JPS61265849A - 電力半導体装置 - Google Patents
電力半導体装置Info
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- JPS61265849A JPS61265849A JP60108863A JP10886385A JPS61265849A JP S61265849 A JPS61265849 A JP S61265849A JP 60108863 A JP60108863 A JP 60108863A JP 10886385 A JP10886385 A JP 10886385A JP S61265849 A JPS61265849 A JP S61265849A
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- Japan
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- semiconductor device
- heat
- heat dissipation
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、空気中への放熱により装置の冷却を行うため
の放熱フィンを備えた電力半導体装置に関するものであ
る。
の放熱フィンを備えた電力半導体装置に関するものであ
る。
従来、電力半導体装置は作動時の電力損失が大きく、こ
の電力損失によって生じる発熱量を電力半導体装置単独
では放散しきれないため、装置自体に著しい温度上昇を
招くものであった。この温度上昇により、装置内部に設
けられた半導体素子の許容最高温度（シリコン半導体で
は通常１２５℃〜１５０℃）を超える危険性がある場合
には、電力半導体装置は、第４図に示すように、その装
置の消費電力に応じた冷却能力を有する放熱フィン１２
に装着して使用されていた。上記放熱フィン１２はその
材料として通常アルミニウムの押出し型材が用いられ、
一方の面には平面部１２ａが形成され、他方の面には複
数のひだ状の突起部１３・・・が設けられている。電力
半導体装置の内部には、第５図に示すように、セラミッ
クから成り、両面に銅パターン１５ａ１５ｂ・１５ｃ１
５ｄおよび１５ｅの形成された内部回路基板１４が設け
られている。この内部回路基板１４上には、上記銅パタ
ーン１５ａ・１５ｂ・１５ｃ１５ｄを介して入出力端子
１７・・・及び半導体素子１８ａ・１８ｂを半田付けし
ている半田層１６・・・が形成されている。上記一方の
半導体素子１８ａの上面と銅パターン１５ｂ、及び銅パ
ターン１５ｂと他方の半導体素子１８ｂの上面は、それ
ぞれボンディングワイヤ１９・１９により結線されてい
る。
の電力損失によって生じる発熱量を電力半導体装置単独
では放散しきれないため、装置自体に著しい温度上昇を
招くものであった。この温度上昇により、装置内部に設
けられた半導体素子の許容最高温度（シリコン半導体で
は通常１２５℃〜１５０℃）を超える危険性がある場合
には、電力半導体装置は、第４図に示すように、その装
置の消費電力に応じた冷却能力を有する放熱フィン１２
に装着して使用されていた。上記放熱フィン１２はその
材料として通常アルミニウムの押出し型材が用いられ、
一方の面には平面部１２ａが形成され、他方の面には複
数のひだ状の突起部１３・・・が設けられている。電力
半導体装置の内部には、第５図に示すように、セラミッ
クから成り、両面に銅パターン１５ａ１５ｂ・１５ｃ１
５ｄおよび１５ｅの形成された内部回路基板１４が設け
られている。この内部回路基板１４上には、上記銅パタ
ーン１５ａ・１５ｂ・１５ｃ１５ｄを介して入出力端子
１７・・・及び半導体素子１８ａ・１８ｂを半田付けし
ている半田層１６・・・が形成されている。上記一方の
半導体素子１８ａの上面と銅パターン１５ｂ、及び銅パ
ターン１５ｂと他方の半導体素子１８ｂの上面は、それ
ぞれボンディングワイヤ１９・１９により結線されてい
る。
このような内部回路基板１４は、その下面に形成された
上記銅パターン１５ｅを介して半田層２０の半田により
放熱用金属板２１に半田付けされている。上記の放熱用
金属板２１は熱伝導率の高い銅板に酸化防止用のニッケ
ルメッキ等の表面処理を施したものであり、ある程度の
放熱機能を有するものである。上記の放熱用金属板２１
の上面は内部回路基板の半田付けを容易にするために、
また底面は他の放熱器である放熱フィン１２への装着を
容易にするために、それぞれ平坦な構造になっている。
上記銅パターン１５ｅを介して半田層２０の半田により
放熱用金属板２１に半田付けされている。上記の放熱用
金属板２１は熱伝導率の高い銅板に酸化防止用のニッケ
ルメッキ等の表面処理を施したものであり、ある程度の
放熱機能を有するものである。上記の放熱用金属板２１
の上面は内部回路基板の半田付けを容易にするために、
また底面は他の放熱器である放熱フィン１２への装着を
容易にするために、それぞれ平坦な構造になっている。
放熱用金属板２１上には電力半導体装置の外殻の一部を
形成する外枠２２が設けられ、放熱用金属板２１及び外
枠２２により形成される容器中には、樹脂を充填して内
部の構成部材を保護するための内装樹脂層２３が形成さ
れている。
形成する外枠２２が設けられ、放熱用金属板２１及び外
枠２２により形成される容器中には、樹脂を充填して内
部の構成部材を保護するための内装樹脂層２３が形成さ
れている。
この内装樹脂層２３上には、電力半導体装置の上部外殻
を形成し、端子１７・・・を固定するための外装樹脂層
２４が形成されている。
を形成し、端子１７・・・を固定するための外装樹脂層
２４が形成されている。
以上のように、半導体素子１８ａ・１８ｂから放熱用金
属板２１までの熱伝導性を考慮した構造により、上記２
者間の熱抵抗は１〜１．２５ ｔ／Ｗとなる。しかし、
仮に上記放熱用金属板２１が厚み３ｆｌ・断面積８０Ｘ
４０−の銅板とすれば、放熱用金属板２１から空気中へ
の熱抵抗は約１０℃油となり、半導体素子１８ａ・１８
ｂでの消費電力を２０Ｗとすると、上記半導体素子１８
ａ・１８ｂの温度は２００℃を超えることになる。従っ
て、先述した放熱フィン１２による放熱が必要となるも
のである。放熱フィン１２に対する電力半導体装置の装
着は、第４図のように前記放熱用金属板２１と放熱フィ
ン１２の平面部１２ａとの間に熱伝導性の良いグリス層
２５を設け、前記外枠２２、放熱用金属板２１及び放熱
フィン１２を、それぞれのビス挿通孔２６・２６．２７
・２７に挿通した取付ビス２８・２８により固定されて
いる。尚、上記グリス層２５により、放熱用金属板２１
及び放熱フィン１２間の熱抵抗は小さく抑えられるので
、約０．２ ’Ｉ、／Ｗ程度の熱抵抗が存在すること
になる。
属板２１までの熱伝導性を考慮した構造により、上記２
者間の熱抵抗は１〜１．２５ ｔ／Ｗとなる。しかし、
仮に上記放熱用金属板２１が厚み３ｆｌ・断面積８０Ｘ
４０−の銅板とすれば、放熱用金属板２１から空気中へ
の熱抵抗は約１０℃油となり、半導体素子１８ａ・１８
ｂでの消費電力を２０Ｗとすると、上記半導体素子１８
ａ・１８ｂの温度は２００℃を超えることになる。従っ
て、先述した放熱フィン１２による放熱が必要となるも
のである。放熱フィン１２に対する電力半導体装置の装
着は、第４図のように前記放熱用金属板２１と放熱フィ
ン１２の平面部１２ａとの間に熱伝導性の良いグリス層
２５を設け、前記外枠２２、放熱用金属板２１及び放熱
フィン１２を、それぞれのビス挿通孔２６・２６．２７
・２７に挿通した取付ビス２８・２８により固定されて
いる。尚、上記グリス層２５により、放熱用金属板２１
及び放熱フィン１２間の熱抵抗は小さく抑えられるので
、約０．２ ’Ｉ、／Ｗ程度の熱抵抗が存在すること
になる。
ところが、上記従来の構造では、放熱用金属板２１と放
熱フィン１２の接合には、これら二者間にグリス層２５
を設け、取付ビス２８・２８によりビス止めして固定す
るものであるため、組立て作業が非常に手間取るという
欠点があった。また、放熱用としての放熱フィン１２を
別に設けているため、放熱用金属板２１は不必要なもの
となっており、これに起因して部品点数の増加及びコス
トアンプを招来するといった問題点を有する。
熱フィン１２の接合には、これら二者間にグリス層２５
を設け、取付ビス２８・２８によりビス止めして固定す
るものであるため、組立て作業が非常に手間取るという
欠点があった。また、放熱用としての放熱フィン１２を
別に設けているため、放熱用金属板２１は不必要なもの
となっており、これに起因して部品点数の増加及びコス
トアンプを招来するといった問題点を有する。
本発明は、上記従来の問題点を考慮してなされたもので
あって、電力半導体装置冷却用の放熱フィンに対する電
力半導体装置の装着を接着剤にて行うことにより、部品
点数の減少及び組立作業の簡素化をはかることが出来、
ひいてはコストダウンを達成することができる電力半導
体装置の提供を目的とするものである。
あって、電力半導体装置冷却用の放熱フィンに対する電
力半導体装置の装着を接着剤にて行うことにより、部品
点数の減少及び組立作業の簡素化をはかることが出来、
ひいてはコストダウンを達成することができる電力半導
体装置の提供を目的とするものである。
本発明の電力半導体装置は、装置冷却用の放熱フィンを
有し、装置内部に設けられ上下両面に銅パターンを形成
した内部回路基板上に、電気的に機能する構成部材を設
けた電力半導体装置において、前記内部回路基板下面の
銅パターンは、上記放熱フィンの平面部上に、熱伝導性
を有する樹脂から成る接着剤層により接合させたことに
より、部品点数を削減しかつ組立作業を簡素化できるよ
うに構成したことを特徴とするものである。
有し、装置内部に設けられ上下両面に銅パターンを形成
した内部回路基板上に、電気的に機能する構成部材を設
けた電力半導体装置において、前記内部回路基板下面の
銅パターンは、上記放熱フィンの平面部上に、熱伝導性
を有する樹脂から成る接着剤層により接合させたことに
より、部品点数を削減しかつ組立作業を簡素化できるよ
うに構成したことを特徴とするものである。
本発明の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて以下に
説明する。
説明する。
電力半導体装置の内部には、電気的絶縁性が高くかつ熱
伝導率の高いセラミックを基材として形成され両面基板
として機能する内部回路基板１が設けられている。この
内部回路基板１の上面には銅パターン２ａ・２ｂ・２Ｃ
・２ｄが形成されており、下面には銅パターン２ｅが形
成されている、上記の銅パターン２ａ上には、入出力端
子４ａ及び半導体素子５ａを所定の間隔をおいて半田付
けした半田層３・３が形成されている。また銅パターン
２ｂ・２ｃ上にはそれぞれ入出力端子４ｂと半導体素子
５ｂが半田層３により半田付けされており、さらに銅パ
ターン２ｄ上には半田層３により入出力端子４ｃが半田
付けされている。上記の半導体素子５ａの上面と銅パタ
ーン２ｂ、及びこの銅パターン２ｂと半導体素子５ｂと
はそれぞれボンディングワイヤ６・６によりボンディン
グされ結線されている。上記のボンディングワイヤ６は
、半導体素子５ａ・５ｂの電流容量に応じて線径２００
〜５００μのアルミニウム線或いは金線が適宜用いられ
る。このような内部回路基板１は、アルミニウムの押出
し型材がら成る放熱フィン７の平面状を成す平面部７ａ
に貼着されている。上記放熱フィン７の平面部７ａとは
反対側の面には、同一重量で放熱効果を高めるため複数
のひだ状の突起部７ｂ・・・が形成されている。放熱フ
ゝイン７は、この放熱フィン７が用いられる電力半導体
装置の使用条件及び使用目的に応じてその大きさ及び形
状が決定される。また放熱フィン７は熱伝導性がよく軽
量かつ安価であることが要求されており、前述したアル
ミニウムの押出し型材が比較的これらの条件に適合し得
るものとして利用される。尚、上記内部回路基板１と放
熱フィン７は、放熱フィン７の材質がアルミニウムであ
るため半田付けによる接合は不可能である。このため、
放熱フィン７の材料を他の半田付性の良い銅またはニッ
ケル等に置き換えるか、或いは放熱フィン７にメッキ処
理を施すことも考えられるが、これらの方法は放熱フィ
ン７の大型化に呼応してコスト高を招くものである。よ
って本装置では放熱フィン７に熱伝導性を有する樹脂の
接着剤から成る接着剤層８がスクリーン印刷されており
、この接着剤層８により内部回路基板１が放熱フィン７
に貼着されている。また上記放熱フィン７には、電力半
導体装置の外殻の一部を形成し、上記内部回路基板ｌに
設けられた部材を側面から覆う円筒状の外枠９が別の接
着剤層８′により貼着されている。上記の外枠９及び放
熱フィン７により形成された層形状の内部には、同じく
内部に設けられた半導体素子５ａ・５ｂの表面の保護及
びボンディングワイヤ６・６の物理的衝撃からの保護の
ため、樹脂の充填により内装樹脂層１ｏが形成されてい
る。この内装樹脂層１０の樹脂は、注入時には液状であ
り、注入後はゲル化されるものである。
伝導率の高いセラミックを基材として形成され両面基板
として機能する内部回路基板１が設けられている。この
内部回路基板１の上面には銅パターン２ａ・２ｂ・２Ｃ
・２ｄが形成されており、下面には銅パターン２ｅが形
成されている、上記の銅パターン２ａ上には、入出力端
子４ａ及び半導体素子５ａを所定の間隔をおいて半田付
けした半田層３・３が形成されている。また銅パターン
２ｂ・２ｃ上にはそれぞれ入出力端子４ｂと半導体素子
５ｂが半田層３により半田付けされており、さらに銅パ
ターン２ｄ上には半田層３により入出力端子４ｃが半田
付けされている。上記の半導体素子５ａの上面と銅パタ
ーン２ｂ、及びこの銅パターン２ｂと半導体素子５ｂと
はそれぞれボンディングワイヤ６・６によりボンディン
グされ結線されている。上記のボンディングワイヤ６は
、半導体素子５ａ・５ｂの電流容量に応じて線径２００
〜５００μのアルミニウム線或いは金線が適宜用いられ
る。このような内部回路基板１は、アルミニウムの押出
し型材がら成る放熱フィン７の平面状を成す平面部７ａ
に貼着されている。上記放熱フィン７の平面部７ａとは
反対側の面には、同一重量で放熱効果を高めるため複数
のひだ状の突起部７ｂ・・・が形成されている。放熱フ
ゝイン７は、この放熱フィン７が用いられる電力半導体
装置の使用条件及び使用目的に応じてその大きさ及び形
状が決定される。また放熱フィン７は熱伝導性がよく軽
量かつ安価であることが要求されており、前述したアル
ミニウムの押出し型材が比較的これらの条件に適合し得
るものとして利用される。尚、上記内部回路基板１と放
熱フィン７は、放熱フィン７の材質がアルミニウムであ
るため半田付けによる接合は不可能である。このため、
放熱フィン７の材料を他の半田付性の良い銅またはニッ
ケル等に置き換えるか、或いは放熱フィン７にメッキ処
理を施すことも考えられるが、これらの方法は放熱フィ
ン７の大型化に呼応してコスト高を招くものである。よ
って本装置では放熱フィン７に熱伝導性を有する樹脂の
接着剤から成る接着剤層８がスクリーン印刷されており
、この接着剤層８により内部回路基板１が放熱フィン７
に貼着されている。また上記放熱フィン７には、電力半
導体装置の外殻の一部を形成し、上記内部回路基板ｌに
設けられた部材を側面から覆う円筒状の外枠９が別の接
着剤層８′により貼着されている。上記の外枠９及び放
熱フィン７により形成された層形状の内部には、同じく
内部に設けられた半導体素子５ａ・５ｂの表面の保護及
びボンディングワイヤ６・６の物理的衝撃からの保護の
ため、樹脂の充填により内装樹脂層１ｏが形成されてい
る。この内装樹脂層１０の樹脂は、注入時には液状であ
り、注入後はゲル化されるものである。
上記の内装樹脂層１０上には、本装置の上部外殻を形成
しエポキシ樹脂から成る外装樹脂理工１が形成されてい
る。この外装樹脂層１１により端子４ａ・４ｂ・４ｃが
固定されている。
しエポキシ樹脂から成る外装樹脂理工１が形成されてい
る。この外装樹脂層１１により端子４ａ・４ｂ・４ｃが
固定されている。
上記の構成において、電力半導体の作動により半導体素
子５ａ・５ｂから発生された熱は半田層３・３、銅パタ
ーン２ａ・２ Ｃ％セラミック基板１、銅パターン２ｅ
及び接着剤層８を経由して放熱フィン７に伝導される。
子５ａ・５ｂから発生された熱は半田層３・３、銅パタ
ーン２ａ・２ Ｃ％セラミック基板１、銅パターン２ｅ
及び接着剤層８を経由して放熱フィン７に伝導される。
そして、この放熱フィン７から上記の熱が空気中へ放出
されることにより、半導体素子５ａ・５ｂが冷却される
。上記の熱の伝達過程において、熱は半導体素子５ａ・
５ｂ下方の放熱フィン７の方向へ伝導されると同時に横
方向へも伝導され、第２図に示すように、熱の伝導方向
の中心軸に対しておよそ４５６の広がりをもって伝導さ
れることが知られている。今、熱の伝わる媒体の熱伝導
率をλ （ｃａｌ／”Ｃ・Ｓ・ｃＩｌｌ）、この媒体の
厚みをｔ（ａｍ）、媒体の断面積をＳ （ｃｄ）とする
と、この媒体の熱抵抗θ（’ｅ／Ｗ）は、 ４．１８６ λ・Ｓ で算出される。ここで、電力半導体装置によく用いられ
るセラミック基板１の厚み０．６ｍ、銅パターン２ａ２
ｂ・２ｃ２ｄ２ｅの厚み０．１〜０．３日程度のものを
想定すると、半導体素子５ａ・５ｂから接着剤Ｎ８に至
るまでの距離は約１鶴となる。今考えている電力半導体
素子５ａ・５ｂは少なくとも７ｆｌ角以上のものであり
、半導体素子５ａ・５ｂの大きさを仮に７鶴角とすると
、接着剤層８部分の熱伝導に寄与する断面積Ｓは、Ｓ−
（ｌ＋２ ｔ ｔａｎ４５°）” （ｃｄ）、
（ｊ！＝０．７゜ｔ＝０．１）、すなわち９鶴角程度の
大きさになる、接着剤層８に厚み１００μ、熱伝導率λ
ｚ１ｘ１０−” （ｃａｌ／”ｃ ・ｓ−ａｍ）程度の
樹脂を使用すれば、６（１）式より接着剤層８の熱抵抗
θは、θ；０．３ ℃／賀となる。一方、従来の電力
半導体装置の場合は、第３図に示すように、半田層２０
、放熱用金属板２１及びグリス層２５が本装置の接着剤
層８の代わりに存在することになる。しかしこれらの部
材の熱伝導率は、半田層２０の熱伝導率λ＝ｓｘｉｏ−
” （ｃａｌ／’Ｃ−ｓ −ｃｏ＋） 、銅を基材とす
る放熱用金属板２１の熱伝導率λ＝９，２ｘ１０−’
（ｃａｌ／”Ｃ・５−ｃｒａ）で示されるように、上記
接着剤層８の熱伝導率λｚｌ Ｘ １０−” （ｃａｌ
／℃・ｓ−ｃｍ）よりも相当高く、無視し得るものであ
る。従来の電力半導体装置において熱伝導上大きく影響
するのは放熱用金属板２１と放熱フィン１２との接触部
の熱抵抗であり、この熱抵抗はθＺ０．２ Ｖ−程度
となる。よって前記本装置の接着剤層８の熱抵抗θは上
記従来方式の熱抵抗θに近い値であり、接着剤層８に通
常用いられご熱伝導率の高いものを使用すれば、従来の
装置に対して放熱機能における劣化は殆ど招来しない。
されることにより、半導体素子５ａ・５ｂが冷却される
。上記の熱の伝達過程において、熱は半導体素子５ａ・
５ｂ下方の放熱フィン７の方向へ伝導されると同時に横
方向へも伝導され、第２図に示すように、熱の伝導方向
の中心軸に対しておよそ４５６の広がりをもって伝導さ
れることが知られている。今、熱の伝わる媒体の熱伝導
率をλ （ｃａｌ／”Ｃ・Ｓ・ｃＩｌｌ）、この媒体の
厚みをｔ（ａｍ）、媒体の断面積をＳ （ｃｄ）とする
と、この媒体の熱抵抗θ（’ｅ／Ｗ）は、 ４．１８６ λ・Ｓ で算出される。ここで、電力半導体装置によく用いられ
るセラミック基板１の厚み０．６ｍ、銅パターン２ａ２
ｂ・２ｃ２ｄ２ｅの厚み０．１〜０．３日程度のものを
想定すると、半導体素子５ａ・５ｂから接着剤Ｎ８に至
るまでの距離は約１鶴となる。今考えている電力半導体
素子５ａ・５ｂは少なくとも７ｆｌ角以上のものであり
、半導体素子５ａ・５ｂの大きさを仮に７鶴角とすると
、接着剤層８部分の熱伝導に寄与する断面積Ｓは、Ｓ−
（ｌ＋２ ｔ ｔａｎ４５°）” （ｃｄ）、
（ｊ！＝０．７゜ｔ＝０．１）、すなわち９鶴角程度の
大きさになる、接着剤層８に厚み１００μ、熱伝導率λ
ｚ１ｘ１０−” （ｃａｌ／”ｃ ・ｓ−ａｍ）程度の
樹脂を使用すれば、６（１）式より接着剤層８の熱抵抗
θは、θ；０．３ ℃／賀となる。一方、従来の電力
半導体装置の場合は、第３図に示すように、半田層２０
、放熱用金属板２１及びグリス層２５が本装置の接着剤
層８の代わりに存在することになる。しかしこれらの部
材の熱伝導率は、半田層２０の熱伝導率λ＝ｓｘｉｏ−
” （ｃａｌ／’Ｃ−ｓ −ｃｏ＋） 、銅を基材とす
る放熱用金属板２１の熱伝導率λ＝９，２ｘ１０−’
（ｃａｌ／”Ｃ・５−ｃｒａ）で示されるように、上記
接着剤層８の熱伝導率λｚｌ Ｘ １０−” （ｃａｌ
／℃・ｓ−ｃｍ）よりも相当高く、無視し得るものであ
る。従来の電力半導体装置において熱伝導上大きく影響
するのは放熱用金属板２１と放熱フィン１２との接触部
の熱抵抗であり、この熱抵抗はθＺ０．２ Ｖ−程度
となる。よって前記本装置の接着剤層８の熱抵抗θは上
記従来方式の熱抵抗θに近い値であり、接着剤層８に通
常用いられご熱伝導率の高いものを使用すれば、従来の
装置に対して放熱機能における劣化は殆ど招来しない。
また、本装置の放熱機能をさらに向上させるには、接着
剤層８の熱伝導率λをλ＝２Ｘ１０づ（ｃａｌ／℃・５
−Ｃ１１）以上に設定すればよ（、これにより熱抵抗θ
＝０．１５℃／−以下となり従来方式以上の放熱効果が
得られる。上記接着剤層８の熱伝導率を向上させるには
、接着剤層８を形成する接着剤への高熱伝導率充填剤の
配合率を増加すれば良いが、その反面、接着機能が劣化
される。しかし、入出力端子４ａ・４ｂ・４Ｃが外装樹
脂層１１により固定されているので強度的に問題はない
。
剤層８の熱伝導率λをλ＝２Ｘ１０づ（ｃａｌ／℃・５
−Ｃ１１）以上に設定すればよ（、これにより熱抵抗θ
＝０．１５℃／−以下となり従来方式以上の放熱効果が
得られる。上記接着剤層８の熱伝導率を向上させるには
、接着剤層８を形成する接着剤への高熱伝導率充填剤の
配合率を増加すれば良いが、その反面、接着機能が劣化
される。しかし、入出力端子４ａ・４ｂ・４Ｃが外装樹
脂層１１により固定されているので強度的に問題はない
。
このため、接着剤層８の接着剤の接着機能をある程度犠
牲にすることにより本装置の放熱機能を向上させること
は実用上可能である。
牲にすることにより本装置の放熱機能を向上させること
は実用上可能である。
本発明の電力半導体装置は、以上のように、電力半導体
装置の外殻の一部を形成する外枠及び下面に銅パターン
を有する内部回路基板をこの銅パターンを介して、放熱
フィンの平面部に熱伝導性を有する樹脂から成る接着剤
により貼着した構造である。それ故、従来用いられてい
た放熱用金属板、グリス、取付ビス等の部材が不要にな
り、部品点数が大幅に節減される。また上記取付ビスを
挿通するため外枠及び放熱フィン等に形成されていた取
付ビス挿通孔も必要でなくなり、これにより加工工数が
減少される。また上記部品点数の減少及び上記内部回路
基板における放熱フィンへの接着剤による取付は改良に
より、組立作業が大幅に筒素化される。さらに、以上の
部品点数の減少、加工工数の減少及び組立て作業の筒素
化等により、コストダウンを促し得る等の優れた効果を
奏する。
装置の外殻の一部を形成する外枠及び下面に銅パターン
を有する内部回路基板をこの銅パターンを介して、放熱
フィンの平面部に熱伝導性を有する樹脂から成る接着剤
により貼着した構造である。それ故、従来用いられてい
た放熱用金属板、グリス、取付ビス等の部材が不要にな
り、部品点数が大幅に節減される。また上記取付ビスを
挿通するため外枠及び放熱フィン等に形成されていた取
付ビス挿通孔も必要でなくなり、これにより加工工数が
減少される。また上記部品点数の減少及び上記内部回路
基板における放熱フィンへの接着剤による取付は改良に
より、組立作業が大幅に筒素化される。さらに、以上の
部品点数の減少、加工工数の減少及び組立て作業の筒素
化等により、コストダウンを促し得る等の優れた効果を
奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図に示した電力半導体装置の熱伝導の状態を示す模式図
、第３図は従来の電力半導体装置の熱伝導の状態を示す
模式図、第４図は従来例を示す正面図、第５図は第４図
に示した電力半導体装置の内部を示す断面図である。 １は内部回路基板、２ａ・２ｂ・２ｃ・２ｄ・２ｅは銅
パターン、３は半田層、４ａ・４ｂ・４Ｃは入出力端子
、５ａ・５ｂは半導体素子、６はボンディングワイヤ、
７は放熱フィン、８は接触剤層、９は外枠、１０は内装
樹脂層、１１は外装樹脂層である。
図に示した電力半導体装置の熱伝導の状態を示す模式図
、第３図は従来の電力半導体装置の熱伝導の状態を示す
模式図、第４図は従来例を示す正面図、第５図は第４図
に示した電力半導体装置の内部を示す断面図である。 １は内部回路基板、２ａ・２ｂ・２ｃ・２ｄ・２ｅは銅
パターン、３は半田層、４ａ・４ｂ・４Ｃは入出力端子
、５ａ・５ｂは半導体素子、６はボンディングワイヤ、
７は放熱フィン、８は接触剤層、９は外枠、１０は内装
樹脂層、１１は外装樹脂層である。
Claims (1)
- １、装置冷却用の放熱フィンを有し、装置内部に設けら
れ上下両面に銅パターンを形成した内部回路基板上に、
電気的に機能する構成部材を設けた電力半導体装置にお
いて、前記内部回路基板下面の銅パターンは、上記放熱
フィンの平面部上に、熱伝導性を有する樹脂から成る接
着剤層により接合させたことを特徴とする電力半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108863A JPS61265849A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 電力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108863A JPS61265849A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 電力半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265849A true JPS61265849A (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=14495494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60108863A Pending JPS61265849A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 電力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265849A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6380622B1 (en) | 1998-11-09 | 2002-04-30 | Denso Corporation | Electric apparatus having a contact intermediary member and method for manufacturing the same |
| US6538308B1 (en) | 1998-07-14 | 2003-03-25 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus with heat radiation structure for removing heat from semiconductor element |
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP60108863A patent/JPS61265849A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6538308B1 (en) | 1998-07-14 | 2003-03-25 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus with heat radiation structure for removing heat from semiconductor element |
| US7009284B2 (en) | 1998-07-14 | 2006-03-07 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus with heat radiation structure for removing heat from semiconductor element |
| US6380622B1 (en) | 1998-11-09 | 2002-04-30 | Denso Corporation | Electric apparatus having a contact intermediary member and method for manufacturing the same |
| US6967404B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-11-22 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6798062B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-09-28 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6891265B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-05-10 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6960825B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-11-01 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6992383B2 (en) | 1999-11-24 | 2006-01-31 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6998707B2 (en) | 1999-11-24 | 2006-02-14 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
| US6963133B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-11-08 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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