検出器９０９ａ，９０９ｂが配置されている。
シリンダレンズ９０７は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子９０８は、回折格子により形成されている。光軸補正素子９０８は、シリンダレンズ９０７を透過した青紫色レーザ光（０次回折光）を光検出器９０９ａへ導く。また、光軸補正素子９０８は、赤外レーザ光（０次回折光）を光検出器９０９ｂへ導く。
さらに、光軸補正素子９０８はシリンダレンズ９０７を透過した赤色レーザ光を回折し、赤色レーザ光（１次回折光）を光検出器９０９ａへ導く。この場合、青紫レーザ光により光検出器９０９ａの受光面に形成される集光スポットの位置と、赤色レーザ光により光検出器９０９ａの受光面に形成される集光スポットの位置とが、一致するように光軸補正素子９０８が位置決めされる。
光検出器９０９ａ，９０９ｂの各々は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出器９０９ａ，９０９ｂは再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ９０４のアクチュエータおよび対物レンズアクチュエータがフィードバック制御される。
（ｊ） 半導体レーザ装置の構造による光ピックアップ装置の効果
図１２に示すように、光ピックアップ装置９００において、回折格子により形成された光軸補正素子９０８には、青紫色レーザ光、赤外レーザ光または赤色レーザ光が入射する。
ここで、回折格子において、ある波長の光とその波長のｎ倍（ｎは自然数）の波長の光に対する回折作用は同一である。すなわち、回折格子にある波長の光が入射した場合の回折作用と、その波長のｎ倍の波長の光が入射した場合の回折作用は同一である。
青紫色レーザ光は波長約４０５ｎｍのレーザ光であり、赤外レーザ光は波長約７８０ｎｍのレーザ光である。これにより、赤外レーザ光は青紫色レーザ光の約２倍の波長を有する。したがって、青紫色レーザ光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、赤外レーザ光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは、ほぼ同一となる。
そのため、青紫色レーザ光と赤外レーザ光とを、共通の回折格子を用いて異なる方向に回折させることはできない。その結果、青紫色レーザ光による集光スポットの位置と、赤外レーザ光による集光スポットの位置とを回折により一致させることはできない。
そこで、本実施の形態においては、光軸補正素子９０８を通過する青紫色レーザ光および赤外レーザ光の各々に対応して光検出器９０９ａ，９０９ｂを設けている。
一方、赤色レーザ光の波長は、青紫色レーザ光および赤外レーザ光の波長のｎ倍（ｎは自然数）ではない。したがって、光軸補正素子９０８は赤色レーザ光について、青紫色レーザ光および赤外レーザ光と異なる回折作用を与えることができる。
それにより、光軸補正素子９０８は赤色レーザ光による集光スポットの位置を容易に青紫色レーザ光および赤外レーザ光による集光スポットの位置に一致させることができる。その結果、青紫色レーザ光および赤色レーザ光を共通の光検出器９０９ａにより受光することができる。
このように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置９００においては、青紫色レーザ光および赤色レーザ光に共通の光検出器９０９ａが用いられている。これにより、青紫色レーザ光、赤色レーザ光および赤外レーザ光のそれぞれに対応して３つの光検出器を設ける必要がないので、光ピックアップ装置９００の小型化が実現されている。
また、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいて、青紫色発光点１１、赤外発光点３１および赤色発光点２１はＹ方向において順に略直線上に並ぶように配置され、青紫色発光点１１および赤外発光点３１の間隔が短くなっている。
それにより、半導体レーザ装置１０００Ａを光ピックアップ装置９００に内蔵した場合、光ピックアップ装置９００内での青紫色レーザ光および赤外レーザ光の光路の間隔が小さくなる。その結果、青紫色レーザ光および赤外レーザ光に対応する２つの光検出器９０９ａ，９０９ｂを互いに近接して配置することができる。その結果、光ピックアップ装置９００における２つの光検出器９０９ａ，９０９ｂの配置スペースが低減され、光ピックアップ装置９００の小型化が実現される。
さらに、半導体レーザ装置１０００Ａにおいて、青紫色発光点１１、赤外発光点３１および赤色発光点２１は、この順でＹ方向に沿って略直線上に並ぶ。これにより、半導体レーザ装置１０００Ａを光ピックアップ装置９００に用いる場合に光ピックアップ装置９００の設計が容易となっている。
（ｋ） 光ピックアップ装置の他の構成例
本実施の形態に係る光ピックアップ装置９００において、フォーカスエラー信号の生成は、非点収差法を用いて行われる。また、トラッキングエラー信号の生成は、例えばＤＰＤ（Differential Phase Detection）法を用いて行われる。
上記では、青紫色レーザ光により光検出器９０９ａに形成される集光スポットの位置と、赤色レーザ光により光検出器９０９ａに形成される集光スポットの位置とが、シリンダレンズ９０７と光検出器９０９ａ，９０９ｂとの間に配置された光軸補正素子９０８により一致される。
ここで、光軸補正素子９０８は偏光ＢＳ９０２から対物レンズ９０６までの光学系に設けてもよい。例えば、光軸補正素子９０８を半導体レーザ装置１０００Ａと偏光ＢＳ９０２との間に配置する。この場合においても、青紫色レーザ光により光検出器９０９ａに形成される集光スポットの位置と、赤色レーザ光により光検出器９０９ａに形成される集光スポットの位置とを一致させることができる。
さらに、本例では、青紫色レーザ光により光検出器９０９ａに形成される集光スポットの位置と、赤色レーザ光により光検出器９０９ａに形成される集光スポットの位置とを一致させているが、赤色レーザ光を光検出器９０９ｂに導き、赤外レーザ光により光検出器９０９ｂに形成される集光スポットの位置に、赤色レーザ光により光検出器９０９ｂに形成される集光スポットの位置を一致させてもよい。この場合、光検出器９０９ｂが赤外レーザ光および赤色レーザ光の共通の光検出器となる。
（２） 第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、以下の点を除き第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと同様の構造を有する。
（ａ） 半導体レーザ装置の構造
図１３は、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図１３（ａ）に第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図１３（ｂ）に図１３（ａ）のＡ２−Ａ２線断面図が示されている。図１３においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｂの青紫色半導体レーザ素子１においては、ｐ型オーミック電極６２１および絶縁膜４ａの上面全体を覆うように、ｐ側パッド電極１２が形成されている。そして、ｐ側パッド電極１２上の所定の領域にはんだ膜Ｈが形成されている。さらに、はんだ膜Ｈ上に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が一体的に形成されたモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙが接合されている。
ここで、図１３のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙは、図１のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘと構造が異なる。図１３のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙにおいては、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔ（図１０参照）と、赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔ（図１１参照）とが連結部ＢＲにより連結されている。
連結部ＢＲは、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔまたは赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔの一部を含んでいてもよい。例えば、連結部ＢＲは赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３において電流の流れを制限する電流狭窄層（例えば、図１０および図１１の絶縁膜２１０，３１０）であってもよいし、ｐ型のコンタクト層であってもよい。
これにより、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔ、赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔおよび連結部ＢＲは互いに連続する平面を有する。そこで、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙにおいては、その連続する平面に共通ｐ側パッド電極２３２が形成されている。
青紫色半導体レーザ素子１上のはんだ膜Ｈに、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙの共通ｐ側パッド電極２３２が接合される。ここで、青紫色半導体レーザ素子１とモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙとの接合は、Ｙ方向において赤外半導体レーザ素子３が赤色半導体レーザ素子２よりも青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉに近づくように行われる。
モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙの赤色半導体レーザ素子２において、共通ｐ側パッド電極２３２と反対側の面にはｎ電極２３が形成されている。また、赤外半導体レーザ素子３において、共通ｐ側パッド電極２３２と反対側の面にはｎ電極３３が形成されている。
（ｂ） レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図１４は図１３の半導体レーザ装置１０００Ｂを図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図である。図１４においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向が定義されている。
本実施の形態において、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の支持部材５０５上には絶縁性のサブマウント５０５Ｚが形成されている。
図１４に示すように、絶縁性のサブマウント５０５Ｚ上に融着層５０５Ｈを介して図１３の半導体レーザ装置１０００Ｂが接着されている。
給電ピン５０１ａはワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ｂのｎ電極２３（赤色半導体レーザ素子２のｎ電極２３）に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介してサブマウント５０５Ｚ上で露出する融着層５０５Ｈに接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ｂのｎ電極３３（赤外半導体レーザ素子３のｎ電極３３）に接続されている。
一方、青紫色半導体レーザ素子１上で露出するｐ側パッド電極１２と支持部材５０５とがワイヤＷ４により電気的に接続されている。
ここで、青紫色半導体レーザ素子１上のｐ側パッド電極１２は、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙの共通ｐ側パッド電極２３２と電気的に接続されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のアノードコモンの結線が実現されている。
給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
本実施の形態において、Ｙ方向における青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１１０μｍに調整される。また、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約４０μｍに調整される。
Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の幅は、例えば約４００μｍである。Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙの幅は、例えば約２００μｍである。
（ｃ） 半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
本実施の形態においても、サブマウント５０５Ｚへの半導体レーザ装置１０００Ｂの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。それにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
本実施の形態では、半導体レーザ装置１０００Ｂのレーザ用略丸型キャンパッケージ５００への実装時に、給電ピン５０１ａ〜５０１ｃがワイヤＷ１〜Ｗ３により半導体レーザ装置１０００Ｂの上部で露出するｎ電極２３，３３および露出する融着層５０５Ｈに接続されている。これにより、半導体レーザ装置１０００ＢについてのワイヤＷ１〜Ｗ３の接続が容易となっている。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｂを図１２の光ピックアップ装置９００に用いることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、図１３（ｂ）および図１４には図示しないが、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ３にも共通ｐ側パッド電極２３２の形成箇所に、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部が形成されている。したがって、それぞれのリッジ部にも図示しないｐ型オーミック電極が形成されている。
本実施の形態においては、予め青紫色半導体レーザ素子１のチップおよびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙのチップを個別に作製し、それらのチップを互いに貼り合わせることにより半導体レーザ装置１０００Ｂを作製してもよい。
（３） 第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、以下の点を除き第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと同様の構造を有する。
（ａ） 半導体レーザ装置の構造
図１５は、第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図１５（ａ）に第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図１５（ｂ）に図１５（ａ）のＡ３−Ａ３線断面図が示されている。図１６は、図１５の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子１と赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３との接合面の模式図である。図１５および図１６においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉは、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の中心から偏った箇所に位置する。そして、青紫色半導体レーザ素子１上で、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が個別に接合されている。
Ｙ方向において、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３は、赤外半導体レーザ素子３が青紫色半導体レーザ素子１の略中心に位置するように、かつ赤色半導体レーザ素子２が赤外半導体レーザ素子３を基準として青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉの反対側に位置するように、青紫色半導体レーザ素子１上に接合されている。
青紫色半導体レーザ素子１と赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３との接合部について説明する。
図１６（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上には、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の各々に対応してｐ側パッド電極１２，１３，１４が形成されている。
ｐ側パッド電極１２は、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉに沿うようにＸ方向に延びるとともに、その一部がＹ方向に延びている。
ｐ側パッド電極１４は、ｐ側パッド電極１２に隣接するように形成されている。ｐ側パッド電極１４は、青紫色半導体レーザ素子１の略中央部でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と反対側のＹ方向に延びている。
ｐ側パッド電極１３は、ｐ側パッド電極１４に隣接するように形成されている。ｐ側パッド電極１３は、青紫色半導体レーザ素子１の角部近傍でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と反対側のＹ方向に延びている。
ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、絶縁膜４ａ上で互いに離間するように形成されている。これにより、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、互いに電気的に分離されている。
図１６（ｂ）に示すように、絶縁膜４ａおよびｐ側パッド電極１２，１３，１４上に所定のパターンで絶縁膜４ｂが形成されている。絶縁膜４ｂは、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１３，１４の一端が露出するように形成されている。
ここで、ｐ側パッド電極１２はｐ側パッド電極１３，１４と反対側のＹ方向に延び、ｐ側パッド電極１４，１３はｐ側パッド電極１２と反対側のＹ方向に延びている。したがって、ｐ側パッド電極１２の露出部がＹ方向における青紫色半導体レーザ素子１の一側面側に位置し、ｐ側パッド電極１３，１４の露出部はＹ方向における青紫色半導体レーザ素子１の他側面側に位置する。
露出するｐ側パッド電極１２，１３，１４の一端には各半導体レーザ素子を駆動するためのワイヤがボンディングされる。なお、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１３，１４の一端の幅約１００μｍおよび長さ約１００μｍの領域が露出している。
また、絶縁膜４ｂは、青紫色半導体レーザ素子１の略中央部でＸ方向に沿ってｐ側パッド電極１４の一部が露出するように形成されている。このｐ側パッド電極１４の露出部には、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。
さらに、絶縁膜４ｂは、ｐ側パッド電極１３の略中央部が露出するように形成されている。このｐ側パッド電極１３の露出部にも、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。
そこで、図１５に示すように赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３に接合され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４に接合される。
これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がｐ側パッド電極１３と電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がｐ側パッド電極１４と電気的に接続される。
また、上記では、パターニングされた絶縁膜４ｂ上に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が接合されるので、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２とｐ側パッド電極１２，１３との接触が防止され、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２とｐ側パッド電極１４との接触が防止されている。
（ｂ） レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図１７は図１５の半導体レーザ装置１０００Ｃを図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図であり、図１８は図１５の半導体レーザ装置１０００Ｃを図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的上面図である。なお、図１７では、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００に設けられる半導体レーザ装置１０００Ｃが図１５（ａ）のＡ３−Ａ３線の断面により示されている。図１７および図１８においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
図１７および図１８に示すように、略丸型キャンパッケージ本体５０３と一体化された導電性の支持部材５０５上に第１の実施の形態と同様の導電性のサブマウント５０５Ｓが設けられている。
サブマウント５０５Ｓ上に融着層５０５Ｈを介して図１５の半導体レーザ装置１０００Ｃが接着されている。本例においても、サブマウント５０５Ｓへの半導体レーザ装置１０００Ｃの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。
給電ピン５０１ａはワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ｃのｐ側パッド電極１４の一端に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介して半導体レーザ装置１０００Ｃのｐ側パッド電極１２の一端に接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ｃのｐ側パッド電極１３の一端に接続されている。
一方、支持部材５０５の露出した上面と半導体レーザ装置１０００Ｃのｎ電極２３，３３とがワイヤＷ４ａ，Ｗ４ｂにより電気的に接続されている。
支持部材５０５はサブマウント５０５Ｓおよび融着層５０５Ｈを通じて電気的に接続されている。これにより、給電ピン５０２は青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５、ならびに赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極２３，３３と電気的に接続されている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のカソードコモンの結線が実現されている。
給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃにおいては、上述のように、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々が、互いに電気的に分離されている。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のそれぞれのｐ側パッド電極１２，１３，１４に、任意の電圧を与えることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の駆動方式を任意に選択することが可能となっている。
本実施の形態において、Ｙ方向における青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１１０μｍに調整される。また、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１９０μｍに調整される。
Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の幅は、例えば約７００μｍである。Ｙ方向における赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の各々の幅は、例えば約２００μｍである。
（ｃ） 半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
本実施の形態においても、サブマウント５０５Ｓ（融着層５０５Ｈ）への半導体レーザ装置１０００Ｃの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。それにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
図１５（ａ）に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃにおいては、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の一端が、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上で、青紫色半導体レーザ素子１と赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３との間を通って、Ｙ方向における赤色半導体レーザ素子２の側面から突出し、露出している。これにより、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の露出部がＸ方向において略直線上に並ぶので、青紫色半導体レーザ素子１のＹ方向における幅を小さくすることができる。
また、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の露出部がＸ方向において略直線上に並ぶことにより、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の配置スペースを大きくすることができる。したがって、Ｙ方向における赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の幅を大きくすることができる。
さらに、本実施の形態では、ｐ側パッド電極１２がｐ側パッド電極１３，１４と反対側のＹ方向に延びている。そして、Ｙ方向において青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉに関して、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３と反対側の箇所でｐ側パッド電極１２が露出している。
したがって、Ｙ方向において、青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１は、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の露出部間に位置する。それにより、ワイヤをボンディンクする箇所がＹ方向における各発光点間に位置しないので、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の配置位置を青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉに近づけることができる。この場合、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔を小さくすることができる。
ｐ側パッド電極１２，１３，１４の露出部は、ワイヤをボンディングするための所定の大きさが必要とされる。したがって、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の露出部を、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉと赤外半導体レーザ素子３との間に配置した場合、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔を小さくすることができない。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃにおいては、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上でｐ側パッド電極１２，１３，１４がそれぞれ交差しない。したがって、絶縁膜４ａ上へのｐ側パッド電極１２，１３，１４の形成を同時に行うことができる。その結果、製造工程が単純となり、構造が単純となっている。
図１８に示すように、本例では、半導体レーザ装置１０００Ｃのレーザ光の出射面からｐ側パッド電極１４よりも離れた箇所に位置するｐ側パッド電極１３がワイヤＷ３を介して、支持部材５０５に対向する給電ピン５０１ｃに接続されている。換言すれば、Ｘ方向に並ぶｐ側パッド電極１３，１４の露出部のうち、略丸型キャンパッケージ本体５０３に近いｐ側パッド電極１３と給電ピン５０１ｃとがワイヤＷ３により接続されている。これにより、各ｐ側パッド電極１３，１４と、各給電ピン５０１ａ，５０１ｃとの間に接続されるワイヤＷ１〜Ｗ３が交差することが防止される。
Ｘ方向におけるｐ側パッド電極１３，１４の露出部の配置を入れ替えてもよい。この場合、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４と給電ピン５０１ｃとをワイヤにより接続する。また、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極１３と給電ピン５０１ａとをワイヤにより接続する。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃを図１２の光ピックアップ装置９００に用いることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、図１５（ｂ）および図１７には図示しないが、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ３にもｐ側パッド電極２２，３２の形成箇所に、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部が形成されている。したがって、それぞれのリッジ部にも図示しないｐ型オーミック電極が形成されている。
本実施の形態においては、予め青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のチップを個別に作製し、それらのチップを互いに貼り合わせることにより半導体レーザ装置１０００Ｃを作製してもよい。
（４） 第４の参考の形態
第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置は、以下の点を除き第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと同様の構造を有する。
（ａ） 半導体レーザ装置の構造
図１９は、第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図１９（ａ）に第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図１９（ｂ）に図１９（ａ）のＡ４−Ａ４線断面図が示されている。図２０は、図１９の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子とサブマウントとの接合部の模式図である。図１９および図２０においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄは、青紫色半導体レーザ素子１、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘ、はんだ膜Ｈ、３つのｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚ、絶縁膜４ｃおよび絶縁性のサブマウント５０５Ｚを含む。
本参考の形態において、サブマウント５０５Ｚは長方形状を有する板状の部材であり、ＸＹ平面に対して平行に配置される。以下の説明では、図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示すように、Ｘ方向におけるサブマウント５０５Ｚの一端面をレーザ端面５０５Ｘと呼ぶ。
図１９（ｂ）に示すように、絶縁性のサブマウント５０５Ｚ上に青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２が接合されている。また、絶縁性のサブマウント５０５Ｚ上でかつＹ方向における青紫色半導体レーザ素子１の側方にモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘのｐ側パッド電極２２，３２が接合されている。
すなわち、本参考の形態において、半導体レーザ装置１０００Ｄは、サブマウント５０５Ｚ上に青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの各ｐ側パッド電極が接合されたジャンクションダウン構造を有する。
図１９（ｂ）では、青紫色半導体レーザ素子１にのみ、リッジ部Ｒｉを図示しているが、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３にも同様に、図示しないリッジ部が形成されている。
サブマウント５０５Ｚと青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘとの接合部について説明する。
図２０（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上には、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の各々に対応してｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚが形成されている。
ｐ側パッド電極１２ｚは、Ｙ方向におけるサブマウント５０５Ｚの一側方でＸ方向に延びるように形成されている。ｐ側パッド電極１３ｚは、Ｙ方向におけるサブマウント５０５Ｚの他側方でＸ方向に延びるように形成されている。
ｐ側パッド電極１４ｚは、Ｙ方向におけるサブマウント５０５Ｚの略中央部でＸ方向に延びるように、かつ、Ｘ方向におけるサブマウント５０５Ｚの一端側でＹ方向に延びるように形成されている。
ここで、ｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚの各々は、絶縁性のサブマウント５０５Ｚ上で互いに離間している。これにより、ｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚの各々は、互いに電気的に分離されている。
図２０（ｂ）に示すように、ｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚ上の所定の領域にはんだ膜Ｈが形成されている。ｐ側パッド電極１２ｚ上のはんだ膜Ｈ上には、さらにＸ方向に延びる絶縁膜４ｃが形成されている。はんだ膜Ｈは、ｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚ上で予め設定された各半導体レーザ素子の接合箇所に応じて形成される。
サブマウント５０５Ｚ上への青紫色半導体レーザ素子１の接合時には、青紫色半導体レーザ素子１がｐ側パッド電極１２ｚ上のはんだ膜Ｈ上に位置合わせされ、かつ青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉが絶縁膜４ｃ上に位置合わせされる。
また、サブマウント５０５Ｚ上へのモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの接合時には、赤色半導体レーザ素子２がｐ側パッド電極１３ｚ上のはんだ膜Ｈ上に位置合わせされ、赤外半導体レーザ素子３がｐ側パッド電極１４ｚ上のはんだ膜Ｈ上に位置合わせされる。
その結果、サブマウント５０５Ｚ上では、レーザ端面５０５Ｘ側で青紫色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子３および赤色半導体レーザ素子２がＹ方向へ順に並ぶように配置される。そして、ｐ側パッド電極１２とｐ側パッド電極１２ｚとの間、ｐ側パッド電極２２とｐ側パッド電極１３ｚとの間、ならびにｐ側パッド電極３２とｐ側パッド電極１４ｚとの間の各々が互いに電気的に接続される。
青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１２，２２，３２は、絶縁性のサブマウント５０５Ｚ上で互いに電気的に分離されている。
ここで、上述のように、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉは絶縁膜４ｃ上に位置する。このように、はんだ膜Ｈとリッジ部Ｒｉの形成領域に位置するｐ側パッド電極１２およびｐ型オーミック電極６２１との間に絶縁膜４ｃが配置されることにより、はんだ膜Ｈとｐ側パッド電極１２およびｐ型オーミック電極６２１との合金化が防止される。その結果、青紫色半導体レーザ素子１の半導体層１ｔ（図１１参照）におけるコンタクト抵抗の増大が防止される。この絶縁膜４ｃは、例えばＳｉＯ2 からなる。
本参考の形態において、Ｙ方向における青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１１０μｍに調整される。また、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１９０μｍに調整される。
ここで、図１９（ｂ）に示すように、Ｙ方向において、青紫色発光点１１は青紫色半導体レーザ素子１の中心よりも赤外発光点３１側に位置するように形成されている。このように青紫色発光点１１が形成されることにより、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔を小さくすることができる。
本参考の形態において、Ｘ方向に延びる青紫色半導体レーザ素子１の共振器長は、例えば約６００μｍである。また、Ｘ方向に延びるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの共振器長は、例えば約１２００μｍである。
（ｂ） レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図２１は図１９の半導体レーザ装置１０００Ｄを図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図である。図２１においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
図２１に示すように、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の支持部材５０５上には、図１９の半導体レーザ装置１０００Ｄのサブマウント５０５Ｚが設けられている。
ここで、サブマウント５０５Ｚ上へのｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚの形成、およびｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚ上への青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの接合は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。
さらに、半導体レーザ装置１０００Ｄは、サブマウント５０５Ｚのレーザ端面５０５Ｘがレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の光出射面側（蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ側）に位置するように支持部材５０５上に配置される。
この半導体レーザ装置１０００Ｄにおいては、図１９に示すように、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の側方のｐ側パッド電極１２ｚの露出部にワイヤがボンディングされる。また、Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの側方のｐ側パッド電極１３ｚの露出部にワイヤがボンディングされる。さらに、Ｘ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの一端側のｐ側パッド電極１４ｚの露出部にワイヤがボンディングされる。
給電ピン５０１ａはワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ｄのｐ側パッド電極１３ｚに接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介して半導体レーザ装置１０００Ｄのｐ側パッド電極１２ｚに接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ｄのｐ側パッド電極１４ｚに接続されている。
一方、支持部材５０５の露出した上面と半導体レーザ装置１０００Ｄのｎ電極１５および共通ｎ電極２３３とがワイヤＷ４ａ，Ｗ４ｂにより電気的に接続されている。
導電性の支持部材５０５は絶縁性のサブマウント５０５Ｚにより、半導体レーザ装置１０００Ｄのｐ側パッド電極１２ｚ、１３ｚ、１４ｚと電気的に分離されている。
一方、支持部材５０５は、ワイヤＷ４ａ，Ｗ４ｂにより半導体レーザ装置１０００Ｄのｎ電極１５および共通ｎ電極２３３と電気的に接続されているので、給電ピン５０２は青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの共通ｎ電極２３３と電気的に接続されている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のカソードコモンの結線が実現されている。
給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
（ｃ） 半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
本参考の形態においても、半導体レーザ装置１０００Ｄのレーザ用略丸型キャンパッケージ５００への実装は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。それにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
本参考の形態では、サブマウント５０５Ｚ上に形成されるｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚが互いに交差しない。したがって、サブマウント５０５Ｚ上へのｐ側パッド電極１２ｚ，１３ｚ，１４ｚの形成を同時に行うことができる。その結果、製造工程が単純となり、構造が単純となっている。
本参考の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄを図１２の光ピックアップ装置９００に用いることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
本参考の形態では、半導体レーザ装置１０００Ｄは、サブマウント５０５Ｚ上でジャンクションダウン構造を有する。しかしながら、半導体レーザ装置１０００Ｄは、青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの各基板の厚みを略同一とし、サブマウント５０５Ｚ上に青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘのｎ電極１５および共通ｎ電極２３３が接合されるジャンクションアップ構造を有してもよい。
（５） 第５の参考の形態
第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置は、以下の点を除き第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと同様の構造を有する。
（ａ） 半導体レーザ装置の構造
図２２は、第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図２２（ａ）に第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図２２（ｂ）に図２２（ａ）のＡ５−Ａ５線断面図が示されている。
図２２（ａ）および図２２（ｂ）に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｅは、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２、赤外半導体レーザ素子３、はんだ膜Ｈ、融着層５０５Ｈおよび導電性のサブマウント５０５Ｓを含む。
本参考の形態において、サブマウント５０５Ｓは長方形状を有する板状の部材であり、ＸＹ平面に対して平行に配置される。以下の説明では、図２２（ａ）および図２２（ｂ）に示すように、Ｘ方向におけるサブマウント５０５Ｓの一端面をレーザ端面５０５Ｘと呼ぶ。
図１９（ｂ）に示すように、導電性のサブマウント５０５Ｓ（融着層５０５Ｈ）上に青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のそれぞれのｎ電極１５，２３，３３が接合されている。
すなわち、本参考の形態において、半導体レーザ装置１０００Ｅは、サブマウント５０５Ｓ上に青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の各ｎ電極が接合されたジャンクションアップ構造を有する。
青紫色半導体レーザ素子１の基本構造は、第１の実施の形態において用いられる青紫色半導体レーザ素子１と同じである。図２２において、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３は、以下の構造を有する。
図２２（ａ）および図２２（ｂ）に示すように、赤色半導体レーザ素子２の上面にはＸ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成されている。リッジ部Ｒｉの側面およびリッジ部Ｒｉの両側には赤色半導体レーザ素子２の上面を覆うように絶縁膜４ｄが形成されている。リッジ部Ｒｉの上面にはｐ型オーミック電極６２１ｂが形成されている。ｐ型オーミック電極６２１ｂの上面およびリッジ部Ｒｉ周辺の絶縁膜４ｄを覆うようにｐ側パッド電極２２が形成されている。
赤外半導体レーザ素子３は、上記の赤色半導体レーザ素子２と同様に絶縁膜４ｄを含む。赤外半導体レーザ素子３のリッジ部Ｒｉの上面にはｐ型オーミック電極６２１ｃが形成されている。
サブマウント５０５Ｓ（融着層５０５Ｈ）上の青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の接合部には、はんだ膜Ｈが形成されている。これにより、各半導体レーザ素子のｎ電極が互いに電気的に接続されている。
ここで、融着層５０５Ｈ上では、青紫色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子３および赤色半導体レーザ素子２がレーザ端面５０５Ｘ側でＹ方向に順に並ぶように配置されている。
本参考の形態において、Ｙ方向における青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１１０μｍに調整される。また、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約４００μｍに調整される。
ここで、図２２（ｂ）に示すように、Ｙ方向において、青紫色発光点１１は青紫色半導体レーザ素子１の中心よりも赤外発光点３１側に位置するように形成されている。また、Ｙ方向において、赤外発光点３１は赤外半導体レーザ素子３の中心よりも青紫色発光点１１側に位置するように形成されている。さらに、Ｙ方向において、赤色発光点２１は赤色半導体レーザ素子２の中心よりも赤外発光点３１側に位置するように形成されている。
このように青紫色発光点１１および赤外発光点３１が形成されることにより、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の間隔を小さくすることができる。
本参考の形態において、Ｘ方向に延びる青紫色半導体レーザ素子１の共振器長は、例えば約８００μｍである。また、Ｘ方向に延びる赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共振器長は、例えば約１２００μｍである。
（ｂ） レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図２３は図２２の半導体レーザ装置１０００Ｅを図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図である。図２３においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
図２３に示すように、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の支持部材５０５上には、半導体レーザ装置１０００Ｄのサブマウント５０５Ｓが設けられている。
ここで、サブマウント５０５Ｓ上の融着層５０５Ｈへの青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の接合は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。
さらに、半導体レーザ装置１０００Ｅは、サブマウント５０５Ｓのレーザ端面５０５Ｘがレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の光出射面側（蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ側）に位置するように支持部材５０５上に配置される。
給電ピン５０１ａはワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ｅのｐ側パッド電極２２の一端に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介して半導体レーザ装置１０００Ｅのｐ側パッド電極１２の一端に接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ｅのｐ側パッド電極３３の一端に接続されている。
支持部材５０５はサブマウント５０５Ｓ、融着層５０５Ｈおよびはんだ膜Ｈを通じてｎ電極１５，２３，３３と電気的に接続されている。これにより、給電ピン５０２は青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極１５，２３，３３と電気的に接続されている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のカソードコモンの結線が実現されている。
給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
（ｃ） 半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
本参考の形態においても、半導体レーザ装置１０００Ｅのレーザ用略丸型キャンパッケージ５００への実装は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。それにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
本参考の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｅを図１２の光ピックアップ装置９００に用いることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
本参考の形態では、半導体レーザ装置１０００Ｅは、サブマウント５０５Ｓ上でジャンクションアップ構造を有する。しかしながら、半導体レーザ装置１０００Ｅは、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の各基板の厚みを略同一とし、サブマウント５０５Ｓ上に青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１２，２２，３２が接合されるジャンクションダウン構造を有してもよい。
（６） 特許請求の範囲との対応関係
上記第１〜第３の実施の形態及び第４、第５の参考の形態においては、Ｘ方向が第１の方向に相当し、波長約４０５ｎｍのレーザ光および青紫色レーザ光が第１の波長の光に相当し、青紫色発光点１１が第１の発光点に相当し、青紫色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、波長約６５０ｎｍのレーザ光および赤色レーザ光が第２の波長の光に相当し、赤色発光点２１が第２の発光点に相当し、赤色半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、波長約７８０ｎｍのレーザ光および赤外レーザ光が第３の波長の光に相当し、赤外発光点３１が第３の発光点に相当し、赤外半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当し、ＹＺ平面が第１の方向に直交する第１の面に相当する。
また、Ｙ方向が第２の方向に相当し、ｎ−ＧａＮ基板１ｓが第１の基板に相当し、半導体層１ｔが第１の半導体層に相当し、ｐ側パッド電極１２が第１の電極に相当し、半導体層２ｔが第２の半導体層に相当し、ｐ側パッド電極２２が第２の電極に相当し、半導体層３ｔが第３の半導体層に相当し、ｐ側パッド電極３２が第３の電極に相当し、絶縁膜４ａが絶縁層に相当する。
さらに、光ディスクＤＩが光学記録媒体に相当し、光検出器９０９ａが第１の光検出器に相当し、光検出器９０９ｂが第２の光検出器に相当し、偏光ＢＳ９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５、対物レンズ９０６、シリンダレンズ９０７および光軸補正素子９０８が光学系に相当し、光軸補正素子９０８が回折格子に相当する。
上記第１〜第３の実施形態及び第４、第５の参考の形態では、レーザ用略丸型キャンパッケージへ半導体レーザ装置を実装する例を示したが、本発明はこれに限らず、フレーム型のレーザ用パッケージなどの他のパッケージへ半導体レーザ装置を実装する場合にも適用可能である。
本発明に係る半導体レーザ装置および光ピックアップ装置は、複数種類の光学記録媒体の記録および再生を行うことが可能な光学記録媒体駆動装置およびその製造に有効に利用できる。
第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。 図１の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。 図１の半導体レーザ装置が実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージの外観斜視図である。 図３のレーザ用略丸型キャンパッケージの蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。 半導体レーザ装置の蓋体を外した状態を示す模式的上面図である。 第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 青紫色半導体レーザ素子の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。 モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子の赤色半導体レーザ素子の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。 モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子の赤外半導体レーザ素子の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。 本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。 図１３の半導体レーザ装置を図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。 第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。 図１５の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。 図１５の半導体レーザ装置を図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。 図１５の半導体レーザ装置を図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的上面図である。 第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。 図１９の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子とサブマウントとの接合部の模式図である。 図１９の半導体レーザ装置を図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。 第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。 図２２の半導体レーザ装置を図３のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。
１ 青紫色半導体レーザ素子
１ｓ ｎ−ＧａＮ基板
１ｔ 半導体層
２ 赤色半導体レーザ素子
２ｔ 半導体層
３ 赤外半導体レーザ素子
３ｔ 半導体層
４ａ 絶縁膜
１１ 青紫色発光点
１２ ｐ側パッド電極
２１ 赤色発光点
２２ ｐ側パッド電極
３１ 赤外発光点
３２ ｐ側パッド電極
５０５Ｓ，５０５Ｚ サブマウント
９００ 光ピックアップ装置
９０９ａ，９０９ｂ 光検出器
９０２ 偏光ＢＳ
９０３ コリメータレンズ
９０４ ビームエキスパンダ
９０５ λ／４板
９０６ 対物レンズ
９０７ シリンダレンズ
９０８ 光軸補正素子
１０００Ａ〜１０００Ｅ 半導体レーザ装置
ＢＲ 連結部
ＤＩ 光ディスク

Claims (13)

  1. 第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体レーザ素子と、
    第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体レーザ素子と、
    第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体レーザ素子とを備え、
    前記第１の半導体レーザ素子上に、前記第２および第３の半導体レーザ素子が接合され、
    前記第１、第２および第３の発光点は、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、
    前記第３の発光点は、前記第１の発光点と前記第２の発光点との間に位置し、
    前記第１の方向に直交する第１の面内において、前記第１の発光点と前記第３の発光点との間の距離が、前記第１の発光点と前記第２の発光点との間の距離および前記第２の発光点と前記第３の発光点との間の距離の少なくとも一方よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 前記第１の半導体レーザ素子は、第１の基板を備え、
    前記第２の方向は、前記第１の基板の一面に略平行であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の発光点を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成される第１の電極とを備え、
    前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の発光点を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成される第２の電極とを備え、
    前記第３の半導体レーザ素子は、前記第３の発光点を備える第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に形成される第３の電極とを備え、
    前記第１の電極上に前記第２および第３の電極が接合されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記第１の電極上に前記第２および第３の電極が絶縁層を介して接合されたことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記第２の半導体レーザ素子と前記第３の半導体レーザ素子とを連結する連結部をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  6. 前記連結部には、共通電極が形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ装置。
  7. 前記第１、前記第２および第３の半導体レーザ素子は、支持部材上に設置され、
    前記共通電極と前記支持部材とはワイヤによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
  8. 前記第１の波長の光は青紫色光であり、
    前記第２の波長の光は赤色光であり、
    前記第３の波長の光は赤外光であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  9. 前記第１の半導体層は窒化物系半導体からなり、
    前記第２の半導体層はガリウムインジウムリン系半導体からなり、
    前記第３の半導体層はガリウムヒ素系半導体からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  10. 光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体から帰還する光を検出する光ピックアップ装置であって、
    請求項１〜９のいずれかに記載の半導体レーザ装置を備えることを特徴とする光ピックアップ装置。
  11. 第１および第２の光検出器と、
    前記半導体レーザ装置から出射される前記第１、第２または第３の波長の光を前記光学記録媒体に導くとともに、前記光学記録媒体から帰還する前記第１、第２または第３の波長の光を前記第１または第２の光検出器に導く光学系とをさらに備えることを特徴とする請求項１０記載の光ピックアップ装置。
  12. 前記光学系は、
    前記第１および第３の波長の光をそれぞれ前記第１および第２の光検出器に導き、前記第２の波長の光を前記第１および第２の光検出器の一方に導くように、前記第１、第２および第３の波長の光を透過する回折格子を含むことを特徴とする請求項１１記載の光ピックアップ装置。
  13. 前記第１の半導体レーザ素子により出射される前記第１の波長の光の軸が前記光学系の光軸に一致するように前記半導体レーザ装置が配置されたことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4930322B2 (ja) 2006-11-10 2012-05-16 ソニー株式会社 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置
JP4985100B2 (ja) * 2007-05-28 2012-07-25 ソニー株式会社 多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置
JP5259166B2 (ja) * 2007-12-06 2013-08-07 日本オクラロ株式会社 半導体レーザ装置
JP2010040752A (ja) 2008-08-05 2010-02-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2010251502A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Mitsubishi Electric Corp 多波長半導体レーザ装置
JP5522977B2 (ja) * 2009-06-09 2014-06-18 三菱電機株式会社 多波長半導体レーザ装置
JP2011049295A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JP2011049293A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2011066064A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Sanyo Electric Co Ltd 搭載部材およびそれを備えた半導体レーザ装置
JP5488881B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-14 ソニー株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2011077339A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sony Corp 半導体レーザ
JP2012033733A (ja) 2010-07-30 2012-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置
TWI458143B (zh) * 2010-11-17 2014-10-21 Cal Comp Optical Electronics Suzhou Co Ltd 灌膠設備
JP2013016585A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Mitsubishi Electric Corp 多波長半導体レーザ装置
JP6037484B2 (ja) * 2015-10-30 2016-12-07 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
WO2017098689A1 (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP6711333B2 (ja) * 2017-08-16 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7193300B2 (ja) * 2018-10-16 2022-12-20 新光電気工業株式会社 ステム
US11309681B2 (en) * 2019-01-31 2022-04-19 Nichia Corporation Mount member and light emitting device
JP7323798B2 (ja) * 2019-01-31 2023-08-09 日亜化学工業株式会社 載置部材、及び、発光装置
JP6924293B2 (ja) * 2019-03-27 2021-08-25 シャープ株式会社 レーザ素子
CN114144950B (zh) * 2019-08-06 2024-07-16 三菱电机株式会社 半导体激光装置
EP3965145A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-09 Schott Ag Transistor outline header for high-speed optoelectronic package

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001156327A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2001230502A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Sony Corp 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2001267687A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Toshiba Corp 多波長半導体発光装置
JP2002062415A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Asahi Glass Co Ltd ２波長用回折光学素子、２波長光源装置および光ヘッド装置
JP2002118331A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Toshiba Corp 集積型半導体発光装置及びその製造方法
JP2002319176A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Sony Corp 光学ピックアップ装置
JP2004022717A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Sharp Corp 多波長レーザ装置
JP2004207479A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2004207480A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2005064430A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Toshiba Corp 多波長半導体レーザ
JP2005072562A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ素子
JP2006013414A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Samsung Electro Mech Co Ltd 多波長半導体レーザとその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59161867A (ja) * 1983-03-07 1984-09-12 Hitachi Ltd 半導体装置
US5241214A (en) * 1991-04-29 1993-08-31 Massachusetts Institute Of Technology Oxides and nitrides of metastabale group iv alloys and nitrides of group iv elements and semiconductor devices formed thereof
JPH06131688A (ja) 1992-10-20 1994-05-13 Hitachi Ltd ２レーザ光ヘッド及び記録再生装置
JP2630206B2 (ja) * 1993-08-16 1997-07-16 日本電気株式会社 高出力パルスレーザダイオードモジュール
JPH10153742A (ja) * 1996-11-21 1998-06-09 Canon Inc 複数ビーム光源装置
JPH11134702A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Sanyo Electric Co Ltd 光ピックアップ装置
US5987043A (en) * 1997-11-12 1999-11-16 Opto Power Corp. Laser diode arrays with offset components
US6136623A (en) * 1998-05-06 2000-10-24 Xerox Corporation Multiple wavelength laser arrays by flip-chip bonding
CN1311449C (zh) * 1998-11-09 2007-04-18 松下电器产业株式会社 光信息处理装置和光学元件
JP2001244570A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Sony Corp 半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法
JP3998408B2 (ja) * 2000-09-29 2007-10-24 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP4260062B2 (ja) 2004-05-14 2009-04-30 三洋電機株式会社 光ピックアップ装置
JP4318622B2 (ja) 2004-10-19 2009-08-26 三洋電機株式会社 光ピックアップ装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001156327A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2001230502A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Sony Corp 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2001267687A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Toshiba Corp 多波長半導体発光装置
JP2002062415A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Asahi Glass Co Ltd ２波長用回折光学素子、２波長光源装置および光ヘッド装置
JP2002118331A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Toshiba Corp 集積型半導体発光装置及びその製造方法
JP2002319176A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Sony Corp 光学ピックアップ装置
JP2004022717A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Sharp Corp 多波長レーザ装置
JP2004207479A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2004207480A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2005072562A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ素子
JP2005064430A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Toshiba Corp 多波長半導体レーザ
JP2006013414A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Samsung Electro Mech Co Ltd 多波長半導体レーザとその製造方法

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