JP5182537B2 - 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 - Google Patents

半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置 Download PDF

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Description

本発明は、複数の発光素子を備えた半導体発光素子、ならびにそれを備えた光ピックアップ装置および情報記録再生装置に関する。
近年、半導体レーザ素子（ＬＤ；laser diode ）の分野では、同一基板（または基体）上に発光波長が異なる複数の発光素子部を有する多波長レーザ素子の開発が活発に行われている。この多波長レーザ素子は、例えば光ディスク装置の光源として用いられる。
このような光ディスク装置では、７００ｎｍ帯のレーザ光がＣＤ（Compact Disk）の再生に用いられると共に、ＣＤ−Ｒ（CD Recordable ），ＣＤ−ＲＷ（CD Rewritable ）あるいはＭＤ（Mini Disk ）などの記録可能な光ディスクの記録・再生に用いられる。また、６００ｎｍ帯のレーザ光がＤＶＤ（Digital Versatile Disk）の記録・再生に用いられている。多波長レーザ素子を光ディスク装置に搭載することにより、既存の複数種類の光ディスクのいずれに関しても、記録または再生が可能となる。更に、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶およびＧａＩｎＮ混晶に代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた短波長（４００ｎｍ帯）のレーザ素子も実現され、より高密度の光ディスクの光源として実用化が図られている。この短波長レーザ素子も含めて多波長化することにより、より用途を拡げることができる。
このようなＧａＮ系の発光素子部を有する３波長レーザ素子として、従来、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる基板の上にＧａＮ系半導体を成長させて４００ｎｍ帯（例えば、４０５ｎｍ）の波長の第１の発光素子を作製する一方、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）からなる同一基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体の成長による６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の発光素子部を有する素子、およびＡｌＧａＡｓ系半導体の成長による７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）の発光素子部を有する素子を並設して第２の発光素子を作製し、これら第１の発光素子および第２の発光素子を支持基体（ヒートシンク）上にこの順に重ねて配設した構造のものが提案されている（特許文献１）。
特許３４８６９００号公報
ところで、上記のような３波長レーザ素子の各発光素子部を互いに独立に駆動させるためには、各発光素子部に別個に電流を注入するための電極や、ワイヤをボンディングするための接続パッドを発光素子部ごとに設けておくことが必要となる。しかし、従来のように、ただ漫然と各接続パッドを配置したのでは、３波長レーザ素子が大型化してしまうという問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、接続パッドの配置を工夫することにより小型化した半導体発光素子ならびにそれを備えた光ピックアップ装置および情報記録再生装置を提供することにある。
本発明の半導体発光素子は、第１の発光素子および第２の発光素子を重ね合わせて形成された半導体発光素子である。第１の発光素子は、第１基板の第２の発光素子側に形成されたストライプ状の第１発光素子部と、第１発光素子部に電流を供給するストライプ状の第１電極とを有している。また、第２の発光素子は、第１電極と電気的に接続された第１接続パッドと、第１接続パッド上に形成されたバンプと、第１電極の表面を含む面上に形成された絶縁膜とを有している。第２の発光素子は、第２基板の第１の発光素子側に互いに並列に形成されると共に、いずれか一方が第１発光素子部と対向配置されたストライプ状の第２発光素子部および第３発光素子部と、第２発光素子部および第３発光素子部に別個に電流を供給するストライプ状の第２電極および第３電極と、バンプと対向配置され、かつバンプと電気的に接続された第１対向電極と、第１対向電極と電気的に接続された第２接続パッドと、第２電極および第３電極の各々と一つずつ電気的に接続された第３接続パッドおよび第４接続パッドとを有している。ここで、第２接続パッド、第３接続パッドおよび第４接続パッドは、第２の発光素子の第１の発光素子側にそれぞれ配置されている。
本発明の光ピックアップ装置は、光源と、記録媒体の載置される領域と光源との間に設けられた光学系とを備えたものであり、光源は、上記の半導体発光素子を有している。本発明の情報記録再生装置は、上記の光ピックアップ装置と、入力された情報を上記の光ピックアップ装置に送信し、または記録媒体に書き込まれた情報を上記の光ピックアップ装置から受信する情報処理部とを備えたものである。
本発明の半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置では、各発光素子部（第１発光素子部，第２発光素子部，第３発光素子部）に別個に電流を供給する電極（第１電極，第２電極，第３電極）に１つずつ電気的に接続された接続パッド（第２接続パッド，第３接続パッド，第４接続パッド）が、第２の発光素子の表面に全て形成されている。
本発明の半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置によれば、接続パッド（第２接続パッド，第３接続パッド，第４接続パッド）を第２の発光素子の表面に全て形成するようにしたので、第２接続パッド，第３接続パッド，第４接続パッドのレイアウトによって発生する未利用のスペースを最小限に抑えることができる。このように、これらのレイアウトを工夫することにより、半導体発光素子の小型化を実現することができる。
第１の参考例に係る半導体発光装置の上面構成図である。 図１の半導体発光装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成図である。 図１の半導体発光装置のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成図である。 図１の半導体発光装置のＣ−Ｃ矢視方向の断面構成図である。 図２の半導体発光装置のＤ−Ｄ矢視方向の断面構成図である。 第２基板内の欠陥領域について説明するための断面構成図である。 図６の第２基板を切り出す前の大型のＧａＮ基板の一例について説明するための平面構成図である。 図７のＧａＮ基板の他の例について説明するための平面構成図である。 イオン注入における加速電圧とＴＬＭ値との関係を説明するための関係図である。 図１の第２の発光素子の端面コーティングについて説明するための断面図である。 第２の参考例に係る半導体発光装置のＤ−Ｄ矢視方向に対応する断面の構成図である。 図１１の半導体発光装置の第１の変形例の断面構成図である。 図１１の半導体発光装置の第２の変形例の断面構成図である。 図１１の半導体発光装置の第３の変形例の断面構成図である。 図１１の半導体発光装置の第４の変形例の断面構成図である。 図１の半導体発光装置の一変形例の断面構成図である。 図１１の半導体発光装置の一変形例の断面構成図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置の上面構成図である。 図１８の半導体発光装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成図である。 図１９の半導体発光装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成図である。 半導体発光装置を搭載した情報記録再生装置の概略構成図である。
以下、参考例と、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
[第１の参考例]
図１は第１の参考例に係る半導体レーザ装置の上面構成を表したものである。図２は図１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を、図３は図１のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成を、図４は図１のＣ−Ｃ矢視方向の断面構成を、図５は図２のＤ−Ｄ矢視方向の断面構成をそれぞれ表したものである。この半導体レーザ装置は、図２に示したように、半導体レーザ素子１を支持部材としてのサブマウント１０上に接合すると共に、サブマウント１０の裏面に放熱部材としてのヒートシンク１１を接合して構成したものである。なお、図１〜図５は模式的に表したものであり、実際の寸法，形状とは異なっている。
この半導体レーザ素子１は、図２に示したように、サブマウント１０上にチップ状の第２の発光素子３０および第１の発光素子２０をこの順に重ね合わせて構成されている。ここで、第１の発光素子２０はＤＶＤ用の６００ｎｍ帯（例えば６５０ｎｍ）の光を積層面内方向に向けて射出可能な第１素子２０Ａと、ＣＤ用の７００ｎｍ帯（例えば７８０ｎｍ）の光を積層面内方向に向けて射出可能な第２素子２０Ｂとにより構成されている。他方、第２の発光素子３０は４００ｎｍ前後の波長（例えば４０５ｎｍ）の光を第１の発光素子２０の光射出方向と等しい方向に向けて射出可能な素子である。したがって、この半導体レーザ素子１は３波長レーザ素子としての機能を有する。
また、この半導体レーザ素子１では、第１素子２０Ｂの発光点２３Ａ−１（後述）が第２の発光素子３０の発光点３３−１（後述）と極力近づくように、第１の発光素子２０を逆さにして（基板側を上にして）、第１の発光素子２０と第２の発光素子３０とが重ね合わされている。これは、第１の発光素子２０および第２の発光素子３０から発光する光が同一光路を通過し共通のレンズ系（図示せず）を適用できるようにするためである。なお、第１の発光素子２０と第２の発光素子３０との重ね合わせ方はこれに限られるものではなく、例えば、第１の発光素子２０の発光点２３Ｂ−１（後述）と第２の発光素子３０の発光点３３−１とが互いに近接するように第１の発光素子２０および第２の発光素子３０を重ね合わせたり、第１の発光素子２０の発光点２３Ａ−１および発光点２３Ｂ−１の中間部分と第２の発光素子３０の発光点３３−１とが互いに近接するように第１の発光素子２０および第２の発光素子３０を重ね合わせてもよい。
サブマウント１０は、ＡＩＮなどの熱伝導率の高い材料により構成されている。これにより、半導体レーザ素子１で発生した熱を十分に拡散させ、半導体レーザ素子１を高温に曝すことなく信頼性を向上させることができるようになっている。なお、サブマウント１０の材料としては、Ｓｉなども選択可能であるが、熱伝導率の観点からはＡＩＮの方が有利である。このサブマウント１０の半導体レーザ素子１側の表面にはｎ側共通電極１２が形成されている。このｎ側共通電極１２は、例えばＡｕ（金）などの金属薄膜からなり、図１に示したように、第１の発光素子２０のｎ側電極２７（後述）と第２の発光素子３０のｎ側電極３７（後述）とにそれぞれ接続されている。
ヒートシンク１１は、例えばＣｕ（銅）などの電気的および熱的な伝導性を有する材料からなり、表面にはＡｕなどよりなる薄膜（図示せず）が被着されている。このヒートシンク１１の表面には、図１に示したように、一端がｎ側共通電極１２の表面にボンディングされたワイヤ５０の他端がボンディングされており、このワイヤ５０を介してヒートシンク１１とｎ側共通電極１２とが互いに電気的に接続されている。これにより、サブマウント１０を介して拡散してきた半導体レーザ素子１の熱を外部に放出し半導体レーザ素子１を適当な温度に維持すると共に、外部電源（図示せず）から供給される電流をヒートシンク１１を介して半導体レーザ素子１に効率よく伝導することができるようになっている。
半導体レーザ素子１とサブマウント１０との間にはこれらを接合する溶着層１３が設けられ、サブマウント１０とヒートシンク１１との間にはこれらを接合する溶着層１４が設けられている（図２参照）。溶着層１３は例えば接合温度２５０℃のＡｕ−Ｓｎ（金錫）半田からなり、溶着層１４は例えばＩｎ（インジウム）等を主成分とする接合温度１５０℃ないし１７０℃程度の低融点半田からなる。
（第１の発光素子２０）
第１の発光素子２０は、図２に示したように、共通の第１基板２１上に、６００ｎｍ帯（例えば６５０ｎｍ）の光を射出可能な第１素子２０Ａと、７００ｎｍ帯（例えば７８０ｎｍ）の光を射出可能な第２素子２０Ｂとを互いに並列に形成したものである。第１素子２０ＡはＧａＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されており、他方、第２素子２０ＢはＧａＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。ここでいうＧａＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは、短周期型周期表における３Ｂ族元素のうちの少なくともＧａ（ガリウム）と、短周期型周期表における５Ｂ族元素のうちの少なくともＰ（リン）とを含むものを指し、ＧａＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは、短周期型周期表における３Ｂ族元素のうちの少なくともＧａと、短周期型周期表における５Ｂ族元素のうちの少なくともＡｓ（ヒ素）とを含むものを指す。なお、ＧａＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体およびＧａＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は共に、可視から赤外までの光に対して不透明な材料である。
第１素子２０Ａは第１基板２１上に半導体層２２Ａ（第１発光素子部）を成長させたものであり、半導体層２２Ａは、ｎ型クラッド層，活性層２３Ａ，ｐ型クラッド層およびｐ側コンタクト層を第１基板２１側からこの順に積層方向に配置してなるレーザ素子部である。なお、活性層２３Ａ以外の層は特に図示していない。
第１基板２１は、例えば、ｎ型ＧａＰにより構成されており、大型のＧａＰ基板の一部を切り出したものである。ｎ型クラッド層は例えばｎ型ＡｌＧａＩｎＰにより構成されている。活性層２３Ａは、例えば、互いに組成の異なるＡｌx1Ｇａx2Ｉｎ1-x1-x2Ｐ（０＜ｘ１＜１，０＜ｘ２＜１，０＜１−ｘ１−ｘ２＜１）によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有する。ｐ型クラッド層は例えばｐ型ＡｌＧａＩｎＰにより構成され、ｐ側コンタクト層は例えばｐ型ＧａＰにより構成されている。ｐ型クラッド層の一部およびｐ側コンタクト層は、一軸方向（図２の紙面に対し垂直方向）に延在するストライプ状のリッジ部２４Ａを有しており、これにより電流狭窄がなされるようになっている。なお、リッジ部２４Ａの延在方向が第１素子２０Ａの共振器方向と対応する。また、活性層２３Ａのうちリッジ部２４Ａに対応する領域が発光点２３Ａ−１となっている。
第２素子２０Ｂは、第１素子２０Ａと同様、第１基板２１上に半導体層２２Ｂ（第２発光素子部）を成長させたものであり、半導体層２２Ｂは、ｎ型クラッド層，活性層２３Ｂ，ｐ型クラッド層およびｐ側コンタクト層を第１基板２１側からこの順に積層方向に配置してなるレーザ素子部である。なお、活性層２３Ｂ以外の層は特に図示していない。
ｎ型クラッド層は、例えばｎ型ＡｌＧａＡｓにより構成される。活性層２３Ｂは、例えば、互いに組成の異なるＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ（０＜ｘ３＜１）によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有する。ｐ型クラッド層は例えばｐ型ＡｌＧａＡｓにより構成され、ｐ側コンタクト層は例えばｐ型ＧａＡｓにより構成されている。ｐ型クラッド層の一部およびｐ側コンタクト層は、第１素子２０Ａの共振器方向と平行な方向に延在するストライプ状のリッジ部２４Ｂを有しており、これにより電流狭窄がなされるようになっている。なお、リッジ部２４Ｂの延在方向が第２素子２０Ｂの共振器方向と対応する。また、活性層２３Ｂのうちリッジ部２４Ｂに対応する領域が発光点２３Ｂ−１となっている。
半導体層２２Ａ，２２Ｂのうちリッジ部２４Ａ，２４Ｂの上面（ｐ側コンタクト層の表面）以外の表面（以下、表面２２Ｃとする。）上には、絶縁層２５が形成されている。なお、表面２２Ｃと絶縁層２５との間に何らかの層、例えば表面２２Ｃと絶縁層２５との密着性を高めるための層などが配置されていてもよい。この絶縁層２５は、高い熱伝導率と高い絶縁性とを兼ね備えており、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＳｉＣ（シリコンカーバイト）、ＧａＮまたはＡｌＧａＩｎＮ（アルミガリウムインジウムチッソ）などの主材料として酸素を含有していない絶縁材料を含んで構成された層と、ＡｌＮＯｘ、ＢＮＯｘ、ＳｉＯ2、ＧａＮＯｘまたはＡｌＧａＩｎＮＯｘなどの絶縁材料を含んで構成された層とを表面２２Ｃ側からこの順に積層して構成されている。
なお、絶縁層２５が表面２２Ｃ上に設けられていることから、電流は絶縁層２５の設けられていない領域、すなわちリッジ部２４Ａ，２４Ｂの上面からしか活性層２３Ａ，２３Ｂへ流れ込めないようになっている。したがって、絶縁層２５は電流狭窄機能も有する。
リッジ部２４Ａの上面から絶縁層２５の表面の一部までの連続した表面上にはｐ側電極２６Ａ（第１電極）が設けられており、リッジ部２４Ａのｐ側コンタクト層と電気的に接続されている。このｐ側電極２６Ａは、後述するように、第２の発光素子３０の溶着層４１を介して対向電極４２と対向配置されると共に電気的に接続されている。また、リッジ部２４Ｂの上面から絶縁層２５の表面の一部までの連続した表面上にはｐ側電極２６Ｂ（第２電極）が設けられており、リッジ部２４Ｂのｐ側コンタクト層と電気的に接続されている。このｐ側電極２６Ｂは、後述するように、第２の発光素子３０の溶着層４３を介して対向電極４４と対向配置されると共に電気的に接続されている。一方、第１基板２１の裏面にはｎ側電極２７が設けられており、第１基板２１と電気的に接続されている。このｎ側電極２７の表面には、図１に示したように、一端がｎ側共通電極１２の表面にボンディングされたワイヤ５１の他端がボンディングされており、このワイヤ５１を介してｎ側電極２７とｎ側共通電極１２とが互いに電気的に接続されている。
ここで、ｐ側電極２６Ａ，２６Ｂは、例えばＴｉ（チタン）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）をこの順に積層してなる多層構造を有する。ｎ側電極２７は、例えばＡｕとＧｅ（ゲルマニウム）との合金，Ｎｉ（ニッケル）およびＡｕを第１基板２１の側から順に積層した構造を有している。
また、リッジ部２４Ａ，２４Ｂの延在方向（共振器方向）に対して垂直な一対のへき開面Ｓ１，Ｓ２には、一対の反射鏡膜（図示せず）が形成されている。主射出側のへき開面Ｓ１上に形成された反射鏡膜は、例えばＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）により構成され、低反射率となるように調整されている。これに対して主射出側とは反対側のへき開面Ｓ２上に形成された反射鏡膜は、例えば酸化アルミニウム層とＴｉＯ2（酸化チタン）層とを交互に積層して構成され、高反射率となるように調整されている。これにより、活性層２３Ａの発光領域（発光点２３Ａ−１）および活性層２３Ｂの発光領域（発光点２３Ｂ−１）のそれぞれにおいて発生した光はそれぞれの一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、低反射率側の反射鏡膜からビームとして射出されるようになっている。なお、高反射率側の反射鏡膜から漏れ出た光を例えば光検出器（図示せず）などで検出し、光電流に変換することにより低反射率側から射出された光の強度を計測するようになっていてもよい。
（第２の発光素子３０）
第２の発光素子３０は、４００ｎｍ前後の波長（例えば４０５ｎｍ）の光を射出可能な半導体レーザ素子であり、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。ここでいう窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは、短周期型周期率表における３Ｂ族元素群のうちの少なくとも１種と、短周期型周期率表における５Ｂ族元素のうちの少なくともＮ（窒素）とを含むものを指す。
この第２の発光素子３０は、図１、図２に示したように、第２基板３１上に半導体層３２（第３発光素子部）を成長させたものであり、第１の発光素子２０の共振器長Ｌ１よりも長い共振器長Ｌ２を有している。この半導体層３２は、例えば、ｎ型クラッド層，活性層３３，ｐ型クラッド層およびｐ側コンタクト層を第２基板３１側からこの順に含んで構成されている。なお、活性層３３以外の層は特に図示していない。
ここで、第２基板３１は、図６に拡大して示したように、平均転位密度（第１平均転位密度）の低い低欠陥領域３１Ａ（第１領域）中に低欠陥領域３１Ａより高い平均転位密度（第２平均転位密度）を有する複数の高欠陥領域３１Ｂ（第２領域）を有するｎ型ＧａＮ（窒化ガリウム）により構成されている。ここでは、第２基板３１のうち横方向（共振器方向と直交する方向）の中央領域に低欠陥領域３１Ａを有しており、その両側の領域（側面を含む領域）に高欠陥領域３１Ｂを有している。
この第２基板３１は、例えば、図７または図８に示したように、低欠陥領域３１Ａ中に、高欠陥領域３１Ｂが規則的（周期的）に、例えば横方向に数百μｍ程度の周期で配列された大型のＧａＮ基板１３１の一部を切り出したものである。この高欠陥領域３１Ｂは、図７に示したように、ＧａＮ基板１３１表面において共振器方向に延在する連続帯状となっている場合には、ＧａＮ基板１３１を共振器方向および縦方向に貫通する平面形状となっている。また、図８に示したように、ＧａＮ基板１３１表面において共振器方向に延在する断続帯状となっている場合には、ＧａＮ基板１３１を共振器方向に縞状に分布すると共に縦方向に貫通する縞形状となっている。なお、このＧａＮ基板１３１の低欠陥領域３１Ａにおける平均転位密度は、例えば５×１０5ｃｍ-3であり、高欠陥領域３１Ｂにおける平均転位密度は例えば２×１０8ｃｍ-3である。
ところで、上記のＧａＮ基板１３１は、例えば、特開２００３−１２４５７２において詳述されているように、ファセット面からなる斜面を有した状態で結晶成長させることにより形成されたものである。このような結晶成長方法を用いることにより転位密度の高い領域を任意の領域に集約することができ、上記のように、転位密度の高い領域と転位密度の低い領域とを規則的，周期的に形成することができる。その結果、後述のように、転位密度の低い領域にのみレーザ構造を形成することができると共に、発光特性の優れた素子を形成することが可能となる。
一方、半導体層３２は、図６に拡大して示したように、第２基板３１の高欠陥領域３１Ｂに対応する部分に高欠陥領域３２Ｂ、低欠陥領域３１Ａに対応する部分に低欠陥領域３２Ａをそれぞれ有している。具体的には、半導体層３２のうち横方向の中央領域に低欠陥領域３２Ａを有しており、その両側の領域（側面を含む領域）に高欠陥領域３２Ｂを有している。これは、後述のように、半導体層３２は第２基板３１上に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法を用いてエピタキシャル成長させることにより形成されるため、第２基板３１の結晶転位が半導体層３２へ伝播してしまうからである。
この高欠陥領域３２Ｂは半導体層３２の表面およびその近傍に高抵抗領域３２Ｂ−１を有している。この高抵抗領域３２Ｂ−１は、例えば、半導体層３２の表面に、Ｂ、Ｎ、Ｆｅ等を８０ｋｅＶ以上のイオンエネルギーでイオン注入することにより形成されたものである。なお、図９に示したように、端子間に印加する加速電圧が８０ｋｅＶ以上である場合には、ＴＭＬ（トランスミッション・ライン・メソッド）値が１０Ｖと一定となり、高欠陥領域３２Ｂの表面またはその近傍を充分に絶縁化することができることがわかる。これにより、高抵抗領域３２Ｂ−１は、後述の製造工程においてバー３０Ａをダイシングによりチップ状に加工した際に誤って絶縁層３５の一部がちぎれてなくなり、これにより高抵抗領域３２Ｂ−１のうち露出した部分とｐ側電極３６（後述）とが短絡してリーク電流が発生し、発光強度が低下してしまうことを防止している。なお、図６では、高欠陥領域３２Ｂは、半導体層３２の表面のうち共振器方向と平行な両側面およびその近傍に設けられているが、少なくとも半導体層３２の表面のうち接続パッド３９，４６，４８側の表面（側面Ｓ３の近傍）に設けられていることが好ましい。
なお、第２基板３１は、低欠陥領域３１Ａ中に複数の高欠陥領域３１Ｂ（第２領域）が不規則に形成された大型ＧａＮ基板を切り出すことにより形成されたものであってもよい。また、ＧａＮは約２Ｗ／（ｃｍ・Ｋ）と高い熱伝導率を有する熱伝導性に優れた材料であり、第２基板３１としてｎ型ＧａＮを用いた場合には、この特性を利用することにより、第２基板３１を半導体レーザ素子１内で発生した熱を放散するヒートシンクとしても機能させることが可能である。
ｎ型クラッド層は、例えばｎ型ＡｌＧａＮにより構成されている。活性層３３は、例えば互いに組成の異なるＧａx4Ｉｎ1-x4 Ｎ（０＜ｘ４＜１）によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有している。ｐ型クラッド層は例えばｐ型ＡｌＧａＮにより構成され、ｐ側コンタクト層は例えばｐ型ＧａＮにより構成されている。
ｐ型クラッド層の一部およびｐ側コンタクト層は、図２、図６に示したように、第１の発光素子２０の共振器方向と平行な方向に延在してなる帯状のリッジ部３４となっており、電流狭窄を行うようになっている。なお、リッジ部３４の延在方向が第２の発光素子３０の共振器方向と対応する。このリッジ部３４は、半導体層３２の低欠陥領域３２Ａに形成されており、活性層３３のうちリッジ部３４に対応する領域に電流注入領域（発光点３３−１）が形成されるようになっている。
リッジ部３４の側面からｐ型クラッド層の表面までの連続した表面（以下、表面３２Ａとする。）上には、図２に示したように、絶縁層３５が形成されている。なお、表面３２Ａと絶縁層３５との間に何らかの層、例えば表面３２Ａと絶縁層３５との密着性を高めるための層などが配置されていてもよい。この絶縁層３５は、上記絶縁層２５と同様、高い熱伝導率と高い絶縁性とを兼ね備えており、例えば、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＧａＩｎＮなどの主材料として酸素を含有していない絶縁材料を含んで構成された層と、ＡｌＮＯｘ、ＢＮＯｘ、ＳｉＯ2、ＧａＮＯｘまたはＡｌＧａＩｎＮＯｘなどの絶縁材料を含んで構成された層とを表面３２Ａ側からこの順に積層して構成されている。
なお、絶縁層３５が表面３２Ａ上に設けられていることから、電流は絶縁層３５の設けられていない領域、すなわちリッジ部３４の上面からしか活性層３３へ流れ込めないようになっている。したがって、絶縁層３５は電流狭窄機能も有する。
第２基板３１の裏面にはｎ側電極３７が設けられており、第２基板３１と電気的に接続されている。このｎ側電極３７は、上記したように、ｎ側共通電極１２およびヒートシンク１１等を介して外部電源に接続されている。ここで、ｎ側電極３７は、例えばＡｕとＧｅとの合金，ＮｉおよびＡｕを第１基板２１の側から順に積層した構造を有している。
リッジ部３４の上面（ｐ側コンタクト層の表面）から絶縁層３５の表面までの連続した表面上にはｐ側電極３６（第３電極）が設けられており、ｐ側コンタクト層と電気的に接続されている。絶縁層３５上には、図２に示したように、ｐ側電極３６の他に、接続部３８と、この接続部３８を介してｐ側電極３６と電気的に接続された接続パッド３９（第３接続パッド）と、この接続パッド３９の部位に開口を有する絶縁層４０とがそれぞれ設けられている。接続パッド３９は、図５に示したように、主射出側のへき開面Ｓ３の近傍であって、かつ共振器方向と直交する方向に互いに対向配置された一対の側面の一方の側面Ｓ５の近傍に設けられている。接続パッド３９の表面には、一端が外部電源に接続されたワイヤ５２の他端が接合されている。
ここで、ｐ側電極３６、接続部３８および接続パッド３９はそれぞれ、例えばＴｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順に積層してなる多層構造を有している。絶縁層４０は、例えば、上記絶縁層３５と同様の材料により構成されている。
絶縁層４０上には、図３、図５に示したように、表面に溶着層４１の被着されたストライプ状の対向電極４２（第１対向電極）と、表面に溶着層４３の被着されたストライプ状の対向電極４４（第２対向電極）と、接続部４５を介して対向電極４２と物理的および電気的に接続された接続パッド４６（第１接続パッド）と、接続部４７を介して対向電極４４と物理的および電気的に接続された接続パッド４８（第２接続パッド）とがそれぞれ設けられている。
対向電極４２は、図３、図５に示したように、チップの中央領域に共振器方向に延在して形成されると共にへき開面Ｓ３側に近接配置されており、溶着層４１を介して第１素子２０Ａのｐ側電極２６Ａと対向配置されると共に電気的に接続されている。また、対向電極４４は、チップのｐ側電極３６とは反対側の外縁領域に、対向電極４２に隣接して形成され、さらに共振器方向に延在して形成されると共にへき開面Ｓ３側に近接配置されており、溶着層４３を介して第２素子２０Ｂのｐ側電極２６Ｂと対向配置されると共に電気的に接続されている。なお、図１では、第１の発光素子２０の主射出側の端面と第２の発光素子の主射出側のへき開面Ｓ３とが互いに同一平面内に配置されているケースが例示されているが、本参考例はこれに限定されるものではなく、例えば、第１の発光素子２０の主射出側の端面と第２の発光素子の主射出側のへき開面Ｓ３とが互いに異なる平面内に配置されていてもよい。
接続パッド４６は、図５に示したように、主射出側のへき開面Ｓ３と主射出側とは反対側のへき開面Ｓ４との中間領域であって、かつ側面Ｓ５の近傍に設けられている。また、接続パッド４８は、主射出側とは反対側のへき開面Ｓ４の近傍であって、かつ側面Ｓ５の近傍に設けられている。これら接続パッド４６，４８は、接続パッド３９と共に、第２の発光素子３０のリッジ部３４の延在方向（共振器方向）に一列に配列されている。つまり、接続パッド３９，４６，４８は、第２の発光素子３０の表面に全て形成され、かつ、ストライプ状の対向電極４２，４４に対して並列なストライプ状の領域上に並んで配置されると共に、共振器方向と直交する方向に互いに対向配置された一対の側面の一方の側面Ｓ５と対向電極４２との間に対向電極４２に隣接して設けられている。
接続部４５は、図５に示したように、対向電極４２と接続パッド４６との間に形成されていることから、へき開面Ｓ３とへき開面Ｓ４との中間領域であって、かつ接続パッド４６を挟んで側面Ｓ５の近傍に設けられている。また、接続部４７は、対向電極４４と接続パッド４８との間に形成されていることから、へき開面Ｓ４の近傍であって、かつへき開面Ｓ４と対向電極４２，４４との間に設けられている。
接続パッド４６の表面には一端が外部電源に接続されたワイヤ５３の他端が接合され、接続パッド４８の表面には一端が外部電源に接続されたワイヤ５４の他端が接合されている(図１、図５参照)。
ここで、溶着層４１，４３は、対向電極４２，４４とｐ側電極２６Ａ，２６Ｂとを互いに電気的に導通させる状態で溶着するためのものであり、例えば接合温度２５０℃のＡｕ−Ｓｎ（金錫）半田により構成されている。対向電極４２，４４，接続部４５，４７，接続パッド４６，４８は、例えばＡｕ（金）などの金属薄膜により構成されている。
リッジ部３４の延在方向（共振器方向）に対して垂直なへき開面Ｓ３，Ｓ４には、一対の反射鏡膜５５，５６（コート膜、図４参照）が形成されている。主射出側のへき開面Ｓ３上に形成された反射鏡膜５５は、例えばＡｌ2Ｏ3により構成され、低反射率となるように調整されている。これに対して主射出側とは反対側のへき開面Ｓ４上に形成された反射鏡膜５６は、例えば酸化アルミニウム層とＴｉＯ2層とを交互に積層して構成され、高反射率となるように調整されている。これにより、活性層３３の発光領域（発光点３３−１）において発生した光は一対の反射鏡膜５５，５６の間を往復して増幅され、低反射率側の反射鏡膜５５からビームとして射出されるようになっている。なお、高反射率側の反射鏡膜５６から漏れ出た光を例えば光検出器（図示せず）などで検出し、光電流に変換することにより低反射率側から射出された光の強度を計測するようになっていてもよい。
また、接続パッド３９の表面のうちへき開面Ｓ３に最も近い部位の全部または一部と、接続パッド４８の表面のうちへき開面Ｓ４に最も近い部位の全部または一部とに、凸部４９がそれぞれ設けられている（図１、図４、図５参照）。
これら凸部４９は、図４に示したように、第２基板３１の底面からの高さＨが互いに等しくなるように形成されていることが好ましく、このときの凸部４９の高さは、溶着層４１，４３の高さとほぼ等しいことが好ましい。この凸部４９は、例えば接合温度２５０℃のＡｕ−Ｓｎ（金錫）半田により構成されている。これにより、凸部４９は、後述するように、製造工程において、図１０に示したようにバー３０Ａとダミーバー３０Ｂとを交互に重ね合わせた状態で、バー３０Ａのへき開面Ｓ３，Ｓ４に対して例えば蒸着やスパッタにより反射鏡膜５５，５６を構成する材料を被着させる際に、対向電極４２，４４の表面に形成された溶着層４１，４３がバー３０Ａの表面から突出しているためにバー３０Ａの表面とダミーバー３０Ｂの表面との間に生じる隙間の一部を塞いで、例えば蒸着やスパッタにより飛散してきた材料が接続パッド３９，４８の主要部分に付着するのを遮るようになっている。つまり、この凸部４９が接続パッド３９，４８の主要部分に対する壁となって、蒸着やスパッタにより飛散してきた材料の付着を阻止するように機能する。従って、へき開面Ｓ３側の凸部４９の上面と、へき開面Ｓ４側の凸部４９の上面とが、図１３に示したように溶着層４１，４３の上面と同一平面内となるか、または、第２基板３１の底面を基準として溶着層４１，４３の上面よりも高い平面内となるように凸部４９の双方の高さが調整されていることが好ましい。
なお、凸部４９は、上記した位置に限定されるものではなく、例えば、接続パッド３９とへき開面Ｓ３との間や、接続パッド４８とへき開面Ｓ４との間に設けられていてもよい。
また、例えば、絶縁層３５の表面のうち接続パッド３９と接続パッド４６との間、および接続パッド４６と接続パッド４８との間には、図１、図５に示したようにマーク７０が設けられている。このマーク７０は、第２の発光素子３０の共振器方向と直交する方向の位置を検出するためのマーカであり、製造工程において第１の発光素子２０と第２の発光素子３０とを互いに重ね合わせる際に用いられるものである。なお、マーク７０は、接続パッド３９，４６，４８を並列方向から挟み込むようにして配置されていてもよい。この場合には、接続パッド３９，４６，４８をへき開面Ｓ３，Ｓ４から遠ざけることができるので、へき開面Ｓ３，Ｓ４近傍の高欠陥領域３２Ｂからリーク不良が発生するのを防止することができる。
このマーク７０は、図１、図５に示したように、対向電極４２等の導電性部材と接触していない、孤立した島状の金属膜により構成されていてもよいが、対向電極４２等の導電性部材と接触して設けられていてもよい。なお、マーク７０は、対向電極４２等と同様の材料により構成されており、製造工程において対向電極４２等と共に一括に形成することが可能である。
このような構成を有する半導体発光装置は、例えば次のようにして製造することができる。
まず、半導体レーザ素子１の構成要素の１つである第１の発光素子２０を製造する。そのためには半導体層２２Ａを、例えば、ＭＯＣＶＤ法により形成する。この際、ＧａＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の原料としては、例えば、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）、ＰＨ3（フォスフィン）を用いる。
具体的には、大型のＧａＰ基板上に、ｎ側コンタクト層，ｎ型クラッド層，活性層２３Ａ，ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層をこの順に積層して半導体層２２Ａを形成したのち、半導体層２２Ａのうちｐ側コンタクト層およびｐ型クラッド層を例えばドライエッチング法により細い帯状の凸部となるようにパターンニングし、複数のリッジ部２４Ａを所定の間隔を隔てて並列に形成する。
次に、半導体層２２Ｂを、上記と同様の方法により形成する。この際、ＧａＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の原料としては、例えば、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ3（アルシン）を用いる。
具体的には、ＧａＰ基板の表面のうちリッジ部２４Ａの形成されていない部分に、ｎ側コンタクト層，ｎ型クラッド層，活性層２３Ｂ，ｐ型クラッド層およびｐ側コンタクト層をこの順に積層して半導体層２２Ｂを形成したのち、半導体層２２Ｂのうちｐ側コンタクト層およびｐ型クラッド層を例えばドライエッチング法により細い帯状の凸部となるようにパターンニングし、リッジ部２４Ｂをリッジ部２４Ａ同士の間に形成する。
次に、リッジ部２４Ａ，２４Ｂの上面、および表面Ａ上に、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＧａＩｎＮなどの主材料として酸素を含有していない絶縁材料、例えばＡｌＮを蒸着またはスパッタリングにより形成したのち、その表面を例えば水蒸気などに曝すことにより酸化させる。これにより、表面に酸化物、例えばＡｌＮＯｘが形成され、絶縁層２５が形成される。
次に、絶縁層２５のうちリッジ部２４Ａ，２４Ｂの上面（コンタクト層の表面）に対応する領域をエッチングにより除去したのち、リッジ部２４Ａのｐ側コンタクト層の表面から絶縁層２５の表面の一部までの連続した表面上にｐ側電極２６Ａを形成し、リッジ部２４Ｂのｐ側コンタクト層の表面から絶縁層２５の表面の一部までの連続した表面上にｐ側電極２６Ｂを形成する。
次に、ＧａＰ基板をへき開して、リッジ部２４Ａ，２４Ｂが交互に並列配置されたバー２０Ａを形成したのち、そのへき開面Ｓ１，Ｓ２に、一対の反射鏡膜５５，５６を形成する。続いて、バー２０Ａを一組のリッジ部２４Ａ，２４Ｂごとにダイシングして、チップ状にする。このようにして、第１の発光素子２０が製造される。
次に、第２の発光素子３０を製造する。そのためには、半導体層３２を、例えば、ＭＯＣＶＤ法により形成する。この際、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の原料としては、例えば、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）、アンモニア (ＮＨ３)を用いる。
具体的には、ＧａＮ基板１３１（図７、図８参照）上に、ｎ側コンタクト層，ｎ型クラッド層，活性層３３，ｐ型クラッド層およびｐ側コンタクト層をこの順に積層して半導体層３２を形成したのち、半導体層３２のうちｐ側コンタクト層およびｐ型クラッド層を例えばドライエッチング法により細い帯状の凸部となるようにパターンニングし、各低欠陥領域３２Ａに１つずつリッジ部３４を形成し、各リッジ部３４を並列に形成する。
次に、ＧａＮ基板１３１に含まれる高欠陥領域３２Ｂの表面に、Ｂ、Ｎ、Ｆｅ等を８０ｋｅＶ以上のイオンエネルギーでイオン注入して、高欠陥領域３２Ｂの表面またはその近傍に高抵抗領域３２Ｂ−１を形成したのち、リッジ部３４の上面、および表面Ｂ上に、絶縁層２５の形成方法と同様の方法を用いて、絶縁層３５を形成する。
次に、絶縁層３５のうちリッジ部３４の上面（コンタクト層の表面）に対応する領域をエッチングにより除去したのち、リッジ部３４のｐ側コンタクト層の表面から絶縁層３５の表面の一部までの連続した表面上にｐ側電極３６、接続部３８および接続パッド３９を一括に形成する。
次に、接続パッド３９の部位に開口を有する絶縁層４０を形成したのち、絶縁層４０上に、対向電極４２，４４、接続部４５，４７、接続パッド４６，４８、マーク７０を一括に形成する。
次に、対向電極４２，４４の表面に溶着層４１，４３を形成すると共に、接続パッド３９の表面のうちへき開面Ｓ３に最も近い部位の全部または一部と、接続パッド４８の表面のうちへき開面Ｓ４に最も近い部位の全部または一部とに、凸部４９を形成する。なお、溶着層４１，４３と、凸部４９とを同一の材料により形成する場合には、これらを一括に形成することが好ましい。
次に、ＧａＮ基板１３１をへき開して、複数のリッジ部３４が並列配置されたバー３０Ａを形成したのち、へき開によって形成されたへき開面Ｓ３，Ｓ４に、一対の反射鏡膜５５，５６を形成する。
具体的には、図１０（接続パッド３９，４６，４８を横断する断面図）に示したように、ＧａＮ基板１３１上に複数のリッジ部３４が並列に形成されたバー３０Ａと、平板状のダミーバー３０Ｂとを交互に重ね合わせ、その状態でバー３０Ａのへき開面Ｓ３に対して例えばＡｌ2Ｏ3を蒸着やスパッタにより被着させると共に、へき開面Ｓ４に対して例えば酸化アルミニウムおよびＴｉＯ2を蒸着やスパッタによりこの順に被着させる。これにより、へき開面Ｓ３，Ｓ４に一対の反射鏡膜５５，５６が形成される。なお、このとき、蒸着やスパッタによって飛散してきた材料は空隙Ｇを介してバー３０Ａの表面に飛散してくるが、凸部４９の裏側にはほとんど回り込めないので、凸部４９の裏側に設けられた接続パッド３９，４８の主要部には不要な膜が付着していない。
次に、バー３０Ａをリッジ部３４同士の間でダイシングして、チップ状にする。このようにして、第２の発光素子３０が製造される。
次に、第２の発光素子３０の半導体層３３側の表面に、第１の発光素子２０を、半導体層２２Ａ，２２Ｂ側を下にして（第２の発光素子３０側に向けて）、共振器方向および光射出方向が互いに等しくなるように接合する。このようにして、本参考例に係る半導体レーザ素子１が製造される。
次に、半導体レーザ素子１の第２の発光素子３０を溶着層１３を介してサブマウント１０に接合したのち、サブマウントの裏面を溶着層１４によってヒートシンク１１上に固着させる(図２参照)。最後に、ワイヤ５０〜５４を接合することにより、本参考例に係る半導体発光装置が製造される。
本参考例に係る半導体発光装置では、ｐ側電極３６に電気的に接続された接続パッド３９と、ｎ側電極３７に電気的に接続されたヒートシンク１１との間に所定の電圧が印加されると、活性層３３に電流が注入され、電子−正孔再結合によって発光が生じ、第２の発光素子３０の発光点３３−１から４００ｎｍ前後の波長（例えば４０５ｎｍ）のレーザ光が積層面内方向に向けて射出される。また、ｐ側電極２６Ａに電気的に接続された接続パッド４６と、ｎ側電極２７に電気的に接続されたヒートシンク１１との間に所定の電圧が印加されると、活性層３３Ａに電流が注入され、電子−正孔再結合によって発光が生じ、第１素子２０Ａの発光点３３Ａ−１から６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のレーザ光が射出される。また、ｐ側電極２６Ｂに電気的に接続された接続パッド４８と、ｎ側電極２７に電気的に接続されたヒートシンク１１との間に所定の電圧が印加されると、活性層３３Ｂに電流が注入され、電子−正孔再結合によって発光が生じ、第２素子２０Ｂの発光点３３Ｂ−１から７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光が射出される。このように、本参考例に係る半導体発光装置では、第２の発光素子３０、第１素子２０Ａおよび第２素子２０Ｂは互いに異なる波長のレーザ光を独立に射出することができる。
このとき、半導体レーザ素子１内では、高電流密度によるジュール熱が発生している。第２の発光素子３０内で発生した熱は、ヒートシンク１１側へ放散される。一方、第１の発光素子２０内で発生した熱は、リッジ部２４Ａ−１，２４Ｂ−１、絶縁層２５，３５を介して第２の発光素子３０側へ放散される。
ここで、本参考例では、放熱性の良い窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により形成された半導体層３２を有する第２の発光素子３０が第１の発光素子２０と接して設けられているので、第１の発光素子２０の熱を第２の発光素子３０およびヒートシンク１１を介して充分に放散することができる。このように、半導体レーザ素子１では、第１の発光素子２０および第２の発光素子３０において発生する熱を効率的に放散することができるので、熱抵抗が低下し、放熱性を向上させることができる。したがって、半導体レーザ素子１の特性および信頼性を向上させることができる。
ところで、本参考例では、各リッジ部２４Ａ，２４Ｂ，３４に別個に電流を供給するｐ側電極２６Ａ，２６Ｂ，３６に１つずつ電気的に接続された接続パッド３９，４６，４８が、第２の発光素子３０の表面（ヒートシンク１１とは反対側の表面）に全て形成され、かつストライプ状の対向電極４２，４４と並列に配置されると共に、共振器方向と直交する方向に互いに対向配置された一対の側面の一方の側面Ｓ５と対向電極４２との間に対向電極４２に隣接して設けられている（図１、図２、図５参照）。これにより、半導体レーザ素子１自体の放熱性を確保する目的で第２の発光素子３０を多少大きめに形成した場合であっても、第２の発光素子３０の表面のうち未利用のスペースを接続パッド３９，４６，４８で埋めることができるので、接続パッド３９，４６，４８のレイアウトによって発生する未利用のスペースを最小限に抑えることができる。このように、接続パッド３９，４６，４８のレイアウトを工夫することにより、放熱性を確保しつつ、半導体レーザ素子１の小型化を実現することができる。
また、本参考例では、接続パッド３９の表面のうちへき開面Ｓ３に最も近い部位の全部または一部と、接続パッド４８の表面のうちへき開面Ｓ４に最も近い部位の全部または一部とに、凸部４９が形成されている（図１、図５参照）。これにより、上記した製造工程において、図１３に示したようにバー３０Ａとダミーバー３０Ｂとを交互に重ね合わせた状態で、バー３０Ａのへき開面Ｓ３，Ｓ４に対して例えば蒸着やスパッタにより反射鏡膜５５，５６を構成する材料を被着させる際に、対向電極４２，４４の表面に形成された溶着層４１，４３がバー３０Ａの表面から突出しているためにバー３０Ａの表面とダミーバー３０Ｂの表面との間に生じる隙間Ｇの一部（接続パッド３９，４８とへき開面Ｓ３，Ｓ４との間の空隙）が凸部４９によって塞がれるので、接続パッド３９，４８の主要部に不要な膜が形成されるのを阻止することができる。その結果、ワイヤ５２，５４を接続パッド３９，４８に接合するスペースを確実に確保することができるので、この後の工程において、蒸着やスパッタによって飛散してきた材料の付着によってワイヤ５２，５４が接続パッド３９，４８に接合することができなくなるという問題がなく、凸部４９を設けていない場合と比べて歩留まりが向上する。
[第２の参考例]
図１１は、本発明の第２の参考例に係る半導体レーザ装置の、上記第１の参考例における図２のＤ−Ｄ線と対応する線での断面構成を表すものである。
この半導体レーザ装置は、接続部４５上に凸部６０を、接続部４７上に凸部６１をそれぞれ備えている点で、上記第１の参考例の構成と相違する。そこで、以下、上記第１の参考例との相違点を主に説明し、上記第１の参考例と同様の構成・作用・効果については適宜省略する。
凸部６０（６１）は、接続部４５（４７）と同等か、または、接続部４５（４７）よりも濡れ性の悪い材料（例えば、接続部４５（４７）がＡｕにより構成されている場合には、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ，Ｓｉ，ＴｉまたはＡｌ）により形成された突起状の構造物である。ここで、「濡れ性」は固体と液体との界面張力に関係するものであり、「濡れ性が悪い」とは、固体上に液体を滴下したときに、滴下した液体の固体表面との接触角が小さく、固体表面が液体をはじいているかのような状態を指し、逆に、「濡れ性が良い」とは、滴下した液体の固体表面との接触角が大きく、固体表面に液体がべっとりと被着しているかのような状態を指している。
これにより、凸部６０（６１）は、製造工程において、対向電極４２（４４）上に形成された溶着層４１（４３）を溶解させて、対向電極４２（４４）とｐ側電極２６Ａ（２６Ｂ）とを互いに接続する際に、溶着層４１（４３）が接続部４５（４７）上に流れ出し、接続パッド４６，４８の主要部の全体または一部を覆ってしまうことを阻止することができる。
ここで、凸部６０（６１）は、自身が第１の発光素子２０から射出される光の光路を遮らない箇所に形成されると共に、接続部４５（４７）上に流れ出した溶着層４１（４３）が凸部６０（６１）に到達するまでの間に第１の発光素子２０から射出される光の光路を遮らない箇所形成されることが好ましい。
その結果、ワイヤ５３，５４を接続パッド４６，４８に接合するスペースを確実に確保することができるので、この後の工程において、溶着層４１（４３）の流出によってワイヤ５３，５４が接続パッド４６，４８に接合することができなくなるという問題がなく、凸部６０（６１）を設けていない場合と比べて歩留まりが向上する。
[第２の参考例の変形例]
以下、上記第２の参考例の各種変形例について説明する。なお、以下では、上記第２の参考例との相違点を主に説明し、上記第２の参考例と同様の構成・作用・効果についての記載は適宜省略する。
（第１の変形例）
図１２は、上記第２の参考例の第１の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第１の参考例における図２のＤ−Ｄ線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、溶着層４１と溶着層４３との間に凸部６２を備えている点で、上記第２の参考例の構成と相違する。
凸部６２は、例えば、対向電極４２の対向電極４４側の端部および対向電極４４の対向電極４２側の端部の少なくとも一方に形成されている。なお、図１２では、対向電極４２の対向電極４４側の端部および対向電極４４の対向電極４２側の端部の双方に形成されているケースが例示されている。この凸部６２は、上記第２の参考例の凸部６０と同様、対向電極４２，４４と同等か、または、対向電極４２，４４よりも濡れ性の悪い材料により形成された突起状の構造物である。
これにより、凸部６２は、製造工程において、溶着層４１（４３）を溶解させて、対向電極４２（４４）とｐ側電極２６Ａ（２６Ｂ）とを互いに接続する際に、溶着層４１（４３）が対向電極４２と対向電極４４との間に流れ出し、溶着層４１および溶着層４３が互いにショートしてしまうことを阻止することができる。その結果、その後の工程において、溶着層４１（４３）の流出によって溶着層４１と溶着層４３とが互いにショートするという問題がなく、凸部６２を設けていない場合と比べて歩留まりが向上する。
（第２変形例）
図１３は、上記第２の参考例の第２の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第１の参考例における図２のＤ−Ｄ線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、対向電極４２，４４のへき開面Ｓ３，Ｓ４側の端部に凸部６３を備えている点で、上記第２の参考例の構成と相違する。
凸部６３は、上記第２の参考例の凸部６０と同様、対向電極４２，４４と同等か、または、対向電極４２，４４よりも濡れ性の悪い材料により形成された突起状の構造物である。
これにより、凸部６３は、製造工程において、溶着層４１（４３）を溶解させて、対向電極４２（４４）とｐ側電極２６Ａ（２６Ｂ）とを互いに接続する際に、溶着層４１（４３）がへき開面Ｓ３，Ｓ４に流れ出し、半導体層３３を構成する各層間がショートしてしまうことを阻止することができる。その結果、その後の工程において、溶着層４１（４３）の流出によってへき開面Ｓ３，Ｓ４に流れ出し、半導体層３３を構成する各層間がショートするという問題がなく、凸部６３を設けていない場合と比べて歩留まりが向上する。
（第３の変形例）
図１４は、上記第２の参考例の第３の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第１の参考例における図２のＤ−Ｄ線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、接続パッド３９と対抗電極４２との間に凸部６４を備えている点で、上記第２の参考例の構成と相違する。
凸部６４は、上記第２の参考例の凸部６０と同様、接続パッド３９と同等か、または、接続パッド３９よりも濡れ性の悪い材料により形成された突起状の構造物である。
これにより、凸部６４は、製造工程において、溶着層４１（４３）を溶解させて、対向電極４２（４４）とｐ側電極２６Ａ（２６Ｂ）とを互いに接続する際に、溶着層４１が接続パッド３９に流れ出し、接続パッド３９の主要部を覆ってしまうことを阻止することができる。その結果、その後の工程において、溶着層４１の流出によって接続パッド３９に流れ出し、接続パッド３９の主要部を覆ってしまうという問題がなく、凸部６４を設けていない場合と比べて歩留まりが向上する。
（第４の変形例）
図１５は、上記第２の参考例の第４の変形例に係る半導体レーザ装置の、上記第１の参考例における図２のＤ−Ｄ線と対応する線での断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置は、対向電極４２（４４）上に、溶着層４１（４３）を面内方向から囲む凸部６５を備えている点で、上記第２の参考例の構成と相違する。
凸部６５は、上記第２の参考例の凸部６０と同様、対向電極４２（４４）と同等か、または、対向電極４２（４４）よりも濡れ性の悪い材料により形成された突起状の構造物である。
これにより、凸部６５は、製造工程において、溶着層４１（４３）を溶解させて、対向電極４２（４４）とｐ側電極２６Ａ（２６Ｂ）とを互いに接続する際に、溶着層４１（４３）が対向電極４２（４４）から流れ出し、接続パッド３９，４６，４８の主要部の全体または一部を覆ったり、溶着層４１と溶着層４３とが互いにショートしたり、半導体層３３を構成する各層間がショートしてしまうことを阻止することができる。その結果、その後の工程において、溶着層４１（４３）の流出によってへき開面Ｓ３，Ｓ４に流れ出し、上記した各問題が生じることがなく、凸部６５を設けていない場合と比べて歩留まりが向上する。
[第１の実施の形態]
図１８は本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の上面構成を、図１９は図１８の半導体レーザ装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を、図２０は図１９の半導体レーザ装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成をそれぞれ表すものである。この半導体レーザ装置は、図１８に示したように、半導体レーザ素子２を、支持部材としてのサブマウント１０上に接合すると共に、サブマウント１０の裏面に放熱部材としてのヒートシンク１１を接合して構成したものである。なお、図１８〜図２０は模式的に表したものであり、実際の寸法，形状とは異なっている。
この半導体レーザ素子２は、図１９に示したように、サブマウント１０上にチップ状の第１の発光素子２０および第２の発光素子３０がこの順に重ね合わされている点で、サブマウント１０上にチップ状の第２の発光素子３０および第１の発光素子２０がこの順に重ね合わされた上記参考例に係る半導体レーザ素子１の構成と相違する。そこで、以下では、上記参考例との相違点について主に説明し、上記参考例との共通点についての説明を適宜省略するものとする。
この半導体レーザ素子２では、第１素子２０Ｂの発光点２３Ａ−１が第２の発光素子３０の発光点３３−１と極力近づくように、第２の発光素子３０を逆さにして（基板側を上にして）、第１の発光素子２０と第２の発光素子３０とが重ね合わされている。なお、第１の発光素子２０と第２の発光素子３０との重ね合わせ方はこれに限られるものではなく、例えば、第１の発光素子２０の発光点２３Ｂ−１と第２の発光素子３０の発光点３３−１とが互いに近接するように第１の発光素子２０および第２の発光素子３０を重ね合わせたり、第１の発光素子２０の発光点２３Ａ−１および発光点２３Ｂ−１の中間部分と第２の発光素子３０の発光点３３−１とが互いに近接するように第１の発光素子２０および第２の発光素子３０を重ね合わせてもよい。
半導体レーザ素子２とサブマウント１０との間にはこれらを接合する溶着層１３が設けられている（図１９参照）。
（第１の発光素子２０）
図１９に示したように、第１素子２０Ａのリッジ部２４Ａ上に形成されたｐ側電極２６Ａ（第１電極）は、溶着層４１を介して絶縁層４０に接合されている。また、第２素子２０Ｂのリッジ部２４Ｂ上に形成されたｐ側電極２６Ｂ（第２電極）は、図１９に示したように、溶着層４３を介して絶縁層４０に接合されている。
（第２の発光素子３０）
図１９に示したように、接続パッド３９の表面には、バンプ８０が形成されており、バンプ８０の接続パッド３９とは反対側の端面上に設けられた溶着層８１を介して対向電極８２（後述）に接合されると共に、対向電極８２、接続部８３（後述）および接続パッド８４（後述）に電気的に接続されている。
ここで、バンプ８０は、例えばＡｕなどの金属塊からなる。対向電極８２、接続部８３および接続パッド８４は、例えばＡｕなどの金属薄膜により構成されている。溶着層８１は、バンプ８０と対向電極８２とを互いに電気的に導通させる状態で溶着するためのものであり、例えば接合温度２５０℃のＡｕ−Ｓｎ（金錫）半田により構成されている。
ところで、本実施の形態では、第１の発光素子２０の絶縁層２５上には、図１８ないし図２０に示したように、表面に溶着層４１の被着されたストライプ状のｐ側電極２６Ａと、接続部４５を介してｐ側電極２６Ａと物理的および電気的に接続された接続パッド４６と、表面に溶着層４３の被着されたストライプ状のｐ側電極２６Ｂと、接続部４７を介してｐ側電極２６Ｂと物理的および電気的に接続された接続パッド４８と、表面に溶着層８１の被着された対向電極８２と、接続部８３を介して対向電極８２と物理的および電気的に接続された接続パッド８４とがそれぞれ設けられている。
ｐ側電極２６Ｂは、図２０に示したように、チップの中央領域に共振器方向に延在して形成されると共にへき開面Ｓ１側に近接配置されており、溶着層４３を介して第１素子２０Ａに電気的に接続されている。また、ｐ側電極２６Ａは、ｐ側電極２６Ｂに隣接して形成され、さらに共振器方向に延在して形成されると共にへき開面Ｓ１側に近接配置されており、溶着層４１を介して第２素子２０Ｂに電気的に接続されている。
接続パッド４６は、図１８、図２０に示したように、主射出側のへき開面Ｓ１と主射出側とは反対側のへき開面Ｓ２との中間領域であって、かつ側面Ｓ５の近傍に設けられている。また、接続パッド４８は、主射出側とは反対側のへき開面Ｓ２の近傍であって、かつ側面Ｓ５の近傍に設けられている。これら接続パッド４６，４８は、接続パッド８４と共に、第１の発光素子２０のリッジ部２４Ａの延在方向（共振器方向）に一列に配列されている。つまり、接続パッド４６，４８，８４は、第１の発光素子２０の表面に全て形成され、かつ、ストライプ状のｐ側電極２６Ａに対して並列なストライプ状の領域上に並んで配置されると共に、共振器方向と直交する方向に互いに対向配置された一対の側面の一方の側面Ｓ５とｐ側電極２６Ａとの間にｐ側電極２６Ａに隣接して設けられている。
また、接続パッド８４の表面のうちへき開面Ｓ１に最も近い部位の全部または一部と、接続パッド４８の表面のうちへき開面Ｓ２に最も近い部位の全部または一部とに、凸部４９がそれぞれ設けられている（図１８、図２０参照）。
これら凸部４９は、第１基板２１の底面からの高さが互いに等しくなるように形成されていることが好ましく、このときの凸部４９の高さは、溶着層４１，４３の高さとほぼ等しいことが好ましい。これにより、凸部４９は、製造工程において、第１基板２１をチップ状に分離する前のバー状のものとダミーバーとを交互に重ね合わせた状態で、第１基板２１をチップ状に分離する前のバー状のもののへき開面Ｓ１，Ｓ２に対して例えば蒸着やスパッタにより反射鏡膜を構成する材料を被着させる際に、ｐ側電極２６Ａ，２６Ｂの表面に形成された溶着層４１，４３が、第１基板２１をチップ状に分離する前のバー状のものとダミーバーとの間に生じる隙間の一部を塞いで、例えば蒸着やスパッタにより飛散してきた材料が接続パッド４８，８４の主要部分に付着するのを遮るようになっている。つまり、この凸部４９が接続パッド４８，８４の主要部分に対する壁となって、蒸着やスパッタにより飛散してきた材料の付着を阻止するように機能する。従って、へき開面Ｓ１側の凸部４９の上面と、へき開面Ｓ２側の凸部４９の上面とが、溶着層４１，４３の上面と同一平面内となるか、または、第１基板２１の底面を基準として溶着層４１，４３の上面よりも高い平面内となるように凸部４９の双方の高さが調整されていることが好ましい。
なお、凸部４９は、上記した位置に限定されるものではなく、例えば、接続パッド８４とへき開面Ｓ１との間や、接続パッド４８とへき開面Ｓ２との間に設けられていてもよい。
また、例えば、絶縁層２５の表面のうち接続パッド８４と接続パッド４６との間、および接続パッド４６と接続パッド４８との間には、図１８、図２０に示したようにマーク７０が設けられている。このマーク７０は、第１の発光素子２０の共振器方向と直交する方向の位置を検出するためのマーカであり、製造工程において第１の発光素子２０と第２の発光素子３０とを互いに重ね合わせる際に用いられるものである。なお、マーク７０は、接続パッド４６，４８，８４を並列方向から挟み込むようにして配置されていてもよい。
このマーク７０は、図１８、図２０に示したように、ｐ側電極２６Ａ等の導電性部材と接触していない、孤立した島状の金属膜により構成されていてもよいが、ｐ側電極２６Ａ等の導電性部材と接触して設けられていてもよい。なお、マーク７０は、ｐ側電極２６Ａ等と同様の材料により構成されており、製造工程においてｐ側電極２６Ａ等と共に一括に形成することが可能である。
本実施の形態の半導体発光装置では、ｐ側電極３６に電気的に接続された接続パッド８４と、ｎ側電極３７に電気的に接続されたヒートシンク１１との間に所定の電圧が印加されると、活性層３３に電流が注入され、電子−正孔再結合によって発光が生じ、第２の発光素子３０の発光点３３−１から４００ｎｍ前後の波長（例えば４０５ｎｍ）のレーザ光が積層面内方向に向けて射出される。また、ｐ側電極２６Ａに電気的に接続された接続パッド４６と、ｎ側電極２７に電気的に接続されたヒートシンク１１との間に所定の電圧が印加されると、活性層３３Ａに電流が注入され、電子−正孔再結合によって発光が生じ、第１素子２０Ａの発光点３３Ａ−１から６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のレーザ光が射出される。また、ｐ側電極２６Ｂに電気的に接続された接続パッド４８と、ｎ側電極２７に電気的に接続されたヒートシンク１１との間に所定の電圧が印加されると、活性層３３Ｂに電流が注入され、電子−正孔再結合によって発光が生じ、第２素子２０Ｂの発光点３３Ｂ−１から７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光が射出される。このように、本実施の形態の半導体発光装置では、第２の発光素子３０、第１素子２０Ａおよび第２素子２０Ｂは互いに異なる波長のレーザ光を独立に射出することができる。
このとき、半導体レーザ素子２内では、高電流密度によるジュール熱が発生している。ここで、本実施の形態では、放熱性の良い窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により形成された半導体層３２を有する第２の発光素子３０が第１の発光素子２０の一方と接すると共に、ヒートシンク１１が第１の発光素子２０の他方とサブマウント１０を介して接して設けられているので、第１の発光素子２０の熱を第２の発光素子３０およびヒートシンク１１を介して充分に放散することができる。このように、半導体レーザ素子２では、第１の発光素子２０および第２の発光素子３０において発生する熱を効率的に放散することができるので、熱抵抗が低下し、放熱性を向上させることができる。したがって、半導体レーザ素子２の特性および信頼性を向上させることができる。
ところで、本実施の形態では、各リッジ部２４Ａ，２４Ｂ，３４に別個に電流を供給するｐ側電極２６Ａ，２６Ｂ，３６に１つずつ電気的に接続された接続パッド４６，４８，８４が、第１の発光素子２０の表面（ヒートシンク１１とは反対側の表面）に全て形成され、かつストライプ状のｐ側電極２６Ａと並列に配置されると共に、共振器方向と直交する方向に互いに対向配置された一対の側面の一方の側面Ｓ５とｐ側電極２６Ａとの間にｐ側電極２６Ａに隣接して設けられている（図１９、図２０参照）。これにより、第１の発光素子２０を多少大きめに形成した場合であっても、第１の発光素子２０の表面のうち未利用のスペースを接続パッド４６，４８，８４で埋めることができるので、接続パッド４６，４８，８４のレイアウトによって発生する未利用のスペースを最小限に抑えることができる。このように、接続パッド４６，４８，８４のレイアウトを工夫することにより、放熱性を確保しつつ、半導体レーザ素子２の小型化を実現することができる。
また、本実施の形態では、接続パッド８４の表面のうちへき開面Ｓ１に最も近い部位の全部または一部と、接続パッド４８の表面のうちへき開面Ｓ２に最も近い部位の全部または一部とに、凸部４９が形成されている（図１８、図２０参照）。これにより、上記した製造工程において、第１基板２１をチップ状に分離する前のバー状のものとダミーバーとを交互に重ね合わせた状態で、第１基板２１をチップ状に分離する前のバー状のもののへき開面Ｓ１，Ｓ２に対して例えば蒸着やスパッタにより反射鏡膜を構成する材料を被着させる際に、ｐ側電極２６Ａ，２６Ｂの表面に形成された溶着層４１，４３が、第１基板２１をチップ状に分離する前のバー状のものとダミーバーとの間に生じる隙間の一部（接続パッド８４，４８とへき開面Ｓ１，Ｓ２との間の空隙）が凸部４９によって塞がれるので、接続パッド８４，４８の主要部に不要な膜が形成されるのを阻止することができる。その結果、ワイヤ５２，５４を接続パッド８４，４８に接合するスペースを確実に確保することができるので、この後の工程において、蒸着やスパッタによって飛散してきた材料の付着によってワイヤ５２，５４が接続パッド８４，４８に接合することができなくなるという問題がなく、凸部４９を設けていない場合と比べて歩留まりが向上する。
なお、上記の第２の参考例およびその変形例の場合と同様に、凸部４９の代わりに、凸部６１〜６５を設けるようにしてもよい。
［適用例］
上述の半導体レーザ装置は、記録媒体（光ディスク）に記録された情報を再生する情報再生装置、記録媒体に情報を記録する情報記録装置、これら両機能を備えた情報記録再生装置、または通信装置などのデバイスの光源として種々適用可能であり、以下、その一例について説明する。
図２１は、本適用例に係る情報記録再生装置１００の概略構成の一例を表すものであり、光装置１１０と、情報処理部１２０とを備えている。
情報処理部１２０は、記録媒体１０１に記録された情報を光装置１１０から取得したり、入力された情報を光装置１１０に送信するようになっている。他方、光装置１００は、例えばＤＶＤ等による高密度記録再生用の光ピックアップ装置として用いられるものであり、光源としての半導体発光装置ＬＤと、ＤＶＤ等の記録媒体１０１の載置される領域と半導体発光装置ＬＤとの間に設けられた光学系とを備えている。記録媒体１０１の表面には、例えば数μｍの大きさの多数のピット（突起）が形成されている。光学系は、半導体発光装置ＬＤから記録媒体１０１への光路中に配設され、例えば、グレーティング（ＧＲＴ）１１１、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１２、平行化レンズ（ＣＬ）１１３、４分の１波長板（λ／４板）１１４、対物レンズ（ＯＬ）１１５を有している。また、この光学系は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１２で分離された光路上に、円柱レンズ（ＣｙＬ）１１６、フォトダイオードなどの受光素子（ＰＤ）１１７を有している。
この光装置１００では、光源（半導体発光装置ＬＤ）からの光は、ＧＲＴ１１１、ＰＢＳ１１２、ＣＬ１１３、λ／４板１１４およびＯＬ１１５を通って記録媒体１０１に焦点を結び、記録媒体１０１の表面のピットで反射される。反射された光は、ＯＬ１１５，λ／４板１１４，ＣＬ１１３，ＰＢＳ１１２，ＣｙＬ１１６を通ってＰＤ１１７に入り、ピット信号、トラッキング信号およびフォーカス信号の読取りが行われる。
このように本適用例に係る光装置１００では、光源として半導体発光装置ＬＤを用いるようにしたので、その温度特性および信頼性が高く、広い温度範囲で安定して使用することができ、また、光学系の設計の自由度を大きくすることができる。
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく種々変形可能である。
例えば、上記実施の形態では、第１の発光素子２０としてガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体レーザ素子、またはインジウム・リン（ＩｎＰ）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体レーザ素子を、第２の発光素子３０として窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体レーザ素子をそれぞれ挙げ、それらの組成および構成について具体的に例示して説明したが、本発明は、他の組成や構造を有する半導体レーザ素子についても同様に適用することができるものである。
また、上記第１および第２の参考例では、凸部４９は第２の発光素子３０側に形成されているとしたが、第１の発光素子２０側に形成されていてもよい。この場合には、凸部４９は、第１接続パッド３９，４６，４８のうち反射鏡膜５５，５６に最も近い部位と反射鏡膜５５，５６との間の表面上に形成されていることが好ましい。また、このときの凸部４９の高さは、第２の発光素子３０の溶着層４１，４３の高さとほぼ等しいことが好ましい。このように、凸部４９を第１の発光素子２０側に形成した場合には、第２の発光素子３０のへき開面Ｓ１，Ｓ２上に反射鏡膜５５，５６をコーティングする際に、第２の発光素子３０の第１接続パッド３９，４６，４８側の表面に、第１の発光素子２０の凸部４９側を対向させて第１の発光素子２０を重ね合わせ、第１の発光素子２０をダミーバー３０Ｂの代わりに用いることも可能である。また、上記第１の実施の形態では、凸部４９は第１の発光素子２０側に形成されているとしたが、第２の発光素子３０側に形成されていてもよい。
また、上記第２の参考例およびその変形例では、各対向電極４２（４４）上に溶着層４１（４３）が設けられていたが、対向電極４２（４４）のいずれか一方が溶着層４１（４３）との関係で充分に大きく、上記凸部６１〜６５を設けなくても溶着層４１（４３）がその対向電極４２（４４）から所定の方向へ流れ出す虞がない場合には、その流れ出す虞の無い方向に対して上記凸部６１〜６５を設けなくてもよい。
また、上記第２の参考例およびその変形例では、溶着層４１（４３）が対向電極４２（４４）から流れ出すのを防止するために凸部６１〜６５を設けていたが、図１６に示したように凸部６１〜６５の代わりに延出部４２Ａ（４４Ａ）を、または図１７に示したように凸部６１〜６５と共に延出部４２Ａ（４４Ａ）を設けてもよい。これら延出部４２Ａ（４４Ａ）は、対向電極４２（４４）の一部として設けられたものであり、第２の発光素子３０の表面のうち第１の発光素子２０から射出される光の光路Ｌ１，Ｌ２との非対向領域において面内方向に延出して設けられている。これにより、溶着層４１（４３）を溶解させて、対向電極４２（４４）とｐ側電極２６Ａ（２６Ｂ）とを互いに接続する際に、溶着層４１（４３）を延出部４２Ａ（４４Ａ）に逃がすことができるので、溶着層４１（４３）が対向電極４２（４４）から流れ出して、上記した種々の問題が生じるのを防止することができる。
１…半導体発光素子、１０…サブマウント、１１…ヒートシンク、１２…ｎ側共通電極、１３，１４，４１，４３，８１…溶着層、２０…第１の発光素子、２０Ａ…第１素子、２０Ｂ…第２素子、２１…第１基板、２２Ａ，２２Ｂ，３２…半導体層、２２Ｃ，３２Ａ…表面、２３Ａ，２３Ｂ，３３…活性層、２３Ａ−１，２３Ｂ−１，３３−１…発光点、２４Ａ，２４Ｂ，３４…リッジ部、２５，３５，４０…絶縁層、２６Ａ，２６Ｂ，３６…ｐ側電極、２７，３７…ｎ側電極、３０…第２の発光素子、３０Ａ…バー、３０Ｂ…ダミーバー、３１…第２基板、３１Ａ，３２Ａ…低欠陥領域、３１Ｂ，３２Ｂ…高欠陥領域、３８，４５，４７，８３…接続部、３９，４６，４８，８４…接続パッド、４２，４４，８２…対向電極、４２Ａ，４４Ａ…突出部、４９，６０〜６５…凸部、５０〜５４…ワイヤ、７０…マーク、８０…バンプ、１３１…ＧａＮ基板、Ｇ…空隙、Ｌ１，Ｌ２…光路、Ｓ１〜Ｓ４…へき開面、Ｓ５…側面。

Claims (6)

  1. 第１の発光素子および第２の発光素子を重ね合わせて形成された半導体発光素子であって、
    前記第１の発光素子は、
    第１基板の前記第２の発光素子側に形成されたストライプ状の第１発光素子部と、
    前記第１発光素子部に電流を供給するストライプ状の第１電極と
    前記第１電極と電気的に接続された第１接続パッドと、
    前記第１接続パッド上に形成されたバンプと、
    前記第１電極の表面を含む面上に形成された絶縁膜と
    を備え、
    前記第２の発光素子は、
    第２基板の前記第１の発光素子側に互いに並列に形成されると共に、いずれか一方が前記第１発光素子部と対向配置されたストライプ状の第２発光素子部および第３発光素子部と、
    前記第２発光素子部および第３発光素子部に別個に電流を供給するストライプ状の第２電極および第３電極と、
    前記バンプと対向配置され、かつ前記バンプと電気的に接続された第１対向電極と、
    前記第１対向電極と電気的に接続された第２接続パッドと、
    前記第２電極および第３電極の各々と一つずつ電気的に接続された第３接続パッドおよび第４接続パッドと
    を有し、
    前記第２接続パッド、第３接続パッドおよび第４接続パッドは、前記第２の発光素子の前記第１の発光素子側にそれぞれ配置されている
    半導体発光素子。
  2. 前記第１接続パッド、第２接続パッドおよび第３接続パッドは、前記第１対向電極に対して並列なストライプ状の領域上に並んで配置されている
    請求項１記載の半導体発光素子。
  3. 前記第１接続パッドと第２接続パッドとの間、および前記第２接続パッドと第３接続パッドとの間に、マークを備えた
    請求項１記載の半導体発光素子。
  4. 前記第１接続パッド、第２接続パッドおよび第３接続パッドを並列方向から挟み込むようにして配置された一対のマークを備えた
    請求項１記載の半導体発光素子。
  5. 光源と、
    記録媒体の載置される領域と前記光源との間に設けられた光学系と
    を備え、
    前記光源は、第１の発光素子および第２の発光素子を重ね合わせて形成された半導体発光素子を有し、
    前記第１の発光素子は、
    第１基板の前記第２の発光素子側に形成されたストライプ状の第１発光素子部と、
    前記第１発光素子部に電流を供給するストライプ状の第１電極と
    前記第１電極と電気的に接続された第１接続パッドと、
    前記第１接続パッド上に形成されたバンプと、
    前記第１電極の表面を含む面上に形成された絶縁膜と
    を備え、
    前記第２の発光素子は、
    第２基板の前記第１の発光素子側に互いに並列に形成されると共に、いずれか一方が前記第１発光素子部と対向配置されたストライプ状の第２発光素子部および第３発光素子部と、
    前記第２発光素子部および第３発光素子部に別個に電流を供給するストライプ状の第２電極および第３電極と、
    前記バンプと対向配置され、かつ前記バンプと電気的に接続された第１対向電極と、
    前記第１対向電極と電気的に接続された第２接続パッドと、
    前記第２電極および第３電極の各々と一つずつ電気的に接続された第３接続パッドおよび第４接続パッドと
    を有し、
    前記第２接続パッド、第３接続パッドおよび第４接続パッドは、前記第２の発光素子の前記第１の発光素子側にそれぞれ配置されている
    光ピックアップ装置。
  6. 光ピックアップ装置と、
    入力された情報を前記光ピックアップ装置に送信し、または記録媒体に書き込まれた情
    報を前記光ピックアップ装置から受信する情報処理部と
    を備え、
    前記光ピックアップ装置は、光源と、記録媒体の載置される領域と前記光源との間に設けられた光学系とを有し、
    前記光源は、第１の発光素子および第２の発光素子を重ね合わせて形成された半導体発光素子を有し、
    前記第１の発光素子は、
    第１基板の前記第２の発光素子側に形成されたストライプ状の第１発光素子部と、
    前記第１発光素子部に電流を供給するストライプ状の第１電極と
    前記第１電極と電気的に接続された第１接続パッドと、
    前記第１接続パッド上に形成されたバンプと、
    前記第１電極の表面を含む面上に形成された絶縁膜と
    を備え、
    前記第２の発光素子は、
    第２基板の前記第１の発光素子側に互いに並列に形成されると共に、いずれか一方が前記第１発光素子部と対向配置されたストライプ状の第２発光素子部および第３発光素子部と、
    前記第２発光素子部および第３発光素子部に別個に電流を供給するストライプ状の第２電極および第３電極と、
    前記バンプと対向配置され、かつ前記バンプと電気的に接続された第１対向電極と、
    前記第１対向電極と電気的に接続された第２接続パッドと、
    前記第２電極および第３電極の各々と一つずつ電気的に接続された第３接続パッドおよび第４接続パッドと
    を有し、
    前記第２接続パッド、第３接続パッドおよび第４接続パッドは、前記第２の発光素子の前記第１の発光素子側にそれぞれ配置されている
    情報記録再生装置。
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