DE10066442B4 - Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur Download PDF

Info

Publication number
DE10066442B4
DE10066442B4 DE10066442A DE10066442A DE10066442B4 DE 10066442 B4 DE10066442 B4 DE 10066442B4 DE 10066442 A DE10066442 A DE 10066442A DE 10066442 A DE10066442 A DE 10066442A DE 10066442 B4 DE10066442 B4 DE 10066442B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductive
semiconductor chip
component
conductive member
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10066442A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuniaki Mamitsu
Yasuyoshi Hirai
Kazuhito Nomura
Yutaka Fukuda
Kazuo Kajimoto
Takeshi Miyajima
Tomoatsu Makino
Yoshimi Nakase
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP33312499A external-priority patent/JP3596388B2/ja
Priority claimed from JP33311999A external-priority patent/JP3525832B2/ja
Priority claimed from JP2000088579A external-priority patent/JP3614079B2/ja
Priority claimed from JP2000097911A external-priority patent/JP3630070B2/ja
Priority claimed from JP2000097912A external-priority patent/JP3620399B2/ja
Priority claimed from JP2000305228A external-priority patent/JP3601432B2/ja
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE10066442B4 publication Critical patent/DE10066442B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29116—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0101—Neon [Ne]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01084—Polonium [Po]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01094—Plutonium [Pu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0494—4th Group
    • H01L2924/04941—TiN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Eine Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleiterchip (301, 302), der eine Elementausbildungsoberfläche (301a, 302a) und eine Rückenoberfläche (301b, 302b) hat; einem ersten leitfähigen Bauteil (303), welches mit der Elementausbildungsoberfläche des Halbleiterchips über ein erstes Verbindungsbauteil (304-1) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; einem zweiten leitfähigen Bauteil (305), welches mit der Rückenoberfläche des Halbleiterchips über ein zweites Verbindungsbauteil (304-2) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; und einem dritten leitfähigen Bauteil (306), welches mit dem ersten leitfähigen Bauteil über ein drittes Verbindungsbauteil (304-3) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat, wobei die Verbindung an einer dem Halbleiterchip gegenüberliegenden Seite des ersten leitfähigen Bauteils (303) erfolgt, wobei ein Verbindungsbereich zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil (303) und dem dritten leitfähigen Bauteil (306) kleiner als derjenige zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil (303) und dem Halbleiterchip (301, 302) ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einer Abstrahlungsstruktur. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Halbleitervorrichtung, bei der Wärme an beiden Seiten eines hierin aufgenommenen Halbleiterchips abgestrahlt wird.
  • Halbleitervorrichtungen der in Frage stehenden Art sind. z. B. aus der US 4 196 442 A oder der WO 98/43 301 A1 bekannt.
  • Weiterhin offenbart die JP 6-291 223 A ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung, bei der Hitze oder Wärme an beiden Seiten oder von beiden Seiten eines Halbleiterchips abgestrahlt wird. Die 1A bis 1C zeigen diese Halbleitervorrichtung. Gemäß diesen Figuren schließt ein Paar von Abstrahlungsbauteilen J2 und J3 mehrere Halbleiterchips J1 zwischen sich ein, wobei die Abstrahlungsbauteile thermisch und elektrisch mit den Halbleiterchips J1 verbunden sind. Die Anzahl von Halbleiterchips J1, die in einer Ebene angeordnet sind, und die Abstrahlungsbauteile J2 und J3 sind mit einem Kunststoff oder Kunstharz J5 eingegossen oder gekapselt.
  • Jedes der Abstrahlungsbauteile J2 und J3 dient als eine Elektrode und hat eine Oberfläche, welche frei von dem Kunstharz J5 an einer gegenüberliegenden Seite der Fläche ist, welche die Halbleiterchips J1 kontaktiert. Jedes der Abstrahlungsbauteile J2 und J3 führt die Abstrahlung von Wärme dadurch aus, dass die freiliegende Oberfläche einen Kontaktkörper (nicht gezeigt) berühren kann, der eine Abstrahlungswirkung durchführen kann. Ein Steueranschluss J4, der mit einer Steuerelektrode der Halbleiterchips J1 verbunden ist, steht zur Außenseite des Kunstharzes J5 vor.
  • Für die Abstrahlungsbauteile J2 und J3 wird entweder W (Wolfram) oder Mo (Molybdän) verwendet, da diese Materialien einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten haben, der annähernd gleich demjenigen der Halbleiterchips J1 ist. Das Abstrahlungsbauteil J2, welches mit den Oberflächen der Halbleiterchips J1 verbunden ist, an denen die Steuerelektrode ausgebildet ist, ist eine Emitterelektrode, und das Abstrahlungsbauteil J3, welches mit den Oberflächen der Halbleiterchips J1 an der gegenüberliegenden Seite der Steuerelektrode verbunden ist, ist eine Kollektorelektrode.
  • Eine Mehrzahl von Lötkissen J7 steht von einer isolierenden Platte J6 vor, welche mittig eine Durchgangsbohrung hat, in welche das Abstrahlungsbauteil J2 als Emitterelektrode vorragt. Die Lötkissen J7 sind mit Bondierungskissen verbunden, welche in Mustern auf den jeweiligen Halbleiterchips J1 vorhanden sind, die auf dem Abstrahlungsbauteil J3 als die Kollektorelektrode angeordnet sind.
  • Wenn die Abstrahlungsbauteile J2 und J3, welche auch als Elektroden dienen, aus einem Metall gefertigt sind, beispielsweise W oder Mo mit linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten annähernd gleich demjenigen der Halbleiterchips J1, welche aus Si (Silizium) sind, haben diese Metalle bezüglich ihrer elektrischen Leitfähigkeit ungefähr ein Drittel von derjenigen von Cu (Kupfer) oder Al (Aluminium) und die thermische Leitfähigkeit beträgt ungefähr ein Drittel bis zwei Drittel hiervon. Somit verursacht unter Berücksichtigung der Umstände, dass wachsender Bedarf für einen hohen Stromfluss im Halbleitchip besteht, die Verwendung von W oder Mo als Abstrahlungsbauteil und gleichzeitig als Elektrode viele Probleme.
  • Weiterhin wird allgemein ein größerer Chip notwendig, um einen größeren Strom aufnehmen zu können. Es gibt jedoch viele technologische Probleme, die Chipgröße zu erhöhen, und es ist leichter, eine Mehrzahl kleinerer Chips herzustellen und diese zu einer Packung oder einem Gehäuse zusammenzufassen.
  • In der Technik, wie sie in der oben genannten Veröffentlichung offenbart ist, sind die mehreren Halbleiterchips J1 in der Halbleitervorrichtung ausgebildet. Da jedoch gemäß 1A das Abstrahlungsbauteil J2 eine einfache rechteckförmige Gestalt hat und in der Mitte der Vorrichtung angeordnet ist, ist die Anordnung unterschiedlicher Halbleiterchips in einer Vorrichtung eingeschränkt. Mit anderen Worten, wenn sich die Halbleiterchips voneinander beispielsweise in der Dicke unterscheiden, ist es schwierig, die eine Emitterelektrode mit ihrer einfachen Form mit allen unterschiedlichen Halbleiterchips zu verbinden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde angesichts der obigen Probleme im Stand der Technik gemacht. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es demnach, die Abstrahlungseigenschaft und die elektrische Leitfähigkeit einer Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen zu verbessern, welche thermisch und elektrisch mit den beiden Flächen eines hierin aufgenommenen Halbleiterchips verbunden sind. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung so auszugestalten, dass hierin problemlos mehrere unterschiedliche Halbleiterchips aufgenommen werden können.
  • Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die im Anspruch 1 bzw. 8 angegebenen Merkmale.
  • Weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung bzw. vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungsformen hiervon sind in den jeweiligen Unteransprüchen angegeben.
  • Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich besser aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen hiervon unter Bezugnahme auf die Zeichnung.
  • Es zeigt:
  • 1A schematisch eine Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik;
  • 1B eine Schnittdarstellung durch die Halbleitervorrichtung von 1A entlang der dortigen Linie IB-IB;
  • 1C eine Schnittdarstellung durch die Halbleitervorrichtung von 1A entlang der dortigen Linie IC-IC;
  • 2 eine Schnittdarstellung durch eine Halbleitervorrichtung einer ersten bevorzugten Ausführungsform;
  • 3A bis 3C Schnittdarstellungen zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens der Halbleitervorrichtung von 2;
  • 4 eine Schnittdarstellung durch eine Halbleitervorrichtung einer zweiten bevorzugten Ausführungsform;
  • 5 eine Schnittdarstellung durch eine Halbleitervorrichtung einer dritten bevorzugten Ausführungsform; und
  • 6 eine Schnittdarstellung zur Veranschaulichung einer Halbleitervorrichtung als Modifikation der ersten Ausführungsform;
  • <Erste Ausführungsform>
  • Eine erste bevorzugte Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 2 erläutert. Halbleiterchips, welche in dieser Ausführungsform verwendet werden, sind ein Halbleiterchip, in welchem ein IGBT ausgebildet ist (IGBT-Chip) 301, und ein Halbleiterchip, in welchem eine FWD gebildet ist (FWD-Chip) 302. Die Halbleiterchips 301 und 302 bestehen hauptsächlich aus Silizium und haben eine Dicke von ungefähr 0,5 mm. In den Halbleiterchips 301 und 302 sind die Oberflächen mit ausgebildeten Elementen als Hauptoberflächen 301a und 302a bezeichnet und die gegenüberliegenden Oberflächen werden als Rückenoberflächen 301b und 302b bezeichnet. Auf der Hauptoberfläche 301a des IGBT-Chips 301 ist eine Emitterelektrode ausgebildet und auf der Rückenoberfläche 301b des IGBT-Chips 301 ist eine Kollektorelektrode ausgebildet, obgleich diese Elektroden in der Zeichnung nicht dargestellt sind.
  • An die Hauptoberflächen 301a und 302a der Halbleiterchips 301 und 302 sind Rückenoberflächen 303b von Wärmesenken (E-Wärmesenken; ”E” steht für ”Emitter”) 303 als erste leitfähige Bauteile über ein Lot 304-1 als erstes Verbindungsbauteil mit elektrischer Leitfähigkeit angeheftet. In den E-Wärmesenken 303 ist eine Verbindungsfläche zwischen dem IGBT-Chip 301 und der E-Wärmesenke 303 annähernd gleich der Fläche der Emitterelektrode des IGBT-Chips 301. Infolgedessen kann die E-Wärmesenke 303 die Emitterelektrode in einem Bereich so groß wie möglich kontaktieren und ist daran gehindert, einen Umfangsabschnitt der Emitterelektrode zu kontaktieren.
  • Auf der Hauptoberfläche 301a des IGBT-Chips 301 besteht ein Bereich, beispielsweise ein Schutzring, der ein Problem verursachen kann, wenn er auf gleichem Potential mit der Emitterelektrode liegt. Wenn die Wärmesenke 303 diesen Bereich berührt, hätte dieser Bereich das gleiche Potential wie die Emitterelektrode über die Wärmesenke 303. Von daher wird der Kontaktbereich des IGBT 301 und der E-Wärmesenke 303 annähernd gleich dem Bereich der Emitterelektrode des IGBT-Chips 301 gemacht. Infolgedessen kann die E-Wärmesenke 303 an den IGBT-Chip 301 ohne irgendwelche Probleme angeheftet werden.
  • An die Rückenoberflächen 301b und 302b der Halbleiterchips 301 und 302 ist eine Hauptoberfläche 305a eines zweiten leitfähigen Bauteiles 305 über ein Lot 304-2 als zweites Verbindungsbauteil angeheftet (elektrisch verbunden). An die Hauptoberflächen 303a der Wärmesenken 303 gegenüber den Rückenoberflächen 303b wird eine Rückenoberfläche 306b eines dritten leitfähigen Bauteiles 306 über ein Lot 304-3 als drittes Verbindungsbauteil angeheftet (elektrisch verbunden).
  • Die E-Wärmesenken 303 und die zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 können aus metallischen Bauteilen mit elektrischer Leitfähigkeit gemacht werden In dieser Ausführungsform sind die E-Wärmesenken 303 aus Cu (Kupfer) und die zweiten und dritten Bauteile 305 und 306 sind aus einer Kupferlegierung. Die zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 sind plattenförmig. Die E-Wärmesenken 303 sind ebenfalls plattenförmige Bauteile, haben jedoch abgestufte Bereiche 303c, wie noch beschrieben wird.
  • Jede der E-Wärmesenken 303 ist so gebildet, dass sie in Richtung des dritten leitfähigen Bauteiles 306 über den Stufenabschnitt 303c vorsteht, und hat einen dünnen Abschnitt oder Bereich 303d an der Seite der Halbleiterchips 301 und 302. Der dünne Abschnitt 303d ist in Dickenrichtung des Halbleiterchips 301 gedünnt. Infolgedessen ist in jeder der E-Wärmesenken 303 der Verbindungsbereich zwischen der E-Wärmesenke 303 und dem dritten leitfähigen Bauteil 306 geringer als zwischen der E-Wärmesenke 303 und dem Halbleiterchip 301 oder 302.
  • An den Oberflächenabschnitten der E-Wärmesenken 303, wo diese an den entsprechenden Halbleiterchips 301 und 302 und den dritten leitfähigen Bauteilen 306 angeheftet werden, erfolgt eine Oberflächenbehandlung, beispielsweise eine Plattierung mit Ni (Nickel), um die Benetzbarkeit mit dem Lot 304 zu verbessern. Die anderen äußeren Oberflächen der E-Wärmesenken 303 für einen Kontakt mit einem zu beschreibenden Abdichtbauteil werden oxidiert. Die zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 sind an ihren gesamten äußeren Oberflächen mit Ni plattiert. In den zweiten und dritten leitfähigen Bauteilen 305 und 306 und den E-Wärmesenken 303 beträgt die Dicke im dicksten Bereich ungefähr 1 mm und die Dicke im dünnen Bereich ungefähr 0,4 mm.
  • Ein Kontakt- oder Anschlusspunkt (nicht gezeigt) ist auf der Hauptoberfläche des IGBT-Chips 301 ausgebildet und mit einem Steueranschluss 307 eines Leiterrahmens über einen Bondierungsdraht 308 elektrisch in Verbindung. Sodann werden die Halbleiterchips 301 und 302, die E-Wärmesenken 303, die Hauptoberfläche 305a des zweiten leitfähigen Bauteils 305, die Rückenoberfläche 306b des dritten leitfähigen Bauteils 306 und ein Teil des Steueranschlusses 307 einstückig mit Harz oder Kunststoff 309 als Versiegelungsbauteil eingegossen. Als Harz 309 kann beispielsweise ein Gießharz auf Epoxybasis verwendet werden. Infolgedessen sind die Bauteile 301 bis 308 einstückig oder im Block eingegossen, wobei die Rückenoberfläche 305b des zweiten leitfähigen Bauteils 305, die Hauptoberfläche 306a des dritten leitfähigen Bauteils 306 und ein Teil des Steueranschlusses 307 aus dem Kunstharz 309 herausragen.
  • Auf diese Weise wird die Halbleitervorrichtung dieser Ausführungsform hergestellt. In dieser Halbleitervorrichtung wird von Halbleiterchips 301 und 302 erzeugte Wärme in E-Wärmesenken 303 übertragen und dann über die Verbindungsbauteile 304-2 bzw. 304-3 an die zweiten bzw. dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 und dann von der Rückenoberfläche 305b des zweiten leitfähigen Bauteiles 305 und der Hauptoberfläche 306a des dritten leitfähigen Bauteiles 306 abgestrahlt.
  • Wenn Kühlbauteile (Kühlrippen oder dergleichen) vorhanden sind, um an der Rückenoberfläche 305b des zweiten leitfähigen Bauteiles 305 und der Hauptoberfläche 306a des dritten leitfähigen Bauteiles 306 anzuliegen, kann die Wärmeabstrahlung noch weiter erleichtert oder verbessert werden. Hierbei bilden die E-Wärmesenken 303 und die zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 elektrische Pfade für die jeweiligen Halbleiterchips 301 und 302. Genauer gesagt, die elektrische Verbindung mit der Kollektorelektrode des IGBT-Chips 301 erfolgt über das zweite leitfähige Bauteil 305, während die elektrische Verbindung mit der Emitterelektrode des IGBT-Chips 301 über das dritte leitfähige Bauteil 306 und die E-Wärmesenke 303 erfolgt.
  • Wie oben erläutert, hat in dieser Ausführungsform jede der E-Wärmesenken 303, welche an den Oberflächen 301a und 302a der Halbleiterchips 301 und 302 angeheftet ist, den abgestuften Abschnitt 303c und infolgedessen den dünnen Abschnitt 303d. Da der dünne Abschnitt 303d eine geringe Steifigkeit hat, kann der dünne Abschnitt 303d einer Verformung des Kunstharzes 309, von welchem er umgeben ist, folgen und thermische Belastungen aufnehmen, wenn die Halbleitervorrichtung Temperaturschwankungen unterworfen wird. Eine Belastungskonzentration an dem Lot 304-1, welches die Halbleiterchips 301 und 302 und die E-Wärmesenken 303 miteinander verbindet, kann somit aufgefangen oder verteilt werden.
  • Allgemein gesagt, je kleiner die Lötfläche eines Lotes ist, umso kleiner wird die Verbindungsfestigkeit des Lotes. Von daher ist jeder der E-Wärmesenken 303 der Verbindungsbereich mit dem dritten leitfähigen Bauteil 306 kleiner gemacht als derjenige mit dem Halbleiterchip 301 ode 302. Infolgedessen werden Risse wahrscheinlich im Lot 304-3 erzeugt, welches die E-Wärmesenke 303 und das dritte leitfähige Bauteil 306 verbindet.
  • Dies hat zur Folge, dass, wenn thermische Belastungen anwachsen, Risse zunächst in dem Lot 304-3 erzeugt werden, welches die E-Wärmesenke 303 und das dritte leitfähige Bauteil 306 verbindet, so dass die thermischen Belastungen aufgefangen oder abgeschwächt werden, und somit lassen sich thermische Belastungen, welche auf das Lot 304-1 einwirken, welche die E-Wärmesenke 303 und den Halbleiterchip 301 oder 302 verbinden, verringern.
  • Selbst wenn somit Risse im Lot 304-3 erzeugt werden, welches die E-Wärmesenke 303 und das dritte leitfähige Bauteil 306 verbindet, gleichen sich diejenigen Verformungen, welche durch Temperaturschwankungen verursacht werden, aneinander an, dass sowohl die E-Wärmesenke 303 als auch das dritte leitfähige Bauteil 306 als Hauptkomponente Kupfer enthalten, und Risse pflanzen sich in dem Lot 304-3 nicht wesentlich fort. Selbst wenn sich die Risse fortpflanzen, treten keine wesentlichen Probleme auf, da der Strompfad durch die gesamte Verbindungsoberfläche zwischen der E-Wärmesenke 303 und dem dritten leitfähigen Bauteil 306 gebildet ist.
  • Da weiterhin die Oberflächenabschnitte der E-Wärmesenke 303 für einen Kontakt mit dem Harz 309 oxidiert hat, kann die Anhaftung mit dem Harz 309 verbessert werden. Im Ergebnis gleichen sich die Verformung des Harzes 309 aufgrund thermischer Belastungen und die Verformung der E-Wärmesenke 303 aneinander an, und Belastungskonzentrationen im Lot 304-1 zwischen der E-Wärmesenke 303 und dem Halbleiterchip 301 oder 302 lassen sich auffangen oder abschwächen. Durch Plattieren der Kupferlegierung mit Nickel kann die Anhaftung zwischen der Kupferlegierung und dem Harz 309 verbessert werden. Somit werden die Oberflächen der zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 mit Nickel plattiert und nicht oxidiert.
  • Thermische Belastungskonzentrationen auf das Lot 304-1, welches die Halbleiterchips 301 und 302 und die E-Wärmesenken 303 verbindet, können unterdrückt werden, so dass Risse daran gehindert werden können, dieses Lot 304-1 zu erreichen. Auch wenn mehrere Zellen in der Hauptoberfläche (Elementausbildungsoberfläche) 301a des IGBT-Chips 301 gebildet werden, wird eine Stromkonzentration auf einer Zelle im Mittelpunkt vermieden und Bruch der Zelle wird verhindert.
  • Da weiterhin jede der E-Wärmesenken 303 den Stufenabschnitt 303c hat, wird im Vergleich zu einem Fall einer prismenförmigen Wärmesenke ohne Stufe eine Kriechdistanz von der Schnittstelle zwischen dem dritten leitfähigen Bauteil 306 und dem Harz 309 zum Verbindungsabschnitt zwischen dem Halbleiterchip 301 oder 302 und der E-Wärmesenke 303 lang. Aufgrund hiervon kann vermieden oder unterbunden werden, dass Risse an der Schnittstelle zwischen dem dritten leitfähigen Bauteil 306 und dem Harz 309 den Verbindungsbereich zwischen dem Halbleiterchip und der E-Wärmesenke 303 erreichen.
  • Was die Halbleitervorrichtung gemäß der beschriebenen Ausführungsform betrifft, so wurde ein thermischer Schockzyklustest durchgeführt, bei dem die Halbleitervorrichtung Umgebungen von –40°C und 125°C jeweils für 60 Minuten ausgesetzt wurde, ein Widerstand zwischen dem dritten leitfähigen Bauteil 306 und dem Steueranschluss 307 gemessen wurde und eine Änderungsrate des Widerstandes unter Verwendung eines Ausgangswertes als Referenz berechnet wurde. Es bestätigte sich, dass die Änderungsrate im Widerstandswert sich auch bei 200 Zyklen nicht wesentlich erhöht hatte. Es wurde weiterhin bestätigt, dass die Änderungsrate im Widerstandswert der Halbleitervorrichtung dieser Ausführungsform im Vergleich zu einem Fall gering war, in welchem die Wärmesenke keinen Stufenabschnitt hatte.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung der beschriebenen Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 3A bis 3C beschrieben. Zunächst werden die zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 aus Platten einer Kupferlegierung oder dergleichen beispielsweise durch Stanzen gefertigt. Danach werden die gesamten äußeren Oberflächen der zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 mit Nickel plattiert.
  • Sodann werden Kupferplatten zur Bildung der E-Wärmesenken 303 vorbereitet. Sowohl an der Hauptoberfläche als auch den Rückenoberflächen einer jeden Kupferplatte wird eine Nickelplattierung durchgeführt. Sodann werden Kupferbauteile mit einer Größe entsprechend den E-Wärmesenken 303 aus den mit Nickel plattierten Kupferplatten durch Stanzen oder dergleichen gebildet. Sodann wird jedes der Kupferbauteile einem Pressvorgang unterworfen, um den Stufenabschnitt 303c zu erhalten. Danach sind die E-Wärmesenken 303 fertig. Jede dieser E-Wärmesenken 303 hat Abschnitte, welche mit Nickel plattiert sind, um eine Anhaftung an dem Halbleiterchip 301 oder 302 und an das dritte leitfähige Bauteil 306 zu haben, und Abschnitte, welche durch das Stanzen freigelegt wurden und nicht mit Nickel plattiert sind. An den freiliegenden Abschnitten wird die Plattierung durch den Pressvorgang wieder abgelöst.
  • Wie in 3A gezeigt, werden die Halbleiterchips 301 und 302 an die Hauptoberfläche 305a des zweiten leitfähigen Bauteiles 305 über das als zweites Verbindungsbauteil fungierende Lot 304-2 angeheftet. Sodann werden die E-Wärmesenken 303 an die entsprechenden Halbleiterchips 301 und 302 über das als erstes Verbindungsbauteil fungierende Lot 304-1 angeheftet. Das Lot 304, welches zum Anheften oder Verbinden der Halbleiterchips 301 und 302 und des zweiten leitfähigen Bauteiles 305 und der E-Wärmesenken 303 verwendet wird, hat einen relativ hohen Schmelzpunkt. Beispielsweise kann ein Lot bestehend aus 10 Gew.-% Sn (Zinn) und 90 Gew.-% Pb (Blei) mit einem Schmelzpunkt von 320°C (Hochtemperaturlot) als Lot 304 verwendet werden. Es wird der Zustand gemäß 3A erreicht oder erhalten, der als Werkstück 310 bezeichnet wird.
  • Nachfolgend wird gemäß 3B das dritte leitfähige Bauteil 306 auf eine Lehre 311 gesetzt, wobei die Rückenoberfläche 306b nach oben weist, und das als drittes Verbindungsbauteil fungierende Lot 304-3 wird auf die gewünschten Bereiche der Rückenoberfläche 306b aufgebracht. Sodann wird das Werkstück 301 von 3A umgedreht und auf das dritte leitfähige Bauteil 306 gesetzt. Das Lot 304-3 zwischen dem dritten leitfähigen Bauteil 306 und den Halbleiterchips 301 und 302 hat einen Schmelzpunkt unter demjenigen des Hochtemperaturlots, welches oben beschrieben wurde. Beispielsweise kann das Lot Sn mit 90 Gew.-% oder mehr enthalten und einen Schmelzpunkt von 240°C haben. Dieses Lot wird nachfolgend als Niedertemperaturlot bezeichnet.
  • Weiterhin wird ein plattenförmiges Gewicht 312 auf der Rückenoberfläche 305b des zweiten leitförmigen Bauteiles 305 angeordnet. Hierbei hat die Lehre 311 einen Abstandshalter 313 bestimmter Höhe zum Festlegen des Abstandes zwischen den zweiten und dritten leitfähigen Bauteilen 305 und 306. Dieser Zustand ist in 3C gezeigt. In diesem Zustand wird die Anordnung in einen Heizofen gebracht und ein Reflow-Vorgang wird nur bis zur Temperatur des Niedertemperaturlotes 304-3 durchgeführt. Im Ergebnis wird das Werkstück 310 durch das Gewicht 312 niedergedrückt und gemäß 3C wird das Niedertemperaturlot 304-3 gequetscht, so dass der Abstand zwischen der Rückenoberfläche 306b des dritten leitfähigen Bauteiles 306 der Hauptoberfläche 305a des zweiten leitfähigen Bauteiles 305 der Höhe des Abstandshalters 313 entspricht. Hierdurch kann der Grad der Parallelität zwischen den zweiten und dritten leitfähigen Bauteilen 305 und 306 eingestellt werden.
  • Weiterhin sind die E-Wärmesenken 303 mit den jeweiligen Halbleiterchips 301 und 302 in einem Zustand verbunden, in welchem die E-Wärmesenke 303 nur die Emitterelektrode auf dem IGBT-Chip 301 durch das Hochtemperaturlot 304-1 kontaktiert, und sind mit dem dritten leitfähigen Bauteil 306 über das Niedertemperaturlot 304-3 in Verbindung. Wenn daher die Wärmesenken 303 mit dem dritten leitfähigen Bauteil 306 verbunden werden, schmilzt das Hochtemperaturlot 304-1 nicht und die Verbindungspositionen der E-Wärmesenken 303 mit den Halbleiterchips 301 und 302 können beibehalten werden. Wenn die Schmelzpunkte des Hochtemperaturlotes 304-1 und des Niedertemperaturlotes 304-3 auf jeweils 320°C bzw. 240°C gesetzt werden, beträgt die Reflow-Temperatur des Niedertemperaturlotes 304-3 bevorzugt 250°C.
  • Danach werden, obgleich nicht gezeigt, der Steueranschluss 307 und der IGBT-Chip 301 miteinander über den Bondierungsdraht 308 elektrisch verbunden, und die Bauteile 301 bis 308 werden mit Kunststoff oder Harz 309 eingegossen, wie in 2 gezeigt. Dieses Eingießen in Kunstharz oder Kunststoff wird durch Einspritzen des Kunststoffes 309 mit einer Temperatur von ungefähr 180°C in die Räume durchgeführt, welche zwischen und um die Bauteile 301 bis 308 vorliegen. Die Oberflächenabschnitte der E-Wärmesenken 303, welche aus Kupfer sind und nicht mit entweder den Halbleiterchips 301 und 302 oder dem dritten leitfähigen Bauteil 306 in Verbindung steht, werden oxidiert. Danach ist die Halbleitervorrichtung fertig.
  • Allgemein gesagt, wenn eine Nickelplattierung an der E-Wärmesenke durchgeführt wird, wonach die E-Wärmesenke in eine Form gebracht wird, dass sie zwischen den Halbleiterchip und das dritte leitfähige Bauteil gebracht werden kann, wird die E-Wärmesenke in eine Plattierungsmaschine gebracht und die gesamte Fläche der äußeren Oberfläche der E-Wärmesenke wird plattiert. Von daher kann das auf der E-Wärmesenke angeordnete Lot leicht benetzen und sich in andere Bereiche ausdehnen, welche nicht die Verbindungsabschnitte mit dem Halbleiterchip und dem dritten leitfähigen Bauteil sind.
  • Zusätzlich beträgt die Dicke der E-Wärmesenke 303 wenig, d. h. ungefähr 1 mm, und das Niedertemperaturlot 304-3 und das Hochtemperaturlot 304-1 sind nahe beieinander angeordnet. Wenn die Nickelplattierung auf der gesamten äußeren Oberfläche der E-Wärmesenke 303 durchgeführt wird, ergibt sich ein Fall, bei dem das Niedertemperaturlot 304-3 und das Hochtemperaturlot 304-1 miteinander vermischen. Im Ergebnis könnte sich ein eutektisches Lot mit einem Schmelzpunkt weitaus niedriger als vom Niedertemperaturlot 304-3 bilden, welches bei einer Temperatur von beispielsweise 180° aufschmilzt, bei der die Bauteile 301 bis 308 mit dem Kunststoff 309 eingegossen werden.
  • Um dies zu vermeiden, wird in der beschriebenen Ausführungsform die Nickelplattierung nur an den Abschnitten der E-Wärmesenke 303 durchgeführt, wo diese mit dem Halbleiterchip 301 oder 302 und dem dritten leitfähigen Bauteil 306 verbunden wird. Das Niedertemperaturlot 304-3 und das Hochtemperaturlot 304-1 sind mit der oxidierten Oberfläche von Kupfer dazwischen angeordnet. Da die Benetzbarkeit der oxidierten Oberfläche von Kupfer mit dem Lot 304 niedrig ist, verlaufen das Hochtemperaturlot 304-1 und das Niedertemperaturlot 304-3 nicht in andere Bereiche als die Verbindungsbereiche und vermischen sich nicht miteinander. Obgleich Lot als Verbindungsbauteil (erste bis dritte Verbindungsbauteile) in dieser Ausführungsform verwendet wird, kann auch alternativ eine Silberpaste oder dergleichen verwendet werden. Die Verbindungsbauteile müssen auch nicht immer zueinander identisches Material haben.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • 4 zeigt eine Halbleitervorrichtung einer zweiten bevorzugten Ausführungsform. Die zweite Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform in der Form des dritten leitfähigen Bauteils 306. Nachfolgend werden zur ersten Ausführungsform unterschiedliche Abschnitte näher erläutert. In 4 haben gleiche Teile wie in 2 gleiche Bezugszeichen und eine nochmalige detaillierte Erläuterung erfolgt nicht.
  • Gemäß 4 ist ein Stufenabschnitt 306c an der Hauptoberfläche 306a des dritten leitfähigen Bauteils 306 ausgebildet. Dieser Stufenabschnitt 306c wird mit dem Harz 309 zur Versiegelung abgedeckt. Somit können Kriechabstände von der Schnittstelle zwischen dem Harz 309 und dem dritten leitfähigen Bauteil 306 zu den Verbindungsabschnitten der E-Wärmesenken 303 mit den Halbleiterchips 301 und 302 zur Oberfläche der Halbleitervorrichtung weiter im Vergleich zu der ersten Ausführungsform erhöht werden. Im Ergebnis werden Risse noch stärker daran gehindert, sich in dem Lot 304-1 auszubilden, welches die Halbleiterchips 301 und 302 und die E-Wärmesenken 303 verbindet.
  • Die Kriechabstände können noch weiter erhöht werden, wenn der mit Harz 309 auf der Oberfläche 306a des dritten leitfähigen Bauteiles 306 bedeckte Bereich vergrößert wird. Der vergrößerte Bereich des dritten leitfähigen Bauteiles 306 verschlechtert jedoch die Abstrahlungseigenschaften. Von daher sollte das dritte leitfähige Bauteil 306 mit dem Harz 309 bis zu einem Grad bedeckt sein, der die Abstrahlungseigenschaften nicht verschlechtert.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • 5 zeigt eine Halbleitervorrichtung einer dritten bevorzugten Ausführungsform. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dahingehend, dass leitfähige Bauteile zwischen die entsprechenden Halbleiterchips 301 und 302 und das zweite leitfähige Bauteil 305 gesetzt sind. Nachfolgend werden Teile beschrieben, welche unterschiedlich zur ersten Ausführungsform sind. In 5 haben gleiche Teile wie in 2 gleiche Bezugszeichen.
  • Gemäß 5 sind Kollektorwärmesenken (C-Wärmesenken) 314 zwischen dem zweiten leitfähigen Bauteil 305 und den Halbleiterchips 301 und 302 auf den Seiten der Rückenoberflächen 301b und 302b der Halbleiterchips 301 und 302 angeordnet. Die C-Wärmesenken 314 haben Bereiche oder Flächen annähernd gleich der entsprechenden Halbleiterchips 301 und 302 in einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung der Halbleiterchips 301 und 302.
  • Genauer gesagt, Oberflächen (Hauptoberflächen) 314a der C-Wärmesenken 314 sind jeweils an den Rückenoberflächen 301b und 302b der Halbleiterchips 301 und 302 durch das Lot 304-1 angeheftet. Rückenoberflächen 314b der C-Wärmesenken 314 sind an die Hauptoberfläche 305a der zweiten leitfähigen Bauteile 305 über das Lot 304-2 angeheftet.
  • Das zweite leitfähige Bauteil 305 hat bezogen auf seine Dicke eine relativ große Fläche und hat daher die Möglichkeit, dass es sich biegt oder verformt. Wenn andererseits das Einspritzen des Kunstharzes 309 durchgeführt wird, werden die Rückenoberfläche 305b des zweiten leitfähigen Bauteils 305 und die Hauptoberfläche 306a des dritten leitfähigen Bauteils 306 mit relativ hohem Druck zusammengehalten, um ein Austreten des Harzes 309 zu verhindern. Wenn daher das zweite leitfähige Bauteil 305, welches die Halbleiterchips 301 und 302 hält, gebogen wird, kann der Druck, mit welchem die zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 während des Eingießens zusammengehalten werden, auf mechanischem Wege Beschädigungen an den Halbleiterchips 301 und 302 bewirken.
  • Um dies zu vermeiden, sind in dieser Ausführungsform die C-Wärmesenken 314 an den Rückenoberflächen 301b und 302b der Halbleiterchips 301 und 302 angeordnet, und die C-Wärmesenken 315 sind in ihrer Größe kleiner gemacht als das zweite leitfähige Bauteil 305. Von daher kann eine Verbiegung unterdrückt werden und die Halbleiterchips 301 und 302 können sicher vor Schäden bewahrt werden. Somit kann diese Ausführungsform mechanische Beschädigungen an den Halbleiterchips 301 und 302 zusätzlich zu den Effekten und Wirkungsweisen erzielen, wie sie in der ersten Ausführungsform realisiert sind. Nebenbei gesagt, in der in der zweiten Ausführungsform beschriebenen Anordnung, bei der das dritte leitfähige Bauteil 306 den abgestuften Abschnitt 306c hat, der mit dem Harz 309 bedeckt ist, können die C-Wärmesenken 314 ebenfalls verwendet werden.
  • In den beschriebenen Ausführungsformen haben die E-Wärmesenken 303 die dünnen Abschnitte 303d auf seiten der Halbleiterchips 301 und 302; wie jedoch beispielsweise in 6 gezeigt ist, können die Stufenabschnitte 303d auf seiten des dritten leitfähigen Bauteils 306 vorgesehen werden. Auch mit diesem Aufbau kann verhindert werden, dass sich thermische Belastungen auf dem Lot 304-1 an den Verbindungsabschnitten zwischen den Halbleiterchips 301 und 302 und den Wärmesenken 303 konzentrieren, was durch die geringe Steifigkeit der dünnen Abschnitte 303d möglich ist, welche die thermischen Belastungen aufnehmen können, was im Vergleich zu dem Fall vorteilhaft ist, bei dem die E-Wärmesenken eine Prismenform haben.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen ist bei jeder der E-Wärmesenken 303 der Stufenabschnitt 303c an dem gesamten Abschnitt vorgesehen, der das Harz 309 kontaktiert; was das Lot 304-1 betrifft, welches die Halbleiterchips 301 und 302 und die E-Wärmesenken 303 verbindet, pflanzen sich jedoch Risse von der Umfangsseite des Harzes 309 in Richtung Mittelpunkt fort. Von daher kann der Stufenabschnitt 303c nur an dem Abschnitt vorgesehen werden, der in Richtung des äußeren Umfangs des Harzes 309 weist. Hierbei bedeutet der Umfang des Harzes 309 den Umfang eines Abschnittes, der die zweiten und dritten leitfähigen Bauteile 305 und 306 umgibt, und entspricht in 2 einer Oberfläche annähernd parallel zur Dickenrichtung der Halbleiterchips 301 und 302.
  • Beschrieben wurde somit eine Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleiterchip, der eine Elementausbildungsoberfläche und eine Rückenoberfläche hat; einem ersten leitfähigen Bauteil, welches mit der Elementausbildungsober-fläche des Halbleiterchips über ein erstes Verbindungsbauteil verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; einem zweiten leitfähigen Bauteil, welches mit der Rückenoberfläche des Halbleiterchips über ein zweites Verbindungsbauteil verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; und einem dritten leitfähigen Bauteil, welches mit dem ersten leitfähigen Bauteil über ein drittes Verbindungsbauteil verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat, wobei die Verbindung an einer dem Halbleiterchip gegenüberliegenden Seite des ersten leitfähigen Bauteils erfolgt, wobei ein Verbindungsbereich zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil und dem dritten leitfähigen Bauteil kleiner als derjenige zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil und dem Halbleiterchip ist.
  • Beschrieben wurde weiterhin eine Halbleitervorrichtung, mit: einem Halbleiterchip, mit einer elementausbildenden Oberfläche und einer Rückenoberfläche an einer gegenüberliegenden Seite der Elementausbildungsoberfläche; einem ersten leitfähigen Bauteil, welches mit der Elementausbildungsoberfläche des Halbleiterchips über ein erstes Verbindungsbauteil verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; einem zweiten leitfähigen Bauteil, welches mit der Rückenoberfläche des Halbleiterchips über ein zweites Verbindungsbauteil verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; einem dritten leitfähigen Bauteil, welches mit dem ersten leitfähigen Bauteil über ein drittes Verbindungsbauteil verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat, wobei die Verbindung an einer dem Halbleiterchip gegenüberliegenden Seite des ersten leitfähigen Bauteils erfolgt, und einem Versiegelungsbauteil, welches die elementausbildende Oberfläche und die Rückenoberfläche des Halbleiterchips versiegelt, welche jeweils elektrisch mit den ersten und zweiten leitfähigen Bauteilen verbunden sind, sowie eine Fläche des dritten leitfähigen Bauteils versiegelt, welches elektrisch mit dem ersten leitfähigen Bauteil verbunden ist, wobei: das erste leitfähige Bauteil einen abgestuften Abschnitt an einem Abschnitt in Richtung eines äußeren Umfanges des Versiegelungsbauteiles weisend aufweist, wobei das erste leitfähige Bauteil einen Abschnitt geringer Dicke durch Vorsehen des abgestuften Abschnittes hat.
  • Die vorliegende Erfindung wurde unter Bezugnahme auf die voranstehenden Ausführungsformen und deren Modifikationen und Abwandlungen beschrieben und in der beigefügten Zeichnung beschrieben; dem Fachmann auf diesem Gebiet ergibt sich jedoch, dass Änderungen hinsichtlich Form und Details gemacht werden können, ohne vom Gegenstand und Umfang der Erfindung abzuweichen, wie er in den nachfolgenden Ansprüchen und deren Äquivalenten definiert ist.

Claims (12)

  1. Eine Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleiterchip (301, 302), der eine Elementausbildungsoberfläche (301a, 302a) und eine Rückenoberfläche (301b, 302b) hat; einem ersten leitfähigen Bauteil (303), welches mit der Elementausbildungsoberfläche des Halbleiterchips über ein erstes Verbindungsbauteil (304-1) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; einem zweiten leitfähigen Bauteil (305), welches mit der Rückenoberfläche des Halbleiterchips über ein zweites Verbindungsbauteil (304-2) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; und einem dritten leitfähigen Bauteil (306), welches mit dem ersten leitfähigen Bauteil über ein drittes Verbindungsbauteil (304-3) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat, wobei die Verbindung an einer dem Halbleiterchip gegenüberliegenden Seite des ersten leitfähigen Bauteils (303) erfolgt, wobei ein Verbindungsbereich zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil (303) und dem dritten leitfähigen Bauteil (306) kleiner als derjenige zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil (303) und dem Halbleiterchip (301, 302) ist.
  2. Halbleiterchip nach Anspruch 1, wobei der Halbleiterchip und die ersten, zweiten und dritten leitfähigen Bauteile mit einem Versiegelungsbauteil (309) versiegelt sind, wobei wenigstens ein Oberflächenteil des zweiten oder des dritten leitfähigen Bauteils von dem Versiegelungsbauteil nicht bedeckt ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste leitfähige Bauteil einen abgestuften Abschnitt (303c) in Richtung eines äußeren Umfanges des Versiegelungsbauteils (309) weisend aufweist, wobei der abgestufte Abschnitt zur Ausbildung eines Abschnittes (303d) geringer Dicke des ersten leitfähigen Bauteiles ist.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der abgestufte Abschnitt des ersten leitfähigen Bauteiles mit dem Versiegelungsbauteil bedeckt ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei das erste leitfähige Bauteil teilweise in Richtung des dritten leitfähigen Bauteiles vorsteht, wobei der Abschnitt geringer Dicke dem Halbleiterchip gegenüberliegt.
  6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei ein äußerer Oberflächenabschnitt des ersten leitfähigen Bauteils, der das Versiegelungsbauteil kontaktiert, oxidiert ist.
  7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, weiterhin mit einer Elektrode an der elementausbildenden Oberfläche des Halbleiterchips, wobei: ein Bereich der Elektrode annähernd gleich dem Verbindungsbereich zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil und dem Halbleiterchip ist.
  8. Eine Halbleitervorrichtung, mit: einem Halbleiterchip (301, 302), mit einer elementausbildenden Oberfläche (301a, 302a) und einer Rückenoberfläche (301b, 302b) an einer gegenüberliegenden Seite der Elementausbildungsoberfläche; einem ersten leitfähigen Bauteil (303), welches mit der Elementausbildungsoberfläche des Halbleiterchips über ein erstes Verbindungsbauteil (304-1) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; einem zweiten leitfähigen Bauteil (305), welches mit der Rückenoberfläche des Halbleiterchips über ein zweites Verbindungsbauteil (304-2) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat; einem dritten leitfähigen Bauteil (306), welches mit dem ersten leitfähigen Bauteil über ein drittes Verbindungsbauteil (304-3) verbunden ist, welches elektrische Leitfähigkeit hat, wobei die Verbindung an einer dem Halbleiterchip gegenüberliegenden Seite des ersten leitfähigen Bauteils (303) erfolgt, und einem Versiegelungsbauteil (309), welches die elementausbildende Oberfläche (301a, 302a) und die Rückenoberfläche (301b, 302b) des Halbleiterchips versiegelt, welche jeweils elektrisch mit den ersten und zweiten leitfähigen Bauteilen verbunden sind, sowie eine Fläche (306b) des dritten leitfähigen Bauteils versiegelt, welches elektrisch mit dem ersten leitfähigen Bauteil verbunden ist, wobei: das erste leitfähige Bauteil einen abgestuften Abschnitt (303c) an einem Abschnitt in Richtung eines äußeren Umfanges des Versiegelungsbauteiles weisend aufweist, wobei das erste leitfähige Bauteil einen Abschnitt geringer Dicke (303d) durch Vorsehen des abgestuften Abschnittes hat.
  9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, wobei der abgestufte Abschnitt des ersten leitfähigen Bauteiles von dem Versiegelungsbauteil bedeckt ist.
  10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, wobei das erste leitfähige Bauteil zumindest teilweise in Richtung des dritten leitfähigen Bauteiles vorsteht, wobei der Abschnitt geringer Dicke in Richtung des Halbleiterchips weist.
  11. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei ein äußerer Oberflächenabschnitt des ersten leitfähigen Bauteils, der das Versiegelungsbauteil kontaktiert, oxidiert ist.
  12. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, weiterhin mit einer Elektrode auf der elementausbildenden Oberfläche des Halbleiterchips, wobei: ein Bereich der Elektrode annähernd gleich einem Verbindungsbereich zwischen dem ersten leitfähigen Bauteil und dem Halbleiterchip ist.
DE10066442A 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur Expired - Lifetime DE10066442B4 (de)

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-333119 1999-11-24
JP11-333124 1999-11-24
JP33312499A JP3596388B2 (ja) 1999-11-24 1999-11-24 半導体装置
JP33311999A JP3525832B2 (ja) 1999-11-24 1999-11-24 半導体装置
JP00-88579 2000-03-24
JP2000088579A JP3614079B2 (ja) 2000-03-24 2000-03-24 半導体装置及びその製造方法
JP2000097911A JP3630070B2 (ja) 2000-03-30 2000-03-30 半導体チップおよび半導体装置
JP00-97911 2000-03-30
JP00-97912 2000-03-30
JP2000097912A JP3620399B2 (ja) 2000-03-30 2000-03-30 電気機器の製造方法
JP2000305228A JP3601432B2 (ja) 2000-10-04 2000-10-04 半導体装置
JP00-305228 2000-10-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10066442B4 true DE10066442B4 (de) 2011-09-22

Family

ID=27554635

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10058446A Expired - Lifetime DE10058446B8 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen
DE10066442A Expired - Lifetime DE10066442B4 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur
DE10066446A Expired - Fee Related DE10066446B4 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit zwei Abstrahlungsbauteilen
DE10066443A Expired - Fee Related DE10066443B8 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen
DE10066441A Expired - Lifetime DE10066441B4 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen
DE10066445A Expired - Fee Related DE10066445B4 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10058446A Expired - Lifetime DE10058446B8 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10066446A Expired - Fee Related DE10066446B4 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit zwei Abstrahlungsbauteilen
DE10066443A Expired - Fee Related DE10066443B8 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen
DE10066441A Expired - Lifetime DE10066441B4 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen
DE10066445A Expired - Fee Related DE10066445B4 (de) 1999-11-24 2000-11-24 Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur

Country Status (3)

Country Link
US (9) US6703707B1 (de)
DE (6) DE10058446B8 (de)
FR (1) FR2801423B1 (de)

Families Citing this family (163)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6949824B1 (en) * 2000-04-12 2005-09-27 Micron Technology, Inc. Internal package heat dissipator
JP4479121B2 (ja) * 2001-04-25 2010-06-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US6635513B2 (en) * 2001-05-29 2003-10-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pre-curved spring bolster plate
US7145254B2 (en) * 2001-07-26 2006-12-05 Denso Corporation Transfer-molded power device and method for manufacturing transfer-molded power device
DE10142971A1 (de) * 2001-09-01 2003-03-27 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleitermodul
JP3627738B2 (ja) * 2001-12-27 2005-03-09 株式会社デンソー 半導体装置
DE10200066A1 (de) * 2002-01-03 2003-07-17 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
JP3850739B2 (ja) * 2002-02-21 2006-11-29 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3673776B2 (ja) * 2002-07-03 2005-07-20 株式会社日立製作所 半導体モジュール及び電力変換装置
EP1389802A1 (de) * 2002-08-16 2004-02-18 ABB Schweiz AG Schutzschicht für Leistungshalbleitermodul-Kontaktplättchen
JP2004200346A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子収納用パッケージ、その製造方法及び半導体装置
JP3879688B2 (ja) * 2003-03-26 2007-02-14 株式会社デンソー 半導体装置
JP4120876B2 (ja) * 2003-05-26 2008-07-16 株式会社デンソー 半導体装置
US7193326B2 (en) * 2003-06-23 2007-03-20 Denso Corporation Mold type semiconductor device
JP3759131B2 (ja) * 2003-07-31 2006-03-22 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 リードレスパッケージ型半導体装置とその製造方法
EP2216891B1 (de) * 2003-08-21 2012-01-04 Denso Corporation Montagestruktur eines Halbleiterbausteins
JP4594237B2 (ja) * 2003-09-04 2010-12-08 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2005117009A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US7239016B2 (en) * 2003-10-09 2007-07-03 Denso Corporation Semiconductor device having heat radiation plate and bonding member
JP3750680B2 (ja) * 2003-10-10 2006-03-01 株式会社デンソー パッケージ型半導体装置
JP2005136264A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置及び電力用半導体モジュール
DE102004055908A1 (de) * 2003-11-21 2005-07-28 Denso Corp., Kariya Halbleiteranordnung mit einem Paar von Wärmeabstrahlplatten
JP4254527B2 (ja) * 2003-12-24 2009-04-15 株式会社デンソー 半導体装置
JP4491244B2 (ja) * 2004-01-07 2010-06-30 三菱電機株式会社 電力半導体装置
JP2005203548A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Honda Motor Co Ltd 半導体装置のモジュール構造
JP2005217072A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4302607B2 (ja) * 2004-01-30 2009-07-29 株式会社デンソー 半導体装置
JP2005251784A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Renesas Technology Corp 半導体モジュールおよびその製造方法
DE102004018477B4 (de) * 2004-04-16 2008-08-21 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul
DE102004019442A1 (de) * 2004-04-19 2005-10-06 Siemens Ag An planarer Verbindung angeordneter Kühlkörper
DE102004019435A1 (de) * 2004-04-19 2005-11-03 Siemens Ag An einer Kühlrippe angeordnetes Bauelement
JP4158738B2 (ja) * 2004-04-20 2008-10-01 株式会社デンソー 半導体モジュール実装構造、カード状半導体モジュール及びカード状半導体モジュール密着用受熱部材
DE102004031592A1 (de) * 2004-06-30 2006-02-09 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodulanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
TWI259566B (en) * 2004-08-31 2006-08-01 Via Tech Inc Exposed heatsink type semiconductor package and manufacture process thereof
JP4604641B2 (ja) * 2004-10-18 2011-01-05 株式会社デンソー 半導体装置
TWI278090B (en) * 2004-10-21 2007-04-01 Int Rectifier Corp Solderable top metal for SiC device
US7812441B2 (en) 2004-10-21 2010-10-12 Siliconix Technology C.V. Schottky diode with improved surge capability
JP4338620B2 (ja) * 2004-11-01 2009-10-07 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8125781B2 (en) * 2004-11-11 2012-02-28 Denso Corporation Semiconductor device
EP1672692B1 (de) * 2004-12-16 2015-01-07 ABB Research Ltd Leistungshalbleiter-Modul
US7696532B2 (en) * 2004-12-16 2010-04-13 Abb Research Ltd Power semiconductor module
DE102005001151B4 (de) * 2005-01-10 2012-04-19 Infineon Technologies Ag Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen
US7834376B2 (en) 2005-03-04 2010-11-16 Siliconix Technology C. V. Power semiconductor switch
US9419092B2 (en) * 2005-03-04 2016-08-16 Vishay-Siliconix Termination for SiC trench devices
JP4581885B2 (ja) * 2005-07-22 2010-11-17 株式会社デンソー 半導体装置
US20070075419A1 (en) * 2005-09-06 2007-04-05 Denso Corporation Semiconductor device having metallic lead and electronic device having lead frame
JP4395775B2 (ja) * 2005-10-05 2010-01-13 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7508067B2 (en) * 2005-10-13 2009-03-24 Denso Corporation Semiconductor insulation structure
US7786555B2 (en) * 2005-10-20 2010-08-31 Diodes, Incorporated Semiconductor devices with multiple heat sinks
US8368165B2 (en) 2005-10-20 2013-02-05 Siliconix Technology C. V. Silicon carbide Schottky diode
JP4450230B2 (ja) * 2005-12-26 2010-04-14 株式会社デンソー 半導体装置
DE102006006425B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102006006424B4 (de) * 2006-02-13 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102006013017B4 (de) * 2006-03-20 2014-11-06 R. Stahl Schaltgeräte GmbH Gehäuse mit Wärmebrücke
JP2007251076A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2007300059A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US8004075B2 (en) * 2006-04-25 2011-08-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor power module including epoxy resin coating
JP4564937B2 (ja) 2006-04-27 2010-10-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置
US7619302B2 (en) * 2006-05-23 2009-11-17 International Rectifier Corporation Highly efficient both-side-cooled discrete power package, especially basic element for innovative power modules
JP4858290B2 (ja) * 2006-06-05 2012-01-18 株式会社デンソー 負荷駆動装置
JP2007335663A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
JP5232367B2 (ja) * 2006-07-12 2013-07-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2009545885A (ja) * 2006-07-31 2009-12-24 ヴィシェイ−シリコニックス ＳｉＣショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法
JP4420001B2 (ja) * 2006-09-11 2010-02-24 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
JP4821537B2 (ja) * 2006-09-26 2011-11-24 株式会社デンソー 電子制御装置
JP2008124430A (ja) * 2006-10-18 2008-05-29 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP4349531B2 (ja) * 2006-10-27 2009-10-21 Ｔｄｋ株式会社 マスク装置
JP2008135719A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および携帯機器
WO2008074164A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Abb Research Ltd Semiconductor module
US7447041B2 (en) * 2007-03-01 2008-11-04 Delphi Technologies, Inc. Compression connection for vertical IC packages
US8003446B2 (en) * 2007-03-22 2011-08-23 Microsemi Corporation Flexible diode package and method of manufacturing
DE102007020618B8 (de) * 2007-04-30 2009-03-12 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Herstellen eines festen Leistungsmoduls und damit hergestelltes Transistormodul
US7737548B2 (en) * 2007-08-29 2010-06-15 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including heat sinks
US20090103342A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Saul Lin Silicon-controlled rectifier with a heat-dissipating structure
US20090127701A1 (en) * 2007-11-15 2009-05-21 Nitin Goel Thermal attach for electronic device cooling
JP4506848B2 (ja) * 2008-02-08 2010-07-21 株式会社デンソー 半導体モジュール
KR101493866B1 (ko) * 2008-02-28 2015-02-16 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법
DE112009005537B3 (de) * 2008-04-09 2022-05-12 Fuji Electric Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
JP2009283656A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JPWO2010004609A1 (ja) * 2008-07-07 2011-12-22 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US7724528B2 (en) * 2008-07-11 2010-05-25 Cisco Technology, Inc. Thermal dissipation heat slug sandwich
JP5550225B2 (ja) * 2008-09-29 2014-07-16 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置
US7863103B2 (en) * 2008-10-22 2011-01-04 Texas Instruments Incorporated Thermally improved semiconductor QFN/SON package
US8315608B2 (en) * 2008-12-17 2012-11-20 Steve Cha Easy call for content
JP2010225720A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JP5018909B2 (ja) * 2009-06-30 2012-09-05 株式会社デンソー 半導体装置
JP5327233B2 (ja) 2009-07-08 2013-10-30 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
DE102010038933A1 (de) * 2009-08-18 2011-02-24 Denso Corporation, Kariya-City Halbleitervorrichtung mit Halbleiterchip und Metallplatte und Verfahren zu deren Fertigung
EP2287899B1 (de) * 2009-08-18 2014-05-07 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Lötverbindung mit einer mehrlagigen lötbaren Schicht und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP5397476B2 (ja) * 2009-09-29 2014-01-22 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、ならびに、樹脂硬化物およびその製造方法
JP5545000B2 (ja) 2010-04-14 2014-07-09 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5557585B2 (ja) * 2010-04-26 2014-07-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュール
CN102893389B (zh) * 2010-05-12 2015-05-20 丰田自动车株式会社 半导体装置
JP5659938B2 (ja) * 2010-05-17 2015-01-28 富士電機株式会社 半導体ユニットおよびそれを用いた半導体装置
JP5437943B2 (ja) * 2010-07-26 2014-03-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体ユニット、パワーモジュールおよびそれらの製造方法
JP5414644B2 (ja) 2010-09-29 2014-02-12 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5427745B2 (ja) 2010-09-30 2014-02-26 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール及びその製造方法
JP5325917B2 (ja) 2011-03-17 2013-10-23 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP2012230981A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
DE202011100820U1 (de) 2011-05-17 2011-12-01 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter
US8804340B2 (en) * 2011-06-08 2014-08-12 International Rectifier Corporation Power semiconductor package with double-sided cooling
JP5529208B2 (ja) * 2011-08-25 2014-06-25 トヨタ自動車株式会社 パワーモジュールの構造及び成形方法
CN103023279B (zh) * 2011-09-27 2015-05-13 株式会社京浜 半导体控制装置
US9048721B2 (en) * 2011-09-27 2015-06-02 Keihin Corporation Semiconductor device
JP5708815B2 (ja) * 2011-09-29 2015-04-30 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP5661052B2 (ja) * 2012-01-18 2015-01-28 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュールおよびその製造方法
ITMI20120712A1 (it) 2012-04-27 2013-10-28 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico a montaggio passante con doppio dissipatore di calore
ITMI20120711A1 (it) 2012-04-27 2013-10-28 St Microelectronics Srl Dispositivo di potenza
ITMI20120713A1 (it) * 2012-04-27 2013-10-28 St Microelectronics Srl Sistema elettronico a montaggio attraverso fori passanti con elementi di dissipazione serrati tra loro contro corpo isolante
DE102012211952B4 (de) * 2012-07-09 2019-04-25 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit mindestens einem stressreduzierenden Anpasselement
DE112013003902B4 (de) * 2012-09-07 2022-05-12 Hitachi Astemo, Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP6368646B2 (ja) 2012-09-20 2018-08-01 ローム株式会社 パワーモジュール半導体装置およびインバータ装置、およびパワーモジュール半導体装置の製造方法、および金型
JP6094592B2 (ja) 2012-10-01 2017-03-15 富士電機株式会社 半導体装置とその製造方法
JPWO2014061178A1 (ja) * 2012-10-16 2016-09-05 富士電機株式会社 冷却構造体及び発熱体
US10229870B2 (en) 2012-11-30 2019-03-12 Infineon Technologies Ag Packaged semiconductor device with tensile stress and method of making a packaged semiconductor device with tensile stress
US9093437B2 (en) * 2012-12-04 2015-07-28 Infineon Technologies Ag Packaged vertical power device comprising compressive stress and method of making a packaged vertical power device
JP2014165231A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Fujitsu Ltd 電子部品ユニット及び固定構造
US8963303B2 (en) * 2013-02-22 2015-02-24 Stmicroelectronics S.R.L. Power electronic device
US8754521B1 (en) * 2013-03-13 2014-06-17 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device assembly having a heat spreader
JP5796599B2 (ja) 2013-05-23 2015-10-21 株式会社デンソー 半導体モジュールおよびスイッチング素子の駆動装置
DE102013219245A1 (de) * 2013-09-25 2015-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsmodul mit Einfassung
US9207153B2 (en) * 2013-09-30 2015-12-08 Lg Chem, Ltd. Test jig
KR102208961B1 (ko) * 2013-10-29 2021-01-28 삼성전자주식회사 반도체소자 패키지 및 그 제조방법
WO2015107871A1 (ja) * 2014-01-15 2015-07-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
JP2015144216A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP6295768B2 (ja) * 2014-03-26 2018-03-20 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP6407756B2 (ja) 2014-03-31 2018-10-17 株式会社東芝 半導体モジュールの製造方法
WO2015153903A1 (en) * 2014-04-02 2015-10-08 Kyocera America, Inc. Heat management in electronics packaging
DE102014212455A1 (de) * 2014-06-27 2015-12-31 Robert Bosch Gmbh Diode mit einem plattenförmigen Halbleiterelement
JP6341822B2 (ja) * 2014-09-26 2018-06-13 三菱電機株式会社 半導体装置
US9397053B2 (en) * 2014-10-15 2016-07-19 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Molded device with anti-delamination structure providing multi-layered compression forces
JP6409690B2 (ja) * 2014-11-20 2018-10-24 株式会社デンソー 冷却モジュール
JP6578900B2 (ja) 2014-12-10 2019-09-25 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
DE112015005836B4 (de) * 2014-12-29 2022-04-14 Mitsubishi Electric Corporation Leistungsmodul
US10679965B2 (en) * 2015-02-04 2020-06-09 Zowie Technology Corporation Semiconductor package structure with preferred heat dissipating efficacy without formation of short circuit
CN107636827B (zh) * 2015-04-13 2020-05-12 Abb瑞士股份有限公司 功率电子设备模块
JP6394489B2 (ja) * 2015-05-11 2018-09-26 株式会社デンソー 半導体装置
TWI562311B (en) * 2015-05-12 2016-12-11 Chipmos Technologies Inc Package structure and manufactruing method thereof
DE102015108700A1 (de) * 2015-06-02 2016-12-08 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiter-Leistungs-Package und Verfahren zu ihrer Herstellung
CN105161467B (zh) * 2015-08-14 2019-06-28 株洲南车时代电气股份有限公司 一种用于电动汽车的功率模块
JP6418126B2 (ja) * 2015-10-09 2018-11-07 三菱電機株式会社 半導体装置
CN105355609A (zh) * 2015-11-30 2016-02-24 南京长峰航天电子科技有限公司 一种散热封装结构
US10845375B2 (en) * 2016-02-19 2020-11-24 Agjunction Llc Thermal stabilization of inertial measurement units
JP6897056B2 (ja) * 2016-10-20 2021-06-30 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置製造方法
JP2018073851A (ja) * 2016-10-24 2018-05-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、製造方法、及び、固体撮像装置
DE102016121801B4 (de) * 2016-11-14 2022-03-17 Infineon Technologies Ag Baugruppe mit Verbindungen, die verschiedene Schmelztemperaturen aufweisen, Fahrzeug mit der Baugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben und Verwendung der Baugruppe für eine Automobilanwendung
WO2018105486A1 (ja) * 2016-12-06 2018-06-14 株式会社 東芝 半導体装置
JP2018133448A (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 株式会社東芝 半導体装置
JP6897141B2 (ja) * 2017-02-15 2021-06-30 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法
WO2018168591A1 (ja) * 2017-03-13 2018-09-20 株式会社村田製作所 モジュール
JP6696480B2 (ja) 2017-03-22 2020-05-20 株式会社デンソー 半導体装置
JP6985588B2 (ja) * 2017-04-07 2021-12-22 富士通株式会社 電子装置及び電磁波吸収体
JP6979864B2 (ja) * 2017-11-30 2021-12-15 日立Astemo株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法
JP2019102724A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 株式会社村田製作所 半導体素子
JP2019192729A (ja) * 2018-04-23 2019-10-31 株式会社村田製作所 半導体装置
KR102519001B1 (ko) 2018-05-28 2023-04-10 삼성전자주식회사 필름 패키지 및 이를 포함하는 패키지 모듈
US11088046B2 (en) * 2018-06-25 2021-08-10 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device package with clip interconnect and dual side cooling
US10804217B2 (en) 2018-08-10 2020-10-13 STATS ChipPAC Pte. Ltd. EMI shielding for flip chip package with exposed die backside
US11355452B2 (en) * 2018-08-10 2022-06-07 STATS ChipPAC Pte. Ltd. EMI shielding for flip chip package with exposed die backside
CN110620089B (zh) * 2019-08-15 2021-06-22 安徽国晶微电子有限公司 电源芯片封装结构
CN111540718B (zh) * 2020-05-07 2022-02-08 全球能源互联网研究院有限公司 一种碳化硅器件的封装结构
US11651973B2 (en) 2020-05-08 2023-05-16 International Business Machines Corporation Method and apparatus of processor wafer bonding for wafer-scale integrated supercomputer
JP7301805B2 (ja) 2020-09-24 2023-07-03 株式会社東芝 半導体モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4196442A (en) * 1977-06-03 1980-04-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JPH06291223A (ja) * 1992-04-09 1994-10-18 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
WO1998043301A1 (en) * 1997-03-26 1998-10-01 Hitachi, Ltd. Flat semiconductor device and power converter employing the same

Family Cites Families (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3295089A (en) * 1963-10-11 1966-12-27 American Mach & Foundry Semiconductor device
GB1004020A (en) * 1964-04-24 1965-09-08 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the mounting of electrical components
US3523215A (en) * 1968-03-19 1970-08-04 Westinghouse Electric Corp Stack module for flat package semiconductor device assemblies
US3652903A (en) * 1971-02-01 1972-03-28 Gen Electric Fluid cooled pressure assembly
DE2556749A1 (de) 1975-12-17 1977-06-23 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise
JPS5440569A (en) 1977-09-06 1979-03-30 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and its manufacture
JPS5495183A (en) 1978-01-13 1979-07-27 Mitsubishi Electric Corp Pressure contact-type semiconductor device
DE2810416C2 (de) * 1978-03-10 1983-09-01 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiterbauelement mit Kunststoffummantelung
US4392153A (en) * 1978-05-01 1983-07-05 General Electric Company Cooled semiconductor power module including structured strain buffers without dry interfaces
JPS5787139A (en) 1980-11-19 1982-05-31 Hitachi Ltd Semiconductor device
US4546374A (en) 1981-03-23 1985-10-08 Motorola Inc. Semiconductor device including plateless package
US4620215A (en) * 1982-04-16 1986-10-28 Amdahl Corporation Integrated circuit packaging systems with double surface heat dissipation
JPS5931042A (ja) 1982-08-12 1984-02-18 Mitsubishi Electric Corp 高周波高出力半導体装置
JPS5938734A (ja) 1982-08-30 1984-03-02 Kato Denki Kk 原稿圧着板開閉装置
US4538170A (en) 1983-01-03 1985-08-27 General Electric Company Power chip package
US4646129A (en) 1983-09-06 1987-02-24 General Electric Company Hermetic power chip packages
GB2146174B (en) 1983-09-06 1987-04-23 Gen Electric Hermetic power chip packages
US4558345A (en) 1983-10-27 1985-12-10 Rca Corporation Multiple connection bond pad for an integrated circuit device and method of making same
JPS6095947A (ja) 1983-10-31 1985-05-29 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線
JPS60137042A (ja) 1983-12-26 1985-07-20 Matsushita Electronics Corp 樹脂封止形半導体装置
JPS60235430A (ja) 1984-05-09 1985-11-22 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS61141751A (ja) 1984-12-14 1986-06-28 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 水添ブロツク共重合体組成物
JPS61147539A (ja) * 1984-12-21 1986-07-05 Toshiba Corp 半導体整流装置の製造方法
JPS61166051A (ja) 1985-01-17 1986-07-26 Matsushita Electronics Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS61251043A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Hitachi Ltd 圧接型半導体装置
JPS61265849A (ja) 1985-05-20 1986-11-25 Sharp Corp 電力半導体装置
JP3258200B2 (ja) 1995-05-31 2002-02-18 株式会社東芝 圧接型半導体装置
JPS6292349A (ja) 1985-10-17 1987-04-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子冷却装置
JPS62141751A (ja) 1985-12-16 1987-06-25 Fuji Electric Co Ltd 平形半導体素子スタツク
JPH077810B2 (ja) 1986-06-06 1995-01-30 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS6396946A (ja) 1986-10-13 1988-04-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS63102326A (ja) 1986-10-20 1988-05-07 Hitachi Cable Ltd クラツド材
JPS63283040A (ja) 1987-05-15 1988-11-18 Toshiba Corp 半導体装置
JP2579315B2 (ja) 1987-06-17 1997-02-05 新光電気工業株式会社 セラミツクパツケ−ジ
JPH01228138A (ja) 1988-03-09 1989-09-12 Fuji Electric Co Ltd 二端子半導体素子の外装構造
DE3910470C2 (de) * 1988-03-31 1995-03-09 Toshiba Kawasaki Kk Leistungshalbleiter-Schaltervorrichtung mit in den beteiligten Chips verringerter Wärmebelastung, insb. Wärmespannung
US4935803A (en) * 1988-09-09 1990-06-19 Motorola, Inc. Self-centering electrode for power devices
US5260604A (en) 1988-09-27 1993-11-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with improved immunity to contact and conductor defects
JPH02117157A (ja) 1988-10-26 1990-05-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH02177157A (ja) 1988-12-28 1990-07-10 Toshiba Corp テープローディング装置
US5229646A (en) 1989-01-13 1993-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with a copper wires ball bonded to aluminum electrodes
JPH0320067A (ja) 1989-04-29 1991-01-29 Tokin Corp セラミック放熱フィン付半導体装置
FR2660797A1 (fr) 1990-04-06 1991-10-11 Motorola Semiconducteurs Boitier d'encapsulage perfectionne pour dispositif a semiconducteur.
JPH0412555A (ja) 1990-05-02 1992-01-17 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH0427145A (ja) 1990-05-22 1992-01-30 Seiko Epson Corp 半導体装置
KR950010283B1 (ko) * 1990-05-31 1995-09-12 캐논 가부시끼가이샤 매립전극을 가지는 반도체장치 및 그의 제조방법
JPH04103150A (ja) 1990-08-23 1992-04-06 Mitsubishi Materials Corp Ｉｃ実装構造
US5293301A (en) * 1990-11-30 1994-03-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame used therein
JP2905609B2 (ja) 1991-02-05 1999-06-14 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置
EP0499707B1 (de) 1991-02-22 1996-04-03 Asea Brown Boveri Ag Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement
JP3018554B2 (ja) * 1991-04-25 2000-03-13 株式会社日立製作所 半導体モジュ−ル及びその製造方法
JP3061891B2 (ja) * 1991-06-21 2000-07-10 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JPH05109919A (ja) 1991-10-12 1993-04-30 Nippondenso Co Ltd 混成集積回路
US5248853A (en) 1991-11-14 1993-09-28 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor element-mounting printed board
JPH05283562A (ja) 1992-03-31 1993-10-29 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH05326808A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Ibiden Co Ltd 電子部品搭載用基板およびこれを用いた半導体装置
DE4326207A1 (de) * 1992-10-06 1994-04-07 Hewlett Packard Co Mechanisch schwimmendes Mehr-Chip-Substrat
US5352629A (en) * 1993-01-19 1994-10-04 General Electric Company Process for self-alignment and planarization of semiconductor chips attached by solder die adhesive to multi-chip modules
JP3371504B2 (ja) 1993-01-25 2003-01-27 株式会社デンソー 合金電極にワイヤボンディングされた半導体装置及び合金電極の製造方法
JPH06291235A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路
JP2504913B2 (ja) 1993-06-08 1996-06-05 日本電気株式会社 ヒ―トシンク搭載型半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置用ヒ―トシンク
JPH077125A (ja) * 1993-06-15 1995-01-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層リードフレーム
US5396403A (en) * 1993-07-06 1995-03-07 Hewlett-Packard Company Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate
JPH0738013A (ja) 1993-07-22 1995-02-07 Origin Electric Co Ltd 複合ベース部材及び電力用半導体装置
JPH0745765A (ja) 1993-07-27 1995-02-14 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法
JP3225706B2 (ja) 1993-08-25 2001-11-05 ソニー株式会社 半導体装置におけるバリアメタル層の形成方法
US5641997A (en) 1993-09-14 1997-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic-encapsulated semiconductor device
JP2991010B2 (ja) * 1993-09-29 1999-12-20 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP0660396B1 (de) 1993-12-24 1998-11-04 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno MOS-Leistungs-Chip-Typ und Packungszusammenbau
DE4403996A1 (de) * 1994-02-09 1995-08-10 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung für einen Drehstromgenerator
US5723882A (en) 1994-03-10 1998-03-03 Nippondenso Co., Ltd. Insulated gate field effect transistor having guard ring regions
JP3284811B2 (ja) * 1994-03-17 2002-05-20 富士電機株式会社 半田接合方法および半導体製造治具と半導体装置の製造方法
JPH07273276A (ja) 1994-03-28 1995-10-20 Nissan Motor Co Ltd パワー素子とスナバ素子の接続構造及びその実装構造
JPH0845874A (ja) 1994-07-30 1996-02-16 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置
US6124179A (en) 1996-09-05 2000-09-26 Adamic, Jr.; Fred W. Inverted dielectric isolation process
JPH08191145A (ja) 1995-01-12 1996-07-23 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート型半導体素子およびその製造方法
JP3269745B2 (ja) * 1995-01-17 2002-04-02 株式会社日立製作所 モジュール型半導体装置
JP3272242B2 (ja) * 1995-06-09 2002-04-08 三洋電機株式会社 半導体装置
JP3850054B2 (ja) * 1995-07-19 2006-11-29 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2818557B2 (ja) * 1995-07-28 1998-10-30 日本電気株式会社 金属薄膜の形成方法および形成装置
US5726466A (en) 1995-09-11 1998-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Press pack power semiconductor device incorporating a plurality of semiconductor elements
JPH09148492A (ja) 1995-11-17 1997-06-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品パッケージ装置
US5801455A (en) * 1996-02-02 1998-09-01 Edward G. Karnig Apparatus and method for disarming automobile alarm system
JP3070473B2 (ja) 1996-02-28 2000-07-31 日本電気株式会社 半導体装置の実装方法及び構造
JPH09237868A (ja) 1996-02-29 1997-09-09 Hitachi Ltd 半導体モジュール
JP3510039B2 (ja) 1996-03-15 2004-03-22 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
DE19617055C1 (de) * 1996-04-29 1997-06-26 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise
JPH1065072A (ja) 1996-08-20 1998-03-06 Taiyo Yuden Co Ltd 放熱電極構造
WO1998012748A1 (fr) 1996-09-18 1998-03-26 Hitachi, Ltd. Module a semiconducteur de jonction
JPH10125700A (ja) 1996-10-17 1998-05-15 Hitachi Ltd 加圧接触型半導体装置及びその組み立て方法
JP2914342B2 (ja) * 1997-03-28 1999-06-28 日本電気株式会社 集積回路装置の冷却構造
JPH11186469A (ja) 1997-12-22 1999-07-09 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH11204803A (ja) 1998-01-13 1999-07-30 Tokin Corp 半導体装置の製造方法
US6015652A (en) * 1998-02-27 2000-01-18 Lucent Technologies Inc. Manufacture of flip-chip device
JP4091159B2 (ja) 1998-03-10 2008-05-28 株式会社日本自動車部品総合研究所 圧接型半導体装置
JP4095706B2 (ja) * 1998-03-27 2008-06-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH11284103A (ja) 1998-03-31 1999-10-15 Fuji Electric Co Ltd 樹脂モールド半導体装置
JP3152209B2 (ja) 1998-07-07 2001-04-03 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3922809B2 (ja) 1998-07-09 2007-05-30 株式会社東芝 半導体装置
JP2000091485A (ja) 1998-07-14 2000-03-31 Denso Corp 半導体装置
JP3525753B2 (ja) * 1998-08-26 2004-05-10 株式会社豊田中央研究所 パワーモジュール
US6072240A (en) 1998-10-16 2000-06-06 Denso Corporation Semiconductor chip package
JP4085536B2 (ja) 1998-11-09 2008-05-14 株式会社日本自動車部品総合研究所 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置
FR2786655B1 (fr) * 1998-11-27 2001-11-23 Alstom Technology Dispositif electronique de puissance
JP3180800B2 (ja) * 1999-04-08 2001-06-25 カシオ計算機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2001118961A (ja) 1999-10-15 2001-04-27 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型電力用半導体装置及びその製造方法
JP2001189412A (ja) 1999-12-27 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体実装方法
JP3637277B2 (ja) 2000-03-21 2005-04-13 大塚化学ホールディングス株式会社 難燃剤、及び難燃性樹脂組成物、及び成形物、及び電子部品
KR100407448B1 (ko) * 2000-06-12 2003-11-28 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 전자 기기 및 반도체 장치
JP2002184986A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型半導体装置
KR100447364B1 (ko) 2001-01-19 2004-09-07 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치
JP5025071B2 (ja) 2001-02-01 2012-09-12 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4479121B2 (ja) * 2001-04-25 2010-06-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4196442A (en) * 1977-06-03 1980-04-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JPH06291223A (ja) * 1992-04-09 1994-10-18 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
WO1998043301A1 (en) * 1997-03-26 1998-10-01 Hitachi, Ltd. Flat semiconductor device and power converter employing the same

Also Published As

Publication number Publication date
FR2801423A1 (fr) 2001-05-25
DE10058446B4 (de) 2012-12-27
US6891265B2 (en) 2005-05-10
US20040089941A1 (en) 2004-05-13
DE10066441B4 (de) 2012-10-18
DE10066446B4 (de) 2011-09-29
FR2801423B1 (fr) 2004-04-23
US6992383B2 (en) 2006-01-31
US20040089942A1 (en) 2004-05-13
US20040070072A1 (en) 2004-04-15
DE10066443B8 (de) 2012-04-19
US20040089940A1 (en) 2004-05-13
DE10066445B4 (de) 2011-06-22
DE10058446B8 (de) 2013-04-11
US20050167821A1 (en) 2005-08-04
DE10058446A1 (de) 2001-05-31
DE10066443B4 (de) 2011-08-11
US20040089925A1 (en) 2004-05-13
US20040097082A1 (en) 2004-05-20
US6703707B1 (en) 2004-03-09
US6798062B2 (en) 2004-09-28
US6998707B2 (en) 2006-02-14
US6960825B2 (en) 2005-11-01
US6967404B2 (en) 2005-11-22
US20040070060A1 (en) 2004-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10066442B4 (de) Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur
DE102006002452B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102017203024B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102008035911B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltungsmoduls
DE2442159A1 (de) Verfahren zum verbinden von flachseiten miteinander und durch das verfahren hergestellte bauteile
DE112014006676B4 (de) Leistungsmodulvorrichtung
DE202012100090U1 (de) Halbleiteranordnung mit plattierter Basisplatte
DE102009033321A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE10251248A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE3009295A1 (de) Halbleiterbaustein
DE3644874A1 (de) Hybridstruktur
DE10393441T5 (de) Verfahren zum Beibehalten der Lötmitteldicke bei Flip-Chip-Befestigungspackaging-Verfahren
DE3221199A1 (de) Halbleiteranordnung des isolierten typs
DE112015000660T5 (de) Leistungsmodul und Herstellungsverfahren dafür
DE102009016649A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren mit einem ersten und zweiten Träger
DE10236455A1 (de) Halbleiterbauelement
DE102017212186B4 (de) Mit Gießharz versiegelte Leistungshalbleiter-Einrichtung
DE112017002198T5 (de) Halbleitereinrichtung
DE102017207727B4 (de) Halbleiteranordnung
DE2632154C2 (de) Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement
EP1220314B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE112016007096B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE112018006382T5 (de) Halbleitereinheit und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinheit
WO2017140550A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schaltungsträgers, schaltungsträger, verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls und halbleitermodul
DE112021004922T5 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
Q172 Divided out of (supplement):

Ref document number: 10058446

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

8110 Request for examination paragraph 44
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20111223

R071 Expiry of right