JP2009044026A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体レーザ素子で発生した熱を、効率よく逃がす。
【解決手段】半導体レーザ素子１０とサブマウント１１は接合し、サブマウント１１と接ヒートシンク１２は接合し、ヒートシンク１２の側面部にフランジ１４があり、ヒートシンク１２はフランジ１４の中心穴を通り、且つフランジ１４の下面側に突き出し、フランジ下面側１４に突き出た部分は、ペルチェ素子２２０と接触し、更に、フランジ下面にはレーザ駆動基板１００、またレーザ駆動基板１００の下面側に放熱部材２００を設け、レーザ駆動基板１００の中心にはスルーホール１０２があり、レーザ駆動基板１００の上面部と下面部に伝熱部材１０１があり、スルーホール１０２を介し導通しており、伝熱部材１０１とペルチェ素子２２０は接触し、また伝熱部材１０１と放熱部材２００が接触し、ヒートシンク１２、ペルチェ素子２２０、スルーホール１０２、放熱部材２２０は同一軸上にあり固定される。
【選択図】図１ａ

Description

本発明は、光通信やレーザプリンタ等に用いられる半導体レーザ装置に関するものである。

半導体レーザ素子の高出力化や長寿命化を実現するためには、半導体レーザ素子の放熱性を向上させて、半導体レーザ素子自体の温度上昇を防止することが望まれている。半導体レーザ素子の放熱性向上を考慮した従来技術の一例として、図３に示す構造が挙げられる。

互いに分離された半導体レーザ部（後に記載する図１ｂの９に相当するもの）が、ＧａＡｓからなる半導体基板の主面にあり、半導体レーザ部９が並んで配置された半導体レーザ素子１０は、その半導体基板の主面側を下にしてサブマウント１１の主面の素子搭載領域上に搭載される。サブマウント１１は、それぞれの半導体レーザ部９の電極と対向した位置に複数の電極が配置された搭載領域が形成されている。そして、その複数の電極のそれぞれの主面上には半田層が形成される。つまり、サブマウント１１の半導体レーザ素子１０搭載領域上に配置された複数の電極のそれぞれには、半田層を介在して半導体レーザ部９の複数の電極がサブマウント１１に配置された所定の対応する電極上に接続されている。

サブマウント１１の半導体レーザ素子１０搭載領域と異なる他の領域上には、ボンディングワイヤ３１，３２，３３，３４を接続するためのボンディングパッドが、ワイヤによってレーザ光が遮断されない位置に形成されている。それらが、ボンディングワイヤ３１，３２，３３，３４の他端側にフランジ１４を貫通して設けられ、フランジ１４とは電気的に分離された複数の端子１８，１９，２０，２１の一端側にそれぞれ接続することにより半導体レーザ素子１０への通電を可能にしている。

サブマウント１１は、ヒートシンク１２と接合されており、また、サブマウント１１とヒートシンク１２は、半導体レーザ素子１０の発熱を抑える役割を果たし、Ｃｕ，ＣｕＷ，Ａｇ等の熱伝導性の良い材質で作られている。更にヒートシンク１２は、フランジ１４とロウ付けで接合している。

そして、フォトディテクタ１３が、レーザの光出力をモニタするため、半導体レーザ素子１０の外部へのレーザ出射面とは反対側に搭載されている。フォトディテクタ１３のコモン電極側となる電極面には、ボンディングワイヤ３０の一端が接続されている。フォトディテクタ１３のコモン電極面と反対側の面は、ヒートシンク１２の一面に設置されている。フォトディテクタ１３は、ヒートシンク１２と半田ボンディングし、更に、ヒートシンク１２と半導体レーザ素子１０が導通するため、半導体レーザ素子１０のコモン電極と導通する。一方、ボンディングワイヤ３０のフォトディテクタ１３のコモン電極面と接続されている反対側の一端は、フランジ１４に接合する端子１６に接続されている。また、端子１６は、フランジ１４とは電気的に絶縁されている。

また、フランジ１４には端子１７がロウ付けされている。この端子１７は、フランジ１４およびフランジ１４と接続するヒートシンク１２とを介し、ヒートシンク１２の一面に接続するフォトディテクタ１３と導通するようになっている。

なお、図３では省略したが、半導体レーザ素子１０は、フランジ１４に設置した封止用のキャップ（後に記載する図１ａで１５に相当するもの）によって被覆され、パッケージ内に気密封止される。

上記した従来の構造における先行技術文献には、以下の提案がなされている。

特許文献１（特開昭５８−１６４２８５号公報）、特許文献２（特開平４−２４９７８号公報）、特許文献３（特開平６−３０２９１２号公報）、特許文献４（特開平６−８４５５５号公報）、特許文献５（実開平７−２７１７７号公報）、特許文献６（特開平８−３１６５６７号公報）においては、フランジ中心に設けられた貫通孔をヒートシンクが通り、フランジの端面からヒートシンク部は突き出たような構成になっており、そのヒートシンクの突き出た部分が直接放熱器に接触することで半導体レーザ素子を放熱させたり、ヒートシンクの端面にリードを取り付けて、そのリードから放熱をさせる構成を提案している。

特許文献７（実開昭６３−１７２１４３号公報）においては、半導体レーザ素子を板状のヒートシンクに取り付け、そのヒートシンクは、パッケージ下面より突出するように伸ばす構成にすることで、半導体レーザ素子の放熱を提案している。

特許文献８（特開平５−２９１６９３号公報）においては、ヒートシンクおよびフランジに貫通孔を設け、この貫通孔に、熱伝導バイパス経路となる熱伝導性の良い条材または線材からなるワイヤの一端を半田固定し、そのワイヤの他端をケースに設置することで、半導体レーザ素子の放熱のバイパス経路を設けた構成を提案している。

特開昭５８−１６４２８５号公報 特開平４−２４９７８号公報 特開平６−３０２９１２号公報 特開平６−８４５５５号公報 実開平７−２７１７７号公報 特開平８−３１６５６７号公報 実開昭６３−１７２１４３号公報 特開平５−２９１６９３号公報

半導体レーザ素子は、電力を消費すると熱が発生し、この熱によって高温下にさらされれば、出力の低下や寿命の短期化が生じる。そのような課題に対し、半導体レーザ素子の高出力化及び長寿命化を実現するためには、半導体レーザ素子の発熱を抑えるため、放熱をよくする必要がある。そして上述した特許文献には様々な放熱方法が提案されている。

しかしながら特許文献１〜６記載の方法においては、半導体レーザ素子の発熱をヒートシンクから放熱する方法に関して、具体的に図示又は説明されておらず、放熱方法として有効的であるとはいい難い。

例えば、特許文献１〜３に記載された構成においては、外部放熱器に接触するだけなので、効率的な放熱が出来ない。その上、半導体レーザ素子のカソード、外部モニタ用ディテクタの一端およびコモンとなるリードが、ヒートシンク側から出ており、これを避けるように放熱器を設置するため、ヒートシンクとの接触面積や、放熱器の放熱面積が十分に取れない。

一方、特許文献４〜６記載では、ヒートシンクに直接リードを取り付けており、そのリード部から放熱を積極的に実施することが提案されているが、そのリード部は駆動基板に半田固定されており、この半田部から放熱が進むと、半田部から駆動基板の銅箔パターンに伝熱し、やがて熱は駆動基板の銅箔パターンを介して、駆動基板全体に伝わってしまう。

特許文献７記載の方法においては、平板を用いて直接放熱する場合、半導体レーザ素子と接合している平板自体の熱容量が小さく、外部までの熱抵抗も大きくなり、放熱性が決して良好であるとはいい難く、半導体レーザ素子の放熱には効果的ではない。

特許文献８記載の方法においては、リードを介してケースへ放熱を行う場合、リードの径は、一般的にφ１以下と断面積が小さいため、効率的な放熱が行われるとは限らない上に、ケース側に放熱することでケース自体も温度が上がり、半導体レーザ素子の放熱対策としては効果的であるとはいえない。

本発明の課題は、半導体レーザ素子から発生した熱を、如何に効率よく放熱するかということであり、このような課題を解決した半導体レーザ装置を提供することにある。

上記課題を達成するため本発明は、半導体レーザ素子はサブマウントと接合しており、また前記サブマウントは前記半導体レーザ素子と接合した面とは反対の面でヒートシンクと接合し、前記ヒートシンクの側面部にフランジがあり、且つ前記ヒートシンクは前記フランジの中心に設けられた貫通孔を互いに垂直になるように通り、且つ前記半導体レーザ素子および前記サブマウントが前記フランジの第１面側にくるように配置しており、一方前記フランジ第２面は前記ヒートシンクと分離した部分に複数個のリードを取り付けた半導体レーザ装置において、前記ヒートシンクのフランジ第２面側に突き出た部分はペルチェ素子の第１面と接触し、前記フランジ第２面側にはレーザ駆動基板があり、前記レーザ駆動基板の中心にはスルーホールを設け、前記伝熱部材は前記レーザ駆動基板の第１面側と第２面側に形成されており、前記スルーホールを介して前記伝熱部材の前記レーザ駆動基板の第１面側と第２面側は形成された部分はつながり、且つ導通しており、前記伝熱部材のレーザ駆動基板第１面側部分と、前記ペルチェ素子第２面は接触しており、前記伝熱部材のレーザ駆動基板第２面側部分には放熱部材が接触しており、前記ヒートシンク、前記ペルチェ素子、前記スルーホール、前記放熱部材は同一軸上にあり、且つ固定されていることを特徴としている。

更に、第２項記載の発明は、前記レーザ駆動基板の中心に設けた前記スルーホールの断面積は、前記ヒートシンクが前記フランジを通る際の断面積以下であることを防ぐことを特徴としている。

更に、第３項記載の発明は、前記レーザ駆動基板の中心に設け、前記スルーホールを通り、且つ前記ペルチェ素子および前記放熱部材に接触する、前記伝熱部材は、前記レーザ駆動基板上に設けられているレーザ駆動回路とは、完全に分離されていることを特徴としている。

更に、第４項記載の発明は、前記レーザ駆動基板の前記伝熱部材の周囲には、長穴形状の防熱穴が設けてあり、前記防熱穴は、前記伝熱部材からの熱が前記レーザ駆動基板上に設けられているレーザ駆動回路を介し、前記レーザ駆動基板に拡大することを特徴としている。

更に、第５項記載の発明は、前記半導体レーザ素子は、複数の半導体レーザ部を備えていることを特徴としている。

本発明によれば、半導体レーザ素子への熱影響が少なくなり、このことで半導体レーザ装置の高出力化や長寿命化を図ることが可能となる。

以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明する。

図１ａは本願発明の一実施例である半導体レーザ素子１０をレーザ駆動基板に取り付けた断面図である。図１ｂは、本願発明の一実施例である半導体レーザ素子の拡大図である。図２は本願発明の一実施例であるレーザ駆動基板の外形図である。

半導体レーザ素子１０は、色々な製品に光源として広く使われており、勿論プリンタにも使われている。そしてプリンタの高速・高密度化が進み、半導体レーザ素子１０の半導体レーザ部９を複数並んで配置させることが進んでおり、トータルの光出力も大きくなってきている。このプリンタの高速・高密度化が進んでいるという事情を考慮し、プリンタに用いている半導体レーザ装置１１は、高速変調が重要であるため、半導体レーザ素子１０と駆動回路は、極力短い距離に設置するのが一般的であり、また、半導体レーザ素子１０の半導体レーザ部９の配置数に応じた端子の数量が増えてきている。しかし、半導体レーザ素子１０の放熱も考慮しなければならず、レーザ部の配置数増加に伴い、冷却構造も大きくなるため、半導体レーザ装置も大きくなる。

ここで本発明では、並んで配置された半導体レーザ部９の数は４とし、その中で半導体レーザ装置１の小型化と放熱向上によるレーザ特性の向上を図るため、スペースを抑えつつ、半導体レーザ素子１０の発熱を効率よく冷却する以下のような構成とした。

互いに分離された半導体レーザ部９が、ＧａＡｓからなる半導体基板の主面にあり、半導体レーザ部９が並んで配置された半導体レーザ素子１０は、その半導体基板の主面側を下にしてサブマウント１１の主面の素子搭載領域上に搭載される。サブマウント１１は、それぞれの半導体レーザ部９の電極と対向した位置に、複数の電極が配置された搭載領域が形成されている。そして、その複数の電極のそれぞれの主面上には半田層が形成される。つまり、サブマウント１１の半導体レーザ素子１０搭載領域上に配置された複数の電極のそれぞれには、半田層を介在して半導体レーザ部９の複数の電極がサブマウント１１に配置された所定の対応する電極上に接続されている。

サブマウント１１の半導体レーザ素子１０搭載領域と異なる他の領域上には、ボンディングワイヤ３１，３２，３３，３４を接続するためのボンディングパッドが、ワイヤによってレーザ光が遮断されない位置に形成されている。それらが、ボンディングワイヤ３１，３２，３３，３４の他端側を半導体レーザ装置１のフランジ１４を貫通して設けられ、フランジ１４とは電気的に分離された複数の端子１８，１９，２０，２１の一端側にそれぞれ接続することにより半導体レーザ素子１０への通電を可能にしている。更に、半導体レーザ装置１の端子１６，１７，１８，１９，２０，２１は、レーザ駆動回路が搭載されたレーザ駆動基板１００の、図２に示す端子用スルーホール１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８に、それぞれ挿入され接続されている。そして、半導体レーザ素子１０と駆動回路を、極力短い距離に設置し、半導体レーザの高速変調を可能にする必要がある。

サブマウント１１は、ヒートシンク１２と接合されており、また、サブマウント１１とヒートシンク１２は、半導体レーザ素子１０の発熱を抑える役割を果たし、Ｃｕ，ＣｕＷ，Ａｇ等の熱伝導性の良い材質で作られている。更に、ヒートシンク１２はフランジ１４の中心に設けられた貫通孔をフランジ１４に垂直になるように通っており、ヒートシンク１２の周囲を取り囲むようにフランジ１４が配置される。また、ヒートシンク１２とフランジ１４は、ロウ付けで接合している。

そして、フォトディテクタ１３が、レーザの光出力をモニタするため、半導体レーザ素子１０の外部へのレーザ出射面とは反対側に搭載されている。フォトディテクタ１３のコモン電極側となる電極面には、ボンディングワイヤ３０の一端が接続されている。フォトディテクタ１３のコモン電極面と反対側の面は、ヒートシンク１２の一面に設置されている。フォトディテクタ１３は、ヒートシンク１２と半田ボンディングし、更に、ヒートシンク１２と半導体レーザ素子が導通するため、半導体レーザ素子１０のコモン電極と導通する。一方、ボンディングワイヤ３０のフォトディテクタ１３のコモン電極面と接続されている反対側の一端は、フランジ１４に接合する端子１６に接続されている。また、端子１６は、フランジ１４とは電気的に絶縁されている。

また、フランジ１４には端子１７がロウ付けされている。この端子１７は、フランジ１４およびフランジ１４と接続するヒートシンク１２とを介し、ヒートシンク１２の一面に接続するフォトディテクタ１３と導通するようになっている。

なお、半導体レーザ素子１０は、フランジ１４に設置した封止用のキャップ１５によって被覆され、パッケージ内に気密封止される。

半導体レーザ素子１０とサブマウント１１は、フランジ１４の上面側に位置する。一方、フランジ１４の下面側に突き出たヒートシンク１２の一面は、ペルチェ素子２２０の上面と接触しており、ペルチェ素子２２０を使用する理由としては電気的に強制して冷却できるからである。このペルチェ素子２２０の導入によって、従来技術に比べると、より効率的で且つ確実に半導体レーザ素子１０の放熱をすることが可能である。また、ヒートシンク１２と接触しているペルチェ素子２２０の面の下面側は、レーザ駆動基板１００に形成された伝熱部材１０１と接している。

この伝熱部材１０１は、伝熱性のよい金属部材であり、例えば、銅箔や銀箔、アルミ箔のような伝熱性の優れた金属箔で形成すればよい。伝熱部材１０１は、レーザ駆動基板１００の上面側と下面側に形成されており、また、伝熱部材１０１の駆動基板の上面部と下面部は、レーザ駆動基板１００の中心にあるスルーホール１０２を介し、電気的に導通する。スルーホール１０２は、ヒートシンク１２より大きい断面積をしていると、ヒートシンク１２からペルチェ素子２２０、ペルチェ素子２２０から伝熱部材１０１への伝熱性は問題ないものの、あまりにスルーホール１０２が大きいと、レーザ駆動基板１００の強度が落ちたり、変形したりし易くなる。そのため、レーザ駆動基板１００の中心にあるスルーホール１０２の大きさは、ヒートシンク１２がフランジ１４の中心穴を通る際の断面積以下であることが望ましい。

そして、ペルチェ素子２２０と接触する面は、伝熱部材１０１のレーザ駆動基板１００上面側であり、更に、伝熱部材１０１のレーザ駆動基板１００下面側は、櫛状になった放熱部材２００と接している。放熱部材２００は伝熱部材１０１と接する上面側は平面であり、下面側は櫛状になっている。そして、フランジ１４の下面側に突き出たヒートシンク１２の一面には、ネジ穴を設けている。そしてフランジ１４の下面側に、上方からペルチェ素子２２０、レーザ駆動基板１００および放熱部材２００の順で配置されている、ネジ２１０を用いて固定されている。また、ここではヒートシンク１２、ペルチェ素子２２０、レーザ駆動基板１００の中心にあるスルーホール１０２、および放熱部材２００は同一軸上にある。

次に、半導体レーザ素子１０で発生した熱を逃す仕組みについて説明する。発熱した半導体レーザ素子１０の熱は、サブマウント１１、ヒートシンク１２を介して放熱し、更にヒートシンク１２の一面と接触するペルチェ素子２２０にて冷却を行う。一方、ペルチェ素子２２０は、ヒートシンク１２と接している面の反対の面が発熱しているので、レーザ駆動基板１００に設けられた伝熱部材１０１、放熱部材２００を介して冷却される。

従来の発明では、フランジ１４の外周面が外装部２３０などに固定されて、フランジ１４の外周面等を介し外装部２３０側に熱を逃がすことで、放熱を行っていたが、外装部２３０から半導体レーザ素子１０までの距離が短く、その半導体レーザ素子１０も高温になっているため、効率よく冷却できなかった。本発明は、ペルチェ素子２２０にて効率よく半導体レーザを冷却することが可能であると共に、そのペルチェ素子２２０のヒートシンク１２と接している面の反対面が、レーザ駆動基板１００の伝熱部材１０１と接しているため、効率よくペルチェ素子２２０の熱を逃がすことが可能である。接触面はネジ２１０でヒートシンク１２、ペルチェ素子２２０、レーザ駆動基板１００、放熱部材２００を固定することで、確実に接触させることが可能となる。ネジ２１０を用いた理由として、簡単に取り付けや取り外しが可能であること、また半田付けのように、形成された半田部から熱が伝わっていくことがないからである。尚、伝熱部材１０１とレーザ駆動基板１００を一体化することにより、レーザ駆動基板１００の強度を向上させながらレーザ駆動基板１００の伝熱抵抗を向上させ易くなる。

ここで、レーザ駆動基板１００の伝熱部材１０１は、ペルチェ素子２２０の熱を受けるため熱くなる。この熱が伝熱部材１０１を介し、レーザ駆動基板１００全体を熱くし、図２に示すように、レーザ駆動基板１００に搭載されたレーザ駆動ＩＣ１１５，１１６，１１７，１１８にも熱が伝わり、ＩＣが高温になることで、その機能が損なわれてしまう。そこで先ず、ペルチェ素子２２０と接触する伝熱部材１０１は、レーザ駆動基板１００上に設けているレーザ駆動回路とは完全に分離する。また、フランジ１４は鋼等の金属であることから熱伝導性も良好であるため、フランジ１４とレーザ駆動基板１００との距離があまりに近いと、レーザ駆動基板１００上のレーザ駆動ＩＣ１１５，１１６，１１７，１１８がフランジ１４からの輻射熱を受けることでも高温にさらされてしまう。従って、フランジ１４とレーザ駆動基板１００との距離は、レーザ駆動ＩＣ１１５，１１６，１１７，１１８が、フランジ１４からの輻射熱を受けないように配置する必要がある。

一方、ペルチェ素子２２０から受けた伝熱部材１０１の熱は、レーザ駆動基板１００へ伝わる。この伝熱部材１０１から伝わる熱を極力抑えるため、伝熱部材１０１の周囲に防熱穴１０９，１１０，１１１，１１２，１１３，１１４を設けている。防熱穴１０９，１１０，１１１，１１２，１１３，１１４を設けることで、レーザ駆動基板の基材部分が少なくなり、熱抵抗が増え、伝熱部材１０１の熱がレーザ駆動基板１００全体に拡散にしないようにしている。防熱穴１０９，１１０，１１１，１１２，１１３，１１４は、図２で長穴になっているが、単純な丸を複数個設けても効果がある。

最終的に半導体レーザ素子１０で発生した熱は、放熱部材２００の櫛上の面より大気へ逃げていくことになる。ここに、冷却風を流すことで、更なる冷却が可能になる。また、放熱部材２００の材料は、安価なＡｌなどを用いる。また、放熱部材２００の表面にアルマイト処理を施せば、輻射性を向上させることが出来るため、更なる放熱性を向上させることが可能である。

なお、本発明に用いた半導体レーザ装置１は、並んで配置された半導体レーザ部９の数が４の場合について説明したが、並んで配置されたレーザ部９の数が増えても同様な構成を取ることで、本願の発明の効果を奏することが可能である。また、半導体レーザ素子１０が一つの場合について説明したが、素子の数が増えることについても、同様な構成を取ることで、本願の発明の効果を奏することが可能である。

図１ａは、本願発明の一実施例である半導体レーザ装置の断面図である。 図１ｂは、本願発明の一実施例である半導体レーザ素子の拡大図である。 図２は、本願発明の一実施例であるレーザ駆動基板の上面図である。 図３は、従来の半導体レーザの斜視図である。

符号の説明

１…半導体レーザ装置、９…半導体レーザ部、１０…半導体レーザ素子、１１…サブマウント、１２…ヒートシンク、１３…フォトディテクタ、１４…フランジ、１５…封止用キャップ、１６，１７，１８，１９，２０，２１…端子、３０，３１，３２，３３，３４，３５…ボンディングワイヤ、１００…レーザ駆動基板、１０１…伝熱部材、１０２…スルーホール、１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８…端子用スルーホール、１０９，１１０，１１１，１１２，１１３，１１４…防熱穴、１１５，１１６，１１７，１１８…レーザ駆動ＩＣ、２００…放熱部材、２１０…ネジ、２２０…ペルチェ素子、２３０…外装部。

Claims (5)

1. 半導体レーザ素子はサブマウントと接合しており、また前記サブマウントは前記半導体レーザ素子と接合した面とは反対の面でヒートシンクと接合し、前記ヒートシンクの側面部にフランジがあり、且つ前記ヒートシンクは前記フランジの中心に設けられた貫通孔を互いに垂直になるように通り、且つ前記半導体レーザ素子および前記サブマウントが前記フランジの第１面側にくるように配置しており、一方前記フランジ第２面は前記ヒートシンクと分離した部分に複数個のリードを取り付けた半導体レーザ装置において、前記ヒートシンクのフランジ第２面側に突き出た部分はペルチェ素子の第１面と接触し、前記フランジ第２面側にはレーザ駆動基板があり、前記レーザ駆動基板の中心にはスルーホールを設け、前記伝熱部材は前記レーザ駆動基板の第１面側と第２面側に形成されており、前記スルーホールを介して前記伝熱部材の前記レーザ駆動基板の第１面側と第２面側は形成された部分はつながり、且つ導通しており、前記伝熱部材のレーザ駆動基板第１面側部分と、前記ペルチェ素子第２面は接触しており、前記伝熱部材のレーザ駆動基板第２面側部分には放熱部材が接触しており、前記ヒートシンク、前記ペルチェ素子、前記スルーホール、前記放熱部材は同一軸上にあり、且つ固定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記レーザ駆動基板の中心に設けた前記スルーホールの断面積は、前記ヒートシンクが前記フランジを通る際の断面積以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
3. 前記レーザ駆動基板の中心に設け、前記スルーホールを通り、且つ前記ペルチェ素子および前記放熱部材に接触する、前記伝熱部材は、前記レーザ駆動基板上に設けられているレーザ駆動回路とは、完全に分離されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記レーザ駆動基板の前記伝熱部材の周囲には、長穴形状の防熱穴が設けてあり、前記防熱穴は、前記伝熱部材からの熱が前記レーザ駆動基板上に設けられているレーザ駆動回路を介し、前記レーザ駆動基板に拡大することを防ぐことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
5. 前記半導体レーザ素子は、複数の半導体レーザ部を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

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