JP4581885B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4581885B2 JP4581885B2 JP2005212246A JP2005212246A JP4581885B2 JP 4581885 B2 JP4581885 B2 JP 4581885B2 JP 2005212246 A JP2005212246 A JP 2005212246A JP 2005212246 A JP2005212246 A JP 2005212246A JP 4581885 B2 JP4581885 B2 JP 4581885B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- pair
- connection terminals
- mold resin
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1029—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being a lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1094—Thermal management, e.g. cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
ここで、請求項2のように、第1および第2の半導体パッケージ(10、20)を、一対の金属体(3、4)が隔てられている方向とは直交する平面に沿って配列し、この配列方向に沿って各接続端子(35a、35b)を、相手側の半導体パッケージ(10、20)に向かってモールド樹脂(7)から突出させたものとしてもよい。
また、請求項3に記載の発明においては、第1の半導体パッケージ(10)の接続端子(35a)と、第2の半導体パッケージ(20)の接続端子(35b)とが直接接触することにより、電気的に接続されており、第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、一対の金属体(3、4)が隔てられている方向とは直交する平面に沿って、配列されており、この配列方向に沿って各接続端子(35a、35b)は、相手側の前記半導体パッケージ(10、20)に向かってモールド樹脂(7)から突出することにより、互いに電気的に接続されており、第1および第2の半導体パッケージ(10、20)の接続端子(35a、35b)のそれぞれにおいて、両接続端子(35a、35b)の接続部側とは反対側の面が、金属体(3、4)におけるモールド樹脂(7)から露出する面(3a、4a)と同一平面上に位置し露出していることを特徴とする。それによれば、請求項1と同様に、従来のようなバスバーを介することなく、半導体パッケージ(10、20)同士を電気的に接続することができる。また、各接続端子(35a、35b)における接続部側とは反対側の面を、放熱面として機能させることが可能となるため、放熱性の向上が図れる。
また、請求項4に記載の発明においては、第1の半導体パッケージ(10)の接続端子(35a)と、第2の半導体パッケージ(20)の接続端子(35b)とが直接接触することにより、電気的に接続されており、両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部が、電気絶縁性を有する絶縁部材(40、41、42、43)によって被覆されていることを特徴とする。それによれば、請求項1と同様に、従来のようなバスバーを介することなく、半導体パッケージ(10、20)同士を電気的に接続することができる。また、両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部の電気的な絶縁を確保しやすくなる。
また、請求項6に記載の発明においては、第1の半導体パッケージ(10)の接続端子(35a)と、第2の半導体パッケージ(20)の接続端子(35b)とが導電性接合部材(51)を介して電気的に接続されており、両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部が、電気絶縁性を有する絶縁部材(40、41、42、43)によって被覆されていることを特徴とする。それによれば、請求項4と同様に、従来のようなバスバーを介することなく、半導体パッケージ(10、20)同士を電気的に接続することができる。また、両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部の電気的な絶縁を確保しやすくなる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の概略構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は(a)中のA−A線に沿った概略断面図である。この半導体装置100は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用のモータを駆動するために用いられるインバータ装置として適用されるものである。
上記実施形態では、第1および第2の半導体パッケージ10、20は、一対の金属体3、4が隔てられている方向とは直交する平面に沿って、配列されており、各接続端子35a、35bをモールド樹脂7から突出したものとしていた。
なお、上記の各半導体装置において、出力端子31、電源端子32、33の突出位置は、上記の図示例に限定されるものではない。
3、4…金属体、3a、4a…金属体の外面、7…モールド樹脂、
10…第1の半導体パッケージ、20…第2の半導体パッケージ、
35a…第1の半導体パッケージの接続端子、
35b…第2の半導体パッケージの接続端子、40、42…絶縁部材、
41…絶縁部材としての突出部、43…絶縁部材としての絶縁樹脂、
51…導電性接合部材としてのはんだ。
Claims (12)
- 第1の半導体パッケージ(10)と第2の半導体パッケージ(20)とを備え、
これら第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、半導体素子(1、2)の両面を、前記半導体素子(1、2)の電極および放熱部材として機能する一対の金属体(3、4)にて挟んでなり、前記半導体素子(1、2)および前記一対の金属板(3、4)をモールド樹脂(7)にて封止したものであって、前記一対の金属体(3、4)のうち前記半導体素子(1、2)と対向する面とは反対側の面(3a、4a)を前記モールド樹脂(7)から露出させるとともに、前記一対の金属体(3、4)の一方に前記モールド樹脂(7)から露出する接続端子(35a、35b)を設けたものであり、
前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)同士が電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、同形状であって上下を反転させて配置されたものであり、
前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、前記一対の金属体(3、4)が隔てられている方向とは直交する平面に沿って、配列されており、
前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)の前記金属体(3、4)における前記モールド樹脂(7)から露出する面(3a、4a)は、同一平面上に位置しており、
前記第1の半導体パッケージ(10)の前記接続端子(35a)と、前記第2の半導体パッケージ(20)の前記接続端子(35b)とが直接接触することにより、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)の配列方向に沿って前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)の前記各接続端子(35a、35b)は、相手側の前記半導体パッケージ(10、20)に向かって前記モールド樹脂(7)から突出することにより、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1の半導体パッケージ(10)と第2の半導体パッケージ(20)とを備え、
これら第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、半導体素子(1、2)の両面を、前記半導体素子(1、2)の電極および放熱部材として機能する一対の金属体(3、4)にて挟んでなり、前記半導体素子(1、2)および前記一対の金属板(3、4)をモールド樹脂(7)にて封止したものであって、前記一対の金属体(3、4)のうち前記半導体素子(1、2)と対向する面とは反対側の面(3a、4a)を前記モールド樹脂(7)から露出させるとともに、前記一対の金属体(3、4)の一方に前記モールド樹脂(7)から露出する接続端子(35a、35b)を設けたものであり、
前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)同士が電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージ(10)の前記接続端子(35a)と、前記第2の半導体パッケージ(20)の前記接続端子(35b)とが直接接触することにより、電気的に接続されており、
前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、前記一対の金属体(3、4)が隔てられている方向とは直交する平面に沿って、配列されており、この配列方向に沿って前記各接続端子(35a、35b)は、相手側の前記半導体パッケージ(10、20)に向かって前記モールド樹脂(7)から突出することにより、互いに電気的に接続されており、
前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)のそれぞれにおいて、前記両接続端子(35a、35b)の接続部側とは反対側の面が、前記金属体(3、4)における前記モールド樹脂(7)から露出する面(3a、4a)と同一平面上に位置し露出していることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体パッケージ(10)と第2の半導体パッケージ(20)とを備え、
これら第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、半導体素子(1、2)の両面を、前記半導体素子(1、2)の電極および放熱部材として機能する一対の金属体(3、4)にて挟んでなり、前記半導体素子(1、2)および前記一対の金属板(3、4)をモールド樹脂(7)にて封止したものであって、前記一対の金属体(3、4)のうち前記半導体素子(1、2)と対向する面とは反対側の面(3a、4a)を前記モールド樹脂(7)から露出させるとともに、前記一対の金属体(3、4)の一方に前記モールド樹脂(7)から露出する接続端子(35a、35b)を設けたものであり、
前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)同士が電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージ(10)の前記接続端子(35a)と、前記第2の半導体パッケージ(20)の前記接続端子(35b)とが直接接触することにより、電気的に接続されており、
前記両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部が、電気絶縁性を有する絶縁部材(40、41、42、43)によって被覆されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体パッケージ(10)と第2の半導体パッケージ(20)とを備え、
これら第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、半導体素子(1、2)の両面を、前記半導体素子(1、2)の電極および放熱部材として機能する一対の金属体(3、4)にて挟んでなり、前記半導体素子(1、2)および前記一対の金属板(3、4)をモールド樹脂(7)にて封止したものであって、前記一対の金属体(3、4)のうち前記半導体素子(1、2)と対向する面とは反対側の面(3a、4a)を前記モールド樹脂(7)から露出させるとともに、前記一対の金属体(3、4)の一方に前記モールド樹脂(7)から露出する接続端子(35a、35b)を設けたものであり、
前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)同士が電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージ(10)の前記接続端子(35a)と、前記第2の半導体パッケージ(20)の前記接続端子(35b)とが導電性接合部材(51)を介して電気的に接続されており、
前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、前記一対の金属体(3、4)が隔てられている方向とは直交する平面に沿って、配列されており、この配列方向に沿って前記各接続端子(35a、35b)は、相手側の前記半導体パッケージ(10、20)に向かって前記モールド樹脂(7)から突出することにより、互いに電気的に接続されており、
前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)のそれぞれにおいて、前記両接続端子(35a、35b)の接続部側とは反対側の面が、前記金属体(3、4)における前記モールド樹脂(7)から露出する面(3a、4a)と同一平面上に位置し露出していることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体パッケージ(10)と第2の半導体パッケージ(20)とを備え、
これら第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、半導体素子(1、2)の両面を、前記半導体素子(1、2)の電極および放熱部材として機能する一対の金属体(3、4)にて挟んでなり、前記半導体素子(1、2)および前記一対の金属板(3、4)をモールド樹脂(7)にて封止したものであって、前記一対の金属体(3、4)のうち前記半導体素子(1、2)と対向する面とは反対側の面(3a、4a)を前記モールド樹脂(7)から露出させるとともに、前記一対の金属体(3、4)の一方に前記モールド樹脂(7)から露出する接続端子(35a、35b)を設けたものであり、
前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)同士が電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージ(10)の前記接続端子(35a)と、前記第2の半導体パッケージ(20)の前記接続端子(35b)とが導電性接合部材(51)を介して電気的に接続されており、
前記両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部が、電気絶縁性を有する絶縁部材(40、41、42、43)によって被覆されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、前記一対の金属体(3、4)が隔てられている方向とは直交する平面に沿って、配列されており、この配列方向に沿って前記各接続端子(35a、35b)は、相手側の前記半導体パッケージ(10、20)に向かって前記モールド樹脂(7)から突出することにより、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項4または6に記載の半導体装置。
- 前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)の前記接続端子(35a、35b)のそれぞれにおいて、前記両接続端子(35a、35b)の接続部側とは反対側の面が、前記金属体(3、4)における前記モールド樹脂(7)から露出する面(3a、4a)と同一平面上に位置し露出していることを特徴とする請求項1、2および7のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部が、電気絶縁性を有する絶縁部材(40、41、42、43)によって被覆されていることを特徴とする請求項1、2、3および5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1および前記第2の半導体パッケージ(10、20)において、前記モールド樹脂(7)は、前記両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部を覆うように突出した前記絶縁部材としての突出部(41)を有しており、
この突出部(41)が前記両接続端子(35a、35b)の接続部を被覆していることを特徴とする請求項4、6および9のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記絶縁部材(42)は、前記両接続端子(35a、35b)が接続されている接続部を挟み込むように被覆するものであって、取り外し可能なものであることを特徴とする請求項4、6および9のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1および第2の半導体パッケージ(10、20)は、前記一対の金属体(3、4)が隔てられている方向に沿って積層されており、
前記第1の半導体パッケージ(10)と前記第2の半導体パッケージ(20)において、前記金属体(3、4)における前記モールド樹脂(7)から露出する面(3a、4a)のうち相手側の前記半導体パッケージ(10、20)に対向する面が、前記接続端子(35a、35b)として構成され互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項4または6に記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005212246A JP4581885B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体装置 |
US11/484,701 US7470939B2 (en) | 2005-07-22 | 2006-07-12 | Semiconductor device |
DE102006062989.2A DE102006062989B3 (de) | 2005-07-22 | 2006-07-13 | Halbleitervorrichtung mit Halbleiterbaugruppen, die jeweils ein Halbleiterelement und ein Umschließungselement aufweisen |
DE102006032490.0A DE102006032490B4 (de) | 2005-07-22 | 2006-07-13 | Halbleitervorrichtung |
CNB2006101059737A CN100527411C (zh) | 2005-07-22 | 2006-07-21 | 半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005212246A JP4581885B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007035670A JP2007035670A (ja) | 2007-02-08 |
JP4581885B2 true JP4581885B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=37657001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005212246A Expired - Fee Related JP4581885B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7470939B2 (ja) |
JP (1) | JP4581885B2 (ja) |
CN (1) | CN100527411C (ja) |
DE (2) | DE102006032490B4 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4564937B2 (ja) | 2006-04-27 | 2010-10-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置 |
JP5076440B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4580997B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-11-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5067267B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-11-07 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP5267021B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-08-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびそれを用いたインバータ回路 |
JP4957815B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-06-20 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール及びそれを用いた電子回路内蔵型モータ |
JP5158176B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-03-06 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP5380376B2 (ja) | 2010-06-21 | 2014-01-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体装置 |
JP5206743B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2013-06-12 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP5709299B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-04-30 | ローム株式会社 | 半導体パワーモジュールおよびその製造方法 |
JP2012212776A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Denso Corp | 電力変換装置 |
JP5947537B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2016-07-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5520889B2 (ja) | 2011-06-24 | 2014-06-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
KR101224702B1 (ko) * | 2011-07-25 | 2013-01-21 | 삼성전기주식회사 | 파워소자 패키지모듈 및 그의 제조방법 |
JP2013101993A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP5729314B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2015-06-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102012204489A1 (de) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Zf Friedrichshafen Ag | Baugruppe |
JP5621812B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2014-11-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2014002442A1 (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置および半導体装置の接続構造 |
JP5966979B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2016-08-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5796599B2 (ja) | 2013-05-23 | 2015-10-21 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールおよびスイッチング素子の駆動装置 |
JP2015095560A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 株式会社デンソー | パワーモジュール |
WO2015107871A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
JP2015179702A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6354283B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-07-11 | 日産自動車株式会社 | 半導体モジュール及び半導体装置 |
JP6281506B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2018-02-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
JP6347308B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2018-06-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6750514B2 (ja) | 2017-01-18 | 2020-09-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
DE102017207564A1 (de) | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitermodul |
JP6859860B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2021-04-14 | 株式会社デンソー | 電力変換装置、及びその製造方法 |
WO2019065184A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | インバータモジュール |
US10685909B2 (en) * | 2017-11-17 | 2020-06-16 | Infineon Technologies Ag | Power package having multiple mold compounds |
JP7069787B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-05-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
KR102048478B1 (ko) * | 2018-03-20 | 2019-11-25 | 엘지전자 주식회사 | 양면냉각형 파워 모듈 및 그의 제조 방법 |
JP2019054296A (ja) * | 2019-01-10 | 2019-04-04 | 京セラ株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP6782809B2 (ja) * | 2019-04-05 | 2020-11-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体モジュール及びこれを備えた電力変換装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1168031A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Icモジュールおよび半導体部品 |
JP2001035988A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2004193476A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2005012163A (ja) * | 2003-05-26 | 2005-01-13 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2005136332A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5138438A (en) * | 1987-06-24 | 1992-08-11 | Akita Electronics Co. Ltd. | Lead connections means for stacked tab packaged IC chips |
JPH0263150A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積回路用パッケージ |
JPH04113475A (ja) | 1990-09-04 | 1992-04-14 | Sony Corp | 画像作成システム |
JPH0529532A (ja) | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | 半導体モジユール構造 |
US6703707B1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
JP3596388B2 (ja) | 1999-11-24 | 2004-12-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US6693350B2 (en) * | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
KR100426494B1 (ko) * | 1999-12-20 | 2004-04-13 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 이것의 제조방법 |
EP2244289B1 (en) * | 2000-04-19 | 2014-03-26 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
DE10114125A1 (de) * | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Isad Electronic Sys Gmbh & Co | Aus mehreren Leistungsmodulen bestehende elektronische Leistungsschaltung |
JP3809346B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2006-08-16 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング回路 |
JP4173751B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
DE102005001151B4 (de) * | 2005-01-10 | 2012-04-19 | Infineon Technologies Ag | Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen |
DE102005027356B4 (de) * | 2005-06-13 | 2007-11-22 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und ein Verfahren zur Herstellung desselben |
-
2005
- 2005-07-22 JP JP2005212246A patent/JP4581885B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-12 US US11/484,701 patent/US7470939B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-13 DE DE102006032490.0A patent/DE102006032490B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-13 DE DE102006062989.2A patent/DE102006062989B3/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-21 CN CNB2006101059737A patent/CN100527411C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1168031A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Icモジュールおよび半導体部品 |
JP2001035988A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2004193476A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2005012163A (ja) * | 2003-05-26 | 2005-01-13 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2005136332A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102006062989B3 (de) | 2018-04-05 |
DE102006032490A1 (de) | 2007-03-01 |
US20070018197A1 (en) | 2007-01-25 |
US7470939B2 (en) | 2008-12-30 |
DE102006032490B4 (de) | 2014-07-03 |
JP2007035670A (ja) | 2007-02-08 |
CN100527411C (zh) | 2009-08-12 |
CN1901187A (zh) | 2007-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4581885B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5206822B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2019107077A1 (ja) | パワー半導体装置及びその製造方法 | |
JP5279632B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US9831160B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5659938B2 (ja) | 半導体ユニットおよびそれを用いた半導体装置 | |
KR20130133052A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5821949B2 (ja) | 半導体装置及びこれを備えたインバータ装置、並びにこれらを備えた車両用回転電機 | |
JP6256145B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007184525A (ja) | 電子機器装置 | |
WO2019181261A1 (ja) | パワー半導体装置 | |
JP6610568B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10027094B2 (en) | Power module, power converter and drive arrangement with a power module | |
JP4403665B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4349364B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN110771027B (zh) | 功率半导体装置及使用该装置的电力转换装置 | |
JP4424199B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009164647A (ja) | 半導体装置 | |
JP4403166B2 (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
WO2017130370A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP7074046B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP4864990B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7240221B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
JP6475660B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
JP2022067902A (ja) | 電子装置および電子装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070820 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100816 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4581885 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |