JP2012033733A - 半導体レーザ装置および光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】受光素子が半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００は、上面上にワイヤボンド部５１ａ〜５４ａをそれぞれ有するパッド電極５１〜５４が配置されたサブマウント５０と、青紫色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０と、赤外半導体レーザ素子３５と、ＰＤ６０とを備える。ワイヤボンド部５１ａは、青紫色半導体レーザ素子２０の外側（Ｂ２側）かつＰＤ６０より前方（Ａ１側）に配置され、ワイヤボンド部５２ａは、ＰＤ６０のＢ２側かつワイヤボンド部５１ａより後方（Ａ２側）に配置される。ワイヤボンド部５３ａは、赤外半導体レーザ素子３５の外側（Ｂ１側）かつＰＤ６０より前方（Ａ１側）に配置され、ワイヤボンド部５４ａは、ＰＤ６０のＢ１側かつワイヤボンド部５３ａより後方に配置される。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザ装置および光装置に関し、特に、複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置および光装置に関する。
従来、複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
上記特許文献１には、サブマウント（基台）と、サブマウントの前方側の上面上にレーザ出射端面を前方に向けて固定される２波長半導体レーザ素子とを備えた２ビーム半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、サブマウントの２波長半導体レーザ素子の後方に、レーザ光強度をモニタする受光素子が設けられている。２波長半導体レーザ素子は、２波長半導体レーザ素子の側方のサブマウント上に配置されたパッド電極にワイヤボンディングされたワイヤを介して、リード端子と接続されている。
ＷＯ２００５／０３９００１号公報（再公表公報）
上記特許文献１に開示された２ビーム半導体レーザ装置において、発光点をさらに増やすために、たとえば、３つの半導体レーザ素子が横方向に並べられた３波長半導体レーザ素子をサブマウント上に固定する場合が考えられる。この場合、中央の半導体レーザ素子は、半導体レーザ素子の後方に配置された電極にワイヤボンディングされたワイヤを介して、リード端子に接続されると考えられる。しかしながら、中央の半導体レーザ素子の後方には受光素子が設けられているので、中央の半導体レーザ素子に関するモニタ用のレーザ出射光がワイヤによって遮られてしまう虞がある。このため、中央の半導体レーザ素子のレーザ光強度を受光素子が正確に検出することができないという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、受光素子が半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することが可能な半導体レーザ装置および光装置を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、基台の上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを備え、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、第１リード端子、第２リード端子、第５リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、第１方向に延びるとともに、第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、第５リード端子は、第１方向側の端部に基台を搭載する搭載部を有し、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、搭載部より第１方向と反対方向である第３方向側に配置され、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、それぞれ、第１方向側の端部に第５ワイヤボンド部、第６ワイヤボンド部、第７ワイヤボンド部および第８ワイヤボンド部を有しており、第１半導体レーザ素子の一方の電極および受光素子の上面は、それぞれ、第１電極および第２電極に接続され、第２半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか一方に接続され、第３半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか他方に接続され、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子の他方の電極と、受光素子の下面とは、共に、第５リード端子に接続され、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第２方向と反対側である第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、受光素子上の第４方向側または受光素子外の第４方向側、かつ、第１ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、受光素子より第２方向側、かつ、第３ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第５ワイヤボンド部とが第１ワイヤにより接続され、第２ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部とが第２ワイヤにより接続され、第３ワイヤボンド部と第８ワイヤボンド部とが第３ワイヤにより接続され、第４ワイヤボンド部と第７ワイヤボンド部とが第４ワイヤにより接続されている。
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第２方向と反対側である第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、受光素子上の第４方向側または受光素子外の第４方向側、かつ、第１ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、受光素子より第２方向側、かつ、第３ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第５ワイヤボンド部とが第１ワイヤにより接続され、第２ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部とが第２ワイヤにより接続され、第３ワイヤボンド部と第８ワイヤボンド部とが第３ワイヤにより接続され、第４ワイヤボンド部と第７ワイヤボンド部とが第４ワイヤにより接続されている。これにより、各々のワイヤが、各半導体レーザ素子と受光素子との間でモニタ用のレーザ出射光を遮ることがない。これにより、受光素子が各半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１リード端子の第１方向側の端部は第２リード端子に向かって屈曲し、第４リード端子の第１方向側の端部は第３リード端子に向かって屈曲し、第５ワイヤボンド部は、第６ワイヤボンド部より第１方向側に位置し、第８ワイヤボンド部は、第７ワイヤボンド部より第１方向側に位置する。このように構成すれば、第５ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部とが第１方向の同じ位置に設けられている場合と異なり、第５ワイヤボンド部と第１ワイヤボンド部とが近づくので第１ワイヤの長さをより短くすることができる。また、第７ワイヤボンド部と第８ワイヤボンド部とが第１方向の同じ位置に設けられている場合と異なり、第８ワイヤボンド部と第３ワイヤボンド部とが近づくので第３ワイヤの長さをより短くすることができる。また、ワイヤの長さが短いので、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子を保持するベース部をさらに備え、ベース部の第２方向の最大幅は、第１リード端子から第４リード端子までの第２方向の最大幅よりも小さい。このように構成すれば、ベース部の幅を広げることなく各リード端子間の間隔を広げることができるので、リード端子の形成を容易に行うことができる。また、各リード端子が互いに接触することを抑制することができる。さらには、ベース部に、第１〜第４リード端子のワイヤボンド部および第５リード端子の搭載部を容易に形成することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第５ワイヤボンド部は、第６ワイヤボンド部より第４方向側に位置し、第８ワイヤボンド部は、第７ワイヤボンド部より第２方向側に位置する。このように構成すれば、第５ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部との間隔、および、第８ワイヤボンド部と第７ワイヤボンド部との間隔をそれぞれ確保することができるので、各々のリード端子のワイヤボンド部同士が互いに接触することを抑制することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、共に、基台の上面上に接合される側に活性層を有する。このように構成すれば、各半導体レーザ素子は、基台に対してジャンクションダウンで実装されるので、各々の半導体レーザ素子から基台に向かって効率よく放熱することができる。その結果、各半導体レーザ素子の温度特性および信頼性を向上させることができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第２半導体レーザ素子の一方の電極は、第４電極に接続されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子と第３半導体レーザ素子とに挟まれて配置されている第２半導体レーザ素子を、後方の受光素子との光路上に配置されていない第４ワイヤボンド部（第４電極）を介して、容易に外部端子とワイヤ接続を行うことができる。また、第４電極の第４ワイヤボンド部は、第３ワイヤボンド部（第３電極）よりも後方に位置するので、長さがより短いワイヤを用いて第２半導体レーザ素子と外部端子とを接続することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、受光素子は、基台の内部に作り込まれており、基台の上面上に受光素子の受光面が配置されている。このように構成すれば、各半導体レーザ素子のレーザ光強度を容易に検出することができる。
この発明の第２の局面による光装置は、上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、基台の上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを含む半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、第１リード端子、第２リード端子、第５リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、第１方向に延びるとともに、第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、第５リード端子は、第１方向側の端部に基台を搭載する搭載部を有し、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、搭載部より第１方向と反対方向である第３方向側に配置され、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、それぞれ、第１方向側の端部に第５ワイヤボンド部、第６ワイヤボンド部、第７ワイヤボンド部および第８ワイヤボンド部を有しており、第１半導体レーザ素子の一方の電極および受光素子の上面は、それぞれ、第１電極および第２電極に接続され、第２半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか一方に接続され、第３半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか他方に接続され、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子の他方の電極と、受光素子の下面とは、共に、第５リード端子に接続され、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第２方向と反対側である第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、受光素子上の第４方向側または受光素子外の第４方向側、かつ、第１ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、受光素子より第２方向側、かつ、第３ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第５ワイヤボンド部とが第１ワイヤにより接続され、第２ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部とが第２ワイヤにより接続され、第３ワイヤボンド部と第８ワイヤボンド部とが第３ワイヤにより接続され、第４ワイヤボンド部と第７ワイヤボンド部とが第４ワイヤにより接続されている。
この発明の第２の局面による光装置では、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第２方向と反対側である第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、受光素子上の第４方向側または受光素子外の第４方向側、かつ、第１ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、受光素子より第２方向側、かつ、第３ワイヤボンド部より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第５ワイヤボンド部とが第１ワイヤにより接続され、第２ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部とが第２ワイヤにより接続され、第３ワイヤボンド部と第８ワイヤボンド部とが第３ワイヤにより接続され、第４ワイヤボンド部と第７ワイヤボンド部とが第４ワイヤにより接続されている。これにより、各々のワイヤが、各半導体レーザ素子と受光素子との間でモニタ用のレーザ出射光を遮ることがない。これにより、受光素子が各半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することができる。この結果、半導体レーザ装置を安定的に動作させることが可能な信頼性の高い光装置を得ることができる。
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の詳細な構造を示した上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向から見たときの正面図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した上面図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の詳細な構造を示した上面図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向から見たときの正面図である。 本発明の第２実施形態の変形例による半導体レーザ装置において半導体レーザ素子を取り除いた状態でのサブマウントの上面を示した上面図である。 本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置１００の構造について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置１００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
ベース部１０は、樹脂モールド成型の絶縁体からなる。ベース部１０は、約１．９ｍｍの厚み（Ｃ２方向）を有する。ベース部１０は、出射側である前方（Ａ１側）の前面１０ｅで幅方向（Ｂ１、Ｂ２方向）の幅Ｗ６を有し、後方（Ａ２側）で幅Ｗ１（Ｗ１＞Ｗ６）を有する。また、ベース部１０は、図１に示すように、上面１０ａに凹部１０ｂを有している。また、凹部１０ｂは、ベース部１０の厚みの約半分の深さを有している。また、凹部１０ｂは、上面１０ａ側（Ｃ２側）に開口する幅Ｗ２を有する開口部１０ｃと、前面１０ｅ側（Ａ１側）に開口する幅Ｗ３（Ｗ３＜Ｗ２）を有する開口部１０ｄとを有している。また、開口部１０ｃおよび１０ｄは、上面１０ａから前面１０ｅにかけて繋がっている。また、凹部１０ｂは、開口部１０ｄのＢ方向の両端においてＡ方向の前後方向に延びる一対の側壁１０ｆと、側壁１０ｆの後方の端部をＢ方向に繋ぐ後壁１０ｇと、側壁１０ｆおよび後壁１０ｇが下部（紙面奥側）で繋がる底面とによって構成されている。また、ベース部１０の外側面１０ｉのＡ１側は、上面１０ａ側から見て、後面１０ｈから前面１０ｅに向かって幅が小さくなるように先細りする外形形状を有している。ここで、ベース部１０の前方および後方は、それぞれ、本発明の「第１方向」および「第３方向」の一例である。また、ベース部１０のＢ１方向およびＢ２方向は、それぞれ、本発明の「第２方向」および「第４方向」の一例である。
また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなり約０．４ｍｍの厚みを有するリード端子１１、１２、１３、１４および１５が設けられている。なお、リード端子１１、１２、１３、１４および１５は、それぞれ、本発明の「第１リード端子」、「第２リード端子」、「第３リード端子」、「第４リード端子」および「第５リード端子」の一例である。ここで、リード端子１５がベース部１０のＢ方向の略中心に配置されている。そして、Ｂ２側からＢ１側に向かって、リード端子１１、リード端子１２、リード端子１５、リード端子１３およびリード端子１４がこの順に配置されている。
リード端子１１〜１５は、互いに絶縁されている。Ａ１側の端部であるリード端子１１〜１５の前端は、凹部１０ｂ内に配置される。リード端子１２、１３および１５は、ベース部１０の後壁１０ｇから後面１０ｈまでを貫通して後方へ延びる。リード端子１１および１４は、ベース部１０の側壁１０ｆから後面１０ｈおよび外側面１０ｉまでを貫通して後方に延びる。リード端子１１〜１４の前端に、ワイヤボンド部１１ａ〜１４ａが配置される。リード端子１５の前端に、搭載部１５ａが配置される。また、搭載部１５ａは、ワイヤボンド部１１ａ〜１４ａの前方において凹部１０ｂの底面上でＢ方向に広がっている。なお、ワイヤボンド部１１ａ、１２ａ、１３ａおよび１４ａは、それぞれ、本発明の「第５ワイヤボンド部」、「第６ワイヤボンド部」、「第７ワイヤボンド部」および「第８ワイヤボンド部」の一例である。
ここで、幅Ｗ１は、リード端子１１からリード端子１４までの最大幅Ｗ４よりも小さい（Ｗ１＜Ｗ４）。リード端子１２および１３は、Ａ１側の端部の前端がリード端子１５側に屈曲している。これにより、ワイヤボンド部１２ａおよび１３ａは、各々のリード端子のＡ２側の端部の後端よりも凹部１０ｂ内においてリード端子１５に近づいている。また、リード端子１１は、リード端子１２の外側（Ｂ２側）からリード端子１５側（Ｂ１側）に屈曲しており、後端よりワイヤボンド部１１ａがリード端子１５に近づいている。同様に、リード端子１４は、リード端子１３の外側（Ｂ１側）からリード端子１５側（Ｂ２側）に屈曲しており、後端よりワイヤボンド部１４ａがリード端子１５に近づいている。
また、図１に示すように、ワイヤボンド部１１ａおよび１４ａは、それぞれ、ワイヤボンド部１２ａおよび１３ａよりも前方に位置している。また、ワイヤボンド部１１ａは、ワイヤボンド部１２ａよりも外側（Ｂ２側）のリード端子１１寄りの位置に配置されるとともに、ワイヤボンド部１４ａは、ワイヤボンド部１３ａよりも外側（Ｂ１側）のリード端子１４寄りの位置に配置されている。
また、一対の放熱部１５ｄが搭載部１５ａのＢ方向の両側に略対称に配置されている。また、放熱部１５ｄは、側壁１０ｆから外側面１０ｉまでをＢ１方向およびＢ２方向に貫通してベース部１０の外部に露出している。ここで、リード端子１５と、搭載部１５ａと放熱部１５ｄとは、約０．４ｍｍの厚みを有して一体的に形成される。
サブマウント５０は、搭載部１５ａの上面略中央において、下面側が導電性接着層（図示せず）を介して接合されている。また、サブマウント５０は、約１．５ｍｍの幅Ｗ５（Ｂ方向）を有する前面５０ｅを搭載部１５ａのＡ１側に向けて配置されており、前面５０ｅが前面１０ｅと略平行に配置されている。また、サブマウント５０は、平面的に見て略矩形形状を有している。なお、サブマウント５０は、本発明の「基台」の一例である。
約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子２０と、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子３０および約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子３５がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子４０とが、ｎ型Ｓｉからなるサブマウント５０上に固定されている。なお、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」、「第２半導体レーザ素子」および「第３半導体レーザ素子」の一例である。
なお、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０の各々に形成されている一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面であり、相対的に小さい方の端面が光反射面である。したがって、レーザ光は、Ａ１方向に出射される。また、各々の半導体レーザ素子の光出射面は、前面５０ｅと同一面上に揃えられている。また、各々の半導体レーザ素子の光出射面および光反射面には、製造プロセスにおける端面コート処理により、ＡｌＮ膜やＡｌ２Ｏ３膜などからなる誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。
また、図３に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０は、互いに所定の間隔を隔てて幅方向に隣接している。ここで、青紫色半導体レーザ素子２０では、ｎ型ＧａＮ基板の表面（下面）上に活性層を含む窒化物系半導体からなる半導体素子層が形成されている。また、２波長半導体レーザ素子４０は、共通のｎ型ＧａＡｓ基板の表面（下面）上に底面がｎ型ＧａＡｓ基板まで達する凹部４５（溝部）を隔ててＢ２側に赤色半導体レーザ素子３０とＢ１側に赤外半導体レーザ素子３５とが形成された構造を有している。また、赤色半導体レーザ素子３０は、ＧａＡｓ系の半導体材料からなり、赤外半導体レーザ素子３５は、ＧａＩｎＰ系の半導体材料からなる。
また、青紫色半導体レーザ素子２０の半導体素子層の下面側（Ｃ１側）には、共振器の延びるＡ方向に延びるリッジ２０ａ（凸部）が形成されている。これにより、リッジ２０ａの上部（Ｃ２側）の活性層の部分に、青紫色半導体レーザ素子２０の発光点（光導波路）が構成されている。また、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５の各々の半導体素子層の下面側には、リッジ３０ａおよび３５ａが形成されている。これにより、各々のリッジ上部の活性層の部分に、赤色半導体レーザ素子３０の発光点と赤外半導体レーザ素子３５の発光点とがそれぞれ構成されている。また、図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０の共振器長（Ａ方向）は、２波長半導体レーザ素子４０の共振器長の約半分である。ここで、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０は、それぞれ、光出射面を開口部１０ｄ側に向けてサブマウント５０に対してジャンクションダウン方式で取り付けられている。すなわち、図３に示すように、各々の半導体レーザ素子の半導体素子層が形成された側が、上面５０ａに対向して固定されている。
また、サブマウント５０の後方の、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０の光反射面には、レーザ光強度をモニタするために用いられるフォトダイオード（ＰＤ）６０が配置されている。ＰＤ６０は、サブマウント５０の表面に埋め込まれた状態で作り込まれており、上面５０ａ上の一部にＰＤ６０のｐ型領域となる受光面６０ａが露出している。なお、ＰＤ６０は、本発明の「受光素子」の一例であり、受光面６０ａは、本発明の「受光素子の上面」の一例である。
また、サブマウント５０の上面５０ａ上には、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０の各々が接合される位置に、パッド電極５１、５３および５４が互いに絶縁された状態で設けられている。詳細には、図２に示すように、略矩形形状を有し青紫色半導体レーザ素子２０の側方（Ｂ２側）に突出するパッド電極５１は、上面５０ａ上の前方かつ幅方向の一方（Ｂ２側）の隅に設けられている。また、略矩形形状を有し赤外半導体レーザ素子３５の側方（Ｂ１側）に突出するパッド電極５３は、上面５０ａ上の前方かつ幅方向の他方（Ｂ１側）の隅に設けられている。また、パッド電極５１と５３とは、幅方向に所定の間隔を隔てて略平行に設けられており、パッド電極５１と５３との間にパッド電極５４が配置されている。パッド電極５４は、サブマウント５０の幅方向の略中央において前面５０ｅ近傍からＰＤ６０の前端近傍まで後方に延びた後、パッド電極５３の後方へ延びてサブマウント５０の側方近傍（Ｂ１側）に達する。そして、サブマウント５０の側方近傍から、再度後方に向かってサブマウント５０の後方の隅まで延びている。これにより、パッド電極５４は、サブマウント５０の後方のＰＤ６０を避けて引き出されている。なお、パッド電極５１、５３および５４は、それぞれ、本発明の「第１電極」、「第３電極」および「第４電極」の一例である。また、パッド電極５１、５３および５４は、共に上面５０ａ上に形成されたＳｉＯ２からなる絶縁膜５５上に形成されており、各々のパッド電極とサブマウント５０とは絶縁されている。
この状態で、図３に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０は、下面上に形成されたｐ側電極２１が、導電性接着層５を介してパッド電極５１に接合されている。また、２波長半導体レーザ素子４０の赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５は、各々の下面上に形成されたｐ側電極３１および３６が、導電性接着層５を介してパッド電極５４および５３にそれぞれ接合されている。なお、ｐ側電極２１、３１および３６は、本発明の「一方の電極」の一例である。
また、図２に示すように、ＰＤ６０の一方（Ｂ２側）の隅には、ＰＤ６０のｐ型領域と導通するパッド電極５２が設けられている。なお、ＰＤ６０は、周囲を取り囲む絶縁膜５５に設けられた開口部５５ａから上面（受光面６０ａ）が露出しており、この開口部５５ａ内の一部においてＰＤ６０とパッド電極５２とが接続されている。また、パッド電極５２は、ＰＤ６０の後方の縁部からＰＤ６０外のサブマウント５０の上面５０ａ上に亘ってＢ２方向に延びている。なお、パッド電極５２は、本発明の「第２電極」の一例である。また、ＰＤ６０外のパッド電極５２は、絶縁膜５５上に形成されており、パッド電極５２とサブマウント５０とは絶縁されている。
この際、図２に示すように、ワイヤボンド部５１ａは、青紫色半導体レーザ素子２０の赤色半導体レーザ素子３０とは反対（Ｂ２側）の外側で、かつ、ＰＤ６０よりも前方のパッド電極５１の一部分に位置している。また、ワイヤボンド部５２ａは、リード端子１１側（Ｂ２側）で、かつ、ワイヤボンド部５１ａよりも後方のパッド電極５２の一部分に位置している。ここで、ワイヤボンド部５２ａは、ＰＤ６０（受光面６０ａ）外の領域に配置されている。
また、ワイヤボンド部５３ａは、赤外半導体レーザ素子３５の赤色半導体レーザ素子３０とは反対（Ｂ１側）の外側で、かつ、ＰＤ６０よりも前方のパッド電極５３の一部分に位置している。また、ワイヤボンド部５４ａは、リード端子１４側（Ｂ１側）で、かつ、ワイヤボンド部５３ａよりも後方のパッド電極５４の一部分に位置している。つまり、ワイヤボンド部５１ａ〜５４ａは、サブマウント５０上の略４隅の領域に配置されている。なお、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａは、それぞれ、本発明の「第１ワイヤボンド部」、「第２ワイヤボンド部」、「第３ワイヤボンド部」および「第４ワイヤボンド部」の一例である。
また、ワイヤボンド部５１ａには、Ａｕなどからなる金属線９１の一端が接続されており、他端は、ワイヤボンド部１１ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の基板の上面に形成されているｎ側電極２２には、金属線９５の一端が接続されており、他端は、サブマウント５０の側方（Ｂ２側）で搭載部１５ａに接続されている。また、ワイヤボンド部５２ａには、金属線９２の一端が接続されており、他端は、ワイヤボンド部１２ａに接続されている。また、ワイヤボンド部５３ａには、金属線９３の一端が接続されており、他端は、ワイヤボンド部１４ａに接続されている。また、ワイヤボンド部５４ａには、金属線９４の一端が接続されており、他端は、ワイヤボンド部１３ａに接続されている。なお、金属線９１、９２、９３および９４は、それぞれ、本発明の「第１ワイヤ」、「第２ワイヤ」、「第３ワイヤ」および「第４ワイヤ」の一例である。また、ｎ側電極２２は、本発明の「他方の電極」の一例である。
また、２波長半導体レーザ素子４０の基板の上面上に形成されているｎ側電極４２（共通電極）には、金属線９６の一端が接続されており、他端は、サブマウント５０の側方（Ｂ１側）で搭載部１５ａに接続されている。また、サブマウント５０の下面は、Ａｌなどからなる下部電極５６を介して搭載部１５ａに電気的に接続されている。これにより、各半導体レーザ素子に対して正極のリード端子から個別に電流を供給することが可能であり、各半導体レーザ素子およびＰＤ６０は、ｎ側電極が共通の端子（リード端子１５）に接続される。なお、ｎ側電極４２は、本発明の「他方の電極」の一例である。
第１実施形態では、上記のように、上面５０ａ上においてワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａが、上記のような位置関係を有しており、この状態で、各々のワイヤボンド部５１ａ〜５４ａとリード端子１１〜１４とが、金属線９１〜９４により接続されている。これにより、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａの全てを、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０とＰＤ６０との間の領域以外の上面５０ａ上に配置することができる。これにより、金属線９１〜９４が、各半導体レーザ素子とＰＤ６０との間に介在してモニタ用のレーザ出射光を遮ることがない。これにより、ＰＤ６０が青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０のレーザ光強度を正確に検出することができる。
また、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａは、サブマウント５０上の略４隅に配置されている。これにより、各ワイヤボンド部が互いに離れた位置関係となるので、金属線９１〜９４を容易にワイヤボンディングすることができるとともに、金属線同士が接触することを容易に抑制することができる。
また、ワイヤボンド部１１ａおよび１４ａは、それぞれ、ワイヤボンド部１２ａおよび１３ａよりも前方に位置している。これにより、ワイヤボンド部１１ａとワイヤボンド部１２ａとが前後方向の同じ位置に設けられている場合と異なり、ワイヤボンド部１１ａとワイヤボンド部５１ａとが前後方向に近づくので金属線９１の長さをより短くすることができる。同様に、ワイヤボンド部１４ａとワイヤボンド部５３ａとが前後方向に近づくので金属線９３の長さをより短くすることができる。また、金属線の長さが短いので、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
また、金属線９２が、ワイヤボンド部１２ａと５２ａとを接続し、金属線９４が、ワイヤボンド部１３ａと５４ａとを接続している。これにより、サブマウント５０のワイヤボンド部のうち後方側に位置するワイヤボンド部５２ａおよび５４ａと、リード端子のワイヤボンド部のうち後方側に位置するワイヤボンド部１２ａおよび１３ａとがそれぞれ接続されるので、金属線９２および９４の長さを短くすることができる。また、金属線の長さが短いので、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
また、幅Ｗ１は、幅Ｗ４よりも小さい。これにより、ベース部１０の幅を広げることなくリード端子１１〜１５における各リード端子間の間隔（Ｂ方向）を広げることができるので、リード端子の形成を容易に行うことができる。また、各リード端子１１〜１５が互いに幅方向（Ｂ方向）に接触することを抑制することができる。
また、ワイヤボンド部１１ａは、ワイヤボンド部１２ａよりも外側のリード端子１１寄りの位置に配置されるとともに、ワイヤボンド部１４ａは、ワイヤボンド部１３ａよりも外側のリード端子１４寄りの位置に配置されている。これにより、金属線９１と９２とが接触することを容易に抑制することができるとともに、金属線９３と９４とが接触することを容易に抑制することができる。
また、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０は、サブマウント５０側に半導体素子層が形成されている。すなわち、各半導体レーザ素子は、サブマウント５０に対してジャンクションダウン方式で実装されるので、発熱源となる半導体素子層からサブマウント５０に向かって効率よく放熱することができる。その結果、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５の各々の温度特性および信頼性を向上させることができる。
なお、３波長半導体レーザ装置１００では、リード端子１５が搭載部１５ａの両側に接続される放熱部１５ｄを備えており、放熱部１５ｄは、ベース部１０よりも外側に延びている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０が発する熱を、サブマウント５０および放熱部１５ｄを介して効率よく放熱することができる。
また、赤色半導体レーザ素子３０は、パッド電極５４に接続されている。これにより、中央の赤色半導体レーザ素子３０に接続する配線パターン（金属線９４）を、赤色半導体レーザ素子３０後方からワイヤボンド部５４ａに接続することで、配線パターンの長さを短くすることができる。また、中央の赤色半導体レーザ素子３０の配線パターンをレーザの光出射面側に形成しないことで、３つの半導体レーザ素子の光出射面の位置を同一平面に揃えやすくすることができる。
また、ＰＤ６０は、サブマウント５０の内部に作り込まれているとともに、上面５０ａ上にＰＤ６０の受光面６０ａが配置されている。これにより、受光面６０ａの高さと、各半導体レーザ素子２０、３０および３５の発光点の高さとを容易に略一致させることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５の各々のレーザ光強度を容易に検出することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による３波長半導体レーザ装置２００について説明する。この３波長半導体レーザ装置２００では、図４〜図６に示すように、サブマウント５０のＢ方向の略中央に青紫色半導体レーザ素子２０が配置されるとともに、青紫色半導体レーザ素子２０の上方をＢ方向に跨いで２波長半導体レーザ素子４０が配置されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０のＢ２側およびＢ１側に、２波長半導体レーザ素子４０を構成する赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５がそれぞれ配置されている。なお、３波長半導体レーザ装置２００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。また、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５は、それぞれ、本発明の「第２半導体レーザ素子」、「第１半導体レーザ素子」および「第３半導体レーザ素子」の一例である。
すなわち、図６に示すように、２波長半導体レーザ素子４０は、赤色半導体レーザ素子３０と赤外半導体レーザ素子３５との間に凹部４５を有している。また、凹部４５の底面上に、前後方向に延びるパッド電極４７が形成されている。そして、青紫色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２２が、導電性接着層５を介してパッド電極４７に接合されている。
したがって、第２実施形態では、２波長半導体レーザ素子４０の上面に形成されているｎ側電極４２と搭載部１５ａとが、金属線９５により接続されることにより、カソードコモン結線が実現されている。
また、金属線９１は、パッド電極５１を介して赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３１とリード端子１１とを電気的に接続し、金属線９３は、パッド電極５３を介して赤外半導体レーザ素子３５のｐ側電極３６とリード端子１４とを電気的に接続している。また、金属線９４は、パッド電極５４を介して青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２１とリード端子１３とを接続している。
また、図５に示すように、パッド電極５２は、ＰＤ６０の後方の略全ての縁部領域に沿ってＢ方向に延びている。そして、金属線９２は、ＰＤ６０（受光面６０ａ）内に配置されたワイヤボンド部５２ａの部分に接続されている。
また、リード端子１１〜１４は、リード端子１５と略平行な間隔を保ったまま直線的に延びてベース部１０を前方（Ａ１方向）に貫通している。したがって、ベース部１０の幅Ｗ１は、リード端子１１からリード端子１４までの最大幅Ｗ７よりも大きい（Ｗ１＞Ｗ７）。なお、凹部１０ｂ内において、各々のリード端子の前端領域がリード端子１５側に近づくように屈曲している。また、幅Ｗ７が幅Ｗ１よりも小さいので、ベース部１０の両側に設けられた放熱部１５ｄを、第１実施形態よりも後方の位置（Ａ２側）まで延びて形成することができる。
なお、３波長半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。また、第２実施形態の効果は、第１実施形態と同様である。
（第２実施形態の変形例）
次に、第２実施形態の変形例による３波長半導体レーザ装置２０５について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置２０５は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
すなわち、図７に示すように、パッド電極５３のＡ１側の端部は、パッド電極５４の下側でＢ１方向に交差しており、パッド電極５４とサブマウント５０のＢ１側の側端部との間の領域にまで延びている。なお、パッド電極５３とパッド電極５４とが交差する領域では、パッド電極５３とパッド電極５４との間に絶縁膜５６が形成されている。そして、ワイヤボンド部５３ａは、パッド電極５３上のＡ１側かつＢ１側の領域に設けられている。また、パッド電極５４のＡ２側の端部は、ＰＤ６０を避けるようにＰＤ６０とサブマウント５０のＢ１側の側端部との間を通って、サブマウント５０の後方の隅まで延びている。そして、ワイヤボンド部５４ａは、パッド電極５４上のＡ２側の端部に設けられている。したがって、青紫色半導体レーザ素子２０は、金属線９３を介してリード端子１４に接続されるとともに、赤外半導体レーザ素子３５は、金属線９４を介してリード端子１３に接続される。
なお、第２実施形態の変形例による３波長半導体レーザ装置２０５のその他の構成は、第２実施形態と略同様であって、図中において、第２実施形態と同じ符号を付して図示している。また、第２実施形態の変形例の効果は、第２実施形態と同様である。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置３００について説明する。なお、光ピックアップ装置３００は、本発明の「光装置」の一例である。
光ピックアップ装置３００は、図８に示すように、上記第１実施形態の３波長半導体レーザ装置１００と、３波長半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光を調整する光学系３２０と、レーザ光を受光する光検出部３３０とを備えている。
光学系３２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３２１、コリメータレンズ３２２、ビームエキスパンダ３２３、λ／４板３２４、対物レンズ３２５、シリンドリカルレンズ３２６および光軸補正素子３２７を有している。
また、ＰＢＳ３２１は、３波長半導体レーザ装置１００から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク３３５から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ３２２は、ＰＢＳ３２１を透過した３波長半導体レーザ装置１００からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ３２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、３波長半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。
また、λ／４板３２４は、コリメータレンズ３２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板３２４は光ディスク３３５から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、３波長半導体レーザ装置１００から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク３３５から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ３２１によって略全反射される。対物レンズ３２５は、λ／４板３２４を透過したレーザ光を光ディスク３３５の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ３２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能にされている。
また、ＰＢＳ３２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ３２６、光軸補正素子３２７および光検出部３３０が配置されている。シリンドリカルレンズ３２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子３２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ３２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部３３０の検出領域上で一致するように配置されている。
また、光検出部３３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部３３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、３波長半導体レーザ装置１００を備えた光ピックアップ装置３００が構成される。
この光ピックアップ装置３００では、３波長半導体レーザ装置１００は、リード端子１５と、リード端子１１〜１４との間に、それぞれ、独立して電圧を印加することによって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能である。また、３波長半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ３２１、コリメータレンズ３２２、ビームエキスパンダ３２３、λ／４板３２４、対物レンズ３２５、シリンドリカルレンズ３２６および光軸補正素子３２７により調整された後、光検出部３３０の検出領域上に照射される。
ここで、光ディスク３３５に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク３３５の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部３３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ３２３のアクチュエータと対物レンズ３２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
また、光ディスク３３５に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０（赤外半導体レーザ素子３５）から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク３３５にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク３３５の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部３３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ３２３のアクチュエータと対物レンズ３２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
このようにして、３波長半導体レーザ装置１００を備えた光ピックアップ装置３００を用いて、光ディスク３３５への記録および再生を行うことができる。
光ピックアップ装置３００では、上記３波長半導体レーザ装置１００を備えている。これにより、３波長半導体レーザ装置１００を安定的に動作させることが可能な信頼性の高い光ピックアップ装置３００を得ることができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第１実施形態において、青紫色半導体レーザ素子２０の隣に、赤外半導体レーザ素子３５および赤色半導体レーザ素子３０がこの順序で配置されていてもよい。また、上記第２実施形態において、中央の青紫色半導体レーザ素子２０のＢ１側に赤色半導体レーザ素子３０が配置され、Ｂ２側に赤外半導体レーザ素子３５が配置されてもよい。
また、上記第１〜第３実施形態では、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０をジャンクションダウン方式でサブマウント５０上に接合した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、各半導体レーザ素子のｎ側電極側がサブマウント５０上に接合されるジャンクションアップ方式であってもよい。あるいは、一方の半導体レーザ素子がジャンクションダウン方式で接合され、他方の半導体レーザ素子がジャンクションアップ方式で接合されていてもよい。
また、上記第１〜第３実施形態では、２波長半導体レーザ素子４０はモノリシックに形成されていたが、本発明はこれに限られない。たとえば、別々に形成された赤色半導体レーザ素子３０と赤外半導体レーザ素子３５とがそれぞれサブマウント５０上に接合されてもよい。すなわち、この場合は、青紫色半導体レーザ素子２０を含めた３個の半導体レーザ素子がサブマウント５０上に隣接して接合される。
また、上記第１〜第３実施形態では、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５を用いていたが、本発明はこれに限られない。すなわち、他の発振波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子を用いることができる。たとえば、本発明の「半導体レーザ装置」として、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を用いてＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成してもよい。また、個々の半導体レーザ素子が、ＧａＮ系半導体、ＧａＡｓ系半導体およびＧａＩｎＰ系半導体以外の半導体材料から構成されていてもよい。さらには、同じ波長のレーザ光を出射する３つの半導体レーザ素子が隣接して接合されていてもよい。
また、上記第１〜第３実施形態では、３つの半導体レーザ素子がサブマウント５０上に接合されていたが、本発明はこれに限らず、４つ以上の半導体レーザ素子を用いて半導体レーザ装置を構成してもよい。すなわち、ベース部に保持されるリード端子を６本以上備えていてもよい。
また、上記第３実施形態では、３波長半導体レーザ装置１００を備えた光ピックアップ装置３００について示したが、本発明はこれに限らず、上記第２実施形態における３波長半導体レーザ装置２００または上記第２実施形態の変形例における３波長半導体レーザ装置２０５を用いて光ピックアップ装置を構成してもよい。
また、上記第３実施形態では、光ピックアップ装置３００について示したが、本発明はこれに限らず、本発明の半導体レーザ装置を、ＣＤ、ＤＶＤまたはＢＤなどの光ディスクの記録または再生を行う光ディスク装置に適用してもよい。さらには、本発明の「半導体レーザ装置」として、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を用いてＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成してもよい。上記ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を用いて、本発明の「光装置」としてプロジェクタ装置を構成してもよい。
１０ ベース部
１１ リード端子（第１リード端子）
１１ａ ワイヤボンド部（第５ワイヤボンド部）
１２ リード端子（第２リード端子）
１２ａ ワイヤボンド部（第６ワイヤボンド部）
１３ リード端子（第３リード端子）
１３ａ ワイヤボンド部（第７ワイヤボンド部）
１４ リード端子（第４リード端子）
１４ａ ワイヤボンド部（第８ワイヤボンド部）
１５ リード端子（第５リード端子）
１５ａ 搭載部
２０ 青紫色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
２１、３１、３６ ｐ側電極（一方の電極）
２２、４２ ｎ側電極（他方の電極）
３０ 赤色半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
３５ 赤外半導体レーザ素子（第３半導体レーザ素子）
５０ サブマウント（基台）
５０ａ 上面（基台の上面）
５１ パッド電極（第１電極）
５１ａ ワイヤボンド部（第１ワイヤボンド部）
５２ パッド電極（第２電極）
５２ａ ワイヤボンド部（第２ワイヤボンド部）
５３ パッド電極（第３電極）
５３ａ ワイヤボンド部（第３ワイヤボンド部）
５４ パッド電極（第４電極）
５４ａ ワイヤボンド部（第４ワイヤボンド部）
６０ ＰＤ（受光素子）
６０ａ 受光面６０ａ（受光素子の上面）
９１ 金属線（第１ワイヤ）
９２ 金属線（第２ワイヤ）
９３ 金属線（第３ワイヤ）
９４ 金属線（第４ワイヤ）
１００、２００、２０５ ３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
３００ 光ピックアップ装置（光装置）
３２０ 光学系

Claims (8)

  1. 上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、
    前記基台の前記上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、
    第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを備え、
    前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、
    前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第５リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記第１方向に延びるとともに、前記第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、
    前記第５リード端子は、前記第１方向側の端部に前記基台を搭載する搭載部を有し、
    前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記搭載部より前記第１方向と反対方向である第３方向側に配置され、
    前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、それぞれ、前記第１方向側の端部に第５ワイヤボンド部、第６ワイヤボンド部、第７ワイヤボンド部および第８ワイヤボンド部を有しており、
    前記第１半導体レーザ素子の一方の電極および前記受光素子の上面は、それぞれ、前記第１電極および前記第２電極に接続され、
    前記第２半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか一方に接続され、
    前記第３半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか他方に接続され、
    前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子、前記第３半導体レーザ素子の他方の電極と、前記受光素子の下面とは、共に、前記第５リード端子に接続され、
    前記第１ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第２方向と反対側である第４方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    前記第２ワイヤボンド部は、前記受光素子上の前記第４方向側または前記受光素子外の前記第４方向側、かつ、前記第１ワイヤボンド部より前記第３方向側に配置され、
    前記第３ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第２方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    前記第４ワイヤボンド部は、前記受光素子より前記第２方向側、かつ、前記第３ワイヤボンド部より前記第３方向側に配置され、
    前記第１ワイヤボンド部と前記第５ワイヤボンド部とが第１ワイヤにより接続され、
    前記第２ワイヤボンド部と前記第６ワイヤボンド部とが第２ワイヤにより接続され、
    前記第３ワイヤボンド部と前記第８ワイヤボンド部とが第３ワイヤにより接続され、
    前記第４ワイヤボンド部と前記第７ワイヤボンド部とが第４ワイヤにより接続されている、半導体レーザ装置。
  2. 前記第１リード端子の前記第１方向側の端部は前記第２リード端子に向かって屈曲し、
    前記第４リード端子の前記第１方向側の端部は前記第３リード端子に向かって屈曲し、
    前記第５ワイヤボンド部は、前記第６ワイヤボンド部より前記第１方向側に位置し、
    前記第８ワイヤボンド部は、前記第７ワイヤボンド部より前記第１方向側に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子、前記第４リード端子および前記第５リード端子を保持するベース部をさらに備え、
    前記ベース部の前記第２方向の最大幅は、前記第１リード端子から前記第４リード端子までの前記第２方向の最大幅よりも小さい、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記第５ワイヤボンド部は、前記第６ワイヤボンド部より前記第４方向側に位置し、
    前記第８ワイヤボンド部は、前記第７ワイヤボンド部より前記第２方向側に位置する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、共に、前記基台の上面上に接合される側に活性層を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
  6. 前記第２半導体レーザ素子の前記一方の電極は、前記第４電極に接続されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
  7. 前記受光素子は、前記基台の内部に作り込まれており、
    前記基台の上面上に前記受光素子の受光面が配置されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
  8. 上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、前記基台の前記上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを含む半導体レーザ装置と、
    前記半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、
    前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、
    前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第５リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記第１方向に延びるとともに、前記第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、
    前記第５リード端子は、前記第１方向側の端部に前記基台を搭載する搭載部を有し、
    前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記搭載部より前記第１方向と反対方向である第３方向側に配置され、
    前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、それぞれ、前記第１方向側の端部に第５ワイヤボンド部、第６ワイヤボンド部、第７ワイヤボンド部および第８ワイヤボンド部を有しており、
    前記第１半導体レーザ素子の一方の電極および前記受光素子の上面は、それぞれ、前記第１電極および前記第２電極に接続され、
    前記第２半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか一方に接続され、
    前記第３半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか他方に接続され、
    前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子、前記第３半導体レーザ素子の他方の電極と、前記受光素子の下面とは、共に、前記第５リード端子に接続され、
    前記第１ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第２方向と反対側である第４方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    前記第２ワイヤボンド部は、前記受光素子上の前記第４方向側または前記受光素子外の前記第４方向側、かつ、前記第１ワイヤボンド部より前記第３方向側に位置し、
    前記第３ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第２方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    前記第４ワイヤボンド部は、前記受光素子より前記第２方向側、かつ、前記第３ワイヤボンド部より前記第３方向側に配置され、
    前記第１ワイヤボンド部と前記第５ワイヤボンド部とが第１ワイヤにより接続され、
    前記第２ワイヤボンド部と前記第６ワイヤボンド部とが第２ワイヤにより接続され、
    前記第３ワイヤボンド部と前記第８ワイヤボンド部とが第３ワイヤにより接続され、
    前記第４ワイヤボンド部と前記第７ワイヤボンド部とが第４ワイヤにより接続されている、光装置。
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