JPH0888431A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH0888431A JPH0888431A JP6221679A JP22167994A JPH0888431A JP H0888431 A JPH0888431 A JP H0888431A JP 6221679 A JP6221679 A JP 6221679A JP 22167994 A JP22167994 A JP 22167994A JP H0888431 A JPH0888431 A JP H0888431A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハンダのレーザチップ側面へのまわり込みに
よりレーザチップの電極間がショートすることが無く、
レーザチップの位置整合精度の良好な、スタック型の半
導体レーザ装置、及びその製造方法を提供する。 【構成】 スタック型レーザを構成する各レーザチップ
１，２，３，４は、その上面の一部に上面電極２４、そ
の下面の一部にエッチング溝２１、この溝２１の内側に
下面電極２２を備えている。レーザチップ間を接合させ
るためにハンダ層２３を溶融させる際、ハンダ層２３は
エッチング溝２１内に留まる。 【効果】 レーザチップ側面にハンダがまわり込まない
ため、レーザチップの両電極は電気的にショートするこ
とが無い。また、溶融ハンダの表面張力がレーザチップ
に作用するため、レーザチップの位置整合精度が向上す
る。
よりレーザチップの電極間がショートすることが無く、
レーザチップの位置整合精度の良好な、スタック型の半
導体レーザ装置、及びその製造方法を提供する。 【構成】 スタック型レーザを構成する各レーザチップ
１，２，３，４は、その上面の一部に上面電極２４、そ
の下面の一部にエッチング溝２１、この溝２１の内側に
下面電極２２を備えている。レーザチップ間を接合させ
るためにハンダ層２３を溶融させる際、ハンダ層２３は
エッチング溝２１内に留まる。 【効果】 レーザチップ側面にハンダがまわり込まない
ため、レーザチップの両電極は電気的にショートするこ
とが無い。また、溶融ハンダの表面張力がレーザチップ
に作用するため、レーザチップの位置整合精度が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置、
特に高出力半導体レーザ装置として用いられるスタック
型半導体レーザ装置、及びその製造方法に関するもので
ある。
特に高出力半導体レーザ装置として用いられるスタック
型半導体レーザ装置、及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置を高出力化する方法と
して、複数の単位半導体レーザチップを積み重ねて、ス
タック型半導体レーザ装置とする方法がある。
して、複数の単位半導体レーザチップを積み重ねて、ス
タック型半導体レーザ装置とする方法がある。
【０００３】図１４に従来のスタック型半導体レーザ装
置の正面図を示す。図において、１は第１の単位半導体
レーザチップ、２は第２の単位半導体レーザチップ、３
は第３の単位半導体レーザチップ、４は第４の単位半導
体レーザチップ、５はヒートシンク、６は活性層、７は
ハンダ、８はワイヤ、９は単位半導体レーザチップの上
面電極、１０は単位半導体レーザチップの下面電極であ
る（以後、スタック型半導体レーザ装置をスタック型レ
ーザ、単位半導体レーザチップをレーザチップと略記す
る）。
置の正面図を示す。図において、１は第１の単位半導体
レーザチップ、２は第２の単位半導体レーザチップ、３
は第３の単位半導体レーザチップ、４は第４の単位半導
体レーザチップ、５はヒートシンク、６は活性層、７は
ハンダ、８はワイヤ、９は単位半導体レーザチップの上
面電極、１０は単位半導体レーザチップの下面電極であ
る（以後、スタック型半導体レーザ装置をスタック型レ
ーザ、単位半導体レーザチップをレーザチップと略記す
る）。
【０００４】上記の従来のスタック型レーザの製造方法
は次のようなものである。まず、ヒートシンク５の上に
ハンダ７を載せ、その上に第１のレーザチップ１をその
下面電極を下にして載せた後加熱することにより、ハン
ダをヒートシンク５と第１のレーザチップ１の下面電極
１０に対して熱的に融着させる。次に、第１のレーザチ
ップ１の上面電極９上にハンダ７を載せ、その上に第２
のレーザチップ２をその下面電極１０を下にして載せた
後加熱することにより、ハンダを上記第１のレーザチッ
プ１の上面電極９と上記第２のレーザチップ２の下面電
極１０に対して熱的に融着させる。この工程を順次繰り
返すことにより、図１４のように互いにハンダ層を介し
て接合されている第１から第４のレーザチップが積み重
なった構造を形成する。最後に、ワイヤ８を第４のレー
ザチップの上面電極９上にボンディングすることによ
り、スタック型レーザが組み立てられる。
は次のようなものである。まず、ヒートシンク５の上に
ハンダ７を載せ、その上に第１のレーザチップ１をその
下面電極を下にして載せた後加熱することにより、ハン
ダをヒートシンク５と第１のレーザチップ１の下面電極
１０に対して熱的に融着させる。次に、第１のレーザチ
ップ１の上面電極９上にハンダ７を載せ、その上に第２
のレーザチップ２をその下面電極１０を下にして載せた
後加熱することにより、ハンダを上記第１のレーザチッ
プ１の上面電極９と上記第２のレーザチップ２の下面電
極１０に対して熱的に融着させる。この工程を順次繰り
返すことにより、図１４のように互いにハンダ層を介し
て接合されている第１から第４のレーザチップが積み重
なった構造を形成する。最後に、ワイヤ８を第４のレー
ザチップの上面電極９上にボンディングすることによ
り、スタック型レーザが組み立てられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のスタック
型レーザには、次の二つの問題点がある。第１は、レー
ザチップを積み重ねる際、図１４の第１のレーザチップ
１の側面のように、ハンダがチップの側面にまわり込
み、レーザチップの上面電極と下面電極の間が電気的に
ショートする現象が起こり易いことである。第２は、一
つのレーザチップをその下のレーザチップに対してハン
ダを介して接合させる際、上述のようにハンダを各電極
に対して融着させるために加熱するが、この時上記の下
のチップとさらにその下に積み重ねられた各チップの間
のハンダも融解するため、これらのチップが動いてしま
い、チップの位置整合の精度が劣化することである。
型レーザには、次の二つの問題点がある。第１は、レー
ザチップを積み重ねる際、図１４の第１のレーザチップ
１の側面のように、ハンダがチップの側面にまわり込
み、レーザチップの上面電極と下面電極の間が電気的に
ショートする現象が起こり易いことである。第２は、一
つのレーザチップをその下のレーザチップに対してハン
ダを介して接合させる際、上述のようにハンダを各電極
に対して融着させるために加熱するが、この時上記の下
のチップとさらにその下に積み重ねられた各チップの間
のハンダも融解するため、これらのチップが動いてしま
い、チップの位置整合の精度が劣化することである。
【０００６】この発明は上記の問題点に鑑み、ハンダの
レーザチップ側面へのまわり込みによりレーザチップの
電極間がショートすることが無く、レーザチップの位置
整合精度の良好な、スタック型の半導体レーザ装置、及
びその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
レーザチップ側面へのまわり込みによりレーザチップの
電極間がショートすることが無く、レーザチップの位置
整合精度の良好な、スタック型の半導体レーザ装置、及
びその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
レーザ装置は、複数のレーザチップを積み重ねてなる半
導体レーザ装置において、上記レーザチップが、その上
面の一部の領域に形成された上面電極と、その下面の一
部の領域に形成された下面電極とを備えており、上下に
位置する二つの上記レーザチップが、上側のレーザチッ
プの下面電極と下側のレーザチップの上面電極との間の
ハンダを介して接合されているものである。
レーザ装置は、複数のレーザチップを積み重ねてなる半
導体レーザ装置において、上記レーザチップが、その上
面の一部の領域に形成された上面電極と、その下面の一
部の領域に形成された下面電極とを備えており、上下に
位置する二つの上記レーザチップが、上側のレーザチッ
プの下面電極と下側のレーザチップの上面電極との間の
ハンダを介して接合されているものである。
【０００８】この発明に係わる半導体レーザ装置は、複
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記各
レーザチップの上面の一部に上面電極が形成されている
とともに、その下面の一部の領域に溝を有し、該溝内に
上記下面電極が形成されているものである。
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記各
レーザチップの上面の一部に上面電極が形成されている
とともに、その下面の一部の領域に溝を有し、該溝内に
上記下面電極が形成されているものである。
【０００９】この発明に係わる半導体レーザ装置は、複
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記レ
ーザチップの上面の上記上面電極以外の全面が、上記上
面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われており、かつ
上記レーザチップの下面の上記下面電極以外の全面が、
上記下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われている
ものである。
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記レ
ーザチップの上面の上記上面電極以外の全面が、上記上
面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われており、かつ
上記レーザチップの下面の上記下面電極以外の全面が、
上記下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われている
ものである。
【００１０】この発明に係わる半導体レーザ装置は、複
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記レ
ーザチップ上面に、上記上面電極を囲むように該上面電
極上からはみ出してくるハンダを受けるための溝が形成
されているものである。
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記レ
ーザチップ上面に、上記上面電極を囲むように該上面電
極上からはみ出してくるハンダを受けるための溝が形成
されているものである。
【００１１】この発明に係わる半導体レーザ装置は、複
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記上
面電極及び上記下面電極が、十字形形状であり、互いに
対応する位置に有るものである。
数のレーザチップを積み重ねてなる半導体レーザ装置に
おいて、上下に位置する二つの上記レーザチップが、上
側のレーザチップの下面電極と下側のレーザチップの上
面電極との間のハンダを介して接合されており、上記上
面電極及び上記下面電極が、十字形形状であり、互いに
対応する位置に有るものである。
【００１２】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ下面の一部の領域にエッ
チングにより溝を形成する工程と、上記各レーザチップ
の溝の内面に下面電極を形成し、該下面電極表面にハン
ダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に一つの上記レ
ーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱する
ことにより、該第１のレーザチップを上記ヒートシンク
に上記ハンダ層を介して接合させる工程と、上記ヒート
シンク上に接合した第１のレーザチップ上に、あるいは
その上に順次接合したある上記レーザチップ上に他の上
記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱
する工程を繰り返すことにより、上記複数のレーザチッ
プを上記第１のレーザチップ上に順次上記ハンダ層を介
して接合させる工程とを含み、上記レーザチップを複数
積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造するものであ
る。
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ下面の一部の領域にエッ
チングにより溝を形成する工程と、上記各レーザチップ
の溝の内面に下面電極を形成し、該下面電極表面にハン
ダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に一つの上記レ
ーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱する
ことにより、該第１のレーザチップを上記ヒートシンク
に上記ハンダ層を介して接合させる工程と、上記ヒート
シンク上に接合した第１のレーザチップ上に、あるいは
その上に順次接合したある上記レーザチップ上に他の上
記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱
する工程を繰り返すことにより、上記複数のレーザチッ
プを上記第１のレーザチップ上に順次上記ハンダ層を介
して接合させる工程とを含み、上記レーザチップを複数
積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造するものであ
る。
【００１３】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ下面の一部の領域にエッ
チングにより溝を形成する工程と、上記各レーザチップ
の溝の内面に下面電極を形成する工程と、上記各レーザ
チップの上面電極表面にハンダ層を形成する工程と、ヒ
ートシンク上にハンダを載せ、該ハンダ上に一つの上記
レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱す
ることにより、該第１のレーザチップを上記ヒートシン
クに上記ハンダを介して接合させる工程と、上記ヒート
シンク上に接合した第１のレーザチップ上に、あるいは
その上に順次接合したある上記レーザチップ上に他の上
記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱
する工程を繰り返すことにより、上記複数のレーザチッ
プを上記第１のレーザチップ上に順次上記ハンダ層を介
して接合させる工程とを含み、上記レーザチップを複数
積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造するものであ
る。
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ下面の一部の領域にエッ
チングにより溝を形成する工程と、上記各レーザチップ
の溝の内面に下面電極を形成する工程と、上記各レーザ
チップの上面電極表面にハンダ層を形成する工程と、ヒ
ートシンク上にハンダを載せ、該ハンダ上に一つの上記
レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱す
ることにより、該第１のレーザチップを上記ヒートシン
クに上記ハンダを介して接合させる工程と、上記ヒート
シンク上に接合した第１のレーザチップ上に、あるいは
その上に順次接合したある上記レーザチップ上に他の上
記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱
する工程を繰り返すことにより、上記複数のレーザチッ
プを上記第１のレーザチップ上に順次上記ハンダ層を介
して接合させる工程とを含み、上記レーザチップを複数
積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造するものであ
る。
【００１４】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ上記上面の上記上面電極
以外の領域に該上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形
成する工程と、上記各レーザチップの下面の一部の領域
に下面電極を形成し、上記下面の上記下面電極以外の領
域に該下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形成する工
程と、上記各単体半導体レーザチップの下面電極表面に
ハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に一つの上
記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱
することにより、該第１のレーザチップを上記ヒートシ
ンクに上記ハンダ層を介して接合させる工程と、上記ヒ
ートシンク上に接合した第１のレーザチップ上に、ある
いはその上に順次接合したある上記レーザチップ上に他
の上記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後
加熱する工程を繰り返すことにより、上記複数のレーザ
チップを上記第１のレーザチップ上に順次上記ハンダ層
を介して接合させる工程とを含み、上記レーザチップを
複数積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造するもので
ある。
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ上記上面の上記上面電極
以外の領域に該上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形
成する工程と、上記各レーザチップの下面の一部の領域
に下面電極を形成し、上記下面の上記下面電極以外の領
域に該下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形成する工
程と、上記各単体半導体レーザチップの下面電極表面に
ハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に一つの上
記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後加熱
することにより、該第１のレーザチップを上記ヒートシ
ンクに上記ハンダ層を介して接合させる工程と、上記ヒ
ートシンク上に接合した第１のレーザチップ上に、ある
いはその上に順次接合したある上記レーザチップ上に他
の上記レーザチップをその下面電極を下にして載せた後
加熱する工程を繰り返すことにより、上記複数のレーザ
チップを上記第１のレーザチップ上に順次上記ハンダ層
を介して接合させる工程とを含み、上記レーザチップを
複数積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造するもので
ある。
【００１５】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ上記上面に上記上面電極
を囲むようにエッチングにより該上面電極上からはみ出
してくるハンダを受けるための溝を形成する工程と、上
記各レーザチップの下面の一部の領域に下面電極を形成
する工程と、上記各レーザチップの各々の上面電極表面
にハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上にハンダ
を載せ、該ハンダ上に一つの上記レーザチップをその下
面電極を下にして載せた後加熱することにより、該第１
のレーザチップを上記ヒートシンクに上記ハンダを介し
て接合させる工程と、上記ヒートシンク上に接合した第
１のレーザチップ上に、あるいはその上に順次接合した
ある上記レーザチップ上に他の上記レーザチップをその
下面電極を下にして載せた後加熱する工程を繰り返すこ
とにより、上記複数のレーザチップを上記第１のレーザ
チップ上に順次上記ハンダ層を介して接合させる工程と
を含み、上記レーザチップを複数積み重ねてなる半導体
レーザ装置を製造するものである。
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に上面電極を形成し、かつ上記上面に上記上面電極
を囲むようにエッチングにより該上面電極上からはみ出
してくるハンダを受けるための溝を形成する工程と、上
記各レーザチップの下面の一部の領域に下面電極を形成
する工程と、上記各レーザチップの各々の上面電極表面
にハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上にハンダ
を載せ、該ハンダ上に一つの上記レーザチップをその下
面電極を下にして載せた後加熱することにより、該第１
のレーザチップを上記ヒートシンクに上記ハンダを介し
て接合させる工程と、上記ヒートシンク上に接合した第
１のレーザチップ上に、あるいはその上に順次接合した
ある上記レーザチップ上に他の上記レーザチップをその
下面電極を下にして載せた後加熱する工程を繰り返すこ
とにより、上記複数のレーザチップを上記第１のレーザ
チップ上に順次上記ハンダ層を介して接合させる工程と
を含み、上記レーザチップを複数積み重ねてなる半導体
レーザ装置を製造するものである。
【００１６】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に十字形形状の上面電極を形成し、かつ下面の一部
の領域の上記上面電極と対応する位置に十字形形状の下
面電極を形成する工程と、上記各レーザチップの下面電
極表面にハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に
一つの上記レーザチップをその下面電極を下にして載せ
た後加熱することにより、該第１のレーザチップを上記
ヒートシンクに上記ハンダ層を介して接合させる工程
と、上記ヒートシンク上に接合した第１のレーザチップ
上に、あるいはその上に順次接合したある上記レーザチ
ップ上に他の上記レーザチップをその下面電極を下にし
て載せた後加熱する工程を繰り返すことにより、上記複
数のレーザチップを上記第１のレーザチップ上に順次上
記ハンダ層を介して接合させる工程とを含み、上記レー
ザチップを複数積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造
するものである。
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に十字形形状の上面電極を形成し、かつ下面の一部
の領域の上記上面電極と対応する位置に十字形形状の下
面電極を形成する工程と、上記各レーザチップの下面電
極表面にハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に
一つの上記レーザチップをその下面電極を下にして載せ
た後加熱することにより、該第１のレーザチップを上記
ヒートシンクに上記ハンダ層を介して接合させる工程
と、上記ヒートシンク上に接合した第１のレーザチップ
上に、あるいはその上に順次接合したある上記レーザチ
ップ上に他の上記レーザチップをその下面電極を下にし
て載せた後加熱する工程を繰り返すことにより、上記複
数のレーザチップを上記第１のレーザチップ上に順次上
記ハンダ層を介して接合させる工程とを含み、上記レー
ザチップを複数積み重ねてなる半導体レーザ装置を製造
するものである。
【００１７】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に十字形形状の上面電極を形成し、かつ下面の一部
の領域の上記上面電極に対応する位置に十字形形状の下
面電極を形成する工程と、上記各レーザチップの上面電
極表面にハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に
ハンダを載せ、該ハンダ上に一つの上記レーザチップを
その下面電極を下にして載せた後加熱することにより、
該第１のレーザチップを上記ヒートシンクに上記ハンダ
を介して接合させる工程と、上記ヒートシンク上に接合
した第１のレーザチップ上に、あるいはその上に順次接
合したある上記レーザチップ上に他の上記レーザチップ
をその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を繰り
返すことにより、上記複数のレーザチップを上記第１の
レーザチップ上に順次上記ハンダ層を介して接合させる
工程とを含み、上記レーザチップを複数積み重ねてなる
半導体レーザ装置を製造するものである。
方法は、所定個数のレーザチップの各々の上面の一部の
領域に十字形形状の上面電極を形成し、かつ下面の一部
の領域の上記上面電極に対応する位置に十字形形状の下
面電極を形成する工程と、上記各レーザチップの上面電
極表面にハンダ層を形成する工程と、ヒートシンク上に
ハンダを載せ、該ハンダ上に一つの上記レーザチップを
その下面電極を下にして載せた後加熱することにより、
該第１のレーザチップを上記ヒートシンクに上記ハンダ
を介して接合させる工程と、上記ヒートシンク上に接合
した第１のレーザチップ上に、あるいはその上に順次接
合したある上記レーザチップ上に他の上記レーザチップ
をその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を繰り
返すことにより、上記複数のレーザチップを上記第１の
レーザチップ上に順次上記ハンダ層を介して接合させる
工程とを含み、上記レーザチップを複数積み重ねてなる
半導体レーザ装置を製造するものである。
【００１８】
【作用】この発明に係わる半導体レーザ装置では、複数
のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と下面
電極との間のハンダを介して接合されることにより、積
み重なってなる半導体レーザ装置において、上記レーザ
チップが、その上面の一部の領域に形成された上面電極
と、その下面の一部の領域に形成された下面電極とを備
えたから、上記上面電極及び上記下面電極は各レーザチ
ップの上面及び下面の一部の領域にのみ形成されている
（すなわち、従来のスタック型レーザのように電極が各
レーザチップの上面及び下面の全面に形成されているわ
けではない）ため、電極からはみ出したハンダがレーザ
チップ上面及び下面の端まで広がる可能性は低い。従っ
て、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止
でき、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の
間の電気的なショートの発生を回避できる。また、二つ
の電極間でハンダが溶融している場合、溶融ハンダは電
極面に濡れ広がると共に、ハンダの表面張力によって二
つの電極は相互の位置が合うように引き寄せられる。従
って、積み重なったレーザチップの電極間に局在するハ
ンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ間
において自動的な位置整合がなされる。すなわち、レー
ザチップの位置整合の精度が良好なスタック型レーザが
得られる。
のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と下面
電極との間のハンダを介して接合されることにより、積
み重なってなる半導体レーザ装置において、上記レーザ
チップが、その上面の一部の領域に形成された上面電極
と、その下面の一部の領域に形成された下面電極とを備
えたから、上記上面電極及び上記下面電極は各レーザチ
ップの上面及び下面の一部の領域にのみ形成されている
（すなわち、従来のスタック型レーザのように電極が各
レーザチップの上面及び下面の全面に形成されているわ
けではない）ため、電極からはみ出したハンダがレーザ
チップ上面及び下面の端まで広がる可能性は低い。従っ
て、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止
でき、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の
間の電気的なショートの発生を回避できる。また、二つ
の電極間でハンダが溶融している場合、溶融ハンダは電
極面に濡れ広がると共に、ハンダの表面張力によって二
つの電極は相互の位置が合うように引き寄せられる。従
って、積み重なったレーザチップの電極間に局在するハ
ンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ間
において自動的な位置整合がなされる。すなわち、レー
ザチップの位置整合の精度が良好なスタック型レーザが
得られる。
【００１９】この発明に係わる半導体レーザ装置では、
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
レーザチップが、その下面の一部の領域に溝を有し、該
溝内に上記下面電極が形成されているから、溶融したハ
ンダは上記溝内に留まり、この溝の外にはみ出すことが
無いため、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込み
を防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下面
電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップ間において自動的な位置整合がなされる。す
なわち、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
レーザチップが、その下面の一部の領域に溝を有し、該
溝内に上記下面電極が形成されているから、溶融したハ
ンダは上記溝内に留まり、この溝の外にはみ出すことが
無いため、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込み
を防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下面
電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップ間において自動的な位置整合がなされる。す
なわち、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
【００２０】この発明に係わる半導体レーザ装置では、
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
レーザチップの上面の上記上面電極以外の全面が、上記
上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われており、か
つ上記レーザチップの下面の上記下面電極以外の全面
が、上記下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われて
いるから、ハンダは電極上に留まり、レーザチップ上面
及び下面の全面には広がらない。従って、ハンダのレー
ザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これによる
レーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なショ
ートの発生を回避できる。また、上述のように、積み重
なったレーザチップの電極間に局在するハンダが溶融し
た際の表面張力によって、レーザチップ間において自動
的な位置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位
置整合の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
レーザチップの上面の上記上面電極以外の全面が、上記
上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われており、か
つ上記レーザチップの下面の上記下面電極以外の全面
が、上記下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われて
いるから、ハンダは電極上に留まり、レーザチップ上面
及び下面の全面には広がらない。従って、ハンダのレー
ザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これによる
レーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なショ
ートの発生を回避できる。また、上述のように、積み重
なったレーザチップの電極間に局在するハンダが溶融し
た際の表面張力によって、レーザチップ間において自動
的な位置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位
置整合の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００２１】この発明に係わる半導体レーザ装置では、
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
レーザチップ上面に、上記上面電極を囲むように該上面
電極上からはみ出してくるハンダを受けるための溝が形
成されているから、電極からはみ出したハンダは上記溝
に溜まり、その外側には広がらない。従って、ハンダの
レーザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これに
よるレーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的な
ショートの発生を回避できる。また、上述のように、積
み重なったレーザチップの電極間に局在するハンダが溶
融した際の表面張力によって、レーザチップ間において
自動的な位置整合がなされる。すなわち、レーザチップ
の位置整合の精度が良好なスタック型レーザが得られ
る。
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
レーザチップ上面に、上記上面電極を囲むように該上面
電極上からはみ出してくるハンダを受けるための溝が形
成されているから、電極からはみ出したハンダは上記溝
に溜まり、その外側には広がらない。従って、ハンダの
レーザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これに
よるレーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的な
ショートの発生を回避できる。また、上述のように、積
み重なったレーザチップの電極間に局在するハンダが溶
融した際の表面張力によって、レーザチップ間において
自動的な位置整合がなされる。すなわち、レーザチップ
の位置整合の精度が良好なスタック型レーザが得られ
る。
【００２２】この発明に係わる半導体レーザ装置では、
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
上面電極及び上記下面電極が、十字形形状であり、互い
に対応する位置に有るから、上面電極及び下面電極は各
レーザチップの上面及び下面の一部の領域にのみ形成さ
れている（すなわち、従来のスタック型レーザのように
電極が各レーザチップの上面及び下面の全面に形成され
ているわけではない）ため、電極からはみ出したハンダ
がレーザチップ上面及び下面の端まで広がる可能性は低
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップの中心位置の自動的な整合がなされるのみで
なく、電極の形状が十字形であるため、上記表面張力が
レーザチップの回転方向にも働き、レーザチップの方向
の自動的な整合もなされる。すなわち、レーザチップの
中心位置及びその方向の整合の精度が共に良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電極と
下面電極との間のハンダを介して接合されることによ
り、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上記
上面電極及び上記下面電極が、十字形形状であり、互い
に対応する位置に有るから、上面電極及び下面電極は各
レーザチップの上面及び下面の一部の領域にのみ形成さ
れている（すなわち、従来のスタック型レーザのように
電極が各レーザチップの上面及び下面の全面に形成され
ているわけではない）ため、電極からはみ出したハンダ
がレーザチップ上面及び下面の端まで広がる可能性は低
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップの中心位置の自動的な整合がなされるのみで
なく、電極の形状が十字形であるため、上記表面張力が
レーザチップの回転方向にも働き、レーザチップの方向
の自動的な整合もなされる。すなわち、レーザチップの
中心位置及びその方向の整合の精度が共に良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
【００２３】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法では、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その下面の一部に溝を形成し、その溝の
内面に下面電極及びハンダ層を形成した後、加熱するこ
とによりその対向する電極間をハンダ層を介して接合し
ながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順次
積み上げるから、溶融したハンダは上記溝内に留まり、
この溝の外にはみ出すことが無いため、ハンダのレーザ
チップの側面へのまわり込みを防止でき、これによるレ
ーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なショー
トの発生を回避できる。また、上述のように、積み重な
ったレーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した
際の表面張力によって、レーザチップ間において自動的
な位置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置
整合の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
方法では、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その下面の一部に溝を形成し、その溝の
内面に下面電極及びハンダ層を形成した後、加熱するこ
とによりその対向する電極間をハンダ層を介して接合し
ながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順次
積み上げるから、溶融したハンダは上記溝内に留まり、
この溝の外にはみ出すことが無いため、ハンダのレーザ
チップの側面へのまわり込みを防止でき、これによるレ
ーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なショー
トの発生を回避できる。また、上述のように、積み重な
ったレーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した
際の表面張力によって、レーザチップ間において自動的
な位置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置
整合の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００２４】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法では、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その下面の一部に溝とその溝の内面に下
面電極を形成した後、上記上面電極上にハンダ層を形成
し、加熱することによりその対向する電極間をハンダ層
を介して接合しながら、これらのレーザチップをヒート
シンク上に順次積み上げるから、溶融したハンダは上記
溝内に留まり、この溝の外にはみ出すことが無いため、
ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止で
き、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の間
の電気的なショートの発生を回避できる。また、上述の
ように、積み重なったレーザチップの電極間に局在する
ハンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ
間において自動的な位置整合がなされる。すなわち、レ
ーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型レーザ
が得られる。
方法では、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その下面の一部に溝とその溝の内面に下
面電極を形成した後、上記上面電極上にハンダ層を形成
し、加熱することによりその対向する電極間をハンダ層
を介して接合しながら、これらのレーザチップをヒート
シンク上に順次積み上げるから、溶融したハンダは上記
溝内に留まり、この溝の外にはみ出すことが無いため、
ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止で
き、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の間
の電気的なショートの発生を回避できる。また、上述の
ように、積み重なったレーザチップの電極間に局在する
ハンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ
間において自動的な位置整合がなされる。すなわち、レ
ーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型レーザ
が得られる。
【００２５】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法では、レーザチップの各々の上面の一部に上面電極
を形成し、上記上面の上記上面電極以外の領域に該上面
電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形成するとともに、各
レーザチップの下面の一部に下面電極を形成し、上記下
面の上記下面電極以外の領域に該下面電極よりハンダ濡
れ性が劣る膜を形成し、下面電極表面にハンダ層を形成
した後、加熱することによりその対向する電極間をハン
ダ層を介して接合しながら、これらのレーザチップをヒ
ートシンク上に順次積み上げるから、各レーザチップの
上面及び下面の電極以外の領域は電極よりハンダ濡れ性
の劣る膜で覆われることとなるため、ハンダは電極上に
留まり、レーザチップ上面及び下面の全面には広がらな
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップ間において自動的な位置整合がなされる。す
なわち、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
方法では、レーザチップの各々の上面の一部に上面電極
を形成し、上記上面の上記上面電極以外の領域に該上面
電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形成するとともに、各
レーザチップの下面の一部に下面電極を形成し、上記下
面の上記下面電極以外の領域に該下面電極よりハンダ濡
れ性が劣る膜を形成し、下面電極表面にハンダ層を形成
した後、加熱することによりその対向する電極間をハン
ダ層を介して接合しながら、これらのレーザチップをヒ
ートシンク上に順次積み上げるから、各レーザチップの
上面及び下面の電極以外の領域は電極よりハンダ濡れ性
の劣る膜で覆われることとなるため、ハンダは電極上に
留まり、レーザチップ上面及び下面の全面には広がらな
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップ間において自動的な位置整合がなされる。す
なわち、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
【００２６】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法では、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その上面に上記上面電極を囲むようにエ
ッチングにより上面電極上からはみ出してくるハンダを
受けるための溝を形成し、その下面の一部に下面電極を
形成した後、上記上面電極上にハンダ層を形成し、加熱
することによりその対向する電極間をハンダ層を介して
接合しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上
に順次積み上げるから、電極からはみ出したハンダは上
面電極の周囲の上記溝に溜まり、その外側には広がらな
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップ間において自動的な位置整合がなされる。す
なわち、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
方法では、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その上面に上記上面電極を囲むようにエ
ッチングにより上面電極上からはみ出してくるハンダを
受けるための溝を形成し、その下面の一部に下面電極を
形成した後、上記上面電極上にハンダ層を形成し、加熱
することによりその対向する電極間をハンダ層を介して
接合しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上
に順次積み上げるから、電極からはみ出したハンダは上
面電極の周囲の上記溝に溜まり、その外側には広がらな
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、上述のように、積み重なったレーザチップの電極間
に局在するハンダが溶融した際の表面張力によって、レ
ーザチップ間において自動的な位置整合がなされる。す
なわち、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタッ
ク型レーザが得られる。
【００２７】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法では、レーザチップの各々の上面の一部に十字形形
状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応する
位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レーザチ
ップの下面電極表面にハンダ層を形成し、加熱すること
によりその対向する電極間をハンダ層を介して接合しな
がら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順次積
み上げるから、上面電極及び下面電極は各レーザチップ
の上面及び下面の一部の領域にのみ形成されている（す
なわち、従来のスタック型レーザのように電極が各レー
ザチップの上面及び下面の全面に形成されているわけで
はない）ため、電極からはみ出したハンダがレーザチッ
プ上面及び下面の端まで広がる可能性は低い。従って、
ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止で
き、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の間
の電気的なショートの発生を回避できる。また、上述の
ように、積み重なったレーザチップの電極間に局在する
ハンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ
の中心位置の自動的な整合がなされるのみでなく、電極
の形状が十字形であるため、上記表面張力がレーザチッ
プの回転方向にも働き、レーザチップの方向の自動的な
整合もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及
びその方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザ
が得られる。
方法では、レーザチップの各々の上面の一部に十字形形
状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応する
位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レーザチ
ップの下面電極表面にハンダ層を形成し、加熱すること
によりその対向する電極間をハンダ層を介して接合しな
がら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順次積
み上げるから、上面電極及び下面電極は各レーザチップ
の上面及び下面の一部の領域にのみ形成されている（す
なわち、従来のスタック型レーザのように電極が各レー
ザチップの上面及び下面の全面に形成されているわけで
はない）ため、電極からはみ出したハンダがレーザチッ
プ上面及び下面の端まで広がる可能性は低い。従って、
ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止で
き、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の間
の電気的なショートの発生を回避できる。また、上述の
ように、積み重なったレーザチップの電極間に局在する
ハンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ
の中心位置の自動的な整合がなされるのみでなく、電極
の形状が十字形であるため、上記表面張力がレーザチッ
プの回転方向にも働き、レーザチップの方向の自動的な
整合もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及
びその方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザ
が得られる。
【００２８】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法では、レーザチップの各々の上面の一部に十字形形
状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応する
位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レーザチ
ップの上面電極表面にハンダ層を形成し、加熱すること
によりその対向する電極間をハンダ層を介して接合しな
がら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順次積
み上げるから、上面電極及び下面電極は各レーザチップ
の上面及び下面の一部の領域にのみ形成されている（す
なわち、従来のスタック型レーザのように電極が各レー
ザチップの上面及び下面の全面に形成されているわけで
はない）ため、電極からはみ出したハンダがレーザチッ
プ上面及び下面の端まで広がる可能性は低い。従って、
ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止で
き、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の間
の電気的なショートの発生を回避できる。また、上述の
ように、積み重なったレーザチップの電極間に局在する
ハンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ
の中心位置の自動的な整合がなされるのみでなく、電極
の形状が十字形であるため、上記表面張力がレーザチッ
プの回転方向にも働き、レーザチップの方向の自動的な
整合もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及
びその方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザ
が得られる。
方法では、レーザチップの各々の上面の一部に十字形形
状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応する
位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レーザチ
ップの上面電極表面にハンダ層を形成し、加熱すること
によりその対向する電極間をハンダ層を介して接合しな
がら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順次積
み上げるから、上面電極及び下面電極は各レーザチップ
の上面及び下面の一部の領域にのみ形成されている（す
なわち、従来のスタック型レーザのように電極が各レー
ザチップの上面及び下面の全面に形成されているわけで
はない）ため、電極からはみ出したハンダがレーザチッ
プ上面及び下面の端まで広がる可能性は低い。従って、
ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを防止で
き、これによるレーザチップの上面電極と下面電極の間
の電気的なショートの発生を回避できる。また、上述の
ように、積み重なったレーザチップの電極間に局在する
ハンダが溶融した際の表面張力によって、レーザチップ
の中心位置の自動的な整合がなされるのみでなく、電極
の形状が十字形であるため、上記表面張力がレーザチッ
プの回転方向にも働き、レーザチップの方向の自動的な
整合もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及
びその方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザ
が得られる。
【００２９】
実施例１．この発明の第１の実施例について説明する。
図１に本実施例のスタック型レーザの正面図を示す。図
において、１，２，３，４はそれぞれ第１から第４の
（単位半導体）レーザチップ、５はヒートシンク、６は
各レーザチップの活性層、８はワイヤ、２１は各レーザ
チップ下面に形成されたエッチング溝、２２は各エッチ
ング溝２１内に形成された下面電極、２３は例えばＡｕ
Ｓｎハンダ、２４は各レーザチップの上面電極である。
４個のレーザチップがヒートシンク上に積み重なってお
り、各レーザチップ間及びレーザチップとヒートシンク
の間はハンダ層を介して接合されている。
図１に本実施例のスタック型レーザの正面図を示す。図
において、１，２，３，４はそれぞれ第１から第４の
（単位半導体）レーザチップ、５はヒートシンク、６は
各レーザチップの活性層、８はワイヤ、２１は各レーザ
チップ下面に形成されたエッチング溝、２２は各エッチ
ング溝２１内に形成された下面電極、２３は例えばＡｕ
Ｓｎハンダ、２４は各レーザチップの上面電極である。
４個のレーザチップがヒートシンク上に積み重なってお
り、各レーザチップ間及びレーザチップとヒートシンク
の間はハンダ層を介して接合されている。
【００３０】次に、本実施例のスタック型レーザの製造
方法について説明する。図２(a),(b),(c) はそれぞれス
タック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視
図、断面図、上面図である。また、図３は本実施例のス
タック型レーザの製造方法を示す断面図である。最初
に、図２に示したように、各レーザチップの上面に上面
電極２４、下面にエッチングにより縦横１０μｍ×１０
μｍ，深さ２μｍ程度の溝２１を形成し、このエッチン
グ溝２１の内側に下面電極２２を形成した後、さらにこ
のエッチング溝２１内に厚さ２μｍ程度のＡｕＳｎハン
ダ層２３を蒸着によって形成する。続いて、図３(a) に
示すように、ヒートシンク５の上に第１のレーザチップ
１を下面電極を下にして載せた後、ハンダ層２３が溶融
するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層２３を
下面電極２２とヒートシンク５に対して熱的に融着させ
る。次に、図３(b) に示すように、第１のレーザチップ
１上に第２のレーザチップ２を、第１のレーザチップ１
の上面電極２４と第２のレーザチップ２のハンダ層２３
の位置が合うように載せた後、ハンダ層２３が溶融する
まで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層を第２のレ
ーザチップ２の下面電極２２と第１のレーザチップ１の
上面電極２４に対して熱的に融着させる。この工程を第
３及び第４のレーザチップに対しても順次繰り返し、第
１から第４のレーザチップを積み重ねる。最後に、第４
のレーザチップの上面電極２４上にワイヤ８をボンディ
ングすることにより、図１に示したようなスタック型レ
ーザが完成する。
方法について説明する。図２(a),(b),(c) はそれぞれス
タック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視
図、断面図、上面図である。また、図３は本実施例のス
タック型レーザの製造方法を示す断面図である。最初
に、図２に示したように、各レーザチップの上面に上面
電極２４、下面にエッチングにより縦横１０μｍ×１０
μｍ，深さ２μｍ程度の溝２１を形成し、このエッチン
グ溝２１の内側に下面電極２２を形成した後、さらにこ
のエッチング溝２１内に厚さ２μｍ程度のＡｕＳｎハン
ダ層２３を蒸着によって形成する。続いて、図３(a) に
示すように、ヒートシンク５の上に第１のレーザチップ
１を下面電極を下にして載せた後、ハンダ層２３が溶融
するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層２３を
下面電極２２とヒートシンク５に対して熱的に融着させ
る。次に、図３(b) に示すように、第１のレーザチップ
１上に第２のレーザチップ２を、第１のレーザチップ１
の上面電極２４と第２のレーザチップ２のハンダ層２３
の位置が合うように載せた後、ハンダ層２３が溶融する
まで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層を第２のレ
ーザチップ２の下面電極２２と第１のレーザチップ１の
上面電極２４に対して熱的に融着させる。この工程を第
３及び第４のレーザチップに対しても順次繰り返し、第
１から第４のレーザチップを積み重ねる。最後に、第４
のレーザチップの上面電極２４上にワイヤ８をボンディ
ングすることにより、図１に示したようなスタック型レ
ーザが完成する。
【００３１】本実施例においては、溶融したハンダはエ
ッチング溝２１内に留まり、この溝の外にはみ出すこと
が無いため、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
ッチング溝２１内に留まり、この溝の外にはみ出すこと
が無いため、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
【００３２】また、K.P.Jackson et al.,"Flip-Chip,Se
lf-Aligned,Optoelectronic Tran-sceiver Module,"in
Tech. Digest of ECOC '92,329,(1992)に示されている
ように、二つの電極間でハンダが溶融している場合、溶
融ハンダは電極面に濡れ広がると共に、ハンダの表面張
力によって二つの電極は相互の位置が合うように引き寄
せられる。従って、本実施例においては、積み重なった
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、図４(a) より同図(b) のほうが安定
な状態となり、レーザチップ間において自動的な位置整
合が行われる。すなわち、レーザチップの位置整合の精
度が良好なスタック型レーザが得られる。
lf-Aligned,Optoelectronic Tran-sceiver Module,"in
Tech. Digest of ECOC '92,329,(1992)に示されている
ように、二つの電極間でハンダが溶融している場合、溶
融ハンダは電極面に濡れ広がると共に、ハンダの表面張
力によって二つの電極は相互の位置が合うように引き寄
せられる。従って、本実施例においては、積み重なった
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、図４(a) より同図(b) のほうが安定
な状態となり、レーザチップ間において自動的な位置整
合が行われる。すなわち、レーザチップの位置整合の精
度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００３３】実施例２．この発明の第２の実施例につい
て説明する。本実施例のスタック型レーザの製造方法は
以下のようなものである。図５は本実施例における、ス
タック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視図
(a)と断面図(b) である。最初に、この図５に示すよう
に、各レーザチップの上面に上面電極２４、下面にエッ
チングにより縦横１０μｍ×１０μｍ，深さ１０μｍ程
度の溝２１を形成し、このエッチング溝２１の内側に下
面電極２２を形成した後、上記上面電極２４上に厚さ１
０μｍ程度のＡｕＳｎハンダバンプ３３を形成する。続
いて、図６(a) に示すように、ヒートシンク５の上にハ
ンダ７を載せ、この上にこのハンダ７とその下面電極の
位置が合うように第１のレーザチップ１を下面電極を下
にして載せた後、ハンダ７が溶融するまで昇温（温度３
４０℃程度）し、ハンダ７を下面電極２２とヒートシン
ク５に対して熱的に融着させる。次に、図３(b) に示す
ように、第１のレーザチップ１上に第２のレーザチップ
２を、第１のレーザチップ１のハンダバンプ３３と第２
のレーザチップ２の下面電極２２の位置が合うように載
せた後、ハンダバンプ３３が溶融するまで昇温（温度３
４０℃程度）し、ハンダバンプを第２のレーザチップ２
の下面電極２２と第１のレーザチップ１の上面電極２４
に対して熱的に融着させる。この工程を第３及び第４の
レーザチップに対しても順次繰り返し、図６(c) に示す
ように第１から第４までのレーザチップを積み重ねる。
最後に、第４のレーザチップの上面電極２４上にワイヤ
をボンディングすることによりスタック型レーザが完成
する。
て説明する。本実施例のスタック型レーザの製造方法は
以下のようなものである。図５は本実施例における、ス
タック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視図
(a)と断面図(b) である。最初に、この図５に示すよう
に、各レーザチップの上面に上面電極２４、下面にエッ
チングにより縦横１０μｍ×１０μｍ，深さ１０μｍ程
度の溝２１を形成し、このエッチング溝２１の内側に下
面電極２２を形成した後、上記上面電極２４上に厚さ１
０μｍ程度のＡｕＳｎハンダバンプ３３を形成する。続
いて、図６(a) に示すように、ヒートシンク５の上にハ
ンダ７を載せ、この上にこのハンダ７とその下面電極の
位置が合うように第１のレーザチップ１を下面電極を下
にして載せた後、ハンダ７が溶融するまで昇温（温度３
４０℃程度）し、ハンダ７を下面電極２２とヒートシン
ク５に対して熱的に融着させる。次に、図３(b) に示す
ように、第１のレーザチップ１上に第２のレーザチップ
２を、第１のレーザチップ１のハンダバンプ３３と第２
のレーザチップ２の下面電極２２の位置が合うように載
せた後、ハンダバンプ３３が溶融するまで昇温（温度３
４０℃程度）し、ハンダバンプを第２のレーザチップ２
の下面電極２２と第１のレーザチップ１の上面電極２４
に対して熱的に融着させる。この工程を第３及び第４の
レーザチップに対しても順次繰り返し、図６(c) に示す
ように第１から第４までのレーザチップを積み重ねる。
最後に、第４のレーザチップの上面電極２４上にワイヤ
をボンディングすることによりスタック型レーザが完成
する。
【００３４】本実施例においても、溶融したハンダはエ
ッチング溝２１内に留まり、この溝の外にはみ出すこと
が無いため、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
ッチング溝２１内に留まり、この溝の外にはみ出すこと
が無いため、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
【００３５】また、本実施例においても、積み重なった
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップ間において自動的な位
置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置整合
の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップ間において自動的な位
置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置整合
の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００３６】実施例３．この発明の第３の実施例につい
て説明する。図７に本実施例のスタック型レーザの正面
図を示す。図において、１，２，３，４はそれぞれ第１
から第４の（単位半導体）レーザチップ、５はヒートシ
ンク、６は各レーザチップの活性層、８はワイヤ、２２
は各レーザチップの下面電極、２４は各レーザチップの
上面電極、４３は例えばＡｕＳｎハンダ層、４５は各レ
ーザチップの上面に形成されたＳｉＯ2 膜、４６は各レ
ーザチップの下面に形成されたＳｉＯ2 膜である。４個
のレーザチップがヒートシンク上に積み重なっており、
各レーザチップ間及びレーザチップとヒートシンクの間
はハンダ層を介して接合されている。
て説明する。図７に本実施例のスタック型レーザの正面
図を示す。図において、１，２，３，４はそれぞれ第１
から第４の（単位半導体）レーザチップ、５はヒートシ
ンク、６は各レーザチップの活性層、８はワイヤ、２２
は各レーザチップの下面電極、２４は各レーザチップの
上面電極、４３は例えばＡｕＳｎハンダ層、４５は各レ
ーザチップの上面に形成されたＳｉＯ2 膜、４６は各レ
ーザチップの下面に形成されたＳｉＯ2 膜である。４個
のレーザチップがヒートシンク上に積み重なっており、
各レーザチップ間及びレーザチップとヒートシンクの間
はハンダ層を介して接合されている。
【００３７】次に、本実施例のスタック型レーザの製造
方法について説明する。図８(a) ，(b) はそれぞれスタ
ック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視図、
断面図である。最初に、図８に示したように、各レーザ
チップの上面に上面電極２４を形成し、この上面電極２
４が形成されていない上面領域に厚さ０．５〜１．０μ
ｍのＳｉＯ2 膜４５を蒸着によって形成する。さらに、
各レーザチップの下面に下面電極２２を形成し、この下
面電極２２が形成されていない下面領域にも厚さ０．５
〜１．０μｍのＳｉＯ2 膜４６を蒸着によって形成す
る。この後、各レーザチップの下面電極２２の表面に厚
さ２μｍ程度のＡｕＳｎハンダ層４３を蒸着によって形
成する。以下、実施例１とまったく同様の方法によっ
て、レーザチップを積み重ねる。すなわち、ヒートシン
ク５の上に第１のレーザチップ１を下面電極を下にして
載せた後、ハンダ層４３が溶融するまで昇温（温度３４
０℃程度）し、ハンダ層４３を下面電極２２とヒートシ
ンク５に対して熱的に融着させる。次に、第１のレーザ
チップ１上に第２のレーザチップ２を、第１のレーザチ
ップ１の上面電極２４と第２のレーザチップ２のハンダ
層４３の位置が合うように載せた後、ハンダ層４３が溶
融するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層を第
２のレーザチップ２の下面電極２２と第１のレーザチッ
プ１の上面電極２４に対して熱的に融着させる。この工
程を第３及び第４のレーザチップに対しても順次繰り返
し、第１から第４のレーザチップを積み重ねる。最後
に、第４のレーザチップの上面電極２４上にワイヤ８を
ボンディングすることにより、図７に示したようなスタ
ック型レーザが完成する。
方法について説明する。図８(a) ，(b) はそれぞれスタ
ック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視図、
断面図である。最初に、図８に示したように、各レーザ
チップの上面に上面電極２４を形成し、この上面電極２
４が形成されていない上面領域に厚さ０．５〜１．０μ
ｍのＳｉＯ2 膜４５を蒸着によって形成する。さらに、
各レーザチップの下面に下面電極２２を形成し、この下
面電極２２が形成されていない下面領域にも厚さ０．５
〜１．０μｍのＳｉＯ2 膜４６を蒸着によって形成す
る。この後、各レーザチップの下面電極２２の表面に厚
さ２μｍ程度のＡｕＳｎハンダ層４３を蒸着によって形
成する。以下、実施例１とまったく同様の方法によっ
て、レーザチップを積み重ねる。すなわち、ヒートシン
ク５の上に第１のレーザチップ１を下面電極を下にして
載せた後、ハンダ層４３が溶融するまで昇温（温度３４
０℃程度）し、ハンダ層４３を下面電極２２とヒートシ
ンク５に対して熱的に融着させる。次に、第１のレーザ
チップ１上に第２のレーザチップ２を、第１のレーザチ
ップ１の上面電極２４と第２のレーザチップ２のハンダ
層４３の位置が合うように載せた後、ハンダ層４３が溶
融するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層を第
２のレーザチップ２の下面電極２２と第１のレーザチッ
プ１の上面電極２４に対して熱的に融着させる。この工
程を第３及び第４のレーザチップに対しても順次繰り返
し、第１から第４のレーザチップを積み重ねる。最後
に、第４のレーザチップの上面電極２４上にワイヤ８を
ボンディングすることにより、図７に示したようなスタ
ック型レーザが完成する。
【００３８】本実施例においては、上面電極及び下面電
極に対して上記ＳｉＯ2 膜のハンダの濡れ性が劣るた
め、ハンダは電極上に留まり、レーザチップ上面及び下
面の全面には広がらない。従って、ハンダのレーザチッ
プの側面へのまわり込みを防止でき、これによるレーザ
チップの上面電極と下面電極の間の電気的なショートの
発生を回避できる。
極に対して上記ＳｉＯ2 膜のハンダの濡れ性が劣るた
め、ハンダは電極上に留まり、レーザチップ上面及び下
面の全面には広がらない。従って、ハンダのレーザチッ
プの側面へのまわり込みを防止でき、これによるレーザ
チップの上面電極と下面電極の間の電気的なショートの
発生を回避できる。
【００３９】また、本実施例においても、積み重なった
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップ間において自動的な位
置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置整合
の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップ間において自動的な位
置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置整合
の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００４０】なお、本実施例ではＳｉＯ2 膜を用いた
が、ＳｉＮ膜等の他の絶縁膜を用いても同様の効果が得
られる。
が、ＳｉＮ膜等の他の絶縁膜を用いても同様の効果が得
られる。
【００４１】本実施例における絶縁膜は、上記実施例１
または２による電極構造と組み合わせることが可能であ
る。すなわち、実施例１または２による上面電極及び下
面電極の周囲のレーザチップ上面及び下面に本実施例に
示したＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜等のハンダ濡れ性の劣る絶
縁膜を設けることにより、ハンダのレーザチップ側面へ
のまわり込みをより有効に抑制でき、レーザチップの上
面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避
できる。
または２による電極構造と組み合わせることが可能であ
る。すなわち、実施例１または２による上面電極及び下
面電極の周囲のレーザチップ上面及び下面に本実施例に
示したＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜等のハンダ濡れ性の劣る絶
縁膜を設けることにより、ハンダのレーザチップ側面へ
のまわり込みをより有効に抑制でき、レーザチップの上
面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避
できる。
【００４２】実施例４．この発明の第４の実施例につい
て説明する。図９に本実施例のスタック型レーザの正面
図を示す。図において、１，２，３，４はそれぞれ第１
から第４の（単位半導体）レーザチップ、５はヒートシ
ンク、６は各レーザチップの活性層、２２は各レーザチ
ップの下面電極、２４は各レーザチップの上面電極、５
１は各レーザチップの上面に上記上面電極を囲むように
形成された溝、５３は例えばＡｕＳｎハンダである。４
個のレーザチップがヒートシンク上に積み重なってお
り、各レーザチップ間及びレーザチップとヒートシンク
の間はハンダ層を介して接合されている。
て説明する。図９に本実施例のスタック型レーザの正面
図を示す。図において、１，２，３，４はそれぞれ第１
から第４の（単位半導体）レーザチップ、５はヒートシ
ンク、６は各レーザチップの活性層、２２は各レーザチ
ップの下面電極、２４は各レーザチップの上面電極、５
１は各レーザチップの上面に上記上面電極を囲むように
形成された溝、５３は例えばＡｕＳｎハンダである。４
個のレーザチップがヒートシンク上に積み重なってお
り、各レーザチップ間及びレーザチップとヒートシンク
の間はハンダ層を介して接合されている。
【００４３】次に、本実施例のスタック型レーザの製造
方法について説明する。図１０(a),(b) はそれぞれスタ
ック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視図、
断面図である。最初に、図１０に示したように、縦横３
００μｍ×３００μｍ，厚さ１００μｍ程度の各レーザ
チップの上面に縦横１００μｍ×１００μｍ程度の上面
電極２４を形成し、この上面電極２４が形成されていな
い上面領域に電極を囲むように一辺２５０μｍ，幅１０
μｍ，深さ５μｍ程度の溝５１をエッチングにより形成
する。さらに、各レーザチップの下面に下面電極２２を
形成する。この後、各レーザチップの上面電極２４の表
面に厚さ２μｍ程度のＡｕＳｎハンダ層５３を蒸着によ
って形成する。以下、実施例２とまったく同様の方法に
よって、レーザチップを積み重ねる。すなわち、ヒート
シンク５の上にハンダ７を載せ、この上にこのハンダ７
とその下面電極の位置が合うように第１のレーザチップ
１を下面電極を下にして載せた後、ハンダ層５３が溶融
するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層５３を
下面電極２２とヒートシンク５に対して熱的に融着させ
る。次に、第１のレーザチップ１上に第２のレーザチッ
プ２を、第１のレーザチップ１の上面電極２４と第２の
レーザチップ２のハンダ層５３の位置が合うように載せ
た後、ハンダ層５３が溶融するまで昇温（温度３４０℃
程度）し、ハンダ層を第２のレーザチップ２の下面電極
２２と第１のレーザチップ１の上面電極２４に対して熱
的に融着させる。この工程を第３及び第４のレーザチッ
プに対しても順次繰り返し、第１から第４のレーザチッ
プを積み重ねることにより、図９に示したスタック型レ
ーザ構造ができる。最後に、第４のレーザチップの上面
電極２４上にワイヤ８をボンディングすることにより、
スタック型レーザが完成する。
方法について説明する。図１０(a),(b) はそれぞれスタ
ック型レーザに組み立てる前のレーザチップの斜視図、
断面図である。最初に、図１０に示したように、縦横３
００μｍ×３００μｍ，厚さ１００μｍ程度の各レーザ
チップの上面に縦横１００μｍ×１００μｍ程度の上面
電極２４を形成し、この上面電極２４が形成されていな
い上面領域に電極を囲むように一辺２５０μｍ，幅１０
μｍ，深さ５μｍ程度の溝５１をエッチングにより形成
する。さらに、各レーザチップの下面に下面電極２２を
形成する。この後、各レーザチップの上面電極２４の表
面に厚さ２μｍ程度のＡｕＳｎハンダ層５３を蒸着によ
って形成する。以下、実施例２とまったく同様の方法に
よって、レーザチップを積み重ねる。すなわち、ヒート
シンク５の上にハンダ７を載せ、この上にこのハンダ７
とその下面電極の位置が合うように第１のレーザチップ
１を下面電極を下にして載せた後、ハンダ層５３が溶融
するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層５３を
下面電極２２とヒートシンク５に対して熱的に融着させ
る。次に、第１のレーザチップ１上に第２のレーザチッ
プ２を、第１のレーザチップ１の上面電極２４と第２の
レーザチップ２のハンダ層５３の位置が合うように載せ
た後、ハンダ層５３が溶融するまで昇温（温度３４０℃
程度）し、ハンダ層を第２のレーザチップ２の下面電極
２２と第１のレーザチップ１の上面電極２４に対して熱
的に融着させる。この工程を第３及び第４のレーザチッ
プに対しても順次繰り返し、第１から第４のレーザチッ
プを積み重ねることにより、図９に示したスタック型レ
ーザ構造ができる。最後に、第４のレーザチップの上面
電極２４上にワイヤ８をボンディングすることにより、
スタック型レーザが完成する。
【００４４】本実施例においては、上面電極２４の周囲
に溝５１が形成されているため、電極からはみ出したハ
ンダは上記の溝５１に溜まり、その外側には広がらな
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
に溝５１が形成されているため、電極からはみ出したハ
ンダは上記の溝５１に溜まり、その外側には広がらな
い。従って、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込
みを防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
【００４５】また、本実施例においても、積み重なった
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップ間において自動的な位
置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置整合
の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップ間において自動的な位
置整合がなされる。すなわち、レーザチップの位置整合
の精度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００４６】本実施例における溝構造は、上記実施例１
または２による電極構造と組み合わせることが可能であ
る。すなわち、実施例１または２において上面電極の周
囲に本実施例に示した溝を設けることにより、ハンダの
レーザチップ側面へのまわり込みをより有効に抑制でき
る。また、上面電極の周囲に本実施例に示した溝を設
け、この溝と上面電極の間及びこの溝の外側のレーザチ
ップ上面上に実施例３に示したＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜等
のハンダ濡れ性の劣る絶縁膜を設けることによっても、
ハンダのレーザチップ側面へのまわり込みをより有効に
抑制できる。さらに、上記実施例１または２による電極
構造、上記実施例３による絶縁膜構造及び本実施例の溝
構造の全てを組み合わせることも可能であり、これによ
って、ハンダのレーザチップ側面へのまわり込みをより
一層抑制することができ、レーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
または２による電極構造と組み合わせることが可能であ
る。すなわち、実施例１または２において上面電極の周
囲に本実施例に示した溝を設けることにより、ハンダの
レーザチップ側面へのまわり込みをより有効に抑制でき
る。また、上面電極の周囲に本実施例に示した溝を設
け、この溝と上面電極の間及びこの溝の外側のレーザチ
ップ上面上に実施例３に示したＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜等
のハンダ濡れ性の劣る絶縁膜を設けることによっても、
ハンダのレーザチップ側面へのまわり込みをより有効に
抑制できる。さらに、上記実施例１または２による電極
構造、上記実施例３による絶縁膜構造及び本実施例の溝
構造の全てを組み合わせることも可能であり、これによ
って、ハンダのレーザチップ側面へのまわり込みをより
一層抑制することができ、レーザチップの上面電極と下
面電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。
【００４７】実施例５．この発明の第５の実施例につい
て説明する。図１１に本実施例のスタック型レーザの正
面図を示す。図において、１，２，３，４はそれぞれ第
１から第４の（単位半導体）レーザチップ、５はヒート
シンク、６は各レーザチップの活性層、８はワイヤ、６
２は各レーザチップの十字形形状の下面電極、６４は各
レーザチップの十字形形状の上面電極、６３は例えばＡ
ｕＳｎハンダ層である。４個のレーザチップがヒートシ
ンク上に積み重なっており、各レーザチップ間及びレー
ザチップとヒートシンクの間はハンダ層を介して接合さ
れている。
て説明する。図１１に本実施例のスタック型レーザの正
面図を示す。図において、１，２，３，４はそれぞれ第
１から第４の（単位半導体）レーザチップ、５はヒート
シンク、６は各レーザチップの活性層、８はワイヤ、６
２は各レーザチップの十字形形状の下面電極、６４は各
レーザチップの十字形形状の上面電極、６３は例えばＡ
ｕＳｎハンダ層である。４個のレーザチップがヒートシ
ンク上に積み重なっており、各レーザチップ間及びレー
ザチップとヒートシンクの間はハンダ層を介して接合さ
れている。
【００４８】次に、本実施例のスタック型レーザの製造
方法について説明する。図１２(a),(b) はそれぞれスタ
ック型レーザに組み立てる前の下面電極表面にハンダ層
６３を有するレーザチップの斜視図、断面図である。最
初に、図１２に示したように、縦横３００μｍ×３００
μｍ，厚さ１００μｍ程度の各レーザチップの上面に各
辺が５０μｍ程度の十字形形状の上面電極６４を形成
し、各レーザチップの下面にも上面電極と同じ十字形形
状の下面電極６２を形成する。この後、各レーザチップ
の下面電極６２の表面に厚さ２μｍ程度のＡｕＳｎハン
ダ層６３を蒸着によって形成する。以下、実施例１とま
ったく同様の方法によって、レーザチップを積み重ね
る。すなわち、ヒートシンク５の上に第１のレーザチッ
プ１を下面電極を下にして載せた後、ハンダ層６３が溶
融するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層６３
を下面電極６２とヒートシンク５に対して熱的に融着さ
せる。次に、第１のレーザチップ１上に第２のレーザチ
ップ２を、第１のレーザチップ１の上面電極６４と第２
のレーザチップ２のハンダ層６３の位置が合うように載
せた後、ハンダ層６３が溶融するまで昇温（温度３４０
℃程度）し、ハンダ層を第２のレーザチップ２の下面電
極６２と第１のレーザチップ１の上面電極６４に対して
熱的に融着させる。この工程を第３及び第４のレーザチ
ップに対しても順次繰り返し、第１から第４のレーザチ
ップを積み重ねる。最後に、第４のレーザチップの上面
電極６４上にワイヤ８をボンディングすることにより、
図１１に示したスタック型レーザが完成する。
方法について説明する。図１２(a),(b) はそれぞれスタ
ック型レーザに組み立てる前の下面電極表面にハンダ層
６３を有するレーザチップの斜視図、断面図である。最
初に、図１２に示したように、縦横３００μｍ×３００
μｍ，厚さ１００μｍ程度の各レーザチップの上面に各
辺が５０μｍ程度の十字形形状の上面電極６４を形成
し、各レーザチップの下面にも上面電極と同じ十字形形
状の下面電極６２を形成する。この後、各レーザチップ
の下面電極６２の表面に厚さ２μｍ程度のＡｕＳｎハン
ダ層６３を蒸着によって形成する。以下、実施例１とま
ったく同様の方法によって、レーザチップを積み重ね
る。すなわち、ヒートシンク５の上に第１のレーザチッ
プ１を下面電極を下にして載せた後、ハンダ層６３が溶
融するまで昇温（温度３４０℃程度）し、ハンダ層６３
を下面電極６２とヒートシンク５に対して熱的に融着さ
せる。次に、第１のレーザチップ１上に第２のレーザチ
ップ２を、第１のレーザチップ１の上面電極６４と第２
のレーザチップ２のハンダ層６３の位置が合うように載
せた後、ハンダ層６３が溶融するまで昇温（温度３４０
℃程度）し、ハンダ層を第２のレーザチップ２の下面電
極６２と第１のレーザチップ１の上面電極６４に対して
熱的に融着させる。この工程を第３及び第４のレーザチ
ップに対しても順次繰り返し、第１から第４のレーザチ
ップを積み重ねる。最後に、第４のレーザチップの上面
電極６４上にワイヤ８をボンディングすることにより、
図１１に示したスタック型レーザが完成する。
【００４９】上述の製造方法は、下面電極６２の表面に
ハンダ層６３を形成したレーザチップを用いてスタック
型レーザを組み立てる方法であるが、上面電極６４の表
面にハンダ層６３を形成したレーザチップを用いても同
様の方法でスタック型レーザを組み立てることがでる。
この上面電極表面にハンダ層を形成したレーザチップの
断面図を図１３に示す（このレーザチップの上面電極及
び下面電極の形状も図１２に示したものと同様に十字形
である）。ただし、第１のレーザチップをヒートシンク
に接合させる際には、上述の方法と異なり、実施例２，
４で説明したように、まずハンダをヒートシンク上に載
せ、その上に第１のレーザチップをその下面電極を下に
して載せ、ハンダを溶融するための加熱を行う。この工
程以外は、上述の製造方法と同じようにレーザチップを
積み重ねることができる。
ハンダ層６３を形成したレーザチップを用いてスタック
型レーザを組み立てる方法であるが、上面電極６４の表
面にハンダ層６３を形成したレーザチップを用いても同
様の方法でスタック型レーザを組み立てることがでる。
この上面電極表面にハンダ層を形成したレーザチップの
断面図を図１３に示す（このレーザチップの上面電極及
び下面電極の形状も図１２に示したものと同様に十字形
である）。ただし、第１のレーザチップをヒートシンク
に接合させる際には、上述の方法と異なり、実施例２，
４で説明したように、まずハンダをヒートシンク上に載
せ、その上に第１のレーザチップをその下面電極を下に
して載せ、ハンダを溶融するための加熱を行う。この工
程以外は、上述の製造方法と同じようにレーザチップを
積み重ねることができる。
【００５０】本実施例においては、上面電極６４及び下
面電極６２は各レーザチップの上面及び下面の一部の領
域にのみ形成されている（すなわち、従来のスタック型
レーザのように電極が各レーザチップの上面及び下面の
全面に形成されているわけではない）ため、電極からは
み出したハンダがレーザチップ上面及び下面の端まで広
がる可能性は低い。従って、ハンダのレーザチップの側
面へのまわり込みを防止でき、これによるレーザチップ
の上面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を
回避できる。
面電極６２は各レーザチップの上面及び下面の一部の領
域にのみ形成されている（すなわち、従来のスタック型
レーザのように電極が各レーザチップの上面及び下面の
全面に形成されているわけではない）ため、電極からは
み出したハンダがレーザチップ上面及び下面の端まで広
がる可能性は低い。従って、ハンダのレーザチップの側
面へのまわり込みを防止でき、これによるレーザチップ
の上面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を
回避できる。
【００５１】また、本実施例においては、積み重なった
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップの中心位置の自動的な
整合がなされるのみでなく、電極の形状が十字形である
ため、上記表面張力がレーザチップの回転方向にも働
き、レーザチップの方向の自動的な整合もなされる。す
なわち、レーザチップの中心位置及びその方向の整合の
精度が共に良好なスタック型レーザが得られる。
レーザチップの電極間に局在するハンダが溶融した際の
表面張力によって、レーザチップの中心位置の自動的な
整合がなされるのみでなく、電極の形状が十字形である
ため、上記表面張力がレーザチップの回転方向にも働
き、レーザチップの方向の自動的な整合もなされる。す
なわち、レーザチップの中心位置及びその方向の整合の
精度が共に良好なスタック型レーザが得られる。
【００５２】本実施例の十字型電極構造は、上記実施例
１または２による電極構造、上記実施例３による絶縁膜
構造及び上記実施例４による溝構造のいずれとも組み合
わせることが可能であり、さらに、これらの構造の複数
あるいは全てのものとの組み合わせも可能である。これ
により、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを
より一層抑制でき、レーザチップの上面電極と下面電極
の間の電気的なショートの発生を回避できるとともに、
レーザチップの中心位置及びその方向の自動的な整合が
可能となる。
１または２による電極構造、上記実施例３による絶縁膜
構造及び上記実施例４による溝構造のいずれとも組み合
わせることが可能であり、さらに、これらの構造の複数
あるいは全てのものとの組み合わせも可能である。これ
により、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込みを
より一層抑制でき、レーザチップの上面電極と下面電極
の間の電気的なショートの発生を回避できるとともに、
レーザチップの中心位置及びその方向の自動的な整合が
可能となる。
【００５３】
【発明の効果】この発明に係わる半導体レーザ装置によ
れば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面
電極と下面電極との間のハンダを介して接合されること
により、積み重なってなる半導体レーザ装置において、
上記レーザチップが、その上面の一部の領域に形成され
た上面電極と、その下面の一部の領域に形成された下面
電極とを備えたので、ハンダのレーザチップの側面への
まわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面
電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避で
きる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がなさ
れ、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型
レーザが得られる。
れば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面
電極と下面電極との間のハンダを介して接合されること
により、積み重なってなる半導体レーザ装置において、
上記レーザチップが、その上面の一部の領域に形成され
た上面電極と、その下面の一部の領域に形成された下面
電極とを備えたので、ハンダのレーザチップの側面への
まわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面
電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避で
きる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がなさ
れ、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型
レーザが得られる。
【００５４】この発明に係わる半導体レーザ装置によれ
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記レーザチップが、その下面の一部の領域に溝を有し、
該溝内に上記下面電極が形成されているので、ハンダの
レーザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これに
よるレーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的な
ショートの発生を回避できる。また、レーザチップの位
置の自動的な整合がなされ、レーザチップの位置整合の
精度が良好なスタック型レーザが得られる。
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記レーザチップが、その下面の一部の領域に溝を有し、
該溝内に上記下面電極が形成されているので、ハンダの
レーザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これに
よるレーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的な
ショートの発生を回避できる。また、レーザチップの位
置の自動的な整合がなされ、レーザチップの位置整合の
精度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００５５】この発明に係わる半導体レーザ装置によれ
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記レーザチップの上面の上記上面電極以外の全面が、上
記上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われており、
かつ上記レーザチップの下面の上記下面電極以外の全面
が、上記下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われて
いるので、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込み
を防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下面
電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、レーザチップの位置の自動的な整合がなされ、レー
ザチップの位置整合の精度が良好なスタック型レーザが
得られる。
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記レーザチップの上面の上記上面電極以外の全面が、上
記上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われており、
かつ上記レーザチップの下面の上記下面電極以外の全面
が、上記下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆われて
いるので、ハンダのレーザチップの側面へのまわり込み
を防止でき、これによるレーザチップの上面電極と下面
電極の間の電気的なショートの発生を回避できる。ま
た、レーザチップの位置の自動的な整合がなされ、レー
ザチップの位置整合の精度が良好なスタック型レーザが
得られる。
【００５６】この発明に係わる半導体レーザ装置によれ
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記レーザチップ上面に、上記上面電極を囲むように該上
面電極上からはみ出してくるハンダを受けるための溝が
形成されているので、ハンダのレーザチップの側面への
まわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面
電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避で
きる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がなさ
れ、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型
レーザが得られる。
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記レーザチップ上面に、上記上面電極を囲むように該上
面電極上からはみ出してくるハンダを受けるための溝が
形成されているので、ハンダのレーザチップの側面への
まわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面
電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避で
きる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がなさ
れ、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型
レーザが得られる。
【００５７】この発明に係わる半導体レーザ装置によれ
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記上面電極及び上記下面電極が、十字形形状であり、互
いに対応する位置に有るので、ハンダのレーザチップの
側面へのまわり込みを防止でき、これによるレーザチッ
プの上面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生
を回避できる。また、レーザチップの中心位置の自動的
な整合がなされるのみでなく、レーザチップの方向の自
動的な整合もなされる。すなわち、レーザチップの中心
位置及びその方向の整合の精度が共に良好なスタック型
レーザが得られる。
ば、複数のレーザチップが、その互いに対向する上面電
極と下面電極との間のハンダを介して接合されることに
より、積み重なってなる半導体レーザ装置において、上
記上面電極及び上記下面電極が、十字形形状であり、互
いに対応する位置に有るので、ハンダのレーザチップの
側面へのまわり込みを防止でき、これによるレーザチッ
プの上面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生
を回避できる。また、レーザチップの中心位置の自動的
な整合がなされるのみでなく、レーザチップの方向の自
動的な整合もなされる。すなわち、レーザチップの中心
位置及びその方向の整合の精度が共に良好なスタック型
レーザが得られる。
【００５８】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法によれば、レーザチップの上面の一部に上面電極を
形成するとともに、その下面の一部に溝を形成し、その
溝の内面に下面電極及びハンダ層を形成した後、加熱す
ることによりその対向する電極間をハンダ層を介して接
合しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に
順次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面への
まわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面
電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避で
きる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がなさ
れ、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型
レーザが得られる。
方法によれば、レーザチップの上面の一部に上面電極を
形成するとともに、その下面の一部に溝を形成し、その
溝の内面に下面電極及びハンダ層を形成した後、加熱す
ることによりその対向する電極間をハンダ層を介して接
合しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に
順次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面への
まわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面
電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避で
きる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がなさ
れ、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック型
レーザが得られる。
【００５９】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法によれば、レーザチップの上面の一部に上面電極を
形成するとともに、その下面の一部に溝とその溝の内面
に下面電極を形成した後、上記上面電極上にハンダ層を
形成し、加熱することによりその対向する電極間をハン
ダ層を介して接合しながら、これらのレーザチップをヒ
ートシンク上に順次積み上げるので、ハンダのレーザチ
ップの側面へのまわり込みを防止でき、これによるレー
ザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なショート
の発生を回避できる。また、レーザチップの位置の自動
的な整合がなされ、レーザチップの位置整合の精度が良
好なスタック型レーザが得られる。
方法によれば、レーザチップの上面の一部に上面電極を
形成するとともに、その下面の一部に溝とその溝の内面
に下面電極を形成した後、上記上面電極上にハンダ層を
形成し、加熱することによりその対向する電極間をハン
ダ層を介して接合しながら、これらのレーザチップをヒ
ートシンク上に順次積み上げるので、ハンダのレーザチ
ップの側面へのまわり込みを防止でき、これによるレー
ザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なショート
の発生を回避できる。また、レーザチップの位置の自動
的な整合がなされ、レーザチップの位置整合の精度が良
好なスタック型レーザが得られる。
【００６０】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法によれば、レーザチップの各々の上面の一部に上面
電極を形成し、上記上面の上記上面電極以外の領域に該
上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形成するととも
に、各レーザチップの下面の一部に下面電極を形成し、
上記下面の上記下面電極以外の領域に該下面電極よりハ
ンダ濡れ性が劣る膜を形成し、下面電極表面にハンダ層
を形成した後、加熱することによりその対向する電極間
をハンダ層を介して接合しながら、これらのレーザチッ
プをヒートシンク上に順次積み上げるので、ハンダのレ
ーザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これによ
るレーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なシ
ョートの発生を回避できる。また、レーザチップの位置
の自動的な整合がなされ、レーザチップの位置整合の精
度が良好なスタック型レーザが得られる。
方法によれば、レーザチップの各々の上面の一部に上面
電極を形成し、上記上面の上記上面電極以外の領域に該
上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形成するととも
に、各レーザチップの下面の一部に下面電極を形成し、
上記下面の上記下面電極以外の領域に該下面電極よりハ
ンダ濡れ性が劣る膜を形成し、下面電極表面にハンダ層
を形成した後、加熱することによりその対向する電極間
をハンダ層を介して接合しながら、これらのレーザチッ
プをヒートシンク上に順次積み上げるので、ハンダのレ
ーザチップの側面へのまわり込みを防止でき、これによ
るレーザチップの上面電極と下面電極の間の電気的なシ
ョートの発生を回避できる。また、レーザチップの位置
の自動的な整合がなされ、レーザチップの位置整合の精
度が良好なスタック型レーザが得られる。
【００６１】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法ので、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その上面に上記上面電極を囲むようにエ
ッチングにより上面電極上からはみ出してくるハンダを
受けるための溝を形成し、その下面の一部に下面電極を
形成した後、上記上面電極上にハンダ層を形成し、加熱
することによりその対向する電極間をハンダ層を介して
接合しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上
に順次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面へ
のまわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上
面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避
できる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がな
され、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック
型レーザが得られる。
方法ので、レーザチップの上面の一部に上面電極を形成
するとともに、その上面に上記上面電極を囲むようにエ
ッチングにより上面電極上からはみ出してくるハンダを
受けるための溝を形成し、その下面の一部に下面電極を
形成した後、上記上面電極上にハンダ層を形成し、加熱
することによりその対向する電極間をハンダ層を介して
接合しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上
に順次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面へ
のまわり込みを防止でき、これによるレーザチップの上
面電極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避
できる。また、レーザチップの位置の自動的な整合がな
され、レーザチップの位置整合の精度が良好なスタック
型レーザが得られる。
【００６２】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法によれば、レーザチップの各々の上面の一部に十字
形形状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応
する位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レー
ザチップの下面電極表面にハンダ層を形成し、加熱する
ことによりその対向する電極間をハンダ層を介して接合
しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順
次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面へのま
わり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面電
極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避でき
る。また、レーザチップの中心位置の自動的な整合がな
されるのみでなく、レーザチップの方向の自動的な整合
もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及びそ
の方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザが得
られる。
方法によれば、レーザチップの各々の上面の一部に十字
形形状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応
する位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レー
ザチップの下面電極表面にハンダ層を形成し、加熱する
ことによりその対向する電極間をハンダ層を介して接合
しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順
次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面へのま
わり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面電
極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避でき
る。また、レーザチップの中心位置の自動的な整合がな
されるのみでなく、レーザチップの方向の自動的な整合
もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及びそ
の方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザが得
られる。
【００６３】この発明に係わる半導体レーザ装置の製造
方法によれば、レーザチップの各々の上面の一部に十字
形形状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応
する位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レー
ザチップの上面電極表面にハンダ層を形成し、加熱する
ことによりその対向する電極間をハンダ層を介して接合
しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順
次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面へのま
わり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面電
極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避でき
る。また、レーザチップの中心位置の自動的な整合がな
されるのみでなく、レーザチップの方向の自動的な整合
もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及びそ
の方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザが得
られる。
方法によれば、レーザチップの各々の上面の一部に十字
形形状の上面電極を形成し、下面の上記上面電極と対応
する位置に十字形形状の下面電極を形成した後、各レー
ザチップの上面電極表面にハンダ層を形成し、加熱する
ことによりその対向する電極間をハンダ層を介して接合
しながら、これらのレーザチップをヒートシンク上に順
次積み上げるので、ハンダのレーザチップの側面へのま
わり込みを防止でき、これによるレーザチップの上面電
極と下面電極の間の電気的なショートの発生を回避でき
る。また、レーザチップの中心位置の自動的な整合がな
されるのみでなく、レーザチップの方向の自動的な整合
もなされる。すなわち、レーザチップの中心位置及びそ
の方向の整合の精度が共に良好なスタック型レーザが得
られる。
【図１】 この発明の第１の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置の正面図である。
導体レーザ装置の正面図である。
【図２】 この発明の第１の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザチ
ップの斜視図（図２(a) ）、断面図（a-a'面）（図２
(b) ）及び上面図（図２(c) ）である。
導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザチ
ップの斜視図（図２(a) ）、断面図（a-a'面）（図２
(b) ）及び上面図（図２(c) ）である。
【図３】 この発明の第１の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
導体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】 電極間の溶融ハンダの表面張力によるレーザ
チップの自動的な位置整合を説明する正面図である。
チップの自動的な位置整合を説明する正面図である。
【図５】 この発明の第２の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザチ
ップの斜視図（図５(a) ）及び断面図（a-a'面）（図５
(b) ）である。
導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザチ
ップの斜視図（図５(a) ）及び断面図（a-a'面）（図５
(b) ）である。
【図６】 この発明の第２の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
導体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】 この発明の第３の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置の正面図である。
導体レーザ装置の正面図である。
【図８】 この発明の第３の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザチ
ップの斜視図（図８(a) ）及び断面図（a-a'面）（図８
(b) ）である。
導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザチ
ップの斜視図（図８(a) ）及び断面図（a-a'面）（図８
(b) ）である。
【図９】 この発明の第４の実施例によるスタック型半
導体レーザ装置の正面図である。
導体レーザ装置の正面図である。
【図１０】 この発明の第４の実施例によるスタック型
半導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザ
チップの斜視図（図１０(a) ）及び断面図（a-a'面）
（図１０(b) ）である。
半導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザ
チップの斜視図（図１０(a) ）及び断面図（a-a'面）
（図１０(b) ）である。
【図１１】 この発明の第５の実施例によるスタック型
半導体レーザ装置の正面図である。
半導体レーザ装置の正面図である。
【図１２】 この発明の第５の実施例によるスタック型
半導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザ
チップであり、その下面電極表面にハンダ層を有するも
のの斜視図（図１２(a) ）及び断面図（a-a'面）（図１
２(b) ）である。
半導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザ
チップであり、その下面電極表面にハンダ層を有するも
のの斜視図（図１２(a) ）及び断面図（a-a'面）（図１
２(b) ）である。
【図１３】 この発明の第５の実施例によるスタック型
半導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザ
チップであり、その上面電極表面にハンダ層を有するも
のの断面図である。
半導体レーザ装置を構成する組立前の単位半導体レーザ
チップであり、その上面電極表面にハンダ層を有するも
のの断面図である。
【図１４】 従来のスタック型半導体レーザ装置の正面
図。
図。
１ 第１の単位半導体レーザチップ、２ 第２の単位半
導体レーザチップ、３第３の単位半導体レーザチップ、
４ 第４の単位半導体レーザチップ、５ ヒートシン
ク、６ 活性層、７ ハンダ、８ ワイヤ、９，２４
単位半導体レーザチップの上面電極、１０，２２ 単位
半導体レーザチップの下面電極、２１エッチング溝、２
３，４３，５３，６３ ハンダ層、３３ ハンダバン
プ、４５，４６ ＳｉＯ2 膜、５１ 溝、６２ 十字形
形状の下面電極、６４ 十字形形状の上面電極。
導体レーザチップ、３第３の単位半導体レーザチップ、
４ 第４の単位半導体レーザチップ、５ ヒートシン
ク、６ 活性層、７ ハンダ、８ ワイヤ、９，２４
単位半導体レーザチップの上面電極、１０，２２ 単位
半導体レーザチップの下面電極、２１エッチング溝、２
３，４３，５３，６３ ハンダ層、３３ ハンダバン
プ、４５，４６ ＳｉＯ2 膜、５１ 溝、６２ 十字形
形状の下面電極、６４ 十字形形状の上面電極。
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の単位半導体レーザチップを積み重
ねてなる半導体レーザ装置において、 上記単位半導体レーザチップは、その上面の一部の領域
に形成された上面電極と、その下面の一部の領域に形成
された下面電極とを備えており、 上下に位置する二つの上記単位半導体レーザチップは、
上側の単位レーザチップの下面電極と下側の単位レーザ
チップの上面電極とがハンダを介して接合されているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記単位半導体レーザチップは、その下面の一部の領域
に溝を有し、該溝内に上記下面電極が形成されているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
装置において、 上記単位半導体レーザチップの上面の上記上面電極以外
の全面は、上記上面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜で覆
われており、 かつ上記単位半導体レーザチップの下面の上記下面電極
以外の全面は、上記下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜
で覆われていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の半
導体レーザ装置において、 上記単位半導体レーザチップ上面に、上記上面電極を囲
むように該上面電極上からはみ出してくるハンダを受け
るための溝が形成されていることを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の半
導体レーザ装置において、 上記上面電極及び上記下面電極は、十字形形状であり、
互いに対応する位置に有ることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項６】 所定個数の単位半導体レーザチップの各
々の上面の一部の領域に上面電極を形成し、かつ下面の
一部の領域にエッチングにより溝を形成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの溝の内面に下面電極を
形成し、該下面電極表面にハンダ層を形成する工程と、 ヒートシンク上に一つの上記単位半導体レーザチップを
その下面電極を下にして載せた後加熱することにより、
該第１の単位半導体レーザチップを上記ヒートシンクに
上記ハンダ層を介して接合させる工程と、 上記ヒートシンク上に接合した第１の単位半導体レーザ
チップ上に、あるいはその上に順次接合したある上記単
位半導体レーザチップ上に他の上記単位半導体レーザチ
ップをその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を
繰り返すことにより、上記複数の単位半導体レーザチッ
プを上記第１の単位半導体レーザチップ上に順次上記ハ
ンダ層を介して接合させる工程とを含み、 上記単位半導体レーザチップを複数積み重ねてなる半導
体レーザ装置を製造することを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項７】 所定個数の単位半導体レーザチップの各
々の上面の一部の領域に上面電極を形成し、かつ下面の
一部の領域にエッチングにより溝を形成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの溝の内面に下面電極を
形成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの上面電極表面にハンダ
層を形成する工程と、 ヒートシンク上にハンダを載せ、該ハンダ上に一つの上
記単位半導体レーザチップをその下面電極を下にして載
せた後加熱することにより、該第１の単位半導体レーザ
チップを上記ヒートシンクに上記ハンダを介して接合さ
せる工程と、 上記ヒートシンク上に接合した第１の単位半導体レーザ
チップ上に、あるいはその上に順次接合したある上記単
位半導体レーザチップ上に他の上記単位半導体レーザチ
ップをその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を
繰り返すことにより、上記複数の単位半導体レーザチッ
プを上記第１の単位半導体レーザチップ上に順次上記ハ
ンダ層を介して接合させる工程とを含み、 上記単位半導体レーザチップを複数積み重ねてなる半導
体レーザ装置を製造することを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項８】 所定個数の単位半導体レーザチップの各
々の上面の一部の領域に上面電極を形成し、かつ上記上
面の上記上面電極以外の領域に該上面電極よりハンダ濡
れ性が劣る膜を形成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの下面の一部の領域に下
面電極を形成し、上記下面の上記下面電極以外の領域に
該下面電極よりハンダ濡れ性が劣る膜を形成する工程
と、 上記各単体半導体レーザチップの下面電極表面にハンダ
層を形成する工程と、 ヒートシンク上に一つの上記単位半導体レーザチップを
その下面電極を下にして載せた後加熱することにより、
該第１の単位半導体レーザチップを上記ヒートシンクに
上記ハンダ層を介して接合させる工程と、 上記ヒートシンク上に接合した第１の単位半導体レーザ
チップ上に、あるいはその上に順次接合したある上記単
位半導体レーザチップ上に他の上記単位半導体レーザチ
ップをその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を
繰り返すことにより、上記複数の単位半導体レーザチッ
プを上記第１の単位半導体レーザチップ上に順次上記ハ
ンダ層を介して接合させる工程とを含み、 上記単位半導体レーザチップを複数積み重ねてなる半導
体レーザ装置を製造することを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項９】 所定個数の単位半導体レーザチップの各
々の上面の一部の領域に上面電極を形成し、かつ上記上
面に上記上面電極を囲むようにエッチングにより該上面
電極上からはみ出してくるハンダを受けるための溝を形
成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの下面の一部の領域に下
面電極を形成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの各々の上面電極表面に
ハンダ層を形成する工程と、 ヒートシンク上にハンダを載せ、該ハンダ上に一つの上
記単位半導体レーザチップをその下面電極を下にして載
せた後加熱することにより、該第１の単位半導体レーザ
チップを上記ヒートシンクに上記ハンダを介して接合さ
せる工程と、 上記ヒートシンク上に接合した第１の単位半導体レーザ
チップ上に、あるいはその上に順次接合したある上記単
位半導体レーザチップ上に他の上記単位半導体レーザチ
ップをその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を
繰り返すことにより、上記複数の単位半導体レーザチッ
プを上記第１の単位半導体レーザチップ上に順次上記ハ
ンダ層を介して接合させる工程とを含み、 上記単位半導体レーザチップを複数積み重ねてなる半導
体レーザ装置を製造することを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項１０】 所定個数の単位半導体レーザチップの
各々の上面の一部の領域に十字形形状の上面電極を形成
し、かつ下面の一部の領域の上記上面電極と対応する位
置に十字形形状の下面電極を形成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの下面電極表面にハンダ
層を形成する工程と、 ヒートシンク上に一つの上記単位半導体レーザチップを
その下面電極を下にして載せた後加熱することにより、
該第１の単位半導体レーザチップを上記ヒートシンクに
上記ハンダ層を介して接合させる工程と、 上記ヒートシンク上に接合した第１の単位半導体レーザ
チップ上に、あるいはその上に順次接合したある上記単
位半導体レーザチップ上に他の上記単位半導体レーザチ
ップをその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を
繰り返すことにより、上記複数の単位半導体レーザチッ
プを上記第１の単位半導体レーザチップ上に順次上記ハ
ンダ層を介して接合させる工程とを含み、 上記単位半導体レーザチップを複数積み重ねてなる半導
体レーザ装置を製造することを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項１１】 所定個数の単位半導体レーザチップの
各々の上面の一部の領域に十字形形状の上面電極を形成
し、かつ下面の一部の領域の上記上面電極に対応する位
置に十字形形状の下面電極を形成する工程と、 上記各単位半導体レーザチップの上面電極表面にハンダ
層を形成する工程と、 ヒートシンク上にハンダを載せ、該ハンダ上に一つの上
記単位半導体レーザチップをその下面電極を下にして載
せた後加熱することにより、該第１の単位半導体レーザ
チップを上記ヒートシンクに上記ハンダを介して接合さ
せる工程と、 上記ヒートシンク上に接合した第１の単位半導体レーザ
チップ上に、あるいはその上に順次接合したある上記単
位半導体レーザチップ上に他の上記単位半導体レーザチ
ップをその下面電極を下にして載せた後加熱する工程を
繰り返すことにより、上記複数の単位半導体レーザチッ
プを上記第１の単位半導体レーザチップ上に順次上記ハ
ンダ層を介して接合させる工程とを含み、 上記単位半導体レーザチップを複数積み重ねてなる半導
体レーザ装置を製造することを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6221679A JPH0888431A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US08/526,561 US5644586A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-12 | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6221679A JPH0888431A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888431A true JPH0888431A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16770582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6221679A Pending JPH0888431A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5644586A (ja) |
| JP (1) | JPH0888431A (ja) |
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| JP2019212859A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザー素子 |
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- 1994-09-16 JP JP6221679A patent/JPH0888431A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-12 US US08/526,561 patent/US5644586A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| US5644586A (en) | 1997-07-01 |
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