JP4930322B2 - 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 - Google Patents
半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4930322B2 JP4930322B2 JP2007277867A JP2007277867A JP4930322B2 JP 4930322 B2 JP4930322 B2 JP 4930322B2 JP 2007277867 A JP2007277867 A JP 2007277867A JP 2007277867 A JP2007277867 A JP 2007277867A JP 4930322 B2 JP4930322 B2 JP 4930322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- electrode
- counter electrode
- connection pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
- G11B7/1275—Two or more lasers having different wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B2007/0003—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier
- G11B2007/0006—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier adapted for scanning different types of carrier, e.g. CD & DVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2224—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semi-insulating semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
- H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
図1は本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置の上面構成を、図2は図1のA−A矢視方向の断面構成を、図3は図1のB−B矢視方向の断面構成を、図4は図1のC−C矢視方向の断面構成を、図5は図2のD−D矢視方向の断面構成をそれぞれ表したものである。この半導体レーザ装置は、図2に示したように、半導体レーザ素子1を支持部材としてのサブマウント10上に接合すると共に、サブマウント10の裏面に放熱部材としてのヒートシンク11を接合して構成したものである。なお、図1〜図5は模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
第1の発光素子20は、図2に示したように、共通の第1基板21上に、600nm帯(例えば650nm)の光を射出可能な第1素子20Aと、700nm帯(例えば780nm)の光を射出可能な第2素子20Bとを互いに並列に形成したものである。第1素子20AはGaP系III−V族化合物半導体により構成されており、他方、第2素子20BはGaAs系III−V族化合物半導体により構成されている。ここでいうGaP系III−V族化合物半導体とは、短周期型周期表における3B族元素のうちの少なくともGa(ガリウム)と、短周期型周期表における5B族元素のうちの少なくともP(リン)とを含むものを指し、GaAs系III−V族化合物半導体とは、短周期型周期表における3B族元素のうちの少なくともGaと、短周期型周期表における5B族元素のうちの少なくともAs(ヒ素)とを含むものを指す。なお、GaP系III−V族化合物半導体およびGaAs系III−V族化合物半導体は共に、可視から赤外までの光に対して不透明な材料である。
第2の発光素子30は、400nm前後の波長(例えば405nm)の光を射出可能な半導体レーザ素子であり、窒化物系III−V族化合物半導体により構成されている。ここでいう窒化物系III−V族化合物半導体とは、短周期型周期率表における3B族元素群のうちの少なくとも1種と、短周期型周期率表における5B族元素のうちの少なくともN(窒素)とを含むものを指す。
図11は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザ装置の、上記第1の実施の形態における図2のD−D線と対応する線での断面構成を表すものである。
以下、上記第2の実施の形態の各種変形例について説明する。なお、以下では、上記第2の実施の形態との相違点を主に説明し、上記第2の実施の形態と同様の構成・作用・効果についての記載は適宜省略する。
図12は、上記第2の実施の形態の第1の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第1の実施の形態における図2のD−D線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、溶着層41と溶着層43との間に凸部62を備えている点で、上記第2の実施の形態の構成と相違する。
図13は、上記第2の実施の形態の第2の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第1の実施の形態における図2のD−D線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、対向電極42,44のへき開面S3,S4側の端部に凸部63を備えている点で、上記第2の実施の形態の構成と相違する。
図14は、上記第2の実施の形態の第3の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第1の実施の形態における図2のD−D線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、接続パッド39と対抗電極42との間に凸部64を備えている点で、上記第2の実施の形態の構成と相違する。
図15は、上記第2の実施の形態の第4の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第1の実施の形態における図2のD−D線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、対向電極42(44)上に、溶着層41(43)を面内方向から囲む凸部65を備えている点で、上記第2の実施の形態の構成と相違する。
図18は本発明の第3の実施の形態に係る半導体レーザ装置の上面構成を、図19は図18の半導体レーザ装置のA−A矢視方向の断面構成を、図20は図19の半導体レーザ装置のA−A矢視方向の断面構成をそれぞれ表すものである。この半導体レーザ装置は、図18に示したように、半導体レーザ素子2を、支持部材としてのサブマウント10上に接合すると共に、サブマウント10の裏面に放熱部材としてのヒートシンク11を接合して構成したものである。なお、図18〜図20は模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
図19に示したように、第1素子20Aのリッジ部24A上に形成されたp側電極26A(第1電極)は、溶着層41を介して絶縁層40に接合されている。また、第2素子20Bのリッジ部24B上に形成されたp側電極26B(第2電極)は、図19に示したように、溶着層43を介して絶縁層40に接合されている。
図19に示したように、接続パッド39の表面には、バンプ80が形成されており、バンプ80の接続パッド39とは反対側の端面上に設けられた溶着層81を介して対向電極82(後述)に接合されると共に、対向電極82、接続部83(後述)および接続パッド84(後述)に電気的に接続されている。
上記第1ないし第3の実施の形態ならびにこれらの変形例に係る半導体発光装置LDは、記録媒体(光ディスク)に記録された情報を再生する情報再生装置、記録媒体に情報を記録する情報記録装置、これら両機能を備えた情報記録再生装置、または通信装置などのデバイスに種々適用可能であり、以下、その一例について説明する。
Claims (18)
- 第1の発光素子および第2の発光素子を重ね合わせて形成された半導体発光素子であって、
前記第1の発光素子は、
第1基板の前記第2の発光素子側に互いに並列に形成されたストライプ状の第1発光素子部および第2発光素子部と、
前記第1発光素子部および第2発光素子部に別個に電流を供給するストライプ状の第1電極および第2電極と
を有し、
前記第2の発光素子は、
第2基板の前記第1の発光素子側に形成されると共に前記第1発光素子部または第2発光素子部と対向配置されたストライプ状の第3発光素子部と、
前記第3発光素子部に電流を供給するストライプ状の第3電極と、
前記第3電極と電気的に接続された第3接続パッドと、
前記第3電極の表面を含む面上に形成され、かつ前記第3接続パッドと対向する部分に開口を有する絶縁膜と、
前記第1電極および第2電極の各々と一つずつ対向配置されると共に電気的に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されたストライプ状の第1対向電極および第2対向電極と、
前記第1対向電極および第2対向電極の各々と一つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成された第1接続パッドおよび第2接続パッドと、
を有し、
前記第1接続パッド、第2接続パッドおよび第3接続パッドは、前記第2の発光素子の前記第1対向電極および第2対向電極側にそれぞれ配置されるとともに、前記第1対向電極および第2対向電極に対して並列なストライプ状の領域上に並んで配置されている
半導体発光素子。 - 前記第1発光素子部、第2発光素子部および第3発光素子部は互いに異なる波長帯の光を射出する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記第1発光素子部、第2発光素子部および第3発光素子部はそれぞれ、下部クラッド層、活性層および上部クラッド層をこの順に積層方向に配置してなるレーザ素子部である
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記第2の発光素子は、
前記第1対向電極上に形成され、前記第1電極と前記第1対向電極とを電気的に導通させる状態で溶着する溶着層と、
前記第1対向電極と前記第1接続パッドとを電気的に接続する接続部と
前記接続部の表面上に形成された凸部と
を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記凸部は前記第1の発光素子から射出される光の光路を遮らない箇所に形成されている
請求項4記載の半導体発光素子。 - 前記第2の発光素子は、
前記第1対向電極上に形成され、前記第1電極と前記第1対向電極とを電気的に導通させる状態で溶着する第1溶着層と、
前記第2対向電極上に形成され、前記第2電極と前記第2対向電極とを電気的に導通させる状態で溶着する第2溶着層と、
前記第1溶着層と前記第2溶着層との間に形成された凸部と
を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記凸部は、前記第1対向電極の前記第2対向電極側の端部および前記第2対向電極の前記第1対向電極側の端部の少なくとも一方に形成されている
請求項6記載の半導体発光素子。 - 前記第2の発光素子は、
前記第1対向電極上に形成され、前記第1電極と前記第1対向電極とを電気的に導通させる状態で溶着する溶着層と、
主射出側の端面と前記溶着層との間、および、主射出側とは反対側の端面と前記溶着層との間の少なくとも一方に形成された凸部と
を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記第2の発光素子は、
前記第1対向電極上に形成され、前記第1電極と前記第1対向電極とを電気的に導通させる状態で溶着する溶着層と、
前記溶着層と前記第1接続パッド、第2接続パッドおよび第3接続パッドの少なくとも1つとの間に形成された凸部と
を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記第2の発光素子は、
前記第1対向電極上に形成され、前記第1電極と前記第1対向電極とを電気的に導通させる状態で溶着する溶着層と、
前記溶着層の周囲を取り囲むように形成された凸部と
を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記第2の発光素子は、
前記第1対向電極上に形成され、前記第1電極と前記第1対向電極とを電気的に導通させる状態で溶着する溶着層と、
前記第1対向電極と前記第1接続パッドとを電気的に接続する第1接続部と
を有し、
前記第1対向電極は、前記第2の発光素子の表面のうち前記第1の発光素子から射出される光の光路との非対向領域において面内方向に延出した延出部を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記第2の発光素子は、
主射出側の端面および主射出側とは反対側の端面の少なくとも一方に形成されたコート膜と、
前記第1接続パッド、第2接続パッドおよび第3接続パッドのうち前記コート膜に最も近い部位の全部または一部の表面上、または前記第1発光素子のうち前記部位と前記コート膜との間の表面上に形成された凸部と
を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記溶着層の高さと前記凸部の高さとが互いにほぼ等しい
請求項12記載の半導体発光素子。 - 前記溶着層と前記凸部とが互いに等しい材料により構成されている
請求項12記載の半導体発光素子。 - 前記第2基板は、第1平均転位密度を有する結晶からなる第1領域と、前記第1平均転位密度より高い第2平均転位密度を有する結晶からなる第2領域とを有する窒化物半導体基板であり、
前記第2領域は、前記第3発光素子部のうち前記第1接続パッド、第2接続パッドおよび第3接続パッド側の側面に高抵抗領域を有する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記高抵抗領域は前記第3発光素子部のうち前記第1接続パッド、第2接続パッドおよび第3接続パッド側の表面にイオン注入を行うことにより形成されている
請求項15記載の半導体発光素子。 - 光源と、
記録媒体の載置される領域と前記光源との間に設けられた光学系と
を備え、
前記光源は、第1の発光素子および第2の発光素子を重ね合わせて形成された半導体発光素子を有し、
前記第1の発光素子は、
第1基板の前記第2の発光素子側に互いに並列に形成されたストライプ状の第1発光素子部および第2発光素子部と、
前記第1発光素子部および第2発光素子部に別個に電流を供給するストライプ状の第1電極および第2電極と
を有し、
前記第2の発光素子は、
第2基板の前記第1の発光素子側に形成されると共に前記第1発光素子部または第2発光素子部と対向配置されたストライプ状の第3発光素子部と、
前記第3発光素子部に電流を供給するストライプ状の第3電極と、
前記第3電極と電気的に接続された第3接続パッドと、
前記第3電極の表面を含む面上に形成され、かつ前記第3接続パッドと対向する部分に開口を有する絶縁膜と、
前記第1電極および第2電極の各々と一つずつ対向配置されると共に電気的に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されたストライプ状の第1対向電極および第2対向電極と、
前記第1対向電極および第2対向電極の各々と一つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成された第1接続パッドおよび第2接続パッドと、
を有し、
前記第1接続パッド、第2接続パッドおよび第3接続パッドは、前記第2の発光素子の前記第1対向電極および第2対向電極側にそれぞれ配置されるとともに、前記第1対向電極および第2対向電極に対して並列なストライプ状の領域上に並んで配置されている
光ピックアップ装置。 - 光ピックアップ装置と、
入力された情報を前記光ピックアップ装置に送信し、または記録媒体に書き込まれた情報を前記光ピックアップ装置から受信する情報処理部と
を備え、
前記光ピックアップ装置は、光源と、記録媒体の載置される領域と前記光源との間に設けられた光学系とを有し、
前記光源は、第1の発光素子および第2の発光素子を重ね合わせて形成された半導体発光素子を有し、
前記第1の発光素子は、
第1基板の前記第2の発光素子側に互いに並列に形成されたストライプ状の第1発光素子部および第2発光素子部と、
前記第1発光素子部および第2発光素子部に別個に電流を供給するストライプ状の第1電極および第2電極と
を有し、
前記第2の発光素子は、
第2基板の前記第1の発光素子側に形成されると共に前記第1発光素子部または第2発光素子部と対向配置されたストライプ状の第3発光素子部と、
前記第3発光素子部に電流を供給するストライプ状の第3電極と、
前記第3電極と電気的に接続された第3接続パッドと、
前記第3電極の表面を含む面上に形成され、かつ前記第3接続パッドと対向する部分に開口を有する絶縁膜と、
前記第1電極および第2電極の各々と一つずつ対向配置されると共に電気的に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成されたストライプ状の第1対向電極および第2対向電極と、
前記第1対向電極および第2対向電極の各々と一つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁膜上に形成された第1接続パッドおよび第2接続パッドと、
を有し、
前記第1接続パッド、第2接続パッドおよび第3接続パッドは、前記第2の発光素子の前記第1対向電極および第2対向電極側にそれぞれ配置されるとともに、前記第1対向電極および第2対向電極に対して並列なストライプ状の領域上に並んで配置されている
情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007277867A JP4930322B2 (ja) | 2006-11-10 | 2007-10-25 | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305925 | 2006-11-10 | ||
JP2006305925 | 2006-11-10 | ||
JP2007277867A JP4930322B2 (ja) | 2006-11-10 | 2007-10-25 | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010204770A Division JP5182537B2 (ja) | 2006-11-10 | 2010-09-13 | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008141180A JP2008141180A (ja) | 2008-06-19 |
JP4930322B2 true JP4930322B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=39480588
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007277867A Expired - Fee Related JP4930322B2 (ja) | 2006-11-10 | 2007-10-25 | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
JP2010204770A Expired - Fee Related JP5182537B2 (ja) | 2006-11-10 | 2010-09-13 | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010204770A Expired - Fee Related JP5182537B2 (ja) | 2006-11-10 | 2010-09-13 | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8243769B2 (ja) |
JP (2) | JP4930322B2 (ja) |
CN (2) | CN101188346B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8536614B2 (en) * | 2008-01-11 | 2013-09-17 | Industrial Technology Research Institute | Nitride semiconductor light emitting device with magnetic film |
US8502259B2 (en) * | 2008-01-11 | 2013-08-06 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device |
DE102008031836A1 (de) * | 2008-07-05 | 2010-01-21 | Deutsche Cell Gmbh | Lotkontakt |
JP2011014624A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |
US20120168801A1 (en) * | 2009-07-10 | 2012-07-05 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device and package structure thereof |
JP5633670B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-12-03 | ソニー株式会社 | 発光装置およびそれを用いた光装置 |
JP5388149B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-01-15 | 三洋電機株式会社 | 光ピックアップ装置およびその製造方法、光ディスク装置 |
JP2013125768A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Japan Oclaro Inc | はんだ接合デバイス及び受信モジュール |
JP6214132B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2017-10-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システムおよび光電変換装置の製造方法 |
US9088135B1 (en) | 2012-06-29 | 2015-07-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Narrow sized laser diode |
US20160148875A1 (en) * | 2013-08-08 | 2016-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor element substrate, and method for producing same |
CN104900781B (zh) * | 2014-03-05 | 2019-08-30 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
CN108493307A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-09-04 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种正装led芯片及其制作方法 |
US11621253B2 (en) * | 2018-11-02 | 2023-04-04 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
WO2021235304A1 (ja) * | 2020-05-21 | 2021-11-25 | ソニーグループ株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
WO2023079726A1 (ja) * | 2021-11-08 | 2023-05-11 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0846284A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザペレット |
JP2000098157A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 光分岐装置およびその製造方法 |
JP3685306B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2005-08-17 | パイオニア株式会社 | 2波長半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP3486900B2 (ja) | 2000-02-15 | 2004-01-13 | ソニー株式会社 | 発光装置およびそれを用いた光装置 |
JP4290358B2 (ja) | 2001-10-12 | 2009-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2003229627A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Hitachi Ltd | 光デバイスの実装方法及び光ヘッド装置 |
JP3912130B2 (ja) * | 2002-02-18 | 2007-05-09 | 住友電気工業株式会社 | サブマウント |
JP2004014943A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Sony Corp | マルチビーム型半導体レーザ、半導体発光素子および半導体装置 |
JP2004178755A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 光学デバイス、光ピックアップおよび光ディスク装置 |
JP4056481B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-03-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
US7307940B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical pick-up device |
JP2006128602A (ja) * | 2004-03-30 | 2006-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP4660224B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-03-30 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP4583128B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-11-17 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP4544892B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-09-15 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP4594070B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2010-12-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4844791B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置およびそれを用いた光装置 |
JP4614715B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2008523637A (ja) * | 2004-12-14 | 2008-07-03 | ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド | 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ |
JP4585327B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2010-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4671728B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-04-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
JP2006278576A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光ピックアップ装置 |
JP2006278577A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP4288620B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2009-07-01 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2010040752A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US8064492B2 (en) * | 2009-01-26 | 2011-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device and light apparatus |
JP2011014624A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |
US20110188532A1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor Laser Apparatus |
JP5633670B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-12-03 | ソニー株式会社 | 発光装置およびそれを用いた光装置 |
JP2012033733A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光装置 |
-
2007
- 2007-10-25 JP JP2007277867A patent/JP4930322B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-12 CN CN2007103061365A patent/CN101188346B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-12 CN CN201010235391.7A patent/CN101895062B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-19 US US11/978,700 patent/US8243769B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-13 JP JP2010204770A patent/JP5182537B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-13 US US13/446,916 patent/US8494020B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080151960A1 (en) | 2008-06-26 |
CN101188346A (zh) | 2008-05-28 |
CN101895062A (zh) | 2010-11-24 |
CN101895062B (zh) | 2014-12-24 |
US8494020B2 (en) | 2013-07-23 |
US8243769B2 (en) | 2012-08-14 |
JP2011044719A (ja) | 2011-03-03 |
JP5182537B2 (ja) | 2013-04-17 |
US20120205680A1 (en) | 2012-08-16 |
JP2008141180A (ja) | 2008-06-19 |
CN101188346B (zh) | 2010-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4930322B2 (ja) | 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 | |
JP4288620B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP4466503B2 (ja) | 半導体レーザ | |
US8619825B2 (en) | Light-emitting device having a thermal conductive member with wiring function and method of manufacturing the same | |
US8275013B2 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
JP2006269987A (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
JP5521611B2 (ja) | 光装置および光機器 | |
US7672351B2 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
JP2010040752A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US20110188532A1 (en) | Semiconductor Laser Apparatus | |
US20130119118A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor laser apparatus, semiconductor laser apparatus, and optical apparatus | |
JP2002118331A (ja) | 集積型半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP4952000B2 (ja) | 光装置およびその製造方法、並びに光機器 | |
JP4844791B2 (ja) | 半導体発光装置およびそれを用いた光装置 | |
JP2007035854A (ja) | 半導体レーザアレイ及び半導体レーザ装置 | |
JP5227666B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US8509278B2 (en) | Light emitting device and optical apparatus using the same | |
JP4935676B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4219147B2 (ja) | 多波長レーザ装置 | |
JP4701832B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2011176198A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2012253205A (ja) | 半導体レーザ素子および光装置 | |
JP2010016095A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2011165708A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 | |
JP2010258467A (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120130 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |