JPS6259910B2 - - Google Patents
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- JPS6259910B2 JPS6259910B2 JP10497281A JP10497281A JPS6259910B2 JP S6259910 B2 JPS6259910 B2 JP S6259910B2 JP 10497281 A JP10497281 A JP 10497281A JP 10497281 A JP10497281 A JP 10497281A JP S6259910 B2 JPS6259910 B2 JP S6259910B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、詳し
くは半導体発光素子と半導体受光素子よりなる半
導体ホトカプラの製造方法に関するものである。
くは半導体発光素子と半導体受光素子よりなる半
導体ホトカプラの製造方法に関するものである。
半導体発光素子と半導体受光素子の組合せから
なる従来の半導体ホトカプラを第１図に示す。こ
の半導体ホトカプラは、半導体発光素子１と半導
体受光素子２とを各々リボンフレーム３にボンデ
イングして対向させ、両素子１，２間に合成樹脂
等４を充填したもので、素子部は樹脂５でモール
ドされる。前記合成樹脂等４は、電気的絶縁性を
有し、かつ半導体発光素子１より発せられる波長
の光に対して充分透明であり、屈折率は空気と半
導体発光素子１または半導体受光素子２の中間の
値を有するものであつて、半導体発光素子１より
発せられた光が半導体受光素子２に到達するまで
の間の光の通路に対する屈折率の不整合を補い、
光結合効率を大きくするために充填されている。
なる従来の半導体ホトカプラを第１図に示す。こ
の半導体ホトカプラは、半導体発光素子１と半導
体受光素子２とを各々リボンフレーム３にボンデ
イングして対向させ、両素子１，２間に合成樹脂
等４を充填したもので、素子部は樹脂５でモール
ドされる。前記合成樹脂等４は、電気的絶縁性を
有し、かつ半導体発光素子１より発せられる波長
の光に対して充分透明であり、屈折率は空気と半
導体発光素子１または半導体受光素子２の中間の
値を有するものであつて、半導体発光素子１より
発せられた光が半導体受光素子２に到達するまで
の間の光の通路に対する屈折率の不整合を補い、
光結合効率を大きくするために充填されている。
このような半導体ホトカプラにおいては、半導
体発光素子１の発光面と半導体受光素子２の受光
面を、両端子１，２の対向面側に位置させるのが
普通である。したがつて、半導体発光素子１の発
光面側および半導体受光素子２の受光面側の電極
を外部に導出するためのリード線６が半導体発光
素子１、半導体受光素子２の両者間に介在される
結果となり、このリード線６の介在により半導体
発光素子１と半導体受光素子２間の間隙を比較的
大きくとらねばならない必要が生じ、光結合効率
を上げることができない欠点があつた。また、第
１図の半導体ホトカプラでは、半導体発光素子１
のダイスボンデイング、ワイヤボンデイング、半
導体受光素子２のダイスボンデイング、ワイヤボ
ンデイング、樹脂等４の充填、硬化という一連の
工程が必要となり、製造工程が長くなる欠点があ
つた。
体発光素子１の発光面と半導体受光素子２の受光
面を、両端子１，２の対向面側に位置させるのが
普通である。したがつて、半導体発光素子１の発
光面側および半導体受光素子２の受光面側の電極
を外部に導出するためのリード線６が半導体発光
素子１、半導体受光素子２の両者間に介在される
結果となり、このリード線６の介在により半導体
発光素子１と半導体受光素子２間の間隙を比較的
大きくとらねばならない必要が生じ、光結合効率
を上げることができない欠点があつた。また、第
１図の半導体ホトカプラでは、半導体発光素子１
のダイスボンデイング、ワイヤボンデイング、半
導体受光素子２のダイスボンデイング、ワイヤボ
ンデイング、樹脂等４の充填、硬化という一連の
工程が必要となり、製造工程が長くなる欠点があ
つた。
第２図は従来の他の半導体ホトカプラを示す。
この半導体ホトカプラは、リボンフレーム１１に
マウントされた半導体受光素子１２の上に半導体
発光素子１３を、透明ガラス１４を介在させて、
かつ半導体発光素子１３の光の波長に対して充分
透明な接着剤１５を用いて密着構成したものであ
り、素子部は第１図と同様に樹脂１６によりモー
ルドされる。
この半導体ホトカプラは、リボンフレーム１１に
マウントされた半導体受光素子１２の上に半導体
発光素子１３を、透明ガラス１４を介在させて、
かつ半導体発光素子１３の光の波長に対して充分
透明な接着剤１５を用いて密着構成したものであ
り、素子部は第１図と同様に樹脂１６によりモー
ルドされる。
このような半導体ホトカプラにおいては、光結
合効率が改善される。しかし、製造に当つては、
半導体受光素子１２上へのガラス１４、半導体発
光素子１３の複雑な接着工程が必要であり、面倒
である。また、ホトカプラとしての特性は、発
光、受光両素子１３，１２をリボンフレーム１１
にマウントし、素子部をモールドし、リボンフレ
ーム１１の不必要な部分を切断した後でないと測
定できない。したがつて、ホトカプラ製造工程中
で特性の中間検査を行い、ホトカプラ製造歩留り
を向上させるといつた方法をとることができない
という欠点があつた。
合効率が改善される。しかし、製造に当つては、
半導体受光素子１２上へのガラス１４、半導体発
光素子１３の複雑な接着工程が必要であり、面倒
である。また、ホトカプラとしての特性は、発
光、受光両素子１３，１２をリボンフレーム１１
にマウントし、素子部をモールドし、リボンフレ
ーム１１の不必要な部分を切断した後でないと測
定できない。したがつて、ホトカプラ製造工程中
で特性の中間検査を行い、ホトカプラ製造歩留り
を向上させるといつた方法をとることができない
という欠点があつた。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、ホ
トカプラの製造歩留りを向上させることができる
とともに、実装工程を簡略なものとし得、さらに
は高光結合効率を得ることができる半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
トカプラの製造歩留りを向上させることができる
とともに、実装工程を簡略なものとし得、さらに
は高光結合効率を得ることができる半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
以下この発明の実施例を第３図ないし第６図を
参照して説明する。
参照して説明する。
まず、第３図に示すように、Ｎ型の半導体発光
素子基板（第２の半導体基板）２１を準備する。
この半導体発光素子基板２１には、表面部にＰ型
領域（発光素子領域）２２を複数個所定間隔に形
成することにより部分的に複数のPN接合が形成
されており、さらにこれらＰ型半導体部分に対す
る電極２３と、Ｎ型半導体部分に対する電極２４
が表面に形成されている。これらの電極２３，２
４はバンプボンデイングが可能な、たとえばAu
−Sn合金による電極である。
素子基板（第２の半導体基板）２１を準備する。
この半導体発光素子基板２１には、表面部にＰ型
領域（発光素子領域）２２を複数個所定間隔に形
成することにより部分的に複数のPN接合が形成
されており、さらにこれらＰ型半導体部分に対す
る電極２３と、Ｎ型半導体部分に対する電極２４
が表面に形成されている。これらの電極２３，２
４はバンプボンデイングが可能な、たとえばAu
−Sn合金による電極である。
また、同図に示すように、Ｎ型の半導体受光素
子基板（第１の半導体基板）２５を準備する。こ
の半導体受光素子基板２５には、半導体発光素子
基板２１と同様に、表面部にＰ型領域（受光素子
領域）２６を複数個所定間隔に形成することによ
り部分的に複数のPN接合が形成されており、さ
らにこれらＰ型半導体部分に対する電極２７と、
Ｎ型半導体部分に対する電極２８が表面に形成さ
れている。前記半導体発光素子基板２１の電極２
３，２４がバンプ電極である場合には、この半導
体受光素子基板２５の電極２７，２８は特にバン
プ電極である必要はない。
子基板（第１の半導体基板）２５を準備する。こ
の半導体受光素子基板２５には、半導体発光素子
基板２１と同様に、表面部にＰ型領域（受光素子
領域）２６を複数個所定間隔に形成することによ
り部分的に複数のPN接合が形成されており、さ
らにこれらＰ型半導体部分に対する電極２７と、
Ｎ型半導体部分に対する電極２８が表面に形成さ
れている。前記半導体発光素子基板２１の電極２
３，２４がバンプ電極である場合には、この半導
体受光素子基板２５の電極２７，２８は特にバン
プ電極である必要はない。
さらに、同図に示すように、絶縁性樹脂基板２
９を準備する。この絶縁性樹脂基板２９には、エ
ポキシ樹脂性あるいはBT（ビスマレイミド・ト
リアジン）樹脂性半硬化型プリプレーク基板を用
いる。つまり、絶縁性樹脂基板２９は、ここで用
いる半導体発光素子の発光波長に対して充分透明
である必要があり、半導体発光素子にGaAsを用
いる場合、その発光波長は9000Å〜9500Å程度で
ある。したがつて、絶縁性樹脂基板２９として通
常積層型プリント基板用として用いるエポキシ樹
脂性あるいはBT樹脂性半硬化型プリプレーク基
板を用いれば90％以上の光透過率が得られ、目的
に充分合致する。また、プリプレーク基板は、加
熱、加圧することで接着剤としての効果も充分発
揮する。
９を準備する。この絶縁性樹脂基板２９には、エ
ポキシ樹脂性あるいはBT（ビスマレイミド・ト
リアジン）樹脂性半硬化型プリプレーク基板を用
いる。つまり、絶縁性樹脂基板２９は、ここで用
いる半導体発光素子の発光波長に対して充分透明
である必要があり、半導体発光素子にGaAsを用
いる場合、その発光波長は9000Å〜9500Å程度で
ある。したがつて、絶縁性樹脂基板２９として通
常積層型プリント基板用として用いるエポキシ樹
脂性あるいはBT樹脂性半硬化型プリプレーク基
板を用いれば90％以上の光透過率が得られ、目的
に充分合致する。また、プリプレーク基板は、加
熱、加圧することで接着剤としての効果も充分発
揮する。
次に、前記半導体発光素子基板２１と半導体受
光素子基板２５とを、それらの裏面間に絶縁性樹
脂基板２９を挾んで第４図のように重ね、さらに
同図に示すように、両基板２１，２５上のＰ型領
域２２，２６を整合させる。そして、整合させた
ならば、半導体発光素子領域２１と半導体受光素
子基板２５とを蒸圧着などの方法により接着す
る。ここで、絶縁性樹脂基板２９は、接着剤と同
時に、半導体発光素子基板２１および半導体受光
素子基板２５に対する絶縁性保持板としての働き
をする。
光素子基板２５とを、それらの裏面間に絶縁性樹
脂基板２９を挾んで第４図のように重ね、さらに
同図に示すように、両基板２１，２５上のＰ型領
域２２，２６を整合させる。そして、整合させた
ならば、半導体発光素子領域２１と半導体受光素
子基板２５とを蒸圧着などの方法により接着す
る。ここで、絶縁性樹脂基板２９は、接着剤と同
時に、半導体発光素子基板２１および半導体受光
素子基板２５に対する絶縁性保持板としての働き
をする。
接着が終了すれば、半導体発光素子基板２１お
よび半導体受光素子基板２５上に、これらをＮ型
領域として各Ｐ型領域２２，２６との間で形成さ
れているそれぞれ任意の発光素子、受光素子の組
合せでホトカプラが構成されるので、接着基板状
態（接着ウエハの状態）でホトカプラの特性選別
が可能となる。
よび半導体受光素子基板２５上に、これらをＮ型
領域として各Ｐ型領域２２，２６との間で形成さ
れているそれぞれ任意の発光素子、受光素子の組
合せでホトカプラが構成されるので、接着基板状
態（接着ウエハの状態）でホトカプラの特性選別
が可能となる。
次に、Ｐ型領域２６の各相互間で、基板２５，
２９，２１（接着基板）をダイシングブレードな
どを用いて厚さ方向に切断することにより、Ｐ型
領域２２を有する発光素子チツプ（半導体チツ
プ）３０、Ｐ型領域２６を有する受光素子チツプ
（半導体チツプ）３１および樹脂部３２よりなる
多数のホトカプラチツプ３３を第５図に示すよう
に得る。
２９，２１（接着基板）をダイシングブレードな
どを用いて厚さ方向に切断することにより、Ｐ型
領域２２を有する発光素子チツプ（半導体チツ
プ）３０、Ｐ型領域２６を有する受光素子チツプ
（半導体チツプ）３１および樹脂部３２よりなる
多数のホトカプラチツプ３３を第５図に示すよう
に得る。
しかる後、ホトカプラチツプ３３を第６図に示
すようにリボンフレーム３４上にマウントし、素
子部を樹脂３５でモールドすることによりホトカ
プラが完成する。この第６図は発光素子チツプ３
０面のバンプ電極２３，２４をバンプ固定用リボ
ンフレーム３４に固定した例を示しており、リボ
ンフレーム３４へのホトカプラチツプ３３のバン
プ固定、受光素子チツプ３１面の電極２７，２８
へのワイヤ３６によるボンデイング、続いて樹脂
３５によるモールド、リボンフレーム３４の不必
要な部分の切断という極めて簡単な工程でホトカ
プラが完成する。
すようにリボンフレーム３４上にマウントし、素
子部を樹脂３５でモールドすることによりホトカ
プラが完成する。この第６図は発光素子チツプ３
０面のバンプ電極２３，２４をバンプ固定用リボ
ンフレーム３４に固定した例を示しており、リボ
ンフレーム３４へのホトカプラチツプ３３のバン
プ固定、受光素子チツプ３１面の電極２７，２８
へのワイヤ３６によるボンデイング、続いて樹脂
３５によるモールド、リボンフレーム３４の不必
要な部分の切断という極めて簡単な工程でホトカ
プラが完成する。
このようにしてホトカプラが完成するが、前記
説明では、接着ウエハの状態（第４図の状態）で
特性選別を行うことを述べた。一方、ホトカプラ
特性の選別に当つて、前記した接着ウエハの状態
で行うことが素子間の電気的あるいは光学的リー
ク等の問題により困難な場合は、第５図に示すチ
ツプ状態で行つてもよい。さらに、チツプ状態で
の特性選別が困難な場合には、第５図に符号３７
を付して示す切断溝を完全に入れないで、樹脂部
３２まで切り込むだけで、ウエハ状態を保つたま
まで行つてもよい。
説明では、接着ウエハの状態（第４図の状態）で
特性選別を行うことを述べた。一方、ホトカプラ
特性の選別に当つて、前記した接着ウエハの状態
で行うことが素子間の電気的あるいは光学的リー
ク等の問題により困難な場合は、第５図に示すチ
ツプ状態で行つてもよい。さらに、チツプ状態で
の特性選別が困難な場合には、第５図に符号３７
を付して示す切断溝を完全に入れないで、樹脂部
３２まで切り込むだけで、ウエハ状態を保つたま
まで行つてもよい。
また、第５図の各ホトカプラチツプ３３におい
て、発光素子チツプ３０と受光素子チツプ３１間
の絶縁耐圧は樹脂部３２（絶縁性樹脂基板２９）
で確保することができる。たとえば、絶縁性樹脂
基板２９に0.15mmの厚さのエポキシ系樹脂板を使
用した場合、絶縁耐圧は1KV以上を確保できた。
さらにこの場合、発光素子チツプ３０と受光素子
チツプ３１の間隔を、絶縁性樹脂基板２９の厚さ
0.15mmまで充分近づけて固定できるため、高光結
合効率を確保できる。その上、エポキシ樹脂の屈
折率が空気の1.0と比べて約1.5と大きいため、発
光素子チツプ３０と受光素子チツプ３１間の屈折
率の補正を特に行うことなく高性能なホトカプラ
特性を得ることができる。
て、発光素子チツプ３０と受光素子チツプ３１間
の絶縁耐圧は樹脂部３２（絶縁性樹脂基板２９）
で確保することができる。たとえば、絶縁性樹脂
基板２９に0.15mmの厚さのエポキシ系樹脂板を使
用した場合、絶縁耐圧は1KV以上を確保できた。
さらにこの場合、発光素子チツプ３０と受光素子
チツプ３１の間隔を、絶縁性樹脂基板２９の厚さ
0.15mmまで充分近づけて固定できるため、高光結
合効率を確保できる。その上、エポキシ樹脂の屈
折率が空気の1.0と比べて約1.5と大きいため、発
光素子チツプ３０と受光素子チツプ３１間の屈折
率の補正を特に行うことなく高性能なホトカプラ
特性を得ることができる。
以上詳述したように、この発明の半導体装置の
製造方法においては、表面に複数の受光素子領域
を有する第１の半導体基板と表面に複数の発光素
子領域を有する第２の半導体基板とを、それらの
裏面間に絶縁性樹脂基板を配置し、かつ受光素子
領域と発光素子領域を整合させた上で前記絶縁性
樹脂基板に固着し、しかる後、３枚の基板を厚さ
方向に切断することにより、受光素子チツプ、発
光素子チツプおよび樹脂部からなるホトカプラチ
ツプを製造するようにしたので、接着基板状態あ
るいはチツプ状態で特性選別評価を行うことが可
能となり、ホトカプラの製造歩留りを向上させる
ことができるとともに、実装工程も簡略なものと
し得る。また、光結合効率を向上させることがで
きると同時に、発光素子チツプと受光素子間の絶
縁耐圧を大きくとることもでき、さらには両素子
チツプ間の屈折率の補正を特に行うことなく高性
能なホトカプラ特性を得ることができるものであ
る。また、この発明の方法によれば、多数の受光
素子と多数の発光素子との位置合わせを両方とも
基板状態で一度に行えるから、フオトカプラの製
造能率が著しく向上する。さらに、この発明の方
法では、樹脂層（絶縁性樹脂基板）を薄くし得る
から、切断時、樹脂がダイヤモンドブレードなど
の表面に付着して基板のチツピングが起るという
ようなことがなく、良好な切断が可能となる。さ
らに、この発明の方法では、膨張係数の類似した
第１、第２の半導体基板で膨張係数の異なる樹脂
層をサンドイツチ状に挾むことになるので、一方
が半導体基板、他方が樹脂層の時のような、基板
状態でのソリを防止できる。通常、基板にソリが
ある場合、良好にチツプ状に切断することが極め
て困難である。この発明によれば、切断工程が極
めて容易となる。
製造方法においては、表面に複数の受光素子領域
を有する第１の半導体基板と表面に複数の発光素
子領域を有する第２の半導体基板とを、それらの
裏面間に絶縁性樹脂基板を配置し、かつ受光素子
領域と発光素子領域を整合させた上で前記絶縁性
樹脂基板に固着し、しかる後、３枚の基板を厚さ
方向に切断することにより、受光素子チツプ、発
光素子チツプおよび樹脂部からなるホトカプラチ
ツプを製造するようにしたので、接着基板状態あ
るいはチツプ状態で特性選別評価を行うことが可
能となり、ホトカプラの製造歩留りを向上させる
ことができるとともに、実装工程も簡略なものと
し得る。また、光結合効率を向上させることがで
きると同時に、発光素子チツプと受光素子間の絶
縁耐圧を大きくとることもでき、さらには両素子
チツプ間の屈折率の補正を特に行うことなく高性
能なホトカプラ特性を得ることができるものであ
る。また、この発明の方法によれば、多数の受光
素子と多数の発光素子との位置合わせを両方とも
基板状態で一度に行えるから、フオトカプラの製
造能率が著しく向上する。さらに、この発明の方
法では、樹脂層（絶縁性樹脂基板）を薄くし得る
から、切断時、樹脂がダイヤモンドブレードなど
の表面に付着して基板のチツピングが起るという
ようなことがなく、良好な切断が可能となる。さ
らに、この発明の方法では、膨張係数の類似した
第１、第２の半導体基板で膨張係数の異なる樹脂
層をサンドイツチ状に挾むことになるので、一方
が半導体基板、他方が樹脂層の時のような、基板
状態でのソリを防止できる。通常、基板にソリが
ある場合、良好にチツプ状に切断することが極め
て困難である。この発明によれば、切断工程が極
めて容易となる。
第１図および第２図はそれぞれ従来のホトカプ
ラを示す正面図、第３図ないし第６図はこの発明
の半導体装置の製造方法の実施例を説明するため
の図で、第３図ないし第５図は断面図、第６図は
斜視図である。 ２１……半導体発光素子基板、２２……Ｐ型領
域、２５……半導体受光素子基板、２６……Ｐ型
領域、３０……発光素子チツプ、３１……受光素
子チツプ、３２……樹脂部、３３……ホトカプラ
チツプ。
ラを示す正面図、第３図ないし第６図はこの発明
の半導体装置の製造方法の実施例を説明するため
の図で、第３図ないし第５図は断面図、第６図は
斜視図である。 ２１……半導体発光素子基板、２２……Ｐ型領
域、２５……半導体受光素子基板、２６……Ｐ型
領域、３０……発光素子チツプ、３１……受光素
子チツプ、３２……樹脂部、３３……ホトカプラ
チツプ。
Claims (1)
- １ 表面に複数の受光素子領域を有する第１の半
導体基板を準備する工程と、表面に複数の発光素
子領域を有する第２の半導体基板を準備する工程
と、半導体発光素子の発光波長に対して透明であ
り、前記第１の半導体基板および前記第２の半導
体基板に対する絶縁性保持板として作用するエポ
キシ樹脂性あるいはビスマレイミド・トリアジン
樹脂性半硬化型プリプレーク基板からなる絶縁性
樹脂基板を準備する工程と、前記第１、第２の半
導体基板の裏面間に前記絶縁性樹脂基板を配置
し、かつ前記第１、第２の半導体基板表面に形成
されている前記受光素子領域と前記発光素子領域
を整合させる工程と、その状態で前記絶縁性樹脂
基板を加圧または加熱することにより、前記第１
および第２の半導体基板を前記絶縁性樹脂基板に
接着し、接着基板を形成する工程と、その接着基
板を厚さ方向に切断することにより、前記受光素
子領域を有する半導体チツプ、前記発光素子領域
を有する半導体チツプおよび樹脂部からなる複数
のホトカプラチツプを形成する工程とを具備して
なる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104972A JPS587886A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104972A JPS587886A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587886A JPS587886A (ja) | 1983-01-17 |
| JPS6259910B2 true JPS6259910B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=14395010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104972A Granted JPS587886A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587886A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3713067A1 (de) * | 1986-09-30 | 1988-03-31 | Siemens Ag | Optoelektronisches koppelelement und verfahren zu dessen herstellung |
| JPS6392066A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-22 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 光電式結合装置とその製造方法 |
| JP4674642B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-04-20 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
| EP3082169A1 (de) | 2015-04-17 | 2016-10-19 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Stapelförmiger optokopplerbaustein |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100988A (en) * | 1976-02-20 | 1977-08-24 | Fujitsu Ltd | Photoisolator |
| JPS5329091A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor photo coupler |
-
1981
- 1981-07-07 JP JP56104972A patent/JPS587886A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100988A (en) * | 1976-02-20 | 1977-08-24 | Fujitsu Ltd | Photoisolator |
| JPS5329091A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor photo coupler |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS587886A (ja) | 1983-01-17 |
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