JP4466503B2 - 半導体レーザ - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ1の断面構成を、図2は図1の半導体レーザ1のA−A矢視方向の断面構成をそれぞれ表すものである。図1の断面構成は、図2のB−B矢視方向の断面構成に対応している。また、図3および図4は、本実施の形態の半導体レーザ装置9の上面構成および側面構成をそれぞれ表すものである。この半導体レーザ装置9は、図1の半導体レーザ1をヒートブロック60および接続端子70に取り付けて構成したものである。なお、図1ないし図4は、模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
支持基体30は、熱伝導部31と、熱伝導部31上に設けられた柱状ポスト32(32A,32B,32C,32D)(柱状導電部)と、各柱状ポスト32上に設けられた接着層33(導電性接着層)と、熱伝導部31上に設けられた接着層34と、互いに異なる柱状ポスト32と接するように設けられた引出電極35A,35B,35Cと、接着層34と接するように設けられた引出電極35Dとを備える。なお、上記した柱状ポスト32A,32B,32C,32D、引出電極35A,35B,35C,35Dを総称する際は、柱状ポスト32、引出電極35とそれぞれ記載するものとする。
次に、第1発光素子10の構成について説明する。第1発光素子10は、400nm前後の波長(例えば405nm)の光を出射可能な発光素子であり、窒化物系III−V族化合物半導体により構成される。ここでいう窒化物系III−V族化合物半導体とは、短周期型周期率表における3B族元素群のうちの少なくとも1種と、短周期型周期率表における5B族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含むものを指す。
次に、発光素子20Aの構成について説明する。発光素子20Aは、600nm帯(例えば、650nm)の光を出射可能な発光素子であり、アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン(AlGaInP)系III−V族化合物半導体により構成される。ここでいうアルミニウム・ガリウム・インジウム・リン系III−V族化合物半導体とは、短周期型周期表における3B族元素のうちの少なくともアルミニウム(Al),ガリウム(Ga)およびインジウム(In)と、短周期型周期表における5B族元素のうちの少なくともリン(P)とを含むものを指す。
次に、発光素子20Bの構成について説明する。この発光素子20Bは、700帯(例えば、780nm)の光を出射可能な発光素子であり、ガリウム・ヒ素(GaAs)系III−V族化合物半導体により構成される。ここでいうガリウム・ヒ素系III−V族化合物半導体とは、短周期型周期表における3B族元素のうちの少なくともガリウム(Ga)と、短周期型周期表における5B族元素のうちの少なくともヒ素(As)とを含むものを指す。
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザ2の断面構成を表すものである。なお、図5では、第1発光素子10および第2発光素子20の内部構成は省略されている。
図9は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体レーザ3の断面構成を表すものである。図10は、支持基体40上に第1発光素子10および第2発光素子20を配設する工程を表すものである。なお、図9および図10では、第1発光素子10および第2発光素子20の内部構成は省略されている。
Claims (6)
- 第1基板上にレーザ構造を有する第1発光素子と、第2基板上にレーザ構造を有する第2発光素子と、支持基体とを備え、
前記第1発光素子および第2発光素子は、それぞれのレーザ構造が対向する態様で前記支持基体上にこの順に重ねて配設されており、
前記第1発光素子は、前記第2発光素子側に当該第1発光素子のレーザ構造と電気的に接続された第1電極を有するとともに、前記支持基体側に前記第1基板と電気的に接続された第2電極を有し、
前記第2発光素子は、前記第1発光素子とは反対側に前記第2基板と電気的に接続された第3電極を有し、かつ、前記支持基体側に、当該第2発光素子のレーザ構造と電気的に接続された第4電極と、当該第2発光素子のレーザ構造と電気的に分離されるとともに前記第1電極と電気的に接続された第1導電性接着層とを有し、
前記支持基体は、前記第1電極と電気的に接続された第1引出電極と、前記第1導電性接着層と電気的に接続された第1柱状導電部と、前記第1柱状導電部と電気的に接続された第2引出電極と、前記第3電極と電気的に接続された第2柱状導電部と、前記第2柱状導電部と電気的に接続された第3引出電極とを有する
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 前記第3電極と前記第2柱状導電部との間に第2導電性接着層を備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記第1柱状導電部および前記第2柱状導電部は、柱状ポストまたは変形可能なバンプである
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ。 - 前記第1柱状導電部および前記第2柱状導電部は、柱状ポストおよび変形可能なバンプを前記支持基体側から順に積層したものである
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ。 - 前記第1基板はGaN基板により、前記第2基板はGaAs基板によりそれぞれ構成される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。 - 前記第2発光素子は、互いに異なる波長の光を出射する複数の発光点を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
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