JP2002110893A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
を接合している接合部材に対する応力の集中を緩和した
半導体装置を提供する。 【解決手段】 各半導体チップ1、2の表面1a、2
aにEヒートシンク3が半田4により接合され、裏面1
b、2bに第2の導体部材5が半田4により接合され、
Eヒートシンク3の表面3aに第3の導体部材6が半田
4により接合されている。Eヒートシンク3には段差部
3cが設けられて薄肉部3dが形成されており、Eヒー
トシンク3と各半導体チップ1、2との接合面積よりE
ヒートシンク3と第3の導体部材6との接合面積が小さ
くなっている。第2の導体部材5の裏面5bと第3の導
体部材6の表面6aとが露出した状態で、各部材1〜8
が樹脂封止されている。
Description
面が導体部材と電気的に接続された構成を有する半導体
装置に関する。
裏両面に電流を流す構成の半導体装置として、図6に示
す概略断面図のような構成が考えられる。図6に示すよ
うに、半導体チップ101の素子形成面(表面)101
aには第1の導体部材102が配置され、表面101a
とは反対の面(裏面)101bには第2の導体部材10
3が配置されている。また、第1の導体部材102にお
ける半導体チップ101が配置された面102bとは反
対側の面102aには第3の導体部材104が配置され
ている。この第1の導体部材102は四角柱形状になっ
ている。
04は、半導体チップ101からの放熱を行うと同時に
半導体チップ101との電気的な経路となっている。従
って、放熱性を確保し電気抵抗を小さくするために、半
導体チップ101と第1〜第3の導体部材102〜10
4とは半田等の電気伝導性及び熱伝導性を有する接合部
材105により接合されている。なお、第1の導体部材
が四角柱形状であるため、半導体チップと第1の導体部
材との接合面積と第1の導体部材と第3の導体部材との
接合面積とはほぼ同じになっている。
制御用端子106とボンディングワイヤ107により電
気的に接続されている。また、第2及び第3の導体部材
103、104のうちの半導体チップ101又は第1の
導体部材102と接合されている面とは反対側の面10
3b、104aが露出するようにして、半導体チップ1
01、第1〜第3の導体部材102〜104、制御用端
子106及びボンディングワイヤ107が封止部材10
8により封止されている。そして、第2及び第3の導体
部材103、104のうちの封止部材108から露出し
た部位を冷却部材などに当接させて半導体チップ101
からの放熱を促進するようにする。
半導体チップ101はSi(シリコン)からなるものを
用い、第1〜第3の導体部材102〜104としてはC
u(銅)を主成分とする金属等を用い、封止部材108
としては樹脂を用いており、これらのSi、Cu(Cu
合金)及び樹脂は熱膨張率が異なる。そのため、半導体
装置が冷熱サイクルに曝された場合、各部材101〜1
04、108の変形量が異なることから各部材101〜
104、108の変形が部材同士で追従できない。
104と封止部材108との界面において第1〜第3の
導体部材102〜104と封止部材108との密着性が
劣化する。特に、半導体装置の外表面における第3の導
体部材104と封止部材108との界面からクラックが
入り易く、このクラックが各部材を接合している接合部
材105にまで達してしまう。
材を接合している部位においてクラックが進展し易く、
また、第1の導体部材102は四角柱形状であり剛性が
大きいため、半導体チップ101と第1の導体部材10
2とを接合している接合部材105にクラックが生じ易
い。
部材102とを接合している接合部材105にクラック
が生じると、半導体チップ101から第1〜第3の導体
部材102〜104への熱伝導が阻害されて放熱性が劣
化し半導体チップ101が熱破壊し易くなる。
が不足する。図7は、−40℃と125℃の環境下に半
導体装置を各60分間曝す冷熱サイクル試験を行った結
果である。横軸は冷熱サイクルのサイクル数であり、縦
軸は第3の導体部材104と制御用端子106との間の
電気抵抗を測定し、初期値を基準とした電気抵抗の変化
率で示したものである。
的に変化し、1000サイクル程度で急激に大きくなっ
ている。つまり、1000サイクル程度で、半導体チッ
プ101と第3の導体部材104との間の接合部材10
5にクラックが進展したことを示している。
導体部材102と接合している側には多数の素子が形成
されているため、接合部材105にクラックが生じるこ
とにより以下のような不具合が生じる。
T(Insulated Gate Bipolar Transistor)チップを用
いた場合の半導体装置の部分拡大図を図8に示す。図8
に示すように、半導体チップ101の表面101a側に
は多数(例えば、数万個)のセル(トランジスタ単位)
109a、109bが形成され、ゲート電極110が形
成されている。また、半導体チップ101の表面101
aのうち、セル109a、109b及びゲート電極11
0上にはAl電極111が形成され、Al電極111は
接合部材105を介して第1の導体部材102と接合さ
れている。
2とを接続している接合部材105のうち周辺部に熱応
力が集中し易いため、接合部材105の周辺部にクラッ
ク112が形成され中央部はクラック112が形成され
ていない状態となる。
ている複数のセル109a、109bのうち、周辺部に
配置されているセル(以下、周辺セルという)109a
は、クラック112が形成されている部位の接合部材1
05を介して第1の導体部材102と電気的に接続され
た状態となる。
図8の矢印Ic1に示す経路となり、クラック112によ
り膜厚5μm程度のアルミ電極111を介してクラック
112を迂回する電流経路が形成され、その導通抵抗R
Alが発生する。一方、中央部に配置されているセル(以
下、中央セルという)109bを流れる電流は図8の矢
印Ic2で示される経路となる。この場合の半導体装置の
等価回路は図9のように示される。なお、図9では、黒
丸間が周辺セルの電気経路を示し白丸間が中央セルの電
気経路を示している。
流と電圧が図10に示す特性を有していることから、周
辺セル(図10中黒丸で示す)109aでは図9に示し
た抵抗RAlにより電流が減少し、中央セル(図10中白
丸で示す)109bでは周辺セル109aの分だけ電流
が増大する。その結果、中央セル109bでは電流が増
大するほど電圧が小さくなるため更に電流が増大し、周
辺セル109aでは電流が減少するほど電圧が大きくな
るため更に電流が減少する。
し、接合部材105にクラックが形成されていない場合
と比較して半導体チップ101に流れる電流が少ない状
態で中央セル109bが熱破壊し易くなってしまう。す
なわち、クラックの進展によりIcの電流を数万個のセ
ルで分担していたものが、数千個のセルで分担すると該
セルの発熱密度が大きくなり、少ないIcの電流で熱破
壊してしまうのである。
因する半導体チップと導体部材とを接合している接合部
材に対する応力の集中を緩和した半導体装置を提供する
ことを目的とする。
め、請求項1に記載の発明では、半導体チップ(1、
2)と、半導体チップの素子形成面(1a、2a)に電
気伝導性を有する第1の接合部材(4)を介して接合さ
れた第1の導体部材(3)と、半導体チップの素子形成
面とは反対側の面(1b、2b)に電気伝導性を有する
第2の接合部材(4)を介して接合された第2の導体部
材(5)と、第1の導体部材における半導体チップが接
合された面(3b)とは反対側の面(3a)に電気伝導
性を有する第3の接合部材(4)を介して接合された第
3の導体部材(6)と、半導体チップ、第1の導体部
材、第2の導体部材における半導体チップと接合してい
る面(5a)、及び第3の導体部材における第1の導体
部材と接合している面(6b)を封止する封止部材
(9)とを有し、第1の導体部材と第3の導体部材との
接合面積が、第1の導体部材と半導体チップとの接合面
積よりも小さくなっていることを特徴としている。
材はその接合面積が小さいほど接合力が小さくなる。そ
のため、第1の導体部材が四角柱形状である場合と比較
して、半導体チップと第1の導体部材とを接合している
第1の接合部材よりも第1の導体部材と第3の導体部材
とを接合している第3の接合部材にクラックを発生し易
くすることができ、熱応力を第3の接合部材によって緩
和することができる。その結果、熱応力に起因する半導
体チップと導体部材(第1の導体部材)とを接合してい
る接合部材(第1の接合部材)に対する応力の集中を緩
和することができる。
1の導体部材に対して、封止部材の外周と対向している
部位に段差部(3c)を設け、この段差部によりこの部
位において薄肉部(3d)が形成されていることを特徴
としている。
が低下するため、半導体装置が冷熱サイクルに曝された
際に、この薄肉部が封止部材の変形に追従して熱応力を
吸収することができる。そのため、熱応力に起因する半
導体チップと第1の導体部材とを接合している接合部材
(第1の接合部材)に対する応力の集中を緩和すること
ができる。
項5に記載の発明のように、段差部を第1の導体部材の
うち封止部材と接触している部位に設けても良い。
的には、請求項6に記載の発明のように、第1の導体部
材を、段差部によって第3の導体部材側に突出した形状
を成しており、半導体チップ側に薄肉部が配置されるよ
うにすることができる。
〜6の発明において、第1の導体部材と半導体チップと
の接合面積が、半導体チップの素子形成面に形成された
電極と略同じ大きさであることを特徴としている。
形成された電極の外側に第1の導体部材と接触したくな
い部位が存在しても、好適に半導体チップと第1の導体
部材とを接合することができる。
〜7の発明において、第1の導体部材の外表面のうち、
封止部材と接触している部位が酸化されていることを特
徴としている。
と、封止部材との密着性を向上させることができる。そ
の結果、熱応力に起因する封止部材の変形と第1の導体
部材の変形とが追従し、半導体チップと導体部材とを接
合している接合部材に対する応力の集中を緩和すること
ができる。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
実施形態について説明する。図1は本実施形態の半導体
装置の概略断面図である。図1に示すように、本実施形
態では半導体チップとしてIGBTが形成された半導体
チップ(以下、IGBTチップと略す)1とFWD(フ
ライホイールダイオード)が形成された半導体チップ
(FWDチップ)2とを用いている。これらの半導体チ
ップ1、2は主としてSiからなり、厚みは0.5mm
程度である。
ち、IGBTチップ1の素子形成面側の面を表面1a、
2aといい、表面1a、2aとは反対側の面を裏面1
b、2bという。図示しないが、IGBTチップ1の表
面1aにはエミッタ電極が形成されており裏面1bには
コレクタ電極が形成されている。
は、第1の導体部材としてのヒートシンク(以下、Eヒ
ートシンクという)3の裏面3bが電気伝導性を有する
接合部材(第1の接合部材)としての半田4を介して接
合されている。このEヒートシンク3のうち、IGBT
チップ1とEヒートシンク3との接合面積は、IGBT
チップ1のエミッタ電極と略同じ大きさになっている。
可能な限り大きな面積で接合し、且つIGBTチップ1
のエミッタ電極の外側に形成されEヒートシンク3とは
電気的に接続したくない部位とは接合されないようにす
ることを示す。
グ等のエミッタ電極と同電位にすると不具合を生じる部
位が存在するため、この部位をEヒートシンク3と接触
するとEヒートシンク3を介してエミッタ電極と同電位
になってしまう。従って、IGBTチップ1とEヒート
シンク3との接合面積をIGBTチップ1のエミッタ電
極と略同じ大きさにすることにより、好適にIGBTチ
ップ1とEヒートシンク3とを接合することができる。
2bには、第2の接合部材としての半田4を介して第2
の導体部材5の表面5aが接合(電気的に接続)されて
いる。また、Eヒートシンク3の裏面3bとは反対側の
面である表面3aには、第3の接合部材としての半田4
を介して第3の導体部材6の裏面6bが接合(電気的に
接続)されている。
材5、6としては電気伝導性を有する金属部材を用いる
ことができる。本実施形態ではEヒートシンク3として
Cuを用いており、第2及び第3の導体部材5、6とし
てCu合金を用いている。
材である。Eヒートシンク3は板状の部材であり、後述
の様に封止部材で封止した際に封止部材と接触している
部位に段差部3cが設けられている。
3は第3の導体部材6側に突出した形状を成しており、
各半導体チップ1、2側に半導体チップ1の厚み方向に
厚みが薄くなっている薄肉部3dが配置されるようにな
っている。また、Eヒートシンク3と第3の導体部材6
との接合面積が各半導体チップ1、2とEヒートシンク
3との接合面積よりも小さくなっている。
ップ1、2及び第3の導体部材6と接合されている部分
には、半田4の濡れ性を良くするためにNiメッキ等の
表面処理が施されおり、それ以外の外表面、つまり後述
の封止部材と接触している部位は酸化されている。ま
た、第2及び第3の導体部材5、6の外表面は全面がN
iメッキされている。なお、第2及び第3の導体部材
5、6及びEヒートシンク3の最も厚い部位の厚みは1
mm程度となっている。また、薄肉部の厚みは0.4m
m程度となっている。
たランド(図示せず)とリードフレームに繋がっている
制御用端子7とがボンディングワイヤ8を介して電気的
に接続されている。
シンク3、第2の導体部材5の表面5a、第3の導体部
材6の裏面6b、ボンディングワイヤ8、及び制御用端
子7の一部が一括して封止部材としての樹脂9により封
止されている。この樹脂9としては、例えばエポキシ系
モールド樹脂を用いることができる。これにより、第2
の導体部材5の裏面5bと第3の導体部材6の表面6
a、及び制御用端子7の一部が露出した状態で各部材1
〜8が封止された構成となっている。
が構成されている。この半導体装置では、各半導体チッ
プ1、2からの発熱を熱伝導性にも優れた半田4を介し
てEヒートシンク3と第2及び第3の導体部材5、6に
伝え、第2の導体部材5の裏面5b及び第3の導体部材
6の表面6aから放熱を行うことができるようになって
いる。
3の導体部材6の表面6aに冷却部材等を当接させて、
更に放熱を促すようにすることができる。また、Eヒー
トシンク3と第2及び第3の導体部材5、6は各半導体
チップ1、2との電気的な経路となっている。つまり、
第2の導体部材5を介してIGBTチップ1のコレクタ
電極との導通を図り、第3の導体部材6及びEヒートシ
ンク3を介してIGBTチップ1のエミッタ電極との導
通を図るようになっている。
半導体チップ1、2の表面1a、2aと接合しているE
ヒートシンク3に段差部3cを設け薄肉部3dを形成し
ている。この薄肉部3dでは剛性が低くなるため、半導
体装置を冷熱サイクルに曝した際に、薄肉部3dが周囲
の樹脂9の変形に追従して熱応力を吸収することができ
る。従って、熱応力に起因する半導体チップ1、2とE
ヒートシンク3とを接合している半田4に対する応力の
集中を緩和することができる。
ど接合力が小さくなる。そのため、Eヒートシンクが四
角柱形状である半導体装置と比較して、本実施形態で
は、各半導体チップ1、2とEヒートシンク3との接合
面積よりもEヒートシンク3と第3の導体部材6との接
合面積を小さくすることにより、Eヒートシンク3と第
3の導体部材6とを接合している半田4にクラックを発
生し易くすることができる。
Eヒートシンク3と第3の導体部材6とを接合している
半田4にクラックを発生させて熱応力を緩和し、各半導
体チップ1、2とEヒートシンク3とを接合している半
田4に加わる熱応力を低減することができる。
6とを接合している半田4に応力が集中してクラックが
発生しても、Eヒートシンク3と第3の導体部材6とは
共にCuを主成分とするため、冷熱サイクルによる変形
が近似しており、この半田4にクラックが進展していく
程度は低い。また、クラックが進展しても、Eヒートシ
ンク3と第3の導体部材6とは接合面全体で1つの電流
経路となっており、局所的又は全体的に抵抗性分が大き
くならないため重大な不具合は生じない。
触する部位が酸化されているため樹脂9との密着性を向
上させることができる。その結果、熱応力に起因した樹
脂9の変形とEヒートシンク3の変形とが追従し、半導
体チップ1、2とEヒートシンク3とを接合している半
田4に対する応力の集中を緩和することができる。
u合金の表面をNiメッキした方が高いため、第2及び
第3の導体部材5、6の表面は酸化されておらずNiメ
ッキされている。
ヒートシンク3とを接合している半田4に対する熱応力
の集中を抑制することができるため、この半田4にクラ
ックが達することを抑制することができる。従って、上
記課題で述べたようなIGBTチップ1の表面(素子形
成面)1a側に形成された複数のセルのうち、中央セル
に電流集中することを抑制することができ、セルの破壊
を低減することができる。
けることにより、段差部を設けず四角柱形状のものを用
いる場合よりも、半導体装置の表面における第3の導体
部材6と樹脂9との界面から各半導体チップ1、2とE
ヒートシンク3との接合部までの延面距離を大きくする
ことができる。そのため、第3の導体部材6と樹脂9と
の界面で発生したクラックが各半導体チップ1、2とE
ヒートシンク3との接合部まで達するのを遅らせること
ができる。
構成の半導体装置を用いて上記課題で述べ図7で結果を
示した冷熱サイクル試験を行ったところ、サイクル数が
2000回程度においても抵抗変化率が急激に大きくな
ることはなく、図6に示す構成の半導体装置よりも回数
の多い冷熱サイクルに耐え得ることを確認した。
ついて、本製造方法を概略断面にて示す工程図である図
2を参照して述べる。まず、第2及び第3の導体部材
5、6を板状のCu合金部材等からパンチング等により
形成する。その後、第2及び第3の導体部材5、6の外
表面全面にNiメッキを施す。
板状のCu部材を用意する。そして、このCu部材の表
裏両面にNiメッキを施す。その後、パンチング等によ
り、Niメッキを施したCu部材からEヒートシンク3
の大きさのCu部材を形成する。そして、このCu部材
をプレスすることによりEヒートシンク3の段差部3c
を形成しEヒートシンク3が完成する。
うち各半導体チップ1、2及び第3の導体部材6と接合
する部位はNiメッキが施され、それ以外の部位は、パ
ンチングによりメッキされていない部位が露出し、プレ
スによりメッキが剥がれた状態となる。
5の表面5a上に半田4を介して各半導体チップ1、2
を接合する。次に、各半導体チップ1、2の表面1a、
2a上に半田4を介してEヒートシンク3を接合する。
体部材5及びEヒートシンク3との接合に用いられる半
田4は、比較的融点の高いものを用いており、例えば、
Sn(錫)10wt%、Pb(鉛)90wt%よりなる
融点が320℃である半田(以下、高温半田という)4
を用いることができる。これにより図2(a)に示す状
態となり、このものをワーク10とする。
体部材6の裏面6bを上にして治具11上に搭載し、第
3の導体部材6の裏面6bの所望の位置に半田4を配設
し、上記図2(a)に示すワーク10を裏返しにして第
3の導体部材6上に搭載する。この第3の導体部材6と
各半導体チップ1、2との間の半田4は、上記高温半田
4よりも融点の低いものを用いている。例えば、Snが
90wt%以上含有されてなり融点が240℃のものを
用いることができる。以下、この半田4を低温半田とい
う。
板状の重り12を載せる。また、治具11には第2及び
第3の導体部材5、6間の距離を規定するために一定の
高さを持ったスペーサ13が備えられている。この状態
が図2(b)に示す状態である。そして、この状態で加
熱炉等に入れ、低温半田4のみをリフローさせる。
圧され、図2(c)に示すように、低温半田4が押しつ
ぶされ、第3の導体部材6の裏面6bと第2の導体部材
5の表面5aとの距離がスペーサ13の高さになる。こ
れにより、第2の導体部材5と第3の導体部材6の平行
度が調整される。
ンク3とを位置合わせ、つまりIGBTチップ1のエミ
ッタ電極のみとEヒートシンク3とが接合するようにし
た状態で高温半田4により接合し、Eヒートシンク3と
第3の導体部材6とは低温半田4により接合している。
そのため、第3の導体部材6を接合する際に高温半田4
が溶融することはないため、好適に各半導体チップ1、
2とEヒートシンク3との接合位置を維持することがで
きる。
が、各々320℃、240℃である場合、低温半田4の
リフロー温度を250℃にすると好適である。
プ1と制御用端子7とをボンディングワイヤ8により電
気的に接続し、各部材1〜8を上記図1に示すように樹
脂封止する。この樹脂封止は、180℃程度の樹脂9を
各部材間に注入するため、その際に、Eヒートシンク3
のうち各半導体チップ1、2及び第3の導体部材6と接
合されておらずCuが露出している部位が酸化される。
このようにして半導体装置が完成する。
メッキを施す場合は、半導体チップと第3の導体部材と
の間に配置する形状にEヒートシンクを成形した後に、
Eヒートシンクをメッキ装置に入れてEヒートシンクの
外表面にメッキを施すと考えられる。従って、この場合
にはEヒートシンクの外表面全面にメッキが施されるこ
とになる。そのため、Eヒートシンクに配設される半田
は、半導体チップや第3の導体部材との接合部位以外の
部位にも容易に塗れ広がることができる状態になる。
度と非常に薄いため、低温半田4と高温半田4が近接し
て配置されることになる。そして、NiメッキがEヒー
トシンク3の全面に施されていると、低温半田4と高温
半田4が所望の部位以外の部位に濡れ広がり、低温半田
4と高温半田4が混合する場合がある。その結果、低温
半田4よりも更に融点の低い共晶半田が形成され、各部
材1〜8を樹脂封止する際に樹脂9の温度(例えば18
0℃程度)により半田(共晶半田)4が溶融してしまう
場合がある。
ンク3のうち各半導体チップ1、2及び第3の導体部材
6と接合している部位のみNiメッキを施しており、低
温半田4と高温半田4とがCuの酸化面を挟んで配置さ
れた状態となる。Cuの酸化面と半田4との濡れ性は低
いため、高温半田4或は低温半田4が所望の接合部以外
の部位に濡れ広がり、高温半田4と低温半田4が混合す
ることを抑制することができる。
としては半田を用いる例について示したが、Agペース
ト等を用いることができる。また、各接合部材として必
ずしも同一のものを用いなくても良い。
の概略断面図を図3に示す。本実施形態は、第1実施形
態と比較して第3の導体部材6の形状が異なる。以下、
主として第1実施形態と異なる部分について述べ、図3
中図1と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。
面6a側に段差部6cが形成されている。そして、この
段差部6cが樹脂9で覆われて封止されている。これに
より、半導体装置の表面における第3の導体部材6と樹
脂9との界面から各半導体チップ1、2とEヒートシン
ク3との接合部までの延面距離を、第1実施形態の半導
体装置よりも更に大きくすることができる。その結果、
各半導体チップ1、2とEヒートシンク3とを接合して
いる半田4にクラックが生じることを更に抑制できる。
樹脂9により覆われている部位を大きくするほど延面距
離を大きくすることができるが、第3の導体部材6の露
出面積が小さくなると放熱性が劣化する。従って、放熱
性を劣化しない程度に樹脂9で覆うようにする。
体装置の概略断面図を示す。本実施形態は、第1実施形
態と比較して各半導体チップ1、2と第2の導体部材5
との間に導体部材を配置している点が異なる。以下、主
として第1実施形態と異なる部分について述べ、図4中
図1と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。
の裏面1b、2b側において、各半導体チップ1、2と
第2の導体部材5とに挟まれて導体部材であるコレクタ
ヒートシンク(以下、Cヒートシンクという)14が配
置されている。Cヒートシンク14は各半導体チップ
1、2の厚み方向に垂直な方向の面積が、各半導体チッ
プ1、2の同じ方向の面積とほぼ同じになっている。
2側の面(以下、表面という)14aと各半導体チップ
1、2の裏面1b、2bとが半田4を介して接合されて
いる。また、Cヒートシンク14の表面14aとは反対
側の面である裏面14bが第2の導体部材5の表面5a
と半田4を介して接合されている。
が大きい場合が多く第2の導体部材5がたわむ可能性が
ある。また、樹脂9の封入は樹脂9の漏れを防ぐために
第2の導体部材5の裏面5bと第3の導体部材6の表面
6aとを相当な圧力で挟んだ状態で行う。そのため、第
2の導体部材5上に各半導体チップ1、2が配置されて
いる状態で第2の導体部材5がたわんで各半導体チップ
1、2と形状が合わなくなると、樹脂9を封入する際に
第2の導体部材5と第3の導体部材6を挟む圧力によ
り、各半導体チップ1、2が機械的に破壊される可能性
がある。
裏面1b、2b側にCヒートシンク14を配置してお
り、Cヒートシンク14は第2の導体部材5よりも小さ
いため第2の導体部材5よりもたわみを抑制できる。従
って、上記第1実施形態の効果に加えて、各半導体チッ
プ1、2が機械的に破壊されることを抑制することがで
きる。
材6の表面6aに段差部6cを設けてその段差部6cに
樹脂9を充填するようにした構成においても、Cヒート
シンク14を配置するようにしても良い。
ヒートシンク3のうち各半導体チップ1、2側に薄肉部
3dを設けたが、図5の半導体装置の概略断面図に示す
ように、第3の導体部材6側に薄肉部3dを設ける構成
にしても良い。
クが四角柱形状である場合と比較して、剛性の低い薄肉
部3dにおいて熱応力を吸収して各半導体チップ1、2
とEヒートシンク3との接合部の半田4に熱応力が集中
することを緩和することができる。
ク3に対して樹脂9と接触している部位全体に段差部3
cを設けた。しかし、半導体チップ1、2とEヒートシ
ンク3とを接合している半田4に対しては、樹脂9の外
周側から中心に向けてクラックが進展しようとするた
め、樹脂9の外周と対向している部位のみに段差部3c
を設けるようにしても良い。
と第3の導体部材6とを取り囲んでいる部位の外周であ
り、図1等において、樹脂9が露出している面のうち各
半導体チップ1、2の厚み方向と略平行な面に相当す
る。
る。
である。
る。
る。
る。
図である。
果を示す図である。
る。
特性を示す図である。
プ(半導体チップ)、3…Eヒートシンク(第1の導体
部材)、3c…段差部、3d…薄肉部、4…半田(接合
部材)、5…第2の導体部材、6…第3の導体部材、1
a、2a、3a、5a、6a…各部材の表面、1b、2
b、3b、5b、6b…各部材の裏面、9…封止部材。
Claims (8)
- 【請求項1】 半導体チップ(1、2)と、 前記半導体チップの素子形成面(1a、2a)に電気伝
導性を有する第1の接合部材(4)を介して接合された
第1の導体部材(3)と、 前記半導体チップの素子形成面とは反対側の面(1b、
2b)に電気伝導性を有する第2の接合部材(4)を介
して接合された第2の導体部材(5)と、 前記第1の導体部材における前記半導体チップが接合さ
れた面(3b)とは反対側の面(3a)に電気伝導性を
有する第3の接合部材(4)を介して接合された第3の
導体部材(6)と、 前記半導体チップ、前記第1の導体部材、前記第2の導
体部材における前記半導体チップと接合している面(5
a)、及び前記第3の導体部材における前記第1の導体
部材と接合している面(6b)を封止する封止部材
(9)とを有し、 前記第1の導体部材と前記第3の導体部材との接合面積
が、前記第1の導体部材と前記半導体チップとの接合面
積よりも小さくなっていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項2】 前記第1の導体部材には、前記封止部材
の外周と対向している部位に段差部(3c)が設けら
れ、この段差部により前記部位において薄肉部(3d)
が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半
導体装置。 - 【請求項3】 半導体チップ(1、2)と、 前記半導体チップの素子形成面(1a、2a)に電気伝
導性を有する接合部材(4)を介して接合された第1の
導体部材(3)と、 前記半導体チップの素子形成面とは反対側の面(1b、
2b)に電気的に接続された第2の導体部材(5)と、 前記第1の導体部材における前記半導体チップが接合さ
れた面(3b)とは反対側の面(3a)に電気的に接続
された第3の導体部材(6)と、 前記半導体チップ、前記第1の導体部材、前記第2の導
体部材における前記半導体チップと電気的に接続してい
る面(5a)、及び前記第3の導体部材における前記第
1の導体部材と電気的に接続している面(6b)を封止
する封止部材(9)とを有し、 前記第1の導体部材のうち前記封止部材の外周と対向し
ている部位に段差部(3c)が設けられ、この段差部に
より前記部位において薄肉部(3d)が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 半導体チップ(1、2)と、 前記半導体チップの素子形成面(1a、2a)に電気伝
導性を有する第1の接合部材(4)を介して接合された
第1の導体部材(3)と、 前記半導体チップの素子形成面とは反対側の面(1b、
2b)に電気伝導性を有する第2の接合部材(4)を介
して接合された第2の導体部材(5)と、 前記第1の導体部材における前記半導体チップが接合さ
れた面(3b)とは反対側の面(3a)に電気伝導性を
有する第3の接合部材(4)を介して接合された第3の
導体部材(6)と、 前記半導体チップ、前記第1の導体部材、前記第2の導
体部材における前記半導体チップと接合している面(5
a)、及び前記第3の導体部材における前記第1の導体
部材と接合している面(6b)を封止する封止部材
(9)とを有し、 前記第1の導体部材のうち前記封止部材の外周と対向し
ている部位に段差部(3c)が設けられ、この段差部に
より前記部位において薄肉部(3d)が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 前記段差部は、前記第1の導体部材のう
ち前記封止部材と接触している部位に設けられているこ
とを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1つに記載の
半導体装置。 - 【請求項6】 前記第1の導体部材は、前記段差部によ
って前記第3の導体部材側に突出した形状を成してお
り、前記半導体チップ側に前記薄肉部が配置されるよう
になっていることを特徴とする請求項2乃至5のいずれ
か1つに記載の半導体装置。 - 【請求項7】 前記第1の導体部材と前記半導体チップ
との接合面積が、前記半導体チップの素子形成面に形成
された電極と略同じ大きさであることを特徴とする請求
項1乃至6のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 【請求項8】 前記第1の導体部材の外表面のうち、前
記封止部材と接触している部位が酸化されていることを
特徴とする請求項1乃至7のいずれか1つに記載の半導
体装置。
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