DE102006032490B4 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
Halbleitervorrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006032490B4 DE102006032490B4 DE102006032490.0A DE102006032490A DE102006032490B4 DE 102006032490 B4 DE102006032490 B4 DE 102006032490B4 DE 102006032490 A DE102006032490 A DE 102006032490A DE 102006032490 B4 DE102006032490 B4 DE 102006032490B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode elements
- semiconductor
- semiconductor device
- connection
- enclosing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1029—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being a lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1094—Thermal management, e.g. cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
– einer ersten Halbleiterbaugruppe (10) mit einem ersten Halbleiterelement (1, 2), mit einer Vielzahl von ersten Elektrodenelementen (3, 4) und mit einem ersten Umschließungselement (7), wobei das erste Halbleiterelement (1, 2) zwischen der Vielzahl von ersten Elektrodenelementen (3, 4) angeordnet ist, die ersten Elektrodenelemente (3, 4) mit dem ersten Halbleiterelement (1, 2) in elektrischer Verbindung stehen und bei diesem für eine Wärmeübertragung sorgen, das erste Umschließungselement (7) das erste Halbleiterelement (1, 2) zwischen den ersten Elektrodenelementen (3, 4) umgibt, und eine Außenoberfläche (3a, 4a) von jedem der ersten Elektrodenelemente (3, 4) von dem ersten Umschließungselement (7) freiliegt;
– einer zweiten Halbleiterbaugruppe (20) mit einem zweiten Halbleiterelement (1, 2), mit einer Vielzahl von zweiten Elektrodenelementen (3, 4) und mit einem zweiten Umschließungselement (7), wobei das zweite Halbleiterelement (1, 2) zwischen der Vielzahl von zweiten Elektrodenelementen (3, 4) angeordnet ist, die zweiten Elektrodenelemente mit dem zweiten Halbleiterelement (1, 2) in elektrischer Verbindung stehen und bei diesem für eine Wärmeübertragung sorgen, das zweite Umschließungselement (7) das zweite Halbleiterelement (1, 2) zwischen den zweiten Elektrodenelementen (3, 4) umgibt, und eine Außenoberfläche (3a, 4a) von jedem der zweiten Elektrodenelemente (3, 4) von dem zweiten Umschließungselement (7) freiliegt;
– einem ersten Verbindungsanschluss (35a), der mit einem aus der Vielzahl der ersten Elektrodenelemente (3, 4) elektrisch gekoppelt ist und sich derart nach außen erstreckt, dass er von dem ersten Umschließungselement (7) freiliegend ist; und
– einem zweiten Verbindungsanschluss (35b), der mit einem aus der Vielzahl der zweiten Elektrodenelemente (3, 4) elektrisch gekoppelt ist und sich derart nach außen erstreckt, dass er von dem zweiten Umschließungselement (7) freiliegend ist, wobei ...
Description
- Die gegenwärtige Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung mit einer Vielzahl von Halbleiterbaugruppen, von welchen jede Halbleiterelemente aufweist, die zwischen Elektroden angeordnet und von einem Einkapselungselement bzw. Umschließungselement mit Verbindungsanschlüssen eingekapselt bzw. umgeben sind.
- Es sind Halbleiterbaugruppen vorgeschlagen worden, die Halbleiterelemente aufweisen, welche zwischen einem Paar von Metallkörpern angeordnet und mit einem Gießharz abgedichtet sind. Die Metallkörper haben die Funktion von Elektroden und von Wärmeübertragungselementen für die Halbleiterelemente (siehe beispielsweise die
JP 3596388 B2 US 20040089941 A1 , dieUS 20040089940 A1 , dieUS 6998707 B2 , dieUS 6992383 B2 , dieUS 6967404 B2 und dieUS 6960825 B2 ). - In einer solchen Halbleiterbaugruppe sind äußere Oberflächen der Metallkörper (d. h. Oberflächen, welche zu den Oberflächen gegenüberliegend angeordnet sind, die den Halbleiterelementen zugewandt sind) nicht von dem Gießharz bedeckt, um so eine Wärmeübertragung davon zu ermöglichen. Es ist ebenfalls an einem der Metallkörper ein Verbindungsanschluss, der nicht mit dem Gießharz bedeckt ist, vorgesehen, um mit einem externen Bauteil eine elektrische Verbindung bereitzustellen.
- Eine Wechselrichtervorrichtung oder eine andere Vorrichtung kann aufgebaut werden, indem eine Vielzahl dieser Halbleiterbaugruppen verwendet wird. Die Halbleiterbaugruppen sind unter Verwendung einer Stromschiene durch die jeweiligen Verbindungsanschlüsse elektrisch verbunden.
- Dadurch, dass die Stromschiene verwendet wird, kann jedoch eine Induktivität ansteigen, was unerwünscht ist. Die Induktivität kann eine relativ große Stoßspannung bewirken, und durch die Stoßspannung kann sich in der Halbleiterbaugruppe eine Belastung auf die Halbleiterelemente erhöhen.
- Die
DE 10 2005 001 151 A1 zeigt eine Halbleitervorrichtung, bei welcher eine Mehrzahl von Halbleiterbaugruppen aufeinander gestapelt sind. Aus derJP 2003 031 765 A DE 101 14 125 A1 offenbart eine Halbleitervorrichtung, bei welcher Halbleiterbaugruppen übereinander angeordnet und über miteinander verschweißte oder verlötete Verbindungsanschlüsse verbunden sind. Aus derJP 2001 035 988 A US 6 730 544 B1 eine Halbleitervorrichtung mit aufeinander gestapelten Halbleitergruppen, welche über Verbindungsanschlüsse miteinander verbunden sind. - Hinsichtlich der oben genannten Nachteile ist es Aufgabe der gegenwärtigen Erfindung, diese zu beseitigen.
- Die Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale von Anspruch 1 und 2. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
- Es ist eine Halbleitervorrichtung offenbart, die eine erste und eine zweite Halbleiterbaugruppe aufweist. Jede Halbleiterbaugruppe beinhaltet ein Halbleiterelement, eine Vielzahl von Elektrodenelementen und ein Einkapselungselement bzw. Umschließungselement. Die Halbleiterelemente sind zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen angeordnet, und die Elektrodenelemente stehen mit dem jeweiligen Halbleiterelement in elektrischer Verbindung und stellen für dieses eine Wärmeübertragung bereit. Das Umschließungselement umgibt das jeweilige Halbleiterelement zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen, und eine Außenoberfläche von jedem Elektrodenelement liegt von dem jeweiligen Umschließungselement frei. Jede Halbleiterbaugruppe weist einen Verbindungsanschluss auf, der mit einem der Elektrodenelemente elektrisch gekoppelt ist und der sich nach außen derart erstreckt, dass er von dem jeweiligen Umschließungselement freiliegend angeordnet ist. Die Verbindungsanschlüsse grenzen aneinander so an, dass sie zwischen den ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen eine elektrische Verbindung erzielen.
- Es ist ebenfalls eine Halbleitervorrichtung offenbart, die eine erste und eine zweite Halbleiterbaugruppe aufweist. Jede Halbleiterbaugruppe weist ein Halbleiterelement, eine Vielzahl von Elektrodenelementen und ein Einkapselungselement bzw. Umschließungselement auf. Die Halbleiterelemente sind zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen angeordnet, und die Elektrodenelemente stehen mit dem jeweiligen Halbleiterelement in elektrischer Verbindung und stellen für dieses eine Wärmeübertragung bereit. Das Umschließungselement umgibt das jeweilige Halbleiterelement zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen, und eine Außenoberfläche von jedem Elektrodenelement liegt von dem jeweiligen Umschließungselement frei. Jede Halbleitervorrichtung weist einen Verbindungsanschluss auf, der mit einem der Elektrodenelemente elektrisch gekoppelt ist und der sich so nach außen erstreckt, dass er von dem jeweiligen Umschließungselement freiliegend angeordnet ist. Zwischen den Verbindungsanschlüssen ist ein leitfähiges Verbindungsmaterial angeordnet, um zwischen den ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen eine elektrische Verbindung zu erzielen.
-
1A ist eine Draufsicht von einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung gemäß der gegenwärtigen Erfindung; -
1B ist eine Schnittansicht der Halbleitervorrichtung entlang der Linie IB-IB von1A ; -
2 ist eine Draufsicht von einer ersten Halbleiterbaugruppe der Halbleitervorrichtung von1A ; -
3A und3B sind Schnittansichten von verschiedenen Ausführungsformen der elektrischen Verbindung von den Halbleiterbaugruppen der Halbleitervorrichtung; -
4 ist eine Schnittansicht von einer anderen Ausführungsform der elektrischen Verbindung von den Halbleiterbaugruppen der Halbleitervorrichtung; -
5A ist eine Draufsicht von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung; -
5B ist eine perspektivische Ansicht von einem Bereich der Halbleitervorrichtung von5A ; -
6 ist eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung; -
7A und7B sind Seitenansichten von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung; -
8A ist eine perspektivische Ansicht von einer Ausführungsform eines isolierenden Elements für die Halbleitervorrichtung; -
8B ist eine Schnittansicht der zusammengefügten Halbleitervorrichtung mit dem isolierenden Element von8A ; -
9 ist eine Draufsicht von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung; -
10A und10B sind Draufsichten von einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung; -
11 ist eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung; und -
12 ist eine Seitenansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtung, welche nicht den Gegenstand der vorliegenden Erfindung betrifft sondern deren Erläuterung dient. - Unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung werden im Folgenden Ausführungsformen dieser Erfindung beschrieben. Ferner sind in den folgenden Figuren alle Teile, die gleich oder gleichwertig sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, um die Erklärung zu vereinfachen.
- Es wird als Erstes auf die
1A und1B Bezug genommen. Darin ist eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung100 dargestellt. In einer Ausführungsform wird die Halbleitervorrichtung100 in einem Fahrzeug (wie z. B. einem Automobil und dergleichen) mitgeführt, und die Halbleitervorrichtung100 wird als Wechselrichtervorrichtung verwendet, um einen Fahrzeugmotor zu betreiben. - Die Halbleitervorrichtung
100 weist eine erste Halbleiterbaugruppe10 und eine zweite Halbleiterbaugruppe20 auf. In2 ist der Klarheit wegen nur die erste Halbleitervorrichtung10 dargestellt. Es ist zu erkennen, dass die zweite Halbleiterbaugruppe20 im Wesentlichen den gleichen Aufbau hat wie die erste Halbleiterbaugruppe10 . In Bezug auf die erste Halbleiterbaugruppe10 ist jedoch die zweite Halbleiterbaugruppe20 um 180 Grad gedreht. - Wie in den
1A ,1B und2 dargestellt ist, weist jede der ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen10 ,20 zwei jeweilige Halbleiterelemente1 ,2 auf. Die Halbleiterelemente1 ,2 sind in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. In einer Ausführungsform ist das erste Halbleiterelement1 ein IGBT (ein Isolierschichtbipolartransistor), und das zweite Halbleiterelement2 ist eine FWD. - Darüber hinaus weist jede der ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen
10 ,20 ein erstes und ein zweites Elektrodenelement3 ,4 auf. Die ersten und zweiten Elektrodenelemente3 ,4 sind aus einem Metall hergestellt, das eine relativ hohe thermische und elektrische Leitfähigkeit hat (wie z. B. eine Kupferlegierung, eine Aluminiumlegierung, etc.) In der dargestellten Ausführungsform sind die ersten und zweiten Elektrodenelemente3 ,4 als Platten ausgeformt. In jeder der Halbleiterbaugruppen10 ,20 sind die ersten und zweiten Halbleiterelemente1 ,2 zwischen dem jeweiligen Paar von Elektrodenelementen3 ,4 angeordnet. Genauer gesagt sind die Elektrodenelemente3 ,4 mit den jeweiligen Halbleiterelementen1 ,2 elektrisch verbunden. Ferner sorgen die Elektrodenelemente3 ,4 bei den jeweiligen Halbleiterelemente1 ,2 , für eine Wärmeübertragung. - Wie in
1B dargestellt ist, ist ein erstes Elektrodenelement3 der ersten Halbleiterbaugruppe10 unterhalb eines zweiten Elektrodenelements4 und von diesem beabstandet angeordnet. Im Gegensatz dazu ist bei der zweiten Halbleiterbaugruppe20 das erste Elektrodenelement3 oberhalb des zweiten Elektrodenelements4 angeordnet. - Wie in
1B dargestellt ist, sind in den beiden Halbleiterbaugruppen10 ,20 eine Innenoberfläche des jeweiligen zweiten Elektrodenelements4 und eine Oberfläche der jeweiligen Halbleiterelemente1 ,2 durch ein leitfähiges Verbindungsmaterial5 elektrisch und thermisch verbunden. In jeder Halbleiterbaugruppe10 ,20 ist darüber hinaus zwischen dem jeweiligen ersten Elektrodenelement3 und der anderen Oberfläche der jeweiligen Halbleiterelemente1 ,2 ein Wärmesenkeblock6 angeordnet. Das leitfähige Verbindungsmaterial5 verbindet die Wärmesenkeblöcke6 mit dem ersten Halbleiterelement1 bzw. mit dem zweiten Halbleiterelement2 elektrisch und thermisch. Ebenfalls verbindet das leitfähige Verbindungsmaterial5 die Wärmesenkeblöcke6 mit einer Innenoberfläche des ersten Elektrodenelements3 elektrisch und thermisch. Das leitfähige Verbindungsmaterial5 kann jedes geeignete Verbindungsmaterial sein, wie z. B. ein Lot, ein leitfähiger Klebstoff und dergleichen. Außerdem sind in einer Ausführungsform die Wärmesenkeblöcke6 aus dem gleichen Material hergestellt wie die Elektrodenelemente3 ,4 . - Jede der Halbleiterbaugruppen
10 ,20 weist ferner ein Einkapselungselement bzw. Umschließungselement7 auf. Ein erstes Einkapselungselement bzw. Umschließungselement7 bedeckt wenigstens teilweise den Umfang zwischen den ersten und zweiten Elektrodenelementen3 ,4 der ersten Halbleiterbaugruppe10 . Als solches umgibt das erste Umschließungselement7 die ersten und zweiten Halbleiterelemente1 ,2 innerhalb der ersten und zweiten Elektrodenelemente3 ,4 der ersten Halbleiterbaugruppe10 und dichtet diese ab. Ebenfalls bedeckt ein zweites Einkapselungselement bzw. Umschließungselement7 wenigstens teilweise den Umfang zwischen den ersten und zweiten Elektrodenelementen3 ,4 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 . Als solches umgibt das zweite Umschließungselement7 die ersten und zweiten Halbleiterelemente1 ,2 innerhalb der ersten und zweiten Elektrodenelemente3 ,4 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 und dichtet diese ab. Das Umschließungselement7 kann aus jedem geeigneten Material hergestellt sein, wie z. B. einem Gießharz, das aus einem auf Epoxid basierendem Harz hergestellt ist, und dergleichen. In einer Ausführungsform wird das Umschließungselement durch Press- bzw. Druckformen ausgeformt. - Wie in
1B dargestellt ist, weist jedes der Elektrodenelemente3 ,4 eine Außenoberfläche3a ,4a auf, die nicht von dem jeweiligen Umschließungselement7 bedeckt ist. Somit kann eine Oberfläche von jedem ersten Halbleiterelement1 durch ein Elektrodenelement4 und durch die Außenoberfläche4a Wärme leiten, und die entgegengesetzte Oberfläche von jedem ersten Halbleiterelement1 kann durch den jeweiligen Wärmesenkeblock6 , durch das andere Elektrodenelement3 und durch die Außenoberfläche3a Wärme leiten. Ferner kann eine Oberfläche von jedem zweiten Halbleiterelement2 durch ein Elektrodenelement4 und durch die Außenoberfläche4a Wärme leiten, und die entgegengesetzte Oberfläche von jedem zweiten Halbleiterelement2 kann durch den jeweiligen Wärmesenkeblock6 , durch das andere Elektrodenelement3 und durch die Außenoberfläche3a Wärme leiten. - In einer Ausführungsform sind Elektrodenelemente
3 ,4 mit (nicht dargestellten) Elektroden der zwei Halbleiterelemente1 ,2 (d. h. der Leistungselemente vom vertikalen Typ) durch das leitfähige Verbindungsmaterial5 bzw. durch die Wärmesenkeblocks6 elektrisch verbunden. - Wie in
2 dargestellt ist, sind in diesem Fall die Elektrodenelemente3 ,4 der ersten Halbleiterbaugruppe10 jeweils mit einem externen Anschluss31 bzw.32 versehen. Ebenfalls ist jedes der Elektrodenelemente3 ,4 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 mit einem externen Anschluss33 bzw.34 versehen. Die externen Anschlüsse31 ,32 ,33 ,34 stehen von dem jeweiligen Umschließungselement7 derart vor, dass sie frei liegen. Die externen Anschlüsse31 bis34 können an dem jeweiligen Elektrodenelement3 ,4 auf jede geeignete Art und Weise angebracht werden, wie z. B. durch Integralausformen, durch Pressverarbeitung, durch Löten und dergleichen. - In einer Ausführungsform ist der externe Anschluss
31 , der an dem Elektrodenelement3 der ersten Halbleiterbaugruppe10 vorgesehen ist, ein Ausgangsanschluss, der mit dem oben erwähnten Kraftfahrzeugmotor verbunden ist. Darüber hinaus ist sowohl der externe Anschluss32 , der an dem Elektrodenelement4 der ersten Halbleiterbaugruppe10 vorgesehen ist, als auch der externe Anschluss33 , der an dem Elektrodenelement4 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 vorgesehen ist, in dieser Halbleitervorrichtung100 ein Energiezufuhranschluss. In dieser Ausführungsform sind der Anschluss auf der Seite der ersten Halbleiterbaugruppe10 eine Hochspannungsseite und der Anschluss33 auf der Seite der zweiten Halbleiterbaugruppe20 eine GND-Seite. Der Anschluss31 (d. h. der Ausgangsanschluss) ist einer von den sog. U-, V- und W-Anschlüssen in der Wechselrichtervorrichtung. Der Anschluss32 (d. h. der Hochspannungsenergieanschluss) ist ein sog. P-Anschluss, und der Anschluss33 (d. h. der GND-Energieanschluss) ist ein sog. N-Anschluss. - Obwohl der externe Anschluss
34 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 vorhanden ist, weil der Aufbau verwendet wird, bei dem die gleichen zwei Halbleiterbaugruppen10 ,20 verwendet werden, kann darüber hinaus bei bestimmten Ausführungsformen der Halbleitervorrichtung100 der externe Anschluss34 unnötig sein. Somit ist in einer Ausführungsform der externe Anschluss34 in der Halbleitervorrichtung100 vorhanden. In einer anderen Ausführungsform ist der externe Anschluss34 nicht vorhanden. In einer Ausführungsform wird der externe Anschluss34 beispielsweise durch Abtrennen von der Halbleitervorrichtung100 entfernt. - Die erste Halbleiterbaugruppe
10 weist ferner einen ersten Verbindungsanschluss35a auf, und die zweite Halbleiterbaugruppe20 weist ferner einen zweiten Verbindungsanschluss35b auf. Die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse35a ,35b sind aus einem elektrisch leitfähigen Material hergestellt (wie z. B. aus dem gleichen Material wie die Elektrodenelemente3 ,4 ). Des weiteren sind der erste Verbindungsanschluss35a mit dem Elektrodenelement3 der ersten Halbleiterbaugruppe10 und der zweite Verbindungsanschluss35b mit dem Elektrodenelement3 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 elektrisch gekoppelt. Die Verbindungsanschlüsse35a ,35b können an das jeweilige Elektrodenelement3 auf jede geeignete Art und Weise gekoppelt sein (wie z. B. durch Integralkoppeln, durch Presspassen, durch Löten und dergleichen). Der erste Verbindungsanschluss35a erstreckt sich nach außen derart, dass er von dem Umschließungselement7 der ersten Halbleiterbaugruppe10 freigelegt ist, und der zweite Verbindungsanschluss35b erstreckt sich nach außen derart, dass er von dem Umschließungselement7 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 freigelegt ist. Genauer gesagt sind die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse35a ,35b miteinander elektrisch derart verbunden, dass die ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen10 ,20 miteinander elektrisch verbunden sind. - Gemäß
1B sind die Elektrodenelemente3 ,4 von jeder Halbleiterbaugruppe10 ,20 in Bezug zueinander in einer ersten Richtung (d. h. in1B vertikal) in einer räumlichen Abstandsbeziehung angeordnet. Die ersten und zweiten Elektrodenbaugruppen10 ,20 sind in Bezug zueinander in einer zweiten Richtung (d. h. in1B horizontal) angeordnet. Somit sind die ersten und zweiten Richtungen zueinander ungefähr orthogonal. Ebenfalls erstrecken sich die Verbindungsanschlüsse35a ,35b nach außen entlang der zweiten Richtung (d. h. in1B horizontal). Die Verbindungsanschlüsse35a ,35b erstrecken sich somit zueinander. - In der dargestellten Ausführungsform ist ferner die erste Halbleiterbaugruppe
10 in Bezug auf die zweite Halbleiterbaugruppen20 um 180 Grad gedreht. Die vertikalen Positionen der Elektrodenelemente3 ,4 der ersten Halbleiterbaugruppe10 sind in Bezug auf die vertikalen Positionen der Elektrodenelemente3 ,4 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 umgedreht. - Gemäß
1B weisen die Verbindungsanschlüsse35a ,35b einen gekrümmten bzw. gebogenen Abschnitt derart auf, dass ein Endabschnitt der Verbindungsanschlüsse35a ,35b mit dem jeweiligen Elektrodenelement3 verbunden und der andere Endabschnitt von dem Elektrodenelement3 vertikal beabstandet ist. Die Verbindungsanschlüsse35a ,35b sind zueinander gekrümmt, um zwischen ihnen eine elektrische Verbindung zu erzielen. - In dem in den
1A und1B dargestellten Beispiel gelangen die Verbindungsanschlüsse35a ,35b aneinander in Anlage, so dass zwischen ihnen eine elektrische Verbindung erzielt wird. In einer Ausführungsform sind die Verbindungsanschlüsse35a ,35b weiter an zwei oder mehr Schweißpunkten K (siehe1A ) punktgeschweißt. Daher sind die Verbindungsanschlüsse35a ,35b dadurch elektrisch verbunden, dass sie in Anlage gebracht, überlappt und punktgeschweißt werden. - Die Verbindungsanschlüsse
35a ,35b sind an einem Verbindungsteil verbunden. Das Verbindungsteil ist mit einem elektrisch isolierenden Element40 bedeckt. In einer Ausführungsform ist das isolierende Element40 durch Pressformen, Beschichten oder dergleichen unter Verwendung eines auf Epoxid basierenden Harzes und dergleichen ausgebildet. - Wie in den
1A und2 dargestellt ist, ist des weiteren innerhalb des Umschließungselements7 angrenzend an das erste jeweilige Halbleiterelement1 ein Steueranschluss8 , der einen Zuleitungsrahmen und dergleichen aufweist, vorgesehen. Die Steueranschlüsse8 gestatten eine Signalübertragung zur Steuerung des jeweiligen ersten Halbleiterelements1 . Ein Endabschnitt von jedem Steueranschluss8 steht von dem Umschließungselement7 vor und ist mit einem (nicht dargestellten) Schaltungssubstrat verbunden. Jedes erste Halbleiterelement1 ist durch eine Verbindungsleitung9 an der Seitenoberfläche des Wärmesenkeblocks6 mit dem jeweiligen Steueranschluss8 elektrisch verbunden. Der Wärmesenkeblock6 sichert zwischen der Verbindungsleitungsoberfläche des ersten Halbleiterelements1 und dem Elektrodenelement3 eine angemessene Höhe, um die Höhe der Leitung9 aufrechtzuerhalten. - Der Steueranschluss
8 ist daher mit dem oben erwähnten Schaltungssubstrat verbunden, das erste Halbleiterelement1 wird durch eine Steuerschaltung des Schaltungssubstrats gesteuert, und durch die Energiezufuhranschlüsse32 ,33 wird von einem (nicht dargestellten) Wandler eine direkte Spannung angelegt, welche in einen Wechselstrom umgewandelt und von dem Ausgangsanschluss31 dem (nicht dargestellten) Fahrzeugmotor zugeführt wird. Diese Halbleitervorrichtung100 hat daher die Funktion der oben erwähnten Wechselrichtervorrichtung. - In einer Ausführungsform wird die Halbleitervorrichtung
100 dadurch erzeugt, dass die Halbleiterbaugruppen10 ,20 getrennt hergestellt werden. Anschließend werden die Verbindungsanschlüsse35a ,35b elektrisch verbunden (z. B. durch in Anlage bringen und durch Schweißen). Als Nächstes wird das isolierende Element40 ausgebildet, um die Verbindungsanschlüsse35a ,35b zu bedecken. - Weil eine elektrische Verbindung zwischen dem Verbindungsanschluss
35a der ersten Halbleiterbaugruppe10 und dem Verbindungsanschluss35b der zweiten Halbleiterbaugruppe20 durch in Anlage bringen der zwei Anschlüsse35a ,35b erzielt wird, sind die Halbleiterbaugruppen10 ,20 zuverlässiger elektrisch verbunden. Insbesondere ist es im Vergleich zu Baugruppen aus dem Stand der Technik, die über eine Stromschiene verbunden sind, welche eine Belastung auf die Halbleiterelemente1 ,2 in den Halbleiterbaugruppen10 ,20 erhöht, weniger wahrscheinlich, dass durch eine Induktivität eine Stoßspannung erzeugt wird. - Um die störende Induktivität zu verringern, ist als Alternative ein Aufbau vorgesehen, bei dem innerhalb einer einzelnen Halbleiterbaugruppe mehr Halbleiterelemente angeordnet und verbunden sind. Diese Anordnung kann jedoch Probleme verursachen, die sich auf die Ausbeute der Halbleiterelemente, auf ein Verziehen der Baugruppe aufgrund einer Vergrößerung der Gussform, auf eine Ausbeute der Gussform und dergleichen beziehen. Im Gegensatz dazu ist bei der gegenwärtigen Ausführungsform der Halbleitervorrichtung
100 bei dem Baugruppenverbindungsaufbau die störende Induktivität verringert, und die Größe der Gussform bleibt relativ gering. - Es ist anzumerken, dass die elektrische Verbindung durch in Anlage bringen der Anschlüsse
35a ,35b auf jede andere geeignete Art und Weise als durch Schweißen erzielt werden kann. Unter Bezugnahme auf3A erstreckt sich beispielsweise durch die Anschlüsse35a ,35b eine Befestigungsvorrichtung50 (wie z. B. eine Schraube, ein Bolzen und dergleichen), und sie wird dafür verwendet, um die Anschlüsse35a ,35b in Anlagekontakt zu halten. Es kann jede Anzahl von Befestigungsvorrichtungen50 verwendet werden. In einer Ausführungsform sind beispielsweise die Befestigungsvorrichtungen50 an den Stellen K vorgesehen, die in1A gezeigt sind. Auf diese Art und Weise wird eine elektrische Verbindung dadurch erzielt, dass die zwei Verbindungsanschlüsse35a ,35b in Anlage gebracht und durch die Befestigungsvorrichtung50 gehalten werden. Weil die Befestigungsvorrichtung (die Befestigungsvorrichtungen)50 entfernt werden können, ist es auch leicht, die Halbleiterbaugruppen10 ,20 zu ersetzen oder zu reparieren, wenn eine der Halbleiterbaugruppen10 ,20 eine Störung und dergleichen aufweist. - Es wird auf
3B Bezug genommen. Darin ist eine andere Ausführungsform zum elektrischen Verbinden der Anschlüsse35a ,35b aufgezeigt. In dieser Ausführungsform weist jeder Anschluss35a ,35b ein Ineingriffbringungselement37a ,37b auf. In der dargestellten Ausführungsform sind die Ineingriffbringungselemente37a ,37b Materialerhöhungen, die sich von den Anschlüssen35a ,35b erstrecken. Die Ineingriffbringungselemente37a ,37b stehen miteinander in Eingriff, um zu verhindern, dass sich die Anschlüsse35a ,35b axial von einander weg bewegen. Somit sichern die Ineingriffbringungselemente37a ,37b , dass die Anschlüsse35a ,35b in Anlagekontakt bleiben. Es ist zu erkennen, dass die Ineingriffbringungselemente37a ,37b jede geeignete Form haben können, ohne dass der Schutzumfang der gegenwärtigen Offenbarung verlassen wird. - Es wird nun auf
4 Bezug genommen. Darin ist eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung100 dargestellt, in der eine elektrische Verbindung zwischen den Verbindungsanschlüssen35a ,35b mit einem leitfähigen Verbindungsmaterial51 erzielt wird. In einer Ausführungsform ist das leitfähige Verbindungsmaterial51 ein Lötmaterial. In einer anderen Ausführungsform ist das leitfähige Verbindungsmaterial ein leitfähiger Kleber. In noch einer anderen Ausführungsform ist das leitfähige Verbindungsmaterial51 ein Hartlötfüllmaterial. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, dass das leitfähige Verbindungsmaterial51 jedes geeignete Material sein kann, ohne dass der Schutzumfang der gegenwärtigen Offenbarung verlassen wird. - Die ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen
10 ,20 können elektrisch verbunden werden, indem anstelle einer Stromschiene das leitfähige Verbindungsmaterial51 verwendet wird. Demgemäß sind die Halbleiterbaugruppen10 ,20 elektrisch zuverlässiger verbunden. Insbesondere ist es im Vergleich zu Baugruppen aus dem Stand der Technik, die über eine Stromschiene verbunden sind, welche eine Belastung auf die Halbleiterelemente1 ,2 in den Halbleiterbaugruppen10 ,20 erhöht, weniger wahrscheinlich, dass durch eine Induktivität eine Stoßspannung erzeugt wird. - Es wird nun auf die
5A und5B Bezug genommen, in denen eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung101 dargestellt ist.5A ist eine Konturdraufsicht der Halbleitervorrichtung101 , und5B ist eine perspektivische Ansicht, welche die Verbindungsanschlüsse35a ,35b von5A zeigt. In5 ist das isolierende Element40 weggelassen. In dieser Ausführungsform ist der oben erwähnte Ausgangsanschluss31 der Halbleitervorrichtung101 als Abschnitt ausgeformt, der sich von dem Verbindungsanschluss35b der zweiten Halbleiterbaugruppe20 erstreckt. - Eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung
102 ist in6 dargestellt. Genauer gesagt ist6 eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung102 . In dieser Ausführungsform ist jeder der Verbindungsanschlüsse35a ,35b der ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen10 ,20 dicker als die in der in1A und1B dargestellten Ausführungsform. Insbesondere ist der erste Verbindungsanschluss35a an das Elektrodenelement3 der ersten Halbleiterbaugruppe10 derart gekoppelt, dass eine Außenoberfläche36a des ersten Verbindungsanschlusses35a mit der Außenoberfläche3a des Elektrodenelements3 in einer Ebene liegt. Ebenfalls ist der zweite Verbindungsanschluss35b an das Elektrodenelement3 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 derart gekoppelt, dass eine Außenoberfläche36b des zweiten Verbindungsanschlusses35b mit der Außenoberfläche3a des Elektrodenelements3 in einer Ebene liegt. Beide Außenoberflächen36a ,36b der Anschlüsse35a ,35b liegen von den Umschließungselementen7 und von dem isolierenden Element40 frei. Demgemäß können die Außenoberflächen36a ,36b für die Halbleiterelemente1 ,2 eine zusätzliche Wärmeübertragung bereitstellen, so dass die Wärmeabstrahlungsfähigkeit der Halbleitervorrichtung102 verbessert wird. - Es wird nun auf die
7A und7B Bezug genommen, in denen eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung103 dargestellt ist. Insbesondere ist7A eine Ansicht, welche einen Zustand zeigt, bevor die zwei Halbleiterbaugruppen10 ,20 zusammengefügt sind, und7B ist eine Ansicht, welche einen Zustand zeigt, nachdem die zwei Halbleiterbaugruppen10 ,20 zusammengefügt worden sind. Es ist zu erwähnen, dass die7A und7B nur die Umschließungselemente7 , das isolierende Element41 und die Verbindungsanschlüsse35a ,35b zeigen. - In dem dargestellten Beispiel weist das isolierende Element
41 einen ersten vorstehenden Abschnitt41a und einen zweiten vorstehenden Abschnitt41b auf. Der erste vorstehende Abschnitt41a ist mit dem Umschließungselement7 der ersten Halbleiterbaugruppe10 gekoppelt, und der zweite vorstehende Abschnitt41b ist mit dem Umschließungselement7 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 gekoppelt. In einer Ausführungsform sind die vorstehenden Abschnitte41a ,41b beispielsweise durch Gießen mit einem Gießharz einstückig an das jeweilige Umschließungselement7 gekoppelt. Wenn die Halbleiterbaugruppen10 ,20 zusammengefügt sind, arbeiten die vorstehenden Abschnitte41a ,41b derart zusammen, dass sie die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse35a ,35b abdecken und elektrisch isolieren. - Es ist zu erkennen, dass die Verbindungsanschlüsse
35a ,35b auf jede geeignete Art und Weise elektrisch verbunden werden können, beispielsweise über das leitfähige Verbindungsmaterial51b von4 , über Schweißen, über Befestigungsvorrichtungen und dergleichen. Darüber hinaus können die vorstehenden Abschnitte41a ,41b in jeder beliebiger Anzahl vorhanden sein. Es können beispielsweise an jeder der zwei Halbleiterbaugruppen10 ,20 zwei oder mehr vorstehende Abschnitte ausgebildet sein, um die Verbindungsanschlüsse35a ,35b zusammenwirkend zu bedecken. - Im Folgenden wird auf
8A Bezug genommen, in welcher eine andere Ausführungsform des isolierenden Elements42 dargestellt ist.8B ist eine Querschnittsansicht, welche das isolierende Element42 in einem zusammengefügten Zustand zeigt. Das isolierende Element42 ist aus Gummi oder Harz hergestellt und annähernd U-förmig. Das isolierende Element42 umgibt wenigstens teilweise die Verbindungsanschlüsse35a ,35b . Mit anderen Worten, die zwei Verbindungsanschlüsse35a ,35b sind zwischen dem isolierenden Element42 in einem Bereich angeordnet, wo die Verbindungsanschlüsse35a ,35b verbunden sind. Dadurch werden die Verbindungsanschlüsse35a ,35b von dem isolierenden Element42 bedeckt. Des Weiteren ist das isolierende Element42 an den ersten und zweiten Verbindungsanschlüssen35a ,35b abnehmbar angebracht. Insbesondere kann das isolierende Element42 elastisch verformt werden, um von den Verbindungsanschlüssen35a ,35b entfernen zu werden. - Es wird nun auf
9 Bezug genommen, in welcher eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung104 dargestellt ist. In dieser Ausführungsform bedeckt das isolierende Element43 nahezu die gesamte Halbleitervorrichtung104 . Nur die Außenoberflächen3a ,4a der Elektrodenelemente3 ,4 und die Anschlüsse8 ,31 bis34 sind freiliegend von dem isolierenden Element43 belassen. In einer Ausführungsform ist das isolierende Element43 aus Epoxid hergestellt. - Die
10A und10B zeigen eine andere Ausführungsform der Halbleitervorrichtung. Wie in den10A und10B dargestellt ist, stehen die Verbindungsanschlüsse35a ,35b von der jeweiligen Halbleiterbaugruppe10 ,20 in einer Querrichtung hervor (d. h. weg von den gegenüberliegenden Halbleiterbaugruppen10 ,20 ). Ein Anschlussendbereich des Verbindungsanschlusses35a ,35b ist in der Längsrichtung gedreht (d. h. zu den gegenüberliegenden Halbleiterbaugruppen10 ,20 ), so dass mit dem gegenüberliegenden Verbindungsanschluss35a ,35b eine elektrische Verbindung erzielt wird. In einer Ausführungsform machen die Verbindungsanschlüsse35a ,35b eher eine schräge verlaufende Krümmung als dass sie eine 90 Grad Krümmung machen, so dass die Längen der Anschlüsse35a ,35b verkürzt sind, wie es in den10A und10B dargestellt ist. Somit ist eine störende Induktivität weniger wahrscheinlich. - In einer in
11 dargestellten Ausführungsform ist ferner die Halbleitervorrichtung100 innerhalb einer Kühlvorrichtung200 für eine verbesserte Wärmeübertragung angeordnet. Insbesondere ist die Halbleitervorrichtung100 in der Kühlvorrichtung200 eingeschlossen, und die externen Oberflächen3a ,4a der Elektrodenelemente3 ,4 gelangen mit der Kühlvorrichtung200 in Anlage. In einer Ausführungsform ist die Kühlvorrichtung200 eine allgemein bekannte Kühlvorrichtung, und sie weist Metallplatten aus Aluminium, Cu oder dergleichen auf. Die Kühlvorrichtung200 weist eine Fluidleitung für eine Zirkulation von Kühlmittelfluid, wie z. B. Wasser, auf. Die Kühlvorrichtung200 ist an der Halbleitervorrichtung100 durch Befestigungsvorrichtungen oder durch ein anderes geeignetes Verfahren angebracht. - In dieser Ausführungsform ist in der Kühlvorrichtung
200 benachbart zu den Verbindungsanschlüssen35a ,35b (d. h. oberhalb und unterhalb des Bereichs, in welchem die Verbindungsanschlüsse35a ,35b elektrisch verbunden sind) eine Öffnung vorgesehen. Das isolierende Element40 (welches ein Harz und dergleichen aufweist) ist in die Öffnung durch Presspassen eingefügt und darin erstarrt. Das isolierende Element40 sorgt für eine visuelle Anzeige der Relativposition zwischen der Halbleitervorrichtung100 und der Kühlvorrichtung200 für einen leichteren Zusammenbau. - Es wird nun auf
12 Bezug genommen, in welcher ein erläuterndes Beispiel der Halbleitervorrichtung100 dargestellt ist. Wie in12 gezeigt ist, sind die Elektrodenelemente3 ,4 der ersten Halbleiterbaugruppe10 und die Elektrodenelemente3 ,4 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 entlang einer ersten Richtung (d. h. in12 vertikal) in einer räumlichen Abstandsbeziehung angeordnet. Ebenso sind die ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen10 ,20 in der gleichen Richtung (in12 vertikal) gestapelt. - Die Außenoberfläche
3a des ersten Elektrodenelements3 der ersten Halbleiterbaugruppe10 ist der erste Verbindungsanschluss35a , und die Außenoberfläche3b des Elektrodenelements3 der zweiten Halbleiterbaugruppe20 ist der zweite Verbindungsanschluss35b . Durch Stapeln der ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen10 ,20 können die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse35a ,35b zusammengefügt und über das leitfähige Verbindungselement51 elektrisch verbunden werden. - Die Verbindungsanschlüsse
35a ,35b der Halbleitervorrichtung110 sind leicht ausgebildet. Die Halbleiterbaugruppen10 ,20 können eng aneinander angeordnet werden, so dass eine Induktivität verringert wird. - Es ist zu erkennen, dass die Außenoberflächen
4a der Elektrodenelemente4 als erste und zweite Verbindungsanschlüsse35a ,35b verwendet werden können. Ferner können die Außenoberfläche3a der eine Halbleiterbaugruppe10 ,20 und die Außenoberfläche4a der anderen Halbleiterbaugruppe10 ,20 als die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse35a ,35b verwendet werden. - Des Weiteren können die Verbindungsanschlüsse
35a ,35b über Anlagekontakt elektrisch verbunden werden. Die Halbleiterbaugruppen10 ,20 können durch Befestigung, durch Klemmen oder durch Schweißen miteinander verbunden sein, um die Verbindungsanschlüsse35a ,35b in Anlagekontakt zu halten. - Darüber hinaus kann in der in
12 dargestellten Halbleitervorrichtung110 ein isolierendes Element (wie z. B. ein Harz) den Spalt zwischen den Halbleiterbaugruppen10 ,20 füllen. Das isolierende Element kann auch dafür verwendet werden, um nahezu die gesamte Halbleitervorrichtung110 einzukapseln bzw. zu umgeben. - Es ist zu erkennen, dass in den oben erwähnten unterschiedlichen Halbleitervorrichtungen vorstehenden Abschnitte des Ausgangsanschlusses
31 und der Energiezufuhranschlüsse32 ,33 nicht auf die Beispiele, die in den oben erwähnten Figuren dargestellt sind, eingeschränkt sind. - Obwohl in den in den obigen
1A und1B dargestellten Beispielen die zweite Halbleiterbaugruppe10 in Bezug auf die erste Halbleiterbaugruppe10 um 180 Grad gedreht ist, ist es darüber hinaus nicht wesentlich, die zweite Halbleiterbaugruppe20 um 180 Grad zu drehen. Eine elektrische Verbindung wird dadurch erzielt, dass die Verbindungsanschlüsse35a ,35b von dem Endabschnitt des ersten Metallkörpers3 zwischen den zwei Halbleiterbaugruppen10 ,20 entfernt werden. - In einer Ausführungsform sind auch die Wärmesenkeblöcke
6 nicht in der Halbleitervorrichtung enthalten. - Des weiteren können Halbleiterelemente
1 ,2 , welche zwischen dem Paar von Elektrodenelementen3 ,4 in der Halbleiterbaugruppe10 ,20 vorhanden sind, andere Elemente sein als die oben erwähnten IGBT- und FWD-Halbleiterelemente1 ,2 . Darüber hinaus kann die Anzahl der Halbleiterelemente1 ,2 eins oder drei oder mehr sein. Des weiteren kann die Halbleitervorrichtung drei oder mehr Halbleiterbaugruppen10 ,20 aufweisen, die miteinander elektrisch verbunden sind. - Es ist eine Halbleitervorrichtung offenbart, die eine erste und eine zweite Halbleiterbaugruppe aufweist. Jede Halbleiterbaugruppe weist ein Halbleiterelement, eine Vielzahl von Elektrodenelementen und ein Umschließungselement auf. Die Halbleiterelemente sind zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen angeordnet, und die Elektrodenelemente stehen mit dem jeweiligen Halbleiterelement in elektrischer Verbindung und sorgen bei diesem für eine Wärmeübertragung. Das Umschließungselement umgibt das jeweilige Halbleiterelement zwischen den jeweiligen Elektrodenelementen, und eine Außenoberfläche von jedem der Elektrodenelemente liegt von dem jeweiligen Umschließungselement frei. Jede Halbleiterbaugruppe weist einen Verbindungsanschluss auf, der mit einem der Elektrodenelemente elektrisch gekoppelt ist und sich derart nach außen erstreckt, dass er von dem jeweiligen Umschließungselement freiliegend angeordnet ist. Die Verbindungsanschlüsse sind durch Anlagekontakt oder über ein leitfähiges Verbindungsmaterial elektrisch verbunden.
Claims (6)
- Halbleitervorrichtung, mit: – einer ersten Halbleiterbaugruppe (
10 ) mit einem ersten Halbleiterelement (1 ,2 ), mit einer Vielzahl von ersten Elektrodenelementen (3 ,4 ) und mit einem ersten Umschließungselement (7 ), wobei das erste Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen der Vielzahl von ersten Elektrodenelementen (3 ,4 ) angeordnet ist, die ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) mit dem ersten Halbleiterelement (1 ,2 ) in elektrischer Verbindung stehen und bei diesem für eine Wärmeübertragung sorgen, das erste Umschließungselement (7 ) das erste Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen den ersten Elektrodenelementen (3 ,4 ) umgibt, und eine Außenoberfläche (3a ,4a ) von jedem der ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) von dem ersten Umschließungselement (7 ) freiliegt; – einer zweiten Halbleiterbaugruppe (20 ) mit einem zweiten Halbleiterelement (1 ,2 ), mit einer Vielzahl von zweiten Elektrodenelementen (3 ,4 ) und mit einem zweiten Umschließungselement (7 ), wobei das zweite Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen der Vielzahl von zweiten Elektrodenelementen (3 ,4 ) angeordnet ist, die zweiten Elektrodenelemente mit dem zweiten Halbleiterelement (1 ,2 ) in elektrischer Verbindung stehen und bei diesem für eine Wärmeübertragung sorgen, das zweite Umschließungselement (7 ) das zweite Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen den zweiten Elektrodenelementen (3 ,4 ) umgibt, und eine Außenoberfläche (3a ,4a ) von jedem der zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) von dem zweiten Umschließungselement (7 ) freiliegt; – einem ersten Verbindungsanschluss (35a ), der mit einem aus der Vielzahl der ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) elektrisch gekoppelt ist und sich derart nach außen erstreckt, dass er von dem ersten Umschließungselement (7 ) freiliegend ist; und – einem zweiten Verbindungsanschluss (35b ), der mit einem aus der Vielzahl der zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) elektrisch gekoppelt ist und sich derart nach außen erstreckt, dass er von dem zweiten Umschließungselement (7 ) freiliegend ist, wobei – die ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) in einer ersten Richtung in einer räumlichen Abstandsbeziehung angeordnet sind, – die zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) in der ersten Richtung in einer räumlichen Abstandsbeziehung angeordnet sind, – die erste und die zweite Halbleiterbaugruppe (10 ,20 ) in Bezug zueinander in einer zweiten Richtung angeordnet sind, – die erste Richtung orthogonal zur zweiten Richtung verläuft, – sich die Verbindungsanschlüsse (35a ,35b ) entlang der zweiten Richtung nach außen erstrecken, – die zweite Halbleiterbaugruppe (20 ) den gleichen Aufbau wie die erste Halbleiterbaugruppe (10 ) aufweist, – die erste Halbleiterbaugruppe (10 ) in Bezug auf die zweite Halbleiterbaugruppe (20 ) um 180 Grad gedreht ist, wobei die vertikalen Positionen der Elektrodenelemente (3 ,4 ) der ersten Halbleiterbaugruppe (10 ) in Bezug auf die vertikalen Positionen der Elektrodenelemente (3 ,4 ) der zweiten Halbleiterbaugruppe (20 ) umgedreht sind, und – der erste und der zweite Verbindungsanschluss (35a ,35b ) miteinander derart in Anlagekontakt stehen, dass zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterbaugruppe (10 ,20 ) eine elektrische Verbindung hergestellt wird. - Halbleitervorrichtung, mit: – einer ersten Halbleiterbaugruppe (
10 ) mit einem ersten Halbleiterelement (1 ,2 ), einer Vielzahl von ersten Elektrodenelementen (3 ,4 ) und mit einem ersten Umschließungselement (7 ), wobei das erste Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen der Vielzahl von ersten Elektrodenelementen (3 ,4 ) angeordnet ist, die ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) mit dem ersten Halbleiterelement (1 ,2 ) in elektrischer Verbindung stehen und bei diesem für eine Wärmeübertragung sorgen, das erste Umschließungselement (7 ) das erste Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen den ersten Elektrodenelementen (3 ,4 ) umgibt, und eine Außenoberfläche (3a ,4a ) von jedem der ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) von dem ersten Unschließungselement (7 ) frei liegt; – einer zweiten Halbleiterbaugruppe (20 ) mit einem zweiten Halbleiterelement (1 ,2 ), einer Vielzahl von zweiten Elektrodenelementen (3 ,4 ) und mit einem zweiten Umschließungselement (7 ), wobei das zweite Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen der Vielzahl von zweiten Elektrodenelementen (3 ,4 ) angeordnet ist, die zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) mit dem zweiten Halbleiterelement (1 ,2 ) in elektrischer Verbindung stehen und bei diesem für eine Wärmeübertragung sorgen, das zweite Umschließungselement (7 ) das zweite Halbleiterelement (1 ,2 ) zwischen den zweiten Elektrodenelementen (3 ,4 ) umgibt, und eine Außenoberfläche (3a ,4a ) von jedem der zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) von dem zweiten Umschließungselement (7 ) freiliegt; – einem ersten Verbindungsanschluss (35a ), der mit einem aus der Vielzahl der ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) elektrisch gekoppelt ist und sich derart nach außen erstreckt, dass er von dem ersten Umschließungselement (7 ) freiliegend ist; – einem zweiten Verbindungsanschluss (35b ), der mit einem aus der Vielzahl der zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) elektrisch gekoppelt ist und sich derart nach außen erstreckt, dass er von dem zweiten Umschließungselement (7 ) freiliegend ist; wobei – die ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) in einer ersten Richtung in einer räumlichen Abstandsbeziehung angeordnet sind, – die zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) in der ersten Richtung in einer räumlichen Abstandsbeziehung angeordnet sind, – die erste und die zweite Halbleiterbaugruppe (10 ,20 ) in Bezug zueinander in einer zweiten Richtung angeordnet sind, – die erste Richtung orthogonal zur zweiten Richtung verläuft, – sich die Verbindungsanschlüsse (35a ,35b ) entlang der zweiten Richtung nach außen erstrecken, – die zweite Halbleiterbaugruppe (20 ) den gleichen Aufbau wie die erste Halbleiterbaugruppe (10 ) aufweist, – die erste Halbleiterbaugruppe (10 ) in Bezug auf die zweite Halbleiterbaugruppe (20 ) um 180 Grad gedreht ist, wobei die vertikalen Positionen der Elektrodenelemente (3 ,4 ) der ersten Halbleiterbaugruppe (10 ) in Bezug auf die vertikalen Positionen der Elektrodenelemente (3 ,4 ) der zweiten Halbleiterbaugruppe (20 ) umgedreht sind, und – ein leitfähiges Verbindungsmaterial (51 ) zwischen dem ersten und dem zweiten Verbindungsanschluss (35a ,35b ) derart angeordnet ist, dass zwischen den ersten und zweiten Halbleiterbaugruppen (10 ,20 ) eine elektrische Verbindung erzielt wird. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass – der erste Verbindungsanschluss (
35a ) mit einem aus der Vielzahl der ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) derart gekoppelt ist, dass die Außenoberfläche (3a ,4a ) des einen aus der Vielzahl der ersten Elektrodenelemente (3 ,4 ) mit einer Außenoberfläche (36a ) des ersten Verbindungsanschlusses (35a ) in einer Ebene liegt, und dass die Außenoberfläche (36a ) des ersten Verbindungsanschlusses (35a ) von dem ersten Umschließungselement (7 ) freiliegt; und – der zweite Verbindungsanschluss (35b ) mit einem aus der Vielzahl der zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) derart gekoppelt ist, dass die Außenoberfläche (3a ,4a ) des einen aus der Vielzahl der zweiten Elektrodenelemente (3 ,4 ) mit einer Außenoberfläche (36b ) des zweiten Verbindungsanschlusses (35b ) in einer Ebene liegt, und dass die Außenoberfläche (36b ) des zweiten Verbindungsanschlusses (35a ) von dem zweiten Umschließungselement (7 ) freiliegt. - Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Verbindungsanschluss (
35a ,35b ) von einem elektrisch isolierenden Element (40 ,41 ,42 ,43 ) bedeckt sind. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch isolierende Element (
41 ) einen ersten vorstehenden Abschnitt (41a ), der mit dem ersten Umschließungselement (7 ) gekoppelt ist, und einen zweiten vorstehenden Abschnitt (41b ), der mit dem zweiten Umschließungselement (7 ) gekoppelt ist, aufweist, so dass die ersten und zweiten vorstehenden Abschnitte (41a ,41b ) zusammenwirken, um den ersten und den zweiten Verbindungsanschluss (35a ,35b ) zu bedecken. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Verbindungsanschluss (
35a ,35b ) wenigstens teilweise von dem isolierenden Element (42 ) umgeben sind, und das isolierende Element (42 ) mit dem ersten und dem zweiten Verbindungsanschluss (35a ,35b ) abnehmbar gekoppelt ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005212246A JP4581885B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体装置 |
JP2005-212246 | 2005-07-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006032490A1 DE102006032490A1 (de) | 2007-03-01 |
DE102006032490B4 true DE102006032490B4 (de) | 2014-07-03 |
Family
ID=37657001
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006032490.0A Expired - Fee Related DE102006032490B4 (de) | 2005-07-22 | 2006-07-13 | Halbleitervorrichtung |
DE102006062989.2A Expired - Fee Related DE102006062989B3 (de) | 2005-07-22 | 2006-07-13 | Halbleitervorrichtung mit Halbleiterbaugruppen, die jeweils ein Halbleiterelement und ein Umschließungselement aufweisen |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006062989.2A Expired - Fee Related DE102006062989B3 (de) | 2005-07-22 | 2006-07-13 | Halbleitervorrichtung mit Halbleiterbaugruppen, die jeweils ein Halbleiterelement und ein Umschließungselement aufweisen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7470939B2 (de) |
JP (1) | JP4581885B2 (de) |
CN (1) | CN100527411C (de) |
DE (2) | DE102006032490B4 (de) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4564937B2 (ja) | 2006-04-27 | 2010-10-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置 |
JP5076440B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4580997B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-11-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5067267B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-11-07 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP5267021B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-08-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびそれを用いたインバータ回路 |
JP4957815B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-06-20 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール及びそれを用いた電子回路内蔵型モータ |
JP5158176B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-03-06 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP5380376B2 (ja) | 2010-06-21 | 2014-01-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体装置 |
JP5206743B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2013-06-12 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP5709299B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-04-30 | ローム株式会社 | 半導体パワーモジュールおよびその製造方法 |
JP2012212776A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Denso Corp | 電力変換装置 |
JP5947537B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2016-07-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5520889B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2014-06-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
KR101224702B1 (ko) * | 2011-07-25 | 2013-01-21 | 삼성전기주식회사 | 파워소자 패키지모듈 및 그의 제조방법 |
JP2013101993A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP5729314B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2015-06-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102012204489A1 (de) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Zf Friedrichshafen Ag | Baugruppe |
JP5621812B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2014-11-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
DE112013003222B4 (de) | 2012-06-29 | 2021-08-19 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtungsverbindungsstruktur |
JP5966979B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2016-08-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5796599B2 (ja) | 2013-05-23 | 2015-10-21 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールおよびスイッチング素子の駆動装置 |
JP2015095560A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 株式会社デンソー | パワーモジュール |
US20160322342A1 (en) * | 2014-01-15 | 2016-11-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co. Lt | Semiconductor device |
JP2015179702A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6354283B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-07-11 | 日産自動車株式会社 | 半導体モジュール及び半導体装置 |
JP6281506B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2018-02-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
JP6347308B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2018-06-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6750514B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2020-09-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
DE102017207564A1 (de) * | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitermodul |
JP6859860B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2021-04-14 | 株式会社デンソー | 電力変換装置、及びその製造方法 |
US11271491B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-03-08 | Aisin Corporation | Inverter module |
US10685909B2 (en) * | 2017-11-17 | 2020-06-16 | Infineon Technologies Ag | Power package having multiple mold compounds |
JP7069787B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-05-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
KR102562442B1 (ko) * | 2018-02-09 | 2023-08-03 | 주성엔지니어링(주) | 전극 접속 소자, 이를 포함하는 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
KR102048478B1 (ko) * | 2018-03-20 | 2019-11-25 | 엘지전자 주식회사 | 양면냉각형 파워 모듈 및 그의 제조 방법 |
JP2019054296A (ja) * | 2019-01-10 | 2019-04-04 | 京セラ株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP6782809B2 (ja) * | 2019-04-05 | 2020-11-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体モジュール及びこれを備えた電力変換装置 |
JP7278439B1 (ja) * | 2022-02-08 | 2023-05-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0263150A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積回路用パッケージ |
JP2001035988A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
DE10114125A1 (de) * | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Isad Electronic Sys Gmbh & Co | Aus mehreren Leistungsmodulen bestehende elektronische Leistungsschaltung |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
US6730544B1 (en) * | 1999-12-20 | 2004-05-04 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package and method for manufacturing same |
US20040089940A1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-05-13 | Kuniaki Mamitsu | Semiconductor device having radiation structure |
JP3596388B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2004-12-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
DE102005001151A1 (de) * | 2005-01-10 | 2006-07-20 | Infineon Technologies Ag | Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen |
DE102005027356A1 (de) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und ein Verfahren zur Herstellung desselben |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5138438A (en) * | 1987-06-24 | 1992-08-11 | Akita Electronics Co. Ltd. | Lead connections means for stacked tab packaged IC chips |
JPH04113475A (ja) | 1990-09-04 | 1992-04-14 | Sony Corp | 画像作成システム |
JPH0529532A (ja) | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Fujitsu Ltd | 半導体モジユール構造 |
JPH1168031A (ja) | 1997-08-11 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Icモジュールおよび半導体部品 |
US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
EP1742265B1 (de) | 2000-04-19 | 2013-08-07 | Denso Corporation | Kühlmittelgekühlte Halbleiteranordnung |
JP3809346B2 (ja) | 2001-06-15 | 2006-08-16 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング回路 |
JP4239580B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4173751B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4120876B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2008-07-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2005136332A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-07-22 JP JP2005212246A patent/JP4581885B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-12 US US11/484,701 patent/US7470939B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-13 DE DE102006032490.0A patent/DE102006032490B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-13 DE DE102006062989.2A patent/DE102006062989B3/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-21 CN CNB2006101059737A patent/CN100527411C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0263150A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体集積回路用パッケージ |
JP2001035988A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
US6967404B2 (en) * | 1999-11-24 | 2005-11-22 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
US20040089940A1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-05-13 | Kuniaki Mamitsu | Semiconductor device having radiation structure |
US20040089941A1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-05-13 | Kuniaki Mamitsu | Semiconductor device having radiation structure |
JP3596388B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2004-12-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US6960825B2 (en) * | 1999-11-24 | 2005-11-01 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
US6992383B2 (en) * | 1999-11-24 | 2006-01-31 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
US6998707B2 (en) * | 1999-11-24 | 2006-02-14 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
US6730544B1 (en) * | 1999-12-20 | 2004-05-04 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package and method for manufacturing same |
DE10114125A1 (de) * | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Isad Electronic Sys Gmbh & Co | Aus mehreren Leistungsmodulen bestehende elektronische Leistungsschaltung |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
DE102005001151A1 (de) * | 2005-01-10 | 2006-07-20 | Infineon Technologies Ag | Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen |
DE102005027356A1 (de) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und ein Verfahren zur Herstellung desselben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1901187A (zh) | 2007-01-24 |
DE102006032490A1 (de) | 2007-03-01 |
JP2007035670A (ja) | 2007-02-08 |
US7470939B2 (en) | 2008-12-30 |
DE102006062989B3 (de) | 2018-04-05 |
CN100527411C (zh) | 2009-08-12 |
JP4581885B2 (ja) | 2010-11-17 |
US20070018197A1 (en) | 2007-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006032490B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102014212519B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE10218071B4 (de) | Kondensatormodul und dieses verwendende Halbleitereinrichtung | |
DE102007029664B4 (de) | Elektronische Steuervorrichtung | |
DE102009032973B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE10310809B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE112013003222B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtungsverbindungsstruktur | |
DE102008025705B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE112016000877B4 (de) | Vorrichtung zum Umsetzen elektrischer Leistung | |
DE112010006032B4 (de) | Leistungsmodul, aufweisend eine Halbleitervorrichtung | |
DE69635440T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Schaltungssubstrat und einem Gehäuse | |
DE102004025616B4 (de) | Halbleiterbauteil mit Kühlsystem | |
DE102009011233A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE112016007432B4 (de) | Halbleitervorrichtung, Invertereinheit und Automobil | |
DE102005057981A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE112014006676B4 (de) | Leistungsmodulvorrichtung | |
DE112007001227T5 (de) | Flip-Chip-MLP mit gefalteter Wärmesenke | |
DE102016101579B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE102017205116B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Fertigungsverfahren derselben | |
DE112015001398T5 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE102004060935B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE102015103897B4 (de) | Leitungsrahmen mit Kühlerplatte, Verfahren zur Herstellung eines Leitungsrahmens mit Kühlerplatte, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE102016108562A1 (de) | Halbleiter-bauelement mit gestapelten anschlüssen | |
DE112012002724T5 (de) | Leiterrahmen und Leistungsmodul | |
DE102011076130A1 (de) | Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023360000 Ipc: H01L0023480000 |
|
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20120412 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023360000 Ipc: H01L0023480000 Effective date: 20120502 Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023360000 Ipc: H01L0023480000 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R130 | Divisional application to |
Ref document number: 102006062989 Country of ref document: DE Effective date: 20140417 |
|
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |