JPS62140484A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS62140484A JPS62140484A JP60280922A JP28092285A JPS62140484A JP S62140484 A JPS62140484 A JP S62140484A JP 60280922 A JP60280922 A JP 60280922A JP 28092285 A JP28092285 A JP 28092285A JP S62140484 A JPS62140484 A JP S62140484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- heat sink
- mount
- semiconductor element
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、精密な位置精度で光半導体素子がマウントさ
れた光半導体装置に関する。
れた光半導体装置に関する。
従来の半導体レーザやホトダイオードなどの光半導体素
子をマウントする場合は、ヒートシンクなどのステムに
外形を目視しながらピンセットなどを用いて載せている
。この方法では、数百μｍの精度でしかチップをマウン
トできず、機械精度でファイバとの位置合せを行うこと
は不可能であり、マウント後の結合効率の測定により、
ファイバの位置を大幅に調整することが必要であった。
子をマウントする場合は、ヒートシンクなどのステムに
外形を目視しながらピンセットなどを用いて載せている
。この方法では、数百μｍの精度でしかチップをマウン
トできず、機械精度でファイバとの位置合せを行うこと
は不可能であり、マウント後の結合効率の測定により、
ファイバの位置を大幅に調整することが必要であった。
なお、従来の半導体レーザのマウント方法の−例として
「光フアイバ伝送（野田健−著、電子通信学会・１５３
頁）」が挙げられる。
「光フアイバ伝送（野田健−著、電子通信学会・１５３
頁）」が挙げられる。
本発明の目的は、光半導体素子が位置精度良くマウント
に固着された光半導体装置を提供することにある。
に固着された光半導体装置を提供することにある。
光通信に用いる半導体レーザやホトダイオードを光フア
イバ付モジュールなどに組み立てる場合に、光半導体素
子と光ファイバを効率良く結合させるために、発光部ま
たは受光部を精度良く位置決めする必要がある。この際
、チップの外壁を利用して機械精度でチップをマウント
することが望ましい。このため、発光部または受光部か
らの外壁の位置を精度良く決定できるホトリソグラフィ
ー技術などを利用することに着目した。
イバ付モジュールなどに組み立てる場合に、光半導体素
子と光ファイバを効率良く結合させるために、発光部ま
たは受光部を精度良く位置決めする必要がある。この際
、チップの外壁を利用して機械精度でチップをマウント
することが望ましい。このため、発光部または受光部か
らの外壁の位置を精度良く決定できるホトリソグラフィ
ー技術などを利用することに着目した。
以下、本発明の実施例を第１図〜第４図により説明する
。
。
第１図及び第２図は第１の実施例の説明図である。第１
図（、）は、上面にリッジ状の凸部を有する半導体レー
ザで、同図（ｂ）は該半導体レーザの凸部に対応した凹
部を有するマウントである。
図（、）は、上面にリッジ状の凸部を有する半導体レー
ザで、同図（ｂ）は該半導体レーザの凸部に対応した凹
部を有するマウントである。
１はｎ基板を用いた半導体レーザ、２は発光部、３はｐ
（ｌｔｌＪ電極、４はｎ （ＩＩ電極、５は溝付の絶
縁物の板、６はヒートシンクである。第２図は、第１図
（ａ）の半導体レーザを同図（ｂ）のマウントに固着し
た図である。半導体レーザの凸部は、溝付の絶縁物の板
５にはめ込まれている。また、レーザのｐ側電極３は金
属のヒートシンク６の固着されている。なお、上記のリ
ッジ形状の形成は、レーザ作製の際に用いる一連のホト
マスクに、リッジ形状形成用ホトマスクを付加し、新た
に付加したホトマスクを利用してドライエツチングなど
の方法により行う。したがってエツチングにより形成さ
れた。リッジ形状の側面の発光部から相対位置は、非常
に精度良く決定されている。このため、リッジ形状の側
面及びＰ側電極３の面を利用して、ヒートシンク６にチ
ップをマウントすることにより、発光部２のヒートシン
ク６に対する相対位置を精度良く決定できる。ここで、
絶縁物の板５とヒートシンク６は高精度で固着され一体
化されているものである。本実施例による効果として以
下のものが挙げられる。第１に、光ファイバと結合させ
る際の位置調整を効率良く行うことができる効果がある
。第２に、発光部２の近傍の３面がヒートシンク６また
は熱伝導率の大きな絶縁物の板５に接触するため、放熱
効率を大幅に改善できる効果がある。
（ｌｔｌＪ電極、４はｎ （ＩＩ電極、５は溝付の絶
縁物の板、６はヒートシンクである。第２図は、第１図
（ａ）の半導体レーザを同図（ｂ）のマウントに固着し
た図である。半導体レーザの凸部は、溝付の絶縁物の板
５にはめ込まれている。また、レーザのｐ側電極３は金
属のヒートシンク６の固着されている。なお、上記のリ
ッジ形状の形成は、レーザ作製の際に用いる一連のホト
マスクに、リッジ形状形成用ホトマスクを付加し、新た
に付加したホトマスクを利用してドライエツチングなど
の方法により行う。したがってエツチングにより形成さ
れた。リッジ形状の側面の発光部から相対位置は、非常
に精度良く決定されている。このため、リッジ形状の側
面及びＰ側電極３の面を利用して、ヒートシンク６にチ
ップをマウントすることにより、発光部２のヒートシン
ク６に対する相対位置を精度良く決定できる。ここで、
絶縁物の板５とヒートシンク６は高精度で固着され一体
化されているものである。本実施例による効果として以
下のものが挙げられる。第１に、光ファイバと結合させ
る際の位置調整を効率良く行うことができる効果がある
。第２に、発光部２の近傍の３面がヒートシンク６また
は熱伝導率の大きな絶縁物の板５に接触するため、放熱
効率を大幅に改善できる効果がある。
第３図は第２の実施例の鳥睡図である。この図は、前記
第１の実施例における、ヒートシンク６をＶ溝付きヒー
トシンク７に代え、■溝に光ファイバ８を配置させたも
のである。本実施例では、第１の実施例による効果と全
く同様な効果が得られ、特に、半導体レーザ１と光ファ
イバ８の位置決めを容易に行うことができる。
第１の実施例における、ヒートシンク６をＶ溝付きヒー
トシンク７に代え、■溝に光ファイバ８を配置させたも
のである。本実施例では、第１の実施例による効果と全
く同様な効果が得られ、特に、半導体レーザ１と光ファ
イバ８の位置決めを容易に行うことができる。
第４図は、第３の実施例の断面図及び該実施例で用いた
ホトダイオード素子の正面図である。この実施例では、
裏面照射型ホトダイオード９がマウント１９に固着され
、ｐ側電極１０はセラミック基板１８上のストリップラ
イン１７上にボンディングワイヤ１６により結線されて
いる。また、光ファイバ２０はマウント１９に開けられ
た穴を通しホトダイオード９に入射するようになってい
る。したがって、光ファイバ２０とホトダイオード９の
受光部の位置精度が重要となるが、本実施例では、光フ
ァイバ２０及びホトダイオード９の位置がそれぞれ同一
のマウント１９によって決定される。本実施例によれば
、光ファイバ２０とホトダイオード９の位置決めを機械
精度により行うことができる効果がある。
ホトダイオード素子の正面図である。この実施例では、
裏面照射型ホトダイオード９がマウント１９に固着され
、ｐ側電極１０はセラミック基板１８上のストリップラ
イン１７上にボンディングワイヤ１６により結線されて
いる。また、光ファイバ２０はマウント１９に開けられ
た穴を通しホトダイオード９に入射するようになってい
る。したがって、光ファイバ２０とホトダイオード９の
受光部の位置精度が重要となるが、本実施例では、光フ
ァイバ２０及びホトダイオード９の位置がそれぞれ同一
のマウント１９によって決定される。本実施例によれば
、光ファイバ２０とホトダイオード９の位置決めを機械
精度により行うことができる効果がある。
本発明によれば、発光部または受光部を有する光半導体
素子を位置精度良くマウントに固着することができる効
果である。
素子を位置精度良くマウントに固着することができる効
果である。
第１図、第２図は本発明の第１の実施例を説明するため
の鳥瞼図、第３図は第２の実施例の鳥睡図、第４図は第
３の実施例の断面図及び本実施例に用いた素子の正面図
である。 １・・・半導体レーザ、２・・・発光部、３・・・ｐ側
電極、４・・・ｎ （Ｒ１１電極、５・・・絶縁物の板
、６・・・ヒートシンク、７・・・Ｖ溝付きヒートシン
ク、８・・・光ファイバ、９・・・裏面照射型ホトダイ
オード、１０・・・ｐ側電極、１１ ・＝ ｐ ＋ −
ＩｎＧａＡｓ、１２− ｎ−ＩｎＧａＡｓ、１３−ｎ−
ＩｎＰ、１４−ｎ＋−ＩｎＰ、１５− ｎ側電極、１６
・・・ボンディングワイヤ、１７・・・ストリップライ
ン、１８・・・セラミック基板、１９・・・マウント、
第１図 （ａ−ン 今 （ｂ） 第 ２ 凹 Ｚ ３ 図 ■ ４ 図 （ｂン
の鳥瞼図、第３図は第２の実施例の鳥睡図、第４図は第
３の実施例の断面図及び本実施例に用いた素子の正面図
である。 １・・・半導体レーザ、２・・・発光部、３・・・ｐ側
電極、４・・・ｎ （Ｒ１１電極、５・・・絶縁物の板
、６・・・ヒートシンク、７・・・Ｖ溝付きヒートシン
ク、８・・・光ファイバ、９・・・裏面照射型ホトダイ
オード、１０・・・ｐ側電極、１１ ・＝ ｐ ＋ −
ＩｎＧａＡｓ、１２− ｎ−ＩｎＧａＡｓ、１３−ｎ−
ＩｎＰ、１４−ｎ＋−ＩｎＰ、１５− ｎ側電極、１６
・・・ボンディングワイヤ、１７・・・ストリップライ
ン、１８・・・セラミック基板、１９・・・マウント、
第１図 （ａ−ン 今 （ｂ） 第 ２ 凹 Ｚ ３ 図 ■ ４ 図 （ｂン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光部または受光部を有し、位置決めのための規準
面を有する光半導体素子の少なくとも一つの規準面がマ
ウントに固着されたことを特徴とする光半導体装置。 ２、発光部または受光部を有し、上面または下面に位置
決めのための規準面を含む凹部、凸部または切り欠き部
を有する光半導体素子の少なくとも一つの規準面がマウ
ントに固着されたことを特徴とする光半導体装置。 ３、光半導体素子の規準面がホトプロセスにより形成さ
れたことを特徴とする第１項記載の光半導体装置。 ４、光半導体素子の規準面がホトプロセスにより形成さ
れたことを特徴とする第２項記載の光半導体装置。 ５、光半導体素子の形状はリツジ形の凸部を有するもの
とし、マウントの形状は該凸部に対応した凹部を有する
ことを特徴とする第２項記載の光半導体装置。 ６、光半導体素子の形状は溝が形成された凹部を有する
ものとし、マウントの形状は該凹部に対応した凸部を有
することを特徴とする第２項記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60280922A JPS62140484A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60280922A JPS62140484A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140484A true JPS62140484A (ja) | 1987-06-24 |
Family
ID=17631800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60280922A Pending JPS62140484A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140484A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334274A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-12-02 | Xerox Corp | 多ダイオード・レーザー・アレイ |
| US5644586A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
| JPH09325243A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-16 | Kyocera Corp | 光混成集積回路装置 |
| JP2019016658A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60280922A patent/JPS62140484A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334274A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-12-02 | Xerox Corp | 多ダイオード・レーザー・アレイ |
| US5644586A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
| JPH09325243A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-16 | Kyocera Corp | 光混成集積回路装置 |
| JP2019016658A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
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