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Die
gegenwärtige
Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung mit einer
Vielzahl von Halbleiterbaugruppen, von welchen jede Halbleiterelemente
aufweist, die zwischen Elektroden angeordnet und von einem Einkapselungselement
bzw. Umschließungselement
mit Verbindungsanschlüssen eingekapselt
bzw. umgeben sind.
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Es
sind Halbleiterbaugruppen vorgeschlagen worden, die Halbleiterelemente
aufweisen, welche zwischen einem Paar von Metallkörpern angeordnet
und mit einem Gießharz
abgedichtet sind. Die Metallkörper
haben die Funktion von Elektroden und von Wärmeübertragungselementen für die Halbleiterelemente.
(Siehe beispielsweise die japanische Patentveröffentlichung Nr. 3596388, die
US Patentveröffentlichung
2004/0089941, die US Patentveröffentlichung
2004/0089940 und die US Patente Nr. 6998707, Nr. 6992383, Nr. 6967404
und Nr. 6960825.)
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In
einer solchen Halbleiterbaugruppe sind äußere Oberflächen der Metallkörper (d.h.
Oberflächen,
welche zu den Oberflächen
gegenüberliegend angeordnet
sind, die den Halbleiterelementen zugewandt sind) nicht von dem
Gießharz
bedeckt, um so eine Wärmeübertragung
davon zu ermöglichen.
Es ist ebenfalls an einem der Metallkörper ein Verbindungsanschluss,
der nicht mit dem Gießharz
bedeckt ist, vorgesehen, um mit einem externen Bauteil eine elektrische
Verbindung bereitzustellen.
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Eine
Wechselrichtervorrichtung oder eine andere Vorrichtung kann aufgebaut
werden, indem eine Vielzahl dieser Halbleiterbaugruppen verwendet wird.
Die Halbleiterbaugruppen sind unter Verwendung einer Stromschiene
durch die jeweiligen Verbindungsanschlüsse elektrisch verbunden.
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Dadurch,
dass die Stromschiene verwendet wird, kann jedoch eine Induktivität ansteigen,
was unerwünscht
ist. Die Induktivität
kann eine relativ große Stoßspannung
bewirken, und durch die Stoßspannung
kann sich in der Halbleiterbaugruppe eine Belastung auf die Halbleiterelemente
erhöhen.
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Hinsichtlich
der oben genannten Nachteile ist es Aufgabe der gegenwärtigen Erfindung,
diese zu beseitigen.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch die Merkmale von Anspruch 1 und 2. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen
der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
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Es
ist eine Halbleitervorrichtung offenbart, die eine erste und eine
zweite Halbleiterbaugruppe aufweist. Jede Halbleiterbaugruppe beinhaltet
ein Halbleiterelement, eine Vielzahl von Elektrodenelementen und
ein Einkapselungselement bzw. Umschließungselement. Die Halbleiterelemente
sind zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen angeordnet, und
die Elektrodenelemente stehen mit dem jeweiligen Halbleiterelement
in elektrischer Verbindung und stellen für dieses eine Wärmeübertragung bereit.
Das Umschließungselement
umgibt das jeweilige Halbleiterelement zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen,
und eine Außenoberfläche von
jedem Elektrodenelement liegt von dem jeweiligen Umschließungselement
frei. Jede Halbleiterbaugruppe weist einen Verbindungsanschluss
auf, der mit einem der Elektrodenelemente elektrisch gekoppelt ist
und der sich nach außen
derart erstreckt, dass er von dem jeweiligen Umschließungselement
freiliegend angeordnet ist. Die Verbindungsanschlüsse grenzen
aneinander so an, dass sie zwischen den ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen
eine elektrische Verbindung erzielen.
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Es
ist ebenfalls eine Halbleitervorrichtung offenbart, die eine erste
und eine zweite Halbleiterbaugruppe aufweist. Jede Halbleiterbaugruppe
weist ein Halbleiterelement, eine Vielzahl von Elektrodenelementen
und ein Einkapselungselement bzw. Umschließungselement auf. Die Halbleiterelemente
sind zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen angeordnet, und
die Elektrodenelemente stehen mit dem jeweiligen Halbleiterelement
in elektrischer Verbindung und stellen für dieses eine Wärmeübertragung bereit.
Das Umschließungselement
umgibt das jeweilige Halbleiterelement zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen,
und eine Außenoberfläche von
jedem Elektrodenelement liegt von dem jeweiligen Umschließungselement
frei. Jede Halbleitervorrichtung weist einen Verbindungsanschluss
auf, der mit einem der Elektrodenelemente elektrisch gekoppelt ist
und der sich so nach außen
erstreckt, dass er von dem jeweiligen Umschließungselement freiliegend angeordnet
ist. Zwischen den Verbindungsanschlüssen ist ein leitfähiges Verbindungsmaterial
angeordnet, um zwischen den ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen
eine elektrische Verbindung zu erzielen.
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1A ist
eine Draufsicht von einer Ausführungsform
einer Halbleitervorrichtung gemäß der gegenwärtigen Erfindung;
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1B ist
eine Schnittansicht der Halbleitervorrichtung entlang der Linie
IB-IB von 1A;
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2 ist
eine Draufsicht von einer ersten Halbleiterbaugruppe der Halbleitervorrichtung
von 1A;
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3A und 3B sind
Schnittansichten von verschiedenen Ausführungsformen der elektrischen
Verbindung von den Halbleiterbaugruppen der Halbleitervorrichtung;
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4 ist
eine Schnittansicht von einer anderen Ausführungsform der elektrischen
Verbindung von den Halbleiterbaugruppen der Halbleitervorrichtung;
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5A ist
eine Draufsicht von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung;
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5B ist
eine perspektivische Ansicht von einem Bereich der Halbleitervorrichtung
von 5A;
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6 ist
eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung;
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7A und 7B sind
Seitenansichten von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung;
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8A ist
eine perspektivische Ansicht von einer Ausführungsform eines isolierenden
Elements für
die Halbleitervorrichtung;
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8B ist
eine Schnittansicht der zusammengefügten Halbleitervorrichtung
mit dem isolierenden Element von 8A;
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9 ist
eine Draufsicht von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung;
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10A und 10B sind
Draufsichten von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung;
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11 ist
eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung;
und
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12 ist
eine Seitenansicht einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung.
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Unter
Bezugnahme auf die beigefügte
Zeichnung werden im Folgenden Ausführungsformen dieser Erfindung
beschrieben. Ferner sind in den folgenden Figuren alle Teile, die
gleich oder gleichwertig sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, um
die Erklärung
zu vereinfachen.
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Es
wird als Erstes auf die 1A und 1B Bezug
genommen. Darin ist eine Ausführungsform
einer Halbleitervorrichtung 100 dargestellt. In einer Ausführungsform
wird die Halbleitervorrichtung 100 in einem Fahrzeug (wie
z.B. einem Automobil und dergleichen) mitgeführt, und die Halbleitervorrichtung 100 wird
als Wechselrichtervorrichtung verwendet, um einen Fahrzeugmotor
zu betreiben.
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Die
Halbleitervorrichtung 100 weist eine erste Halbleiterbaugruppe 10 und
eine zweite Halbleiterbaugruppe 20 auf. In 2 ist
der Klarheit wegen nur die erste Halbleitervorrichtung 10 dargestellt.
Es ist zu erkennen, dass die zweite Halbleiterbaugruppe 20 im
Wesentlichen den gleichen Aufbau hat wie die erste Halbleiterbaugruppe 10.
In Bezug auf die erste Halbleiterbaugruppe 10 ist jedoch
die zweite Halbleiterbaugruppe 20 um 180 Grad gedreht.
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Wie
in den 1A, 1B und 2 dargestellt
ist, weist jede der ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen 10, 20 zwei
je weilige Halbleiterelemente 1, 2 auf. Die Halbleiterelemente 1, 2 sind
in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. In einer Ausführungsform
ist das erste Halbleiterelement 1 ein IGBT (ein Isolierschichtbipolartransistor),
und das zweite Halbleiterelement 2 ist eine FWD (eine Schwungraddiode).
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Darüber hinaus
weist jede der ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen 10, 20 ein
erstes und ein zweites Elektrodenelement 3, 4 auf.
Die ersten und zweiten Elektrodenelemente 3, 4 sind
aus einem Metall hergestellt, das eine relativ hohe thermische und
elektrische Leitfähigkeit
hat (wie z.B. eine Kupferlegierung, eine Aluminiumlegierung, etc.)
In der dargestellten Ausführungsform
sind die ersten und zweiten Elektrodenelemente 3, 4 als
Platten ausgeformt. In jeder der Halbleiterbaugruppen 10, 20 sind die
ersten und zweiten Halbleiterelemente 1, 2 zwischen
dem jeweiligen Paar von Elektrodenelementen 3, 4 angeordnet.
Genauer gesagt sind die Elektrodenelemente 3, 4 mit
den jeweiligen Halbleiterelementen 1, 2 elektrisch
verbunden. Ferner sorgen die Elektrodenelemente 3, 4 bei
den jeweiligen Halbleiterelemente 1, 2, für eine Wärmeübertragung.
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Wie
in 1B dargestellt ist, ist ein erstes Elektrodenelement 3 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 unterhalb eines zweiten Elektrodenelements 4 und
von diesem beabstandet angeordnet. Im Gegensatz dazu ist bei der
zweiten Halbleiterbaugruppe 20 das erste Elektrodenelement 3 oberhalb
des zweiten Elektrodenelements 4 angeordnet.
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Wie
in 1B dargestellt ist, sind in den beiden Halbleiterbaugruppen 10, 20 eine
Innenoberfläche
des jeweiligen zweiten Elektrodenelements 4 und eine Oberfläche der
jeweiligen Halbleiterelemente 1, 2 durch ein leitfähiges Verbindungsmaterial 5 elektrisch
und thermisch verbunden. In jeder Halbleiterbaugruppe 10, 20 ist
darüber
hinaus zwischen dem jeweiligen ersten Elektrodenelement 3 und
der anderen Oberfläche
der jeweiligen Halbleiterelemente 1, 2 ein Wärmesenkeblock 6 angeordnet.
Das leitfähige
Verbindungsmaterial 5 verbindet die Wärmesenkeblöcke 6 mit dem ersten
Halbleiterelement 1 bzw. mit dem zweiten Halbleiterelement 2 elektrisch und
thermisch. Ebenfalls verbindet das leitfähige Verbindungsmaterial 5 die
Wärmesenkeblöcke 6 mit
einer Innenoberfläche
des ersten Elektrodenele ments 3 elektrisch und thermisch.
Das leitfähige
Verbindungsmaterial 5 kann jedes geeignete Verbindungsmaterial
sein, wie z.B. ein Lot, ein leitfähiger Klebstoff und dergleichen.
Außerdem
sind in einer Ausführungsform
die Wärmesenkeblöcke 6 aus
dem gleichen Material hergestellt wie die Elektrodenelemente 3, 4.
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Jede
der Halbleiterbaugruppen 10, 20 weist ferner ein
Einkapselungselement bzw. Umschließungselement 7 auf.
Ein erstes Einkapselungselement bzw. Umschließungselement 7 bedeckt
wenigstens teilweise den Umfang zwischen den ersten und zweiten
Elektrodenelementen 3, 4 der ersten Halbleiterbaugruppe 10.
Als solches umgibt das erste Umschließungselement 7 die
ersten und zweiten Halbleiterelemente 1, 2 innerhalb
der ersten und zweiten Elektrodenelemente 3, 4 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 und dichtet diese ab. Ebenfalls
bedeckt ein zweites Einkapselungselement bzw. Umschließungselement 7 wenigstens
teilweise den Umfang zwischen den ersten und zweiten Elektrodenelementen 3, 4 der
zweiten Halbleiterbaugruppe 20. Als solches umgibt das
zweite Umschließungselement 7 die
ersten und zweiten Halbleiterelemente 1, 2 innerhalb
der ersten und zweiten Elektrodenelemente 3, 4 der zweiten
Halbleiterbaugruppe 20 und dichtet diese ab. Das Umschließungselement 7 kann
aus jedem geeigneten Material hergestellt sein, wie z.B. einem Gießharz, das
aus einem auf Epoxid basierendem Harz hergestellt ist, und dergleichen.
In einer Ausführungsform
wird das Umschließungselement
durch Press- bzw. Druckformen ausgeformt.
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Wie
in 1B dargestellt ist, weist jedes der Elektrodenelemente 3, 4 eine
Außenoberfläche 3a, 4a auf,
die nicht von dem jeweiligen Umschließungselement 7 bedeckt
ist. Somit kann eine Oberfläche von
jedem ersten Halbleiterelement 1 durch ein Elektrodenelement 4 und
durch die Außenoberfläche 4a Wärme leiten,
und die entgegengesetzte Oberfläche von
jedem ersten Halbleiterelement 1 kann durch den jeweiligen
Wärmesenkeblock 6,
durch das andere Elektrodenelement 3 und durch die Außenoberfläche 3a Wärme leiten.
Ferner kann eine Oberfläche
von jedem zweiten Halbleiterelement 2 durch ein Elektrodenelement 4 und
durch die Außenoberfläche 4a Wärme leiten,
und die entgegengesetzte Oberfläche von
jedem zweiten Halbleiterelement 2 kann durch den jeweiligen
Wärmesenkeblock 6,
durch das andere Elektrodenelement 3 und durch die Außenoberfläche 3a Wärme leiten.
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In
einer Ausführungsform
sind Elektrodenelemente 3, 4 mit (nicht dargestellten)
Elektroden der zwei Halbleiterelemente 1, 2 (d.h.
der Leistungselemente vom vertikalen Typ) durch das leitfähige Verbindungsmaterial 5 bzw.
durch die Wärmesenkeblocks 6 elektrisch
verbunden.
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Wie
in 2 dargestellt ist, sind in diesem Fall die Elektrodenelemente 3, 4 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 jeweils mit einem externen
Anschluss 31 bzw. 32 versehen. Ebenfalls ist jedes
der Elektrodenelemente 3, 4 der zweiten Halbleiterbaugruppe 20 mit
einem externen Anschluss 33 bzw. 34 versehen.
Die externen Anschlüsse 31, 32, 33, 34 stehen
von dem jeweiligen Umschließungselement 7 derart
vor, dass sie frei liegen. Die externen Anschlüsse 31 bis 34 können an
dem jeweiligen Elektrodenelement 3, 4 auf jede
geeignete Art und Weise angebracht werden, wie z.B. durch Integralausformen,
durch Pressverarbeitung, durch Löten
und dergleichen.
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In
einer Ausführungsform
ist der externe Anschluss 31, der an dem Elektrodenelement 3 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 vorgesehen ist, ein Ausgangsanschluss,
der mit dem oben erwähnten
Kraftfahrzeugmotor verbunden ist. Darüber hinaus ist sowohl der externe
Anschluss 32, der an dem Elektrodenelement 4 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 vorgesehen ist, als auch
der externe Anschluss 33, der an dem Elektrodenelement 4 der
zweiten Halbleiterbaugruppe 20 vorgesehen ist, in dieser
Halbleitervorrichtung 100 ein Energiezufuhranschluss. In
dieser Ausführungsform
sind der Anschluss auf der Seite der ersten Halbleiterbaugruppe 10 eine
Hochspannungsseite und der Anschluss 33 auf der Seite der zweiten
Halbleiterbaugruppe 20 eine GND-Seite. Der Anschluss 31 (d.h.
der Ausgangsanschluss) ist einer von den sog. U-, V- und W-Anschlüssen in
der Wechselrichtervorrichtung. Der Anschluss 32 (d.h. der Hochspannungsenergieanschluss)
ist ein sog. P-Anschluss, und der Anschluss 33 (d.h. der
GND-Energieanschluss)
ist ein sog. N-Anschluss.
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Obwohl
der externe Anschluss 34 der zweiten Halbleiterbaugruppe 20 vorhanden
ist, weil der Aufbau verwendet wird, bei dem die gleichen zwei Halbleiterbaugruppen 10, 20 verwendet
werden, kann darüber
hinaus bei bestimmten Ausführungsformen
der Halbleitervorrichtung 100 der externe Anschluss 34 unnötig sein.
Somit ist in einer Ausführungsform
der externe Anschluss 34 in der Halbleitervorrichtung 100 vorhanden.
In einer anderen Ausführungsform
ist der externe Anschluss 34 nicht vorhanden. In einer
Ausführungsform
wird der externe Anschluss 34 beispielsweise durch Abtrennen
von der Halbleitervorrichtung 100 entfernt.
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Die
erste Halbleiterbaugruppe 10 weist ferner einen ersten
Verbindungsanschluss 35a auf, und die zweite Halbleiterbaugruppe 20 weist
ferner einen zweiten Verbindungsanschluss 35b auf. Die
ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse 35a, 35b sind aus
einem elektrisch leitfähigen
Material hergestellt (wie z.B. aus dem gleichen Material wie die
Elektrodenelemente 3, 4). Des weiteren sind der
erste Verbindungsanschluss 35a mit dem Elektrodenelement 3 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 und der zweite Verbindungsanschluss 35b mit
dem Elektrodenelement 3 der zweiten Halbleiterbaugruppe 20 elektrisch gekoppelt.
Die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b können an
das jeweilige Elektrodenelement 3 auf jede geeignete Art
und Weise gekoppelt sein (wie z.B. durch Integralkoppeln, durch
Presspassen, durch Löten
und dergleichen). Der erste Verbindungsanschluss 35a erstreckt
sich nach außen
derart, dass er von dem Umschließungselement 7 der ersten
Halbleiterbaugruppe 10 freigelegt ist, und der zweite Verbindungsanschluss 35b erstreckt
sich nach außen
derart, dass er von dem Umschließungselement 7 der
zweiten Halbleiterbaugruppe 20 freigelegt ist. Genauer
gesagt sind die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse 35a, 35b miteinander
elektrisch derart verbunden, dass die ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen 10, 20 miteinander
elektrisch verbunden sind.
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Gemäß 1B sind
die Elektrodenelemente 3, 4 von jeder Halbleiterbaugruppe 10, 20 in
Bezug zueinander in einer ersten Richtung (d.h. in 1B vertikal)
in einer räumlichen
Abstandsbeziehung angeordnet. Die ersten und zweiten Elektrodenbaugruppen 10, 20 sind
in Bezug zueinander in einer zweiten Richtung (d.h. in 1B horizontal)
angeordnet. Somit sind die ersten und zweiten Richtungen zueinander
ungefähr
orthogonal. Ebenfalls erstrecken sich die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b nach außen entlang
der zweiten Richtung (d.h. in 1B horizontal).
Die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b erstrecken
sich somit zueinander.
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In
der dargestellten Ausführungsform
ist ferner die erste Halbleiterbaugruppe 10 in Bezug auf
die zweite Halbleiterbaugruppen 20 um 180 Grad gedreht.
Die vertikalen Positionen der Elektrodenelemente 3, 4 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 sind in Bezug auf die vertikalen
Positionen der Elektrodenelemente 3, 4 der zweiten
Halbleiterbaugruppe 20 umgedreht.
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Gemäß 1B weisen
die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b einen
gekrümmten
bzw. gebogenen Abschnitt derart auf, dass ein Endabschnitt der Verbindungsanschlüsse 35a, 35b mit
dem jeweiligen Elektrodenelement 3 verbunden und der andere
Endabschnitt von dem Elektrodenelement 3 vertikal beabstandet
ist. Die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b sind
zueinander gekrümmt,
um zwischen ihnen eine elektrische Verbindung zu erzielen.
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In
dem in den 1A und 1B dargestellten
Beispiel gelangen die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b aneinander
in Anlage, so dass zwischen ihnen eine elektrische Verbindung erzielt
wird. In einer Ausführungsform
sind die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b weiter
an zwei oder mehr Schweißpunkten
K (siehe 1A) punktgeschweißt. Daher
sind die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b dadurch
elektrisch verbunden, dass sie in Anlage gebracht, überlappt
und punktgeschweißt
werden.
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Die
Verbindungsanschlüsse 35a, 35b sind an
einem Verbindungsteil verbunden. Das Verbindungsteil ist mit einem
elektrisch isolierenden Element 40 bedeckt. In einer Ausführungsform
ist das isolierende Element 40 durch Pressformen, Beschichten
oder dergleichen unter Verwendung eines auf Epoxid basierenden Harzes
und dergleichen ausgebildet.
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Wie
in den 1A und 2 dargestellt
ist, ist des weiteren innerhalb des Umschließungselements 7 angrenzend
an das erste jeweilige Halbleiterelement 1 ein Steueranschluss 8,
der einen Zuleitungsrahmen und dergleichen aufweist, vorgesehen. Die
Steueranschlüsse 8 gestatten
eine Signalübertragung
zur Steuerung des jeweiligen ersten Halbleiterelements 1.
Ein End abschnitt von jedem Steueranschluss 8 steht von
dem Umschließungselement 7 vor
und ist mit einem (nicht dargestellten) Schaltungssubstrat verbunden.
Jedes erste Halbleiterelement 1 ist durch eine Verbindungsleitung 9 an
der Seitenoberfläche
des Wärmesenkeblocks 6 mit
dem jeweiligen Steueranschluss 8 elektrisch verbunden. Der
Wärmesenkeblock 6 sichert
zwischen der Verbindungsleitungsoberfläche des ersten Halbleiterelements 1 und
dem Elektrodenelement 3 eine angemessene Höhe, um die
Höhe der
Leitung 9 aufrechtzuerhalten.
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Der
Steueranschluss 8 ist daher mit dem oben erwähnten Schaltungssubstrat
verbunden, das erste Halbleiterelement 1 wird durch eine
Steuerschaltung des Schaltungssubstrats gesteuert, und durch die
Energiezufuhranschlüsse 32, 33 wird
von einem (nicht dargestellten) Wandler eine direkte Spannung angelegt,
welche in einen Wechselstrom umgewandelt und von dem Ausgangsanschluss 31 dem
(nicht dargestellten) Fahrzeugmotor zugeführt wird. Diese Halbleitervorrichtung 100 hat
daher die Funktion der oben erwähnten
Wechselrichtervorrichtung.
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In
einer Ausführungsform
wird die Halbleitervorrichtung 100 dadurch erzeugt, dass
die Halbleiterbaugruppen 10, 20 getrennt hergestellt
werden. Anschließend
werden die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b elektrisch
verbunden (z.B. durch in Anlage bringen und durch Schweißen). Als
Nächstes
wird das isolierende Element 40 ausgebildet, um die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b zu
bedecken.
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Weil
eine elektrische Verbindung zwischen dem Verbindungsanschluss 35a der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 und dem Verbindungsanschluss 35b der
zweiten Halbleiterbaugruppe 20 durch in Anlage bringen
der zwei Anschlüsse 35a, 35b erzielt wird,
sind die Halbleiterbaugruppen 10, 20 zuverlässiger elektrisch
verbunden. Insbesondere ist es im Vergleich zu Baugruppen aus dem
Stand der Technik, die über
eine Stromschiene verbunden sind, welche eine Belastung auf die
Halbleiterelemente 1, 2 in den Halbleiterbaugruppen 10, 20 erhöht, weniger wahrscheinlich,
dass durch eine Induktivität
eine Stoßspannung
erzeugt wird.
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Um
die störende
Induktivität
zu verringern, ist als Alternative ein Aufbau vorgesehen, bei dem
innerhalb einer einzelnen Halbleiterbaugruppe mehr Halbleiterelemente
angeordnet und verbunden sind. Diese Anordnung kann jedoch Probleme
verursachen, die sich auf die Ausbeute der Halbleiterelemente, auf
ein Verziehen der Baugruppe aufgrund einer Vergrößerung der Gussform, auf eine
Ausbeute der Gussform und dergleichen beziehen. Im Gegensatz dazu
ist bei der gegenwärtigen
Ausführungsform
der Halbleitervorrichtung 100 bei dem Baugruppenverbindungsaufbau
die störende
Induktivität
verringert, und die Größe der Gussform
bleibt relativ gering.
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Es
ist anzumerken, dass die elektrische Verbindung durch in Anlage
bringen der Anschlüsse 35a, 35b auf
jede andere geeignete Art und Weise als durch Schweißen erzielt
werden kann. Unter Bezugnahme auf 3A erstreckt
sich beispielsweise durch die Anschlüsse 35a, 35b eine
Befestigungsvorrichtung 50 (wie z.B. eine Schraube, ein
Bolzen und dergleichen), und sie wird dafür verwendet, um die Anschlüsse 35a, 35b in
Anlagekontakt zu halten. Es kann jede Anzahl von Befestigungsvorrichtungen 50 verwendet
werden. In einer Ausführungsform
sind beispielsweise die Befestigungsvorrichtungen 50 an den
Stellen K vorgesehen, die in 1A gezeigt sind.
Auf diese Art und Weise wird eine elektrische Verbindung dadurch
erzielt, dass die zwei Verbindungsanschlüsse 35a, 35b in
Anlage gebracht und durch die Befestigungsvorrichtung 50 gehalten
werden. Weil die Befestigungsvorrichtung (die Befestigungsvorrichtungen) 50 entfernt
werden können,
ist es auch leicht, die Halbleiterbaugruppen 10, 20 zu
ersetzen oder zu reparieren, wenn eine der Halbleiterbaugruppen 10, 20 eine
Störung
und dergleichen aufweist.
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Es
wird auf 3B Bezug genommen. Darin ist
eine andere Ausführungsform
zum elektrischen Verbinden der Anschlüsse 35a, 35b aufgezeigt.
In dieser Ausführungsform
weist jeder Anschluss 35a, 35b ein Ineingriffbringungselement 37a, 37b auf.
In der dargestellten Ausführungsform
sind die Ineingriffbringungselemente 37a, 37b Materialerhöhungen, die
sich von den Anschlüssen 35a, 35b erstrecken. Die
Ineingriffbringungselemente 37a, 37b stehen miteinander
in Eingriff, um zu verhindern, dass sich die Anschlüsse 35a, 35b axial
von einander weg bewegen. Somit sichern die Ineingriffbringungselemente 37a, 37b,
dass die Anschlüsse 35a, 35b in
Anlagekontakt bleiben. Es ist zu erkennen, dass die Ineingriffbringungselemente 37a, 37b jede
geeignete Form haben können,
ohne dass der Schutzumfang der gegenwärtigen Offenbarung verlassen
wird.
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Es
wird nun auf 4 Bezug genommen. Darin ist
eine andere Ausführungsform
der Halbleitervorrichtung 100 dargestellt, in der eine
elektrische Verbindung zwischen den Verbindungsanschlüssen 35a, 35b mit
einem leitfähigen
Verbindungsmaterial 51 erzielt wird. In einer Ausführungsform
ist das leitfähige
Verbindungsmaterial 51 ein Lötmaterial. In einer anderen
Ausführungsform
ist das leitfähige
Verbindungsmaterial ein leitfähiger
Kleber. In noch einer anderen Ausführungsform ist das leitfähige Verbindungsmaterial 51 ein
Hartlötfüllmaterial.
Es ist jedoch darauf hinzuweisen, dass das leitfähige Verbindungsmaterial 51 jedes
geeignete Material sein kann, ohne dass der Schutzumfang der gegenwärtigen Offenbarung
verlassen wird.
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Die
ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen 10, 20 können elektrisch
verbunden werden, indem anstelle einer Stromschiene das leitfähige Verbindungsmaterial 51 verwendet
wird. Demgemäß sind die
Halbleiterbaugruppen 10, 20 elektrisch zuverlässiger verbunden.
Insbesondere ist es im Vergleich zu Baugruppen aus dem Stand der
Technik, die über
eine Stromschiene verbunden sind, welche eine Belastung auf die
Halbleiterelemente 1, 2 in den Halbleiterbaugruppen 10, 20 erhöht, weniger
wahrscheinlich, dass durch eine Induktivität eine Stoßspannung erzeugt wird.
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Es
wird nun auf die 5A und 5B Bezug
genommen, in denen eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung 101 dargestellt
ist. 5A ist eine Konturdraufsicht der Halbleitervorrichtung 101,
und 5B ist eine perspektivische Ansicht, welche die
Verbindungsanschlüsse 35a, 35b von 5A zeigt.
In 5 ist das isolierende Element 40 weggelassen.
In dieser Ausführungsform ist
der oben erwähnte
Ausgangsanschluss 31 der Halbleitervorrichtung 101 als
Abschnitt ausgeformt, der sich von dem Verbindungsanschluss 35b der zweiten
Halbleiterbaugruppe 20 erstreckt.
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Eine
andere Ausführungsform
der Halbleitervorrichtung 102 ist in 6 dargestellt.
Genauer gesagt ist 6 eine Querschnittsansicht der
Halbleitervorrichtung 102. In dieser Ausführungsform
ist jeder der Verbindungsanschlüsse 35a, 35b der ersten und
zweiten Halbleiterbaugruppen 10, 20 dicker als die
in der in 1A und 1B dargestellten
Ausführungsform.
Insbesondere ist der erste Verbindungsanschluss 35a an
das Elektrodenelement 3 der ersten Halbleiterbaugruppe 10 derart
gekoppelt, dass eine Außenoberfläche 36a des
ersten Verbindungsanschlusses 35a mit der Außenoberfläche 3a des
Elektrodenelements 3 in einer Ebene liegt. Ebenfalls ist
der zweite Verbindungsanschluss 35b an das Elektrodenelement 3 der
zweiten Halbleiterbaugruppe 20 derart gekoppelt, dass eine
Außenoberfläche 36b des
zweiten Verbindungsanschlusses 35b mit der Außenoberfläche 3a des
Elektrodenelements 3 in einer Ebene liegt. Beide Außenoberflächen 36a, 36b der
Anschlüsse 35a, 35b liegen
von den Umschließungselementen 7 und
von dem isolierenden Element 40 frei. Demgemäß können die
Außenoberflächen 36a, 36b für die Halbleiterelemente 1, 2 eine
zusätzliche
Wärmeübertragung
bereitstellen, so dass die Wärmeabstrahlungsfähigkeit
der Halbleitervorrichtung 102 verbessert wird.
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Es
wird nun auf die 7A und 7B Bezug
genommen, in denen eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung 103 dargestellt
ist. Insbesondere ist 7A eine Ansicht, welche einen
Zustand zeigt, bevor die zwei Halbleiterbaugruppen 10, 20 zusammengefügt sind,
und 7B ist eine Ansicht, welche einen Zustand zeigt,
nachdem die zwei Halbleiterbaugruppen 10, 20 zusammengefügt worden
sind. Es ist zu erwähnen,
dass die 7A und 7B nur
die Umschließungselemente 7,
das isolierende Element 41 und die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b zeigen.
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In
dem dargestellten Beispiel weist das isolierende Element 41 einen
ersten vorstehenden Abschnitt 41a und einen zweiten vorstehenden
Abschnitt 41b auf. Der erste vorstehende Abschnitt 41a ist
mit dem Umschließungselement 7 der
ersten Halbleiterbaugruppe 10 gekoppelt, und der zweite vorstehende
Abschnitt 41b ist mit dem Umschließungselement 7 der
zweiten Halbleiterbaugruppe 20 gekoppelt. In einer Ausführungsform
sind die vorstehenden Abschnitte 41a, 41b beispielsweise
durch Gießen
mit einem Gießharz
einstückig
an das jeweilige Umschließungselement 7 gekoppelt.
Wenn die Halbleiterbaugruppen 10, 20 zusammengefügt sind, arbeiten
die vorstehenden Abschnitte 41a, 41b derart zusammen,
dass sie die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse 35a, 35b abdecken
und elektrisch isolieren.
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Es
ist zu erkennen, dass die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b auf
jede geeignete Art und Weise elektrisch verbunden werden können, beispielsweise über das
leitfähige
Verbindungsmaterial 51b von 4, über Schweißen, über Befestigungsvorrichtungen
und dergleichen. Darüber
hinaus können
die vorstehenden Abschnitte 41a, 41b in jeder
beliebiger Anzahl vorhanden sein. Es können beispielsweise an jeder
der zwei Halbleiterbaugruppen 10, 20 zwei oder mehr
vorstehende Abschnitte ausgebildet sein, um die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b zusammenwirkend
zu bedecken.
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Im
Folgenden wird auf 8A Bezug genommen, in welcher
eine andere Ausführungsform des
isolierenden Elements 42 dargestellt ist. 8B ist
eine Querschnittsansicht, welche das isolierende Element 42 in
einem zusammengefügten
Zustand zeigt. Das isolierende Element 42 ist aus Gummi oder
Harz hergestellt und annähernd
U-förmig.
Das isolierende Element 42 umgibt wenigstens teilweise die
Verbindungsanschlüsse 35a, 35b.
Mit anderen Worten, die zwei Verbindungsanschlüsse 35a, 35b sind
zwischen dem isolierenden Element 42 in einem Bereich angeordnet,
wo die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b verbunden
sind. Dadurch werden die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b von
dem isolierenden Element 42 bedeckt. Des Weiteren ist das
isolierende Element 42 an den ersten und zweiten Verbindungsanschlüssen 35a, 35b abnehmbar
angebracht. Insbesondere kann das isolierende Element 42 elastisch
verformt werden, um von den Verbindungsanschlüssen 35a, 35b entfernen
zu werden.
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Es
wird nun auf 9 Bezug genommen, in welcher
eine andere Ausführungsform
der Halbleitervorrichtung 104 dargestellt ist. In dieser
Ausführungsform
bedeckt das isolierende Element 43 nahezu die gesamte Halbleitervorrichtung 104.
Nur die Außenoberflächen 3a, 4a der
Elektrodenelemente 3, 4 und die Anschlüsse 8, 31 bis 34 sind
freiliegend von dem isolierenden Element 43 belassen. In
einer Ausführungsform
ist das isolierende Element 43 aus Epoxid hergestellt.
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Die 10A und 10B zeigen
eine andere Ausführungsform
der Halbleitervorrichtung. Wie in den 10A und 10B dargestellt ist, stehen die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b von
der jeweiligen Halbleiterbaugruppe 10, 20 in einer
Querrichtung hervor (d.h. weg von den gegenüberliegenden Halbleiterbaugruppen 10, 20).
Ein Anschlussendbereich des Verbindungsanschlusses 35a, 35b ist
in der Längsrichtung
gedreht (d.h. zu den gegenüberliegenden
Halbleiterbaugruppen 10, 20), so dass mit dem gegenüberliegenden
Verbindungsanschluss 35a, 35b eine elektrische
Verbindung erzielt wird. In einer Ausführungsform machen die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b eher
eine schräge
verlaufende Krümmung
als dass sie eine 90 Grad Krümmung
machen, so dass die Längen
der Anschlüsse 35a, 35b verkürzt sind,
wie es in den 10A und 10B dargestellt
ist. Somit ist eine störende
Induktivität
weniger wahrscheinlich.
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In
einer in 11 dargestellten Ausführungsform
ist ferner die Halbleitervorrichtung 100 innerhalb einer
Kühlvorrichtung 200 für eine verbesserte
Wärmeübertragung
angeordnet. Insbesondere ist die Halbleitervorrichtung 100 in
der Kühlvorrichtung 200 eingeschlossen,
und die externen Oberflächen 3a, 4a der
Elektrodenelemente 3, 4 gelangen mit der Kühlvorrichtung 200 in
Anlage. In einer Ausführungsform
ist die Kühlvorrichtung 200 eine
allgemein bekannte Kühlvorrichtung,
und sie weist Metallplatten aus Aluminium, Cu oder dergleichen auf.
Die Kühlvorrichtung 200 weist
eine Fluidleitung für
eine Zirkulation von Kühlmittelfluid,
wie z.B. Wasser, auf. Die Kühlvorrichtung 200 ist
an der Halbleitervorrichtung 100 durch Befestigungsvorrichtungen
oder durch ein anderes geeignetes Verfahren angebracht.
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In
dieser Ausführungsform
ist in der Kühlvorrichtung 200 benachbart
zu den Verbindungsanschlüssen 35a, 35b (d.h.
oberhalb und unterhalb des Bereichs, in welchem die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b elektrisch
verbunden sind) eine Öffnung vorgesehen.
Das isolierende Element 40 (welches ein Harz und dergleichen
aufweist) ist in die Öffnung durch
Presspassen eingefügt
und darin erstarrt. Das isolierende Element 40 sorgt für eine visuelle
Anzeige der Relativposition zwischen der Halbleitervorrichtung 100 und
der Kühlvorrichtung 200 für einen
leichteren Zusammenbau.
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Es
wird nun auf 12 Bezug genommen, in welcher
eine andere Ausführungsform
der Halbleitervorrichtung 100 dargestellt ist. Wie in 12 gezeigt ist,
sind die Elektrodenelemente 3, 4 der ersten Halbleiterbaugruppe 10 und
die Elektrodenelemente 3, 4 der zweiten Halbleiterbaugruppe 20 entlang
einer ersten Richtung (d.h. in 12 vertikal)
in einer räumlichen
Abstandsbeziehung angeordnet. Ebenso sind die ersten und zweiten
Halbleiterbaugruppen 10, 20 in der gleichen Richtung
(in 12 vertikal) gestapelt.
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Die
Außenoberfläche 3a des
ersten Elektrodenelements 3 der ersten Halbleiterbaugruppe 10 ist der
erste Verbindungsanschluss 35a, und die Außenoberfläche 3b des
Elektrodenelements 3 der zweiten Halbleiterbaugruppe 20 ist
der zweite Verbindungsanschluss 35b. Durch Stapeln der
ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen 10, 20 können die
ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse 35a, 35b zusammengefügt und über das
leitfähige
Verbindungselement 51 elektrisch verbunden werden.
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Die
Verbindungsanschlüsse 35a, 35b der Halbleitervorrichtung 110 sind
leicht ausgebildet. Die Halbleiterbaugruppen 10, 20 können eng
aneinander angeordnet werden, so dass eine Induktivität verringert
wird.
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Es
ist zu erkennen, dass die Außenoberflächen 4a der
Elektrodenelemente 4 als erste und zweite Verbindungsanschlüsse 35a, 35b verwendet werden
können.
Ferner können
die Außenoberfläche 3a der
eine Halbleiterbaugruppe 10, 20 und die Außenoberfläche 4a der
anderen Halbleiterbaugruppe 10, 20 als die ersten
und zweiten Verbindungsanschlüsse 35a, 35b verwendet
werden.
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Des
Weiteren können
die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b über Anlagekontakt
elektrisch verbunden werden. Die Halbleiterbaugruppen 10, 20 können durch
Befestigung, durch Klemmen oder durch Schweißen miteinander verbunden sein,
um die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b in
Anlagekontakt zu halten.
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Darüber hinaus
kann in der in 12 dargestellten Halbleitervorrichtung 110 ein
isolierendes Element (wie z.B. ein Harz) den Spalt zwischen den Halbleiterbaugruppen 10, 20 füllen. Das
isolierende Element kann auch dafür verwendet werden, um nahezu
die gesamte Halbleitervorrichtung 110 einzukapseln bzw.
zu umgeben.
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Es
ist zu erkennen, dass in den oben erwähnten unterschiedlichen Halbleitervorrichtungen vorstehenden
Abschnitte des Ausgangsanschlusses 31 und der Energiezufuhranschlüsse 32, 33 nicht
auf die Beispiele, die in den oben erwähnten Figuren dargestellt sind,
eingeschränkt
sind.
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Obwohl
in den in den obigen 1A und 1B dargestellten
Beispielen die zweite Halbleiterbaugruppe 10 in Bezug auf
die erste Halbleiterbaugruppe 10 um 180 Grad gedreht ist,
ist es darüber hinaus
nicht wesentlich, die zweite Halbleiterbaugruppe 20 um
180 Grad zu drehen. Eine elektrische Verbindung wird dadurch erzielt,
dass die Verbindungsanschlüsse 35a, 35b von
dem Endabschnitt des ersten Metallkörpers 3 zwischen den
zwei Halbleiterbaugruppen 10, 20 entfernt werden.
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In
einer Ausführungsform
sind auch die Wärmesenkeblöcke 6 nicht
in der Halbleitervorrichtung enthalten.
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Des
weiteren können
Halbleiterelemente 1, 2, welche zwischen dem Paar
von Elektrodenelementen 3, 4 in der Halbleiterbaugruppe 10, 20 vorhanden
sind, andere Elemente sein als die oben erwähnten IGBT- und FWD-Halbleiterelemente 1, 2. Darüber hinaus
kann die Anzahl der Halbleiterelemente 1, 2 eins
oder drei oder mehr sein. Des weiteren kann die Halbleitervorrichtung
drei oder mehr Halbleiterbaugruppen 10, 20 aufweisen,
die miteinander elektrisch verbunden sind.
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Es
ist eine Halbleitervorrichtung offenbart, die eine erste und eine
zweite Halbleiterbaugruppe aufweist. Jede Halbleiterbaugruppe weist
ein Halbleiterelement, eine Vielzahl von Elektrodenelementen und
ein Umschließungselement
auf. Die Halbleiterelemente sind zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen
angeordnet, und die Elektrodenelemente stehen mit dem jeweiligen
Halbleiterelement in elektrischer Verbindung und sorgen bei diesem
für eine Wärmeübertragung.
Das Umschließungselement umgibt
das jeweilige Halbleiterelement zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen,
und eine Außenoberfläche von
jedem der Elektrodenelemente liegt von dem jeweiligen Umschließungselement
frei. Jede Halbleiterbaugruppe weist einen Verbindungsanschluss
auf, der mit einem der Elektrodenelemente elektrisch gekoppelt ist
und sich derart nach außen erstreckt,
dass er von dem jeweiligen Umschließungselement freiliegend angeordnet
ist. Die Verbindungsanschlüsse
sind durch Anlagekontakt oder über
ein leitfähiges
Verbindungsmaterial elektrisch verbunden.