JPS587886A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS587886A JPS587886A JP56104972A JP10497281A JPS587886A JP S587886 A JPS587886 A JP S587886A JP 56104972 A JP56104972 A JP 56104972A JP 10497281 A JP10497281 A JP 10497281A JP S587886 A JPS587886 A JP S587886A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは半導
体発光素子と半導体受光素子よシなる半導体ホトカプラ
の製造方法に関するものである。
体発光素子と半導体受光素子よシなる半導体ホトカプラ
の製造方法に関するものである。
半導体発光素子と半導体受光素子の組合せからなる従来
の半導体ホトカプラを第１図に示す、この半導体ホトカ
ブ２は、半導体発光素子１と半導体受光素子２とを各々
リボンフレーム３にボンディングして対向させ、画素子
１，２間に合成樹脂等４を充填したもので、素子部は樹
脂５でモールドされる。前記合成樹脂等４は、電気的絶
縁性を有し、かつ半導体発光素子１よシ発せられる波長
の光に対して充分透明であ夛、屈折率は空気と半導体発
光素子１または半導体受光素子２の中間の値を有するも
のであって、半導体発光素子１より発せられた光が半導
体受光素子２に到達するまでの間の光の通路に対する屈
折率の不整合を補い。
の半導体ホトカプラを第１図に示す、この半導体ホトカ
ブ２は、半導体発光素子１と半導体受光素子２とを各々
リボンフレーム３にボンディングして対向させ、画素子
１，２間に合成樹脂等４を充填したもので、素子部は樹
脂５でモールドされる。前記合成樹脂等４は、電気的絶
縁性を有し、かつ半導体発光素子１よシ発せられる波長
の光に対して充分透明であ夛、屈折率は空気と半導体発
光素子１または半導体受光素子２の中間の値を有するも
のであって、半導体発光素子１より発せられた光が半導
体受光素子２に到達するまでの間の光の通路に対する屈
折率の不整合を補い。
光結合効率を大きくする九めに充填されている。
このような半導体ホトカブラにおいては、半導体発光素
子１０発光面と半導体受光素子２の受光ｒｒＪを１画素
子１．２の対向面側に位置させるのが普通である。した
がって、半導体発光素子ｌの発光面側および半導体受光
素子２の受光面側の電極を外部に導出するためのり−ド
［１６が半導体発光素子１１半導体受光素子２の両者間
に介在される結果となシ、このリード線６の介在によシ
半導体発光素子１と半導体受光素子２間の間隙を比較的
大きくとらねばならない必要が生じ、光結合効率を上げ
ることができない欠点があった。また、第１図の半導体
ホトカプラでは、半導体発光素子１のダイスビンディン
グ、ワイヤボンディング、半導体受光素子２のダイスビ
ンディング、ワイヤボンディング、樹脂等４の充填、硬
化という一連の工程が必要となシ、製造工程が長くなる
欠点があった、 第２図は従来の他の半導体ホトカプラを示す、この半導
体ホトカブ２は、リボンフレーム１１にマウントされた
半導体受光素子１２の上に半導体発光素子１３を、透明
が２ス１４を介在させて。
子１０発光面と半導体受光素子２の受光ｒｒＪを１画素
子１．２の対向面側に位置させるのが普通である。した
がって、半導体発光素子ｌの発光面側および半導体受光
素子２の受光面側の電極を外部に導出するためのり−ド
［１６が半導体発光素子１１半導体受光素子２の両者間
に介在される結果となシ、このリード線６の介在によシ
半導体発光素子１と半導体受光素子２間の間隙を比較的
大きくとらねばならない必要が生じ、光結合効率を上げ
ることができない欠点があった。また、第１図の半導体
ホトカプラでは、半導体発光素子１のダイスビンディン
グ、ワイヤボンディング、半導体受光素子２のダイスビ
ンディング、ワイヤボンディング、樹脂等４の充填、硬
化という一連の工程が必要となシ、製造工程が長くなる
欠点があった、 第２図は従来の他の半導体ホトカプラを示す、この半導
体ホトカブ２は、リボンフレーム１１にマウントされた
半導体受光素子１２の上に半導体発光素子１３を、透明
が２ス１４を介在させて。
かつ半導体発光素子１３の光の波長に対して充分透明な
接着剤１５を用いて密着構成したものであシ、素子部は
第１図と同様に樹脂１６にょシモールドされる。
接着剤１５を用いて密着構成したものであシ、素子部は
第１図と同様に樹脂１６にょシモールドされる。
このような牛導体ホトカグ２においては、光結合効率が
改善される。しかし、製造に当っては。
改善される。しかし、製造に当っては。
半導体受光素子１２上へのがラス１４、半導体発光素子
１３の複雑な接着工程が必要であシ、画調である。また
、ホトカブラとしての特性は、発光。
１３の複雑な接着工程が必要であシ、画調である。また
、ホトカブラとしての特性は、発光。
受光画素子１３．１２をリボンフレーム１１にマウント
し、素子部をモールドし、りが／フレーム１１の不必要
な部分を切断した後でないと測定できない、したがって
、ホトヵｆ２製造工程中で特性の中間検査を行い、ホト
カプラ製造歩留シを向上させるといった方法をとること
ができないという欠点があった。
し、素子部をモールドし、りが／フレーム１１の不必要
な部分を切断した後でないと測定できない、したがって
、ホトヵｆ２製造工程中で特性の中間検査を行い、ホト
カプラ製造歩留シを向上させるといった方法をとること
ができないという欠点があった。
この発明は上記の点に鎌みなさ−れ九もので、ホトカブ
ラの製造歩留シを向上させることができるとともに、実
装工程を簡略なものとし得、さらには高光結合効率を得
ることができる半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
ラの製造歩留シを向上させることができるとともに、実
装工程を簡略なものとし得、さらには高光結合効率を得
ることができる半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
以下この発明の実施例を第３図ないし第６図を参照して
説明する。
説明する。
まず、第３図に示すように、Ｎ型の半導体発光素子基板
（第２の半導体基板）２１を準備する。
（第２の半導体基板）２１を準備する。
この半導体発光素子基板２１には、表面部にＰｆｆｉ領
域（発光素子領域）２２を複数個所定間隔に形成するこ
とによ９部分的に複数のＰＮ接合が形成されており、さ
らにこれらＰ減半導体部分に対する電極２３と、Ｎ型半
導体部分に対する電極２４が表面に形成されている。こ
れらの電極２３．２４は、パンデボ／ディングが可能な
、たとえばＡｕ−８ｎ合金による電極である。
域（発光素子領域）２２を複数個所定間隔に形成するこ
とによ９部分的に複数のＰＮ接合が形成されており、さ
らにこれらＰ減半導体部分に対する電極２３と、Ｎ型半
導体部分に対する電極２４が表面に形成されている。こ
れらの電極２３．２４は、パンデボ／ディングが可能な
、たとえばＡｕ−８ｎ合金による電極である。
１＋、同図に示すように、Ｎ型の半導体受光素子基板（
第１の半導体基板）２５を準備する。この半導体受光素
子基板２５には、半導体発光素子基板２１と同様に１表
面部にＰ型領域（受光素子領域）２６を複数個所定間隔
に形成することによシ部分的に複数のＰＮ接合が形成さ
れており、さらにこれらＰ型半導体部分に対する電極２
７と、Ｎｆｆ１半導体部分に対する電極２８が表面に形
成されている。前記半導体発光素子基板２１の電極２３
゜２４がバンゾ電極である場合には、この半導体受光素
子基板２５の電極２７．２８は特にパンゾ電極である必
要はない。
第１の半導体基板）２５を準備する。この半導体受光素
子基板２５には、半導体発光素子基板２１と同様に１表
面部にＰ型領域（受光素子領域）２６を複数個所定間隔
に形成することによシ部分的に複数のＰＮ接合が形成さ
れており、さらにこれらＰ型半導体部分に対する電極２
７と、Ｎｆｆ１半導体部分に対する電極２８が表面に形
成されている。前記半導体発光素子基板２１の電極２３
゜２４がバンゾ電極である場合には、この半導体受光素
子基板２５の電極２７．２８は特にパンゾ電極である必
要はない。
さらに、同図に示すように、絶縁性樹脂基板２９を準備
する。この絶縁性樹脂基板２９には、エポキシ樹脂性あ
るいはＢＴ（ビスマレイミド・トリアゾン）樹脂性半硬
化型プリブレーク基板を用いる。
する。この絶縁性樹脂基板２９には、エポキシ樹脂性あ
るいはＢＴ（ビスマレイミド・トリアゾン）樹脂性半硬
化型プリブレーク基板を用いる。
つｔシ、絶縁性樹脂基板２９は、ここで用いる半導体発
光素子の発光波長に対して充分透明である必要があり、
半導体発光素子にＧａＡｓを用いる場合、その発光波長
は９０００Ａ〜９５００Ａ程度である。したがって、絶
縁性樹脂基板２９として通常積層屋プリント基板用とし
て用いるエポキシ的に充分合致する。また、プリブレー
ク基板は、加熱、加圧することで接着剤としての効果も
充分発揮する。
光素子の発光波長に対して充分透明である必要があり、
半導体発光素子にＧａＡｓを用いる場合、その発光波長
は９０００Ａ〜９５００Ａ程度である。したがって、絶
縁性樹脂基板２９として通常積層屋プリント基板用とし
て用いるエポキシ的に充分合致する。また、プリブレー
ク基板は、加熱、加圧することで接着剤としての効果も
充分発揮する。
次に、前記半導体発光素子基板２１と半導体受光素子基
板２５とを、それらの裏面間に絶縁性樹脂基板２９を挾
んで第４図のように重ね、さらに同図に示すように１両
基板２１．２５上のＰ型領域２２．２６を整合させる。
板２５とを、それらの裏面間に絶縁性樹脂基板２９を挾
んで第４図のように重ね、さらに同図に示すように１両
基板２１．２５上のＰ型領域２２．２６を整合させる。
そして、整合させたならば、半導体発光素子基板２１と
半導体受光素子基板２５とを熱圧着などの方法により接
着する。
半導体受光素子基板２５とを熱圧着などの方法により接
着する。
ここで、絶縁性樹脂基板２９は、接着剤と同時に、半導
体発光素子元板２１および半導体受光素子基板２５に対
する絶縁性保持板としての働きをする。
体発光素子元板２１および半導体受光素子基板２５に対
する絶縁性保持板としての働きをする。
接着が終了すれば、半導体発光素子基板２１および半導
体受光素子基板２５上に、これらをＮ型領域として各Ｐ
型領域２２．２６との間で形成されているそれぞれ任意
の発光素子、受光素子の組合せでホトカプラが構成され
るので、接着基板状態（接着ウェハの状１りでホトカプ
ラの特性選別が可能となる。
体受光素子基板２５上に、これらをＮ型領域として各Ｐ
型領域２２．２６との間で形成されているそれぞれ任意
の発光素子、受光素子の組合せでホトカプラが構成され
るので、接着基板状態（接着ウェハの状１りでホトカプ
ラの特性選別が可能となる。
次に、Ｐ型領域２６の各相互間で、基板２５，２９゜２
Ｉｔり（ミ／ググレードーなどを用いて厚さ方向に切
断することにより、Ｐｆｆｉ領域２２を有する発光素子
チップ（半導体チップ）３０、Ｐ型領域２６を有する受
光素子チップ（半導体チップ）３１および樹脂部３２よ
りなる多数のホトカプラチップ３３を第５図に示すよう
に得る。
Ｉｔり（ミ／ググレードーなどを用いて厚さ方向に切
断することにより、Ｐｆｆｉ領域２２を有する発光素子
チップ（半導体チップ）３０、Ｐ型領域２６を有する受
光素子チップ（半導体チップ）３１および樹脂部３２よ
りなる多数のホトカプラチップ３３を第５図に示すよう
に得る。
しかる後、ホトカデラチッｆ３３を第６図に示すように
リボンフレーム３４上にマウントシ、素子部を樹脂３５
でモールドすることによシホトカグラが完成する。この
第６図は発光素子チッグ３０面のバンプ電極２３．２４
をパンダ固定用リボンフレーム３４に固定した例を示し
ており、リボンフレーム３４へのホトカプラチップ３３
のバンゾ固定、受光素子チップ３１面の電極２７．２８
へのワイヤ３６によるボンディング、続いて樹脂３５に
よるモールド、リボンフレーム３４の不必要な部分の切
断という極めて簡単な工程でホトカプラが完成する。
リボンフレーム３４上にマウントシ、素子部を樹脂３５
でモールドすることによシホトカグラが完成する。この
第６図は発光素子チッグ３０面のバンプ電極２３．２４
をパンダ固定用リボンフレーム３４に固定した例を示し
ており、リボンフレーム３４へのホトカプラチップ３３
のバンゾ固定、受光素子チップ３１面の電極２７．２８
へのワイヤ３６によるボンディング、続いて樹脂３５に
よるモールド、リボンフレーム３４の不必要な部分の切
断という極めて簡単な工程でホトカプラが完成する。
このようにしてホトカプラが完成するが、前記説明では
、接着ウェハの状態（第４図の状態）で特性選別を行う
ことを述べた。一方、ホトカプラ特性の選別に尚っで、
前記した接着ウェハの状態で行うことが素子間の電気的
あるいは光学的リーク等の問題によシ困難か場合は、第
５図に示すチップ状態で行ってもよい、さらに、チップ
状態での特性選別が困難な場合には、第５図に符号３７
を付して示す切断溝を完全に入れないで、樹脂部３２ま
で切シ込むだけで、ウェハ状態を保ったままで行っても
よい。
、接着ウェハの状態（第４図の状態）で特性選別を行う
ことを述べた。一方、ホトカプラ特性の選別に尚っで、
前記した接着ウェハの状態で行うことが素子間の電気的
あるいは光学的リーク等の問題によシ困難か場合は、第
５図に示すチップ状態で行ってもよい、さらに、チップ
状態での特性選別が困難な場合には、第５図に符号３７
を付して示す切断溝を完全に入れないで、樹脂部３２ま
で切シ込むだけで、ウェハ状態を保ったままで行っても
よい。
また、第５図の各ホトカプラチップ３３において１発光
素子チップ３０と受光素子チップ３１間の絶縁耐圧は樹
脂部３２（絶縁性樹脂基板２９）で確保することができ
る。たとえば、絶縁性樹脂基板２９にｏ、１ｓａｔの厚
さのエポキシ系樹脂板を使用した場合、絶縁耐圧は１ｕ
以上を確保できた。
素子チップ３０と受光素子チップ３１間の絶縁耐圧は樹
脂部３２（絶縁性樹脂基板２９）で確保することができ
る。たとえば、絶縁性樹脂基板２９にｏ、１ｓａｔの厚
さのエポキシ系樹脂板を使用した場合、絶縁耐圧は１ｕ
以上を確保できた。
さらにこの場合１発光素子チップ３０と受光素子チップ
３１の間隔を、絶縁性樹脂基板２９の厚さ０．１５ａｍ
ｔで充分近づけて固定できるため、高光結合効率を確保
できる。その上、エポキシ樹脂の屈折率が空気の１．０
と比べて約１．５と大きいため、発光素子チップ３０と
受光素子チップ３１間の屈折率の補正を特に行うことな
く高性能なホトカプラ特性を得ることができる。
３１の間隔を、絶縁性樹脂基板２９の厚さ０．１５ａｍ
ｔで充分近づけて固定できるため、高光結合効率を確保
できる。その上、エポキシ樹脂の屈折率が空気の１．０
と比べて約１．５と大きいため、発光素子チップ３０と
受光素子チップ３１間の屈折率の補正を特に行うことな
く高性能なホトカプラ特性を得ることができる。
以上詳述したように、この発明の半導体装置の製造方法
においそは、表面に複数の受光素子領域を有する第１の
半導体基板と表面に複数の発光素子領域を有する第２の
半導体基板とを、それらの裏面間に絶縁性樹脂基板を配
置し、かつ受光素子領域と発光素子領域を整合させた上
で前記絶縁性樹脂基板に固着し、しかる後、３枚の基板
を厚さ方向に切断することにより、受光素子チップ、発
光素子チップおよび樹脂部からなるホトカフＦ′２チツ
ゾを製造するようにしたので、接着基板状態あるいはチ
ップ状態で特性選別評価を行うことが可能となシ、ホト
カプラの製造歩留シを向上させることができるとともに
、実装工程も簡略なものとし得る。また、光結合効率を
向上させることができると同時に、発光素子チップと受
光素子間の絶縁耐圧を大きくとることもでき、さらには
画素子チップ間の屈折率の補正を特に行うことなく高性
能なホトカブラ特性を得ることができるものである。
においそは、表面に複数の受光素子領域を有する第１の
半導体基板と表面に複数の発光素子領域を有する第２の
半導体基板とを、それらの裏面間に絶縁性樹脂基板を配
置し、かつ受光素子領域と発光素子領域を整合させた上
で前記絶縁性樹脂基板に固着し、しかる後、３枚の基板
を厚さ方向に切断することにより、受光素子チップ、発
光素子チップおよび樹脂部からなるホトカフＦ′２チツ
ゾを製造するようにしたので、接着基板状態あるいはチ
ップ状態で特性選別評価を行うことが可能となシ、ホト
カプラの製造歩留シを向上させることができるとともに
、実装工程も簡略なものとし得る。また、光結合効率を
向上させることができると同時に、発光素子チップと受
光素子間の絶縁耐圧を大きくとることもでき、さらには
画素子チップ間の屈折率の補正を特に行うことなく高性
能なホトカブラ特性を得ることができるものである。
第１図および第２図はそれぞれ従来のホトカゾラを示す
正面図゛、第３図ないし第６図はこの発明の半導体製雪
の製造方法の実施例を説明するための図で、第３図ない
し第５図は断面図、第６図は斜視図である。 ２１・・・半導体発光素子基板、２２・・・Ｐ型領域、
２５・・・半導体受光素子基板、２６・・・Ｐ型領域、
３０・・・発光素子チップ、３１・・・受光素子チップ
、３２・・・樹脂部、３３−・ホトカブ２チツプ。 特許出願人 沖電気工業株式会社■か１名）第１図 第２図 ３ 第６図 手続補正書 昭和５６年１２ 月１６ 日 特許庁長官島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 許 願第 １０４９７２ 号２、斃
例の１称 牛導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２Ｇ）沖電
気工業株式会社 （なか１名）４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自
発）６、補正の対象 明細書０発＠０ｅｌｌな説明Ｏ欄
正面図゛、第３図ないし第６図はこの発明の半導体製雪
の製造方法の実施例を説明するための図で、第３図ない
し第５図は断面図、第６図は斜視図である。 ２１・・・半導体発光素子基板、２２・・・Ｐ型領域、
２５・・・半導体受光素子基板、２６・・・Ｐ型領域、
３０・・・発光素子チップ、３１・・・受光素子チップ
、３２・・・樹脂部、３３−・ホトカブ２チツプ。 特許出願人 沖電気工業株式会社■か１名）第１図 第２図 ３ 第６図 手続補正書 昭和５６年１２ 月１６ 日 特許庁長官島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 許 願第 １０４９７２ 号２、斃
例の１称 牛導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２Ｇ）沖電
気工業株式会社 （なか１名）４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自
発）６、補正の対象 明細書０発＠０ｅｌｌな説明Ｏ欄
Claims (2)
- （１）表面に複数の受光素子領域を有する第１の半導体
基板と表面に複数の発光素子領域を有する第２の半導体
基板とを準備する工程と、前記第１゜第２の半導体基板
の裏面間に絶縁性樹脂基板を配置し、かつ前記第１．第
２の半導体基板表面の受光素子領域と発光素子領域を整
合させた後、前記第１．第２の半導体基板を前記絶縁性
樹脂基板に固着させる工程と、前記第１．第２の半導体
基板および絶縁性樹脂基板を各基板の厚さ方向に切断す
ることによシ、前記受光素子領域を有する半導体チップ
、前記発光素子領域を有する半導体チップおよび樹脂部
からなる複数のホトカグラテツゾを形成する工程とを具
備してなる半導体装置の製造方法。 - （２）絶縁性樹脂基板はエポキシ樹脂′またはビスマレ
イミド−トリアジン樹脂からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104972A JPS587886A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104972A JPS587886A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587886A true JPS587886A (ja) | 1983-01-17 |
| JPS6259910B2 JPS6259910B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=14395010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104972A Granted JPS587886A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587886A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6392066A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-22 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 光電式結合装置とその製造方法 |
| US4888625A (en) * | 1986-09-30 | 1989-12-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic coupling element, and method of making same |
| JP2010182972A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Sony Corp | 半導体発光装置 |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
| EP3082170A2 (de) | 2015-04-17 | 2016-10-19 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Stapelförmiger optokopplerbaustein |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100988A (en) * | 1976-02-20 | 1977-08-24 | Fujitsu Ltd | Photoisolator |
| JPS5329091A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor photo coupler |
-
1981
- 1981-07-07 JP JP56104972A patent/JPS587886A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100988A (en) * | 1976-02-20 | 1977-08-24 | Fujitsu Ltd | Photoisolator |
| JPS5329091A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor photo coupler |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6392066A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-22 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 光電式結合装置とその製造方法 |
| US4888625A (en) * | 1986-09-30 | 1989-12-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic coupling element, and method of making same |
| JP2010182972A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Sony Corp | 半導体発光装置 |
| JP4674642B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-04-20 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
| EP3082170A2 (de) | 2015-04-17 | 2016-10-19 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Stapelförmiger optokopplerbaustein |
| EP3082169A1 (de) * | 2015-04-17 | 2016-10-19 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Stapelförmiger optokopplerbaustein |
| US10050169B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-08-14 | Azur Space Solar Power Gmbh | Stacked optocoupler component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259910B2 (ja) | 1987-12-14 |
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