JP2006278577A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 レーザ光の発光点間隔の短くかつ信頼性が高く製造歩留りが向上された半導体レーザ装置を提供することである。
【解決手段】 青紫色半導体レーザ素子１００の上面には、凸部Ｔ１および隆起部Ｕ１，Ｕ２が形成されている。赤色半導体レーザ素子２００の下面には、凸部Ｔ２および隆起部Ｕ３，Ｕ４が形成されている。凸部Ｔ１の高さは、隆起部Ｕ１，Ｕ２の高さより低く、凸部Ｔ２の高さは、隆起部Ｕ３，Ｕ４の高さより低い。青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２００は、凸部Ｔ１と凸部Ｔ２とが互いに向き合うように接合される。
【選択図】 図１

Description

本発明は波長の異なる複数の光を出射可能な半導体レーザ装置に関する。
従来より、ＣＤ（コンパクトディスク）／ＣＤ−Ｒ（コンパクトディスク−レコーダブル）ドライブには、光源として波長７８０ｎｍ程度の赤外光を出射する半導体レーザ素子（赤外半導体レーザ素子）が用いられてきた。また、従来のＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）ドライブには、光源として波長６５０ｎｍ程度の赤色光を出射する半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子）が用いられてきた。
一方、近年、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を用いて記録および再生可能なＤＶＤの開発が進められている。このようなＤＶＤの記録および再生のために、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を出射する半導体レーザ素子（青紫色半導体レーザ素子）を用いたＤＶＤドライブも同時に開発が進められている。このＤＶＤドライブにおいては、従来のＣＤ／ＣＤ−ＲおよびＤＶＤに対する互換性が必要とされる。
この場合、ＤＶＤドライブに赤外光、赤色光および青紫色光をそれぞれ出射する複数の光ピックアップ装置を設ける方法、または１つの光ピックアップ装置内に赤外半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子を設ける方法により、従来のＣＤ、ＤＶＤおよび新しいＤＶＤに対する互換性が実現される。しかしながら、これらの方法では部品点数の増加を招くため、ＤＶＤドライブの小型化、構成の簡単化および低コスト化が困難となる。
このような部品点数の増加を防止するためには、１つのパッケージ内に、波長の異なるレーザ光を発する複数の半導体レーザ素子を設けることが有効である。この場合、各レーザ光の取り出し効率の向上および収差を低減するためには、各レーザ光の発光点位置を近づける必要がある。
特許文献１には、レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置が記載されている。特許文献１の半導体レーザ装置においては、波長の異なるレーザ光を発する２つの発光素子を、それぞれのレーザ発振部が互いに向かい合うように固着している。それにより、レーザ光の発光点間隔を小さくしている。
特開２００４−２０７４７９号公報
しかしながら、リッジ構造を有する２つの半導体レーザ素子を、上記特許文献１に記載されているように接着すると次のような問題が発生する。以下、図面を用いて説明する。
図１２は、リッジ構造を有する２つの半導体レーザ素子を備えた従来の半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
図１２の半導体レーザ装置１Ｅは、半導体レーザ素子６００および半導体レーザ素子７００を備える。
半導体レーザ素子６００は、基板６０の上面側にｎ型半導体層６１およびｐ型半導体層６２を有する。ｐ型半導体層６２の上面側には、リッジ部Ｒｉ１が形成されている。ｐ型半導体層６２の上面側には、リッジ部Ｒｉ１の上面を除く領域に絶縁層６３が形成されている。また、絶縁層６３およびリッジ部Ｒｉ１の上面を覆うようにｐ側パッド電極６４が形成されている。基板６０の下面側にはｎ電極６５が形成されている。
半導体レーザ素子６００のｐ側パッド電極６４とｎ電極６５との間に電圧が印加されることにより、ｎ型半導体層６１とｐ型半導体層６２との接合面におけるリッジ部Ｒｉ１の下方の領域（以下、第１の発光点と呼ぶ。）６６から第１のレーザ光が出射される。
半導体レーザ素子７００は、基板７０の下面側にｎ型半導体層７１およびｐ型半導体層７２を有する。ｐ型半導体層７２の下面側には、リッジ部Ｒｉ２が形成されている。ｐ型半導体層７２の下面側には、リッジ部Ｒｉ２の下面を除く領域に絶縁層７３が形成されている。また、絶縁層７３およびリッジ部Ｒｉ２の下面を覆うようにｐ側パッド電極７４が形成されている。基板７０の上面側にはｎ電極７５が形成されている。
半導体レーザ素子７００のｐ側パッド電極７４とｎ電極７５との間に電圧が印加されることにより、ｎ型半導体層７１とｐ型半導体層７２との接合面におけるリッジ部Ｒｉ２の上方の領域（以下、第２の発光点と呼ぶ。）７６から第２のレーザ光が出射される。
半導体レーザ素子６００および半導体レーザ素子７００は、はんだＨにより、リッジ部Ｒｉ１およびリッジ部Ｒｉ２が互いに向かい合うように接合されている。
ここで、上記のように半導体レーザ素子６００と半導体レーザ素子７００とを接合する場合、リッジ部Ｒｉ１とリッジ部Ｒｉ２とが接触し、リッジ部Ｒｉ１，Ｒｉ２に応力が加わる。それにより、リッジ部Ｒｉ１，Ｒｉ２の特性が劣化し、半導体レーザ装置１Ｅの信頼性が低下する。
また、リッジ部Ｒｉ１とリッジ部Ｒｉ２との接触面積は小さいので、半導体レーザ素子６００上に半導体レーザ素子７００を安定させることができない。それにより、図１３に示すように、半導体レーザ素子６００に対して半導体レーザ素子７００が傾いた状態で接合されることがある。その結果、半導体レーザ装置１Ｅごとに発光点の位置にばらつきが生じる。
また、図１４に示すように、接合時にはんだＨの一部が半導体レーザ素子６００のｎ型半導体層６１およびｐ型半導体層６２の側面に回り込むことにより短絡が生じることがある。また、半導体レーザ素子６００のｐ側パッド電極６４には電圧を印加するためのワイヤＷが接続されるが、溶融したはんだＨがｐ側パッド電極６４の端部近くまで流れ出すことによりワイヤＷの接続不良が発生することがある。
さらに、図１４に示すような、はんだＨがｐ側パッド電極６４の端部まで流れ出している半導体レーザ装置１Ｅを、図１５に示すように、半導体レーザ素子７００を下側にして断面Ｌ字型のサブマウント８００に接合する場合、はんだＨの影響によって、半導体レーザ装置１Ｅがサブマウント８００に対して傾いた状態で接合されることがある。それにより、製造歩留りが低下する。
本発明の目的は、レーザ光の発光点間隔の短くかつ信頼性が高く製造歩留りが向上された半導体レーザ装置を提供することである。
（１）
第１の発明に係る半導体レーザ装置は、第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備えた第１の半導体レーザ素子と、第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備えた第２の半導体レーザ素子とを備え、第１の半導体層の一面側および第２の半導体層の一面側が互いに接合され、第１の半導体層の一面側および第２の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の凸部が設けられ、第１の半導体層の一面側および第２の半導体層の一面側の一方または両方において凸部に間隔を隔てて隆起部が設けられ、隆起部の高さが凸部の高さ以上であるものである。
その半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側および第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の凸部が設けられている。また、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側および第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層の一面側の一方または両方において凸部に間隔を隔てて隆起部が設けられている。ここで、隆起部の高さが凸部の高さ以上である。さらに、第１の半導体層の一面側および第２の半導体層の一面側が互いに接合されている。
この場合、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側と第２の半導体層の第２の半導体層の一面側とが接合されているので、第１の半導体層の第１の発光点と第２の半導体層の第２の発光点との間隔が小さくなる。それにより、第１の発光点および第２の発光点をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、第１の発光点および第２の発光点から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、隆起部の高さが凸部の高さ以上であるので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが少なくとも隆起部で接触する。それにより、一方の半導体レーザ素子の一面側に設けられた凸部により他方の半導体レーザ素子の一面側に与えられる応力および凸部に発生する応力が低減される。したがって、応力による第１および第２の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。その結果、半導体レーザ装置の信頼性が向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが少なくとも隆起部で接触するので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積が大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上し、製造歩留まりが向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを少量の接合材料で確実に接合することができる。それにより、接合材料の一部が第１または第２の半導体層の側面に回り込むことが防止される。その結果、第１および第２の半導体レーザ素子に短絡が発生することが防止され、製造歩留まりが向上する。
（２）
隆起部は、凸部の両側に間隔を隔てて設けられてもよい。
この場合、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積がさらに大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とをより安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組立精度がさらに向上し、製造歩留まりがさらに向上する。
（３）
凸部は、第１の半導体層の一面側に設けられた第１の凸部と、第２の半導体層の一面側に設けられた第２の凸部を含み、隆起部は、第１の半導体層の一面側において第１の凸部に間隔を隔てて設けられた第１の隆起部と、第２の半導体層の一面側において第２の凸部に間隔を隔てて設けられた第２の隆起部を含み、第１および第２の隆起部の合計の高さが第１および第２の凸部の合計の高さ以上であってもよい。
この場合、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが第１の隆起部および第２の隆起部で接触する。それにより、第１および第２の凸部によって第２および第１の半導体レーザ素子に与えられる応力が低減される。したがって、応力による第１および第２の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。その結果、半導体レーザ装置の信頼性が向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが第１および第２の隆起部で接触するので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積が大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上し、製造歩留まりが向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを少量の接合材料で確実に接合することができる。それにより、接合材料の一部が第１または第２の半導体層の側面に回り込むことが防止される。その結果、第１および第２の半導体レーザ素子に短絡が発生することが防止され、製造歩留まりが向上する。
（４）
第１の凸部および第１の発光点は、第１の半導体層の一面に略垂直な方向に沿って位置し、第２の凸部および第２の発光点は、第２の半導体層の一面に略垂直な方向に沿って位置し、第１の凸部と前記第２の凸部とが対向するように前記第１および第２の半導体レーザ素子が配置されてもよい。
この場合、第１の発光点と第２の発光点とが略直線上で近接する。それにより、第１の発光点および第２の発光点をともにパッケージの中心により近づけることができる。その結果、第１の発光点および第２の発光点から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
（５）
第１の半導体レーザ素子は、第１の活性層および第１のクラッド層を順に含み、第１のクラッド層は、第１の平坦部およびその平坦部上の第１のリッジ部からなり、第１の凸部は第１のリッジ部を覆うように形成され、第２の半導体レーザ素子は、第２の活性層および第２のクラッド層を順に含み、第２のクラッド層は、第２の平坦部およびその平坦部上の第２のリッジ部からなり、第２の凸部は第２のリッジ部を覆うように形成されてもよい。
この場合、第１の凸部の下方の第１の活性層の領域に第１の発光点が形成され、第２の凸部の下方の第２の活性層の領域に第２の発光点が形成される。したがって、第１および第２の発光点をより近づけることができる。
（６）
第１の隆起部は、第１の凸部の両側に間隔を隔てて設けられ、第２の隆起部は、第２の凸部の両側に間隔を隔てて設けられてもよい。
この場合、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積がさらに大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とをより安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組立精度がさらに向上し、製造歩留まりがさらに向上する。
（７）
凸部は、第１の半導体層の一面側に設けられ、隆起部は、第１の半導体層の一面側において凸部に間隔を隔てて設けられてもよい。
この場合、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが第１の半導体層の一面側に設けられた隆起部で接触する。それにより、第１の半導体層の一面側に設けられた凸部によって第２の半導体レーザ素子に与えられる応力および凸部に発生する応力が低減される。したがって、応力による第１および第２の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。その結果、半導体レーザ装置の信頼性が向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが第１の半導体層の一面側に設けられた隆起部で接触するので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積が大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上し、製造歩留まりが向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを少量の接合材料で確実に接合することができる。それにより、接合材料の一部が第１または第２の半導体層の側面に回り込むことが防止される。その結果、第１および第２の半導体レーザ素子に短絡が発生することが防止され、製造歩留まりが向上する。
（８）
凸部、第１の発光点および第２の発光点は、第１の半導体層の一面に略垂直な方向に沿って位置してもよい。
この場合、第１の発光点と第２の発光点とが略直線上で近接する。それにより、第１の発光点および第２の発光点をともにパッケージの中心により近づけることができる。その結果、第１の発光点および第２の発光点から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
（９）
第１の半導体レーザ素子は、第１の活性層および第１のクラッド層を順に含み、第１のクラッド層は、平坦部およびその平坦部上のリッジ部からなり、凸部はリッジ部を覆うように形成され、第２の半導体レーザ素子は、第２の活性層、第２のクラッド層、およびストライプ状開口部を有する電流ブロック層を順に含んでもよい。
この場合、凸部の下方の第１の活性層の領域に第１の発光点が形成され、ストライプ状開口部の下方の第２の活性層の領域に第２の発光点が形成される。
（１０）
隆起部は、前記凸部の両側に間隔を隔てて設けられてもよい。
この場合、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積がさらに大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とをより安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組立精度がさらに向上し、製造歩留まりがさらに向上する。
（１１）
第２の発明に係る半導体レーザ装置は、第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備えた第１の半導体レーザ素子と、第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備えた第２の半導体レーザ素子と、第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を備えた第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の半導体層の一面側の第１の領域に第２の半導体層の一面側が接合されるとともに、第１の半導体層の一面側の第２の領域に第３の半導体層の一面側が接合され、第１の領域および第２の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の第１の凸部が設けられ、第１の領域および第２の半導体層の一面側の一方または両方において第１の凸部に間隔を隔てて第１の隆起部が設けられ、第２の領域および第３の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の第２の凸部が設けられ、第２の領域および第３の半導体層の一面側の一方または両方において第２の凸部に間隔を隔てて第２の隆起部が設けられ、第１の隆起部の高さが第１の凸部の高さ以上であり、第２の隆起部の高さが第２の凸部の高さ以上であるものである。
その半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第１の領域および第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の第１の凸部が設けられている。また、第１の領域および第２の半導体層の一面側の一方または両方において第１の凸部に間隔を隔てて第１の隆起部が設けられている。また、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第２の領域および第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の第２の凸部が設けられている。また、第２の領域および第３の半導体層の一面側の一方または両方において第２の凸部に間隔を隔てて第２の隆起部が設けられている。ここで、第１の隆起部の高さが第１の凸部の高さ以上であり、第２の隆起部の高さが第２の凸部以上の高さである。さらに、第１の半導体層の一面側の第１の領域および第２の半導体層の一面側が互いに接合され、第１の半導体層の一面側の第２の領域および第３の半導体層の一面側が互いに接合されている。
この場合、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第１の領域と第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層の一面側とが接合されているので、第１の半導体層の第１の発光点と第２の半導体層の第２の発光点との間隔が小さくなる。それにより、第１の発光点および第２の発光点をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、第１の発光点および第２の発光点から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第２の領域には第３の半導体レーザ素子が取り付けられている。このように、３つの半導体レーザ素子を設けることにより、１つの半導体レーザ装置で３つの光学記録媒体に対応することができる。
また、第１の隆起部の高さが第１の凸部の高さ以上であるので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが第１の隆起部で接触する。それにより、一方の半導体レーザ素子の一面側に設けられた第１の凸部により他方の半導体レーザ素子の一面側に与えられる応力および第１の凸部に発生する応力が低減される。したがって、応力による第１および第２の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。
また、第２の隆起部の高さが第２の凸部の高さ以上であるので、第１の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とが第２の隆起部で接触する。それにより、一方の半導体レーザ素子の一面側に設けられた第２の凸部により他方の半導体レーザ素子の一面側に与えられる応力および第２の凸部に発生する応力が低減される。したがって、応力による第１および第３の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。
これらの結果、半導体レーザ素子の信頼性が向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが第１の隆起部で接触するので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積が大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを安定な状態で接合することができる。さらに、第１の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とが第２の隆起部で接触するので、第１の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子との接触面積が大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とを安定な状態で接合することができる。これらの結果、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上し、製造歩留まりが向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを少量の接合材料で確実に接合することができる。また、第１の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とを少量の接合材料で確実に接合することができる。これらの結果、接合材料の一部が第１、第２または第３の半導体層の側面に回り込むことが防止される。その結果、第１、第２および第３の半導体レーザ素子に短絡が発生することが防止され、製造歩留まりが向上する。
（１２）
第１の隆起部は、第１の凸部の両側に間隔を隔てて設けられ、第２の隆起部は、第２の凸部の両側に間隔を隔てて設けられてもよい。
この場合、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積および第１の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子との接触面積がさらに大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子に対して第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子をより安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組立精度がさらに向上し、製造歩留まりがさらに向上する。
（１３）
第３の発明に係る半導体レーザ装置は、第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備えた第１の半導体レーザ素子と、第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備えた第２の半導体レーザ素子と、第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を備えた第３の半導体レーザ素子とを備え、第２および第３の半導体レーザ素子は共通の基板上に形成され、第１の半導体層の一面側の第１の領域に第２の半導体層の一面側が接合されるとともに、第１の半導体層の一面側の第２の領域に第３の半導体層の一面側が接合され、第１の領域および第２の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の第１の凸部が設けられ、第１の領域および第２の半導体層の一面側の一方または両方において第１の凸部の少なくとも一方側に間隔を隔てて第１の隆起部が設けられ、第２の領域および第３の半導体層の一面側の一方または両方に第２の隆起部が設けられ、第１および第２の隆起部の高さが第１の凸部の高さ以上であるものである。
その半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第１の領域および第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層の一面側の一方または両方にストライプ状の第１の凸部が設けられている。また、第１の領域および第２の半導体層の一面側の一方または両方において第１の凸部の両側に間隔を隔てて第１の隆起部が設けられている。また、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第２の領域および第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層の一面側の一方または両方第２の隆起部が設けられている。ここで、第２および第３の半導体レーザ素子は共通の基板上に形成され、第１および第２の隆起部の高さが第１の凸部の高さ以上である。さらに、第１の半導体層の一面側の第１の領域および第２の半導体層の一面側が互いに接合され、第１の半導体層の一面側の第２の領域および第３の半導体層の一面側が互いに接合されている。
この場合、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第１の領域と第２の半導体層の第２の半導体層の一面側とが接合されているので、第１の半導体層の第１の発光点と第２の半導体層の第２の発光点との間隔が小さくなる。それにより、第１の発光点および第２の発光点をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、第１の発光点および第２の発光点から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側の第２の領域には第３の半導体レーザ素子が取り付けられている。このように、３つの半導体レーザ素子を設けることにより、１つの半導体レーザ装置で３つの光学記録媒体に対応することができる。
また、第１および第２の隆起部の高さが第１の凸部の高さ以上であるので、第１の半導体レーザ素子は、第２の半導体レーザ素子とは第１の隆起部で接触し、第３の半導体レーザ素子とは第２の隆起部で接触する。それにより、第１および第２の半導体レーザ素子のうち一方の半導体レーザ素子の一面側に設けられた第１の凸部により他方の半導体レーザ素子の一面側に与えられる応力および第１の凸部に発生する応力が低減される。したがって、応力による第１および第２の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。この結果、半導体レーザ素子の信頼性が向上する。
また、第１の半導体レーザ素子が第１および第２の隆起部において第２および第３の半導体レーザ素子と接触するので、第１の半導体レーザ素子と第２および第３の半導体レーザ素子との接触面積が大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２および第３の半導体レーザ素子とを安定な状態で接合することができる。それにより、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上し、製造歩留まりが向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２および第３の半導体レーザ素子とを少量の接合材料で確実に接合することができる。それにより、接合材料の一部が第１、第２または第３の半導体層の側面に回り込むことが防止される。その結果、第１、第２および第３の半導体レーザ素子に短絡が発生することが防止され、製造歩留まりが向上する。
（１４）
第３の半導体層の一面側にストライプ状の第２の凸部が設けられ、第２の領域および第３の半導体層の一面側の一方または両方において第２の凸部の少なくとも一方側に間隔を隔てて第２の隆起部が設けられ、第２の隆起部の高さが第２の凸部の高さ以上であってもよい。
この場合、第２の隆起部の高さが第２の凸部以上であるので、第１の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とが第２の隆起部で接触する。それにより、第２の凸部により第１の半導体レーザ素子の一面側に与えられる応力および第２の凸部に発生する応力が低減される。したがって、応力による第１および第３の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。その結果、半導体レーザ素子の信頼性が向上する。
（１５）
間隔は、５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。
間隔が５μｍ以上であることにより、凸部と隆起部との間に接合材料を十分に収容することができる。それにより、接合材料が半導体レーザ素子の側面に回り込むことが確実に防止される。
また、間隔が１５０μｍ以下であることにより、各半導体レーザ素子間の接触面積を十分確保することができる。それにより、各半導体レーザ素子をより安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ素子の組み立て精度がさらに向上し、製造歩留まりがさらに向上する。
本発明によれば、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の一面側と第２の半導体層の第２の半導体層の一面側とが接合されているので、第１の半導体層の第１の発光点と第２の半導体層の第２の発光点との間隔が小さくなる。それにより、第１の発光点および第２の発光点をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、第１の発光点および第２の発光点から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、隆起部の高さが凸部の高さ以上であるので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが少なくとも隆起部で接触する。それにより、一方の半導体レーザ素子の一面側に設けられた凸部により他方の半導体レーザ素子の一面側に与えられる応力および凸部に発生する応力が低減される。したがって、応力による第１および第２の半導体レーザ素子の特性の劣化が防止される。その結果、半導体レーザ装置の信頼性が向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とが少なくとも隆起部で接触するので、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との接触面積が大きくなる。それにより、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上し、製造歩留まりが向上する。
また、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子とを少量の接合材料で確実に接合することができる。それにより、接合材料の一部が第１または第２の半導体層の側面に回り込むことが防止される。その結果、第１および第２の半導体レーザ素子に短絡が発生することが防止され、製造歩留まりが向上する。
以下、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置について説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
以下の説明では、図１の矢印Ｘ，Ｙ，Ｚに示すように、水平面内で直交する２方向をＸ方向およびＹ方向と定義し、Ｘ方向およびＹ方向に垂直な方向をＺ方向と定義する。図１以降の図面についても上記と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
なお、Ｘ方向およびＹ方向は、後述の青紫色半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子のｐｎ接合面に平行な方向である。Ｚ方向は青紫色半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子のｐｎ接合面に垂直な方向である。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１Ａは、波長約４０５ｎｍのレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子１００および波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子２００を備える。
図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１００は、ｎ−ＧａＮ基板１０の上面側にｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２を有する。ｐ型半導体層１２には、Ｘ方向に延びるリッジ部ＲｉＢが形成されている。リッジ部ＲｉＢの両側に所定間隔を隔てて隆起部が形成されている。これにより、リッジ部ＲｉＢと隆起部との間に１対の凹部が形成されている。
ｐ型半導体層１２の上面には、リッジ部ＲｉＢの上面を除く領域に絶縁層１３が形成されている。さらに、絶縁層１３およびリッジ部ＲｉＢの上面を覆うようにｐ側パッド電極１４が形成されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１００の上面に、リッジ部ＲｉＢに対応するストライプ状の凸部Ｔ１および１対の隆起部Ｕ１，Ｕ２が形成される。また、凸部Ｔ１と１対の隆起部Ｕ１，Ｕ２との間には凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２が形成されている。ｎ−ＧａＮ基板１０の下面には、ｎ電極１５が形成されている。
赤色半導体レーザ素子２００は、ｎ−ＧａＡｓ基板２０の下面側にｎ型半導体層２１およびｐ型半導体層２２を有する。ｐ型半導体層２２には、Ｘ方向に延びるリッジ部ＲｉＲが形成されている。リッジ部ＲｉＲの両側に所定間隔を隔てて隆起部が形成されている。これにより、リッジ部ＲｉＲと隆起部との間に１対の凹部が形成されている。
ｐ型半導体層２２の下面には、リッジ部ＲｉＲの下面を除く領域に絶縁層２３が形成されている。さらに、絶縁層２３およびリッジ部ＲｉＲの下面を覆うようにｐ側パッド電極２４が形成されている。これにより、赤色半導体レーザ素子２００の下面に、リッジ部ＲｉＲに対応するストライプ状の凸部Ｔ２および１対の隆起部Ｕ３，Ｕ４が形成される。また、凸部Ｔ２と１対の隆起部Ｕ３，Ｕ４との間には凹部Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４が形成されている。ｎ−ＧａＡｓ基板２０の上面には、ｎ電極２５が形成されている。
青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２００は、凸部Ｔ１および凸部Ｔ２が互いに向かい合うように、はんだＨによって接合されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１００のｐ側パッド電極１４と赤色半導体レーザ素子２００のｐ側パッド電極２４とが電気的に接続される。
なお、青紫色半導体レーザ素子１００は赤色半導体レーザ素子２００に比べてＹ方向の幅が大きい。それにより、青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００とを接合した際に、ｐ側パッド電極１４の一部が露出する。このｐ側パッド電極１４の露出した領域には、後述するワイヤ１Ｗが接続される。
青紫色半導体レーザ素子１００のｐ側パッド電極１４とｎ電極１５との間に電圧が印加されることにより、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１２との接合面におけるリッジ部ＲｉＢの下方の領域（以下、青紫色発光点と呼ぶ。）１６から波長約４０５ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
赤色半導体レーザ素子２００のｐ側パッド電極２４とｎ電極２５との間に電圧が印加されることにより、ｎ型半導体層２１とｐ型半導体層２２との接合面におけるリッジ部ＲｉＲの上方の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ。）２６から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
図２は図１の半導体レーザ装置１Ａがサブマウント上に接合された状態を示す模式的断面図である。図１の半導体レーザ装置１Ａをパッケージ内に取り付ける場合、図２に示すように、半導体レーザ装置１ＡをＣｕ、ＣｕＷまたはＡｌ等の金属からなるサブマウント５００上に取り付ける。そして、ワイヤ１Ｗ，２Ｗ，３Ｗを用いてｐ側パッド電極１４，２４およびｎ電極１５，２５の配線を行う。
青紫色半導体レーザ素子１００のｐ側パッド電極１４は、ワイヤ１Ｗによりパッケージ内に設けられた第１の給電ピン（図示せず）に接続される。赤色半導体レーザ素子２００のｎ電極２５は、ワイヤ２Ｗによりパッケージ内に設けられた第２の給電ピン（図示せず）に接続される。
青紫色半導体レーザ素子１００のｎ電極１５の配線は、ｎ電極１５をサブマウント５００の表面に接合することにより行う。これにより、ｎ電極１５とサブマウント５００の表面とが電気的に接続される。サブマウント５００はワイヤ３Ｗによりパッケージ内に設けられた第３の給電ピン（図示せず）に接続される。
第１の給電ピンおよび第３の給電ピンを介してワイヤ１Ｗとワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１００を駆動することができ、第１の給電ピンおよび第２の給電ピンを介してワイヤ１Ｗとワイヤ２Ｗとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２００を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２００をそれぞれ独立に駆動することができる。
以下、青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２００の構造についてさらに詳細に説明する。
図３は、青紫色半導体レーザ素子１００の詳細を示す模式的断面図である。
青紫色半導体レーザ素子１００の製造時においては、上述のようにｎ−ＧａＮ基板１０上にｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２が積層された半導体層１ｔが形成される。
図３（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＮ基板１０の一面側には、半導体層１ｔとして、ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層１０４、アンドープＡｌＧａＮキャップ層１０５、アンドープＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により行われる。さらに、アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８上には、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極層１０９が形成される。
図３（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層１０４は４つのアンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａと３つのアンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２およびｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３にはＳｉがドープされている。
また、アンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａのＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。アンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂのＧａ組成は０．９０であり、Ｉｎ組成は０．１０である。ｐ−ＡｌＧａＮキャップ層１０５のＡｌ組成は０．３０であり、Ｇａ組成は０．７０である。
さらに、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７にはＭｇがドープされている。アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８のＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。
上記ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７、アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８および電極層１０９には、所定間隔を隔ててＸ方向に延びる１対のストライプ状の凹部が形成される。それにより、これら凹部間に、Ｘ方向に延びるリッジ部ＲｉＢが形成される。リッジ部ＲｉＢは約１．５μｍの幅を有する。また、１対の凹部の外側の領域にそれぞれ隆起部が形成される。
凹部内の側面および底面ならびに隆起部の上面を覆うように絶縁層１３が形成される。さらに、絶縁層１３およびリッジ部ＲｉＢの上面を覆うようにｐ側パッド電極１４が形成される。これにより、青紫色半導体レーザ素子１００の上面にリッジ部ＲｉＢに対応するストライプ状の凸部Ｔ１および１対の隆起部Ｕ１，Ｕ２が形成される。凸Ｔ１と１対の隆起部Ｕ１，Ｕ２との間には凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２が形成される。また、ｎ−ＧａＮ基板１０の他面側には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ電極１５が形成される。
リッジ部ＲｉＢ上には絶縁層１３が形成されないので、凸部Ｔ１の高さＬ１は隆起部Ｕ１，Ｕ２の高さＬ２に比べて絶縁層１３の膜厚分だけ低くなっている。
この青紫色半導体レーザ素子１００では、リッジ部ＲｉＢの下方におけるＭＱＷ活性層１０４の位置に青紫色発光点１６が形成される。
図４は、赤色半導体レーザ素子２００の詳細を示す模式的断面図である。
赤色半導体レーザ素子２００の製造時においては、上述のようにｎ−ＧａＡｓ基板２０上にｎ型半導体層２１およびｐ型半導体層２２が積層された半導体層２ｔを形成する。このｎ−ＧａＡｓ基板２０にはＳｉがドープされている。
図４（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板２０の一面側には、半導体層２ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層２０１、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層２０４、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により行われる。さらに、ｐ−コンタクト層２０９上には、Ｃｒ／Ａｕからなる電極層２１０が形成される。
図４（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層２０４は２つのアンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａと３つのアンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｎ−ＧａＡｓ層２０１およびｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２にはＳｉがドープされている。
アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
また、アンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａのＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。アンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂのＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
さらに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７のＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
ｐ−コンタクト層２０９は、ｐ−ＧａＩｎＰ層とｐ−ＧａＡｓ層との積層構造を有する。このｐ−ＧａＩｎＰのＧａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０である。
なお、上記したＡｌＧａＩｎＰ系材料の組成は、一般式（Ａｌa Ｇａb ）0.5 Ｉｎc Ｐd で表した時のａがＡｌ組成であり、ｂがＧａ組成であり、ｃがＩｎ組成であり、ｄがＰ組成である。
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９のｐ−ＧａＩｎＰおよびｐ−ＧａＡｓにはＺｎがドープされている。
上記ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８、ｐ−コンタクト層２０９および電極層２１０には、所定間隔を隔ててＸ方向に延びる１対のストライプ状の凹部が形成される。それにより、これら凹部間に、Ｘ方向に延びるリッジ部ＲｉＲが形成される。リッジ部ＲｉＲは約２．５μｍの幅を有する。また、１対の凹部の外側の領域にそれぞれ隆起部が形成される。
凹部内の側面および底面ならびに隆起部の上面を覆うように絶縁層２３が形成される。さらに、絶縁層２３およびリッジ部ＲｉＲの上面を覆うようにｐ側パッド電極２４が形成される。これにより、赤色半導体レーザ素子２００の上面にリッジ部ＲｉＲに対応するストライプ状の凸部Ｔ２および１対の隆起部Ｕ３，Ｕ４が形成される。凸Ｔ２と１対の隆起部Ｕ３，Ｕ４との間には凹部Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４が形成される。ｎ−ＧａＡｓ基板２０の他面側には、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極２５が形成される。
リッジ部ＲｉＲ上には絶縁層２３が形成されないので、凸部Ｔ２の高さＬ３は隆起部Ｕ３，Ｕ４の高さＬ４に比べて絶縁層２３の膜厚分だけ低くなっている。
この赤色半導体レーザ素子２００では、リッジ部ＲｉＲの下方におけるＭＱＷ活性層２０４の位置に赤色発光点２６が形成される。
以上のように、本実施の形態においては、凸部Ｔ１と凸部Ｔ２とが向かい合うように青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２００が接合されている。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００の青紫色発光点１６と赤色半導体レーザ素子２００の赤色発光点２６との間隔を短くすることができる。それにより、青紫色発光点１６および赤色発光点２６をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、青紫色発光点１６および赤色発光点２６から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００の凸部Ｔ１の高さＬ１は、隆起部Ｕ１，Ｕ２の高さＬ２に比べて低く、赤色半導体レーザ素子２００の凸部Ｔ２の高さＬ３は、隆起部Ｕ３，Ｕ４の高さＬ４に比べて低い。
この場合、凸部Ｔ１と凸部Ｔ２とが向かい合うように青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００とを接合しても、隆起部Ｕ１，Ｕ２と隆起部Ｕ３，Ｕ４とが接触するので凸部Ｔ１と凸部Ｔ２とが接触することを防止することができる。それにより、リッジ部ＲｉＢ，ＲｉＲに加わる応力を低減することができ、応力による特性の劣化を防止することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ａの信頼性が向上する。
また、隆起部Ｕ１，Ｕ２と隆起部Ｕ３，Ｕ４とが接触することにより青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００との接触面積が大きくなる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１００上に赤色半導体レーザ素子２００を安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ａの組立精度を向上させることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００との接触面積が大きくなることにより、少量のはんだＨで確実に青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００とを接合することができる。それにより、はんだＨの一部が青紫色半導体レーザ素子１００の側面に回り込むことを防止することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ａに短絡が発生することを防止することができる。
さらに、溶融したはんだＨの一部が、青紫色半導体レーザ素子１００のｐ側パッド電極１４上のワイヤ１Ｗが接続される部分に流れ出すことを防止することができる。それにより、ワイヤ１Ｗの接触不良を防止することができる。
また、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４がはんだＨを収容する役割を担うので、はんだＨが青紫色半導体レーザ素子１００の側面およびｐ側パッド電極１４上のワイヤ１Ｗが接続される部分に流れ出すことを確実に防止することができる。それにより、半導体レーザ装置１Ａの短絡およびワイヤ１Ｗの接触不良を確実に防止することができる。
これらの結果、半導体レーザ装置１Ａの製造歩留りを向上させることができる。
以上の結果、レーザ光の発光点間隔を短くすることができるとともに、半導体レーザ装置１Ａの信頼性および製造歩留りを向上させることができる。
なお、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４のＹ方向の幅は５μｍ以上であることが好ましい。この場合、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４にはんだＨを十分収容することができる。
また、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２下方のＭＱＷ活性層１０４の領域とリッジ部ＲｉＢの下方のＭＱＷ活性層１０４の領域との実効屈折効率差および凹部Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４下方のＭＱＷ活性層２０４の領域とリッジ部ＲｉＲの下方のＭＱＷ活性層２０４の領域との実効屈折効率差を確保することができるので、リッジ部ＲｉＢ，ＲｉＲ下方の領域への光の閉じ込め効果を確実に得ることができる。
さらに、絶縁層１３，２３およびｐ側パッド電極１４，２４を確実に形成することができる。
凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４のＹ方向の幅は１０μｍ以上であることがより好ましい。この場合、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４にはんだＨを確実に収容することができる。また、リッジ部ＲｉＢ，ＲｉＲ下方の領域への光の閉じ込め効果を向上させることができる。さらに、絶縁層１３，２３およびｐ側パッド電極１４，２４をより確実に形成することができる。
凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４のＹ方向の幅は、赤色半導体レーザ素子２００のＹ方向の幅の４分の１以下であることが好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００との接触面積を十分確保することができる。
凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４のＹ方向の幅は１５０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００との接触面積を十分大きくすることができる。
凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４のＹ方向の幅は３０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００との接触面積をさらに大きくすることができる。
また、図１〜図４においては、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４は同じ幅で図示されているが、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４の幅はそれぞれ異なっていてもよい。
また、上記実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００上に赤色半導体レーザ素子２００が接合されているが、赤色半導体レーザ素子２００上に青紫色半導体レーザ素子１００が接合されてもよい。また、赤色半導体レーザ素子２００の代わりに後述する赤外半導体レーザ素子３００を青紫色半導体レーザ素子１００上に接合してもよい。
また、上記実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２の両方に隆起部を設けているが、青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２００のどちらか一方のみに隆起部を設けてもよい。この場合、隆起部の高さを凸部Ｔ１および凸部Ｔ２の合計の高さより高くすることにより、凸部Ｔ１と凸部Ｔ２とが接触することを防止することができる。
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１Ａと異なるのは以下の点である。
図５は、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１Ｂにおいては、図５に示すように、赤色半導体レーザ素子２００ａは、ｎ型半導体層２１の下面側にｐ型半導体層２２ａを有する。ｐ型半導体層２２ａの下面側の中央部には、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部ＲｉＲ１が形成されている。
また、ｐ型半導体層２２ａのリッジ部ＲｉＲ１の下面を除く領域にリッジ部ＲｉＲ１と同じ高さで絶縁層２３ａが形成されている。さらに、リッジ部ＲｉＲ１の下面および絶縁層２３ａの下面上にｐ側パッド電極２４ａが形成されている。
赤色半導体レーザ素子２００ａのｐ側パッド電極２４ａとｎ電極２５との間に電圧が印加されることにより、ｎ型半導体層２１とｐ型半導体層２２ａとの接合面におけるリッジ部ＲｉＲ１の上方の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ）２６ａから波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
青紫色半導体レーザ素子１００および赤色半導体レーザ素子２００ａは、凸部Ｔ１およびリッジ部ＲｉＲ１が互いに向かい合うように、はんだＨによって接合されている。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００の青紫色発光点１６と赤色半導体レーザ素子２００ａの赤色発光点２６ａとの間隔を短くすることができる。それにより、青紫色発光点１６および赤色発光点２６をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、青紫色発光点１６および赤色発光点２６ａから出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００の凸部Ｔ１の高さＬ１は、隆起部Ｕ１，Ｕ２の高さＬ２に比べて低く、赤色半導体レーザ素子２００ａのｐ側パッド電極２４ａには凹凸部が形成されていない。
この場合、凸部Ｔ１とリッジ部ＲｉＲ１とが向かい合うように青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００ａとを接合しても、青紫色半導体レーザ素子１００の隆起部Ｕ１，Ｕ２が赤色半導体レーザ素子２００ａのｐ側パッド電極２４ａに接触するので、凸部Ｔ１がｐ側パッド電極２４ａに接触することが防止される。それにより、リッジ部ＲｉＢに加わる応力を低減することができ、応力による特性の劣化を防止することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ｂの信頼性が向上する。
また、隆起部Ｕ１，Ｕ２がｐ側パッド電極２４ａに接触することにより青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００ａとの接触面積が大きくなる。それにより青紫色半導体レーザ素子１００上に赤色半導体レーザ素子２００ａを安定な状態で接合することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ｂの組立精度を向上させることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００ａとの接触面積が大きくなることにより、少量のはんだＨで確実に青紫色半導体レーザ素子１００と赤色半導体レーザ素子２００ａとを接合することができる。それにより、はんだＨの一部が青紫色半導体レーザ素子１００の側面に回り込むことを防止することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ｂに短絡が発生することを防止することができる。
さらに、溶融したはんだＨの一部が、青紫色半導体レーザ素子１００のｐ側パッド電極１４上のワイヤ１Ｗが接続される部分に流れ出すことを防止することができる。それにより、ワイヤ１Ｗの接触不良を防止することができる。
また、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２がはんだＨを収容する役割を担うので、はんだＨが青紫色半導体レーザ素子１００の側面およびｐ側パッド電極１４上のワイヤ１Ｗが接続される部分に流れ出すことを防止することができる。それにより、半導体レーザ装置１Ｂの短絡およびワイヤ１Ｗの接触不良を確実に防止することができる。
これらの結果、半導体レーザ装置１Ｂの製造歩留りを向上させることができる。
以上の結果、レーザ光の発光点間隔を短くすることができるとともに、半導体レーザ装置１Ｂの信頼性および製造歩留りを向上させることができる。
なお、上記実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００に凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２を設けているが、赤色半導体レーザ素子２００ａの代わりに図１の赤色半導体レーザ素子２００を用いる場合は、青紫色半導体レーザ素子１００に凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２を設けなくてもよい。
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１Ａと異なるのは以下の点である。
図６は、第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１Ｃは、波長約４０５ｎｍのレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子１００ａ、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子２００（図１および図４参照）および波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子３００を備える。
図６に示すように、青紫色半導体レーザ素子１００ａは、図１の青紫色半導体レーザ素子１００の凹部Ｃｏｎ２より外側の部分（隆起部Ｕ２）がＹ方向に所定幅大きくなった構造を有する。
赤外半導体レーザ素子３００は、ｎ−ＧａＡｓ基板３０の下面側にｎ型半導体層３１およびｐ型半導体層３２を有する。ｐ型半導体層３２には、Ｘ方向に延びるリッジ部ＲｉＩｒが形成されている。リッジ部ＲｉＩｒの両側に所定間隔を隔てて隆起部が形成されている。これにより、リッジ部ＲｉＩｒと隆起部との間に１対の凹部が形成されている。
ｐ型半導体層３２の下面には、リッジ部ＲｉＩｒの下面を除く領域に絶縁層３３が形成されている。さらに、絶縁層３３およびリッジ部ＲｉＩｒの下面を覆うようにｐ側パッド電極３４が形成されている。これにより、赤外半導体レーザ素子３００の下面に、リッジ部ＲｉＩｒに対応するストライプ状の凸部Ｔ３および１対の隆起部Ｕ５，Ｕ６が形成される。また、凸部Ｔ３と１対の隆起部Ｕ５，Ｕ６との間には凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６が形成されている。ｎ−ＧａＡｓ基板３０の上面には、ｎ電極３５が形成されている。
青紫色半導体レーザ素子１００ａおよび赤外半導体レーザ素子３００は、凸部Ｔ１および凸部Ｔ３が互いに向かい合うように、はんだＨによって接合されている。また、赤色半導体レーザ素子２００は、隆起部Ｔ２を下側にして赤外半導体レーザ素子３００と平行に、はんだＨによって隆起部Ｕ４上に接合されている。
これにより、赤外半導体レーザ素子３００のｐ側パッド電極３４と青紫色半導体レーザ素子１００ａのｐ側パッド電極１４とが電気的に接続され、赤色半導体レーザ素子２００のｐ側パッド電極２４と青紫色半導体レーザ素子１００ａのｐ側パッド電極１４とが電気的に接続される。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ａのｐ側パッド電極１４、赤色半導体レーザ素子２００のｐ側パッド電極２４および赤外半導体レーザ素子３００のｐ側パッド電極３４が共通の電極となっている。
なお、青紫色半導体レーザ素子１００ａのＹ方向の幅は、赤色半導体レーザ素子２００のＹ方向の幅と赤外半導体レーザ素子３００のＹ方向の幅との合計の長さよりも大きい。それにより、青紫色半導体レーザ素子１００ａ上に赤色半導体レーザ素子２００と赤外半導体レーザ素子３００とを接合した際に、ｐ側パッド電極１４の一部が露出する。このｐ側パッド電極１４の露出した領域には、後述するワイヤ１Ｗが接続される。
青紫色半導体レーザ素子１００ａのｐ側パッド電極１４とｎ電極１５との間に電圧が印加されることにより、青紫色発光点１６から波長約４０５ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
赤色半導体レーザ素子２００のｐ側パッド電極２４とｎ電極２５との間に電圧が印加されることにより、赤色発光点２６から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
赤外半導体レーザ素子３００のｐ側パッド電極３４とｎ電極３５との間に電圧が印加されることにより、ｎ型半導体層３１とｐ型半導体層３２との接合面におけるリッジ部ＲｉＩｒの上方の領域（以下、赤外発光点と呼ぶ）３６から波長約７８０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
図７は図６の半導体レーザ装置１Ｃがサブマウント上に接合された状態を示す模式的断面図である。図６の半導体レーザ装置１Ｃをパッケージ内に取り付ける場合、図７に示すように、半導体レーザ装置１ＣをＣｕ，ＣｕＷまたはＡｌ等の金属からなるサブマウント５００上に取り付ける。そして、ワイヤ１Ｗ，２Ｗ，３Ｗ，４Ｗを用いてｐ側パッド電極１４，２４，３４およびｎ電極１５，２５，３５の配線を行う。
青紫色半導体レーザ素子１００のｐ側パッド電極１４は、ワイヤ１Ｗによりパッケージ内に設けられた第１の給電ピン（図示せず）に接続される。赤色半導体レーザ素子２００のｎ電極２５は、ワイヤ２Ｗによりパッケージ内に設けられた第２の給電ピン（図示せず）に接続される。また、赤外半導体レーザ素子３００のｎ電極３５はワイヤ３Ｗによりパッケージ内に設けられた第３の給電ピン（図示せず）に接続される。
青紫色半導体レーザ素子１００ａのｎ電極１５の配線は、ｎ電極１５をサブマウント５００の表面に接合することにより行う。これにより、ｎ電極１５とサブマウント５００の表面とが電気的に接続される。サブマウント５００はワイヤ４Ｗによりパッケージ内に設けられた第４の給電ピン（図示せず）に接続される。
第１の給電ピンおよび第４の給電ピンを介してワイヤ１Ｗとワイヤ４Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１００ａを駆動することができ、第１の給電ピンおよび第２の給電ピンを介してワイヤ１Ｗとワイヤ２Ｗとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２００を駆動することができ、第１の給電ピンおよび第３の給電ピンを介してワイヤ１Ｗとワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３００を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１００ａ、赤色半導体レーザ素子２００および赤外半導体レーザ素子３００をそれぞれ独立に駆動することができる。
以下、赤外半導体レーザ素子３００の構造についてさらに詳細に説明する。
図８は赤外半導体レーザ素子３００の詳細を示す模式的断面図である。
赤外半導体レーザ素子３００の製造時においては、上述のようにｎ−ＧａＡｓ基板３０上にｎ型半導体層３１およびｐ型半導体層３２が積層された半導体層３ｔが形成される。
図８（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３０の一面側には、半導体層３ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層３０１、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層３０４、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により行われる。さらに、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９上には、Ｃｒ／Ａｕからなる電極層３１０が形成される。
図８（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層３０４は２つのアンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａと３つのアンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。ｎ−ＧａＡｓ層３０１およびｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２にはＳｉがドープされている。
アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。また、アンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａのＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。アンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂのＡｌ組成は０．１０であり、Ｇａ組成は０．９０である。アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。
さらに、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０である。
ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。
ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９にはＺｎがドープされている。
上記ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９および電極層３１０には、所定間隔を隔ててＸ方向に延びる１対のストライプ状の凹部が形成される。それにより、これら凹部間に、Ｘ方向に延びるリッジ部ＲｉＩｒが形成される。リッジ部ＲｉＩｒは約２．８μｍの幅を有する。また、１対の凹部の外側の領域にそれぞれ隆起部が形成される。
凹部内の側面および底面ならびに隆起部の上面を覆うように絶縁層３３が形成される。さらに絶縁層３３およびリッジ部ＲｉＩｒの上面を覆うようにｐ側パッド電極３４が形成される。これにより、赤外半導体レーザ素子３００の上面にリッジ部ＲｉＩｒに対応するストライプ状の凸部Ｔ３および１対の隆起部Ｕ５，Ｕ６が形成される。凸部Ｔ３と１対の隆起部Ｕ５，Ｕ６との間には凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６が形成される。ｎ−ＧａＡｓ基板３０の他面側には、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極３５が形成される。
リッジ部ＲｉＩｒ上には絶縁層３３が形成されないので、凸部Ｔ３の高さＬ５は隆起部Ｕ５，Ｕ６の高さＬ６に比べて絶縁層３３の膜厚分だけ低くなっている。
この赤外半導体レーザ素子３００では、リッジ部ＲｉＩｒの下方におけるＭＱＷ活性層３０４の位置に赤外発光点３６が形成される。
以上のように、本実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００ａ、赤色半導体レーザ素子２００および赤外半導体レーザ素子３００が一体形成されているので、青紫色発光点１６、赤色発光点２６および赤外発光点３６の間隔を短くすることができる。それにより、青紫色発光点１６、赤色発光点２６および赤外発光点３６をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、青紫色発光点１６、赤色発光点２６および赤外発光点３６から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、凸部Ｔ１と凸部Ｔ３とが向かい合うように青紫色半導体レーザ素子１００ａ上に赤外半導体レーザ素子３００が接合されているので、青紫色発光点１６と赤外発光点３６との間隔をさらに短くすることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００ａの凸部Ｔ１の高さＬ１は、隆起部Ｕ１，Ｕ２の高さＬ２に比べて低く、赤外半導体レーザ素子３００の凸部Ｔ３の高さＬ５は隆起部Ｕ５，Ｕ６の高さＬ６に比べて低い。
この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤外半導体レーザ素子３００を接合する際に、隆起部Ｕ１，Ｕ２と隆起部Ｕ５，Ｕ６とが接触するので凸部Ｔ１と凸部Ｔ３とが接触することを防止することができる。
また、赤色半導体レーザ素子２００の凸部Ｔ２の高さＬ３は、隆起部Ｕ３，Ｕ４の高さＬ４に比べて低い。この場合、凸部Ｔ２を下側にして赤色半導体レーザ素子２００を青紫色半導体レーザ素子１００ａの隆起部Ｕ２上に接合しても、隆起部Ｕ３，Ｕ４と隆起部Ｕ２とが接触するので凸部Ｔ２と隆起部Ｕ２とが接触することを防止することができる。
これらの結果、リッジ部ＲｉＢ，ＲｉＲ，ＲｉＩｒに加わる応力を低減することができ、応力による特性の劣化を防止することができる。それにより、半導体レーザ装置１Ｃの信頼性が向上する。
また、隆起部Ｕ１，Ｕ２と隆起部Ｕ５，Ｕ６とが接触することにより青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤外半導体レーザ素子３００との接触面積が大きくなる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１００ａ上に赤外半導体レーザ素子３００を安定な状態で接合することができる。
また、隆起部Ｕ２と隆起部Ｕ３，Ｕ４とが接触することにより青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤色半導体レーザ素子２００との接触面積が大きくなる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１００ａ上に赤色半導体レーザ素子２００を安定な状態で接合することができる。
これらの結果、半導体レーザ装置１Ｃの組立精度を向上させることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤外半導体レーザ素子３００との接触面積が大きくなることにより、少量のはんだＨで確実に青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤外半導体レーザ素子３００とを接合することができる。それにより、はんだＨの一部が青紫色半導体レーザ素子１００の側面に回り込むことを防止することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ｃに短絡が発生することを防止することができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤色半導体レーザ素子２００との接触面積が大きくなることにより、少量のはんだＨで確実に青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤色半導体レーザ素子２００とを接合することができる。それにより、溶融したはんだＨの一部が、青紫色半導体レーザ素子１００ａのｐ側パッド電極１４上のワイヤ１Ｗが接続される部分に流れ出すことを防止することができる。それにより、ワイヤ１Ｗの接触不良を防止することができる。
また、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４，Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６がはんだＨを収容する役割を担うので、はんだＨの流出を確実に防止することができる。それにより、半導体レーザ装置１Ｃの短絡およびワイヤ１Ｗの接触不良を確実に防止することができる。
これらの結果、半導体レーザ装置１Ｃの製造歩留まりを向上させることができる。
以上の結果、レーザ光の発光点間隔を短くすることができるとともに、半導体レーザ装置１Ｃの信頼性および製造歩留りを向上させることができる。
なお、凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６のＹ方向の幅は５μｍ以上であることが好ましい。この場合、凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６にはんだＨを十分収容することができる。
また、凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６下方のＭＱＷ活性層３０４の領域とリッジ部ＲｉＩｒの下方のＭＱＷ活性層３０４の領域との実効屈折効率差を確保することができるので、リッジ部ＲｉＩｒ下方の領域への光の閉じ込め効果を確実に得ることができる。
さらに、絶縁層３３およびｐ側パッド電極３４を確実に形成することができる。
凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６のＹ方向の幅は１０μｍ以上であることがより好ましい。この場合、凹部Ｃｏｎ５、Ｃｏｎ６にはんだＨを確実に収容することができる。また、リッジ部ＲｉＩｒ下方の領域への光の閉じ込め効果を向上させることができる。さらに、絶縁層３３およびｐ側パッド電極３４をより確実に形成することができる。
凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６のＹ方向の幅は、赤外半導体レーザ素子３００のＹ方向の幅の４分の１以下であることが好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤外半導体レーザ素子３００との接触面積を十分確保することができる。
凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６のＹ方向の幅は１５０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤外半導体レーザ素子３００との接触面積を十分大きくすることができる。
凹部Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６のＹ方向の幅は３０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ａと赤外半導体レーザ素子３００との接触面積をさらに大きくすることができる。
また、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４、Ｃｏｎ５、Ｃｏｎ６の幅はそれぞれ異なっていてもよい。
また、上記実施の形態においては、青紫色発光点１６上に赤外半導体レーザ素子３００が接合されているが、赤色半導体レーザ素子２００および赤外半導体レーザ素子３００の位置を入れ替えてもよい。
また、上記実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００ａおよび赤外半導体レーザ素子３００の両方に隆起部を設けているが、青紫色半導体レーザ素子１００および赤外半導体レーザ素子３００のどちらか一方のみに隆起部を設けてもよい。この場合、隆起部の高さを凸部Ｔ１および凸部Ｔ２の合計の高さより高くすることにより、凸部Ｔ１と凸部Ｔ２とが接触することを防止することができる。
（第４の実施の形態）
図９は、第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
図９に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１Ｄにおいては、青紫色半導体レーザ素子１００ｂ上に赤色半導体レーザ素子２００ａおよび赤外半導体レーザ素子３００ａが一体的に形成されたモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００が接合されている。
以下、青紫色半導体レーザ素子１００ｂおよびモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００について説明する。
青紫色半導体レーザ素子１００ｂは、図６の青紫色半導体レーザ素子１００ａと同様のｎ電極１５、ｎ−ＧａＮ基板１０、ｎ型半導体層１１、ｐ型半導体層１２、絶縁層１３を有する。
絶縁層１３上の一端側の所定幅の領域にｐ側パッド電極１４ａが形成されている。また、ｐ側パッド電極１４ａ上の所定幅の領域に絶縁層１７およびｐ側パッド電極１８が形成されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１００ｂの一端側の上面に、リッジ部ＲｉＢに対応するストライプ状の凸部Ｔ４および１対の隆起部Ｕ７，Ｕ８が形成されている。また、凸部Ｔ４と１対の隆起部Ｕ７，Ｕ８との間には凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８が形成されている。
なお、リッジ部ＲｉＢの上面には絶縁層１３が形成されていないので、凸部Ｔ４の高さは隆起部Ｕ７，Ｕ８の高さに比べて絶縁層１３の膜厚分だけ低くなっている。また、ｐ側パッド電極１４ａ，１８の一端側の所定幅の領域は露出している。
絶縁層１３の他端側の所定幅の領域には、ｐ側パッド電極１４ｂが形成されている。なお、ｐ側パッド電極１８の上面の高さおよびｐ側パッド電極１４ｂの上面の高さはほぼ等しい。
モノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００ｂは、ｎ電極２３５およびｎ−ＧａＡｓ基板２３０を有し、ｎ−ＧａＡｓ基板２３０の一端側に赤外半導体レーザ素子３００ａが形成され、ｎ−ＧａＡｓ基板２３０の他端側に赤色半導体レーザ素子２００ａが形成されている。
ｎ−ＧａＡｓ基板２３０の一端側の下面側の所定幅の領域には、図６と同様のｎ型半導体層３１が形成され、ｎ型半導体層３１の下面側にはｐ型半導体層３２ａが形成されている。
ｐ型半導体層３２ａの下面側の中央部には、図６と同様のリッジ部ＲｉＩｒが形成されている。リッジ部ＲｉＩｒの一方側には、所定間隔を隔てて隆起部が形成されている。これにより、リッジ部ＲｉＩｒと隆起部との間に図６と同様の凹部が形成されている。なお、リッジ部ＲｉＩｒの他方側には、凹部および隆起部は形成されていない。
ｎ−ＧａＡｓ基板２３０の他端側の下面側の所定幅の領域には、図６と同様のｎ型半導体層２１が形成され、ｎ型半導体層２１の下面側にはｐ型半導体層２２ａが形成されている。
ｐ型半導体層２２ａの下面側の中央部には、図６と同様のリッジ部ＲｉＲが形成されている。リッジ部ＲｉＲの一方側には、所定間隔を隔てて隆起部が形成されている。これにより、リッジ部ＲｉＲと隆起部との間に図６と同様の凹部が形成されている。なお、リッジ部ＲｉＲの他方側（赤外半導体レーザ素子３００ａ側）には、凹部および隆起部は形成されていない。
ｎ型半導体層３１とｐ型半導体層３２ａとの接合面におけるリッジ部ＲｉＩｒの上側の領域には、図６と同様の赤外発光点３６が形成され、ｎ型半導体層２１とｐ型半導体層２２ａとの接合面におけるリッジ部ＲｉＲの上側の領域には、図１と同様の赤色発光点２６が形成されている。
ｎ型半導体層３１およびｐ型半導体層３２ａとｎ型半導体層２１およびｐ型半導体層２２ａとの間に形成された凹部内の側面および底面、ｐ型半導体層３２ａの下面側のリッジ部ＲｉＩｒの下面を除く領域およびｐ型半導体層２２ａの下面側のリッジ部ＲｉＲの下面を除く領域を覆うように絶縁層２３３が形成されている。さらに、絶縁層２３３の一端側の所定幅の領域にｐ側パッド電極３４ａが形成され、絶縁層２３３の他端側の所定幅の領域にｐ側パッド電極２４ａが形成されている。
これにより、赤外半導体レーザ素子３００ａの下面に、図６と同様の凸部Ｔ３および隆起部Ｕ５が形成され、赤色半導体レーザ素子２００ａの下面に、図６と同様の凸部Ｔ２および隆起部Ｕ４が形成されている。また、凸部Ｔ３と隆起部Ｕ５との間には、図６と同様の凹部Ｃｏｎ５が形成され、凸部Ｔ２と隆起部Ｕ４との間には、図６と同様の凹部Ｃｏｎ４が形成されている。
青紫色半導体レーザ素子１００ｂおよびモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００は、凸部Ｔ４および凸部Ｔ３が互いに向かい合いかつ凸部Ｔ２がｐ側パッド電極１４ｂ上に位置するようにはんだＨによって接合される。
これにより、赤外半導体レーザ素子３００ａのｐ側パッド電極３４ａと青紫色半導体レーザ素子１００ｂのｐ側パッド電極１８とが電気的に接続され、赤色半導体レーザ素子２００ａのｐ側パッド電極２４ａと青紫色半導体レーザ素子１００ｂのｐ側パッド電極１４ｂとが電気的に接続される。
図１０は図９の半導体レーザ装置１Ｄがサブマウント上に接合された状態を示す模式的断面図である。図９の半導体レーザ装置１Ｄをパッケージ内に取り付ける場合、図１０に示すように、半導体レーザ装置１ＤをＣｕ，ＣｕＷまたはＡｌ等の金属からなるサブマウント５００上に取り付ける。そして、ワイヤ１Ｗ，２Ｗ，３Ｗ，４Ｗ，５Ｗを用いて、ｐ側パッド電極１４ａ，１４ｂ，２４ａ，１８，３４ａおよびｎ電極１５，２３５の配線を行う。
青紫色半導体レーザ素子１００ｂのｐ側パッド電極１４ｂは、ワイヤ１Ｗによりパッケージ内に設けられた第１の給電ピン（図示せず）に接続される。赤色半導体レーザ素子２００ａのｎ電極２３５は、ワイヤ２Ｗによりパッケージ内に設けられた第２の給電ピン（図示せず）に接続される。
青紫色半導体レーザ素子１００ｂのｎ電極１５の配線は、ｎ電極１５をサブマウント５００の表面に接合することにより行う。これにより、ｎ電極１５，２３５およびサブマウント５００とが電気的に接続される。サブマウント５００は、ワイヤ３Ｗによりパッケージ内に設けられた第３の給電ピン（図示せず）に接続される。
青紫色半導体レーザ素子１００ｂのｐ側パッド電極１４ａは、ワイヤ４Ｗによりパッケージ内に設けられた第４の給電ピン（図示せず）に接続される。青紫色半導体レーザ素子１００ｂのｐ側パッド電極１８は、ワイヤ５Ｗによりパッケージ内に設けられた第５の給電ピン（図示せず）に接続される。
第１の給電ピンおよび第３の給電ピンを介してワイヤ１Ｗとワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２００ａを駆動することができ、第４の給電ピンおよび第３の給電ピンを介してワイヤ４Ｗとワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１００ｂを駆動することができ、第５の給電ピンおよび第３の給電ピンを介してワイヤ５Ｗとワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３００ａを駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１００ｂ、赤色半導体レーザ素子２００ａおよび赤外半導体レーザ素子３００ａをそれぞれ独立に駆動することができる。
上述したように、本実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００ｂおよびモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００が一体形成されているので、青紫色発光点１６、赤色発光点２６および赤外発光点３６の間隔を短くすることができる。それにより、青紫色発光点１６、赤色発光点２６および赤外発光点３６をともにパッケージの中心に近づけることができる。その結果、青紫色発光点１６、赤色発光点２６および赤外発光点３６から出射されるレーザ光に対して共通の光学系を用いることができる。
また、凸部Ｔ１と凸部Ｔ３とが向かい合うように青紫色半導体レーザ素子１００ａ上に赤外半導体レーザ素子３００が接合されているので、青紫色発光点１６と赤外発光点３６との間隔をさらに短くすることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００ｂの凸部Ｔ４の高さは隆起部Ｕ７の高さより低く、赤外半導体レーザ素子３００ａの凸部Ｔ３の高さは隆起部Ｕ５の高さより低い。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ｂとモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００とを接合する際に、隆起部Ｕ７と隆起部Ｕ５とが接触するので凸部Ｔ４と凸部Ｔ３とが接触することを防止することができる。
また、赤色半導体レーザ素子２００ａの凸部Ｔ２の高さは隆起部Ｕ４の高さより低い。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ｂとモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００とを接合する際に、ｐ側パッド電極１４ｂと隆起部Ｕ４とが接触するので、凸部Ｔ２がｐ側パッド電極１４ｂに接触することを防止することができる。
これらの結果、リッジ部ＲｉＢ，ＲｉＩｒ，ＲｉＲに加わる応力を低減することができ、応力による特性の劣化を防止することができる。それにより、半導体レーザ装置１Ｄの信頼性が向上する。
また、モノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００は、隆起部Ｕ４および隆起部Ｕ５によって支持されるので、青紫色半導体レーザ素子１００ｂ上にモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００を安定な状態で接合することができる。
これらの結果、半導体レーザ装置１Ｄの組立精度を向上させることができる。
また、青紫色半導体レーザ素子１００ｂとモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００との接合面積が大きくなることにより、少量のはんだＨで確実に青紫色半導体レーザ素子１００ｂとモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００とを接合することができる。それにより、はんだＨの一部が青紫色半導体レーザ素子１００ｂの側面に回り込むことを防止できるとともに、溶融したはんだＨの一部が、ｐ側パッド電極１４ｂ上のワイヤ１Ｗが接続される部分に流れ出すことを防止することができる。その結果、半導体レーザ装置１Ｄの短絡およびワイヤ１Ｗの接続不良を防止することができる。
また、凹部Ｃｏｎ４，Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８がはんだＨを収容する役割を担うので、はんだＨの流出を確実に防止することができる。それにより、半導体レーザ装置１Ｄの短絡およびワイヤ１Ｗの接触不良を確実に防止することができる。
これらの結果、半導体レーザ装置１Ｃの製造歩留まりを向上させることができる。
以上の結果、レーザ光の発光点間隔を短くすることができるとともに、半導体レーザ装置１Ｄの信頼性および製造歩留りを向上させることができる。
なお、凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８のＹ方向の幅は５μｍ以上であることが好ましい。この場合、凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８にはんだＨを十分収容することができる。
また、凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８下方のＭＱＷ活性層１０４の領域とリッジ部ＲｉＢの下方のＭＱＷ活性層１０４の領域との実効屈折効率差を確保することができるので、リッジ部ＲｉＢ下方の領域への光の閉じ込め効果を確実に得ることができる。
さらに、絶縁層１３，１７およびｐ側パッド電極１４ａ，１８を確実に形成することができる。
凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８のＹ方向の幅は１０μｍ以上であることがより好ましい。この場合、凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８にはんだＨを確実に収容することができる。また、リッジ部ＲｉＢ下方の領域への光の閉じ込め効果を向上させることができる。さらに、絶縁層１３，１７およびｐ側パッド電極１４ａ，１８をより確実に形成することができる。
凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８のＹ方向の幅は、赤外半導体レーザ素子３００ａのＹ方向の幅の４分の１以下であることが好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ｂと赤外半導体レーザ素子３００ａとの接触面積を十分確保することができる。
凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８のＹ方向の幅は１５０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ｂと赤外半導体レーザ素子３００ａとの接触面積を十分大きくすることができる。
凹部Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８のＹ方向の幅は３０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ｂと赤外半導体レーザ素子３００ａとの接触面積をさらに大きくすることができる。
また、凹部Ｃｏｎ４，Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８の幅はそれぞれ異なっていてもよい。
また、上記実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００およびモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００の両方に隆起部を設けているが、青紫色半導体レーザ素子１００ｂには隆起部を設けなくてもよい。この場合、隆起部Ｕ４，Ｕ５の高さを凸部Ｔ３および凸部Ｔ４の合計の高さよりも高くすることにより凸部Ｔ３と凸部Ｔ４とが接触することを防止することができる。
また、赤外半導体レーザ素子３００ａの隆起部Ｕ５を設けなくてもよい。この場合、隆起部Ｕ７の高さを凸部Ｔ３および凸部Ｔ４の高さよりも高くすることにより凸部Ｔ３と凸部Ｔ４とが接触することを防止することができる。
また、赤色半導体レーザ素子２００ａの隆起部Ｕ４を設けなくてもよい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１００ｂ上の赤色半導体レーザ素子２００ａ下の領域で、凸部Ｔ２の少なくとも一方側に凸部Ｔ２の高さより高い隆起部を形成すればよい。それにより、凸部Ｔ２がｐ側パッド電極１４ｂに接触することを防止することができる。
また、上記実施の形態においては、リッジ部ＲｉＲおよびリッジ部ＲｉＩｒの一方側にのみ凹部および隆起部を形成しているが、両側に形成してもよい。
なお、第１〜第４の実施の形態において、青紫色半導体レーザ素子１００，１００ａ，１００ｂのｎ−ＧａＮ基板１０はｎ−ＧａＮウェハであり、赤色半導体レーザ素子２００，２００ａおよび赤外半導体レーザ素子３００，３００ａのｎ−ＧａＡｓ基板２０，３０，２３０はｎ−ＧａＡｓウェハである。
青紫色半導体レーザ素子１００，１００ａは、ｎ−ＧａＮウェハ上に半導体層１ｔを形成し、複数の青紫色半導体レーザ素子１００のチップに分割することにより作製されている。
赤外半導体レーザ素子２００は、ｎ−ＧａＡｓウェハ上に半導体層２ｔを形成し、複数の赤外半導体レーザ素子２００のチップに分割することにより作製されている。
赤色半導体レーザ素子３００は、ｎ−ＧａＡｓウェハ上に半導体層３ｔを形成し、複数の赤色半導体レーザ素子３００のチップに分割することにより作製されている。
さらに、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００は、ｎ−ＧａＡｓウェハ上に半導体層２ｔ，３ｔを形成し、複数のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００のチップに分割することにより作製されている。
そこで、半導体レーザ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは、各半導体層の形成されたｎ−ＧａＮウェハとｎ−ＧａＡｓウェハとを接合し、その積層体を分割することにより複数の半導体レーザ装置を作製することができる。
しかしながら、予め青紫色半導体レーザ素子１００，１００ａ，１００ｂのチップ、赤色半導体レーザ素子２００，２００ａのチップ、赤外半導体レーザ素子３００のチップおよびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３００のチップを個別に作製し、それらのチップを互いに貼り合わせることにより半導体レーザ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを作製してもよい。
（特許請求の範囲との対応関係）
上記実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１００，１００ａ，１００ｂが第１の半導体レーザ素子に相当し、赤色半導体レーザ素子２００，２００ａが第２または第３の半導体レーザ素子に相当し、赤外半導体レーザ素子３００が第２の半導体レーザ素子に相当し、ｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２が第１の半導体層に相当し、ｎ型半導体層２１およびｐ型半導体層２２が第２または第３の半導体層に相当し、ｎ型半導体層３１およびｐ型半導体層３２が第２の半導体層に相当する。
また、上記実施の形態においては、青紫色発光点１６が第１の発光点に相当し、赤色発光点２６が第２または第３の発光点に相当し、赤外発光点３６が第２の発光点に相当し、ストライプ状の凸部Ｔ１，Ｔ３，Ｔ４が第１の凸部に相当し、ストライプ状の凸部Ｔ２が第２または第３の凸部に相当し、隆起部Ｕ１〜Ｕ８が第１の隆起部に相当し、隆起部Ｕ３，Ｕ４が第２の隆起部に相当する。
さらに、上記実施の形態においては、ＭＱＷ活性層１０４が第１の活性層に相当し、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７が第１のクラッド層に相当し、リッジ部ＲｉＢが第１のリッジ部に相当し、ＭＱＷ活性層２０４が第２の活性層に相当し、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８が第２のクラッド層に相当し、リッジ部ＲｉＲが第２のリッジ部に相当し、絶縁層１３，２３，３３が電流ブロック層に相当する。
（他の実施の形態）
上記実施の形態においてはｐ型半導体層１２，２２，２２ａ，３２，３２ａに凹部を形成することにより凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４，Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６，Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８を形成しているが、絶縁層１３，２３，２３ａ，３３，３３ａに凹部を形成することにより凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４，Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６，Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８を形成してもよく、ｐ側パッド電極１４，２４，２４ａ，３３，３３ａに直接凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２，Ｃｏｎ３，Ｃｏｎ４，Ｃｏｎ５，Ｃｏｎ６，Ｃｏｎ７，Ｃｏｎ８を形成してもよい。
例えば、青紫色半導体レーザ素子１００においては、図１１（ａ）に示すように、ｐ型半導体層１２に凹部を形成せずに、絶縁層１３に凹部を形成することにより、凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２を形成してもよい。また、図１１（ｂ）に示すように、ｐ型半導体層１２および絶縁層１３に凹部を形成せずに、ｐ側パッド電極１４に直接凹部Ｃｏｎ１，Ｃｏｎ２を直接形成してもよい。
また、上記実施の形態においては、電流ブロック層として絶縁層を用いているが、半導体からなる電流ブロック層を用いてもよい。
また、上記第１〜第３の実施の形態においては、凸部の両側に隆起部を設けているが、隆起部の面積が十分に大きい場合には、凸部の一方側にのみ隆起部を設けてもよい。
本発明は、複数種類の光学記録媒体の記録および再生を行うことが可能な光学記録媒体駆動装置およびその製造に有効に利用できる。
第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 図１の半導体レーザ装置がサブマウント上に接合された状態を示す模式的断面図である。 青紫色半導体レーザ素子の詳細を示す模式的断面図である。 赤色半導体レーザ素子の詳細を示す模式的断面図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 図６の半導体レーザ装置がサブマウント上に接合された状態を示す模式的断面図である。 赤外半導体レーザ素子の詳細を示す模式的断面図である。 第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 図９の半導体レーザ装置がサブマウント上に接合された状態を示す模式的断面図である。 凹部の形成方法の他の例を示すための図である。 従来の半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 従来の半導体レーザ装置の問題点の一例を示す図である。 従来の半導体レーザ装置の問題点の一例を示す図である。 従来の半導体レーザ装置の問題点の一例を示す図である。
符号の説明
１ｔ，２ｔ，３ｔ 半導体層
１Ａ〜１Ｄ 半導体レーザ装置
１０ ｎ−ＧａＮ基板
１１ ｎ型半導体層
１２ ｐ型半導体層
１３ 絶縁層
１４ ｐ側パッド電極
１５ ｎ電極
１６ 青紫色発光点
２０ ｎ−ＧａＡｓ基板
２１ ｎ型半導体層
２２ ｐ型半導体層
２３ 絶縁層
２４ ｐ側パッド電極
２５ ｎ電極
２６ 赤色発光点
３１ ｎ型半導体層
３２ ｐ型半導体層
３３ 絶縁層
３４ ｐ側パッド電極
３５ ｎ電極
３６ 赤外発光点
１００，１００ａ，１００ｂ 青紫色半導体レーザ素子
２００，２００ａ 赤色半導体レーザ素子
３００，３００ａ 赤外半導体レーザ素子
Ｃｏｎ１〜Ｃｏｎ６ 凹部
Ｈ はんだ
ＲｉＢ，Ｒｉｒ，ＲｉＩｒ リッジ部
Ｔ１〜Ｔ４ 凸部
Ｕ１〜Ｕ８ 隆起部

Claims (15)

  1. 第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備えた第１の半導体レーザ素子と、
    第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備えた第２の半導体レーザ素子とを備え、
    前記第１の半導体層の一面側および前記第２の半導体層の一面側が互いに接合され、
    前記第１の半導体層の前記一面側および前記第２の半導体層の前記一面側の一方または両方にストライプ状の凸部が設けられ、
    前記第１の半導体層の前記一面側および前記第２の半導体層の前記一面側の一方または両方において前記凸部に間隔を隔てて隆起部が設けられ、
    前記隆起部の高さが前記凸部の高さ以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 前記隆起部は、前記凸部の両側に間隔を隔てて設けられることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記凸部は、前記第１の半導体層の前記一面側に設けられた第１の凸部と、前記第２の半導体層の前記一面側に設けられた第２の凸部を含み、
    前記隆起部は、前記第１の半導体層の前記一面側において前記第１の凸部に間隔を隔てて設けられた第１の隆起部と、前記第２の半導体層の前記一面側において前記第２の凸部に間隔を隔てて設けられた第２の隆起部を含み、
    前記第１および第２の隆起部の合計の高さが前記第１および第２の凸部の合計の高さ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記第１の凸部および前記第１の発光点は、前記第１の半導体層の前記一面に略垂直な方向に沿って位置し、前記第２の凸部および前記第２の発光点は、前記第２の半導体層の前記一面に略垂直な方向に沿って位置し、前記第１の凸部と前記第２の凸部とが対向するように前記第１および第２の半導体レーザ素子が配置されたことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記第１の半導体レーザ素子は、第１の活性層および第１のクラッド層を順に含み、前記第１のクラッド層は、第１の平坦部およびその平坦部上の第１のリッジ部からなり、前記第１の凸部は前記第１のリッジ部を覆うように形成され、
    前記第２の半導体レーザ素子は、第２の活性層および第２のクラッド層を順に含み、前記第２のクラッド層は、第２の平坦部およびその平坦部上の第２のリッジ部からなり、前記第２の凸部は前記第２のリッジ部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置。
  6. 前記第１の隆起部は、前記第１の凸部の両側に間隔を隔てて設けられ、
    前記第２の隆起部は、前記第２の凸部の両側に間隔を隔てて設けられることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  7. 前記凸部は、前記第１の半導体層の前記一面側に設けられ、
    前記隆起部は、前記第１の半導体層の前記一面側において前記凸部に間隔を隔てて設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
  8. 前記凸部、前記第１の発光点および前記第２の発光点は、前記第１の半導体層の前記一面に略垂直な方向に沿って位置することを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置。
  9. 前記第１の半導体レーザ素子は、第１の活性層および第１のクラッド層を順に含み、前記第１のクラッド層は、平坦部およびその平坦部上のリッジ部からなり、前記凸部は前記リッジ部を覆うように形成され、
    前記第２の半導体レーザ素子は、第２の活性層、第２のクラッド層、およびストライプ状開口部を有する電流ブロック層を順に含むことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置。
  10. 前記隆起部は、前記凸部の両側に間隔を隔てて設けられることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  11. 第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備えた第１の半導体レーザ素子と、
    第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備えた第２の半導体レーザ素子と、
    第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を備えた第３の半導体レーザ素子とを備え、
    前記第１の半導体層の一面側の第１の領域に前記第２の半導体層の一面側が接合されるとともに、前記第１の半導体層の前記一面側の第２の領域に前記第３の半導体層の一面側が接合され、
    前記第１の領域および前記第２の半導体層の前記一面側の一方または両方にストライプ状の第１の凸部が設けられ、
    前記第１の領域および前記第２の半導体層の前記一面側の一方または両方において前記第１の凸部に間隔を隔てて第１の隆起部が設けられ、
    前記第２の領域および前記第３の半導体層の前記一面側の一方または両方にストライプ状の第２の凸部が設けられ、
    前記第２の領域および前記第３の半導体層の前記一面側の一方または両方において前記第２の凸部に間隔を隔てて第２の隆起部が設けられ、
    前記第１の隆起部の高さが前記第１の凸部の高さ以上であり、前記第２の隆起部の高さが前記第２の凸部の高さ以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  12. 前記第１の隆起部は、前記第１の凸部の両側に間隔を隔てて設けられ、
    前記第２の隆起部は、前記第２の凸部の両側に間隔を隔てて設けられることを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザ装置。
  13. 第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備えた第１の半導体レーザ素子と、
    第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備えた第２の半導体レーザ素子と、
    第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を備えた第３の半導体レーザ素子とを備え、
    前記第２および第３の半導体レーザ素子は共通の基板上に形成され、
    前記第１の半導体層の一面側の第１の領域に前記第２の半導体層の一面側が接合されるとともに、前記第１の半導体層の前記一面側の第２の領域に前記第３の半導体層の一面側が接合され、
    前記第１の領域および前記第２の半導体層の前記一面側の一方または両方にストライプ状の第１の凸部が設けられ、
    前記第１の領域および前記第２の半導体層の前記一面側の一方または両方において前記第１の凸部の少なくとも一方側に間隔を隔てて第１の隆起部が設けられ、
    前記第２の領域および前記第３の半導体層の前記一面側の一方または両方に第２の隆起部が設けられ、
    前記第１および第２の隆起部の高さが前記第１の凸部の高さ以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  14. 前記第３の半導体層の前記一面側にストライプ状の第２の凸部が設けられ、
    前記第２の領域および前記第３の半導体層の前記一面側の一方または両方において前記第２の凸部の少なくとも一方側に間隔を隔てて第２の隆起部が設けられ、
    前記第２の隆起部の高さが前記第２の凸部の高さ以上であることを特徴とする請求項１３記載の半導体レーザ装置。
  15. 前記間隔は、５μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
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