KR101127195B1 - 반도체장치 - Google Patents

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KR101127195B1
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데츠야 가와시마
아키라 미시마
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르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
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    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/40247Connecting the strap to a bond pad of the item
    • H01L2224/40249Connecting the strap to a bond pad of the item the bond pad protruding from the surface of the item
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    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
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    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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Abstract

본 발명은 복수의 반도체칩이 봉입된 반도체장치의 방열성의 향상을 도모하는 것이다.
입력측 판형상 리드부(5)상에 제어용 파워 MOSFET 칩(2)이 배치되고, 이 칩의 이면에는 드레인단자(DT1)가 형성되어 있고, 한편, 주면에는 소스단자(ST1) 및 게이트단자(GT1)가 형성되고, 이 소스단자(ST1)와 소스용 판형상 리드부(12)가 접속되어 있고, 또 출력측 판형상 리드부(6)상에 동기용 파워 MOSFET 칩(3)이 배치되어 있고, 이 칩의 이면에는 드레인단자(DT2)가 형성되고, 이 드레인단자(DT2)에 출력측 판형상 리드부(6)가 접속되고, 다시 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 주면에는 소스단자(ST2) 및 게이트단자(GT2)가 형성되어 있고, 이 소스단자(ST2)와 소스용 판형상 리드부(13)가 접속되고, 소스용 판형상 리드부(12, 13)가 노출되어 있음으로써, MCM(1)의 방열성을 높일 수 있다.

Description

반도체장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체장치에 관한 것으로, 특히 복수의 반도체칩이 밀봉체에 봉입된 반도체장치에 적용하기 유효한 기술에 관한 것이다.

종래의 반도체장치에서는 각 반도체칩의 표면에는 히트싱크(제 1 도체부재)의 이면이 땜납을 거쳐 접합되어 있고, 각 반도체칩의 이면에는 땜납을 거쳐 제 2 도체부재의 표면이 접합되어 있다. 또 히트싱크의 표면에는 땜납을 거쳐 제 3 도체부재의 이면이 접합되어 있고, 또한 소정의 반도체칩의 랜드와 제어용 단자가 본딩 와이어를 거쳐 전기적으로 접속되어 있다. 각 반도체칩, 히트싱크, 제 2 도체부재의 표면, 제 3 도체부재의 이면, 본딩 와이어 및 제어용 단자의 일부는 수지에 의하여 밀봉되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).

또 상기 반도체장치에서는 제 2 도체부재의 이면에 평판형상의 절연부재를 거쳐 외부 냉각부재를 맞닿게 하여 더욱 방열을 재촉하도록 하고 있다(예를 들면 특허문헌 2 참조).

[특허문헌 1] 일본국 특개2002-110893호 공보(도 1) [특허문헌 2] 일본국 특개2003-46036호 공보(도 1)

최근, 반도체장치의 고집적화나 소형화가 진행되고 있고, 특히 복수의 반도체칩을 절연재료에 의하여 밀봉한 반도체장치는, MCM (Multi-Chip-Module)이라 불리우고, 개발이 행하여지고 있다.

상기 MCM의 적용예의 하나로, 전원회로 등에 사용되는 스위칭회로가 있다. 그 중에서도 절연형 DC/DC 컨버터는 퍼스널컴퓨터 등의 정보기기에 널리 사용되고 있고, 이들 제품은 CPU(Central Processing Unit) 등의 대전류화나 고주파수화에 따라 고효율화 및 소형화가 요구된다.

DC/DC 컨버터는 제어용과 동기용의 파워 MOSFET(Metal 0xide Semiconductor Field Effect Transistor)와, 이들의 0N/0FF를 행하는 드라이버 IC(Integrated Circuit)와, 그 밖의 초크코일이나 콘덴서 등에 의하여 구성되나, 일반적으로 DC/DC 컨버터용 MCM에서는, 2개의 파워 MOSFET와 하나의 드라이버 IC가 하나의 패키지에 봉입되어 있다.

이와 같이 복수의 반도체칩을 하나의 패키지(봉입체)에 봉입하는 목적은 설치면적의 저감에 더하여 회로상의 기생 인덕턴스나 기생 저항성분을 저감하는 것에 있다.

또한 전원회로의 대전류화나 고주파수화 때문에 이들 기생성분이 원인이 되는 손실은 크고, 그것을 억제하기 위해서는 각 칩사이, 드라이버 IC-MOSFET사이, 출력단자 - 부하 사이의 배선패턴을 짧게 할 필요가 있다. 그 때문에 드라이버 IC와 MOSFET가 가까운 위치에 봉입되고, 전원회로를 구성하는 반도체소자를 1 패키지로 함으로써 부하의 가까이에 설치할 수 있는 전원용 MCM은 앞으로의 전원장치의 주류가 될 것으로 기대되고 있다.

즉, MCM 에 의한 설치에서는 종래의 개별로 패키지한 각 소자를 프린트기판상에 배치하는 설치에 비하여 배선거리가 짧아져 기생 인덕턴스나 기생저항은 대폭으로 감소되어 저손실의 회로를 실현할 수 있다.

그러나 MCM에서는 복수의 반도체칩이 1 패키지화됨으로써, 설치면적은 저감되나, 그와는 반대로 방열성이 감소하는 것이 문제가 된다.

또, 본 발명자가 검토한 도 16의 비교예에 나타내는 바와 같이, MCM에서는 칩 - 프레임 사이의 주요한 전류경로를 와이어로 전기적으로 접속하고 있기 때문에, 전체의 기생성분 중에서 와이어부분은 큰 비율을 차지하고 있어, 이 와이어부분에서의 저항이나 인덕턴스의 기생성분의 증가가 문제가 된다.

본 발명의 목적은 전기적 특성의 향상을 도모하는 반도체장치를 제공하는 것에 있다.

또, 본 발명의 그 밖의 목적은 방열성의 향상을 도모하는 반도체장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 신규의 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부도면으로부터 분명해질 것이다.

본원에 있어서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 이하와 같다.

본 발명에 의한 반도체 장치는, 각각의 주면에 단자가 형성된 제 1 MOSFET칩과, 제 2 MOSFET칩과, 상기 제 1 MOSFET칩 및 상기 제 2 MOSFET칩의 게이트를 구동하는 드라이버 칩을 구비하여, 입력전력을 변환하는 반도체장치에 있어서, 상기 제 2 MOSFET칩의 드레인전극과, 상기 제 1 MOSFET칩의 소스전극을 전기적으로 접속하는 도체부재와, 상기 제 1 MOSFET칩과, 상기 제 2 MOSFET칩을 패키지에 밀봉하는 밀봉체를 구비하고, 상기 도체부재와 접속되어 있지 않은 상기 제 1 MOSFET칩의 소스전극과, 상기 드라이버 칩을 접속하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 제 1 MOSFET칩의 주면에는 소스단자 및 게이트단자가 형성되고, 또한, 상기 제 1 MOSFET칩의 이면에는 드레인단자가 형성된다.

더욱 바람직하게는, 상기 제 1 MOSFET칩의 주면에는 소스단자 및 게이트단자가 형성되고, 상기 게이트단자와 상기 드라이버 칩의 회로는 전기적으로 접속된다.

본 발명에 의한 하나의 패키지에 형성되는 반도체장치는, 외부전원의 고전위와 전기적으로 접속되는 제 1 외부단자와, 상기 외부전원의 저전위와 전기적으로 접속되는 제 2 외부단자와, 제 3 외부단자와, 상기 제 1 외부단자의 상부에 형성된 제 1 반도체칩과, 상기 제 2 외부단자의 상부에 형성된 제 2 반도체칩과, 상기 제 1 및 제 2 반도체칩을 제어하는 드라이버칩을 가지고, 상기 제 1 반도체칩의 주면에 소스단자가 형성되고, 상기 제 1 반도체칩의 이면에 드레인단자가 형성되고, 상기 제 2 반도체칩의 주면에 드레인단자가 형성되고, 상기 제 2 반도체칩의 이면에 소스단자가 형성되고, 상기 제 1 반도체칩의 소스단자, 상기 제 2 반도체칩의 드레인단자 및 상기 제 3 외부단자의 상부에 하나의 도체부재가 형성되고, 상기 도체부재는, 상기 제 1 반도체칩의 소스단자, 상기 제 2 반도체칩의 드레인단자 및 상기 제 3 외부단자에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 외부단자는, 상기 패키지의 이면에 형성되고, 상기 제 1 외부단자는, 상기 제 1 반도체칩의 드레인단자에 전기적으로 접속되고, 상기 제 2 외부 단자는, 상기 제 2 반도체칩의 소스단자에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 외부 단자에 상기 외부전원의 고전위가 인가되고, 상기 제 2 외부 단자에 상기 외부전원의 저전위가 인가되고, 상기 패키지의 이면에서, 상기 제 1 외부단자와 상기 제 2 외부단자는 인접하여 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 제 1 반도체칩의 주면에 게이트단자가 형성되고, 상기 드라이버 칩의 주면에 제 1 단자가 형성되고, 상기 드라이버 칩의 제 1 단자에, 상기 제 1 반도체칩의 게이트단자에 전기적으로 접속되는 와이어가 접속된다.

더욱 바람직하게는, 상기 제 2 반도체칩의 이면에 게이트단자가 형성되고, 상기 드라이버 칩의 주면에 제 2 단자가 형성되고, 상기 드라이버 칩의 제 2 단자에, 상기 제 2 반도체칩의 게이트단자에 전기적으로 접속되는 와이어가 접속된다.

또는, 상기 도체부재의 단면적은, 상기 와이어의 단면적보다 클 수 있다.

상기 반도체장치는 DC/DC 컨버터용의 반도체장치일 수 있다.

또한, 상기 제 1 및 제 2 반도체칩은, 파워 트랜지스터 칩일 수 있다.

일례로서 DC/DC 컨버터용 MCM을 들면, 제어용 파워 MOSFET의 드레인단자는 판형상의 도체를 거쳐 외부 접속단자인 입력단자와 전기적으로 접속되어 있거나, 또는 입력단자의 일부인 판형상의 도체에 직접 접속되어 있고, 동기용 파워 MOSFET의 소스부도 마찬가지로 판형상의 도체를 거쳐 외부 접속단자인 접지단자와 전기적으로 접속되어 있거나, 또는 접지단자의 일부인 판형상의 도체에 직접 접속되어 있다.

또, 제어용 파워 MOSFET의 소스단자와 동기용 파워 MOSFET의 드레인단자는 각각 판형상의 도체에 접속되고, 그것들이 어떠한 도체로 접속되어 있거나, 또는 제어용 파워 MOSFET의 소스단자와 동기용 파워 MOSFET 칩의 드레인단자는 공통의 도체의 일부에 각각 접속되어 있는 것이다.

또, 그 도체는 외부 접속단자인 출력단자와 전기적으로 접속되어 있거나, 또는 출력단자의 일부이다.

또한 입력단자, 접지단자, 출력단자와 각각 접속되어 있는, 또는 그 일부인 판형상의 도체는, 반도체장치를 봉입하고 있는 절연재료의 외부에 그 일부, 또는 전체가 노출되어 있는 것이다.

또, 제어용 파워 MOSFET의 소스단자와 동기용 파워 MOSFET 칩의 드레인단자의 접속에, 공통의 판형상의 도체를 사용하고 있고, 동기용 파워 MOSFET의 상하를 역전시켜 도체의 공통의 면에 접속하는 것이다.

본원에 있어서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면, 이하와 같다.

2개의 반도체칩의 단자를 접속하는 판형상 도체부재를 가짐으로써, 와이어 접속에 비하여 기생저항 및 기생 인덕턴스의 저감화를 도모할 수 있고, 반도체장치에 있어서의 전기적 특성의 향상을 도모할 수 있다. 또한 상기 판형상 도체부재가 밀봉체로부터 노출되어 있음으로써, 반도체장치에 있어서의 방열성의 향상을 도모할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태 1의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩 모듈)의 구조의 일례를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도,
도 2는 도 1에 나타내는 A-A 선을 따라 절단한 단면의 구조를 나타내는 단면도,
도 3은 도 1에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 이면도,
도 4는 도 1에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 외관사시도,
도 5는 본 발명의 실시형태 1의 변형예의 반도체장치의 구조를 나타내는 단면도,
도 6은 본 발명의 실시형태 1의 변형예의 반도체장치의 구조를 나타내는 단면도,
도 7은 본 발명의 실시형태 1의 변형예의 반도체장치의 구조를 나타내는 단면도,
도 8은 도 1에 나타내는 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터)에 있어서의 설치시의 등가회로의 일례를 나타내는 회로도,
도 9는 본 발명의 실시형태 2의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩 모듈)의 구조의 일례를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도,
도 10은 도 9에 나타내는 B-B 선을 따라 절단한 단면의 구조를 나타내는 단면도,
도 11은 도 9에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 이면도,
도 12는 도 9에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 외관사시도,
도 13은 본 발명의 실시형태 3의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩 모듈)의 구조의 일례를 나타내는 단면도,
도 14는 본 발명의 실시형태 3의 변형예의 반도체장치의 구조를 나타내는 단면도,
도 15는 본 발명의 실시형태 4의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩 모듈)의 구조의 일례를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도,
도 16은 비교예의 전원용 멀티칩 모듈의 구조를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도,
도 17은 도 1에 나타내는 반도체장치의 내부를 투과하여 나타내는 사시도이다.

이하의 실시형태에서는 특별히 필요할 때 이외는 동일 또는 동일한 부분의 설명을 원칙으로하여 반복하지 않는다.

또한 이하의 실시형태에서는 편의상 그 필요가 있을 때는 복수의 섹션 또는 실시형태로 분할하여 설명하나, 특별히 명시한 경우를 제외하고, 그것들은 서로 무관한 것은 아니고, 한쪽은 다른쪽의 일부 또는 전부의 변형예, 상세, 보충설명 등의 관계에 있다.

또, 이하의 실시형태에 있어서, 요소의 수 등(개수, 수치, 양, 범위 등을 포함한다)에 언급하는 경우, 특별히 명시한 경우 및 원리적으로 분명하게 특정한 수에 한정되는 경우 등을 제외하고, 그 특정한 수에 한정되는 것은 아니고, 특정한 수 이상이어도 이하이어도 좋은 것으로 한다.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다. 또한 실시형태를 설명하기 위한 전 도면에 있어서, 동일한 기능을 가지는 부재에는 동일한 부호를 붙이고 그 반복의 설명은 생략한다.

(실시형태 1)

도 1은 본 발명의 실시형태 1의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩 모듈)의 구조의 일례를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도, 도 17은 도 1에 나타내는 반도체장치의 내부를 투과하여 나타내는 사시도, 도 2는 도 1에 나타내는 A-A 선을 따라 절단한 단면의 구조를 나타내는 단면도, 도 3은 도 1에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 이면도, 도 4는 도 1에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 외관사시도, 도 5 ~ 도 7은 각각 본 발명의 실시형태 1의 변형예의 반도체장치의 구조를 나타내는 단면도, 도 8은 도 1에 나타내는 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터)에 있어서의 설치시의 등가회로의 일례를 나타내는 회로도, 도 16은 비교예의 전원용 멀티칩 모듈의 구조를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도이다.

도 1 ~ 도 4, 도 17에 나타내는 본 실시형태 1의 반도체장치는, 복수의 반도체칩이 하나의 밀봉체(봉입용 절연수지)(17)에 봉입된 것으로, 본 실시형태 1에서는 상기 반도체장치의 일례로서, 비절연형 DC/DC 컨버터용의 MCM(멀티칩 모듈)(1)을 들어 설명한다.

또한 MCM(1)은, 도 3에 나타내는 바와 같이 밀봉체(17)의 이면(17b)의 둘레 가장자리부에 복수의 외부 접속단자(11)가 배치된 논리드형의 QFN(Quad Flat Non-leaded Package)구조의 것이다.

본 실시형태 1의 MCM(1)의 기본구조는, 복수의 반도체칩과, 이 복수의 반도체칩 중의 적어도 2개의 반도체칩의 단자부와 전기적으로 접속하는 판형상 도체부재와, 상기 복수의 반도체칩을 밀봉하는 밀봉체(17)와, 밀봉체(17)의 이면(17b)의 둘레 가장자리부에 배치된 복수의 외부 접속단자(11)로 이루어지고, 상기 판형상 도체부재에 의하여 접속된 적어도 2개의 반도체칩이 각각 트랜지스터회로를 가지고 있음과 동시에, 상기 판형상 도체부재가 밀봉체(17)로부터 노출되어 있다.

또한 MCM(1)은 제 1 반도체칩인 제어용 파워 MOSFET칩(2)과, 이 제어용 파워 MOSFET칩(2)과 판형상 도체부재에 의하여 전기적으로 직렬로 접속된 제 2 반도체칩 인 동기용 파워 MOSFET칩(3)과, 이들 칩의 동작을 ON/OFF 하는 제 3 반도체칩인 드라이버 IC 칩(4)을 가지고 있고, 이들 3개의 반도체칩이 밀봉체(17)에 밀봉(봉입)되어 있다.

즉, MCM(1)에는 각각에 전원용 트랜지스터회로를 가진 2개의 반도체칩(제 1 및 제 2 반도체칩)과, 이들 2개의 반도체칩을 제어하는 드라이버회로를 가진 1개의 반도체칩(제 3 반도체칩)이 탑재되어 있다.

본 실시형태 1의 MCM(1)의 상세구조에 대하여 설명하면 도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이 입력측 판형상 리드부(제 1 판형상 도체부재)(5)상에 제어용 파워 MOSFET 칩(제 1 트랜지스터)(2)이 배치되어 있다. 즉, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 이면(2b)에는 제어용 파워 MOSFET의 드레인단자(DT1)(제 1 출력전극)가 되는 단자부가 형성되어 있고, 이 드레인단자(DT1)에 제 1 판형상 도체부재인 입력측 판형상 리드부(5)가 접속되어 있다.

한편, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 주면(2a)에는 제어용 파워 MOSFET의 소스단자(제 2 출력전극)(ST1) 및 게이트단자(입력전극)(GT1)가 되는 단자부가 형성되어 있고, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 주면(2a)의 소스단자(ST1)와, 제 2 판형상 도체부재인 소스용 판형상 리드부(12)가 접속되어 있다.

또, 출력측 판형상 리드부(6)상에는 동기용 파워 MOSFET 칩(제 2 트랜지스터) (3)이 배치되어 있다. 즉 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 이면(3b)에는 동기용 파워 MOSFET의 드레인단자(제 1 출력단자)(DT2)가 되는 단자부가 형성되어 있고, 이 드레인단자(DT2)에 제 3 판형상 도체부재인 출력측 판형상 리드부(6)가 접속되어 있다. 한편, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 주면(3a)에는 동기용 파워 MOSFET의 소스단자 (ST2) 및 게이트단자(입력전극)(GT2)가 되는 단자부가 형성되어 있고, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 주면(3a)의 소스단자(ST2)와, 제 4 판형상 도체부재인 소스용 판형상 리드부(13)가 접속되어 있다.

또, MCM(1)은 접지측 판형상 리드부(7)와 드라이버측 판형상 리드부(8)를 가지고 있고, 드라이버측 판형상 리드부(8)상에는 드라이버 IC 칩(4)이 배치되어 있다. 즉, 드라이버 IC 칩(4)과 드라이버측 판형상 리드부(8)가 접속되어 있다. 드라이버 IC 칩(4)에서는 그 주면(4a)의 복수의 단자(9) 중의 일부의 단자(9)와, 파워 MOSFET 칩의 게이트단자(GT1), 소스단자(ST1), 게이트단자(GT2) 및 소스단자(ST2)가, 각각 금선(金線) 등의 가는 금속선인 와이어(10)에 의하여 전기적으로 접속되어 있고, 각 파워 MOSFET의 ON/OFF의 제어에 사용된다.

드라이버 IC 칩(4)의 주면(4a)의 그 밖의 단자(9)는 각각 전원 전압단자, 부트단자, 전압확인용 단자 및 제어신호 입력단자 등이며, 이들에 대응하는 외부 접속단자(11)와 와이어(10)에 의하여 접속되어 있다.

도 3에 나타내는 바와 같이 각 반도체칩이 탑재된 입력측 판형상 리드부(5),출력측 판형상 리드부(6) 및 드라이버측 판형상 리드부(8)는, MCM(1)의 밀봉체(17)의 이면(17b)에 있어서 각각 일부 또는 전부가 노출되어 있고, 프린트설치 기판과 전기적으로 접속하기 위한 외부 접속용 단자로서 뿐만 아니라, 상기 프린트설치 기판에 열을 방출하는 방열부품으로서의 역할도 하고 있다.

또 도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 소스용 판형상 리드부(12)는 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 소스단자(ST1)와, 출력측 판형상 리드부(6)를 전기적으로 접속하고 있고, 마찬가지로 소스용 판형상 리드부(13)는 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 소스단자(ST2)와, 접지측 판형상 리드부(7)를 전기적으로 접속하고 있다.

또한 도 4에 나타내는 바와 같이, 소스용 판형상 리드부(12) 및 소스용 판형상 리드부(13)는 각각 그 일부를 MCM(1)의 밀봉체(17)의 표면(17a)에 노출하고 있다.

또, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제어용 파워 MOSFET 칩(2) 및 동기용 파워 MOSFET 칩(3)에 있어서의 각각 이면(2b, 3b)의 드레인단자(DT1, DT2)는 예를 들면 은페이스트(14) 등의 다이본딩재를 거쳐 각각 입력측 판형상 리드부(5), 출력측 판형상 리드부(6)에 접합되어 있다.

한편, 제어용 파워 MOSFET 칩(2) 및 동기용 파워 MOSFET 칩(3)에 있어서의 각각 주면(2a, 3a)의 소스단자(ST1, ST2)는 예를 들면 금 범프(15) 등의 복수의 도전성의 돌기전극을 거쳐 소스용 판형상 리드부(12, 13)에 각각 접합되어 있다.

단, 제어용 파워 MOSFET 칩(2) 및 동기용 파워 MOSFET 칩(3)에 있어서의 주면(2a, 3a)의 소스단자(ST1, ST2) 각각과 소스용 판형상 리드부(12, 13)와의 접합은, 땜납로 이루어지는 돌기전극이나, 또는 페이스트형상의 도전성 접착제 등을 사용하여 행하여도 좋다.

여기서 도 2, 도 5, 도 6 및 도 7은 제 2 판형상 도체부재와 제 3 판형상 도체부재 및 제 4 판형상 도체부재와 접지측 판형상 리드부(7)에 있어서의 여러가지의 접속상태를 나타내는 것이다.

도 2에 나타내는 바와 같이 소스용 판형상 리드부(12)와 출력측 판형상 리드부(6) 및 소스용 판형상 리드부(13)와 접지측 판형상 리드부(7)는, 각각 도체(16)를 거쳐 전기적으로 접속되어 있다. 또 도 5의 변형예에 나타내는 바와 같이 소스용 판형상 리드부(12a, 13a)를 각각 출력측 판형상 리드부(6), 접지측 판형상 리드부(7)와 접속하는 부분까지 동일한 도체부재가 되도록 가공하여 땜납(18) 등을 사용하여 접속하여도 좋다. 소스용 판형상 리드부(12), 도체(16), 출력측 판형상 리드부(6)로 구성되는 도체부재(제 2 도체부재 또는 제 3 도체부재)는 2부분의 굴절부를 가지고, 대략 S자형상으로 되어 있다.

또, 도 6이나 도 7의 변형예에 나타내는 바와 같이 소스용 판형상 리드부(제 2 판형상 도체부재)(12)와 출력측 판형상 리드부(제 3 판형상 도체부재)(6)가, 다시 소스용 판형상 리드부(13)와 접지측 판형상 리드부(7)가 일체로 형성되어 있어도 좋다. 도 6에 나타내는 변형예는 프레스가공에 의하여 일체로 형성되어 있는 경우이고, 또 도 7에 나타내는 변형예는 굽힘가공에 의하여 일체로 형성되어 있는 경우이다.

이와 같이 본 실시형태 1의 MCM(1)에서는 밀봉체(17)의 표면(17a)측에 배치된 소스용 판형상 리드부(12)와, 밀봉체(17)의 이면(17b)측에 배치된 출력측 판형상 리드부(6)가 밀봉체(17)의 내부에 있어서의 제어용 파워 MOSFET 칩(2) 및 동기용 파워 MOSFET 칩(3) 각각의 바깥쪽에서 연결하여 전기적으로 접속되어 있다.

다음에 도 8은 MCM(1)의 설치시의 등가회로의 일례를 나타내는 것이다. MCM(1)이 코일(120), 콘덴서(22, 23), 또한 부하(24), 입력전원(21) 등과 배선으로 접속되어 있다. 비절연형 DC/DC 컨버터회로(19)에 있어서 생기는 발열 중 대부분은 제어용 파워 MOSFET 칩(2) 및 동기용 파워 MOSFET 칩(3)에서 발생한다.

본 실시형태 1의 MCM(1)에 의하면, 전류경로인 판형상 도체부재가, 그 한쪽 면에서 반도체칩에 접속되어 있고, 또한 다른쪽 면이 밀봉체(17)의 외부로 노출되어 있기 때문에, 방열성을 높일 수 있다. 밀봉체(17)의 이면(17b)에 노출된 판형상 도체부재는, 외부 접속용 단자부로서 사용되는 것과 동시에, MCM(1)을 설치하는 프린트배선 기판으로 열을 배출할 수 있다. 또한 밀봉체(17)의 표면(17a)에 노출된 판형상 도체부재는, 직접 외기로의 열의 배출, 또는 MCM(1)에 설치하는 방열 핀(27)(도 13, 도 14 참조)이나 히트싱크 등의 방열부재에 대한 전열효과를 높이는 역할을 가지고 있다.

즉, 제어용 파워 MOSFET 칩(2) 및 동기용 파워 MOSFET 칩(3)에서 발생한 열을 밀봉체(17)의 이면(17b)에 노출된 입력측 판형상 리드부(5) 및 출력측 판형상 리드부(6)로부터 프린트실장 기판에 전달하여 방열할 수 있고, 또 밀봉체(17)의 표면(17a)에 노출된 소스용 판형상 리드부(12) 및 소스용 판형상 리드부(13)로부터 외부로 방출할 수 있으므로, 더욱 높은 방열효과를 얻을 수 있다.

따라서, MCM(1)에 있어서의 방열성의 향상을 도모할 수 있다. 또한 MCM(1)의 전압변환효율을 향상시킬 수 있다.

또, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 소스단자(ST1)와 출력측 판형상 리드부(6)를, 다시 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 소스단자(ST2)와 접지측 판형상 리드부(7)를 소스용 판형상 리드부(12, 13)에 의하여 각각 접속함으로써 도 16에 나타내는 비교예의 멀티칩 모듈과 같은 일반적으로 사용되는 금선 등의 와이어(25)를 사용한 와이어접속에 비하여 본 실시형태 1의 MCM(1)은 전류가 흐르는 경로의 단면적을 크게 할 수 있기 때문에, 저항이나 인덕턴스의 기생성분이 작아져, 변환효율의 향상에 기여하는 것이 가능하게 된다.

즉, 와이어접속에 비하여 기생저항 및 기생 인덕턴스의 저감화를 도모할 수 있고, MCM(1)에 있어서의 전기적 특성의 향상을 도모할 수 있다.

또, 제 1 트랜지스터의 제 1 출력전극과 제 2 출력전극과의 전류경로와 제 2 트랜지스터의 제 1 출력전극과 상기 제 2 출력전극과의 전류경로를 직렬 접속하여, 제 1 도체부재, 제 2 도체부재, 제 3 도체부재, 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터를 기계적으로 일체화하여 구성함으로써 신뢰성이 높은 반도체장치를 용이하게 제조하는 것이 가능하게 된다.

(실시형태 2)

도 9는 본 발명의 실시형태 2의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩 모듈)의 구조의 일례를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도, 도 10은 도 9에 나타내는 B-B 선을 따라 절단한 단면의 구조를 나타내는 단면도, 도 11은 도 9에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 이면도, 도 12는 도 9에 나타내는 반도체장치의 구조를 나타내는 외관사시도이다.

본 실시형태 2의 반도체장치는, 실시형태 1과 마찬가지로 비절연형 DC/DC 컨버터용 MCM(멀티칩 모듈)(1)이고, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)과, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)과, 이들을 ON/OFF 시키는 드라이버 IC 칩(4)이 봉입된 반도체 패키지이다.

본 실시형태 2의 MCM(1)의 구조에 대하여 설명하면 도 9, 도 10에 나타내는 바와 같이, 입력측 판형상 리드부(5)상에 제어용 파워 MOSFET 칩(2)이 배치되어 있다. 또한 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 주면(2a)에는 제어용 파워 MOSFET의 소스단자(ST1) 및 게이트단자(GT1)가 되는 단자부가 형성되어 있고, 또 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 이면(2b)에는 제어용 파워 MOSFET의 드레인단자(DT1)가 되는 단자부가 형성되어 있다.

한편, 실시형태 1과는 달리, 접지측 판형상 리드부(7)상에 동기용 파워 MOSFET 칩(3)이 배치되어 있다. 즉, 도 10에 나타내는 바와 같이 제 2 반도체칩인 동기용 파워 MOSFET 칩(3)이, 제 1 반도체칩인 제어용 파워 MOSFET 칩(2)과 표리면이 반대의 방향으로(상하를 반대로 하여) 배치되어 있다. 또한 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 주면(3a)에는 동기용 파워 MOSFET의 드레인단자(DT2)가 되는 단자부가 형성되어 있고, 또 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 이면(3b)에는 동기용 파워 MOSFET의 소스단자(ST2) 및 게이트단자(GT2)가 되는 단자부가 형성되어 있다.

또한 이 DC/DC 컨버터용 MCM(1)은 도 9에 나타내는 바와 같이 출력측 판형상 리드부(6)를 가지고 있다.

또, 드라이버측 판형상 리드부(8)상에는 드라이버 IC 칩(4)이 배치되어 있고, 이 드라이버 IC 칩(4)의 주면(4a)의 복수의 단자(9)의 일부와, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 게이트단자(GT1), 소스단자(ST1), 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 소스단자(ST2), 게이트단자(GT2)가, 각각 전기적으로 접속되어 있고, 각 파워 MOSFET의 ON/OFF의 제어에 사용된다. 또한 게이트단자(GT2)가 아래 쪽을 향한 주면(3a)에 형성되어 있기 때문에, 도 9에 나타내는 바와 같이 드라이버 IC 칩(4)의 복수의 단자(9)의 일부와, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 게이트단자(GT2)가 금속판(26)을 거쳐 와이어(10)에 의하여 접속되어 있다. 게이트단자(GT2)와 금속판(26)은 예를 들면 범프전극 등을 거쳐 전기적으로 접속되어 있다. 그 밖의 단자는 각각 전원 전압단자, 부트단자, 전압확인용 단자 및 제어신호 입력단자 등이며, 대응하는 외부 접속단자(11)와 와이어(10)를 거쳐 접속되어 있다.

또, 입력측 판형상 리드부(5), 출력측 판형상 리드부(6), 접지측 판형상 리드부(7) 및 드라이버측 판형상 리드부(8) 각각은 도 11에 나타내는 바와 같이 밀봉체(17)의 이면(17b)에 각각의 일부 또는 전부를 노출하고 있고, 프린트실장 기판과 전기적으로 접속하기 위한 외부 접속용 단자부로서 뿐만 아니라, 프린트실장 기판에 열을 배출하는 방열부품으로서의 역할도 하고 있다.

단, 반드시 모든 판형상 리드부를 노출시킬 필요는 없고, 예를 들면 출력측 판형상 리드부(6)만이 노출되어 있지 않은 구조 등이어도 좋다.

또, 소스용 판형상 리드부(12)는, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 소스단자(ST1)와, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 드레인단자(DT2)를 전기적으로 접속하고 있다. 또한 도 12에 나타내는 바와 같이 이 소스용 판형상 리드부(12)는 그 일부가 밀봉체(17)의 표면(17a)에 노출되어 있다.

따라서 본 실시형태 2의 MCM(1)에서는 도 9에 나타내는 바와 같이 제 2 판형상 도체부재인 소스용 판형상 리드부(12)에 있어서의 제어용 파워 MOSFET 칩(2)(한쪽의 반도체칩)과의 접속부분과, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)(다른쪽 반도체칩)과의 접속부분이, 밀봉체(17)의 표면(17a)에서 연결되어 있다.

또한 제어용 파워 MOSFET 칩(2)에서는 그 드레인단자(DT1)가 형성된 면은, 예를 들면 은 페이스트(14) 등의 다이본딩재를 거쳐 입력측 판형상 리드부(5)에 압착되어 있고, 그 반대측 면의 소스단자(ST1)는 예를 들면 금 범프(15) 등의 도전성 재료를 거쳐 소스용 판형상 리드부(12)에 접속되어 있다.

한편, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)에서는 그 드레인단자(DT2)가 형성된 면은 예를 들면 은 페이스트(14) 등의 다이본딩재를 거쳐 소스용 판형상 리드부(12)에 압착되고, 그 반대측 면의 소스단자(ST2)는 예를 들면 금 범프(15) 등의 도전성 재료를 거쳐 접지측 판형상 리드부(7)에 접속되어 있다.

본 실시형태 2의 MCM(1)에서는 적어도 하나의 반도체칩을 표리 반대의 방향으로 탑재함으로써 실시형태 1의 MCM(1)과 비교하여 소스용 판형상 리드부(12)의 가공을 용이하게 할 수 있다. 즉, 도 10에 나타내는 바와 같이 평판형상의 1매의 소스용 판형상 리드부(12)만을 사용하여 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 소스단자(ST1)와, 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 드레인단자(DT2)를 소스용 판형상 리드부(12)의 동일면에 접속할 수 있기 때문에, 소스용 판형상 리드부(12)의 다른 면에 복수의 반도체칩이 접속됨에 의한 가공의 번잡함을 피할 수 있고, 따라서 리드부 사이의 접속이나 가공에 요하는 시간을 저감할 수 있다.

이에 의하여 MCM(1)의 구조를 단순화할 수 있다.

또 실시형태의 MCM(1)과 비교하여, 소스용 판형상 리드부(12)를 1매의 평판형상으로 형성하는 것이 가능하기 때문에, 소스용 판형상 리드부(12)의 면적을 더욱 크게 할 수 있어 방열효과를 더욱 향상시킬 수 있음과 동시에, 전압변환 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

(실시형태 3)

도 13은 본 발명의 실시형태 3의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩 모듈)의 구조의 일례를 나타내는 단면도, 도 14는 본 발명의 실시형태 3의 변형예의 반도체장치의 구조를 나타내는 단면도이다.

본 실시형태 3의 반도체장치는, 실시형태 1, 2와 마찬가지로 비절연형 DC/DC 컨버터용 MCM(멀티칩 모듈)(1)이고, 또한 방열성을 향상시키는 구조에 대하여 설명하는 것이다.

도 13 에 나타내는 MCM(1)은, 실시형태 1에서 설명한 MCM(1)에 방열부재인 방열 핀(27)을 설치한 것이다. 즉, 실시형태 1의 MCM(1)은 밀봉체(17)의 표면(17a)에 노출되는 2개의 판형상 리드부[소스용 판형상 리드부(12, 13)]가 다른 전위를 가지고 있기 때문에, 방열 핀(27) 등의 방열부재가 절연시트(28)를 거쳐 설치되어 있다.

이와 같이 MCM(1)의 표면(17a)에 있어서, 이것에 노출된 판형상 리드부에 방열 핀(27)을 설치함으로써 MCM(1)의 방열성을 더욱 높일 수 있다.

또, 도 14에 나타내는 MCM(1)은 실시형태 2의 MCM(1)에 방열부재인 방열 핀(27)을 설치한 것이다. 이 MCM(1)에서는 밀봉체(17)의 표면(17a)에 노출되는 판형상 리드부는 소스용 판형상 리드부(12)의 1개 뿐이다. 따라서 소스용 판형상 리드부(12)와 방열 핀(27)을 절연시트(28) 등을 개재시키지 않고 직접 접속할 수 있고, 도 13에 나타내는 MCM(1)과 비교하여 방열성을 더욱 높일 수 있다.

또, 소스용 판형상 리드부(12)와 방열 핀(27)을 일체화시키는 것도 가능하게 되고, 그 경우 보다 높은 방열효과를 얻을 수 있다.

(실시형태 4)

도 15는 본 발명의 실시형태 4의 반도체장치(비절연형 DC/DC 컨버터용 멀티칩모듈)의 구조의 일례를 밀봉체를 투과하여 나타내는 평면도이다.

본 실시형태 4의 반도체장치는, 실시형태 1, 2와 마찬가지로 비절연형 DC/DC 컨버터용 MCM(멀티칩 모듈)(1)이나, 실시형태 1 및 실시형태 2의 MCM(1)이 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 소스단자(ST1), 게이트단자(GT1)와 드라이버 IC 칩(4)의 단자(9)와의 접속에 있어서, 또는 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 소스단자(ST2), 게이트단자(GT2)와 드라이버 IC 칩(4)의 단자(9)와의 접속에 있어서, 각각 와이어(10)를 사용하고 있는 데 대하여, 본 실시형태 4의 MCM(1)은 이들 게이트 드라이브회로, 또는 그 밖의 접속에 있어서 금속판(다른 판형상 도체부재)(29)을 사용하고 있는 것이다.

즉, 도 15에 나타내는 일례에서는 제어용 파워 MOSFET 칩(2)의 단자부와 이것에 대응하는 드라이버 IC 칩(4)의 단자(9)가, 또한 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 단자부와 이것에 대응하는 드라이버 IC 칩(4)의 단자(9)가 각각 금속판(29)에 의하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한 각 단자와 금속판(29)과의 전기적인 접속은 예를 들면 금 범프(15) 등을 사용하여 행한다.

MCM(1)에서는 고속 스위칭시에는 게이트 드라이브회로 등, 주전류 경로 이외의 기생저항, 기생 인덕턴스가 효율저하의 원인이 되는 경우가 있기 때문에, 이와 같이 드라이버 IC 칩(4)과, 제어용 파워 MOSFET 칩(2)이나 동기용 파워 MOSFET 칩(3)의 전극 사이를 금속판(29)으로 접속함으로써 와이어접속과 비교하여 기생저항, 기생 인덕턴스를 저감할 수 있다.

또한 마찬가지로 도 15에 나타내는 그 밖의 와이어(10)에 대해서도 금속판(29)으로 치환이 가능하다.

이상, 본 발명자에 의하여 이루어진 발명을 발명의 실시형태에 의거하여 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 상기 발명의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경 가능한 것은 물론이다.

예를 들면 상기 실시형태 1 내지 4에서는 MCM(1)의 구조로서, QFN 형의 반도체장치의 경우를 들어 설명하였으나, MCM(1)은 QFN 형에 한정하지 않고, 복수의 반도체칩이 밀봉체에 봉입된 구조이면, QFP(Quad Flat Package)형 등의 다른 구조의 반도체장치이어도 좋다. 또한 봉입되는 반도체칩의 수도 3개로 한정되는 것이 아니라, 4개 이상이어도 좋다.

본 발명은 반도체장치 및 전자장치에 가장 적합하다.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : MCM(반도체장치)
2 : 제어용 파워 MOSFET칩(제 1 반도체칩)
2a : 주면 2b : 이면
3 : 동기용 파워 MOSFET칩(제 2 반도체칩)
3a : 주면 3b : 이면
4 : 드라이버 IC 칩(제 3 반도체칩)
4a : 주면
5 : 입력측 판형상 리드부(제 1 판형상 도체부재)
6 : 출력측 판형상 리드부(제 3 판형상 도체부재)
7 : 접지측 판형상 리드부 8 : 드라이버측 판형상 리드부
9 : 단자 10 : 와이어
11 : 외부 접속단자
12, 12a : 소스용 판형상 리드부(제 2 판형상 도체부재)
13, 13a : 소스용 판형상 리드부(제 4 판형상 도체부재)
14 : 은 페이스트 15 : 금 범프
16 : 도체 17 : 밀봉체(밀봉용 절연수지)
17a : 표면 17b : 이면
18 : 땜납 19 : 비절연형 DC/DC 컨버터회로
20 : 코일 21 : 입력전원
22, 23 : 콘덴서 24 : 부하
25 : 와이어 26 : 금속판
27 : 방열 핀(방열부재) 28 : 절연시트
29 : 금속판(다른 판형상 도체부재)
ST1 : 제어용 파워 MOSFET의 소스단자
DT1 : 제어용 파워 MOSFET의 드레인단자
GT1 : 제어용 파워 MOSFET의 게이트단자
ST2 : 동기용 파워 MOSFET의 소스단자
DT2 : 동기용 파워 MOSFET의 드레인단자
GT2 : 동기용 파워 MOSFET의 게이트단자

Claims (9)

  1. 각각의 주면에 단자가 형성된 제 1 MOSFET칩과, 제 2 MOSFET칩과,
    상기 제 1 MOSFET칩 및 상기 제 2 MOSFET칩의 게이트를 구동하는 드라이버 칩을 구비하여, 입력전력을 변환하는 반도체장치에 있어서,
    상기 제 2 MOSFET칩의 드레인전극과, 상기 제 1 MOSFET칩의 소스전극을 전기적으로 접속하는 도체부재와,
    상기 제 1 MOSFET칩과, 상기 제 2 MOSFET칩을 패키지에 밀봉하는 밀봉체를 구비하고,
    상기 도체부재와 접속되어 있지 않은 상기 제 1 MOSFET칩의 소스전극과, 상기 드라이버 칩을 접속한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 MOSFET칩의 주면에는 소스단자 및 게이트단자가 형성되고, 또한, 상기 제 1 MOSFET칩의 이면에는 드레인단자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 MOSFET칩의 주면에는 소스단자 및 게이트단자가 형성되고, 상기 게이트단자와 상기 드라이버 칩의 회로는 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 하나의 패키지에 형성되는 반도체장치에 있어서,
    외부전원의 고전위와 전기적으로 접속되는 제 1 외부단자와,
    상기 외부전원의 저전위와 전기적으로 접속되는 제 2 외부단자와,
    제 3 외부단자와,
    상기 제 1 외부단자의 상부에 형성된 제 1 반도체칩과,
    상기 제 2 외부단자의 상부에 형성된 제 2 반도체칩과,
    상기 제 1 및 제 2 반도체칩을 제어하는 드라이버칩을 가지고,
    상기 제 1 반도체칩의 주면에 소스단자가 형성되고,
    상기 제 1 반도체칩의 이면에 드레인단자가 형성되고,
    상기 제 2 반도체칩의 주면에 드레인단자가 형성되고,
    상기 제 2 반도체칩의 이면에 소스단자가 형성되고,
    상기 제 1 반도체칩의 소스단자, 상기 제 2 반도체칩의 드레인단자 및 상기 제 3 외부단자의 상부에 하나의 도체부재가 형성되고,
    상기 도체부재는, 상기 제 1 반도체칩의 소스단자, 상기 제 2 반도체칩의 드레인단자 및 상기 제 3 외부단자에 전기적으로 접속되고,
    상기 제 1, 제 2 및 제 3 외부단자는, 상기 패키지의 이면에 형성되고,
    상기 제 1 외부단자는, 상기 제 1 반도체칩의 드레인단자에 전기적으로 접속되고,
    상기 제 2 외부 단자는, 상기 제 2 반도체칩의 소스단자에 전기적으로 접속되고,
    상기 제 1 외부 단자에 상기 외부전원의 고전위가 인가되고,
    상기 제 2 외부 단자에 상기 외부전원의 저전위가 인가되고,
    상기 패키지의 이면에서, 상기 제 1 외부단자와 상기 제 2 외부단자는 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 반도체칩의 주면에 게이트단자가 형성되고,
    상기 드라이버 칩의 주면에 제 1 단자가 형성되고,
    상기 드라이버 칩의 제 1 단자에, 상기 제 1 반도체칩의 게이트단자에 전기적으로 접속되는 와이어가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 2 반도체칩의 이면에 게이트단자가 형성되고,
    상기 드라이버 칩의 주면에 제 2 단자가 형성되고,
    상기 드라이버 칩의 제 2 단자에, 상기 제 2 반도체칩의 게이트단자에 전기적으로 접속되는 와이어가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 도체부재의 단면적은, 상기 와이어의 단면적보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 반도체장치는 DC/DC 컨버터용의 반도체장치인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 반도체칩은, 파워 트랜지스터 칩인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
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