JPS5931042A - 高周波高出力半導体装置 - Google Patents
高周波高出力半導体装置Info
- Publication number
- JPS5931042A JPS5931042A JP14145782A JP14145782A JPS5931042A JP S5931042 A JPS5931042 A JP S5931042A JP 14145782 A JP14145782 A JP 14145782A JP 14145782 A JP14145782 A JP 14145782A JP S5931042 A JPS5931042 A JP S5931042A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- bonding
- insulating substrate
- chip
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体チップと各電極とをボンディング接
続した、高周波高出力半導体装置に関する。
続した、高周波高出力半導体装置に関する。
この種の半導体装置を高周波高出力トランジスタの場合
について説明する。
について説明する。
従来の高周波高出力トランジスタは、第１図に要部を斜
視図で示すようになっていた。絶縁基板（１）上にはメ
タライズによりコレクタ電極（２）、ベース電極（３）
及び両側のエミッタ電極（４）が形成されている。これ
ら各電極にはリード（２ａ）、 （３ａ）及び（４ａ）
がそれぞれはんだ接合されて出されている。両側のエミ
ッタ電極（４）は、コレクタ電極（２）上にすき間をあ
けてまたがった接続片（４ｂ）によりはんだ接続されて
いる。コレクタ電極（２）上にはトランジスタチップ（
５）が固着され、このチップ（２）上のペースポンディ
ングパッド部（６）とベース電極（３）、エミッタポン
ディングパッド部（７）とエミッタ電極（４）を金線あ
るいはアルミ線からなる金属細線（８）でそれぞれワイ
ヤボンディングしている。
視図で示すようになっていた。絶縁基板（１）上にはメ
タライズによりコレクタ電極（２）、ベース電極（３）
及び両側のエミッタ電極（４）が形成されている。これ
ら各電極にはリード（２ａ）、 （３ａ）及び（４ａ）
がそれぞれはんだ接合されて出されている。両側のエミ
ッタ電極（４）は、コレクタ電極（２）上にすき間をあ
けてまたがった接続片（４ｂ）によりはんだ接続されて
いる。コレクタ電極（２）上にはトランジスタチップ（
５）が固着され、このチップ（２）上のペースポンディ
ングパッド部（６）とベース電極（３）、エミッタポン
ディングパッド部（７）とエミッタ電極（４）を金線あ
るいはアルミ線からなる金属細線（８）でそれぞれワイ
ヤボンディングしている。
上記従来の高周波トランジスタでは、高周波になるにし
たがい、高周波特性を劣化させる浮遊容１を減少させる
ため、チップ（５）上のポンディングパッドはますます
小さくなり、このため、金属細ａ（８）径は細くなって
いく。また、高出力となるにしたがい、直流容置の増大
に応じ金属細線（８）数は幾何級数的に増加し、ワイヤ
ボンディング工程が複雑で面倒になる。また、線数が増
加するにしたがい、各金属細線（８）を均一に接続する
ことが、極めて困難になり、このため、高周波特性を阻
害することが多くなっていた。
たがい、高周波特性を劣化させる浮遊容１を減少させる
ため、チップ（５）上のポンディングパッドはますます
小さくなり、このため、金属細ａ（８）径は細くなって
いく。また、高出力となるにしたがい、直流容置の増大
に応じ金属細線（８）数は幾何級数的に増加し、ワイヤ
ボンディング工程が複雑で面倒になる。また、線数が増
加するにしたがい、各金属細線（８）を均一に接続する
ことが、極めて困難になり、このため、高周波特性を阻
害することが多くなっていた。
この発明は、絶縁基板上の半導体チップと各電極間との
接続を、絶縁当板の下面に形成した接続導体層に固着し
た複数の金属バンプによる、フリップチップボンディン
グにより接続し、高周波高出力であっても、従来のよう
な煩雑なワイヤボンド工程を要せず、接続が簡単になり
、各電極までのリードインダクタンスを減少でき、高周
波特性が向上される高周波高出力半導体装置を提供する
ことを目的としている。
接続を、絶縁当板の下面に形成した接続導体層に固着し
た複数の金属バンプによる、フリップチップボンディン
グにより接続し、高周波高出力であっても、従来のよう
な煩雑なワイヤボンド工程を要せず、接続が簡単になり
、各電極までのリードインダクタンスを減少でき、高周
波特性が向上される高周波高出力半導体装置を提供する
ことを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例による高周波高出力トラン
ジスタの斜視図で、図ではフリップチップボンディング
のための絶縁当板は上方に外し下面を手前にして示して
いる。ベリリア磁器など熱伝導性の良い絶縁基板（１）
の上面風メタライズによる。（１１ａ）はエミッタ電極
０１）にそれぞれはんだ接合されたリード、（イ）はコ
レクタ電極（２）上に固着されたトランジスタチップで
、上面にペースボンデインクパッド部０３とエミッタポ
ンディングパッド部α→とが形成されている。
ジスタの斜視図で、図ではフリップチップボンディング
のための絶縁当板は上方に外し下面を手前にして示して
いる。ベリリア磁器など熱伝導性の良い絶縁基板（１）
の上面風メタライズによる。（１１ａ）はエミッタ電極
０１）にそれぞれはんだ接合されたリード、（イ）はコ
レクタ電極（２）上に固着されたトランジスタチップで
、上面にペースボンデインクパッド部０３とエミッタポ
ンディングパッド部α→とが形成されている。
次にαＧはアルミナ、あるいはガラスなど絶縁材からな
る絶縁当板で、絶縁基板（１）上のチップ（２）及び各
電極部に上方から当てられる。この絶縁当板（ト）の下
面には、メタライズなどにより接続導体層０・、αηが
形成されている。導体ｔｒｓａ・には、ペースポンディ
ングパッド部０１に対応する位置に金属バンプ（ｌｅａ
）を、ペース電極（３）に対応する位置に金属バンプ（
１８ｂ）を固着しである。また、導体層αηには、エミ
ッタポンディングパッド部ａ４に対応する位置に金属バ
ンプ（１８ｃ）を、両側の各エミッタ電極ｏηに対応す
る位置に金属バンプ（’１８ｄ）及び（１８θ）をそれ
ぞれ固着しである。このように下面に各金属バンプが設
けられた絶縁当板（至）を絶縁基板（１）の上方側に当
て、各金属バンプにより対応する各パッド部及び各電極
とフリップチップボンディングする。こうして、チップ
０ののパッド部α葎とペース電極（３）が電気接続され
、パッド部０４と１対のエミッタ電極０］）とが電気接
続される。
る絶縁当板で、絶縁基板（１）上のチップ（２）及び各
電極部に上方から当てられる。この絶縁当板（ト）の下
面には、メタライズなどにより接続導体層０・、αηが
形成されている。導体ｔｒｓａ・には、ペースポンディ
ングパッド部０１に対応する位置に金属バンプ（ｌｅａ
）を、ペース電極（３）に対応する位置に金属バンプ（
１８ｂ）を固着しである。また、導体層αηには、エミ
ッタポンディングパッド部ａ４に対応する位置に金属バ
ンプ（１８ｃ）を、両側の各エミッタ電極ｏηに対応す
る位置に金属バンプ（’１８ｄ）及び（１８θ）をそれ
ぞれ固着しである。このように下面に各金属バンプが設
けられた絶縁当板（至）を絶縁基板（１）の上方側に当
て、各金属バンプにより対応する各パッド部及び各電極
とフリップチップボンディングする。こうして、チップ
０ののパッド部α葎とペース電極（３）が電気接続され
、パッド部０４と１対のエミッタ電極０］）とが電気接
続される。
第２図では簡単のため、パッド部及び各電極をボンディ
ングする各バンプばそれぞれ１個宛としたが、実際には
各バンプ複数個宛が配設されていて各並列接続している
。
ングする各バンプばそれぞれ１個宛としたが、実際には
各バンプ複数個宛が配設されていて各並列接続している
。
なお、上記絶縁当板（至）に形成した接続導体層α時。
αηを、接続用だけではなく、簡単な整合回路として構
成すれば、さらに利得の向上及び広帯域化をも実現する
ことができ、入出力インピーダンスを、高周波における
信号源及び負荷インピーダンスである５０Ωにまで高め
ることも可能である。
成すれば、さらに利得の向上及び広帯域化をも実現する
ことができ、入出力インピーダンスを、高周波における
信号源及び負荷インピーダンスである５０Ωにまで高め
ることも可能である。
また、上記実施例では、高周波高出力半導体装置として
、高周波高出力トランジスタに適用した場合を示したが
、これに限らず他の種の高周波高出力の半導体装置にも
適用できるものである。
、高周波高出力トランジスタに適用した場合を示したが
、これに限らず他の種の高周波高出力の半導体装置にも
適用できるものである。
以上のように、この発明によれば、絶縁当板の下面に形
成した接続導体層に、半導体チップの各パッド部と各電
極とにそれぞれ対応する複数の金属バンプを固着し、こ
の各金属バンプにより、絶縁基板上の半導体チップと各
電極とをフリップチップボンディングにより接続したの
で、高周波高出力であっても、従来のような煩雑なワイ
ヤボンド工程を要せず、電極までのリードインダクタン
スを減少することができ、高周波特性が向上される。ま
た、従来のように高出力に伴う極細化した多数本の金属
細線の使用による断線事故がなくなり、信頼性が向上さ
れる。
成した接続導体層に、半導体チップの各パッド部と各電
極とにそれぞれ対応する複数の金属バンプを固着し、こ
の各金属バンプにより、絶縁基板上の半導体チップと各
電極とをフリップチップボンディングにより接続したの
で、高周波高出力であっても、従来のような煩雑なワイ
ヤボンド工程を要せず、電極までのリードインダクタン
スを減少することができ、高周波特性が向上される。ま
た、従来のように高出力に伴う極細化した多数本の金属
細線の使用による断線事故がなくなり、信頼性が向上さ
れる。
第１図は従来の高周波高出力トランジスタの要部を示す
斜視図、第２図はこの発明の一実施例による高周波高出
力トランジスタの要部を、絶縁当板は外して下面を現し
て示す斜視図である。 １・・・絶縁基板、２・・・コレクタ電極、３・・・ペ
ース電極、１１・・・エミッタ１ｉｔｆｆｉ、 １２
・）ランジスタチツフ、１３・・・ペースボンディング
パラ）’部、１４・・・エミッタポンディングパッド部
、１５・・・絶縁当板、１６．１７・・・接続導体層、
１８ａ−１８０・・・金属バンプなお、図中同一符号は
同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野信 −（外１名） （７） 第１図 第２図 ２１３−
斜視図、第２図はこの発明の一実施例による高周波高出
力トランジスタの要部を、絶縁当板は外して下面を現し
て示す斜視図である。 １・・・絶縁基板、２・・・コレクタ電極、３・・・ペ
ース電極、１１・・・エミッタ１ｉｔｆｆｉ、 １２
・）ランジスタチツフ、１３・・・ペースボンディング
パラ）’部、１４・・・エミッタポンディングパッド部
、１５・・・絶縁当板、１６．１７・・・接続導体層、
１８ａ−１８０・・・金属バンプなお、図中同一符号は
同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野信 −（外１名） （７） 第１図 第２図 ２１３−
Claims (1)
- 絶縁基板上に設けられた複数の電極と、これらの電極の
うち所定の電極上に固着され、上面に複数のポンディン
グパッド部が形成された半導体チップと、上記絶縁基板
に対し上方側に当てられる絶縁当板と、この絶縁当板の
下面に形成された複数の接続導体層と、上記半導体チッ
プの各パッド部及び上記各電極にそれぞれ対応し、上記
各接続導体層に固着された複数の金属バンブとを備え、
上記絶縁当板を上記絶縁基板の上方側に当て、上記各金
属バンプにより上記対応する各パッド部と各電極とを７
リツプチツプボンデイングで接続したことを特徴とする
高周波高出力半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14145782A JPS5931042A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 高周波高出力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14145782A JPS5931042A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 高周波高出力半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931042A true JPS5931042A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15292340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14145782A Pending JPS5931042A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 高周波高出力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931042A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4751482A (en) * | 1983-12-23 | 1988-06-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit device having a multi-layered wiring board for ultra high speed connection |
| US5355102A (en) * | 1990-04-05 | 1994-10-11 | General Electric Company | HDI impedance matched microwave circuit assembly |
| JPH06334001A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| US5376902A (en) * | 1993-08-31 | 1994-12-27 | Motorola, Inc. | Interconnection structure for crosstalk reduction to improve off-chip selectivity |
| US5478007A (en) * | 1993-04-14 | 1995-12-26 | Amkor Electronics, Inc. | Method for interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| US5557144A (en) * | 1993-01-29 | 1996-09-17 | Anadigics, Inc. | Plastic packages for microwave frequency applications |
| US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
| US6060968A (en) * | 1996-09-27 | 2000-05-09 | U.S. Philips Corporation | Device with circuit element and transmission line formed by a dielectric between facing conductor strips |
| US6072240A (en) * | 1998-10-16 | 2000-06-06 | Denso Corporation | Semiconductor chip package |
| US6538308B1 (en) | 1998-07-14 | 2003-03-25 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus with heat radiation structure for removing heat from semiconductor element |
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
| JP2009538534A (ja) * | 2006-05-23 | 2009-11-05 | インターナショナル レクティファイアー コーポレーション | 高効率両面冷却ディスクリートパワーパッケージ、特に革新的なパワーモジュール用の基本素子 |
-
1982
- 1982-08-12 JP JP14145782A patent/JPS5931042A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4751482A (en) * | 1983-12-23 | 1988-06-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit device having a multi-layered wiring board for ultra high speed connection |
| US5355102A (en) * | 1990-04-05 | 1994-10-11 | General Electric Company | HDI impedance matched microwave circuit assembly |
| US5557144A (en) * | 1993-01-29 | 1996-09-17 | Anadigics, Inc. | Plastic packages for microwave frequency applications |
| US5478007A (en) * | 1993-04-14 | 1995-12-26 | Amkor Electronics, Inc. | Method for interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| JPH06334001A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| US5376902A (en) * | 1993-08-31 | 1994-12-27 | Motorola, Inc. | Interconnection structure for crosstalk reduction to improve off-chip selectivity |
| US6060968A (en) * | 1996-09-27 | 2000-05-09 | U.S. Philips Corporation | Device with circuit element and transmission line formed by a dielectric between facing conductor strips |
| US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
| US6163463A (en) * | 1996-12-06 | 2000-12-19 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection |
| US6538308B1 (en) | 1998-07-14 | 2003-03-25 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus with heat radiation structure for removing heat from semiconductor element |
| US7009284B2 (en) | 1998-07-14 | 2006-03-07 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus with heat radiation structure for removing heat from semiconductor element |
| US6072240A (en) * | 1998-10-16 | 2000-06-06 | Denso Corporation | Semiconductor chip package |
| US6448645B1 (en) | 1998-10-16 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6798062B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-09-28 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6891265B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-05-10 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6960825B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-11-01 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6967404B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-11-22 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6992383B2 (en) | 1999-11-24 | 2006-01-31 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6998707B2 (en) | 1999-11-24 | 2006-02-14 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
| US6963133B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-11-08 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2009538534A (ja) * | 2006-05-23 | 2009-11-05 | インターナショナル レクティファイアー コーポレーション | 高効率両面冷却ディスクリートパワーパッケージ、特に革新的なパワーモジュール用の基本素子 |
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