JP2601426Y2 - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
- Publication number
- JP2601426Y2 JP2601426Y2 JP1992055054U JP5505492U JP2601426Y2 JP 2601426 Y2 JP2601426 Y2 JP 2601426Y2 JP 1992055054 U JP1992055054 U JP 1992055054U JP 5505492 U JP5505492 U JP 5505492U JP 2601426 Y2 JP2601426 Y2 JP 2601426Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- insulating film
- emitting element
- light emitting
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、入出力を光で伝達する
光結合装置（フォトカプラ）に関する。
光結合装置（フォトカプラ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光結合装置（フォトカプラ）に対
する市場の要望は著しく、特に透光性樹脂および遮光性
樹脂により二重モールドするデュアルインラインパッケ
ージ（ＤＩＰ）型光結合装置の普及率は上昇の一途であ
るが、電子部品の小型化、薄型化が進むにつれ、面実装
（ＳＭＤ）タイプの需要も加わり、小型のＳＭＤタイプ
が開発され普及しつつある。
する市場の要望は著しく、特に透光性樹脂および遮光性
樹脂により二重モールドするデュアルインラインパッケ
ージ（ＤＩＰ）型光結合装置の普及率は上昇の一途であ
るが、電子部品の小型化、薄型化が進むにつれ、面実装
（ＳＭＤ）タイプの需要も加わり、小型のＳＭＤタイプ
が開発され普及しつつある。
【０００３】しかしながら、前記の小型化、薄型化の要
望はさらに進んでいる。しかし、リードフレームを有し
ているため、その強度等を考慮すると寸法をある程度確
保しなければならず、ＳＭＤタイプの光結合装置の小型
化も限界に達している。
望はさらに進んでいる。しかし、リードフレームを有し
ているため、その強度等を考慮すると寸法をある程度確
保しなければならず、ＳＭＤタイプの光結合装置の小型
化も限界に達している。
【０００４】この流れに対して、リードレスカプラも開
発途上にあり、薄型化をさらに進めたフイルムキャリア
方式によるパッケージが望まれている。
発途上にあり、薄型化をさらに進めたフイルムキャリア
方式によるパッケージが望まれている。
【０００５】このフイルムキャリア方式を採用した光結
合装置の構造の一つに、図４の如く、透光性の絶縁フイ
ルム１（テープキャリア）の同一平面上に、発光素子で
ある赤外発光ダイオード２と受光素子であるフォトトラ
ンジスタ３とを夫々搭載する方式がある。
合装置の構造の一つに、図４の如く、透光性の絶縁フイ
ルム１（テープキャリア）の同一平面上に、発光素子で
ある赤外発光ダイオード２と受光素子であるフォトトラ
ンジスタ３とを夫々搭載する方式がある。
【０００６】発光素子２は、図５（ａ）の如く、上部電
極（アノード電極）４と裏面電極（カソード電極）５で
あるため面実装においてフイルムキャリアとは垂直方向
にレイアウトし、両電極共Ａｇペースト等で電気的機械
的接続を行う。受光素子３は、バンプ処理（図示せず）
を施したチップを面ボンディングする。このバンプに
は、Ａｕや半田を用いる。
極（アノード電極）４と裏面電極（カソード電極）５で
あるため面実装においてフイルムキャリアとは垂直方向
にレイアウトし、両電極共Ａｇペースト等で電気的機械
的接続を行う。受光素子３は、バンプ処理（図示せず）
を施したチップを面ボンディングする。このバンプに
は、Ａｕや半田を用いる。
【０００７】また、絶縁フイルム１のテープ材には、ポ
リイミド、ポリエステル、ガラスエポキシ等の樹脂材料
を用いる。この絶縁フイルム１上に形成する導体パター
ンの銅箔または圧延銅を利用しテープの穴抜き後、これ
にラミネートしエッチング処理にてパターニングを行な
う。
リイミド、ポリエステル、ガラスエポキシ等の樹脂材料
を用いる。この絶縁フイルム１上に形成する導体パター
ンの銅箔または圧延銅を利用しテープの穴抜き後、これ
にラミネートしエッチング処理にてパターニングを行な
う。
【０００８】そして、発光素子２及び受光素子３を搭載
した後、遮光性のモールド樹脂６によりモールドを行な
う。このモールド樹脂６は、集積回路（ＩＣ）のアッセ
ンブリ工程で使用されるエポキシ樹脂製の粒状物（Ｅペ
レット）等であり、熱で溶かしモールディングする。も
しくは、薄型における寸法精度を向上させるためにトラ
ンスファーモールド技術を用いてモールドする方法もあ
る。
した後、遮光性のモールド樹脂６によりモールドを行な
う。このモールド樹脂６は、集積回路（ＩＣ）のアッセ
ンブリ工程で使用されるエポキシ樹脂製の粒状物（Ｅペ
レット）等であり、熱で溶かしモールディングする。も
しくは、薄型における寸法精度を向上させるためにトラ
ンスファーモールド技術を用いてモールドする方法もあ
る。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】上記フイルムキャリア
方式の光結合装置において、図５（ｂ）の如く、発光素
子２はハンダペースト７により絶縁フイルム１上に搭載
され、遮光性樹脂（図示せず）により封止されるが、各
電極４，５を絶縁フイルム１上に垂直方向で取り付ける
為、図５（ａ）における発光素子２の右側面からの光８
ａは絶縁フイルム１の光パス経路に至るが、上記発光素
子２の左側面からの光８ｂ及びアノード電極面からの光
８ｃ，８ｄは、遮光性樹脂（図示せず）により遮光され
る為、光パス経路に至らず、輝度として寄与しなく、発
光素子２が発光する輝度の１／２〜１／３程度しか有効
利用できなかった。
方式の光結合装置において、図５（ｂ）の如く、発光素
子２はハンダペースト７により絶縁フイルム１上に搭載
され、遮光性樹脂（図示せず）により封止されるが、各
電極４，５を絶縁フイルム１上に垂直方向で取り付ける
為、図５（ａ）における発光素子２の右側面からの光８
ａは絶縁フイルム１の光パス経路に至るが、上記発光素
子２の左側面からの光８ｂ及びアノード電極面からの光
８ｃ，８ｄは、遮光性樹脂（図示せず）により遮光され
る為、光パス経路に至らず、輝度として寄与しなく、発
光素子２が発光する輝度の１／２〜１／３程度しか有効
利用できなかった。
【００１０】本考案は、上記問題点を解決することを目
的とするものである。
的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本考案の光結合装置は、
透光性の絶縁フイルムの上面に発光側導体パターン及び
受光側導体パターンが形成され、発光面が前記絶縁フイ
ルムの上面に対面するよう発光側導体パターンに発光素
子が搭載され、受光面が前記絶縁フイルムの上面に対面
するよう受光側導体パターンに受光素子が搭載され、前
記絶縁フイルムの下面に前記発光素子からの下方への光
を前記受光素子に反射させる反射膜が形成され、前記発
光素子及び受光素子が遮光性樹脂により封止されて成
り、前記発光素子と前記受光素子とが光学的に結合する
よう構成される光結合装置において、前記発光素子と遮
光性樹脂間に透光性樹脂が介在されて成ると共に、前記
絶縁フィルムの外周部分に外乱光防止用スリットが設け
られていることを特徴とするものである。
透光性の絶縁フイルムの上面に発光側導体パターン及び
受光側導体パターンが形成され、発光面が前記絶縁フイ
ルムの上面に対面するよう発光側導体パターンに発光素
子が搭載され、受光面が前記絶縁フイルムの上面に対面
するよう受光側導体パターンに受光素子が搭載され、前
記絶縁フイルムの下面に前記発光素子からの下方への光
を前記受光素子に反射させる反射膜が形成され、前記発
光素子及び受光素子が遮光性樹脂により封止されて成
り、前記発光素子と前記受光素子とが光学的に結合する
よう構成される光結合装置において、前記発光素子と遮
光性樹脂間に透光性樹脂が介在されて成ると共に、前記
絶縁フィルムの外周部分に外乱光防止用スリットが設け
られていることを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】発光素子を透光性樹脂により一次モールドした
後に、前記発光素子及び受光素子を遮光性樹脂で二次モ
ールドしたことにより、発光素子からの光は、直接又は
透光性樹脂を透過、遮光性樹脂で反射したものが絶縁フ
イルムに集結され、光効率が従来の光結合装置に比べ
１．５〜２倍の輝度を有することができる。さらに、絶
縁フィルムの外周部分に外乱光防止用スリットが設けら
れているので、外乱光が受発光間の光路に侵入するのを
防止することができる。
後に、前記発光素子及び受光素子を遮光性樹脂で二次モ
ールドしたことにより、発光素子からの光は、直接又は
透光性樹脂を透過、遮光性樹脂で反射したものが絶縁フ
イルムに集結され、光効率が従来の光結合装置に比べ
１．５〜２倍の輝度を有することができる。さらに、絶
縁フィルムの外周部分に外乱光防止用スリットが設けら
れているので、外乱光が受発光間の光路に侵入するのを
防止することができる。
【００１３】
【実施例】図１は本考案の一実施例を示す光結合装置の
縦断面図であり、図２は同光結合装置の平面図であり、
図３は図１の部分拡大図である。
縦断面図であり、図２は同光結合装置の平面図であり、
図３は図１の部分拡大図である。
【００１４】図１〜３の如く、本実施例の光結合装置
は、絶縁フイルム１１内に光路をとって発光素子１２と
受光素子１３とを光学的に結合するフイルムキャリア方
式のものである。すなわち、本実施例の光結合装置は、
絶縁フイルム１１の上面に発光側導体パターン１４およ
び受光側導体パターン１５が形成され、前記発光素子１
２は、その発光面が前記絶縁フイルム１１の上面に対面
するよう発光側導体パターン１４に搭載され、前記受光
素子１３は、その受光面が前記絶縁フイルム１１の上面
に対面するよう受光側導体パターン１５に搭載されたも
のである。
は、絶縁フイルム１１内に光路をとって発光素子１２と
受光素子１３とを光学的に結合するフイルムキャリア方
式のものである。すなわち、本実施例の光結合装置は、
絶縁フイルム１１の上面に発光側導体パターン１４およ
び受光側導体パターン１５が形成され、前記発光素子１
２は、その発光面が前記絶縁フイルム１１の上面に対面
するよう発光側導体パターン１４に搭載され、前記受光
素子１３は、その受光面が前記絶縁フイルム１１の上面
に対面するよう受光側導体パターン１５に搭載されたも
のである。
【００１５】前記絶縁フイルム１１は、透光性でかつ耐
熱性に優れたポリイミド樹脂が使用され、複数のデバイ
ス用のものが帯状に連なった状態で製造工程に給せられ
る。該絶縁フイルム１１の下面には、発光素子１２から
の下方への光を受光素子１３に反射させる反射膜１６が
形成されている。該反射膜１６は、前記両導体パターン
１４，１５と同一材料である銅箔が使用され、図１，３
の如く、少なくとも受発光間の光路形成領域Ｌａの全面
に配されている。
熱性に優れたポリイミド樹脂が使用され、複数のデバイ
ス用のものが帯状に連なった状態で製造工程に給せられ
る。該絶縁フイルム１１の下面には、発光素子１２から
の下方への光を受光素子１３に反射させる反射膜１６が
形成されている。該反射膜１６は、前記両導体パターン
１４，１５と同一材料である銅箔が使用され、図１，３
の如く、少なくとも受発光間の光路形成領域Ｌａの全面
に配されている。
【００１６】前記銅箔には半田メッキが施されており、
これは面実装を行う受光素子１３上に半田バンプを形成
しているのでこの半田同士で電気的機械的接続を行うた
めのものである。
これは面実装を行う受光素子１３上に半田バンプを形成
しているのでこの半田同士で電気的機械的接続を行うた
めのものである。
【００１７】また、該絶縁フイルム１１の外周部には、
外乱光が絶縁フイルム１１の厚み方向を伝って受発光間
の光路に進入するのを防止するためのスリット１７が窄
設されている。
外乱光が絶縁フイルム１１の厚み方向を伝って受発光間
の光路に進入するのを防止するためのスリット１７が窄
設されている。
【００１８】このような絶縁フイルム１１上に、発光素
子１２である赤外発光ダイオードチップをダイボンドす
る。発光素子１２は上面と裏面に電極が有り、これを絶
縁フイルム１１に対して垂直方向にした状態で絶縁フイ
ルム１１上に載置し、Ａｇペーストで電気的に接続し、
Ａｇペースト硬化のために高温放置を行う。
子１２である赤外発光ダイオードチップをダイボンドす
る。発光素子１２は上面と裏面に電極が有り、これを絶
縁フイルム１１に対して垂直方向にした状態で絶縁フイ
ルム１１上に載置し、Ａｇペーストで電気的に接続し、
Ａｇペースト硬化のために高温放置を行う。
【００１９】次に、受光素子１３であるフォトトランジ
スタチップについてフェイスダウンボンディングを行な
う。受光素子１３の電極は半田バンプ処理を施してあ
り、絶縁フイルム１１の裏面からヒーターヘッドで熱を
加え、半田同士を接続するものである。
スタチップについてフェイスダウンボンディングを行な
う。受光素子１３の電極は半田バンプ処理を施してあ
り、絶縁フイルム１１の裏面からヒーターヘッドで熱を
加え、半田同士を接続するものである。
【００２０】このようにして発光素子１２および受光素
子１３を絶縁フイルム１１上に組立てたのち、発光素子
１２に透光性樹脂シリコン１８をディスペンサーにて一
次モールドし、１５０℃，２時間の熱硬化工程を行な
う。次に、一次モールドされた発光素子１２及び受光素
子１３を遮光性樹脂１９を用いて二次モールドを行な
う。ここで、遮光性樹脂１９は、薄型を目的として寸法
精度を高めるためトランスファモールドを行なう。
子１３を絶縁フイルム１１上に組立てたのち、発光素子
１２に透光性樹脂シリコン１８をディスペンサーにて一
次モールドし、１５０℃，２時間の熱硬化工程を行な
う。次に、一次モールドされた発光素子１２及び受光素
子１３を遮光性樹脂１９を用いて二次モールドを行な
う。ここで、遮光性樹脂１９は、薄型を目的として寸法
精度を高めるためトランスファモールドを行なう。
【００２１】このように、発光素子１２を透光性樹脂１
８により一次モールドした後に前記発光素子１２及び受
光素子１３を遮光性樹脂１９で二次モールドしたことに
より、従来の光結合装置と比べ、光効率は１．５〜２倍
の輝度を有することができる。
８により一次モールドした後に前記発光素子１２及び受
光素子１３を遮光性樹脂１９で二次モールドしたことに
より、従来の光結合装置と比べ、光効率は１．５〜２倍
の輝度を有することができる。
【００２２】
【考案の効果】以上のように本考案によれば、光結合装
置において、発光素子を透光性樹脂により一次モールド
した後に、前記発光素子及び受光素子を遮光性樹脂で二
次モールドしたことにより、発光素子からの光は、直接
又は透光性樹脂を透過、遮光性樹脂で反射したものが絶
縁フイルムに集結され、光効率が従来の光結合装置に比
べ１．５〜２倍の輝度を有することができる。さらに、
絶縁フィルムの外周部分に外乱光防止用スリットが設け
られているので、外乱光が受発光間の光路に侵入するの
を防止することができる。
置において、発光素子を透光性樹脂により一次モールド
した後に、前記発光素子及び受光素子を遮光性樹脂で二
次モールドしたことにより、発光素子からの光は、直接
又は透光性樹脂を透過、遮光性樹脂で反射したものが絶
縁フイルムに集結され、光効率が従来の光結合装置に比
べ１．５〜２倍の輝度を有することができる。さらに、
絶縁フィルムの外周部分に外乱光防止用スリットが設け
られているので、外乱光が受発光間の光路に侵入するの
を防止することができる。
【図１】本考案の一実施例を示す光結合装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す実施例の平面図である。
【図３】図１に示す実施例の部分拡大図である。
【図４】従来の光結合装置の断面図である。
【図５】発光素子の構造図（ａ）及び絶縁フイルム接続
図（ｂ）である。
図（ｂ）である。
１１ 絶縁フイルム １２ 発光素子 １３ 受光素子 １４ 発光側導体パターン １５ 受光側導体パターン １６ 反射膜 １８ 透光性樹脂 １９ 遮光性樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性の絶縁フイルムの上面に発光側導
体パターン及び受光側導体パターンが形成され、発光面
が前記絶縁フイルムの上面に対面するよう発光側導体パ
ターンに発光素子が搭載され、受光面が前記絶縁フイル
ムの上面に対面するよう受光側導体パターンに受光素子
が搭載され、前記絶縁フイルムの下面に前記発光素子か
らの下方への光を前記受光素子に反射させる反射膜が形
成され、前記発光素子及び受光素子が遮光性樹脂により
封止されて成り、前記発光素子と前記受光素子とが光学
的に結合するよう構成される光結合装置において、前記
発光素子と遮光性樹脂間に透光性樹脂が介在されて成る
と共に、前記絶縁フィルムの外周部分に外乱光防止用ス
リットが設けられていることを特徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992055054U JP2601426Y2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992055054U JP2601426Y2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 光結合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0617258U JPH0617258U (ja) | 1994-03-04 |
| JP2601426Y2 true JP2601426Y2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=12987972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992055054U Expired - Lifetime JP2601426Y2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601426Y2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP1992055054U patent/JP2601426Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617258U (ja) | 1994-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |