JP4219147B2 - 多波長レーザ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多種の光ディスクに適用可能な光ピックアップ装置に関し、特に複数の波長のレーザ光を出射し得る多波長レーザ装置の改善に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年では、記録密度を向上させる記録媒体およびそのための記録再生装置の開発が盛んに行われている。例えば、デジタル多用途ディスク(DVD)は映像の記録媒体として多方面に普及しつつあり、今後の需要の増大が期待されるメディアである。したがって、DVD、従来のコンパクトディスク(CD)、録再可能なCD(CD−R、CD−RW)などのように多種の光ディスクに適用し得る光ピックアップを開発する需要が高まっている。
【0003】
現在では、DVDの再生用光源には波長650nm帯の半導体レーザダイオード(LD)が使用されており、CDやCD−Rには波長780nm帯のLDが使用されている。さらに、次世代のDVDでは波長410nm帯のLDが使用される。DVDやCD、CD−R、CD−RWなどの規格では、ディスク側において録再方式の違いも存在するが、それぞれのディスク間の共用性を確保するために、上述の3波長のレーザ光で読み書きできるピックアップを記録再生装置に搭載することが望ましい。
【0004】
記録再生装置において、それぞれの波長に対応するピックアップを3つ搭載することも可能である。しかし、一つの再生装置に3つものピックアップを搭載すれば、装置の大型化が避けられないのみならず、コストの増大を引き起こす。したがって、一つのピックアップで3種類のメディアを読み書きできることが望ましい。このためには、光ピックアップに3つの波長を出射することが可能な多波長レーザ装置を使用することが必要となる。具体的には、波長780nmの赤外半導体LDと、波長650nmの赤色半導体LDと、波長410nmの青色半導体LDとを近接して配置した多波長半導体レーザ装置が挙げられる。また、DVD間のみの記録再生方式の相違を考える場合には、赤色半導体LDと青色半導体LDとを近接して配置した多波長レーザ装置が必要となる。
【0005】
図15は、互いに発光波長が異なる複数種類の半導体LDを集積した従来の多波長半導体レーザ装置の一例の主要部を模式的な斜視図で示している(例えば、特許文献1の特開2000−174398号公報参照)。これは複数のLDを別個に作製した後にそれらを集積したいわゆるハイブリッド型の多波長レーザ装置である。支持基体131の平坦な支持面上で、それぞれ赤外色、赤色、青色の発光波長を有する半導体LD132、133、および134が、この順でそれらのレーザビームの出射方向が互いにほぼ平行になるようにマウントされている。それぞれの半導体LDにはワイヤ135、136、および137が接続されており、各LDは独立に動作できるようにされている。このようなハイブリッド型の多波長レーザ装置では、一つの半導体LDに不良が生じても、その不良LDを良品のLDと交換できるので、多波長レーザ装置の歩留まりの低下を抑制し得るメリットがある。
【0006】
【特許文献1】
特開2000−174398号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、互いに発光波長の異なる複数のLDを集積する場合、それらのLDをどのように並べるべきかについて、これまであまり考慮されていない。しかし、複数のLDを集積して使用する場合、本発明者らの考えによれば、複数のLDの並べ方と光ピックアップの光学系との関係を考慮すべきであり、複数のLDの配置を適切に行うことが重要であると考えられる。
【0008】
理想的には、3つのピックアップを搭載する場合と同様に、レーザの一波長に対応して一つの光学系を準備することが望ましいが、それでは複数のLDを集積して一つのピックアップにする利点が得られない。従って、光学系としては、一つの発光波長のLDを搭載したピックアップの場合と同様に、単一の光学系を使用することが好ましい。また、複数のLDが集積されたレーザ装置では、それら複数のLDのレーザ光出射点を1点に一致させることは不可能であるから、単一の光学系において、各波長のLDのそれぞれに最適な複数の光学系の役割を果たさせることは困難である。
【0009】
このような従来技術における事情に鑑み、本発明は、互いに異なった波長の光を出射する複数のLDを集積した多波長レーザ装置と単一光学系との関係を改善することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電力供給源を兼ねる同一基体上で第一、第二、および第三のレーザダイオードを含んでいて青色と赤色と赤外色の波長の光を出射し得る多波長レーザ装置において、第二と第三のレーザダイオードの光出射点はレーザ光出射方向に垂直な実質的に同一平面上に位置し、第一のレーザダイオードの光出射点はその平面よりレーザ光出射方向に沿って後方に配置され、かつ第一のレーザダイオードからのレーザ出射光は第二と第三のレーザダイオードの側縁を通って放出され、第二のレーザダイオードと第三のレーザダイオードは一体の基板上に成長されたモノリシック型レーザ素子を構成し、このモノリシック型レーザ素子には第二のレーザダイオードと第三のレーザダイオードの間に第一のレーザダイオードの出射光を通すためのストライプ形状の溝が形成されていることを特徴としている。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明者らの検討によれば、多波長レーザ装置と単一光学系との関係を改善するためには、多波長レーザ装置の各素子の発光点を互いに近づけて配置することが望まれる。なぜならば、レーザ光を集光する際には各種のレンズ収差が問題となるが、これらの収差はレーザ光がレンズの光軸から離れるほど大きくなってレンズの精度が問題となる上に、収差を解消して歩留まりを確保するためにさらに複雑な設計をすることが余儀なくされるからである。また、多波長レーザ装置の製造方法に関しては、歩留まりの低下を防ぐために、LDの集積法ができるだけ簡単で複雑な操作を必要としないことが望まれる。
【0019】
しかしながら、多波長レーザ装置に含まれる各LDは寸法的に従来と同様であるので、比較的容易と考えられる集積法を使用する図15のハイブリッド型多波長レーザ装置においては、一つのLDのチップサイズとして、共振器に垂直な方向の幅が最低でも200μm程度は必要となる。この幅は、LDにワイヤを接続して電力を供給するスペースを確保すると共に、マウント時のハンドリング性をよくしてエラーによる歩留まり低下を防ぐなどのために望まれるものである。また、複数のLDを並列に配置するためには、LD間でショートを防止するための間隔を設ける必要もある。したがって、例えば3つのLDを単に並列に配置した場合、3つの発光点の端から端までの間隔は最低でも500μm程度となり、このことが光学系の設計を複雑化させることになる。
【0020】
本発明者らによる以上のような従来技術の検討結果に基づいてなされた本発明について、以下において本発明に密接に関連する参考形態とともに実施形態が図面を参照しつつ説明される。
【0021】
(参考形態1)
図1は、本発明に密接に関連する参考形態1における多波長レーザ装置のヘッダ部10の主要部を模式的に図解した斜視図である。なお、本願の図面において、同一または対応する部分に同一の符号を付し、その詳細な説明は繰り返されない。
【0022】
ヘッダ部10は、支持基体11の上面側にpサイドダウンで配設された青LD12と、赤外LD13と、赤LD14とを含み、それぞれのLDがストライプ状導波路212、312、および412を備えている。LD12、13、および14には、それらの素子が独立に動作しうるように電力を供給するための第一のワイヤ18、第二のワイヤ19、および第三のワイヤ20が接続されている。
【0023】
赤外LD13と、赤LD14とは、青LD12の光出射面より前方(光出射側)に配置され、赤外LD13と、赤LD14との間隔は、青LD12の幅よりも狭くなっている。この幅は青LD12から出射されるレーザ光が阻害されない程度の幅に調整されており、支持基体11においても青LDから出射されるレーザ光が阻害されないように溝21が形成されている。なお、素子13と14の間の幅および支持基体11上の溝21の形状については後に詳述する。赤外LD13と赤LD14とのストライプ状導波路312と412は、それぞれの素子のレーザ光出射方向に沿った中心線よりも溝21に近い位置に形成されており、発光点間隔を狭めるように配置されている。
【0024】
支持基体11は、銅を主成分とする金属からなっており、ヒートシンクとしての役割を兼ねている。支持基体11の上に配設される複数のLD12、13、および14は、それらが出射するレーザビームがほぼ平行になるようにマウントされている。また、それぞれのLDはp型用電極側が支持基体11側になるように、すなわちpサイドダウンでマウントされており、LDのn型用電極側にはワイヤ18、ワイヤ19、および、ワイヤ20がそれぞれ接続されている。それぞれのLDにおいて、レーザ共振器のリア側に高反射膜が形成され、支持基体11側とワイヤ側から閾値以上の電流が注入されれば、共振器のフロント側からレーザ光が出射される。次に、図1の多波長レーザ装置の製造方法に関して説明する。
【0025】
まず、図2の模式的な斜視図を参照して、青LD12は複数のGaN系半導体層を含み、これらの層は有機金属気相成長(MOCVD)法にてn型GaN基板201上に堆積される。具体的には、n型GaN基板201の第一主面上に、n型GaN下部コンタクト層202、n型Al0.1Ga0.9N下部クラッド層203、n型GaN下部ガイド層204、Inx1Ga1-x1Nの量子井戸層とInx2Ga1-x2N障壁層(但しx1>x2)の交互積層構造からなる多重量子井戸層構造を有する活性層205、p型Al0.2Ga0.8Nからなる蒸発防止層206、p型GaN上部ガイド層207、p型Al0.1Ga0.9N上部クラッド層208、およびp型GaN上部コンタクト層211を順に積層する。活性層205は、波長約405nmの光を放射するように組成と構造が設定される。
【0026】
次に、フォト工程を利用して幅2μm程度のストライプ状レジスト(図示せず)を形成し、反応性イオンエッチング(RIE)などによって上部クラッド層208と上部コンタクト層211を含むリッジストライプ212を形成し、光の導波が可能な構造を形成する。続いて酸化珪素膜を蒸着してリフトオフし、電流注入をリッジストライプ212の頂部のみから行うための電流狭窄層213をリッジストライプ212の両側に設ける。さらに、リッジストライプ212上には、Pd/Auをこの順に真空蒸着などにより積層したp型用電極214が形成される。その後、LDのマウント時に密着性を向上させるために、厚いMo/Au積層をこの順で真空蒸着することが好ましい。
【0027】
次に、基板201の第一主面と反対側の第二主面を研磨などで削ることによってウエハ全体の厚みを調整する。その後、基板201の第二主面側にTi/Alをこの順で真空蒸着などにより積層することによってn型用電極215を形成し、これによってウエハの形成を完了する。
【0028】
その後、ウエハを幅650μmの複数のレーザバーに劈開し、レーザ共振器端面を形成する。レーザバーのリア側には2種類以上の酸化物の積層体からなる高反射膜(図示せず)を形成して、レーザ光を共振器のフロント側から取り出せるようにする。さらにレーザバーを、幅200〜300μm程度のチップに分割して、青LD12を得る。
【0029】
図3を参照して、赤外LD13は複数のAlGaAs系半導体層を含み、これらの層はn型GaAs基板301上にMOCVD法や分子線エピタキシー(MBE)法により堆積される。具体的には、n型GaAs基板301の第一主面上に、n型Al0.55Ga0.45As下部クラッド層303、Alx3Ga1-x3As障壁層とAlx4Ga1-x4As量子井戸層(但しx3>x4)の交互積層構造からなる多重量子井戸層構造を有する活性層305、p型Al0.55Ga0.45Asの第一上部クラッド層308、p型GaAsエッチストップ層309、p型Al0.55Ga0.45Asの第二上部クラッド層310、およびp型GaAs上部コンタクト層311を順に積層する。活性層305は、波長約780nmの光を放射できるように組成と構造が設定される。
【0030】
次に、フォト工程により、5μm幅程度の酸化珪素または窒化珪素などのストライプ状マスク(図示せず)を形成する。そして、エッチストップ層309に達するまでエッチングして、第二上部クラッド層310と上部コンタクト層311を含むリッジストライプ312を形成することによって、光の導波が可能な構造を形成する。リッジストライプ312の両側には、光を閉じ込めるためと電流注入をリッジストライプ312の頂部のみから行うためのn型GaAs埋め込み層313が成長させられる。リッジストライプ312上には、Zn/Auをこの順に真空蒸着などにより積層したp型用電極314が形成される。
【0031】
次に、n型GaAs基板301の第二主面側をウェットエッチングなどで削ることによって、ウエハ全体の厚みを80〜160μm程度に調整する。その後、n型GaAs基板301の第二主面側にNi/Ge/Auをこの順で真空蒸着などにより積層することでn型用電極315を形成する。続いて、LDのマウント時に密着性を向上させるために、厚いMo/Au積層をこの順で真空蒸着することが好ましい。これによってウエハの形成を完了する。
【0032】
その後、ウエハを幅250μmの複数のレーザバーに劈開し、レーザ共振器端面を形成する。レーザ共振器のリア側に2種類以上の酸化物の積層体からなる高反射膜(図示せず)を形成して、レーザ光を共振器のフロント側から取り出せるようにする。さらに、レーザバーを幅200〜300μm程度のチップに分割して、赤外LD13を得る。このとき、リッジストライプ312の位置は、赤外LD13の光出射側の断面において、基板301を下側にした状態で素子の左側の分割線から50μmの位置に来るように設定される。
【0033】
図4を参照して、赤色LD14は複数のInAlGaP系半導体層を含み、これらの層はn型GaAs基板301上にMBE法により堆積される。具体的には、n型GaAs基板301の第一主面上に、n型Al0.35Ga0.15In0.50P下部クラッド層403、n型Al0.25Ga0.25In0.5P下部ガイド層404、Inx5Ga1-x5P量子井戸層とAlx6Gax7In1-x6-x7P障壁層との交互積層構造からなる多重量子井戸層構造を有する活性層405、p型Al0.25Ga0.25In0.50P上部ガイド層407、p型Al0.35Ga0.15In0.50Pの第一上部クラッド層408、p型In0.5Ga0.5Pからなるエッチストップ層409、p型Al0.35Ga0.15In0.50Pの第二上部クラッド層410、およびp型GaAs上部コンタクト層411を順に積層する。活性層405は、波長650nmの光を放射するように組成と構造が設定される。
【0034】
次に、フォト工程により5μm幅程度の酸化珪素または窒化珪素などのストライプ状マスク(図示せず)を形成する。その後、エッチストップ層409に達するまでエッチングし、第二上部クラッド層410と上部コンタクト層411を含むリッジストライプ412を形成し、光の導波が可能な構造を形成する。リッジストライプ412の両側には、光を閉じ込めるためと電流注入をリッジストライプ412の頂部のみから行うために、n型GaAs埋め込み層313が成長させられる。リッジストライプ412上には、Zn/Auをこの順に真空蒸着などにより積層したp型用電極414が形成される。
【0035】
次に、n型GaAs基板401の第二主面側をウェットエッチングなどで削ることによって、ウエハ全体の厚みを80〜160μm程度に調整する。そして、n型GaAs基板401の第二主面側にNi/Ge/Auをこの順で真空蒸着などにより積層することによってn型用電極415を形成する。続いて、LDのマウント時の密着性を向上させるために、厚いMo/Auをこの順で真空蒸着することが好ましい。これによってウエハの形成を完了する。
【0036】
その後、ウエハを250μm幅で複数のレーザバーに劈開し、レーザ共振器端面を形成する。レーザバー中の共振器のリア側に2種類以上の酸化物の積層体からなる高反射膜(図示せず)を形成して、レーザ光を共振器のフロント側から取り出せるようにする。さらに、レーザバーを幅200〜300μm程度の複数のチップに分割し、赤LD14を得る。このとき、リッジストライプ412の位置は、赤LD14の光出射方向の断面において、基板を下側にした状態で素子の右側の分割線から50μmの位置に来るように設定される。
【0037】
なお、GaAs基板301の劈開性を利用して赤外LD13と赤LD14のチップ分割を行えば、レーザ光の出射方向たるリッジストライプ312と412の方向と平行な分割面を形成することができ、この分割面を素子マウント時のアライメント基準として用いることができる。また、チップ分割を行う際には分割溝をレーザバーに設けることが必要となるが、この分割溝をフォト工程とエッチングを組み合わせて形成すれば、リッジストライプと素子側面との距離を規定できるので、発光点位置の制御に有利である。このような分割溝は、ウエハをバー状に分割する前に形成することが可能である。
【0038】
図1に戻って、これらのLD12、13、および14をマウントするための支持基体11の中央部には、幅50μmで深さが75μmの溝21が形成されている。溝21は、青LD12のレーザ光が通過しやすいように形成される。具体的には、青LD12から出射されるレーザ光の水平放射角θ‖と垂直放射角θ⊥を考慮して設定される。
【0039】
図5に示されているように青LD12のレーザ光出射点を基準にしてxyz軸を設定すれば、溝21の幅W(x方向)はy軸方向の距離Lにおいて次式(1)
|W|>2L・tan(θ‖/2) ・・・(1)
の条件を満たせばよく、また溝21の深さD(z方向)はy軸方向の距離Lにおいて次式(2)
|D|>L・tan(θ⊥/2) ・・・(2)
の条件を満たせばよい。従って、溝の底をスロープ状にしてもよいし、溝の両側面間も先広がり状にしてもよい。本参考形態1では、Lとして赤外と赤のLD13と14の共振器長250μmを使用し、青LD12の光放射各θ‖=10°とθ⊥=30°を用いて、溝の空間が直方体になるようにした。なお、赤外と赤のLD13と14から青LD12のy軸方向距離を大きく離す場合には、Lとして青LD12のレーザ出射点のy座標から、赤LD13または赤外LD14の出射点のy座標までの距離のうちで遠い方を用いればよい。
【0040】
LDのマウントに関しては、支持基体11の溝の後ろに青LD12を載せ、その前方でかつ溝21の両側に赤外LD13と赤LD14とをマウントする。これらの素子12、13、および14は、すべてpサイドダウンにされている。なお、赤外LD13と赤LD14との間隔は、支持基体11に設けられた溝21の幅D以上に設定する。このとき、幅Dのスペーサを溝21にはめ込んで、赤外LD13と赤LD14をスペーサの側面に接してマウントした後にそのスペーサを除去すれば、これら二つのLDの間隔を|D|にそろえることが容易になる。スペーサ側面に接する素子側面としては、チップへ分割する際の劈開面を使用することができる。
【0041】
マウントに際しては、青LD12にはAu80Sn20半田を用い、赤外LD13にはAu10Sn90半田を用い、そして赤LD14にはIn半田を用いて、融点の高い順にAu80Sn20半田、Au10Sn90半田、およびIn半田の順番でLDを支持基体11に取り付ける。すべてのLDに同じ半田材を使用することも不可能ではないが、このように融点の異なる半田を用いてマウントを行えば、一つの素子をマウントする際にマウント済みの他の素子の位置ずれなどが起こりにくくて便利である。なお、融点の異なる半田材としては、インジウム基、鉛基、錫基、アルミニウム基、金基など、種々の半田材から選択できる。また、マウントは最も融点の高い半田を使用する素子から順に行うようにする。
【0042】
青LD12と赤外LD13の間、および青LD12と赤LD14の間は、互いに素子が接触してショートしないように10〜数10μm程度離して配置する。また、それぞれの光の出射方向は概略並行となるようにする。溝21の両側に赤外LD13と赤LD14を配置する際には、チップ分割時に形成された素子の劈開側面を利用すればよい。また、それぞれの素子のレーザ共振器端面たる劈開面をアライメント基準として使用してもよい。特に、青LD12においては、共振器端面をアライメント基準にすれば便利である。
【0043】
図6に示されているように、それぞれのLDには、外部から電力が供給され得るようにワイヤが接続される。支持基体11は円形の放熱板10とともにステム本体を構成し、ステム外部のリード41からLDのp側に電力を供給できるようになっている。LDのn側に電力を供給するピン38、39、および40はステムとは絶縁され、外部のリード48、49、および50にそれぞれ直結している。レーザ光として出射される3つの波長の光を透過しうる透光材51を有するキャップ52を放熱板10に接続し、図6の多波長レーザ装置が完成する。なお、図6においては、多波長レーザ装置内部をわかりやすくするために、キャップ52を切断した状態を示している。
【0044】
図7においては、図6の多波長レーザ装置の等価回路が示されている。青LD12、赤外LD13、および赤LD14のpサイドはアースに接続され、nサイドにはそれぞれの素子を駆動する電力供給源が接続されており、それぞれの素子が独立に動作できるように構成されている。
【0045】
本参考形態1では、3つのLDをマウントするのに従来に近い手法を用いながらも、光軸を中心として全ての素子の発光点位置間を150μm程度の範囲内に納めることができる。したがって、本参考形態1による多波長レーザ装置は従来のプロセスとの適合性がよく、製造が容易であるとともに、集光レンズの精度を高くすべき領域を狭くでき、光ピックアップの設計を容易にすることができる。また、光ピックアップの設計が容易になることによって、その光学系を簡素化することができ、コストを低く押えることが可能となる。さらには、レーザ光の出射位置が溝21の位置を基準に決められるので、光ピックアップにLDを取り付ける際の位置合わせが容易となり、製造コストを低下させることが可能となる。
【0046】
なお、溝の延長線上に配置されるLDを、本参考形態1では青LDとしたが、赤LDや赤外LDを配置しても構わない。その場合、溝の両側に配置されるLDのリッジストライプの位置が、チップの側面から50μm程度になるように調整することは、本参考形態1に述べたのと同様である。さらに、溝の両側に配置されるLDの位置を溝の側縁から離すようにしても構わない。この場合、レーザをマウントする際に使用するスペーサをT字型に加工し溝に嵌めればLDの配置が容易になる。
【0047】
(参考形態2)
図8は、参考形態2における多波長レーザ装置のヘッダ部30の主要部を模式的に図解した斜視図である。
【0048】
本参考形態2に特徴的な一つ目の点は、ヘッダ部30の支持基体31の上面に溝が形成されていないことである。
【0049】
また、本参考形態2に特徴的な二つ目の点は、赤外LD13と、赤LD14の共振器長が350μmに調整されていることである。
【0050】
さらに、本参考形態2に特徴的な三つ目の点は、青LD12と赤外LD13と赤LD14とがそれぞれ120μmの厚みに調整され、かつどの素子もpサイドアップで配設されている点である。なお各LDの厚みは、その大半が基板の厚みになっている。青LD12から出射されたレーザ光は、赤外LD13と赤LD14との間を通り抜けて外部に達する。従って、赤外LD13と赤LD14との間の距離は、式(1)を満たすよう、65μmに調整される。また、素子の厚みは120μmに調整されていて、素子がpサイドアップで配設されているので、レーザ発光点と支持基体31との距離は当然に式(2)を満たす。式(2)から判るように、素子の厚みが120μm程度であれば、Lが450μm程度までの大きさであっても、青LD12からのレーザ出射光が支持基体31の表面によって阻害されることがない。
【0051】
さらに、本参考形態2に特徴的な四つ目の点は、それぞれのLDに対して、ストライプ状導波路212、312、および412から離れた位置にワイヤ18、19、および20が接続され、LDにダメージが入ることを防止できるように構成されていることである。
【0052】
本参考形態2の構成では、支持基体31上に溝がないので、青LD12のマウント位置を自由に決定できるメリットがある。その他に、光学系の光軸に関して3つのLDの発光点が近づくことによるメリットは、参考形態1の場合と同様である。
【0053】
(参考形態3)
図9は、参考形態3における多波長レーザ装置のヘッダ部60の主要部を模式的に図解した斜視図である。また、図10と図11は、図9におけるLD32の製造工程を模式的に図解した断面図である。
【0054】
本参考形態3に特徴的な一つ目の点は、ヘッダ部60が、支持基体11上の青LD12と二波長LD32を含み、二波長LD32は赤色レーザ光と赤外レーザ光とを出射できるモノリシック型となっていることである。このようなモノリシック型LDでは、フォト工程によりストライプ状導波路を形成できるので、LD内の複数の発光点位置を極めて正確に決定できる利点がある。二波長LD32は、赤外発光部33と、赤発光部34とを含み(図11(b)参照)、それぞれに独立に電力供給できるように構成されてワイヤ19と20が接続されている。
【0055】
このようなLD32は、図10(a)と(b)および図11(a)と(b)に図解されているような方法によって形成され得る。すなわち、二波長LD32は、n型GaAs基板301上にMOCVD法や分子線エピタキシー(MBE)法を利用して形成され得る。熱に強い赤外LDを先に作製し、その後に赤色LDを作製することで、赤色LDに熱負荷が大きくかかることを防止する。
【0056】
具体的には、まず図10(a)に示されているような赤外発光部33を形成するために、参考形態1における赤外LDと同様に、p型GaAs上部コンタクト層311までの複数のAlGaAs系半導体層を成長させる。続いて、CVDまたは真空蒸着などにより酸化珪素または窒化珪素などからなる保護膜316を形成し、この保護膜にフォト工程によりストライプ形状の開口部を設ける。保護膜316および開口部の幅は、200および250μm程度とすればよい。この開口部からウェットエッチングやドライエッチングの手法で、赤外発光部33となるメサを形成する。メサとメサとの間ではn型GaAs基板301が露出するまでエッチングされ、メサ間の谷間に赤発光部34が形成される。
【0057】
すなわち、図10(b)に示されているように保護膜316を残したままで、露出されたn型GaAs基板301上に赤発光部34を形成するために、参考形態1における赤LDと同様に、p型GaAs上部コンタクト層411までの複数のInGaAlP系半導体層を成長させる。このとき、成長終了後の上部コンタクト層411の表面高さが、赤外発光部33における上部コンタクト層311の表面高さと概略等しくなるように調整される。続いて、赤外発光部33と同様に保護膜317を形成し、保護膜317にフォト工程により開口部を設ける。保護膜317および開口部の幅は、150および300μm程度とすればよい。このときの開口部は、赤外発光部33に対応する位置に設け、かつ保護膜317を形成する位置は赤外発光部33となるメサの一方の端から20μm程度とされる。この開口部からドライエッチングやウェットエッチングを行い、赤発光部34を形成すると共に、赤外発光部33との分離を行う。この結果、幅20μmの素子分離溝318と、幅80μmの素子分離溝319が形成される。
【0058】
次に、図11(a)に示されているようにリッジストライプを形成するために、保護膜316と317をフォト工程によって4μm程度のさらに細いストライプ形状に加工する。このとき、リッジストライプ312の位置を、素子分離溝318から20μmの距離とし、リッジストライプ412の位置を、素子分離溝319から50μmの位置とする。これは、発光点をできるだけ素子側面の一方に近づけるためである。なお、リッジストライプ412の位置は、ストライプ方向の素子分割時のダメージを避けられるように決定すればよく、50μmに限定されるものではない。ただし、リッジストライプ412に電力を供給するためのワイヤを接続するために、リッジストライプ312とリッジストライプ412の間隔は十分に確保する必要がある。本参考形態3では、これを100μmとした。続いて、エッチストップ層309と409に達するまでウエットエッチングし、赤外発光部33と赤発光部34との双方のリッジストライプ312と412を完成する。
【0059】
次に、図11(b)に示されているように、双方のリッジストライプをn型GaAs埋め込み層313で埋め込み、リッジストライプ上部に堆積したn型GaAs層を除去する。なお、レーザ部33と34を分離した谷間318と319にn型GaAs埋め込み層が成長した時には、これも除去する。双方のリッジストライプ上部および埋め込み層の上部には、参考形態1の場合と同様に、p型用電極314が形成される。このとき、赤外発光部33と赤発光部34に対するp型用電極314を同時に形成することができる。その後、n型用電極315を形成し、さらにMo/Auをこの順で真空蒸着してウエハの形成を完了する。
【0060】
次に、ウエハを300μm幅でバー状に劈開してレーザ共振器端面を形成し、共振器のリア側に二つの波長のレーザ光を反射しうる高反射膜(図示せず)を形成する。そして、第二の素子分離溝319の赤発光部34側でバーを分割し、二波長LD32の形成を完了する(図11(b)参照)。以上のようにすれば、二波長LD32では、素子側端から発光点までの距離が190μmとなる。
【0061】
本参考形態3に特徴的な二つ目の点は、図9に示されているように、支持基体11に幅60μmで深さ100μmの溝21が形成れており、青LD12と二波長LD32とがpサイドアップでマウントされている点である。なお、青LDが溝21の後方に配置され、二波長LD32が溝21の側縁に沿って配置される点は参考形態1の場合と同様である。なお、青LD12の発光点位置が支持基体11の表面から十分離れていれば溝21がなくとも式(2)を満たすことが可能であるが、本参考形態3では青LD12が式(1)を満たすように二波長LD32を正確に配置するために、参考形態1と同様な手法で溝を利用する。
【0062】
本参考形態3では、青LD12が溝21の幅方向の中央線に沿って配置され、さらに赤色のレーザ光と赤外のレーザ光とを出射できるモノリシック型レーザ素子32を使用しているので、複数の発光点間の距離は端から端までで220μmとなる。この間隔でも、参考形態1と同様の効果が得られ得る。
【0063】
(実施形態1)
図12は、本発明の実施形態1における多波長レーザ装置のヘッダ部70の主要部を模式的に図解した斜視図である。また図13は図12におけるLD62を模式的に図解した断面図である。
【0064】
本実施形態1に特徴的な一つ目の点は、ヘッダ部70が支持基体31上の青LD12と、赤色レーザ光および赤外レーザ光を出射し得るモノリシック型の二波長LD62とを含み、かつ青LD12からのレーザ光が二波長LD62の赤外発光部33と赤発光部34(図13参照)との間を通って出射される点である。そのために、図12と図13に示すように、二波長LD62には溝61が形成され、青LD12からの光を阻害しないように配慮されている。このような溝61は、参考形態3と同様の手法で二波長LD62の素子分離溝318を形成する際に形成すればよく、そのサイズは式(1)および式(2)を満たすように設定する。この場合のLについても、二波長LD62の共振器長を使用すればよい。本実施形態1では、L=300μm、溝の幅W=60μm、そして溝の深さD=80μmとした。
【0065】
本実施形態1に特徴的な二つ目の点は、モノリシック型の二波長LD62のリッジストライプ312と412が、溝61から10μmの距離に作られている点である。溝61は、二波長LD62の作製途中にエッチングなどで形成すればよいので、リッジストライプの位置はフォト工程により正確に決定できる。なお、このような溝61を形成すれば素子の強度が弱くなるが、素子の厚みを厚くしたり、素子の裏面側に分厚い金属層を形成して強度を向上させてもよい。その場合、青LD12の発光点位置もそれに合わせるように配慮する必要がある。
【0066】
本実施形態1では、複数の発光点間の距離は端から端までで80μmに押えることができ、発光点が光学系の光軸に近づくことによる効果が参考形態1と同様に得られる。
【0067】
(参考形態4)
図14は、参考形態4における多波長レーザ装置のヘッダ部80の主要部を模式的に図解した斜視図である。
【0068】
本参考形態4に特徴的な一つ目の点は、ヘッダ部80が、青LD12と赤外LD13とで構成されている点である。
【0069】
また、本参考形態4に特徴的な二つ目の点は、ヘッダ部80の支持基体31の上面に溝が形成されていないことである。従って、赤外LD13は参考形態2と同様に構成する。
【0070】
この場合、それぞれのレーザ素子の作製方法は、参考形態1と同様に行えばよい。本参考形態4ではLDが2つであるので、それらの発光点の間隔は光学系の光軸に直交する方向で75μm程度となって、参考形態1と同様の効果を得ることが可能である。
【0071】
なお、本参考形態4では、青色LDを後方に配置し、赤外LDを前方に配置するとしているが、これが逆でも構わない。また、青LDと赤外LDの組合わせ以外にも、青LDと赤LD、赤外LDと赤LDのような組合せでも本参考形態4の思想を用いることができる。
【0072】
また、本発明の実施形態中で使用された技術は、参考形態と組み合わせ得る場合があることは言うまでもない。
【0073】
【発明の効果】
本発明では、レーザ素子を光学系の光軸に近い位置に配置するので、複数のレーザ素子をマウントするのに従来に近い手法を用いながらも、全ての発光点位置をレーザビームに直交する方向で150μm程度の範囲内に納めることができる。したがって、本発明によるレーザ装置は従来のプロセスとの適合性がよくて製造が容易であるとともに、集光レンズの精度を高くすべき領域を狭くでき、光ピックアップの設計を容易にすることができる。また、光ピックアップの設計が容易になることによって、光学系を簡素化することができ、コストを低く押えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に密接に関連する参考形態1による多波長レーザ装置のヘッダ部の模式的な斜視図である。
【図2】 図1のヘッダ部に含まれる青LDの模式的な斜視図である。
【図3】 図1のヘッダ部に含まれる赤外LDの模式的な斜視図である。
【図4】 図1のヘッダ部に含まれる赤LDの模式的な斜視図である。
【図5】 図2のレーザ素子を基準とした座標軸を表す図である。
【図6】 参考形態1による多波長レーザ装置の模式的な斜視図である。
【図7】 図6の多波長レーザ装置の等価回路図である。
【図8】 本発明に密接に関連する参考形態2による多波長レーザ装置のヘッダ部の模式的な斜視図である。
【図9】 本発明に密接に関連する参考形態3による多波長レーザ装置のヘッダ部の模式的な斜視図である。
【図10】 図9のヘッダ部に含まれる二波長LDの製造方法を示す模式的な断面図である。
【図11】 図9のヘッダ部に含まれる二波長LDの製造方法を示す模式的な断面図である。
【図12】 本発明の実施形態1による多波長レーザ装置のヘッダ部の模式的な斜視図である。
【図13】 図12のヘッダ部に含まれる二波長LDの模式的な断面図である。
【図14】 本発明に密接に関連する参考形態4による多波長レーザ装置のヘッダ部の模式的な斜視図である。
【図15】 従来技術に基づくハイブリッド型多波長レーザ装置の模式的な斜視図である。
【符号の説明】
10、30、60、70、80 ヘッダ部、11、31、131 支持基体、12、132 青LD、13、133 赤外LD、14、134 赤LD、32、62 二波長LD、18、19、20 ワイヤ、201、301 基板、202 下部コンタクト層、203、303、403 下部クラッド層、204、404 下部ガイド層、205、305、405 活性層、206 蒸発防止層、207、407 上部ガイド層、208、308、408 第一上部クラッド層、309、409 エッチストップ層、310 第二上部クラッド層、211、311、411 上部コンタクト層、212、312、412 リッジストライプ、213 電流狭窄層、313、413 埋め込み層、214、314、414 p型用電極、215、315、415 n型用電極、38、39、40 ピン、41、48、49、50 リード。
Claims (1)
- 電力供給源を兼ねた同一基体上で第一から第三のレーザダイオードを含んでいて青色と赤色と赤外色の波長の光を出射し得る多波長レーザ装置であって、前記第二と前記第三のレーザダイオードの光出射点はレーザ光出射方向に垂直な実質的に同一平面上に位置し、前記第一のレーザダイオードの光出射点は前記平面よりレーザ光出射方向に沿って後方に配置され、かつ前記第一のレーザダイオードからのレーザ出射光は前記第二と前記第三のレーザダイオードの側縁を通って放出され、
前記第二のレーザダイオードと前記第三のレーザダイオードは、一体の基板上に成長されたモノリシック型レーザ素子を構成し、
前記モノリシック型レーザ素子には、前記第二のレーザダイオードと前記第三のレーザダイオードの間に、前記第一のレーザダイオードの出射光を通すためのストライプ形状の溝が形成されていることを特徴とする多波長レーザ装置。
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