JPH09213730A - 高周波用モジュール基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュール - Google Patents
高周波用モジュール基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マルチチップモジュールにおいて、信頼性の
向上とともに実装不良を低減して小型化を可能とし、ま
た線路の伝送損失を低減する。 【解決手段】 窒化アルミニウム基板５上にタングステ
ン６／ニッケル７／銅８によりマイクロストリップライ
ンが形成されている。さらにチップ実装を行うために、
実装領域のみにニッケル９／金メッキ１０層が形成され
ており、実装領域以外はレジスト１１で覆われている。
このような構成にすることにより、実装時に問題になる
半田の金食われを低減するとともに、実装密度を上げて
小型化が可能となり、さらに線路の損失も低減できる。
向上とともに実装不良を低減して小型化を可能とし、ま
た線路の伝送損失を低減する。 【解決手段】 窒化アルミニウム基板５上にタングステ
ン６／ニッケル７／銅８によりマイクロストリップライ
ンが形成されている。さらにチップ実装を行うために、
実装領域のみにニッケル９／金メッキ１０層が形成され
ており、実装領域以外はレジスト１１で覆われている。
このような構成にすることにより、実装時に問題になる
半田の金食われを低減するとともに、実装密度を上げて
小型化が可能となり、さらに線路の損失も低減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯および
それ以上の周波数帯で使用される高周波用モジュール基
板、およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールに関
するものである。
それ以上の周波数帯で使用される高周波用モジュール基
板、およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話をはじめとする通信機器
の普及によりマイクロ波帯の高周波電力増幅モジュール
への需要が高まっている。携帯電話等への応用において
は小型化が強く要求される。小型化のためには放熱性の
優れたセラミックを基板材料に用いたチップ実装による
マルチチップモジュールが有効である。
の普及によりマイクロ波帯の高周波電力増幅モジュール
への需要が高まっている。携帯電話等への応用において
は小型化が強く要求される。小型化のためには放熱性の
優れたセラミックを基板材料に用いたチップ実装による
マルチチップモジュールが有効である。
【０００３】図５（ａ）に特開平７−４６００７号公報
に開示されているマルチチップモジュールの正面図、
（ｂ）に（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図を示す。熱
伝導の良好な窒化アルミニウム基板上にトランジスタチ
ップとチップコンデンサ、チップ抵抗が実装されてい
る。トランジスタチップはボンディングワイヤにより、
チップ部品は半田付けにより基板上の線路と電気的に接
続されている。
に開示されているマルチチップモジュールの正面図、
（ｂ）に（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図を示す。熱
伝導の良好な窒化アルミニウム基板上にトランジスタチ
ップとチップコンデンサ、チップ抵抗が実装されてい
る。トランジスタチップはボンディングワイヤにより、
チップ部品は半田付けにより基板上の線路と電気的に接
続されている。
【０００４】図６は図５のモジュール基板上に形成され
たマイクロストリップラインの断面構造を示すものであ
る。窒化アルミニウム基板上にタングステン／ニッケル
／銅により線路が形成されている。さらにトランジスタ
チップを基板表面に実装し、ワイヤボンディングを行う
ため、表面には金メッキが必要とされる。表面の金メッ
キと下層金属の銅との密着性、およびワイヤボンディン
グ時の表面の硬度を考慮して、ニッケルメッキを行った
後、金メッキが行われる。
たマイクロストリップラインの断面構造を示すものであ
る。窒化アルミニウム基板上にタングステン／ニッケル
／銅により線路が形成されている。さらにトランジスタ
チップを基板表面に実装し、ワイヤボンディングを行う
ため、表面には金メッキが必要とされる。表面の金メッ
キと下層金属の銅との密着性、およびワイヤボンディン
グ時の表面の硬度を考慮して、ニッケルメッキを行った
後、金メッキが行われる。
【０００５】しかし、基板上にチップ部品を実装する
時、半田と金が反応して、いわゆる半田の金食われが生
じるため、表面の金メッキが多いと信頼性上問題とな
る。そのため金メッキ厚ｔ５は１μｍ程度に制約され
る。
時、半田と金が反応して、いわゆる半田の金食われが生
じるため、表面の金メッキが多いと信頼性上問題とな
る。そのため金メッキ厚ｔ５は１μｍ程度に制約され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成では、金メ
ッキの厚さは１μｍ程度と薄いけれども線路全体に金メ
ッキがあるため、組立時にリフロー炉を通ることによ
り、部品直下の金だけでなく、周辺部の金にも半田が広
がって反応していく。金メッキ層の厚みは１μｍ程度と
薄いが、全ての線路に形成されているため金の絶対量が
多く、半田と反応する金の量も多くなり、信頼性上好ま
しくない。
ッキの厚さは１μｍ程度と薄いけれども線路全体に金メ
ッキがあるため、組立時にリフロー炉を通ることによ
り、部品直下の金だけでなく、周辺部の金にも半田が広
がって反応していく。金メッキ層の厚みは１μｍ程度と
薄いが、全ての線路に形成されているため金の絶対量が
多く、半田と反応する金の量も多くなり、信頼性上好ま
しくない。
【０００７】また、金メッキが全体に施されていると、
練り半田を塗布する際に位置ズレが生じた場合、リフロ
ー炉を通しても部品の位置ズレは修正されず、部品実装
の精度が要求される。さらに、リフローの際、チップが
動いて隣接したチップと接触してしまう虞がある。その
ため、部品の実装密度も低下せざるを得ない。またチッ
プの位置ズレが修正されないと、チップの実装位置のば
らつきにより、特性のばらつきも大きくなってしまう。
練り半田を塗布する際に位置ズレが生じた場合、リフロ
ー炉を通しても部品の位置ズレは修正されず、部品実装
の精度が要求される。さらに、リフローの際、チップが
動いて隣接したチップと接触してしまう虞がある。その
ため、部品の実装密度も低下せざるを得ない。またチッ
プの位置ズレが修正されないと、チップの実装位置のば
らつきにより、特性のばらつきも大きくなってしまう。
【０００８】本発明の目的は、表面の金メッキが施され
た領域を限定して金の量を少なくすることにより、半田
の金食われを低減して信頼性を向上させ、さらに部品実
装密度を上げて、小型化を可能にした高周波用モジュー
ル基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールを
提供するものである。
た領域を限定して金の量を少なくすることにより、半田
の金食われを低減して信頼性を向上させ、さらに部品実
装密度を上げて、小型化を可能にした高周波用モジュー
ル基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールを
提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、基板上に形成された伝送線路において部品
実装領域のみに金メッキが施された構成とする。
するために、基板上に形成された伝送線路において部品
実装領域のみに金メッキが施された構成とする。
【００１０】また、本発明は上記課題を解決するため
に、基板上に形成された伝送線路において部品実装領域
のみに金メッキが施され、部品実装領域以外はレジスト
で覆われた構成とする。
に、基板上に形成された伝送線路において部品実装領域
のみに金メッキが施され、部品実装領域以外はレジスト
で覆われた構成とする。
【００１１】また、本発明は上記課題を解決するため
に、基板上に形成された伝送線路において部品実装領域
のみに金メッキまたは半田メッキが施され、部品実装領
域以外はレジストで覆われた構成とする。
に、基板上に形成された伝送線路において部品実装領域
のみに金メッキまたは半田メッキが施され、部品実装領
域以外はレジストで覆われた構成とする。
【００１２】
（実施の形態１）図１（ａ）は第１の実施の形態の高周
波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）はその断面構造
を示すものである。本実施の形態の特徴的な構成は、窒
化アルミニウム基板上に形成された伝送線路において、
部品実装領域のみに金メッキが施されており、他の領域
はレジストで覆われている点にある。
波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）はその断面構造
を示すものである。本実施の形態の特徴的な構成は、窒
化アルミニウム基板上に形成された伝送線路において、
部品実装領域のみに金メッキが施されており、他の領域
はレジストで覆われている点にある。
【００１３】線路の構成としては、窒化アルミニウム基
板５の表面にタングステン６がパターン形成されてお
り、その上にニッケルメッキ７、さらに銅メッキ８が行
われ、マイクロストリップラインが形成される。ここ
で、銅メッキ８は線路の抵抗を低減するため、またニッ
ケルメッキ７は銅８とタングステン６との密着性を高め
るために有効である。
板５の表面にタングステン６がパターン形成されてお
り、その上にニッケルメッキ７、さらに銅メッキ８が行
われ、マイクロストリップラインが形成される。ここ
で、銅メッキ８は線路の抵抗を低減するため、またニッ
ケルメッキ７は銅８とタングステン６との密着性を高め
るために有効である。
【００１４】さらに、表面にチップ実装を行うために
は、銅メッキ８上にニッケル／金メッキが必要とされ
る。実装に必要な部分のみにニッケル／金メッキを形成
するために、部品実装領域以外はレジスト１１で覆って
おく。そして、部品実装領域のみにニッケルメッキ９、
金メッキ１０を形成する。ここで、ニッケルメッキ９は
銅８と金１０の密着性を高めるため、およびワイヤボン
ディング時の表面の硬度を高めるために有効である。
は、銅メッキ８上にニッケル／金メッキが必要とされ
る。実装に必要な部分のみにニッケル／金メッキを形成
するために、部品実装領域以外はレジスト１１で覆って
おく。そして、部品実装領域のみにニッケルメッキ９、
金メッキ１０を形成する。ここで、ニッケルメッキ９は
銅８と金１０の密着性を高めるため、およびワイヤボン
ディング時の表面の硬度を高めるために有効である。
【００１５】このような構成にすることにより、線路全
体に金メッキがある場合に比べ金メッキ１０の量が少な
いため、実装時に問題になる半田の金食われを低減し、
信頼性を向上させることができる。また、部品実装領域
以外はレジストで覆われているため、チップ部品を実装
する際の位置ズレはリフロー炉を通ることにより修正さ
れ、実装不良が低減され、実装密度を上げることも可能
となる。
体に金メッキがある場合に比べ金メッキ１０の量が少な
いため、実装時に問題になる半田の金食われを低減し、
信頼性を向上させることができる。また、部品実装領域
以外はレジストで覆われているため、チップ部品を実装
する際の位置ズレはリフロー炉を通ることにより修正さ
れ、実装不良が低減され、実装密度を上げることも可能
となる。
【００１６】また、高周波においては表皮効果が生ずる
ため、高周波電流は伝送線路の上下に集中する。上側の
電流成分を考えた場合、電流は線路の表面近傍に集中す
るため、伝送損失は線路の表面層の抵抗に大きく依存す
る。マイクロ波帯では表皮の深さは数μｍ程度であり、
上側の電流分布としては表面の金およびニッケルの部分
に電流は集中する。しかし、低抵抗な金メッキ層はわず
か１μｍ以下であり、残りの電流はニッケルメッキの部
分を流れることになる。ニッケルは金や銅に比べると抵
抗率が大きいため、伝送損失が大きくなってしまう。本
発明の構成とすることにより、ニッケル９も部品実装領
域にしか存在しないため、伝送線路での表面の電流分布
は主に低抵抗な銅を流れることになり、線路全体での伝
送損失も低減することができる。
ため、高周波電流は伝送線路の上下に集中する。上側の
電流成分を考えた場合、電流は線路の表面近傍に集中す
るため、伝送損失は線路の表面層の抵抗に大きく依存す
る。マイクロ波帯では表皮の深さは数μｍ程度であり、
上側の電流分布としては表面の金およびニッケルの部分
に電流は集中する。しかし、低抵抗な金メッキ層はわず
か１μｍ以下であり、残りの電流はニッケルメッキの部
分を流れることになる。ニッケルは金や銅に比べると抵
抗率が大きいため、伝送損失が大きくなってしまう。本
発明の構成とすることにより、ニッケル９も部品実装領
域にしか存在しないため、伝送線路での表面の電流分布
は主に低抵抗な銅を流れることになり、線路全体での伝
送損失も低減することができる。
【００１７】図１では金メッキ１０の下層導体の構造は
タングステン６／ニッケル７／銅８／ニッケル９となっ
ているが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が
得られる。また最後にレジスト１１を除去することによ
り誘電体損を低減することができる。
タングステン６／ニッケル７／銅８／ニッケル９となっ
ているが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が
得られる。また最後にレジスト１１を除去することによ
り誘電体損を低減することができる。
【００１８】（実施の形態２）図２（ａ）は第２の実施
の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）は
その断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的
な構成は、アルミナ基板上に形成された伝送線路におい
て、部品実装領域のみに金メッキが施されており、他の
領域はレジストで覆われている点にある。
の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）は
その断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的
な構成は、アルミナ基板上に形成された伝送線路におい
て、部品実装領域のみに金メッキが施されており、他の
領域はレジストで覆われている点にある。
【００１９】アルミナ基板１３上に銅８によりマイクロ
ストリップ線路が形成されている。さらに、表面にはチ
ップ実装を行うため、銅メッキ８上にニッケル９／金メ
ッキ１０が施されている。チップ実装に必要な部分のみ
に金メッキを形成するために、部品実装領域以外はレジ
スト１１で覆っておく。そして、部品実装領域のみにニ
ッケルメッキ９、金メッキ１０を形成する。
ストリップ線路が形成されている。さらに、表面にはチ
ップ実装を行うため、銅メッキ８上にニッケル９／金メ
ッキ１０が施されている。チップ実装に必要な部分のみ
に金メッキを形成するために、部品実装領域以外はレジ
スト１１で覆っておく。そして、部品実装領域のみにニ
ッケルメッキ９、金メッキ１０を形成する。
【００２０】このような構成にすることにより、線路全
体に金メッキがある場合に比べ金メッキ１０の量が少な
いため、実装時に問題になる半田の金食われを低減する
ことができる。さらに、実装不良を低減して、実装密度
を上げることも可能となる。また、ニッケル９も部品実
装領域にしか存在しないため、線路全体での伝送損失も
低減することができる。
体に金メッキがある場合に比べ金メッキ１０の量が少な
いため、実装時に問題になる半田の金食われを低減する
ことができる。さらに、実装不良を低減して、実装密度
を上げることも可能となる。また、ニッケル９も部品実
装領域にしか存在しないため、線路全体での伝送損失も
低減することができる。
【００２１】図２では金メッキの下層導体は銅／ニッケ
ルとなっているが他の導体の組み合わせにおいても同様
の効果が得られる。また最後にレジストを除去すること
により誘電体損も低減することができる。
ルとなっているが他の導体の組み合わせにおいても同様
の効果が得られる。また最後にレジストを除去すること
により誘電体損も低減することができる。
【００２２】（実施の形態３）図３（ａ）は第３の実施
の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）は
その断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的
な構成は、窒化アルミニウム基板上に形成された伝送線
路において、部品実装領域のみに半田阻止層／／金メッ
キが施されており、他の部分はレジストで覆われている
点にある。
の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）は
その断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的
な構成は、窒化アルミニウム基板上に形成された伝送線
路において、部品実装領域のみに半田阻止層／／金メッ
キが施されており、他の部分はレジストで覆われている
点にある。
【００２３】窒化アルミニウム基板５上にタングステン
６／ニッケル７／金１４によりマイクロストリップ線路
が形成されている。さらに、実装領域のみに金１４上に
半田阻止層１５／金メッキ１０が施されている。
６／ニッケル７／金１４によりマイクロストリップ線路
が形成されている。さらに、実装領域のみに金１４上に
半田阻止層１５／金メッキ１０が施されている。
【００２４】このような構成にすることにより、実装時
に問題になる半田の金食われを低減することができ、実
装密度を上げることもできる。また、線路全体での伝送
損失も低減することができる。
に問題になる半田の金食われを低減することができ、実
装密度を上げることもできる。また、線路全体での伝送
損失も低減することができる。
【００２５】図３では金メッキの下層導体はタングステ
ン／ニッケル／金／半田阻止層となっているが他の導体
の組み合わせにおいても同様の効果が得られる。
ン／ニッケル／金／半田阻止層となっているが他の導体
の組み合わせにおいても同様の効果が得られる。
【００２６】（実施の形態４）図４（ａ）は第４の実施
の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）は
その断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的
な構成は、窒化アルミニウム基板上に形成された伝送線
路において、チップ部品実装領域のみに半田メッキ、ト
ランジスタチップ実装領域（ワイヤボンディングを行う
領域）のみに金メッキが施されており、他の部分はレジ
ストで覆われている点にある。
の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分、（ｂ）は
その断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的
な構成は、窒化アルミニウム基板上に形成された伝送線
路において、チップ部品実装領域のみに半田メッキ、ト
ランジスタチップ実装領域（ワイヤボンディングを行う
領域）のみに金メッキが施されており、他の部分はレジ
ストで覆われている点にある。
【００２７】窒化アルミニウム基板５上にタングステン
６／ニッケル７／銅８によりマイクロストリップ線路が
形成されている。さらに、表面にはトランジスタのチッ
プ実装を行うため、チップ実装領域のみに銅メッキ８上
にニッケル９／金メッキ１０が施されている。またチッ
プ部品実装に必要な部分のみにニッケル９／半田メッキ
１６が形成されている。
６／ニッケル７／銅８によりマイクロストリップ線路が
形成されている。さらに、表面にはトランジスタのチッ
プ実装を行うため、チップ実装領域のみに銅メッキ８上
にニッケル９／金メッキ１０が施されている。またチッ
プ部品実装に必要な部分のみにニッケル９／半田メッキ
１６が形成されている。
【００２８】このような構成にすることにより、実装時
に問題になる半田の金食われを低減することができ、実
装密度を上げることもできる。また、線路全体での伝送
損失も低減することができる。
に問題になる半田の金食われを低減することができ、実
装密度を上げることもできる。また、線路全体での伝送
損失も低減することができる。
【００２９】図４では金メッキまたは半田メッキの下層
導体はタングステン／ニッケル／銅／ニッケルとなって
いるが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が得
られる。
導体はタングステン／ニッケル／銅／ニッケルとなって
いるが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が得
られる。
【００３０】以上、基板材料が窒化アルミニウムおよび
アルミナの場合を例にとって実施の形態を説明したが、
他のモジュール基板材料および多層構造の基板を用いた
場合においても同様の効果が得られる。また、線路につ
いてもマイクロストリップラインを例にとって説明した
が、他の種類の線路においても同様の効果が得られる。
アルミナの場合を例にとって実施の形態を説明したが、
他のモジュール基板材料および多層構造の基板を用いた
場合においても同様の効果が得られる。また、線路につ
いてもマイクロストリップラインを例にとって説明した
が、他の種類の線路においても同様の効果が得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明により、組
立実装時に問題になる半田の金食われを低減し、信頼性
を向上することができる。また実装不良を低減して、部
品の実装密度を上げて、小型化を可能にすることができ
る。さらに線路の伝送損失が低減され、モジュールの特
性を向上させることができる。
立実装時に問題になる半田の金食われを低減し、信頼性
を向上することができる。また実装不良を低減して、部
品の実装密度を上げて、小型化を可能にすることができ
る。さらに線路の伝送損失が低減され、モジュールの特
性を向上させることができる。
【図１】（ａ）第１の実施の形態の高周波電力増幅モジ
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
【図２】（ａ）第２の実施の形態の高周波電力増幅モジ
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
【図３】（ａ）第３の実施の形態の高周波電力増幅モジ
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
【図４】（ａ）第４の実施の形態の高周波電力増幅モジ
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
ュールの１部を上面から見た図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
【図５】（ａ）従来のマルチチップモジュールを上面か
らみた図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
らみた図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図
【図６】従来のマルチチップモジュール用基板における
線路の断面図
線路の断面図
１ マイクロストリップライン ２ トランジスタチップ ３ ボンディングワイヤ ４ チップコンデンサ ５ 窒化アルミニウム基板 ６ タングステン ７ ニッケル ８ 銅 ９ ニッケル １０ 金 １１ レジスト １２ 半田 １３ アルミナ基板 １４ 半田阻止層 １５ 半田メッキ ２１ 電力用ＦＥＴ ２２ ドレイン電極 ２３ ソース電極 ２４ ゲート電極 ２５ ゲート入力電極 ２６ ドレイン入力電極 ２７ グランド電極 ２８ 入力整合回路 ２９ 出力整合回路 ３０ ボンディングワイヤ ３１ マイクロストリップライン ３２ チップ抵抗 ３３ チップコンデンサ ３４ ドレインバイアス線 ３５ ゲートバイアス線 ３６ 窒化アルミニウム基板 ３７ グランド ３８ タングステン ３９ ニッケルメッキ ４０ 銅メッキ ４１ ニッケルメッキ ４２ 金メッキ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成された伝送線路とを有し、 前記伝送線路の表面において、部品の実装される部分の
みに金メッキが施されていることを特徴とする高周波用
モジュール基板。 - 【請求項２】 部品の実装される以外の部分がレジスト
で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の高周
波用モジュール基板。 - 【請求項３】 基板と、 前記基板上に形成された伝送線路とを有し、 前記伝送線路の表面において、部品の実装される部分の
みに金メッキおよび半田メッキが施されており、その他
の部分はレジストで覆われていることを特徴とする高周
波用モジュール基板。 - 【請求項４】 請求項１、２または３に記載の基板上に
実装され、前記基板上の伝送線路と電気的に接続された
トランジスタチップと、 前記基板上に実装され、前記基板上の伝送線路と電気的
に接続されたチップ部品とを備えていることを特徴とす
る高周波電力増幅モジュール。 - 【請求項５】 基板がアルミナを主成分とするセラミッ
ク基板であることを特徴とする請求項４に記載の高周波
電力増幅モジュール。 - 【請求項６】 基板が窒化アルミニウムを主成分とする
セラミック基板であることを特徴とする請求項４に記載
の高周波電力増幅モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8016308A JPH09213730A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 高周波用モジュール基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8016308A JPH09213730A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 高周波用モジュール基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213730A true JPH09213730A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11912911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8016308A Pending JPH09213730A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 高周波用モジュール基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213730A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007296A1 (fr) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Hitachi, Ltd. | Telephone portable |
| JP2013004756A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Citizen Electronics Co Ltd | 素子実装用基板 |
| JP2016122846A (ja) * | 2012-06-14 | 2016-07-07 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法 |
| US9679869B2 (en) | 2011-09-02 | 2017-06-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Transmission line for high performance radio frequency applications |
| US9859231B2 (en) | 2011-03-03 | 2018-01-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency integrated circuit module |
| JP2018173453A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
| JP2018173454A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
| WO2019187558A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
-
1996
- 1996-02-01 JP JP8016308A patent/JPH09213730A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9847755B2 (en) | 2012-06-14 | 2017-12-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier modules with harmonic termination circuit and related systems, devices, and methods |
| JP2018050049A (ja) * | 2012-06-14 | 2018-03-29 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法 |
| US10090812B2 (en) | 2012-06-14 | 2018-10-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier modules with bonding pads and related systems, devices, and methods |
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| JP2018173454A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
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| US11327347B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-05-10 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide element |
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